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Agナノペーストを使用した200℃接合の新規な方法

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Agナノペーストを使用した200℃接合の新規な方法
-大面積基板の接合や熱膨張係数差の大きい材料の接合に最適工程
カーボンのX線強度(一(例)
ペーストA
(1)Agナノペースト印刷⇒ベーキング
ペーストB
・A0、B0はペースト塗布、
ベーキング後のX線強
度
Agナノ粒子
・A1、B1は有機減膜処理
した後のX線強度。
有機被膜
☆ペーストにより減膜率に
差が見られる。
(2)Agナノ粒子有機被膜の減膜処理
低温接合が実現!
有機残差を減らせる
可能性!
接合強度試験(ペーストB)
接合条件(温度、時間、加圧)
(3)接合シンター(加圧有無)
Au/Si基板
Au/Si chip
雰囲気
接合強度
(200℃、60分、0.05MPa)
大気
30MPa以上*
(200℃、60分、3MPa)
大気
30MPa以上*
*ダイシェア試験でSi結晶がせん断破壊した強度。接
合強度は記載値以上になる。
有機減膜したAgナノペースト
有限会社ディアックス
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