Specifiche tecniche DOWNLOAD - Intel® Solid

Solid State Drive Intel® serie DC S3700
Soluzioni di storage Intel® con memoria non volatile
DESCRIZIONE DEL PRODOTTO
Sempre straordinari
Offrite alle applicazioni che richiedono un I/O elevato prestazioni
eccezionali, durata prolungata e bassa latenza costante.
Le unità Solid State Drive Intel® serie DC S3700 appartengono alla nuova
generazione di SSD per data center, che combina prestazioni costanti con
elevata resistenza e robusta protezione dei dati.
Prestazioni veloci e omogenee
Trasferiscono i dati a grande velocità, con latenze
costantemente basse e distribuzione IOPS intensiva.
Supporto per Advanced Encryption Standard (AES).
Protezione dei dati da minacce esterne e problemi di sistema
interni con tecnologia di crittografia a 256 bit, offrendo la
tranquillità che i dati aziendali siano al sicuro e protetti.
Le unità Solid State Drive Intel® serie DC S3700 offrono
prestazioni superiori, con prestazioni in lettura casuale 4 KB
fino a 75.000 IOPS1 e prestazioni in scrittura casuale 4 KB fino
a 36.000 IOPS1. Conuna distribuzione al 10% di Input/Output
Operations per Second (IOPS)2 e latenze massime2 inferiori a
500 µs nel 99,9% dei casi, la serie DC S3700 assicura tempi
di risposta dei comandi rapidi e costanti. Queste prestazioni
abbinate a un basso consumo energetico attivo (minore o uguale
a 6 watt1) significano che le unità SSD Intel contribuiranno a
ridurre i costi energetici complessivi e rappresentano quindi
la scelta ideale per gli upgrade delle applicazioni di storage nei
data center.
Protezione ottimizzata dei dati in caso di interruzione
di corrente. Riduzione della possibile perdita di dati tramite
il rilevamento e la protezione dei dati in caso di interruzioni
di alimentazione impreviste del sistema. Tutti i dati vengono
memorizzati nella cache mentre vengono scritti prima
dell’arresto del sistema, riducendo le possibilità che si
verifichino perdite.
Protezione dei dati senza problemi
Dotate di tecnologia High Endurance Technology (HET), le unità
Solid State Drive Intel® serie DC S3700 offrono la resistenza
delle unità a stato solido SLC (Single Level Cell) in un package
SSD MLC (Multi Level Cell). Combinando tecniche di gestione della
NAND degli SSD e miglioramenti del silicio NAND, la tecnologia
HET consente alle unità DC S3700 di raggiungere 10 scritture
sull’unità al giorno (DWPD, Drive Writes per Day) in un ciclo di vita
di 5 anni. Per le unità SSD DC S3700 da 800 GB ciò equivale a
registrare oltre 186 anni di video HD per l’intera durata dell’unità.
Proteggete le applicazioni dei data center con molteplici controlli
di sicurezza che forniscono protezione contro la perdita e la
corruzione di dati.
Le unità SSD Intel serie DC S3700 combinano le seguenti
caratteristiche per offrire unità SSD affidabili.
Protezione completa dei dati end to end. Protezione dei dati
dall’ingresso all’uscita dall’unità. Le unità DC S3700 utilizzano
uno schema avanzato di correzione degli errori che assicura
l’integrità dei dati proteggendoli da possibili danni nella memoria
NAND, SRAM e DRAM. Proteggono inoltre i dati in transito
tramite diverse tecniche, come i controlli di parità, CRC (Cyclic
Redundancy Check) e la validazione dei tag LBA (Logical Block
Address). Quando viene rilevato un errore, viene effettuato
immediatamente un tentativo per correggerlo e gli eventuali
errori non correggibili vengono segnalati all’host. Per migliorare
ulteriormente il controllo qualità dei dati, le unità SSD Intel DC
S3700 forniscono un array di memoria flash in eccesso che
memorizza i dati nella cache per ridurre le possibilità di perdita.
Tecnologia High Endurance
Soddisfa le esigenze più impegnative con resistenza di lunga
durata in scrittura.
Il computing a stato solido inizia con Intel Inside® Per
ulteriori informazioni, visitate il sito Web all’indirizzo www.intel.
com/go/ssd
Caratteristiche in evidenza
Prestazioni1
4KBs
100 GB R/W casuale 4 KB 75.000/19.000 IOPS
200 GB R/W casuale 4 KB 75.000/32.000 IOPS
400 GB R/W casuale 4 KB 75.000/36.000 IOPS
800 GB R/W casuale 4 KB 75.000/36.000 IOPS
Solid State Drive Intel® serie DC S3700
Specifiche tecniche1
Nome modello
Solid State Drive Intel® serie DC S3700
Capacità
2,5”: 100 GB, 200 GB, 400 GB e 800 GB
1,8”: 200 GB e 400 GB
Memoria flash NAND
Componenti della memoria flash NAND MLC Intel® a 25 nm di alta qualità con tecnologia
High Endurance
Larghezza di banda2
Latenza di lettura/scrittura
I/O Operations
per Second (IOPS) casuali2
Interfaccia
Fattore di forma, altezza e peso
Durata prevista
Resistenza ciclo di vita
Consumo di energia
Temperatura operativa
Conformità alla direttiva RoHS
Monitoraggio delle condizioni dei sistemi
Informazioni per l’ordinazione dei prodotti
Letture sequenziali costanti
100GB: fino a 500 MB/s
200GB: fino a 500 MB/s
400GB: fino a 500 MB/s
800GB: fino a 500 MB/s
Scrittura sequenziale costante
100GB: fino a 200 MB/s
200GB: fino a 365 MB/s
400GB: fino a 460 MB/s
800GB: fino a 460 MB/s
45 μs / 65 μs
Letture / scritture 4 KB
100GB: fino a 75,000 IOPS / 19,000 IOPS
200GB: fino a 75,000 IOPS / 32,000 IOPS
400GB: fino a 75,000 IOPS / 36,000 IOPS
800GB: fino a 75,000 IOPS / 36,000 IOPS
Letture / scritture 8 KB
100GB: fino a 47,500 IOPS / 9,500 IOPS
200GB: fino a 47,500 IOPS / 16,500 IOPS
400GB: fino a 47,500 IOPS / 19,500 IOPS
800GB: fino a 47,500 IOPS / 20,000 IOPS
SATA 6 Gb/s, compatibile con SATA 3 Gb/s e 1,5 Gb/s
Fattori di forma standard del settore da 2,5 pollici e 1,8 pollici
Altezza:
2,5” 100 GB, 200 GB, 400 GB e 800 GB 7
mm di spessore; 1,8” 5 mm di spessore
2,5” 200, 400, 800 GB: 73,6 grammi ± 2
Peso:
grammi; 2,5” 100 GB: 70 grammi ± 2 grammi;
1,8” 200, 400 GB: 49 grammi ± 2 grammi
2 milioni di ore di MTBF (Mean Time Between Failure)
Fino a 10 scritture su unità al giorno3
Attivo: fino a 6 W tipico Inattivo: 650 mW tipicol
0° C to +70° C
Soddisfa i requisiti delle direttive di conformità RoHS della UE
Comandi Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology (S.M.A.R.T.)
Per ordinare, visitare intel.com/go/ssd
1 In base alle specifiche di prodotto delle unità SSD Intel® serie DC S3700.
2 Dispositivo misurato tramite Iometer con profondità della coda di scritture casuali 4 KB impostata a 32 sul 100% di estensione dell’unità. Latenza misurata con
dimensione di trasferimento in scrittura di 4 KB (4,096 byte) e profondità della coda impostata a 1.
3 In base allo standard JESD218
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Intel può apportare modifiche alle specifiche e alle descrizioni dei prodotti in qualsiasi momento e senza preavviso. I progettisti non devono fare affidamento sull’assenza o sulle caratteristiche di qualunque
funzione o sulle istruzioni contrassegnate come “riservate” o “non definite”. Intel si riserva di definirle in futuro e non accetta alcuna responsabilità in caso di conflitti o incompatibilità derivanti da ogni loro
modifica futura. Le informazioni sono soggette a modifica senza preavviso. Non finalizzare un progetto con queste informazioni.
I test e gli indici di prestazioni sono calcolati utilizzando sistemi e/o componenti specifici e riflettono le prestazioni approssimative dei prodotti Intel in base alle misurazioni di questi test. Qualsiasi differenza
nell’hardware del sistema, nella progettazione del software o nella configurazione potrebbe influire sulle prestazioni effettive. Gli acquirenti sono tenuti a consultare altre fonti di informazioni, per valutare
le prestazioni dei sistemi o dei componenti che intendono acquistare. Per ulteriori informazioni sui test delle prestazioni dei prodotti Intel®, visitare la pagina: http://www.intel.com/performance/resources/
benchmark_limitations.htm.
I prodotti descritti in questo documento possono contenere errori o difetti di progettazione noti come “errata” che possono determinare l’errato funzionamento del prodotto, a differenza di quanto stabilito nelle
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