低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト 最終成果報告会プログラム ■日時：平成27年3月16日（月）10:00~18:45， 17日（火）9:30~17:50 ■場所：イイノホール （東京都千代田区内幸町2-1-1飯野ビルディング4F～6F） http://www.iino.co.jp/hall/access/ １日目 (平成２７年３月１６日（月）) 開始時刻 時間 終了時刻 演題 講演者(敬称略） 10:00 0:05 10:05 1)-1 事業者代表挨拶 FUPET 和田敏美 専務理事 10:05 0:10 10:15 1)-2 来賓挨拶 経済産業省、NEDO 10:15 0:45 11:00 2) プロジェクト全体計画と成果概要 奥村元 プロジェクトリーダー 11:00 0:45 11:45 3) 特別講演 東京工業大学 大学院理工学研究科 赤木泰文教授 11:45 1:00 12:45 (昼休み) 4) 研究課題別の成果 セッション－１ （結晶成長、加工） 座長： 氷見啓明 センター長 高品質・大口径SiC結晶成長技術開発-1 高品質・大口径SiC結晶成長技術開発-2／革新的SiC結晶成長技術開発-1 革新的SiC結晶成長技術開発-2 大口径SiCウエハ加工技術開発 (休憩) 矢野孝幸 恩田正一 蔵重和央 加藤智久 12:45 13:15 13:45 14:15 14:45 0:30 0:30 0:30 0:30 0:15 13:15 13:45 14:15 14:45 15:00 15:00 2:00 17:00 5) ポスターセッション 17:00 0:15 17:15 (休憩) 17:15 1:30 18:45 意見交換会 富津拠点長 日進分室長 結晶研究GL 加工研究GL ２日目 (平成２７年３月１７日（火）) 開始時刻 時間 終了時刻 9:30 10:00 10:30 11:00 11:30 12:00 0:30 0:30 0:30 0:30 0:30 1:10 10:00 10:30 11:00 11:30 12:00 13:10 演題 講演者(敬称略） 4) 研究課題別の成果 セッション－2 （エピ膜成長、デバイス、評価） 座長： 氷見啓明 センター長 SiCエピタキシャル膜成長技術(大口径対応技術) SiCエピタキシャル膜成長技術(高速・厚膜成長技術) SiC高耐圧スイッチングデバイス製造技術(新規耐圧構造デバイス) SiC高耐圧スイッチングデバイス製造技術(高耐圧大容量デバイス) 共通基盤評価技術 (昼休み) 児島一聡 エピ膜研究SGL 大野俊之 エピ膜研究GL 田中保宣 デバイス研究GL 中田修平 伊丹副分室長 北畠真 評価研究GL 4) 研究課題別の成果 セッション－3 （高耐熱部品統合パワーモジュール化） 座長： 山東睦夫 テーマリーダー 13:10 13:20 13:40 14:00 14:20 14:40 15:10 15:30 16:00 0:10 0:20 0:20 0:20 0:20 0:30 0:20 0:30 0:15 13:20 13:40 14:00 14:20 14:40 15:10 15:30 高耐熱部品統合パワーモジュール化技術開発の概要 高耐熱コンデンサ 高耐熱抵抗 メタライズ放熱基板 配線基板 実装基盤技術 国際標準化等に関する調査研究 山東睦夫 テーマリーダー 鶴見敬章 高耐熱コンデンサGL 田中清志 高耐熱抵抗GL 平尾喜代司 メタライズ放熱基板GL 平尾喜代司 配線基板GL 村上善則 実装基盤技術SGL 冨田賢時 国際標準化調査WGL 4) 研究課題別の成果 セッション－4 （応用技術調査） 座長： 氷見啓明 センター長 16:00 応用技術調査検討 16:15 (休憩) 6） パネルディスカッション 「第2世代SiC実用化に向けたスタートダッシュ」 （コーディネータ：応用技術調査委員会 戸田敬二WGL（トヨタ自動車(株)） 戸田敬二 応用技術調査委員会WGL 経済産業省 産業技術環境局 研究開発課 渡邊昇治課長 NEDO 電子・材料・ナノテクノロジー部 岡田武部長 千葉大学 大学院工学研究科 佐藤之彦教授 富士電機 重兼壽夫特別顧問 トヨタ自動車 第3電子開発部 濱田公守担当部長 三菱電機 先端技術研究所 山川聡センター長 鉄道総研 車両制御技術研究部 小笠正道主管研究員 16:15 1:15 17:30 17:30 0:15 17:45 7) まとめ 奥村元 プロジェクトリーダー 17:45 0:05 17:50 8) 閉会の辞 FCRA 高橋伸夫 理事長
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