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13.3 Si プロセス・配線 - 早稲田大学ナノ理工学研究機構

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13 半導体 A(シリコン)
6「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」(30 分)
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on
Si(100)andItsDependenceonOxidationTemperature,Annealingin
FormingGas,andDifferenceinOxidizingSpecies
東北大 1,ステラケミファ 2,都市大 3,JASRI4 ○諏訪智之 1,寺本章伸 1,
熊谷勇喜 1,阿部健一 1,李 翔 1,中尾幸久 1,山本雅士 2,野平博司 3,
室隆桂之 44,木下豊彦 4,須川成利 1,大見忠弘 1,服部健雄 1
7 SiO2/Si 界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価
早大理工 1,東京都市大 2,宇宙研 3 ○森谷真帆 1,3,天野裕士 2,3,
小林大輔 3,山本知之 1,廣瀬和之 3
8 分子軌道法を用いて求めた回復率の検討
早大理工 1,宇宙研 2 ○若尾周一郎 1,2,廣瀬和之 2,小林大輔 2,山本知之 1
△9 SiN 膜組成制御による MONOS 型メモリ消去速度 - 保持特性両立
東芝 ○藤井章輔,草井 悠,佐久間究,小山正人
10低温 Kr/O2プラズマ酸化法による SiO 2/Si 構造の作製および評価
東京農工大工 ○藤川雄太,上野智雄,岩崎好孝
△11ポリシラザン塗布膜の CO2レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジ
スタ応用
奈良先端大 1,CREST2,九大 3 ○菱谷大輔 1,堀田昌宏 1,2,
石河泰明 1,2,渡辺陽介 3,池上 浩 3,浦岡行治 1,2
▲12Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state
density
Tokyo Univ.1,JST CREST2 ○(D)Weili Cai1,2,
Mitsuru Takenaka1,2,Shinichi Takagi1,2
昼 食 12:30 ∼ 14:00
19p-A17 - 1 〜 11
1「講演奨励賞受賞記念講演」(15 分)
HfO2 成膜前アニールにより形成した GaOx パッシベーション層形成による
Sub-1.0nmEOTHfO2/In0.53Ga0.47AsnMISFET の電子移動度向上
産総研 GNC ○小田 穣,入沢寿史,ジェバスワンウィパコーン,
前田辰郎,上牟田雄一,手塚 勉
△2 窒素プラズマ処理を施した Al2O3/GaSb MOS 構造の特性評価
東京理科大院 1,産総研 2 ○(M2)後藤高寛 1,2,藤川紗千恵 1,
藤代博記 1,小倉睦郎 2,安田哲二 2,前田辰郎 1,2
3 ALD 法を用いた Al2O3膜の酸化剤による膜質の検討
早大ナノ機構 ○野崎義人,関口哲志,平岩 篤,川原田洋
△4 ALD 形成 Al2O3/GeO2/p-Ge の電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討
諏訪東京理科大 1,山梨大 2 ○梁池昂生 1,横平知也 1,山田大地 1,
王谷洋平 1,関 渓太 2,佐藤哲也 2,福田幸夫 1
5 Al2O3/GeO2/p-Ge の電気特性に及ぼす酸素ラジカル照射の効果
諏訪東京理科大 1,山梨大 2 ○王谷洋平 1,梁池昂生 1,横平知也 1,
山田大地 1,関 渓太 2,佐藤哲也 2,福田幸夫 1
6 ALD により形成した Al2O3/Ge ゲートスタックに於ける Kr/O2 ECR プラズマ
酸化効果
九大院総合理工学府 1,九大産学連携センター 2 ○(M2)長岡裕一 1,
永冨雄太 1,山本圭介 2,王 冬 1,中島 寛 2
休 憩 15:30 ∼ 15:45
△7 プラズマ後窒化 HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS 界面の電極依存性
東大院工 1,JST-CREST2 ○(D)韓 在勲 1,2,竹中 充 1,2,高木信一 1,2
8 CVD 法による Ge 酸化膜の作製と評価
農工大工 ○(M2)松岡悠斗,岩崎好孝,上野智雄
9 Hf-PMA による良質な GeO2/Ge 界面と GeO2絶縁膜の性質変化
東京農工大工 ○新井田淳平,中谷友哉,岩崎好孝,上野智雄
10Kr/O2プラズマを用いた GeO 2/Ge 界面特性の改善
東京農工大工 ○中谷友哉,新井田淳平,岩崎好孝,上野智雄
11パルス MOCVD 法により作製した GeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の
界面構造と電気的特性
名大院工 1,学振特別研究員 2 ○柴山茂久 1,2,吉田鉄兵 1,加藤公彦 1,
坂下満男 1,竹内和歌奈 1,田岡紀之 1,中塚 理 1,財満鎭明 1
----------------------------------------------------------------------------------- 13.2絶縁膜技術
9 月 20 日
20a-PA3 - 1 〜 7
----------------------------------------------------------------------------------- 13.3Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術
9 月 17 日
17p-PA1 - 1 〜 16
ポスターセッション
1 高温高湿下で絶縁膜上に形成されるシリコン酸化層
三菱電機 1,メルコセミコンダクターエンジニアリング 2 ○奥 友希 1,
奥村 学 2,志賀俊彦 1,戸塚正裕 1,渡辺 斉 1
△2 シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連
弘前大院理工 ○高見貴弘,和田 誠,遠田義晴
3 シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果 ( Ⅲ )
東海大院工 1,東海大工 2 ○(M2)鈴木亜嵐 1,
永島大樹 2,林 宏紀 2,小林清輝 1,2
4 低誘電率 SiCN 電荷捕獲層の正孔捕獲特性
東海大院工 ○(M1)田中 伸,内藤慎二,小林清輝
5 多結晶 HfO2膜における絶縁破壊箇所の同定
筑波大 1,産総研 2 ○戸村有佑 1,蓮沼 隆 1,山部紀久夫 1,右田真司 2
ポスターセッション
17p-PA1-1 ∼ 16 ポスター展示時間 13:30 ∼ 15:30
1 高機能非冷却赤外線センサの高性能化 III - ナノギャップ 3 次元プラズモニッ
クメタマテリアル吸収体の作製 三菱電機 1,立命館大 2 ○植月満治 1,秦 久敏 1,三崎浩司 1,
小川新平 1,藤澤大介 1,木股雅章 2
2 3D スプリングを用いた可変プラズモニック構造とその光学特性
山形大院理工 ○西山宏昭,阿部佑真,市村琢朗,大関透典,齋藤泰登
△3 小型分光器の実現に向けた面内回転型 MEMS 分光デバイス
香川大 ○岡 勇作,篠崎亮輔,下川房男,大平文和,高尾英邦
△4 集積化 CMOS-MEMS 加速度センサへ向けた sub-1G 静電容量型センサの検討
東工大 1,NTT-AT2,東大 3 ○亀井将太 1,山根大輔 1,小西敏文 2,
松島隆明 2,年吉 洋 3,町田克之 1,2,益 一哉 1
5 積層メタル構造による 3 軸加速度センサの検討
NTT-AT1,東工大 2,東大 3 ○松島隆明 1,小西敏文 1,
山根大輔 2,年吉 洋 3,益 一哉 2,町田克之 1,2
6 エネルギーハーベスティングデバイスの検討 (4)
NTT-AT1,東工大 2,東大 3 ○小西敏文 1,山根大輔 2,
松島隆明 1,益 一哉 2,年吉 洋 3,町田克之 1,2
7 壁面に熱電対を配置したマイクロ流路デバイス
豊田工大 ○(B)柴田真宏,山口貴大,熊谷慎也,佐々木実
8 MEMS によるマイクロ流体界面での反応性プラズマ形成
豊田工大 ○柄崎克樹,熊谷慎也,佐々木実
9 連続発振 Si レーザ結晶化におけるマルチラインビーム化の効果
広島大 RNBS1,東北大院 2 ○平田達誠 1,黒木伸一郎 1,
山野真幸 1,佐藤 旦 1,小谷光司 2,吉川公麿 1
10高性能 poly-Si TFT 特性とチャネル結晶面方位との相関
広島大ナノデバイス 1,東北大工 2 ○山野真幸 1,黒木伸一郎 1,
平田達誠 1,佐藤 旦 1,小谷光司 2,吉川公麿 1
▲11Pulsed-Laser-Microcrystallization of Si Thin Films on Metal Films with
Crystallization-Induction Layers of YSZ by the Two-Step Irradiation
Method
JAIST 〇 Lien Mai,Susumu Horita
△12a-Si 膜の軟 X 線照射結晶化における横方向成長
兵庫県立大院工 1,兵庫県立大高度研 2 ○平野翔大 1,
草壁 史 1,部家 彰 1,松尾直人 1,神田一浩 2
13透明導電膜付きポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜の結晶
成長
山口大院理工 1,琉球大 2 ○河本直哉 1,只友一行 1,野口 隆 2,岡田竜弥 2
14Ni シリサイド化速度の Si 結晶構造依存性 - 分子動力学法による解析 早大理工 ○橋本修一郎,小杉山洋希,セイ ソン,
武井康平,木谷 哲,図師知文,渡邉孝信
15金属 Germanide の相図と Ge 界面におけるショットキーバリア
千葉大理 ○(DC)飯塚将太,中山隆史
16炭素を用いた Cu 拡散抑制の検討
芝浦工大 ○ラーエド アルスバイエ,山下 諒,上野和良
----------------------------------------------------------------------------------- 13.3Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術
9 月 18 日 9:00 〜 17:45
18a-A19 - 1 〜 13
20a-PA3-1 ∼ 7 ポスター展示時間 9:30 ∼ 11:30
6 High-k/ High-k 界面におけるダイポール形成の可能性の検討
早大理工 1,早大ナノ機構 2,物材機構 3,明大理工 4,兵庫県立大 5,
JST-CREST6 ○橋口誠広 1,志村昂亮 1,功刀遼太 1,知京豊裕 3,
小椋厚志 4,6,佐藤真一 5,6,渡邉孝信 1,2,6
7 Si(001) 上の GaSb ナノコンタクト ヘテロエピ成長と HfO2/GaSb MOS 特性
産総研 1,物材機構 2,東大院工 3 ○宮田典幸 1,大竹晃浩 2,
市川昌和 3,森 貴洋 1,安田哲二 1
1 軟 X 線照射による B10H14注入 Si 基板中の B 原子活性化
兵庫県立大 1,兵庫県立大高度研 2 ○部家 彰 1,平野翔大 1,
草壁 史 1,松尾直人 1,神田一浩 2
2 Bi 原子細線をドーパント源とする Si 結晶中の Bi\delta ドーピング法: EXAFS によるドーピング機構解明
物材機構 1,筑波大院数物 2,JASRI3 村田晃一 1,2,新田清文 3,
宇留賀朋哉 3,寺田靖子 3,日塔光一 1,坂田修身 1,○三木一司 1,2
3 Bi 原子細線をドーパント源とする Si 結晶中の Biδ ドーピング法 : アニール
温度の再考
物材機構 1,筑波大院数物 2 ○(M2)金澤 孝 1,2,
村田晃一 1,2,日塔光一 1,三木一司 1,2
4 リン酸溶液中レーザドーピングによる Ge ダイオードの低温形成
名大院工 1,学振 PD2,九大院シス情 3 ○高橋恒太 1,黒澤昌志 1,2,
池上 浩 3,坂下満男 1,竹内和歌奈 1,中塚 理 1,財満鎭明 1
5 Sn/Ge コンタクトにおけるショットキー障壁高さの Ge 面方位依存性
名大院工 1,学振特別研究員 2 ○鈴木陽洋 1,鄧 云生 1,
黒澤昌志 1,2,坂下満男 1,中塚 理 1,財満鎭明 1
6 WSin/Ge 接合の結合状態とフェルミレベルピニング解除
産総研ナノエレ 1,JST- さきがけ 2,産総研ナノシステム 3,産総研 4
○内田紀行 1,岡田直也 1,2,宮崎剛英 3,福田浩一 1,金山敏彦 4
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