研究業績一覧（著書、論文、口頭発表等）
岡本 浩
目次
（２－１）著書
（２－２）学術論文
原著論文
本論文
レター＆ショートノート
総説
（２－３）国際会議、学会発表等
国際会議発表論文
招待講演リスト
国内学術講演
国内学会講演
シンポジウム＆研究会報告
（２－４）特許
（２－１）著書、辞書編集
集英社 イミダス２００７
岡本浩、工藤一浩、和田恭雄
「エレクトロニクス」分担執筆
2006 年 10 月
【以下は電子出版】
集英社 デジタル版イミダス２００８ 「エレクトロニクス」分担執筆
2008 年 3 月 26 日
集英社 デジタル版イミダス２００９ 「エレクトロニクス」分担執筆
2009 年 2 月 18 日
http://imidas.jp/
集英社 デジタル版イミダス２０１０ 「エレクトロニクス」分担執筆
2010 年 2 月 18 日
http://imidas.jp/
集英社 デジタル版イミダス２０１１ 「エレクトロニクス」分担執筆
2011 年 2 月 28 日
http://imidas.jp/
集英社 デジタル版イミダス２０１２ 「エレクトロニクス」分担執筆
2012 年 3 月 28 日
http://imidas.jp/
1
集英社 デジタル版イミダス２０１３ 「エレクトロニクス」分担執筆
2013 年 3 月 21 日
http://imidas.jp/
集英社 デジタル版イミダス２０１４ 「エレクトロニクス」分担執筆
2014 年 3 月 25 日
http://imidas.jp/
（２－２）学術論文
原著論文
（本論文）
1.
Y. Watanabe, Y. Kadota, H. Okamoto, M. Seki, and Y. Ohmachi; "Structural properties of
GaAs-on-Si with InGaAs/GaAs strained-layer superlattice", J. Cryst. Growth vol. 93, pp. 459-465,
1988.
2.
Y. Watanabe, Y. Kadota, H. Okamoto, and Y. Ohmachi; "Depth-resolved cathodoluminescence in
GaAs epilayers grown on Si substrates", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 28, pp. 16-20, 1989.
3.
H. Okamoto, H. Yasaka, K. Sato, Y. Yoshikuni, K. Oe, K. Kishi, Y. Kondo, and M. Yamamoto; "A
Wavelength-tunable duplex integrated light source for fast wavelength switching", J. Lightwave
Technol. vol. 14, pp. 1033-1041, 1996.
4.
K. Kawano, M. Kohtoku, M. Wada, H. Okamoto, Y. Itaya, and M. Naganuma; "Design of a
spotsize-converter-integrated laser diode (SS-LD) with a lateral taper, thin-film core and ridge in
the 1.3-µm-wavelength region based on the 3-D BPM", IEEE J. Selected Topics in Quantum.
Electron. vol. 2, pp. 348-354, 1996.
5.
F. Zamkotsian, K. Sato, H. Okamoto, K. Kishi, I. Kotaka, M. Yamamoto, Y. Kondo, H. Yasaka, Y.
Yoshikuni, and K. Oe; "Monolithic integration of MQW modulators of optical multiplexer on InP
for 100 Gbit/s transmission", J. Lightwave Technol. vol. 14, pp. 2344-2352, 1996.
6.
M. Wada, H. Okamoto, K. Kishi, Y. Kadota, M. Okamoto, Y. Kondo, Y. Sakai, H. Oohashi, Y.
Suzaki, Y. Tohmori, M. Nakao, Y. Itaya, and M. Yamamoto; "Laser diodes integrated with
butt-jointed spotsize converter fabricated on 2-in wafer", J. Lightwave Technol. vol. 15, pp.
498-504, 1997.
7.
M. Wada, H. Okamoto, M. Kohtoku, K. Kawano, Y. Kadota, Y. Kondo, K. Kishi, S. Kondo, Y.
Sakai, I. Kotaka, Y. Noguchi, and Y. Itaya; "Fabrication and coupling-to-fibre characteristics of
laser diodes integrated with a spot-size converter having a lateral taper", IEE Proc. Optoelectron.
vol. 144, pp. 104-108, 1997.
8.
H. Okamoto, T. Tadokoro, Y. Kondo, and M. Nakao; "Non-Destructive characterization of
2
InGaAsP/InP distributed Bragg reflectors and regrown optical cavity layers for InP-based
vertical-cavity surface-emitting lasers", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 36, pp. 5365-5370, 1997.
9.
Y. Itaya, Y. Tohmori, H. Okamoto, O. Mitomi, M. Wada, K. Kawano, H. Fukano, K. Yokoyama, Y.
Suzaki, M. Okamoto, Y. Kondo, I. Kotaka, M. Yamamoto, M. Kohtoku, Y. Kadota, K. Kishi, Y.
Sakai, H. Oohashi, and, M. Nakao; "Spot-size converter integrated laser diodes (SS-LDs)", IEICE
Trans. Electron. vol. E80-C, pp. 30-40, 1997.
10. N. Yamamoto, K. Kishi, S. Matsumoto, Y. Kadota, R. Iga, H. Okamoto, and H. Mawatari;
"Electrical evaluation of InP surface damage caused by reactive ion etching with a mixture of
methane (CH4) or ethane (C2H6) and hydrogen (H2), J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 15, pp. 103-108,
1997.
11. N. Yamamoto, K. Kishi, S. Matsumoto, R. Iga, H. Okamoto, and H. Mawatari; "Electrical
evaluation of InP surface damage by RIE using mixture of C2H6 and H2", Material Science And
Engineering, B44, pp. 61-64, 1997.
12. K. Kawano, M. Kohtoku, H. Okamoto, Y. Itaya, and M. Naganuma; "Coupling and conversion
characteristics of spot-size-converter integrated laser diodes", IEEE J. of Selected Topics in
Quantum Electron. vol. 3, pp. 1351-1360, 1997.
13. H. Okamoto and K. Oe; "Growth of metastable alloy InAsBi by low-pressure MOVPE", Jpn. J.
Appl. Phys. vol. 37, pp. 1608-1613, 1998.
14. H. Okamoto, M. Wada, Y. Sakai, T. Hirono, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Kadota, K. Kishi, and Y.
Itaya; "A Narrow Beam 1.3-µm-Super Luminescent Diode Integrated with a Spot-Size Converter
and a New Type Rear Absorbing Region", J. Lightwave Technol. Vol. 16, pp. 1881-1887, 1998.
15. N. Yamamoto, K. Kishi, Y. Kondo, S. Matsumoto, R. Iga, Y. Kadota, H. Okamoto and H.
Mawatari: "Ammonium sulfide combined etching (ACE): an effective treatment for reducing
impurities prior to MOVPE InP regrowth in a process using hydrocarbon gas reactive ion etching
(RIE)", J. Cryst. Growth, Vol. 193, pp. 16-22, 1998.
16. H. Okamoto and K. Oe; "Structural and energy-gap characterization of MOVPE-grown InAsBi",
Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2B, pp. 1022-1025, 1999.
17. T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima, E. Kurimoto; " Experimental consideration of
optical band-Gap energy of wurtzite InN ", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 42, no. 4B, pp.2288-2290,
2000.
18. Y.
Ohiso,
H. Okamoto,
R.
Iga,
K.
Kishi,
K. Tateno,
and
C.
Amano; "1.55-µm
Buried-Heterostructure VCSELs with InGaAsP/InP-GaAs/AlAs DBRs on a GaAs Substrate",
IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 37 No. 9, September. pp. 1194 -1202, 2001.
19. Y. Shibata, N. Kikuchi, S. Oku, T. Ito, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Suzuki and Y.
Kondo; "Monolithically Integrated Parallel-Amplifier Structure for Filter-Free Wavelength
3
Conversion", Jpn. J. Appl. Phys. vol.41, pp. 1194-1198, 2002.
20. N. Fujiwara, T. Kakitsuka, M. Ishikawa, F. Kano, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y.
Yoshikuni, and Y. Tohmori; "Inherently Mode-hop-free Distributed Bragg Reflector (DBR) Laser
Array", IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron., Vol.9, pp. 1132-1137, 2003.
21. T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima and E. Kurimoto; "Experimental Consideration
of Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", Jpn. J. Appl. Phys., 42, 4B, pp.2288-2290, 2003.
22. T. Matsuoka, H. Okamoto, and M. Nakao; "Growth of Wurtzite InN using MOVPE and its
Optical Characteristics", phy. stat. sol. (c), 0, pp.2806-2809, 2003.
23. T. Ito, Y. Shibata, H. Okamoto, S. Oku, Y. Kawaguchi, R. Sato, N. Kikuchi, Y. Kondo, Y.
Suzuki; " Bit-rate and format conversion from 10-Gbit/s WDM channels to a 40-Gbit/s channel
using a monolithic Sagnac interferometer integrated with parallel-amplifier structure", IEE Proc
Optoelectron, vol.151, pp.41-45, 2004.
24. T. Matsuoka, H. Okamoto, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, and T.
Makimoto; "MOVPE Growth and Photoluminescence of Wurtzite InN", J. Cryst. Growth, 269,
pp.139-144, 2004.
25. Y. Suzaki, H. Yasaka, H. Mawatari, K. Yoshino, Y. Kawaguchi, S. Oku, R. Iga,
H. Okamoto; "Monolithically integrated eight-channel WDM modulator with narrow channel
spacing and high throughput ", IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron. vol. 11, pp. 43-49,
2005.
26. N. Fujiwara, N. Kikuchi, T. Kakitsuka, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Yasaka, Y.
Yoshikuni, Y. Tohmori; "Tuning range enhanced by self-phase adjustment in mode-hop-free
short-active-region DBR laser", J. Selected Topics in Quantum Electron. vol. 11, pp. 939-944,
2005.
27. S. Matsuo, S. H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, Y.
Yoshikuni; "Digitally tunable ring laser using ladder filter and ring resonator", J. Selected Topics
in Quantum Electron. vol.11, pp. 924-930, 2005.
28. N. I. Cade, H. Gotoh, H. Kamada, H. Nakano, and H. Okamoto; "Fine structure and
magneto-optics of exciton, trion, and charged biexciton states in single InAs quantum dots
emitting at 1.3 µm", Phys. Rev. B, vol. 73, pp.115322-1-115322-7, 2006.
29. T. Kakitsuka, S. Matsuo, S-H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y.
Yoshikuni, and H. Suzuki; "Design of a widely tunable laser with a chirped ladder filter",
Optical and Quantum Electronics 38, pp. 1053-1060, 2006.
30. N. Fujiwara, H. Ishii, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and H. Oohashi; "Suppression of
Thermal Wavelength Drift in Super-Structure Grating Distributed Bragg Reflector (SSG-DBR)
Laser with Thermal Drift Compensator", IEEE. J. Selected Topoics in Quantum Electron, vol. 13,
4
pp. 1164-1169, 2007.
31. H. Gotoh, S. W. Chang, S. L. Chuang, H. Okamoto, and Y. Shibata; "Tunable slow light of 1.3 µm
region in quantum dots at room temperature", Jpn. J. Appl. Phys. vol.46, pp. 2369-2372, 2007.
32. T. Tawara, H. Kamada, S. Hughes, H. Okamoto, M. Notomi, and T. Sogawa; "Cavity mode
emission in weakly coupled
quantum dot cavity systems", OPTICS EXPRESS, vol. 17, pp.
6643-6654, April 7, 2009.
33. T. Tawara, H. Kamada, T. Tanabe, T. Sogawa, H. Okamoto, P. Yao, P. K. Pathak, and S. Hughes;
"Cavity-QED assisted attraction between a cavity mode and an exciton mode in a
planar
photonic-crystal cavity", OPTICS EXPRESS, vol. 18, pp. 2719-2728, January 26, 2010.
34. H. Okamoto, T. Tawara, H. Gotoh, H. Kamada, and T. Sogawa; "Growth and Characterization of
Telecommunication-Wavelength Quantum Dots Using Bi as a Surfactant", Jpn. J. Appl. Phys. vol.
49, pp. 06GJ01-1-06GJ01-6, June 21, 2010.
35. H. Okamoto, T. Tawara, T. Tateno, H. Gotoh, H. Kamada, and T. Sogawa; "Distinctive Feature of
Ripening During Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy Using Bi as a Surfactant",
Jpn. J. Appl. Phys. vol. 50, pp.06GH07-1-06GH07-4, 2011.
36. 岩崎拓郎、小野俊郎、王谷洋平、福田幸夫、岡本浩；
「ECR プラズマ法によって作製した
p 型並びに n 型 GeNx/Ge 構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価」、電気学会論
文誌 C、 Vol. 133, No. 7, pp. 1279-1284, 2013 年 07 月 01 日.
37. 岡本浩、成田英史、佐藤真哉、岩崎拓郎、小野俊郎、王谷洋平、福田幸夫；
「ECR プラズ
マ法によって作製した Ge-MIS 構造における界面近傍トラップの DLTS 評価」、電気学会
論文誌 C、Vol. 133, No. 8, pp. 1481-1484, 2013 年 08 月 01 日.
38. H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara1, K. Tateno1, and H. Gotoh; " Deep level
transient spectroscopy (DLTS) characterization of In(Ga)As-quantum dots fabricated
using Bi as a surfactant", Accepted in Jpn. J. Appl. Phys.
（レター＆ショートノート）
1.
H. Okamoto, Y. Watanabe, Y. Kadota, and Y. Ohmachi; "Dislocation reduction in GaAs on Si by
thermalcycles and InGaAs/GaAs strained-layer superlattices", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 26, pp.
L1950-1952, 1987.
2.
H. Okamoto, T. Oh'hara, Y. Kadota, and Y. Ohmachi; "DLTS measurement on electron-irradiated
GaAs-on-Si", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 29, pp. 1052-1053, 1990.
3.
T. Tadokoro, H. Okamoto, Y. Kohama, T. Kawakami, and T. Kurokawa; "Room temperature
pulsed operation of 1.5 µm GaInAsP/InP vertical-cavity surface-emitting laser", IEEE Photon.
Technol. Lett. vol. 4, pp. 409-411, 1992.
5
4.
F. Zamkotsian, H. Okamoto, K. Kishi, M. Okamoto, Y. Yoshikuni, K. Sato, and K. Oe; "An InP
based optical multiplexer for 100-GHz pulse-train generation", IEEE Photon. Technol. Lett. vol. 7,
pp. 502-504, 1995.
5.
H. Okamoto, K. Sato, H. Yasaka, Y. Yoshikuni, K. Oe, K. Kishi, Y. Kondo, and M. Yamamoto;
"Fast wavelength switching for 10 Gbit/s NRZ signal with a tunable duplex integrated light
source", Electron. Lett. vol. 31, pp. 1274-1275, 1995.
6.
M. Wada, M. Kohtoku, K. Kawano, H. Okamoto, Y. Kadota, Y. Kondo, K. Kishi, S. Kondo, Y.
Sakai, I. Kotaka, Y. Noguchi, and Y. Itaya; " High-coupling-efficiency laser diodes integrated
with spot-size converters fabricated on 2 inch InP substrates", Electron. Lett. vol. 31, pp.
2102-2104, 1995.
7.
F. Zamkotsian, K. Sato, H. Okamoto, K. Kishi, I. Kotaka, M. Yamamoto, Y. Kondo, H. Yasaka, Y.
Yoshikuni, and K. Oe; "Generation and coding of a 100 Gbit/s signal by an InP-based optical
multiplexer integrated with modulators"; Electron. Lett. vol. 31, pp. 578-579, 1995.
8.
Y. Tohmori, Y. Suzaki, H. Oohashi, Y. Sakai, Y. Kondo, H. Okamoto, M. Okamoto, Y. Kadota, O.
Mitomi, Y. Itaya, and T. Sugie; "High temperature operation with low-loss coupling to fibre for
narrow-beam 1.3 µm lasers with butt-jointed selective grown spot-size converter", Electron. Lett.
vol. 31, pp. 1838-1840, 1995.
9.
H. Okamoto, Y. Suzaki, Y. Tohmori, M. Okamoto, Y. Kondo, Y. Kadota, M. Yamamoto, K. Kishi,
Y. Sakai, M. Wada, and Y. Itaya; "1.3 µm laser diodes with butt-jointed selectively grown
spot-size converters uniformly fabricated on a 2-in InP substrate", Electron. Lett. vol. 32, pp.
1099-1101, 1996.
10. T. Hashimoto, Y. Nakasuga, Y. Yamada, H. Terui, M. Yanagisawa, K. Moriwaki, Y. Suzaki, Y.
Tohmori, Y. Sakai, and H. Okamoto; "Hybrid integration of spot-size converted laser diode on
planar lightwave circuit platform by passive alignment technique, IEEE Photon. Technol. Lett.
vol. 8, pp. 1504-1506, 1996.
11. 黒崎武志, 東盛裕一, 三冨修, 笠谷和生, 界義久, 岡本浩, 岡本稔, 須崎泰正, 和田正
人, 内田直人; 「ﾊﾞｯﾄｼﾞｮｲﾝﾄ型光導波路集積素子における内部反射抑制法」, 電子情報
通信学会論文誌, C-1, vol. J79-C-I, pp. 482-483, 1996.
12. K. Kawano, M. Kohtoku, M. Wada, H. Okamoto, Y. Itaya, and M. Naganuma; "3-D
semivectorical beam propagation analysis of a spotsize-converter-integrated laser diode in the 1.3
µm-wavelength region", IEEE Photon. Technol. Lett. vol. 9, pp. 19-21, 1997.
13. H. Okamoto, M. Wada, Y. Sakai, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Kadota, K. Kishi, and Y. Itaya;
"Narrow-beam 1.3 µm superluminescent diode with butt-jointed selectively grown spot-size
converter", Electron. Lett. vol. 33, pp. 528-529, 1997.
14. K. Kawano, M. Kohtoku, H. Okamoto, Y. Itaya, and M. Naganuma; "Comparison of coupling
6
characteristics for several spotsize-converter-integrated laser diodes in the 1.3-µm-wavelength
region"; IEEE Photon. Technol. Lett. vol. 9, pp. 428-430, 1997.
15. N. Yamamoto, K. Kishi, S. Matsumoto, K. Kadota, H. Okamoto, and H. Mawatari; "Electrical
drift phenomenon due to deep donor defects induced by reactive ion etching (RIE) using mixture
of ethane (C2H6) and hydrogen (H2)", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 36, pp. L654-L657, 1997.
16. K. Oe, and H. Okamoto；"New semiconductor alloy GaAs1-xBix grown by metal organic vapor
phase epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 37, pp. L1283-L1285, 1998.
17. H. Ofuchi, T. Kubo, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Okamoto, and K. Oe: “Fluorescence EXAFS
study on local structures around Bi atoms in InAsBi grown by low-pressure MOVPE” Jpn. J.
Appl. Phys. Vol. 38, Suppl. 38-1, pp.545-547, 1999.
18. Y. Akage, K. Kawano, S. Oku, R. Iga, H. Okamoto, Y. Miyamoto, and H. Takeuchi: "Wide
bandwidth of over 50 GHz travelling-wave electrode electroabsorption modulator integrated DFB
lssers", Electron. Lett. Vol. 37, pp.299-300, 2001.
19. Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, K. Tateno, and C. Amano; "High performance of 1.55-mu m
buried-heterostructure vertical-cavity surface-emitting lasers", IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 13, pp.
918 -920, 2001.
20. Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, and C. Amano; "Single transverse mode operation of
1.55-μm buried heterostructure vertical-cavity surface-emitting lasers", IEEE Photon. Technol.
Lett., vol. 14, pp. 783 -740, 2002.
21. T. Ohno, H. Ishii, S. Matsuo, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, T. Furuta, H. Ito, and Y.
Yoshikuni; "Hybrid mode-locking of semiconductor ring lasers incorporating passive deep-ridge
waveguides", Electron. Lett., vol. 38, pp. 884 -886, 2002.
22. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii, Y. Yoshikuni, Y.
Tohmori; "Monolithically
integrated
64-channel
WDM
channel
selector
with
novel
configuration", Electron Lett, vol.38, pp. 331‐332, 2002.
23. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii, Y. Yoshikuni, Y.
Tohmori; "Error-free signal selection and high-speed channel switching by monolithically
integrated 64-channel WDM channel selector", Electron Lett, vol.38, pp. 823‐824, 2002.
24. Y. Shibata, N. Kikuchi, S. Oku, T. Ito, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Suzuki and Y.
Tohmori; "Filter-Free all-optical Wavelength Conversion using Sagnac interferometer integrated
with Parallel-amplifier structure (SIPAS)", Electron. Lett. vol. 38, pp. 1273‐1275, 2002.
25. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima and E. Kurimoto; "Optical Band-Gap Energy of
Wurtzite InN", Appl. Phys. Lett. vol. 81, pp.1246-1248, 2002.
26. K. Asaka, Y. Suzaki, Y. Kawaguchi, S. Kondo, Y. Noguchi, H. Okamoto, R. Iga, and S. Oku;
"Lossless electroabsorption modulator monolithically integrated with a semiconductor optical
7
amplifier and a passive waveguide", IEEE Photon. Technol. Lett. vol.15, pp.679-681, 2003.
27. N. Kikuchi, Y. Shibata, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, S. Oku, H. Ishii, Y. Yoshikuni, Y.
Tohmori; "Monolithically integrated 64 ‐ channel WDM wavelength ‐ selective receiver",
Electron Lett, vol. .39, pp. 312-314, 2003.
28. Y. Suzaki, K. Asaka, Y. Kawaguchi, S. Oku, Y. Noguchi, S. Kondo, R. Iga, and
H. Okamoto; "High extinction ratio performance of a DWDM Monolithic multi-channel
modulation circuit", Electron. Lett. vol. 39, pp. 306-307, 2003.
29. N. Fujiwara, T. Kakitsuka, F. Kana, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y. Yoshikuni, and Y.
Tohmori; "Mode-hop-free wavelength-tunable distributed Bragg reflector laser", Electron. Lett.,
vol. 39, pp. 614-615, 2003.
30. S. Matsuo, Y. Yoshikuni, T. Segawa, Y. Ohiso, H. Okamoto; "A Widely Tunable Optical Filter
Using Ladder-Type Structure", IEEE Photonic Technol Lett, VOL.15, pp. 1114‐1116, 2003.
31. N.
Kikuchi,
Y.
Shibata,
Tohmori; "Monolithically
H. Okamoto,
integrated
Y.
Kawaguchi,
100-channel
WDM
S.
Oku,
channel
Y.
selector
Kondo,
Y.
employing
low-crosstalk AWG", IEEE Photon. Technol. Lett. vol.16, pp. 2481-2483, 2004.
32. Y. Suzaki, H. Ysaka, Y. Kawaguchi, R. Iga, and H. Okamoto; "Monolithically integrated
eight-channel WDM modulators with cyclic AWGs for multichannel-block operation over
C-band", Electron. Lett. vol. 41 pp. 551-552 2005.
33. K. Asaka, Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, and Y. Tohmori; "Improvement in threshold
voltage of 1.55-mu m buried-heterostructure vertical-cavity surface-emitting", Jpn. J. Appl. Phys.
Part 2, vol. 44, L552-L554 2005.
34. N. I. Cade, H. Gotoh, H. Kamada, H. Tawara, T. Sogawa, H. Nakano, and H. Okamoto; "Charged
exciton emission at 1.3 µm from single InAs quantum dots grown by metalorganic chemical
vapor deposition", Appl. Phys. Lett. vol.87, pp. 172101-1-172101-3, 2005.
35. S-H. Jeong, S. Matsuo, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, Y.
Yoshikuni; "Stable and fast 100 GHz-spaced 30-channel digitally tunable operation in
monolithically integrated semiconductor laser employing chirped ladder filter", Electron. Lett. vol.
41, pp. 1176-1178, 2005.
36. T. Yamaguchi, T, Tawara, H, Kamada, H. Gotoh, H. Okamoto, H. Nakano, and O. Mikami;
"Single-photon emission from single quantum dots in a hybrid pillar microcavity", Appl. Phys.
Lett. vol.92, pp. 081906-1-081906-3, 2008.
37. Y. Fukuda, H. Okamoto, T. Iwasaki, Y. Otani, and T. Ono, “Surface passivation of p-type Ge
substrate with high-quality GeNx layer formed by electron-cyclotron-resonance plasma
nitridation”,
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Using Ladder Filter", Optical Fiber Communications Conf. (OFC2006), OWL3, (Anaheim, CA,
USA, March 2006).
67. N. Nunoya, Y, Shibata, H. Ishii, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and H. Oohashi; "4.6 nm
mode-hop-free tunable DFB laser with high coupling coefficient gratings", IEEE LEOS Annual
Meeting Conf. WZ3 (Montreal, Que., Canada, Oct.-Nov. 2006).
68. N. Fujiwara, H. Ishii, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and H. Oohashi; " Suppression of
thermal wavelength drift in SSG-DBR laser with thermal drift compensation structure", IEEE
20th Int. Semiconductor Laser Conf. TuB7 pp.31-32 (Kohala Coast, HI, USA, Sept. 2006).
69. S. Matsuo, T. Segawa, T. Kakitsuka, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, H. Suzuki, and Y.
16
Yoshikuni; " Widely tunable laser using microring resonators", IEEE 20th Int.Semiconductor
Laser Conf. TuB2 pp. 21-22 (Kohala Coast, HI, USA, Sept. 2006).
70. T. Kakitsuka, S. Matsuo, S-H. Jeong, T. Segawa, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, Y.
Yoshikuni, and H. Suzuki; " Design of a widely tunable laser with a chirped ladder filter", 6th Int.
Conf. On Numerical Simulation of Optoelectronic Devices Proceedings pp. 47-48 (Singapore,
Sept. 2006).
71. N. Nunoya, Y, Shibata, H. Ishii, H. Okamoto, Y. Kawaguchi, Y. Kondo, and H. Oohashi; " Novel
tunable DFB laser with separated high coupling coefficient gratings", Int. Conf. on Indium
Phosphide and Related Materials Conf. Proceedings pp. 68-71, 2006 (Princeton, NJ, USA, May
2006).
72. T. Yamaguchi, T. Tawara, H. Gotoh, H. Kamada, H. Okamoto, H. Nakano, and O. Mikami;
"Fabrication and Optical Properties of Hybrid-type Pillar Microcavity", 12th Optoelectronics and
Communications Conf. (OECC) 13D2-4, (Yokohama, Japan, July, 2007).
73. T. Tawara, H. Kamada, S. Hughes, H. Okamoto, M. Notomi, T. Sogawa; “Cavity mode emission
in weakly coupled quantum-dots-cavity system” 9th Int. Conf. on Physics of Light-Matter
Coupling in Nanostructures (PLMCN9) FrB2-2, (Lecce, Italy, Apr. 2009).
74. T. Tawara, S. Hughes, H. Kamada, P. Yao, H. Okamoto, T. Tanabe, T. Sogawa;
"Cavity-QED assisted “attraction” between an exciton and a cavity mode in a planar
photonic-crystal cavity", Conference on Lasers and Electro-Optics and Int. Quantum
Electronics Conf. 2009 (CLEO/IQEC 09) ITuJ4, (Baltimore, USA, June 2009).
75. T. Tawara, H. Kamada, S. Hughes, H. Okamoto, M. Notomi and T. Sogawa; "Influence of
Cavity Mode Emission on Single Photon Generation in Quantum-Dot-Cavity Systems",
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), I-6-2, (Miyagi, Japan, Oct.
2009).
76. H. Okamoto, T. Tawara, H. Gotoh, H. Kamada and T. Sogawa, "Growth and Characterization of
Telecommunication-Wavelength Quantum Dots using Bi as a Surfactant", 22nd Int.
Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC 2009), 18B-4-2, pp. 76-77, (Sapporo, Japan,
Nov. 2009).
77. T. Tawara, H. Kamada, S. Hughes, H. Okamoto, M. Notomi, H. Gotoh; "Role of Background
Photons in a Strongly-Coupled Quantum Dot - Nanocavity System", 37th Int. Symp. on
Compound Semiconductors, ThD2-3 , (Kagawa, Japan, June 2010).
78. D. Suzuki, H. Nakazawa, R. Osozawa, H. Okamoto; "Formation of an AlN buffer layer by pulsed
laser deposition for SiC heteroepitaxy on Si substrate", The 7th International Symposium on
Intrinsic Josephson Effects and Plasma Oscillations in High-Tc Superconductors (Hirosaki, Japan,
May 2010).
17
79. H. Okamoto, T. Tawara, K. Tateno, H. Gotoh, H. Kamada and T. Sogawa; "Distinctive Feature of
Ripening During the Growth Interruption of InGaAs Quantum Dot Epitaxy using Bi as a
Surfactant", 23rd Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC 2010),
12D-11-61,
(Kokura, Japan, Nov. 2010).
80. Yohei Otani, Yukio Fukuda, Tetsuya Sato, Hiroshi Toyota, Hiroshi Okamoto and Toshiro Ono ,
"Interface Properties of GeNx/Ge Fabricated by Electron-cyclotron-resonance Plasma Nitridation",
2011 MRS Spring Meeting, P4.6,
April 27, 2011 San Francisco, California.
81. H. Okamoto, S. Suzuki, H. Narita, T. Tawara, K. Tateno, and H.Gotoh, "DLTS Characterization
of In(Ga)As-quantum DotsFabricated using Bi as a Surfactant", 26th Int. Microprocesses and
Nanotechnology Conf. (MNC 2013),
8D-9-2, (Sapporo, Japan, Nov. 2013).
国際会議発表論文（査読なし）
1.
H. Okamoto, H. Narita, T. Iwasaki, T. Ono, Y. Fukuda, Y. Otani,
H.Toyota, M. Sakuraba, J.
Murota, and M. Niwano; " DLTS Evaluation of GeNX/Ge Structures Fabricated by ECR-Plasma
Techniques", 4th International Workshop on Nanostructures & Nanoelectronics, (Sendai, Japan,
March 7, 2013).
2.
H. Okamoto, H. Narita, T. Ono, Y. Fukuda, Y. Otani, T. Sato, H. Toyota, M. Sakuraba, J. Murota,
and M. Niwano; "Comparison of the properties of traps in Ge-MIS structures by conductance
method and deep level transient spectroscopy (DLTS)", 7th International WorkShop on New
Group IV Semiconductor Nanoelectronics, O-5, (Sendai, Japan, Jan. 28, 2014).
招待講演リスト（アブストラクト査読あり）
（国際会議、国内学会リストと重複掲載）
（ 国際会議招待講演リスト）
1.
H. Okamoto, H. Yasaka, and K. Oe; "A Wavelength-tunable Duplex Integrated Light Source",
SPIE Conference Proceeding of High-Speed Semiconductor Laser Sources, vol. 2684, pp.
118-126, (San Jose, USA, 1996).
2.
Y. Kawaguchi, M. Okamoto, H. Okamoto , H. Fukano, Y. Tohmori, Y. Suzaki, M. Nakao and M.
Yamamoto; "MOVPE Selective Growth of Spot-size Converter for 1.3 µm Lasers", Second
International Conf. on High Speed Opto-electronics for Communications. (Snowbird, U.S.A.
1996)
3.
Y. Ohiso, H. Okamoto, R. Iga, K. Kishi, and C. Amano; "Single Transverse Mode Operation of
1.55-μm BH VCSELs", Solid State Devices and Materials (SSDM), G-3-1 334 (Nagoya Sept.
2002).
4.
T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y.
18
Uchiyama, and T. Makimoto; "MOVPE Growth of Wurtzite InN and its Optical Characteristics",
International Conference on Solid State Devices and Materials, F-4-1, (Tokyo, Japan, 2003).
5.
T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, and T. Makimoto;
"MOVPE Growth of InN and its Band-Gap Energy", 8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop,
WP-2-1, (Richmond, U.S.A., 2003).
6.
T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, H.
Harima, and T. Makimoto; "MOVPE Growth of Wurtzite InN and Experimental Consideration of
Optical Characteristics", ONR Indium Nitride Workshop, 6-4, (Fremantle Australia, 2003).
7. N. Fujiwara, T. Kakitsuka, N. Kikuchi, Y. Kawaguchi, H. Okamoto, Y. Kondo, Y. Yoshikuni, and
Y. Tohmori; "6.1nm Tuning in a Mode-hop-free DBR Laser",
OECC/COIN2004 Technical
Digest., 15E2-3, pp. 702-703, (Yokohama, Japan, Jul. 2004).
8.
T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, H.
Harima, and T. Makimoto; "Current Status of Nitride Semiconductors from GaN to InN -MOVPE
Growth of Characteristics-", International Workshop on Crystal Growth and Characterization of
Technologically Important Materials, 12, (Chennai, India, 2004).
（ 国内学会招待講演リスト）
1. 田村宗久、赤毛勇一、伊賀龍三、岡本
浩、奥
哲、近藤
進、都築
健、野口悦男、
山中孝之、近藤康洋「EA 変調器及び EA 変調器集積ＤＦＢレーザの高速化と低電圧化」2001
年度電子情報通信学会秋季大会シンポジウム SC-2-8, （2001 年 9 月、電気通信大学)
2. 大礒義孝、岡本 浩、伊賀龍三、岸 健志、天野主税、
「1.55μｍ帯埋込み面発光レーザ」、
電子情報通信学会技術研究報告 LQE2001-144
3. 柴田泰夫、菊池順裕、奥
2002 pp49-54（2002 年 2 月）
哲、伊藤敏夫、岡本
浩、川口悦弘、近藤康洋、鈴木安弘、
東盛裕一、
「モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子（SIPAS）
」
、2002 年電気情報
通信学会総合大会講演論文集 C-4-24（2002 年 3 月早稲田大学）
4. 伊藤敏夫、柴田泰夫、岡本
浩、奥
哲、川口悦弘、佐藤里江子、菊池順裕、近藤康洋、
鈴木安弘、
「モノリシック集積波長変換素子 SIPAS を用いた 10Gb/s 波長多重チャネルか
ら 40Gb/s チャネルへのビットレート変換」、2002 年電気情報通信学会総合大会講演論文
集（2002 年 3 月早稲田大学）
5.
浅香航太、大礒義孝、黒崎武志、伊賀龍三、岡本
浩、加藤和利、「長波長帯埋込み面
発光レーザの開発」、電気情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 CS-4-8（2005 年 9
月、北海道大学）
19
国内学術講演
（国内学会報告）
1. 国吉繁一, 岡本浩, 田中國昭, 大木創;「高分子・半導体 MIS 構造の電気的特性」, 昭和
56 年電気学会全国大会講演論文集, 273,（1981 年 3 月）
2. 国吉繁一, 岡本浩, 田中國昭, 大木創;「MOS 界面の充電 TSC (IV)-界面捕獲電子のエネ
ルギー再分布過程の検討」, 第 43 回応用物理学学術講演会, 28p-S-4,（1982 年 9 月, 九
州産業大学）
3. 石塚文則, 岡本浩, 巻島秀男;「半絶縁性 GaAs 基板上のインダクタの特性」, 昭和 59 年
度電子通信学会総合全国大会, 860,（1984 年 3 月, 早稲田大学理工学部）
4. 岡本浩, 大坂次郎, 小林隆, 小林健二;「LEC 法 GaAs 結晶中のホールトラップの評価」第
33 回応用物理学関係連合講演会, 1p-V-15,（1986 年 4 月, 日本大学生産工学部）
5. 大坂次郎, 岡本浩, 日向文明, 渡辺和夫;「In 添加 VM-FEC 法無転位 GaAs 結晶の熱処理に
よる特性改善機構」, 第 33 回応用物理学関係連合講演会, 4p-X-6,（1986 年 4 月, 日本
大学生産工学部）
6. 岡本浩, 渡辺義夫, 門田好晃, 大町督郎;「熱処理 GaAs on Si のフォトルミネッセンス」,
第 48 回応用物理学会学術講演会, 20p-X-7（l987 年 10 月, 名古屋大学）
7. 大町督郎, 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩;「ポーラス Si 上の GaAs 成長」, 第 48 回応用
物理学会学術講演会, 20a-X-5（l987 年 10 月, 名古屋大学）
8. 大町督郎, 西岡孝, 岡本浩, 門田好晃;「GaAs on Si の熱処理効果」, 第 48 回応用物理
学会学術講演会, 20p-X-6,（l987 年 10 月, 名古屋大学）
9. 門田好晃, 渡辺義夫, 岡本浩, 大町督郎;「MOCVD による Si 基板上の GaAs 成長 I」, 第
48 回応用物理学会学術講演会, 20a-X-10,（l987 年 10 月, 名古屋大学）
10. 門田好晃, 岡本浩, 渡辺義夫, 大町督郎;「M0CVD による Si 基板上の GaAs 成長 II」, 第
48 回応用物理学会学術講演会, 20a-X-11,（l987 年 10 月, 名古屋大学）
11. 岡本浩, 渡辺義夫, 門田好晃, 大町督郎;「歪超格子を導人した GaAs on Si の内部応力」,
第 35 回応用物理学関連連合講演会, 29p-Z-8,（1988 年 3 月, 法政大学）
12. 関昌浩, 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩, 大町督郎;「歪超格子中間層を持つ Si 基板上 GaAs
層の欠陥観察」, 第 35 回応用物理学関係連合講演会, 29p-Z-2（l988 年 3 月, 法政大学）
13. 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩, 大町督郎;「歪超格子を導入した GaAs on Si の結晶欠陥
評価」, 第 35 回応用物理学関係連合講演会, 29p-Z-4（l988 年 3 月, 法政大学）
14. 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩, 大町督郎;「Si 基板上の AlGaAs/GaAs 単一量子井戸による
へテロ界面の評価」, 第 35 回応用物理学関係連合講演会, 29p-Z-13（l988 年 3 月, 法政
大学）
15. 門田好晃, 岡本浩, 渡辺義夫, 大町督郎;「Si 基板上の GaAs 太陽電池特性」, 第 35 回応
用物理学関係連合講演会, 29p-E-5,（l988 年 3 月, 法政大学）
20
16. 門田好晃, 岡本浩, 渡辺義夫, 大原多賀彦, 大町督郎;「Si 基板上の高効率 GaAs 太陽電
池」, 第 49 回応用物理学会学術講演会, 7p-Y-16,（l988 年 10 月, 富山大学）
17. 渡辺義夫, 門田好晃, 岡本浩, 大町督郎;「InGaAs 系，AlGaAs 系中間層を導入した Si 基
板上 GaAs 成長」, 第 49 回応用物理学会学術講演会, 7p-Y-6,（l988 年 10 月, 富山大学）
18. 大原多賀彦, 岡本浩, 門田好晃, 大町督郎;「Si 基板上に形成した薄膜 GaAs 太陽電池」
昭和 63 年電子情報通信学会春季全国大会講演論文集, 2-352,（l988 年 3 月）
19. 岡本浩, 渡辺義夫, 門田好晃, 大町督郎;「InGaAs／GaAs 歪超格子による GaAs on Si の
転位低減（低減機構）
」, 第 36 回応用物理学関係連合講演会,2p-ZM-8,（1989 年 4 月, 千
葉大学）
20. 大町督郎, 渡辺義夫, 岡本浩, 門田好晃;「InGaAs/GaAs 歪超格子による GaAs on Si の転
位低減（TEM 観察）
」, 第 36 回応用物理学関係連合講演会, 2p-ZM-7,（1989 年 4 月, 千
葉大学）
21. 門田好晃, 小浜剛孝, 渡辺義夫, 岡本浩, 大原多賀彦, 大町督郎;「Bragg 反射層付き GaAs
on Si 太陽電池」, 第 36 回応用物理学関係連合講演会, 2a-V-5,（1989 年 4 月, 千葉大
学）
22. 大原多賀彦, 岡本浩, 門田好晃, 大町督郎;「GaAs-on-Si 構造薄膜太陽電池」, 1989 年
電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集 C-103, （1990 年 9 月）
23. 岡本浩, 大原多賀彦, 門田好晃, 大町督郎;「電子線照射した GaAs/Si の DLTS 測定」, 第
37 回応用物理学関係連合講演会, 28p-PC-38,（1990 年 3 月, 東洋大学朝霞校舎）
24. 田所貴志, 岡本浩, 川上剛司, 小濱剛孝;「1.5 µm 面発光レーザの発振特性」, 第 52 回
応用物理学会学術講演会, 11p-ZM-2,（1991 年 10 月, 岡山大学）
25. 田所貴志, 岡本浩, 小濱剛孝, 川上剛司, 黒川隆志;「1.5 µm 帯面発光レーザの室温パル
ス発振」, 第 39 回応用物理学関係連合講演会,（1992 年 3 月, 日本大学理工学部習志野
校舎）
26. 岡本浩, 八坂洋, 佐藤憲史, 吉國裕三, 尾江邦重, 岸健志, 近藤康洋, 山本みつ夫;「可
変波長 Duplex 集積光源による 10 Gbit/s 光信号の高速波長の切換動作」, 1995 年電子情
報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-205,（1995 年 9 月, 中央大学理工学部）
27. 岡本浩, 八坂洋, 吉國裕三, 尾江邦重;「可変波長 Duplex 集積光源の波長ドリフト及び
熱クロストｰクの抑制」, 1995 年電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-206,（1995 年
9 月, 中央大学理工学部）
28. 和田正人, 岡本浩, 神徳正樹, 河野健治, 門田好晃, 近藤康洋, 岸健志, 近藤進, 東盛
裕一, 界義久, 小高勇, 野口悦男, 板屋義夫;「2 インチ InP 基板上に作製したスポット
サイズ変換機能付き LDII」, 1995 年電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-296,（1995
年 9 月, 中央大学理工学部）
29. 山本知生, 岸健志, 松本信一, 伊賀龍三, 岡本浩, 馬渡宏泰;「C2H6-RIE を用いたプロセ
21
スにおける InP 表面ダメージ層の電気的評価 」, 第 56 回応用物理学学術講演会,
26a-ST-9,（1995 年 8 月, 金沢工業大学）
30. 岡本浩, 須崎泰正, 東盛裕一, 岡本稔, 近藤康洋, 門田好晃, 山本みつ夫, 中尾正史, 岸
健志, 界義久, 板屋義夫, 杉江利彦; 「2 ｲﾝﾁ InP 基板上に作製したﾊﾞｯﾄｼﾞｮｲﾝﾄ選択成長
ｽﾎﾟｯﾄｻｲｽﾞ変換レーザの均一性」, 電子情報通信学会 1996 年総合大会, C-369,（1996 年
3 月, 東京工業大学）
31. 河野健治, 神徳正樹, 和田正人, 岡本浩, 板屋義夫, 永沼充;「薄膜コアリッジ形スポッ
ト変換 LD の 3-D BPM による設計」, 電子情報通信学会 1996 年総合大会, C-367,（1996
年 3 月, 東京工業大学）
32. 和田正人, 岡本浩, 神徳正樹, 河野健治, 門田好晃, 近藤康洋, 岸健志, 近藤進, 界義
久, 小高勇, 野口悦男, 板屋義夫;「スポット拡大機能付きレーザ」, 電子情報通信学会
1996 年総合大会, C-368,（1996 年 3 月, 東京工業大学）
33. 須崎泰正, 三冨修, 東盛裕一, 岡本浩, 近藤康洋, 界義久, 岡本稔, 門田好晃;「pn-BH
構造を考慮したバットジョイント型スポットサイズ変換 LD における結合効率の検討」,
電子情報通信学会 1996 年総合大会, C-368,（1996 年 3 月, 東京工業大学）
34. 岡本浩, 和田正人, 界義久, 川口悦弘, 近藤康洋, 門田好晃, 岸健志, 板屋義夫; 「1.3
µm 帯狭出射ビームスーパールミネッセントダイオード」, 1996 年電子情報通信学会ｴﾚｸ
ﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-280,（1996 年 9 月, 金沢大学）
35. 河野健治, 神徳正樹, 東盛裕一, 岡本浩, 和田正人, 三冨修, 界義久, 板屋義夫, 永沼
充; 「各種スポット変換 LD(SS-LD)の結合特性の 3-D BPM による比較」, 電子情報通信学
会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-299,（1996 年 9 月, 金沢大学）
36. 黒崎武志, 東盛裕一, 笠谷和生, 三冨修, 界義久, 和田正人, 岡本浩, 岡本稔, 須崎泰
正;「バットジョイント構造を有するスポットサイズ変換レーザの発振スペクトル特性の
検討」, 電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-305,（1996 年 9 月, 金沢大学）
37. 界義久, 黒崎武志, 和田正人, 岡本浩, 東盛裕一, 鳥羽弘;「スポット変換 LD の近端戻
り光雑音特性」, 電子情報通信学会ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｿｻｴﾃｨ大会, C-306,（1996 年 9 月, 金沢大学）
38. 山本知生, 岸健志, 松本信一, 伊賀龍三, 岡本浩, 馬渡宏泰;「C2H6-RIE を用いたプロセ
スにおける InP 表面ダメージ層の電気的評価(II)」, 第 43 回応用物理学関係連合講演会,
27p-M-17,（1996 年 3 月, 東洋大学朝霞校舎）
39. 山本知生, 岸健志, 松本信一, 岡本浩, 馬渡宏泰;「C2H6-RIE により InP 表面に導入され
る欠陥の電気的性質」, 第 57 回応用物理学学術講演会, 8p-ZH-3,（1996 年 9 月, 九州産
業大学）
40. 岡本浩, 尾江邦重;「準安定混晶 InAsBi の MOVPE 成長」, 第 58 回応用物理学会学術講演
会, 4p-V-3,（1997 年 10 月, 秋田大学）
41. 山本知生, 岸健志, 松本信一, 近藤康洋, 門田好晃, 岡本浩, 馬渡宏泰 ; 「炭化水素系
22
RIE プロセス後の InP 表面上への MOVPE 再成長前処理新手法」, 第 44 回応用物理関係連
合講演会, 29a-M-3, （1997 年 3 月, 日本大学船橋校舎）
42. 岡本浩, 尾江邦重;「光学的手法による MOVPE 成長 InAsBi のバンドギャップ評価」, 第
45 回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZM-4,（1998 年 3 月, 東京工科大学）
43. 尾江邦重, 岡本浩;「GaInAs 混晶の MOVPE 低温成長」, 第 45 回応用物理学関係連合講演
会, 28a-ZM-1,（1998 年 3 月, 東京工科大学）
44. 尾江邦重, 岡本浩;「GaAsBi 混晶の MOVPE エピタキシャル成長」, 第 45 回応用物理学関
係連合講演会, 28a-ZM-2,（1998 年 3 月, 東京工科大学）
45. 尾江邦重, 岡本浩;「GaAsBi エピタキシャル膜の評価」, 第 45 回応用物理学関係連合講
演会, 28a-ZM-3,（1998 年 3 月, 東京工科大学）
46. 赤毛勇一、河野健治、奥
哲、伊賀龍三、岡本
浩、宮本
裕、竹内博昭「進行波電
極構造 EA 変調器集積 DFB レーザの開発」、2001 年電子情報通信学会総合大会 C-3-80（2001
年 3 月）
47. 吉 村 了 行 、 神 徳 正 樹 、 三 条 広 明 、 黒 崎 武 志 、 奥
哲、岡本
浩、吉國裕三、
「2.5Gb/s-16ch-100GHz 半導体 AWG-PD モジュール」、2001 年電子情報通信学会総合大会
C-3-93（2001 年 3 月）
48. 菊池順裕、柴田泰夫、岡本
浩、川口悦弘、奥 哲、石井啓之、吉國裕三、東盛裕一「モ
ノリシック集積型 64ch-WDM 用チャネルセレクタ」、2001 年電子情報通信学会ソサイエテ
ィ大会講演論文集 C-3-68（2001 年 9 月）
49. 柴田泰夫、菊池順裕、奥 哲、伊藤敏夫、岡本 浩、川口悦弘、近藤康洋、鈴木安弘、
「モ
ノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)におけるフィルタフリー動作」、
2001 年電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 C-3-65（2001 年 9 月）
50. 伊藤敏夫、柴田泰夫、岡本
浩、奥 哲、川口悦弘、佐藤里江子、菊池順裕、近藤康洋、
鈴木安弘、「モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)を用いた 10Gb/s 波
長多重チャネルから 40Gb/s チャネルへのビットレート変換」、2001 年電子情報通信学会
ソサイエティ大会講演論文集 C-3-66（2001 年 9 月）
51. 岡本 浩、
「分光エリプソメータを用いた InGaAsP 成長層の非破壊評価」
、第 62 回応用物
理学会学術講演会,12a-T-2(2001 年 9 月 愛知工業大学）
52. 大礒義孝、岡本 浩、伊賀龍三、岸 健志、舘野功太、天野主税、
「1.55μｍ帯埋込み面
発光レーザの低閾値電流・単一横モード動作」
、第 62 回応用物理学会学術講演会 14p-B-8
(2001 年 9 月 愛知工業大学）
53. 柴田泰夫、菊池順裕、奥 哲、伊藤敏夫、岡本 浩、川口悦弘、近藤康洋、鈴木安弘、
「モ
ノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)」第 62 回応用物理学会学術講演会
13p-Y-17、(2001 年 9 月 愛知工業大学）
54. 菊池順裕、柴田泰夫、岡本
浩、川口悦弘、奥 哲、石井啓之、吉國裕三、東盛裕一、
「モ
23
ノリシック集積型 64ch-WDM 用チャネルセレクタによるチャネル切換特性」、2002 年電気
情報通信学会総合大会講演論文集 C-3-6（2002 年 3 月早稲田大学）
55. （招待講演）柴田泰夫、菊池順裕、奥 哲、伊藤敏夫、岡本
浩、川口悦弘、近藤康洋、
鈴木安弘、東盛裕一、
「モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子（SIPAS）」、2002
年電気情報通信学会総合大会講演論文集 C-4-24（2002 年 3 月早稲田大学）
56. （招待講演）伊藤敏夫、柴田泰夫、岡本
浩、奥
哲、川口悦弘、佐藤里江子、菊池順
裕、近藤康洋、鈴木安弘、
「モノリシック集積波長変換素子 SIPAS を用いた 10Gb/s 波長
多重チャネルから 40Gb/s チャネルへのビットレート変換」
、2002 年電気情報通信学会総
合大会講演論文集（2002 年 3 月早稲田大学）
57. 浅香航太、 須崎泰正、川口悦弘、近藤進、野口悦男、岡本浩、伊賀龍三、奥
哲、「パ
ッシブ導波路を有するモノリシック集積型 EA‐SOA の損失補償動作」
、第４９回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集 VOL.49th, NO.3 p.1183 （2002 年 3 月、東海大学）
58. 大野哲一郎、石井啓之、松尾慎治、岡本浩、川口悦弘、近藤康洋、古田知史、伊藤弘、
吉国裕三、「パッシブ・ハイメサ導波路を用いた半導体リングモード同期レーザ」、第４
９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 VOL.49th, NO.3 、p.1183（2002 年 3 月、東
海大学）
59. 松岡隆志, 中尾正史, 岡本浩, 播磨弘, 栗本英治, 萩原恵美 : "InN のバンドギャップ・
エネルギ", 第 49 回応用物理学関係連合講演会予稿集, p.392 (29p-ZM-1) （2002 年 3
月、東海大学）
60. 菊池順裕, 柴田泰夫, 岡本浩, 川口悦弘, 奥哲, 石井啓之, 吉国裕三, 東盛裕一 、「モ
ノリシック集積型 64ch‐WDM 波長選択受信器」
、2002 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VOL.63rd, NO.3, p.1021、(2002 年 9 月、新潟大学)
61. 柴田泰夫, 菊池順裕, 奥哲, 伊藤敏夫, 岡本浩, 川口悦弘, 近藤康洋, 鈴木安弘, 東盛
裕一 「モノリシック波長変換素子 (SIPAS) を用いた 40Gb/s 同一波長 3R」
、2002 応用物
理学会学術講演会講演予稿集 VOL.63rd, NO.3, p.1034、(2002 年 9 月、新潟大学)
62. 須崎泰正, 浅香航太, 川口悦弘, 奥哲, 野口悦男, 近藤進, 伊賀龍三, 岡本浩、
「モノリ
シック集積型多チャンネル変調素子」
、2002 応用物理学会学術講演会講演予稿集 VOL.63rd,
NO.3, p.1021、(2002 年 9 月、新潟大学)
63. 松岡隆志, 岡本浩, 中尾正史, 播磨弘, 栗本英治, 谷賢典: "ウルツ鉱型 InN の結晶性と
MOVPE 成長条件", 第 63 回応用物理学会学術講演会予稿集, p.339 (26a-YH-11) (2002 年
9 月、新潟大学).
64. 馬渡宏泰、須崎泰正、八坂
洋、吉野
薫、川口悦弘、奥
哲、伊賀龍三、岡本
浩、
近藤康洋、浅香航太、「モノリシック集積型多チャンネル光変調素子の 2.5Gbps 動作」、
2003 年電気情報通信学会総合大会講演論文集 C-3-3、(2003 年 3 月、東北大学）
65. 藤原直樹、硴塚孝明、岡本
浩、川口悦弘、近藤康洋、吉國裕三、東盛裕一、「モード
24
ホップフリー分布反射型（DBR）レーザの波長可変特性」、2003 年電気情報通信学会総合
大会講演論文集 C-4-20、(2003 年 3 月、東北大学)
66. 瀬川徹, 松尾慎治, 大磯義孝, 岡本浩、「マッハツェンダー干渉計とリング共振器を用い
た高速波長可変フィルタ」
、第 50 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 VOL.50th, NO.3,
p.1287（, 2003 年 3 月、神奈川大学）
67. 菊池順裕, 柴田泰夫, 岡本
浩, 川口悦弘, 奥
哲, 近藤康洋, 東盛裕一、「モノリシ
ック集積 100 チャネル WDM チャネルセレクタ」
、電子情報通信学会 2003 年ソサイエティ
大会, C-4-47、（2003 年、新潟大学）
68. 赤毛勇一, 岡本 浩, 岸 健志, 深野秀樹, 山中孝之, 保井孝子, 高橋 亮, 斎藤 正、
「1.55μm 帯
InGaAsP/InGaAsP 多重量子井戸(MQW)構造のキャリアエスケープタイム
評価」、第 64 回応用物理学会学術講演会講演予稿集 VOL.64th, NO.3, p.1312,（2003 年 8
月、福岡大学）
69. 須郷 満, 柴田泰夫,岡本
浩, 竹下達也, 上岡裕之, 都築 健, 東盛裕一「OCT 応用
1300nm SLD におけるリップル低減の検討」、第 64 回応用物理学会学術講演会講演予稿集
VOL.64th, NO.3 , p.912（2003 年 8 月、福岡大学）
70. 松尾慎治, 吉国裕三, 瀬川徹, 大磯義孝, 岡本浩、
「ラダー型構造を持つ広帯域波長可変
フィルタ」
、応用物理学会学術講演会講演予稿集 VOL.64th, NO.3, p.1078（2003 年）
71. 須崎泰正、八坂洋、馬渡宏泰、吉野薫、川口悦弘、奥哲、伊賀龍三、岡本浩「モノリシ
ック集積型 WDM 用 8ch 光変調素子の 80Gb/s スループット動作」
、電気情報通信学会総合
大会講演論文集 C-3-58（2004 年 3 月、東京工業大学）
72. 浅香航太、大礒義孝、岡本浩、岸健志、伊賀龍三、鈴木博之 「単一横モード 1.55μm 帯
埋込み面発光レーザの緩和振動周波数評価」
、2004 応用物理学関係連合講演会講演予稿集
VOL.51st, NO.3 p.1265（2004 年 3 月、東京工科大学）
73. 松尾慎治, 吉国裕三, 瀬川徹, 大いそ義孝, 岡本浩、
「ラダー型フィルタとリング共振器
を用いた波長可変レーザ」、応用物理学関係連合講演会講演予稿集 VOL.51st, NO.3,
p.1312（2004 年 3 月、東京工科大学）
74. 浅香航太、大礒義孝、岡本
浩、岸 健志、伊賀龍三、東盛裕一、
「1.55μm 帯埋込み VCSEL
の熱抵抗評価」
、電気情報通信学会 2004 ソサイエティ大会 C-4-2（2004 年 9 月、徳島大
学）
75. 松尾慎治、JEONG S‐H、瀬川徹、岡本浩、川口悦弘、近藤康洋、鈴木博之、吉国裕三、「ラ
ダー型フイルタとリング共振器を用いた波長可変レーザ (II)」、第 65 回応用物理学会学
術講演会講演予稿集 VOL.65th, NO.3, p.1019（2004 年 9 月、東北学院大学）
76. 松岡隆志, 岡本浩, 硴塚孝明, 牧本俊樹、
「ウルツ鉱型 InN の光学吸収特性の温度依存性」
、
第 65 回応用物理学関係連合講演会予稿集, (3a-W-10) (2004 年 9 月、東北学院大学)
77. 赤毛勇一、深野秀樹、山中孝之、田村宗久、岸 健志、岡本 浩、中島裕樹、齊藤 正、
25
近藤康洋、「マイクロ波入出力線路構造を有する n-InP 基板上 40Gbps EA 変調器」、電
気情報通信学会総合大会講演論文集 C-4-2（2005 年 3 月、大阪大学）
78. 浅香航太、大礒義孝、黒崎武志、伊賀龍三、岡本 浩、東盛裕一、「1.55 μm 帯埋込み
型 VCSEL の熱解析」、電気情報通信学会総合大会講演論文集 C-4-17（2005 年 3 月、大阪
大学）
79. ニコラスケイド、後藤秀樹、鎌田英彦、俵 毅彦、寒川哲臣、 中野秀俊、岡本
浩、
「1.3μm
で発光する単一 InAs/InGaAs 量子ドットにおける電子シェル構造」
、2005 応用物理学関係
連合講演会講演予稿集 VOL.52nd, NO.3, p.1568（2005 年 3 月、埼玉大学）
80. JEONG S.‐H., 松尾慎治, 瀬川徹, 岡本浩, 川口悦弘, 近藤康洋, 鈴木博之, 吉国裕三、
「チャープしたラダーフィルタを用いる半導体波長可変レーザ」、電気情報通信学会ソサ
イエティ大会講演論文集 C-4-31（2005 年 9 月、北海道大学）
81. （招待講演）浅香航太、大礒義孝、黒崎武志、伊賀龍三、岡本
浩、加藤和利、「長波
長帯埋込み面発光レーザの開発」、電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 CS-4-8
（2005 年 9 月、北海道大学）
82. 松尾慎治, JEONG S.‐H., 瀬川徹, 岡本浩, 川口悦弘, 近藤康洋, 鈴木博之, 吉国裕三 、
「チャーピングしたラダー型フィルタを用いた波長可変レーザ」、第 66 回応用物理学会
学術講演会講演予稿集 VOL.66th, NO.3, p.1013（2005 年 9 月、徳島大学）
83. 岡本 浩、後藤秀樹、ニコラスケイド、鎌田英彦、寒川哲臣、
「Bi サーファクタントを用
いた In(Ga)As 量子ドットの MOVPE 成長」
、第 53 回応用物理学関係連合講演会 25p-T-19
（2006 年 3 月、武蔵工業大学）
84. ニコラスケイド，後藤秀樹，鎌田英彦，俵 毅彦，岡本 浩，中野秀俊、
「InAs 量子ドッ
トからの 1.3 ミクロン帯オンデマンド単一光子発生」、第 67 回応用物理学会学術講演会
31p-RE-13（2006 年 8 月、立命館大学）
85. 山口貴雄、俵毅彦、後藤秀樹、鎌田英彦、岡本浩、中野秀俊、三上修、「量子ドットを有
するハイブリッド型ピラー微小共振器の発光特性」、第 54 回応用物理学関係連合講演会
28p-ZB-10（2007 年 3 月、青山学院大学）
86. 俵 毅彦、鎌田英彦、田辺孝純、Nicholas Cade1、倉持栄一、Yong-Hang Zhang、岡本 浩、
後藤秀樹、納富雅也、寒川哲臣、「線欠陥型ナノ共振器に埋め込まれた低密度量子ドット
の発光特性」
、第 68 回応用物理学会学術講演会 7p-R-12（2007 年 9 月、北海道工業大学）
87. 山口貴雄，俵 毅彦，鎌田英彦，後藤秀樹，岡本 浩，中野秀俊，三上 修，
「量子ドッ
トを有するハイブリッド型ピラー微小共振器からの単一光子発生」
、第 55 回応用物理学
関係連合講演会 28a-ZX-7（2008 年 3 月、日本大学）
88. 俵 毅彦、鎌田英彦、岡本
浩、納富雅也、寒川哲臣、
「ガス凝縮共振モード離調法によ
る励起子ー光子結合状態の評価」
、第 69 回応用物理学会学術講演会 2p-V-16（2008 年 9
月、中部大学）
26
89. 俵毅彦、S. Hughes、鎌田英彦、P. Yao、岡本浩、田辺孝純、寒川哲臣、
「励起子ー共振
器結合におけるアトラクション現象」
、第 56 回応用物理学関係連合講演会 31p-ZN-6（2009
年 3 月、青山学院大学）
90. 岡本浩、俵毅彦、後藤秀樹、鎌田英彦、寒川哲臣；
「Bi サーファクタントを用いた In(Ga)As
量子ドットの MOVPE 成長と評価 II」、第 70 回応用物理学会学術講演会 10a-C-7（2009 年
9 月、富山大学）
91. 俵毅彦，鎌田英彦，Stephen Hughes，岡本浩，納富雅也，寒川哲臣；
「非共鳴励起下にお
ける励起子ー共振器結合系の光子統計」
、第 70 回応用物理学会学術講演会 8p-TH-8（2009
年 9 月、富山大学）
92. 俵毅彦，鎌田英彦，Stephen Hughes，岡本浩，納富雅也，後藤秀樹；
「単一励起子ー光子
強結合状態の励起条件依存性」、第 57 回応用物理学関係連合講演会 17a-TM-19（2010 年 3
月、東海大学）
93. 岡本浩、俵毅彦、後藤秀樹、鎌田英彦；
「Bi サーファクタントを用いた In(Ga)As 量子ド
ットの MOVPE 成長と評価 III」
、第 57 回応用物理学関係連合講演会 17p-TW-3（2010 年 3
月、東海大学）
94. 佐藤真哉，岩崎拓郎，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩；
「キャパシタンスメー
タとデータ収録装置を用いた DLTS 測定装置の構築と Ge-MIS 界面の評価」
、平成 22 年度
電気関係学会東北支部連合大会講演論文集 1H01, p.249（2010 年 8 月、八戸工業大学）
95. 三上嘉孝，秋元光一郎，中島崇詞，松原
弘，岡本浩；
「空間光通信と仮想音像定位を利
用した視覚障害者用歩行支援装置の検討」
、平成 22 年度電気関係学会東北支部連合大会
講演論文集 2F04, p.198（2010 年 8 月、八戸工業大学）
96. 俵毅彦，鎌田英彦，S. Hughes，岡本浩，納富雅也，後藤秀樹，寒川哲臣；「単一励起子
ー光子強結合状態の励起条件依存性 II」、第 71 回応用物理学会学術講演会 16p-NC-10
（2010 年 9 月、長崎大学）
97. 岡本浩，俵毅彦，舘野功太，後藤秀樹，鎌田英彦，寒川哲臣；
「Bi ｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用いた In(Ga)As
量子ﾄﾞｯﾄの MOVPE 成長と評価 IV」
、第 71 回応用物理学会学術講演会 15p-ZV-6（2010 年 9
月、長崎大学）
98. 佐藤真哉，岩崎拓郎，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩；
「ECR プラズマ法によ
る SiN/GeN/Ge-MIS 界面の DLTS 評価」
、第 71 回応用物理学会学術講演会 15p-ZA-11（2010
年 9 月、長崎大学）
99. 岡本浩，鈴木聡一郎，舘野功太，俵毅彦，後藤秀樹，鎌田英彦，寒川哲臣；「Bi サーフ
ァクタントを用いた In(Ga)As 量子ドットの MOVPE 成長と評価 V」、第 58 回 応用物理学
関係連合講演会 24p-BQ-9（2011 年 3 月、神奈川工科大学）
100.
飯田真正，石崎博基，王谷洋平，森田直樹，佐藤哲也，岡本浩，小野俊郎，福田幸
夫；
「マイクロ波生成プラズマ支援 ALD 法による Si 基板上 HfO2 薄膜の形成」、第 58 回 応
27
用物理学関係連合講演会 25p-KW-12（2011 年 3 月、神奈川工科大学）
101.
佐藤真哉，岩崎拓郎，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩； 「ECR プラズマ
法による Ge-MIS 構造中絶縁膜の DLTS と C-t 測定による評価」，平成 23 年度電気関係学
会東北支部連合大会講演論文集 2F17，p. 228，（2011 年 8 月、東北学院大学）
102.
岩崎拓郎，佐藤真哉，鈴木聡一郎，小野俊郎，福田幸夫，岡本浩；
「ECR プラズマ法
による Ge-MIS 構造の低温並びに室温コンダクタンス法による界面準位密度評価」
，平成
23 年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集 2F18，p. 229，（2011 年 8 月、東北学
院大学）
103.
鈴木聡一郎，佐藤真哉，岩崎拓郎，俵毅彦，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣，岡本
浩；
「In(Ga)As 積層量子ドット構造の DLTS 評価」
、平成 23 年度電気関係学会東北支部連
合大会講演論文集 2F19，p. 230，（2011 年 8 月、東北学院大学）
104.
臼井友洋，川田桂輔，小鹿優太，足立伸太郎，渡辺孝夫，岡本浩；「Na 置換 CaCu3Ti4012
単結晶における誘電率」，平成２４年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文
集、MC6-2, pp,1251-1252 (2012 年 9 月, 弘前大学).
105.
岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫, 岡本浩;「ECR プラズマ法によって作製
した n 型並びに p 型 GeNx/Ge 構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価」、平成
２４年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集、MC6-7, pp,1271-1275 (2012
年 9 月, 弘前大学).
106.
岡本浩, 成田英史, 佐藤真哉, 岩崎拓郎, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫;「ECR プ
ラズマ法によって作製した Ge-MIS 構造における界面近傍トラップの DLTS 評価」平成２
４年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集、MC6-8, pp,1276-1279 (2012
年 9 月, 弘前大学).
107.
岩崎拓郎，照井悠惟, 小野俊郎, 王谷洋平, 福田幸夫, 岡本浩;「ECR プラズマ法形
成 GeNx/Ge 界面の低温コンダクタンス法による界面準位密度分布評価」,第 73 回応用物
理学会学術講演会 11a-PB1-5（2012 秋 愛媛大学・松山大学）
108.
成田英史，佐藤真哉，岩崎拓郎，小野俊郎，王谷洋平，福田幸夫，岡本浩;「DLTS 法
による ECR プラズマ法 GeNx/Ge の界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価」,第 73 回
応用物理学会学術講演会 11a-PB1-6（2012 秋 愛媛大学・松山大学）
109.
岡本浩、佐藤崇信、堤浩一、鈴木道夫、熊谷義直、久保田有紀、永島徹、木下亨、
Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, 村上尚, 纐纈明伯, Zlatko
Sitar;「HVPE 成長フリースタンディング AlN 基板の異方性を考慮した分光エリプソメト
リー評価」,第 73 回応用物理学会学術講演会 13a-H10-10（2012 秋 愛媛大学・松山大
学）
110.
関渓太，石崎博基，王谷洋平, 山本千綾, 山中淳二, 佐藤哲也, 泉康平，岡本浩，
小野俊郎，福田幸夫;「ECR プラズマ法により Ge 基板上に低温形成した GeO2 および GeNx
28
中間層の界面特性の比較」,第 73 回応用物理学会学術講演会 11a-PB1-3（2012 秋 愛媛
大学・松山大学）
111.
王谷洋平, 石崎博基, 岩崎拓郎, 泉康平, 岡本浩, 小野俊郎, 佐藤哲也, 福田幸夫;
「低温形成 GeNx/Ge 構造の PDA 処理による特性改善と熱安定性」,第 73 回応用物理学会
学術講演会 11a-PB1-4（2012 秋 愛媛大学・松山大学）
112.
梁池昴生，花田毅広，石崎博基，王谷洋平，山本千綾，山中淳二，佐藤哲也，岡本
浩，福田幸夫；
「マイクロ波生成原子状酸素を酸化剤として用いたＡＬＤ法によるＧｅ基
板上へのＡｌジャーマネイト薄膜の自発的形成」
、第 60 回 応用物理学関係連合講演会
29p-PB1-16（2013 年 3 月神奈川工科大学）
113.
鈴木聡一郎，岡本浩，舘野功太，俵毅彦，後藤秀樹，寒川哲臣；
「Bi ｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用い
た In(Ga)As 量子ﾄﾞｯﾄの DLTS 評価」
、第 60 回 応用物理学関係連合講演会 29a-PB7-4（2013
年 3 月神奈川工科大学）
114.
成田英史，岩崎拓郎，福田幸夫，王谷洋平，小野俊郎，岡本浩；
「DLTS 法による ECR
プラズマ法 GeNx/Ge の界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価Ⅱ」，第 74 回応用物
理学会学術講演会 18p-P9-6（2013 年 9 月，同志社大学）
115.
岡本浩、林一稀、小林弓華、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹；
「Bi サーファク
タントを用いた Ge ナノドットの低温形成」
、
第 60 回 応用物理学関係連合講演会 18p-F6-7
（2014 年 3 月, 青山学院大学）
116.
成田 英史，福田 幸夫，王谷 洋平，梁池 昂生, 花田 毅広, 石崎 博基，岡本 浩；
「ALD 法による Al ジャーマネイト絶縁層を用いた Ge-MIS 構造における界面近傍トラップ
の DLTS 評価」、第 60 回 応用物理学関係連合講演会 19p-PG2-6（2014 年 3 月, 青山学院
大学）
国内学会シンポジウム＆研究会報告
1. 永沼充, 竹内博昭, 佐藤憲史, 岡本浩;「半導体高速光素子のﾓﾉﾘｼｯｸ集積」, 信学会光波
ﾏｲｸﾛ波相互作用研究会, OMI96-9, (1996 年 7 月, 港区, 東京)
2. 河野健治,岡本浩, 永沼充, 板屋義夫; 「通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計」、
電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 98 pp. 61-66(99 年 1 月、大阪大学)
3. 柴田泰夫、菊池順裕、奥 哲、伊藤敏夫、岡本 浩、川口悦弘、鈴木安弘、近藤康洋、「ﾓ
ﾉﾘｼｯｸ集積 Parallel Amplifires Structure(PAS)構造を用いたﾌｨﾙﾀﾌﾘｰ波長変換」、2001
年電子情報通信学会総合大会シンポジウム SC-3-11（2001 年 3 月）
4. 吉村了行、神徳正樹、三条広明、黒崎武志、奥哲、岡本浩、狩野文良、吉國裕三、
「ＰＤ
を集積した半導体アレイ導波路回折格子（AWG-PD）の 2.5 Gb/s 受信特性」
、電子情報通
信学会研究技術報告 LQE2001-36(2001 年 7 月)
5. （招待講演）田村宗久、赤毛勇一、伊賀龍三、岡本 浩、奥 哲、近藤 進、都築 健、
29
野口悦男、山中孝之、近藤康洋「EA 変調器及び EA 変調器集積ＤＦＢレーザの高速化と低
電圧化」2001 年度電子情報通信学会秋季大会シンポジウム SC-2-8, （2001 年 9 月、電気
通信大学)
6. 柴田泰夫、菊池順裕、奥 哲、伊藤敏夫、岡本 浩、川口悦弘、近藤康洋、鈴木安弘、
「モノリシック集積差分位相変調型 波長変換素子 (SIPAS)を用いたフィルタフリー波
長変換」電子情報通信学会技術研究報告 LQE2001-72 Vol.101 pp. 11-15（2001 年 11 月 高
知工科大）
7. 伊藤敏夫、柴田泰夫、岡本
浩、奥 哲、川口悦弘、佐藤里江子、菊池順裕、近藤康洋、
鈴木安弘、
「モノリシック集積素子 SIPAS を用いた 40Gb/s LAN 間ブリッジ」電子情報通
信学会技術研究報告 PS2001-64、vol.101 pp. 169-174（2001 年 12 月沖縄）
8. 浅香航太、 須崎泰正、奥
哲、川口悦弘、近藤進、岡本浩、伊賀龍三、野口悦男、「パ
ッシブ導波路を有するモノリシック集積型 EA-SOA」、電子情報通信学会技術研究報告
LQE2001-116,
vol.101 pp. 67-70（2002 年 1 月 九州工業大学）
9. 菊池順裕、柴田泰夫、岡本
浩、川口悦弘、奥 哲、石井啓之、吉國裕三、東盛裕一、
「新
構成法による半導体モノリシック集積型 64ch-WDM 用チャネルセレクタ」
、電子情報通信
学会技術研究報告 LQE2001-115, Vol.101, pp.61-66（2002 年 1 月
10. （招待講演）大礒義孝、岡本
九州工業大学）
浩、伊賀龍三、岸 健志、天野主税、
「1.55μｍ帯埋込み
面発光レーザ」
、電子情報通信学会技術研究報告 LQE2001-144 2002 pp49-54（2002 年 2
月）
11. T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima and E. Kurimoto : "OPTICAL BANDGAP
ENERGY of InN", 第 21 回電子材料シンポジウム，pp. 3-6 (2002).
12. 松岡隆志, 中尾正史, 岡本浩, 播磨弘, 栗本英治 : "ウルツ鉱型 InN のバンドギャップ・
エネルギ", 電子情報通信学会技術研究報告, LQE2002-19~47, B1, pp.85-88 (2002).
13. 大磯義孝, 岡本浩, 伊賀龍三, 岸健志, 浅香航太、
「1.55μm 帯埋込み VCSELs」
、2003 電
気学会光・量子デバイス研究会資料 VOL.OQD‐03, pp.5-10、
（2003 年 12 月）
14. 藤原直樹, 硴塚孝明, 岡本
浩, 川口悦弘, 近藤康洋, 吉國裕三, 東盛裕一、「波長選択
型モードホップフリーDBR レーザアレイ」
、電子情報通信学会技術研究報告 OPE2003-33
Vol. 103 pp.47-50、(2003 年 07 月）
15. 須崎泰正、八坂洋、馬渡宏泰、吉野薫、川口悦弘、奥哲、伊賀龍三、岡本浩、「モノリシ
ック集積型多チャンネル変調素子」、電子情報通信学会技術研究報告、LQE2003-43, pp.
35-38（2003 年 8 月）
16. 菊池順裕, 柴田泰夫, 岡本浩, 川口悦弘, 奥哲, 近藤康洋, 東盛裕一、「半導体モノリシ
ック集積による大規模 WDM チャネルセレクタ」レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 電
子情報通信学会技術研究報告、vol.103, pp. 69-72（2003 年 12 月）
17. 松尾慎治、吉國裕三、瀬川徹、大礒義孝、岡本浩「ラダー型フィルターとリング共振器
30
を用いた波長可変レーザ」電子情報通信学会技術研究報告 Vol.103、 OPE2003-179、
（2003
年 12 月）
18. 松尾慎治、鄭錫煥、瀬川徹、岡本浩、川口悦弘、近藤康洋、鈴木博之、吉國裕三、
「ラダ
ー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ」
、電子情報通信学会技
術研究報告 LQE2005-115, vol.105, pp. 13-16（2005 年 12 月）
19. 岡本浩、俵毅彦、後藤秀樹、鎌田英彦、寒川哲臣、
「Bi サーファクタントを用いた通信波
長帯量子ドットの成長と評価」、電子情報通信学会技術研究報告 vol. 109, no. 171,
CPM2009-46, pp. 67-72 (2009 年 8 月)
20. 中澤日出樹、鈴木大樹、遲澤遼一、岡本浩、
「レーザーアブレーション法による Si 基板
上 AlN 薄膜の形成」；電子情報通信学会技術研究報告 vol.110, no.154, CPM2010-38,
pp. 39-44 (2010 年 8 月)
21. 鈴木聡一郎、佐藤真哉、岩崎拓郎、俵毅彦、舘野功太、後藤秀樹、寒川哲臣、岡本浩、
「In(Ga)As 積層量子ドット構造におけるキャリア注入／放出特性の DLTS 評価」
；電子情
報通信学会技術研究報告 vol.111, no.176, CPM2011-57, pp. 7-10 (2011 年 8 月)
22. 岩崎拓郎、佐藤真哉、鈴木聡一郎、小野俊郎、福田幸夫、岡本浩、
「低温と室温における
コンダクタンス法の組合せによる Ge-MIS 構造の界面準位密度評価」
；電子情報通信学会
技術研究報告 vol.111, no.176, CPM2011-64, pp. 43-46(2011 年 8 月)
23. 佐藤真哉、岩崎拓郎、鈴木聡一郎、小野俊郎、福田幸夫、岡本浩、
「ECR プラズマ法によ
って作製した Ge-MIS 構造の DLTS と C-t 測定による評価」
；電子情報通信学会技術研究報
告 vol.111, no.176, CPM2011-65, pp. 47-50(2011 年 8 月)
24. 佐藤真哉、岡本浩、
「DLTS 法による Ge-MIS 構造の評価に関する研究」
；平成 23 年度 第
1 回情報処理学会東北支部研究会、26-1-1（2011 年 9 月、弘前大学）
25. 三上嘉孝、岡本浩、「間光通信と仮想音像定位による視覚障がい者用案内装置の研究」；
平成 23 年度 第 1 回情報処理学会東北支部研究会、26-1-2（2011 年 9 月、弘前大学）
（２－４）特許
特許（成立済）
1. 大町督郎、小濱剛孝、門田好晃、福田幸夫、渡辺義夫、岡本 浩、「エピタキシャル成長
方法」、特公平 6-91027 平成 6 年(1994)11 月 14 日
2. 岡本 浩、尾江邦重、八坂 洋、吉國裕三、「半導体光源装置およびその制御方法」、特
許第 3168855 号 平成 13 年(2001)3 月 16 日
3. 岡本 浩、尾江邦重、佐藤憲史、吉國裕三、「半導体光源装置とその駆動方法」、特許第
3257185 号
平成 13 年(2001)12 月 7 日
4. 岡本 浩、和田正人、曲 克明、河野健治、野口悦男、板屋義夫、「スーパールミネッセ
31
ントダイオード」、特許第 3393634 号 平成 15 年(2003)1 月 31 日
5. 尾江邦重、岡本 浩、「半導体の製造方法」、特許第 3406504 号 平成 15 年(2003)3 月 7
日
6. 岡本 浩、尾江邦重、「半導体光素子とその製造方法」、特許第 3414992 号 平成 15 年
(2003)4 月 4 日
7. 岡本 浩、福田光男、吉國裕三、「半導体光源装置、および、その制御方法」、特許第 3504848
号 平成 15 年(2003)12 月 19 日
8.
Matsuoka; Takashi, and Okamoto; Hiroshi, " Semiconductor light-emitting device for optical
communications", United States Patent 6,927,426, April 30, 2003.
9.
岡本 浩、門田好晃、山中孝之、関 俊司、竹内博昭、八坂 洋、「半導体光変調器及びモ
ノリシック集積半導体光素子」、特許第 3765382 号 平成 18 年(2006)4 月 12 日
10. 岡本 浩、
「半導体量子ドット構造及びその製造方法」、特許第 3771925 号
平成 18 年
(2006)5 月 10 日
11. 岡本 浩、
「半導体量子ドット構造の製造方法」 特許第 4440876 号平成 22 年 (2010)1 月
15 日(登録) (2010)3 月 24 日(発行)
12. 岡本 浩、
「半導体薄膜構造とその製造方法」特許第 4545573 号【登録日】平成２２年７
月９日【発行日】平成２２年９月１５日
13. 藤原直樹、石井啓之、大橋弘美、岡本浩、「波長可変レーザ素子及びその制御装置、制
御方法」、特許 4850757、平成 23 年 10 月 28 日
14. 藤原直樹、石井啓之、大橋弘美、岡本浩、「波長可変レーザ素子及びその制御装置、制
御方法」、中国特許 ZL200880006573.8、2012 年 7 月 18 日
15. 藤原直樹、石井啓之、大橋弘美、岡本浩、「波長可変レーザ素子及びその制御装置、制
御方法」、ドイツ特許 DE2120301、2012 年 8 月 22 日
16. 藤原直樹、石井啓之、大橋弘美、岡本浩、「波長可変レーザ素子及びその制御装置、制
御方法」、フランス特許 FR2120301、2012 年 8 月 22 日
17. 藤原直樹、石井啓之、大橋弘美、岡本浩、「波長可変レーザ素子及びその制御装置、制
御方法」、イギリス特許 GB2120301、2012 年 8 月 22 日
特許（審査請求中、または未請求）
1. 大町督郎、森屋邦夫、門田好晃、岡本 浩、「薄膜結晶製造方法」、特開昭 63-280415
2. 大町督郎、門田好晃、渡辺義夫、岡本 浩、「ガスソースセル」、特開昭 63-123894
3. 岡本 浩、門田好晃、渡辺義夫、大町督郎、「半導体結晶の成長方法」、特開平 1-10618
4. 大町督郎、小濱剛孝、門田好晃、福田幸夫、渡辺義夫、岡本 浩、「エピタキシャル成長
方法」、特開平 1-211913
5. 大町督郎、門田好晃、岡本 浩、渡辺義夫、「熱処理方法」、特開平 1-246818
32
6. 岡本 浩、門田好晃、渡辺義夫、大町督郎、「薄膜太陽電池」、特開平 2-2184
7. 渡辺義夫、門田好晃、岡本 浩、大町督郎、「化合物半導体薄膜構造およびその形成方法」、
特開平 2-101736
8. 門田好晃、小濱剛孝、岡本 浩、渡辺義夫、大原多賀彦、大町督郎、「薄膜太陽電池」、
特開平 2-201973
9. 大原多賀彦、岡本 浩、「半導体基板の形成法」、特開平 2-220431
10. 岡本 浩、「半導体層形成法及びそれに用いる装置」、特開平 5-144752
11. 岡本 浩、池田正宏、柴田泰夫、「半導体光素子」、特開平 6-302903
12. 岡本 浩、尾江邦重、佐藤憲史、吉國裕三、「半導体光信号出力装置」、特開平 7-162394
13. 岡本 浩、松本信一、笠谷和生、奥 哲、「半導体光素子およびその製造方法」、特開平
8-148758
14. 三冨 修、界 義久、近藤康洋、須崎泰正、東盛裕一、岡本 浩、「光結合デバイス」、特
開平 9-181395
15. 奥 哲、柴田泰夫、岡本 稔、吉本直人、近藤 進、岡本 浩、板屋義夫、「光導波路」、
特開平 9-197154
16. 岡本 浩小笠原 松幸伊賀 龍三近藤 康洋、走査型容量顕微鏡およびこの顕微鏡を用いた
測定方法
特許出願２００２－１３６４７０
平成１４年５月１３日（２００２．５．
１３）
17. 湯田 正宏伊賀 龍三大礒 義孝岡本 浩天野 主税面発光レーザ及びその製作方法特許出
願２００３－５２３１０ ２００３年２月２８日
18. 松岡隆志、岡本 浩、
「半導体発光素子」、特開 2004-95724
19. 松岡隆志、岡本 浩、" Semiconductor Light-emitting Device ", EP Patent Application
3090120.1
20. 松岡隆志、岡本 浩、" Semiconductor Light-emitting Device ",韓国 Patent Application
10-2003-0018788
21. 松岡隆志、岡本 浩、" Semiconductor Light-emitting Device ",中国 Patent Application
03107531.2
22. 岡本 浩、「半導体量子ドット構造及びその製造方法」、特願 2005-45172
23. 岡本 浩、「半導体積層構造の製造方法及び半導体量子ドット構造の製造方法」、特願
2006-76183
24. 松岡隆志、岡本 浩、
「半導体発光素子」、特願２００７－２２３４２７
25. 岡本 浩、
「案内システム」、特願２０１２－７４４８３
33