秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 放射線（α線、β線、γ線）測定器 H26リストNo 1 ＜仕様・品質等＞ TCS-362,TCS-172B,ICS-323C ＜製造元＞ 日立アロカメディカル（株） ＜用途等＞ 設備分類: 環境公害対策 固体物質表面、液体表面から放出される放射線（α線、β線、 γ線）を測定する機器 ＜詳細仕様＞ ①電離箱検出器（ICS-323C） 0.3μSv/hから300mSv/h ②アルファ線測定（TCS-362） 1.0ｃｐｍから100Kcpm ③シンチレーション検出器（TCS-172B） ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 23 年度 1ｃｐｓから30ｋｃｐｓ ④α、β、γ線測定（TCS-362,TCS-172B） ＜設置場所＞ 1.0ｃｐｍから999ｋｃｐｍ 本館 管理棟2F:技術イノベ部 ⑤空間線量測定（TCS-172B） ＜主担当＞ 遠田 幸生 内線 582 0.1μSv/hから30μSv/h 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ガウスメータ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ 9903 ＜製造元＞ ベル ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 磁場の精密測定 ＜詳細仕様＞ 読み値に対する精度±0.07%(dc)、±3.6%(ac) ＜使用料＞940 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 4 年度 伊勢 和幸 内線 543 電子・通信Gr 内線 590(245) 2 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ シグナルジェネレータ H26リストNo 3 ＜仕様・品質等＞ E4426B ＜製造元＞ アジレントテクノロジー ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 高周波電気信号発生装置 ＜詳細仕様＞ 周波数範囲:250 kHz～4 ＧＨｚ、周波数分解能：0.01 Hz ＜使用料＞110 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 14 年度 A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 低雑音振幅器 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ NSP2000-P ＜製造元＞ MITEQ ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 微弱電気信号の増幅 ＜詳細仕様＞ 対応周波数：0.1から20 GHz、利得：30 dB、1dBコンプ レッション、20 dBm、雑音指数：8 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 17 年度 内線 543 電子・通信Gr 内線 4 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ローパスフィルタ H26リストNo 5 ＜仕様・品質等＞ NF 3660 ＜製造元＞ エヌエフ回路設計ブロック ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 高周波の不要雑音の除去 ＜詳細仕様＞ 遮断周波数の可変範囲:1MHzから100MHz 減衰傾度48dB/oct 入力ｱﾝﾌﾟ利得:1,2,5,10倍切換え可 ＜使用料＞430 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 4 年度 A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ フォトレシーバ H26リストNo 6 ＜仕様・品質等＞ 1544-B-50 ＜製造元＞ NewFocus ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 高速に変動する光信号の変動を高い効率で電気信号に変換 するために使用 ＜詳細仕様＞ ・対応波長：800-1650nm ・3dB帯域幅：DC-12GHｚ(typ.) ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 22 年度 内線 543 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電源ノイズ測定器 H26リストNo 7 ＜仕様・品質等＞ MDo4104-6 ＜製造元＞ (株)TFF(テクトロニクス) ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 電源の電圧および電流波形、高周波ノイズ特性、制御ロ ジック波形を同時に計測 ＜詳細仕様＞ 同一時間軸でアナログ・デジタル・スペクトラム計測が一 意に可能 ・アナログ周波数帯域：1GHz ・アナログチャネル数：4 ・アナログサンプルレート：5GS/s ＜使用料＞250 （円／時間） ＜導入年度＞平成 23 年度 ・レコード長（ポイント）：20M ・デジタルチャネル数： 16 ＜設置場所＞ ・RF入力数： １ 本館 A棟1F:全光束測定室 ・RF周波数レンジ： 50kHz - 6GHz ＜主担当＞ 佐々木 大三 内線 505 電子光応用開発部 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 精密騒音計 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ NL-52 ＜製造元＞ リオン（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 計量法精密騒音計JIS C 1509-1：2005 クラス 1に適合し た精密騒音計。 ＜詳細仕様＞ ・計量法精密騒音計JIS C 1509-1：2005 クラス 1に適合 ・1/1オクターブ,1/3オクターブ実時間分析プログラム実 装 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:全光束測定室 内田 勝 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 25 年度 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 8 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 全光束測定システム H26リストNo 9 ＜仕様・品質等＞ OP-FLUX-76-CA ＜製造元＞ オーシャンフォトニクス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） LED等の照明用器具等が全方向に発する光の強さを表す尺 度である全光束を評価･測定する装置 40W直管型（1200mm長）の評価も可能 ＜使用料＞2350 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・全光束の感度：1から45,000( lm)を含む ・積分球内径：1920mm(76inch) ・積分球内面反射率：97%以上(360nmから830nm) ・分光器の分解能(半値全幅)：2.54nm以下 ・分光器の測定波長：360nmから1050nm(校正範囲) 23 年度 ・全光束のVλ測定：JIS7801準拠のVλ測定が可能 ・評価項目：全光束、分光放射束、色温度、演色評価数、 色度座標、発光効率、消費電力など A棟1F:全光束測定室 梁瀬 智 電子光応用開発部 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr ・NIST準拠分光放射測定用校正光源およびJISトレース全 光束標準電球による校正 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ CNC3次元測定機 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＰＲＩＳＭＯ ＜製造元＞ カールツァイス（株） ＜用途等＞ ５ 10 ＨＴＧ−Ｓ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） プローブを測定ワークに接触させて、機械部品の形状寸 法、幾何偏差等を３次元の座標値として出力して測定・評 価を行う装置です。 ＜使用料＞460 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 ＜詳細仕様＞ 測定範囲 ： ７００×９００×４５０ ｍｍ 被測定物最大質量 ： １２００ｋｇ 測定精度 ： 空間の測定精度 ±（２．７＋Ｌ／２５０） μｍ Ｌ：任意距離 7 年度 測定スケール： ガラス、セラミックス 分解能 ０．５μｍ プローブ径 ： φ２からφ８ ｍｍ 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 輪郭形状測定機 H26リストNo 11 ＜仕様・品質等＞ SVC-638S ＜製造元＞ （株）ミツトヨ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 機械部品等の輪郭形状（高さ、幅、段差、半径、直径）の 測定、評価を行う装置です。 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ コントレーサ仕様 ・測定範囲 ： Ｘ軸２００ｍｍ Z軸±２５mm ・Ｘ軸指示精度： ±（１＋２Ｌ／１００）μｍ （Ｌ：測定長さｍｍ） 9 年度 ・Ｚ軸指示精度： ±２μｍ A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 真円度測定機 H26リストNo 12 ＜仕様・品質等＞ タリロンド262型 ＜製造元＞ ランクテーラーホブソン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 円柱、円筒部品等の真円度、円筒度、真直度、平面度等の 幾何偏差を測定・評価する装置です。 ＜詳細仕様＞ 測定範囲 ： 最大測定径 ３５０ ｍｍ 最大測定高さ ５００ ｍｍ 最大積載荷重： ５０ ｋｇ 分解能 ： ０．０６０μｍ ／ ±１．０ ｍｍ ０．０１２μｍ ／ ±０．２ ｍｍ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 8 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ CNC万能測定顕微鏡 H26リストNo 13 ＜仕様・品質等＞ VM-250型 ＜製造元＞ （株）ニコン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 精密プレス部品、集積回路等の薄物を対象とした寸法測定 装置です。透過光や落射光を当て、エッジ部の濃淡を検出 して測定します。ティーチング機能による自動測定も可能 です。 ＜詳細仕様＞ 測定範囲 ： ２５０×２００×１５０ ｍｍ 測定精度 ： Ｘ、Ｙ軸 （３．５＋Ｌ／２５０）μｍ Ｚ軸 （３．０＋Ｌ／５０）μｍ ＜使用料＞550 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 8 年度 視野 ： １０×８から１×０．８ ｍｍ （円／時間） ＜導入年度＞平成 最大積載重量： １０ｋｇ A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr その他 ： レーザオートフォーカス ＣＮＣ機能付き 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ CNC三次元測定機用データ処理装置 H26リストNo 14 ＜仕様・品質等＞ Ｃａｌｙｐｓｏシステム ＜製造元＞ （株）東京精密 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） ＣＮＣ三次元測定機本体の制御及び測定データの演算処 理や解析、データの保存及びプリンタへの出力などを行う 制御処理装置です。 ＜詳細仕様＞ Calypsoシステム 自由曲面測定ソフト：HOROS CADデータ読み込み Pro Engineer用ダイレクトインターフェイス ＜使用料＞830 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 超高倍率3次元複合顕微鏡 H26リストNo 15 ＜仕様・品質等＞ ナノサーチ顕微鏡ＳＦＴ～３５００ほか ＜製造元＞ 島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） レーザー顕微鏡とSPM顕微鏡が一体となった顕微鏡です。 ミリメートルオーダーからナノメートルオーダーの形状測 定、粗さ測定が非接触で可能です。 ＜使用料＞1,650 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 走査型レーザ顕微鏡機能 水平方向分解能：150nm以下 高さ方向分解能： 10nm以下 走査型プローブ顕微鏡機能 水平方向分解能： 10nm以下 17 年度 高さ方向分解能： 1nm以下 A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 非接触形状測定顕微鏡 H26リストNo 16 ＜仕様・品質等＞ ＶＫ～９５００ ＜製造元＞ キーエンス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 非接触で表面形状や表面粗さを測定するレーザー顕微鏡で す。ピンホール共焦点方式により、画面全体にピントが 合った画像が得られ、３D表示や断面形状が測定できま す。 ＜詳細仕様＞ 高さ方向分解能：±0.01μm 最高レンズ観察倍率：3000倍 １画面最大測定範囲：1.2×1.5mm ワーク高さ：100mmまで ＜使用料＞1000 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 15 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 表面粗さ測定機 H26リストNo 17 ＜仕様・品質等＞ ｻｰﾌｺﾑ3000A-3DF-DX-S ＜製造元＞ ㈱東京精密 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） スタイラスと呼ばれる測定子をワークに接触させて、ワー クの表面粗さや輪郭形状を測定する装置です。 ＜詳細仕様＞ 最大測定長さ：200ｍｍ Ｚ方向分解能：±0.01μm Ｚレンジ：±12mm ＜使用料＞110 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 13 年度 A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 超高精度三次元測定器 H26リストNo 18 ＜仕様・品質等＞ UA3P-300 ＜製造元＞ Panasonic ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 低いプローブ接触測定力にて被測定物を破壊することなく 曲面の形状を高精度に測定する装置 ＜詳細仕様＞ ・測定範囲（X×Y×Z）：25×25×10mm以内 ・三次元形状測定、三次元MAP表示が可能 ・測定荷重：接触力が0.25mN以下 ・Z軸繰り返し測定精度：50nm ・測定最大傾斜角度：70度以上 ＜使用料＞2,900 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 20 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 非接触式表面性状評価装置 H26リストNo 19 ＜仕様・品質等＞ NewView6300 ＜製造元＞ Zygo ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 非接触での試料表面の粗さ、形状測定 ＜詳細仕様＞ 測手原理：走査型白色干渉法(SWLI+FDA) 垂直分解能：0.1nm 垂直測定範囲：1nmから15mm 測定視野：0.07×0.05から（測定レンズ依存） 対物レンズ：×2.5、×10、×50 ＜使用料＞1150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 19 年度 A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 非接触式フィゾー干渉計 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ GPI XP/D ＜製造元＞ Zygo ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） ガラス、金属などの反射面の平坦度、球面測定などの 形状測定 ＜詳細仕様＞ 測定原理：移送シフト干渉法 He-Neガスレーザー632.8nm ビーム口径：4インチ 焦点合致範囲：-800から+1600mm（出射口より） ＜使用料＞570 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 19 年度 中村 竜太 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 278 20 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 4インチ光学原器 H26リストNo 21 ＜仕様・品質等＞ TS ｆ/0.65, f/1.5, f/3.3 ＜製造元＞ Zygo ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） フィゾー型干渉計（ZYGO社製GPI-XP/D）と組み合わせて球 面形状の表面性状を計測するために使用 ＜詳細仕様＞ ・TS f/0.65(4inch) ・TS f/1.5 (4inch) ・TS f/3.3(4inch) ＜使用料＞300 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ○面精度が横型使用時において有効（φ102mm）内のPVに 21 年度 てλ/20(λ＝632.8nm)以下が保証 ○0.1～40％の反射率に対応 A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ フィゾー干渉計用球面測定ジグ H26リストNo 22 ＜仕様・品質等＞ フィゾー干渉計用球面測定ジグ ＜製造元＞ ZYGO ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） フィゾー型干渉計（ZYGO社製GPI-XP/D）と組み合わせて、 球面形状の測定を可能にする治具 ＜使用料＞130 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ○五軸マウント機構： ・φ90mm以下の被測定物をマウント ・被測定物の位置をXYZ軸及び二軸の傾きが調整可能 ○曲率半径測定機能： ・ガイドレールに沿って移動するマウント機構の移動量を 23 年度 表示分解能1μm以下、測長可能距離1m以上で測定可能 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 倒立型金属顕微鏡 H26リストNo 23 ＜仕様・品質等＞ PM-63-614U ＜製造元＞ オリンパス光学工業 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 明視野、暗視野、簡易偏光および微分干渉観察が可能で す。また、ユバーバーサル照明、ズーム変倍機構の高機 能・多機能の搭載、並びにマルチチューブによるＴＶ観 察、画像解析にも可能です。 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 観察法：明視野、暗視野、簡易偏光、微分干渉 観察倍率：５０，１００，２００，４００，１０００倍 中間倍率：ズーム比１から２ マクロ観察：４から１６倍 ＴＶ観察：可能 8 年度 写真撮影：全自動（３５mmカメラ、ポラロイドカメラ） 装置寸法：幅３６０×縦６９７×高さ４３２mm A棟1F:精密測定室 内田 富士夫 内線 素形材プロセス開発部 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 画像解析システム H26リストNo 24 ＜仕様・品質等＞ ルーゼックF ＜製造元＞ 株式会社ニレコ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 画像解析により金属中の非金属介在物及び結晶粒度を測 定・評価するシステム ＜詳細仕様＞ ・JIS及びASTM規格に準拠した非金属介在物の測定が可能 ・JIS及びASTM規格に準拠した結晶粒度の測定が可能 ・オートステージ・オートフォーカス X,Y各30mm ＜使用料＞800 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密測定室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ Ｘ線ＣＴ画像解析装置 H26リストNo 25 ＜仕様・品質等＞ TXS225-ACTIS ＜製造元＞ テスコ(株) ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 調査対象の内部構造をＸ線により撮影し、３Dデジタル データ化する産業用Ｘ線ＣＴ装置。 ＜詳細仕様＞ X線管電圧：225kV X線管電流：1mA CCDカメラ解像度：130万画素 焦点寸法：5μm ＜使用料＞1500 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 18 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜名称等＞ 高精度3次元プロッターシステム ＜製造元＞ OBJET H26リストNo 26 ＜仕様・品質等＞ CONNEX500 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 短時間に高精度に航空機・自動車関連部品の試作並びにア センブリ部品等の試作製作が可能 ＜詳細仕様＞ ①造形方式：インクジェットプリンタ方式（二次硬化無 し） ②造形可能サイズ：X360mm×Y360mm×Z180mm以上 ③造形ピッチ：16μm以下で造形可能 ④サポート設計：造形物のサポートは自動設計画 ＜使用料＞7,200 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ⑤インポートデータ形式：STLデータを受け取ることが可 能 ＜設置場所＞ ⑥モデル材料変更機能：モデル材料を容易に交換可能なこ 本館 A棟1F:精密造形室 と。 ＜主担当＞ 内田 富士夫 内線 563 ⑦モデル材料混合造形機能：一度の造形において2種類以 上を同時に使用可能。2種類以上の材料を混合し、造形物 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr の硬度の選択が可能 内線 ＜副担当＞ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 鋳造CAEソフトウェア H26リストNo 27 ＜仕様・品質等＞ JSCAST ＜製造元＞ クオリカ ＜用途等＞ 設備分類: 解析技術 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 14 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 内線 素形材プロセス開発部 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ナレッジシステム H26リストNo ＜仕様・品質等＞ サーバPRIMERGY F250ほか ＜製造元＞ 富士通 ＜用途等＞ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞380 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 14 年度 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 設備分類: 情報処理 28 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 熱処理CAEソフトウェア H26リストNo 29 ＜仕様・品質等＞ GRANTAS ＜製造元＞ クオリカ ＜用途等＞ 設備分類: 解析技術 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 14 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 熱変形シミュレーションシステム H26リストNo 30 ＜仕様・品質等＞ simxpert ＜製造元＞ MSCソフトウェア ＜用途等＞ 設備分類: 解析技術 有限要素法による構造解析プログラムにより、線形、弾塑 性、剛塑性、大変形、非線形、破壊、熱伝導、熱と応力の 連性、電気伝導度と熱伝導の連性などの解析が可能 ＜詳細仕様＞ ネイティブCADアクセス機能により、データ変換すること なくCATIA, Pro/ENGINEER, UGS NXのCADデータを使用して 解析が可能 ＜使用料＞1550 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 21 年度 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ハイエンド３次元CAD/CAMシステム H26リストNo 31 ＜仕様・品質等＞ Pro/ENGINEER Wildfire 4 ＜製造元＞ PTC社 ＜用途等＞ 設備分類: 設計技術 形状データを３次元的にコンピュータ上に構築すると共 に、そのデータに基づき、ＮＣデータを作成する装置であ る。 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 10 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 非接触三次元デジタイザー H26リストNo 32 ＜仕様・品質等＞ COMET ＜製造元＞ Steinbichler ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 非接触にて、被測定物の３次元的な外観形状を短時間で測 定できる計測装置 ＜使用料＞1950 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ・1回のショットにおける測定範囲は、55x55x50mmから 760x760x500mm ・測定精度 つなぎ合わせを行わない１回の撮影結果について、平面度 及び平面間距離の絶対値精度と繰り返し精度が、少なくと 21 年度 もいずれかの撮影範囲で10μm以下 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 総合型金属顕微鏡 H26リストNo 33 ＜仕様・品質等＞ DSX500,DSX100 ＜製造元＞ オリンパス（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 鉄系材料，樹脂，CFRP，アルミ合金，鋼板等材料等の破断 面観察、組織観察、寸法測定等の評価をするために使用 ＜詳細仕様＞ ○観察倍率：200から3000倍 ○観察方法 HDR機能、拡張焦点機能、ﾏﾙﾁﾌﾟﾚﾋﾞｭｰ機能、ｵｰﾄﾌｫｰｶｽ機能 パノラマ撮影機能、２D・３D撮影機能、マクロマップ機能 ＜使用料＞530 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ○切断法・計算法による粒度解析 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 25 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 再資源化焼結炉 H26リストNo 34 ＜仕様・品質等＞ ＫＳ−１７０３型 ＜製造元＞ アドバンテック東洋（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 粘土や各種のリサイクル材料の焼成体を焼結する場合に使 用する。 ＜詳細仕様＞ 炉内の寸法は約20×20×30ｃｍで、焼結温度は、最大１６ ００℃、昇温最大速度は、室温から１600℃で約1時間。 プログラム機構により各種の焼結パターンの設定が可能で ある。 ＜使用料＞150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:再資源評価室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 7 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 管状炉 H26リストNo 35 ＜仕様・品質等＞ ＭＰＨ～６ＶＧＳ ＜製造元＞ タナカテック ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（鋳造熱処理な ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞520 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 15 年度 A棟1F:再資源評価室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 炭化賦活炉 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ 炭化賦活炉 T-2000L ＜製造元＞ ㈱ウエーブ二十一 ＜用途等＞ 設備分類: 新・省エネルギー 有機系廃棄物を窒素、ヘリウム等の還元雰囲気で炭化 し、その後、炭酸ガス、素性機等で賦活する装置。 ＜詳細仕様＞ 温度範囲：500～1200℃ 昇温速度：1から10℃／min 使用可能ガス：ヘリウム、窒素、炭酸ガス、水蒸気 ＜使用料＞1200 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟1F:再資源評価室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 36 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 絶縁耐圧試験器 H26リストNo 37 ＜仕様・品質等＞ 3159 ＜製造元＞ 日置電機（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 14 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 近藤 康夫 電子光応用開発部 内線 542 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 差動プローブセット H26リストNo ＜仕様・品質等＞ Ｐ６３３０・Ｐ５２１０・ＴＣＰ２０２ Ｓ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） ＜製造元＞ ソニー・テクトロニクス ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 14 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 信也 38 内線 564 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ネットワークプロトコル開発ツール H26リストNo 39 ＜仕様・品質等＞ Qualnet Developer ＜製造元＞ Scalable Network Technologies, Inc. ＜用途等＞ 設備分類: 設計技術 光制御型光スイッチを動作させる通信プロトコルを開発 するためのシミュレーション及び開発ツール。 ＜詳細仕様＞ 開発ツール：ＯＰＮＥＴ ＭＯＤＥＬＥＲ シュミレーション可能なプロトコル:RIPv2,OSPFv2,BGP4 標準装備デバイスモデル:MPLS,WiFi,WiMAX ＜使用料＞1000 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 18 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 信也 電子光応用開発部 内線 564 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 光テストシステム装置 H26リストNo 40 ＜仕様・品質等＞ ＡＱ２２００ ＜製造元＞ 横河電機 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 光スイッチの光学的特性テスト（減衰特性、波長特性、 スイッチ動作時の消光比）と実際にデータ信号を処理した 場合の誤り率テストを同時に行う装置。 ＜詳細仕様＞ レーザー光源：1310から1550nm 分解能：1300から1620nmで-100dBから+10dB 1500から1620nmで5dB以上2pm シングルモード光ファイバーに適合 ビットエラーテスト:10Gbps以上のデータ送信可 ＜使用料＞700 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 信也 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 17 年度 内線 564 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ベクトルシグナルジェネレータ ＜製造元＞ アジレント H26リストNo 41 ＜仕様・品質等＞ V2920A ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 通信信号と等価な信号を任意に作成する事ができる設備 ＜詳細仕様＞ ・任意波形発生周波数帯域：10MHz以上、6GHz以下の帯域 ・任意波形振幅：-130dBm以上、+10dBm以下(CW時)の振幅 ・絶対振幅確度：±0.6dB以下(10MHzから3.0GHz -110dBm から+10dBm範囲のCW時) ・アナログ変調：周波数変調、振幅変調、位相変調、パル ＜使用料＞310 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ス変調に対応し周波数帯域 1Hzから100kHz以上 ・アナログI/Q信号入出力：I/Q入力 3dBバンド幅 DCから ＜設置場所＞ 200MHz、I/Q出力 0.2dBバンド幅 DCから40MHz以上 本館 A棟2F:ユビキタス研究室 ・任意波形発生帯域幅：80MHz以上の帯域幅、64Mサンプリ ＜主担当＞ 佐々木 信也 内線 564 ング/秒以上のサンプリング波形 ・デジタル信号変調：ASK、FSK、PSK(BPSK,QPSK, 電子光応用開発部 電子・通信Gr QQPSK,8PSK)、QAM(16QAM～256QAM)の各デジタル変調信号 内線 出力 ＜副担当＞ ・GPS信号発生：1575.42MHzにおいて、標準GPSに準拠した ＜名称等＞ ミックスドシグナルオシロスコープ ＜製造元＞ 日本テクトロニクス H26リストNo 42 ＜仕様・品質等＞ MSO4104 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 制御マイコン部(デジタル処理部)のデータ解析と高周波無 線通信前段部(アナログ処理部)の電子的波形解析を同時に 行い、回路構成の妥当性や制御ソフトウェア(組込ソフト ウェア)の妥当性を検証可能 ＜詳細仕様＞ ○アナログ計測 ・アナログ周波数帯域 DCから1GHz 以上 ・周波数帯域(1MΩ入力) DCから500MHz 以上 ・入力チャネル数 4チャンネル ・最大入力耐圧 100Vrms以上 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 20 年度 ・掃引レンジ 500ps/divから50s/div 範囲以上 ・最大レコード長 5Mポイント以上 ＜設置場所＞ ・最高サンプルレート(1ch時) 4GS/sec 以上 本館 A棟2F:ユビキタス研究室 ・分解能 8ビット以上 ＜主担当＞ 佐々木 信也 内線 564 ○デジタル計測 ・デジタルチャネル数 16チャネル以上 電子光応用開発部 電子・通信Gr ・最高デジタルサンプルレート 2GS/sec以上 内線 ・最大デジタルレコード長 2Mポイント以上 ＜副担当＞ ・最小検出パルス幅 2nsec.以下 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 計測制御ソフトウェア開発システム H26リストNo ＜製造元＞ National Instruments(株) 43 ＜仕様・品質等＞ LabVIEW 2010プロフェッショナル開発システ ム ＜用途等＞ 設備分類: 設計技術 ベクトルシグナルジェネレータV2920A（ケースレー社）を用い て、開発品の計測/テスト/制御の自動化及び取得データ処理 （数値演算や信号処理）を行うプログラミングを開発 ＜詳細仕様＞ ベクトルシグナルジェネレータV2920A（ケースレー社）を制御 可能 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 23 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 大三 電子光応用開発部 内線 505 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ プレシジョンパワーアナライザ H26リストNo 44 ＜仕様・品質等＞ WT3000 ＜製造元＞ 横河電機(株) ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） パワーエレクトロニクスの部品，モジュール，応用機器な どのデバイスに対して，電流，電圧，電力を時系列に高精 度で測定可能 ＜詳細仕様＞ ○電力基本確度：±0.06%以下 ＠ 50/60Hz ○電力測定帯域：DC, 0.1Hzから1MHz ○電圧レンジ：15,30,60,100,150,300,600,1000[V] ○電流レンジ：5m,10m,20m,50m,100m,200m,500m,1,2[A] ＜使用料＞170 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 大三 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 23 年度 内線 505 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高周波３次元電磁界シュミレータ H26リストNo 45 ＜仕様・品質等＞ ＨＦＳＳＶ・１０・０ ＜製造元＞ アンソフト ＜用途等＞ 設備分類: 設計技術 高周波デバイスの寸法や材質を実物どおりにモデリング して電磁界解析を行うことにより、それらの特性を把握す るための装置。 ＜詳細仕様＞ 解析手法：有限要素法 完全自動最適メッシュ生成 ＣＡＤデータの入出力 仮想ＥＭＣサイト ＜使用料＞960 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 17 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 丹 健二 内線 電子光応用開発部 543 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ネットワーク・アナライザー・システム H26リストNo 48 ＜仕様・品質等＞ Ｅ８３６４Ａ ＜製造元＞ アジレント・テクノロジー（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 高周波回路網、高周波部品等の通過・反射電力の周波数特 性を測定する測定器 ＜詳細仕様＞ 周波数レンジ：45MHzから50GHz ポート数：2 タイムドメイン機能 TRL/TRM校正 ＜使用料＞1250 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:ユビキタス研究室 丹 健二 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 14 年度 佐々木 大三 内線 543 電子・通信Gr 内線 505 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 摂動方式誘電率測定システム H26リストNo 49 ＜仕様・品質等＞ 摂動方式試料穴閉鎖形空洞共振器法比誘 電率・誘電正接(εr, tanδ)測定ｼｽﾃﾑ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） ＜製造元＞ キーコム株式会社 高周波材料・電子デバイスの誘電率及び誘電正接をJIS 規格で定められた摂動法により計測するために、「ネット ワークアナライザシステム」に機能付加する測定用冶具装 置。 ＜詳細仕様＞ 共振器操作器 ２.４５ＧＨｚ共振器キット ３ＧＨｚ共振器キット ５ＧＨｚ共振器キット ＜使用料＞310 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 18 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ロックインアンプ H26リストNo 50 ＜仕様・品質等＞ eLockIn205/2 ＜製造元＞ Anfatec Instruments ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 微弱な磁気信号を特定の周波数の電気信号に変換し、検出 する装置 ＜詳細仕様＞ ４位相ロックインアンプ ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ・周波数：1mHzから10MHz ・電圧感度 10nVから10V ・ダイナミックリザーブ135dB以上 （円／時間） ＜導入年度＞平成 25 年度 ・位相分解能 0.001度 ・時定数0.1m秒から1k秒 ・内部発振器0.1m秒から1k秒 A棟2F:ユビキタス研究室 丹 健二 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 543 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 総合熱分析装置 H26リストNo 51 ＜仕様・品質等＞ EXSTAR6000 ＜製造元＞ セイコー電子工業（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） １．示差熱・熱重量同時測定 （１）試料の水分量、灰分量の分析、および融点・沸点の 決定ができます。 （２）試料の酸化、耐熱性の評価ができます。 ２．示差走査熱量測定 （１）比熱、反応熱および転移熱などの定量ができます。 （２）結晶化度、反応速度、および結晶化速度などの測定 ＜詳細仕様＞ １．示差熱・熱重量同時測定装置（TG/DTA） ・温度範囲 室温から1500℃ ・雰囲気 大気、真空（10-2Torr） 不活性ガス（Ar、N2） ２．示差走査熱量計（DSC） ＜使用料＞870 （円／時間） ＜導入年度＞平成 8 年度 ・温度範囲 室温から1500℃ ・雰囲気 大気、不活性ｶﾞｽﾌﾛｰ下（Ar、N2） ＜設置場所＞ ３．熱機械測定装置（TMA） 本館 A棟2F:セラミックス研究室 ・温度範囲 -150から600℃、室温から1500℃ ＜主担当＞ 杉山 重彰 内線 553 ・雰囲気 大気、真空（10-2Torr） 不活性ガス（Ar、N2） 先端機能素子開発部 機能性材料Gr ＜副担当＞ 内線 ＜名称等＞ 電気伝導率・熱電率測定装置 ＜製造元＞ 真空理工（株） H26リストNo 52 ＜仕様・品質等＞ ZEM/PEM-1型 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 本装置は、材料の電気伝導率σ（電気抵抗の逆数）と、物 質中で温度差がついたときに発生する起電力の大きさの指 標である熱電率（ゼーベック係数α）と、熱が電気に変換 される割合である熱電変換効率ζを測定する装置です。 ＜詳細仕様＞ １．電気伝導率・熱電率測定部 温度範囲 室温〜1200℃ 試料温度差 20℃以下 雰囲気 真空（10-3Torr） 不活性ガス（He、Ar、N2） ＜使用料＞1400 （円／時間） ＜導入年度＞平成 9 年度 試料寸法 2から4mm角×10から20mm 測定方式 定常直流法、直流四端子法 ＜設置場所＞ ２．熱電変換効率測定部 本館 A棟2F:セラミックス研究室 温度範囲 室温から800℃ ＜主担当＞ 杉山 重彰 内線 553 試料温度差 最大500℃以下 雰囲気 真空（10-3Torr） 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 不活性ガス（He、Ar、N2） 内線 試料寸法 30mm角×5から10mmおよび20mmφ×5から ＜副担当＞ 10mm 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高温動弾性率測定装置 H26リストNo 53 ＜仕様・品質等＞ UMS-HL ＜製造元＞ 東芝タンガロイ（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 高温動弾性率測定装置は，材料のヤング率、剛性率、体積 弾性率、圧縮率、ポアソン比、ラーメパラメータ、音速異 方性係数、縦（伸縮）内耗、横（剪断）内耗、デバイ温度 などの機械的性質を示す物性値を、室温〜1500 ℃まで非 破壊で同時測定する装置である。 ＜詳細仕様＞ １．パルサ・レシーバ部 ・発信パルス：スパイクパルス、スクエアパルス（切換） ・受信：反射法、透過法（切換） ・パルス電圧：-100から-600V（連続） ・電圧利得：から70dB ＜使用料＞3,350 （円／時間） ＜導入年度＞平成 10 年度 ・バンド帯域：70KHzから15MHz（-3dB） ・ハイパスﾌｨﾙﾀｰ：内蔵 ＜設置場所＞ ・ローパスフィルター：内蔵 本館 A棟2F:セラミックス研究室 ・出力インピーダンス：50Ω ＜主担当＞ 杉山 重彰 内線 553 ・パルス出入力コネクタ：REMO ２．A/D変換部 先端機能素子開発部 機能性材料Gr ・サンプリングタイム：100MHz 内線 ・アナログ帯域幅：DCから25MHz ＜副担当＞ ・分解能：8bits ＜名称等＞ ナノインデンター H26リストNo 54 ＜仕様・品質等＞ Ｍｏｄｅｌ Ｔｒｉｂｏｓｃｏｐｅ他 ＜製造元＞ 米国Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ナノインデンターとは硬さ試験方法の一つであり、μm （マイクロメートル）以下の小さな領域の硬さ、ヤング率 などの機械的性質を測定できる。 ＜詳細仕様＞ （１） ダイヤモンド圧子：Berkovich型、Cube Corner型 ①Z軸仕様 ：荷重 10mN ：分解能 100nN ②X軸仕様 ：荷重 ＜使用料＞3000 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:セラミックス研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 14 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 2mN ：分解能 3μN （２） 変位 ①Z軸仕様 ：5μm ：分解能 0.005nm ②X軸仕様 ：±5μ ：分解能 4nm （３） 押し込み荷重に対する押し込み深さを負荷開始か ら除荷までの全過程に わたって連続的に記録し、硬さと弾性率を算出します。 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 熱特性測定装置 H26リストNo 55 ＜仕様・品質等＞ LFA457-A21 MicroFlash ＜製造元＞ NETZSCH ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 金属材料、セラミック材料、プラスチック材料等の熱伝導 率、熱拡散率、比熱容量等の熱特性を測定 ＜使用料＞1200 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・JIS R1611-1997 やJIS R1650-3-2002 やJIS H7801-2005 に準拠したレーザーフラッシュ法によって熱拡散率、比熱 の測定が可能 ・熱拡散率は、室温から1000℃で測定可能 ・比熱は、室温から700℃で測定可能 21 年度 ・試料サイズは、直径10mm、厚さ1から3mmの測定が可能 ・試料形状は、5mmから10mm角、厚 A棟2F:セラミックス研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 内線 553 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 熱膨張測定装置 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ２ ＜製造元＞ 理学電機 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 材料の熱膨張係数を正確に測定する装置である。 ＜詳細仕様＞ 測定温度：室温から1500℃ 変位測定レンジ：±0.5から±2500μm 試料サイズ：直径5mm、長さ10から20mm 測定雰囲気：不活性ガス、大気 ＜使用料＞460 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:セラミックス研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 15 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 56 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電子プローブマイクロアナライザー H26リストNo 57 ＜仕様・品質等＞ JXA-8200ほか ＜製造元＞ 日本電子㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 試料に電子ビームを照射した時に発生する特性Ｘ線の波長 と量を測定して、定性分析と定量分析を行う装置である。 微細組織・形状の観察、付着物の検査、不純物・欠陥部の 組織、元素の分布状態や幾何学的形状などを総合的に調べ ることができる。水素・ヘリウム・リチウム・ベリリウム 以外の元素分析が可能。 ＜使用料＞1650 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 分析元素範囲 ５Ｂから９２Ｕ Ｘ線分光範囲 0.087から9.3nm 加速電圧 0.2～30KV 照射電流範囲 10−１２から10−５A 二次電子分解能 6nm（WD11mm，30KV） 13 年度 走査倍率 ×40～300,000（WD11mm） A棟2F:電子顕微鏡室 杉山 重彰 内線 先端機能素子開発部 553 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 走査型電子顕微鏡 H26リストNo 58 ＜仕様・品質等＞ Ｓ−２４００ ＜製造元＞ （株）日立製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 電子ビームを試料に当てて試料から出てくる情報を検出 器でとらえ、ＣＲＴ上に拡大像を表示する顕微鏡です。同 時に試料の組成元素は何か（定性）、どれくらいの量が 入っているか（定量）なども、電子ビームによって出てき たＸ線を検出して知ることができます。 ＜使用料＞1,750 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:電子顕微鏡室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜詳細仕様＞ １．走査電子顕微鏡観察 熱電子銃を備えた光学系で、最大4インチ径サイズまで の試料を、高分解能（4.0nm）ＳＥＭ観察（写真）するこ とができます。 ２．ＥＤＸ分析（堀場：EMAX2770） 2 年度 高純度Ｓｉ検出器（液体窒素必要）で、試料の定性分析 （ＮａからＵ）、定量分析（スタンダードレス、スタン ダード）ができます。また、各元素組成のマッピング（面 分析）、及び相分析ができます。 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電界放射走査電子顕微鏡 H26リストNo 59 ＜仕様・品質等＞ S-4500 ＜製造元＞ 日立製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 電子ビームを試料に当てて試料から出てくる情報を検出 器でとらえ、ＣＲＴ上に拡大像を表示する顕微鏡です。同 時に試料の組成元素は何か（定性）、どれくらいの量が 入っているか（定量）なども、電子ビームによって出てき たＸ線を検出して知ることができます。 ＜詳細仕様＞ ┌───────┬─────────────── │ 機 種│日立製作所 │項 目│Ｓ−４５００ ├───────┼──────────────┬ │タイプ│セミインレンズ型 ＜使用料＞610 （円／時間） ＜導入年度＞平成 8 年度 ││ │電子銃│冷陰極電界放射型電子銃 ＜設置場所＞ ││バトラー形静電レンズ 本館 A棟2F:電子顕微鏡室 ││アノードヒータ組み込み ＜主担当＞ 木村 光彦 内線 551 ││ │引き出し電圧│０〜６．５ＫＶ 素形材プロセス開発部 複合材料Gr ││ 内線 │加速電圧│０．５〜３０ＫＶ ＜副担当＞ ││（全範囲０．１ＫＶステップ） ＜名称等＞ S-4500用オートステージ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ S-8432型 ＜製造元＞ 日立製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 単独使用することが無いため記載不要 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:電子顕微鏡室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 60 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 圧縮成形機 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ 試験用加硫プレス ＜製造元＞ 東洋精機（株） ＜用途等＞ ３０ｔｏｎ 61 ｆ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 金型にプラスチック材料を充填し、加熱、圧縮して成形す る装置。主に熱硬化性樹脂の成形に用いる。 ＜詳細仕様＞ 最高温度：２００℃ 圧縮圧力：３０ｔ ＜使用料＞280 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S58 年度 ＜設置場所＞ 本館 A棟2F:有機化学研究室 ＜主担当＞ 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ プラスチック衝撃試験機 H26リストNo 63 ＜仕様・品質等＞ シャルピーＪＩＳ7111 ＜製造元＞ 上島製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ノッチ(切り欠き)付き又はノッチなしの硬質プラスチック 試験片を両持ち梁で支持し回転ハンマーで衝撃を与え破壊 させ、破壊に要するエネルギー値を測定しシャルピー衝撃 値を求め、材料の耐衝撃性、もろさ、粘り強さなどの特性 を判定する。 ＜詳細仕様＞ ハンマー振り上げ角度：150° ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S58 年度 ＜設置場所＞ 本館 A棟2F:有機化学研究室 ＜主担当＞ 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 恒温恒湿器 H26リストNo 64 ＜仕様・品質等＞ LHU-112M ＜製造元＞ タバイエスペック（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 試料を恒温、恒湿の雰囲気下におき、状態調節やサイクル 試験を行う装置 ＜詳細仕様＞ 温度範囲：−２０から８５℃ 湿度範囲：４０から９０％ 内法：Ｗ５０×Ｈ６０×Ｄ３９ｃｍ 内容量：１０５リットル ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 9 年度 A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ プラスチック万能材料試験機 H26リストNo 65 ＜仕様・品質等＞ AG-20KNG(M1) ＜製造元＞ （株）島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 主としてプラスチック材料の引張、曲げ、圧縮強度を測定 する装置。 ＜詳細仕様＞ 最大容量：２０ｋＮ ロードセル：５０Ｎ、１ｋＮ、２０ｋＮ クロスヘッド移動速度：０．０５から１０００ｍｍ／ｍｉ ｎ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 10 年度 藤嶋 基 内線 583 複合材料Gr 内線 501 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 3D射出成形ｼﾐｭﾚｰｼｮﾝｼｽﾃﾑ H26リストNo 66 ＜仕様・品質等＞ CELSIUS W480-NTM ＜製造元＞ 富士通㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） ３Ｄ射出成形シミュレーションシステムは、プラスチック射出成形 における設計、金型製作、試作、成形にわたる全行程をシミュ レーションする装置で、製品設計、金型設計、成形条件最適化 など業務の効率化を支援します。 ＜使用料＞1,150 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ○３次元CADインターフェース →STEP, IGES，STLに対応 ○完全３次元解析 射出成形の全行程（充填、保圧・冷却、金型冷却、変形、 繊維配向）にわたってが可能 （円／時間） ＜導入年度＞平成 23 年度 ○薄肉成形 ２．５次元流動（厚さ方向の流動は考慮しない）２．５次 元解析が可能 A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ マイクロオームメータ H26リストNo 67 ＜仕様・品質等＞ 34420A ＜製造元＞ アジレント・テクノロジー（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） プラスチック材料とカーボンナノチューブ等の導電性 フィラーとの複合化を行い、混錬条件と各フィラーによる 機能の一つである導電性の評価を行うための装置。 ＜詳細仕様＞ 分解能：7 １/2桁 感度：100pV／100nΩ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 流動特性評価装置 （フローテスター） H26リストNo 68 ＜仕様・品質等＞ フローテスタ ＣＦＴ～５００Ｄ パソ コンシステム ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ＜製造元＞ （株）島津製作所 樹脂などの流動性材料について、温度・圧力・流れ速度の 関係から流動特性を評価する装置。 ＜詳細仕様＞ 試験圧力 CFT-500D 0.4903から49.03MPa(5から500kgf/cm2) CFT-100D 0.098から9.807MPa(1から100kgf/cm2) ＜使用料＞270 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 試験温度 14 年度 (室温＋20)℃から400℃ 高温対応型は500℃まで可能 A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 試験種類 定温試験、等速昇温試験 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 示差走査熱量計 H26リストNo 70 ＜仕様・品質等＞ X-DSC7000 ＜製造元＞ ｾｲｺｰｲﾝｽﾂﾙﾒﾝﾂ株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） プラスチック材料等の有機化合物の相転移・融解等の熱量変 化を測定し、試料純度の評価や樹脂硬化の評価が可能 ＜使用料＞620 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ 測定温度範囲：-150℃以下から725℃以上 DSC測定範囲：±100mW以上 RMSノイズレベル：0.5μW以下 昇温：0．01℃／minから100℃／minでのプログラム制御 液化窒素冷却：-150℃から725℃ 23 年度 電気式冷却：-80℃から500℃ 同時装着 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ プラスチック万能材料試験機（CFRP用） H26リストNo 71 ＜仕様・品質等＞ ５９６７型 ＜製造元＞ インストロン（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） プラスチック材料、金属材料、複合材料等の力学特性の評 価 ＜詳細仕様＞ ロードセル：30kN、5kN、50N、、引張試験、圧縮試験、３ 点曲試験 ＜使用料＞930 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 24 年度 583 複合材料Gr 内線 藤嶋 基 501 ＜名称等＞ メルトインテグサ H26リストNo 72 ＜仕様・品質等＞ 型式G-01 ＜製造元＞ （株）東洋精機製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 高分子材料等の工業材料の粘性と弾性を測定し、構造解 析、分子量、分子量分布、分散状態等の材料特性を評価す る。 ＜詳細仕様＞ 試験荷重範囲：0.325から21.6kgおもり装備可 フローレート装置：100から400℃ 温度調節機構：PID制御方式 温度精度：±0.2℃ ＜使用料＞250 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 25 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 真空加熱プレス装置 H26リストNo 73 ＜仕様・品質等＞ 1824型 ＜製造元＞ 井元製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） ＜詳細仕様＞ 上下の基板それぞれを温度コントロールしながら、真空中 で最大３４０℃まで加熱可能で、加圧力１０tでプレスで きる。 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 19 年度 A棟2F:有機化学研究室 杉山 重彰 内線 先端機能素子開発部 553 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ゴム・プラスチック硬度計 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＮＯ ＜製造元＞ （株）東洋精機製作所 ＜用途等＞ 62 ２９６Ｓ型 設備分類: 評価技術（材料特性など） ゴムやプラスチックの押し込み硬さ（ＩＲＨＤ，デュロー メータ硬さ）を測定する装置 ＜詳細仕様＞ ＪＩＳ Ｋ ７２５１に準拠 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S62 年度 ＜設置場所＞ 本館 A棟2F:天秤室 ＜主担当＞ 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電子天秤 H26リストNo 74 ＜仕様・品質等＞ MC210S ＜製造元＞ ザルトリウス（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 0.01 mgの精度が必要なものの質量測定 ＜詳細仕様＞ 秤量：210g 読取限度：0.01mg ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 10 年度 A棟2F:天秤室 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 微小面積複屈折計 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ KOBRA-CCD/X20P 75 ＜製造元＞ 王子計測機器㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 受光部にCCDカメラを用いて、画素単位の微小面積で複屈 折位相差を測定し、その分布をグラフ表示にする装置。 ＜詳細仕様＞ 測定波長：590nm 650nm サンプル厚さ：10mm以下 サンプルサイズ：130mm×90mm ＜使用料＞120 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:天秤室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 冷却・加熱せん断流動観察システム H26リストNo 69 ＜仕様・品質等＞ 冷却・加熱せん断流動観察システム CSS -204 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ＜製造元＞ ジャパンハイテック株式会社 高分子溶液、液晶材料などの物質の、流れによる構造変化 などを観察・解析する装置。 試料を加熱（冷却）しながら、せん断を加え、試料の構造 変化及びせん断を停止させた後の応力緩和、構造回復等の レオロジー現象を顕微鏡観察することが可能。 ＜詳細仕様＞ 温度範囲：室温から450℃ -50から450℃ せん断速度：0．003から15000ｓ-1 ＜使用料＞450 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 検鏡方法：簡易偏光・位相差 16 年度 明視野観察 A棟2F:天秤室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ３次元CADCAMシステム H26リストNo ＜仕様・品質等＞ CATIA V5他 76 ＜製造元＞ ダッソーシステムズ ＜用途等＞ 設備分類: 設計技術 ３次元CADがCATIA V5、３次元CAMがMastercamの３次元 CAD/CAMシステムです。３次元モデリングからＮＣデータ の作成まで、一貫して行えます。 ＜詳細仕様＞ CAD：CATIA V5 CAM：Mastercam X5 検証ソフト：G-NAVI OS：WindowsXp 32bit版 ＜使用料＞1600 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:CAD/CAM室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 19 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 近赤外分光光度計 H26リストNo 77 ＜仕様・品質等＞ Spectrum One ｼｽﾃﾑB ＜製造元＞ ㈱パーキンエルマージャパン ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 主に有機物質の定性分析と定量分析に用いられ、試料に近 赤外光を照射し、その透過光や反射光のスペクトル解析を 行う。 ＜詳細仕様＞ スペクトル分解能：１，２，４，８ｃｍ～１ スペクトル波数：４００～９０００ｃｍ～１ ＜使用料＞330 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 13 年度 A棟2F:高分子材料研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 色彩色差計 H26リストNo 78 ＜仕様・品質等＞ SQ-2000 ＜製造元＞ 日本電色工業㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 各種試料（セラミックス・ガラス、釉薬、金属、ポリ マー、絵具、紙、塗膜等）の呈する表面色の精密測定が可 能。 肉眼や色カードによる色の判別に比較して、数値での色の 評価が可能である。 ＜詳細仕様＞ ＪＩＳ Ｚ～８７２２準拠の８°ｄ照明、（Ｄ）ｄ受光 測色範囲：３８０ｎｍ～７８０ｎｍ（１０ｎｍ間隔） 特徴：正反射光の受光可能、拡散反射光のみの測定可能 ＜使用料＞290 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:高分子材料研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 出力：Ｌab ΔＬab ΔE, Ｌ*a*b*,ΔＬ*a*b*,E* ,YI W WB, ΔYI ΔW ΔWB XYZ xy,反射率など 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 表面抵抗測定装置 H26リストNo 79 ＜仕様・品質等＞ 4339B ＜製造元＞ アジレント・テクノロジー（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 絶縁材料、PC ボード、コネクタ、コンデンサなどの絶縁 抵抗 を安定かつ効率的に測定できる。絶縁抵抗、体積、抵抗 率、表面抵抗率の信頼性の高い 1分値の自動測定が行え る。 ＜詳細仕様＞ テスト電圧： DC 0.1 V-1000 V 測定パラメータ 抵抗、電流、体積抵抗率、表面抵抗率 抵抗測定基本確度 0.6 % 測定速度：高速測定： 10 ms 測定範囲： 10＾3 Ω～1.6 x 10＾16 Ω ＜使用料＞110 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 16 年度 A棟2F:高分子材料研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜名称等＞ フーリエ変換赤外分光光度計 ＜製造元＞ 日本分光㈱ H26リストNo 80 ＜仕様・品質等＞ IRT-7000 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） プラスチック材料、製品中の異物等、有機化合物の定性分 析 ＜詳細仕様＞ ①マクロ測定部：透過測定、ATR測定が可能 ・測定波数は、4000から400cm-1を含む波数領域 ・分解能は0.1 cm-1、S/N比は50,000：1（4 cm-1、1分積 算、2200 cm-1近傍、P-P） ・検出器は、DLaTGS型（測定可能波数10,000から350 cm-1 ＜使用料＞820 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 を含む波長領域）、及びMCT型（測定可能波数10,000から 650 cm-1を含む波長領域）の2種類 ＜設置場所＞ ②顕微測定部：顕微測定部は、透過測定、反射測定、顕微 本館 A棟2F:高分子材料研究室 ATR測定、偏光測定、面分析 ＜主担当＞ 工藤 素 内線 583 ・測定波数は、4000から650 cm-1を含む波数領域 ・分解能は0.1 cm-1、S/N比は5000:1（アパーチャーサイ 素形材プロセス開発部 複合材料Gr ズ100μm×100μm、4 cm-1、1分積算、2200 cm-1近傍、P内線 P） ＜副担当＞ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 分子配向解析装置 H26リストNo 81 ＜仕様・品質等＞ MOA-6020 ＜製造元＞ 王子計測機器㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） フィルム、シートをはじめ成型品、回路基板、紙、ゴム、 皮革などの種々分野における配向性測定、誘電物性評価な どを知ることができる。 ＜使用料＞700 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ サンプル厚さ：1mm以下(ソリの無いこと) サンプルサイズ：15mm×15mm 35mm×35mm 測定周波数：19.0～20.0GHｚ 測定時間：配向パターン約60秒 誘電率パターン約40秒×9=約360秒 （円／時間） ＜導入年度＞平成 12 年度 配向角分解能：配向パターン 1度 誘電パターン 0.1度 使用温度範囲：10から30度 A棟2F:高分子材料研究室 使用湿度範囲：30から80度 工藤 素 内線 583 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 電動式塗工機 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ YOA-B型 82 ＜製造元＞ （株）小平製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 10から250μｍ程度の厚みのセラミックス及びセラミッ クス複合材料のシートを成形する装置。 ＜詳細仕様＞ 有効塗布面積：300×340mm 塗工速度：5から100mm/秒 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:高分子材料研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ セミビッカース硬度計 H26リストNo 83 ＜仕様・品質等＞ PVT-7S ＜製造元＞ マツザワ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） セラミック材料等のビッカース硬度や破壊靭性値等の機械 的性質評価 ＜使用料＞420 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・JIS R1610-2003やJIS R1607-1995のIF法に準拠したビッ カース圧子を用いた硬さと破壊靭性値の測定が可能 ・試験荷重を0.3、0.5、1、3、5、10、20kgfで切り換え可 能 ・対物レンズは5倍、10倍、20倍、50倍の４つを搭載 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ・ 最小計測単位は、0.1 μmが可能なこと。 ・ 破壊靭性値は、JIS R1607の式、Evans and Charlesの 式，Evans and Davisの式，Lankfordの式，新原の式を用 A棟2F:無機材料研究室 いて自動算出 杉山 重彰 内線 553 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 超硬製転動ミル用容器 H26リストNo ＜製造元＞ （株）伊藤製作所 84 ＜仕様・品質等＞ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 粉末焼結法における２種類以上の粉末をアルコール中で均 一に粉砕・混合するための容器 ＜詳細仕様＞ ・容量：500ml×２、1,000ml×１ ・容器の内壁：超硬製、厚みは3mm以上 ・容器の外壁：SUS304 ・超硬中のCoは15wt.%以下 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:無機材料研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 20 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 比表面積測定器 ＜製造元＞ 湯浅アイオニクス（株） H26リストNo 85 ＜仕様・品質等＞ モノソーブ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ＢＥＴ１点連続流動法により、各種固体試料の比表面積 （試料１ｇ当たりの表面積）を測定する装置です。 試料に混合ガス（窒素３０％、ヘリウム７０％）を流し た状態で、液体窒素温度に冷却してサンプルに混合ガスを 吸着平衡になるまで吸着させます。次に、常温まで昇温 し、混合ガスを完全に脱着させて、その脱着ガス量（＝ガ ス吸着量）を求めます。そしてガス吸着量を試料重量で割 ＜詳細仕様＞ １．測定方式 ＢＥＴ１点連続流動法 ２．検出部 熱伝導度検出器 ３．データ出力 ＜使用料＞340 （円／時間） ＜導入年度＞平成 2 年度 デジタル表示、およびアナログ表示 ４．測定混合ガス ＜設置場所＞ ヘリウム＋窒素、クリプトン、アルゴン、一 本館 A棟2F:無機材料研究室 酸化炭素、二酸化炭素、ブタン、等 ＜主担当＞ 菅原 靖 内線 533 ５．比表面積測定範囲 ０.０１ｍ２/ｇ以上 先端機能素子開発部 機能性材料Gr ６．繰り返し性 内線 ±１％以内 ＜副担当＞ ７．脱気温度 ＜名称等＞ 小型電気炉 ＜製造元＞ （株）セイシン企業 H26リストNo 86 ＜仕様・品質等＞ ＰＡＲＴ−３ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 各種材料を酸化および還元の両雰囲気で、温度並びに時 間を正確に制御しながら加熱する装置です。 還元雰囲気は、マッフルケースを装着し、焼成室内を真 空引きした後に、窒素等でガス置換することにより得られ ます。 使用温度範囲は、通常は４００から１７００℃、不活性 ガス使用による還元雰囲気では４００℃から１０５０℃で ＜詳細仕様＞ １．使用温度範囲 通常（マッフルケース未装着時、不活性ガス 未使用時）： ４００から１７００℃ マッフルケース装着時（不活性ガス使用持） ＜使用料＞260 （円／時間） ＜導入年度＞平成 2 年度 ４００℃から１０５０℃ ２．温度到達時間 ＜設置場所＞ 通常：１７００℃まで約４０分 本館 A棟2F:無機材料研究室 還元雰囲気：１０５０℃まで約３０分 ＜主担当＞ 菅原 靖 内線 533 ３．炉内サイズ 通常：２００Ｗ×２５０Ｄ×２００Ｈ 先端機能素子開発部 機能性材料Gr マッフルケース津薬用時： 内線 １２０Ｗ×２００Ｄ×１２０Ｈ ＜副担当＞ ４．炉体：セラミックファイバー 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 低温恒温水槽 ＜製造元＞ 小松エレクトロニクス H26リストNo 87 ＜仕様・品質等＞ DW-621 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 本装置は、種々の液体を−５から７０℃の範囲内で、任 意の温度に加熱・冷却、および保持する装置です。 通常は、加熱・冷却用媒体が入っている槽内にビーカー に入れた液体試料を設置する方法、または槽内に液体試料 を直接注入する方法により、加熱・冷却、および保持を行 います。 ＜詳細仕様＞ １．使用温度範囲 −５から７０℃ （周囲温度２０℃、放熱水温２０℃の時） ２．温度設定精度 ±０．５℃ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 8 年度 ３．温度制御精度 ±０．１５℃ ＜設置場所＞ ４．温度分布精度 本館 A棟2F:無機材料研究室 ±０．５℃ ＜主担当＞ 菅原 靖 内線 533 ５．熱交換部 水槽：材質ＳＵＳ３０４、 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 表面はフッ素樹脂コーティング 内線 内寸法 内径φ１３０×高さ２００ ＜副担当＞ 放熱方式：水冷式 ＜名称等＞ 全有機体炭素計 ＜製造元＞ 島津製作所 H26リストNo 88 ＜仕様・品質等＞ ＴＯＣ−５０００Ａ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本装置は、各種液中（工場排水、河川、湖沼、等）に含 まれる炭素量（全炭素、無機体炭素、有機体炭素）を定量 分析する装置です。 高温に加熱された燃焼管にキャリアーガスと共に分析試 料を導入し、燃焼または分解により生じる二酸化炭素を非 分散形赤外線式ガス分析部で測定し、炭素量を求めます。 ＜詳細仕様＞ １．測定原理 燃焼（６８０℃）−非分散形赤外線ガス分析 法 ２．測定範囲 ５０ｐｐｂから４０００ｐｐｍ ＜使用料＞550 （円／時間） ＜導入年度＞平成 11 年度 ３．バイアル装着数 サンプル用バイアル１６本 ＜設置場所＞ ４．試料注入量 本館 A棟2F:無機材料研究室 ４から２５０μＬ ＜主担当＞ 菅原 靖 内線 533 ５．許容周囲温度 ５から３５℃ 先端機能素子開発部 機能性材料Gr ６．電源 内線 ＡＣ１００Ｖ、６Ａ ＜副担当＞ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 原子吸光分光分析装置 H26リストNo 89 ＜仕様・品質等＞ ＳＯＬＡＡＲ Ｍ～６ ＜製造元＞ 日本ジャーレルアッシュ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 試料を高温中（アセチレン-空気炎中）で原子化し、そこ に光を透過して吸収スペクトルを測定することで、試料中 の元素の同定および定量を行う。 通常分析対象とするのは溶液であり、,微量元素の検出な どに用いられる。 ＜詳細仕様＞ ファーネス用(オートサンプラー付) 水素化物発生装置付 ＜使用料＞1100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 15 年度 A棟2F:無機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 酸素・窒素分析装置 ＜製造元＞ ㈱堀場製作所 H26リストNo 90 ＜仕様・品質等＞ ＥＭＧＡ～６２０Ｗ／Ｃ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 鉄鋼・非鉄・電子材料中酸素、窒素を高精度に同時分析す る。ppmオーダの極微量、迅速、高精度分析が可能。 ＜詳細仕様＞ 分析原理 不活性ガス中−インパルス加熱・融解 O(酸素) : NDIR(非分散赤外線吸収法) N(窒素) : TCD(熱伝導度法) 13 年度 分析範囲 O : 0-0.1 %(m/m) ＜設置場所＞ N : 0-0.5 %(m/m) 本館 A棟2F:無機化学研究室 ＊受注時ppm表示指定可 ＜主担当＞ 工藤 素 内線 583 ＊試料重量を減らすことにより範囲拡大可 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 試料質量 : 標準1.0g 内線 ＜副担当＞ 精度(再現性) ＜使用料＞1,350 （円／時間） ＜導入年度＞平成 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 炭素・硫黄分析装置 H26リストNo 91 ＜仕様・品質等＞ ＣＳ～200型 ＜製造元＞ ＬＥＣＯ社 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 試料を高周波炉内で加熱燃焼させ，試料中の炭素と硫黄を それぞれCO2，SO2とに変換し，ソリッドステート型検出器 により迅速に定量を行う。 ＜詳細仕様＞ 分析対象物 鉄鋼・非鉄金属・合金鋼・その他 分析範囲 （試料1gの場合） 炭素：40ppm～3.5％ 硫黄：40ppm～0.4％ 分析精度 （precision） ＜使用料＞870 （円／時間） ＜導入年度＞平成 13 年度 炭素：2ppmまたは0.5％RSD 硫黄：2ppmまたは1.5％RSD ＜設置場所＞ いずれか大きい方 本館 A棟2F:無機化学研究室 分析時間 （通常）45秒 ＜主担当＞ 工藤 素 内線 583 検知方式 ソリッドステート型赤外線吸収法 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ラマン分光光度計 H26リストNo 92 ＜仕様・品質等＞ NRS-1000/RFT-600 ＜製造元＞ 日本分光㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 光源として単色光であるレーザー光を物質に照射して、発 生したラマン散乱光を分光器、もしくは干渉計で検出し、 ラマンスペクトルを解析する。非破壊で分子や結晶に関す る情報が得られる。 ＜詳細仕様＞ 光学配置:シングルモノクロメータ 測定可能範囲：50から8000cm-1 レーザ：グリーンレーザ(532nm励起) 検出器：液体窒素冷却CCD ＜使用料＞1350 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:無機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高周波プラズマ発光分光分析装置 H26リストNo 93 ＜仕様・品質等＞ iCAP6300 Duo ＜製造元＞ サーモフィッシャーｻｲｴﾝﾃｨﾌｨｯｸ株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 金属材料、無機材料等を化学処理した水溶液中の成分分析を 行い、製品の品質管理、環境試験、不良対策が可能 ＜詳細仕様＞ 半導体検出器：CID検出器 1ppbオーダーから%オーダーの直線性を有する検量線を用 いた定量分析 測定波長範囲：167から785nm以上波長分解能：基準波長 200nmにおける0.007nm以上 ＜使用料＞3600 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 23 年度 A棟2F:無機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ X線回折装置 H26リストNo 94 ＜仕様・品質等＞ RINT-2500 ＜製造元＞ リガク ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本装置は、固体物質（セラミックス、金属、鉱物、等） に波長が一定の単色エックス線を入射角度を変えながら連 続的に照射し、得られる回折ピークから固体物質の結晶構 造を解析（定性および定量）する装置です。 ＜詳細仕様＞ １．エックス線発生部 最大定格出力：18kW 定格電圧 ：20から60kV 定格電流 ：10から300mA 制御方式 ：インバータ制御 安定度 ：入力電源変動±10％以内に対し±0.01％以内 ターゲット ：Ｃｕロータターゲット ＜使用料＞710 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 9 年度 焦点サイズ ：0.5×10mm2 防エックス線カバー：フェイルセーフ機構付、外側では2.5μSV/hr以下 ２．ゴニオメータ部 A棟2F:無機化学研究室 菅原 靖 内線 533 スキャンモード ：2θ/θ連動、θ、2θ単独 ゴニオメータ半径：185mm ２θ測角範囲 ：3から145° 設定再現性 ：1/1000° 先端機能素子開発部 機能性材料Gr スリット ：ＤＳ 1/2°，1°，2°，0.05mm ＲＳ 0.15，0.3，0.6mm ＳＳ 1/2°，1°，2° ＜副担当＞ 内線 定速自動送り ： ２θ/θ 0.002から100°/min 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ Ｘ線応力測定装置 H26リストNo 95 ＜仕様・品質等＞ ＭＸＰ３ＡＨＰ ＜製造元＞ （株）マックサイエンス ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 試料へ異なる入射角度でＸ線を照射し、格子間隔の変化を 測定することにより、検査物の表層の応力を測定する装置 です。 検出器にＰＳＰＣを用いているため迅速な測定が可能で す。残留応力の測定には表面の状態が非情に影響しますの で測定目的に合わせた前処理等試料の調整が必要です。 ＜詳細仕様＞ 光学系│（右）:PSPC応力専用ｺﾞﾆｵﾒｰﾀｰ │・Ｘ線源−試料間距離 │ ２２０から２８５ｍｍ │・試料−検出器間距離 │ １７０から２８５ｍｍ ＜使用料＞1,700 （円／時間） ＜導入年度＞平成 7 年度 │・入射ｽﾘｯﾄ（ｼﾝｸﾞﾙｺﾘﾒｰﾀｰ） │ φ＝4,2,1,0.5,0.3,0.1mm ＜設置場所＞ │・２θ測角範囲 本館 A棟2F:無機化学研究室 │ ２θ=−５°から１６５° ＜主担当＞ 木村 光彦 内線 551 │・PSPCの2θ角度幅 │ ２０°から３０° 素形材プロセス開発部 複合材料Gr │・並傾法ψ０角度移動範囲 内線 │ ψ０=−５０°から５０° ＜副担当＞ │・側傾法ψ０角度移動範囲 ＜名称等＞ イオンプレーティング装置 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＬＣ−８Ｐ型 ＜製造元＞ 日本電子（株） ＜用途等＞ ＜使用料＞1800 A棟2F:無機化学研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 設備分類: 薄膜技術 ＲＦイオンプレーティング装置 ＲＦパワーを印可してガスの電離を促進し、電子銃により 蒸発源の加熱を行い、試料にバイアス電圧を印可して各種 膜を製膜する装置。 アルゴンイオンによるイオンボンバードメントやＮ２等反 応性のガスを用いることにより蒸発源との反応による製膜 も可能。 ＜詳細仕様＞ ＲＦパワー：０から５００Ｗ ＤＣバイアス：０から−２ｋＶ ガス系 Ａｒ Ｎ２ （円／時間） ＜導入年度＞平成 S59 年度 Ｃ２Ｈ２ ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 96 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スクラッチ試験機 H26リストNo 98 ＜仕様・品質等＞ ＴＹＰＥ．２２Ｈ ＜製造元＞ 新東科学（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） めっきや各種薄膜の表面をダイヤモンド圧子でスクラッ チ（引っかき）し、剥離状態（薄膜の剥離する深さやスク ラッチ距離）から母材と薄膜の密着力を測定する。 特に硬質膜の密着力測定に適しいる。 ＜詳細仕様＞ 測定荷重 ０から１０００ｇｆ（荷重変換器使用） 垂直荷重 ０から５００ｇｆ スクラッチ速度 ＜使用料＞390 （円／時間） ＜導入年度＞平成 6 年度 ６０から６００ｍｍ／ｍｉｎ 移動距離 ＜設置場所＞ １から５０ｍｍ 本館 A棟2F:無機化学研究室 試験片寸法 ＜主担当＞ 木村 光彦 内線 551 ２２０×１００×８ｍｍ以下 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 微小硬さ試験機 H26リストNo ＜製造元＞ （株）フィッシャー・インストルメンツ ＜仕様・品質等＞ Ｈ～１００ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ＜詳細仕様＞ 試験力：0.4から1000mN： 試験力精度：±0.0２mN 押し込み深さ：0から700μm 押し込み深さ測定精度：±２nm 分解能：0.2nm ＜使用料＞480 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:無機化学研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 14 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 99 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電気低温乾燥装置 H26リストNo 100 ＜仕様・品質等＞ ＰS-222 ＜製造元＞ 田葉井製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 一定温度で一定時間 (タイマー機能) 試料を乾燥すること ができる。 ＜詳細仕様＞ 最高温度：約200℃ 装置 50ｃｍ×50cm×120cm ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S57 年度 ＜設置場所＞ 本館 A棟2F:化学試験室 ＜主担当＞ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 低温灰化装置 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＰＤＣ～２１０ ＜製造元＞ ヤマト化学 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） ・高分子材料の灰化、表面処理 ・ウェハーのアッシング、エッチング ・CSP、BGA,、COB基盤のプラズマ処理 ・有機膜、金属酸化膜の除去 ・レジン基盤のドライクリーニング ・界面活性処理 ＜詳細仕様＞ 電極構造：平行平板(電極感固定) 高周波出力：MAX500W 発振周波数：13.56MHｚ 水晶発振 ＜使用料＞670 （円／時間） ＜導入年度＞平成 反応ガス：2系統(アルゴン、酸素) ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ A棟2F:化学試験室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 15 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 パージガス：窒素又はドライエア 101 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電気マッフル炉 H26リストNo 102 ＜仕様・品質等＞ ＦＵＳ６１２ＰＡ ＜製造元＞ アドバンテック東洋 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） ・金属材料の溶融、焼き入れ、焼きなまし ・金属の安定化処理 ・粉末金属の焼結 ・金属の脱ガス ・合金の浸炭 ・セラミックスの焼結 ・各種試料の熱処理 ＜詳細仕様＞ 温度範囲：500℃から1600℃ 常用最高温度1500℃ 温度分布精度：±5℃ at 1200℃から1500℃ 昇温時間：約15分 室温→1500℃ ＜使用料＞350 （円／時間） ＜導入年度＞平成 発熱体：ニケイ化 モリブデン 6本 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 15 年度 A棟2F:化学試験室 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜名称等＞ 精密旋盤 ＜製造元＞ 池具鉄工 H26リストNo 103 ＜仕様・品質等＞ Ｄ−２０型 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 本装置は、丸物加工物の端面や外径、内径、中グリなどの 加工を行う汎用旋盤です。加工物を主軸にチャッキングし て回転させ、バイトやドリルなどを、刃物台や心押し台に 取り付けて切削加工します。金属材料やプラスチック材料 等の加工が可能です。 ＜詳細仕様＞ １．容量 ・チャック外径 φ270mm ・最大加工径 φ450mm ・最大加工長さ 1000mm ２．主軸 ＜使用料＞260 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S47 年度 ・回転数 16から2000rpm ・電動機 7.5Kw ＜設置場所＞ ３．刃物台 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・移動量 Ｘ軸 300mm Ｚ軸 1000mm ＜主担当＞ 加藤 勝 内線 573 ・切削送り量 0.056〜0.8mm／1回転 ４．心押し台 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・移動量 700mm 内線 ＜副担当＞ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ドリル研削盤 H26リストNo 104 ＜仕様・品質等＞ ＤＧ３６Ａ形 ＜製造元＞ （株）藤田製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 本装置は、穴あけ加工に用いるドリルの底刃の逃げ面を、 砥石で研削する機械です。この機械で、切れにくくなった ドリルを研削することによって、再使用が可能になりま す。 ＜使用料＞220 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・使用範囲 ドリル径φ5から36mm ・研削方式 正円錐研削法 ・先端角 60゜から180゜ ・使用砥石 6号ストレートカップ形SE-46-H-8-V8WN 150×50×63.5×16Wmm （円／時間） ＜導入年度＞平成 S55 年度 ・電動機 0.2Kw ・回転数 2890rpm B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜名称等＞ ＮＣフライス盤 ＜製造元＞ 遠州製作（株） H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＴＮＣ ＜用途等＞ 105 ６ＭＢ付 設備分類: 加工技術（機械除去など） 本装置は、主軸にフライスカッタやエンドミル、ドリルな どの工具を取り付けて回転させ、加工物の平面加工や形状 加工、穴あけ加工を行う、立て形のＮＣ（数値制御）フラ イス盤です。ＮＣプログラムによる動作が可能で、金属材 料やプラスチック材料等の切削加工に用います。 ＜詳細仕様＞ 機械関係仕様 １．テーブル ・作業面寸法 1400×400mm ・最大移動距離 Ｘ軸 850mm Ｙ軸 500mm ＜使用料＞1700 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S57 年度 Ｚ軸 400mm ・送り速度 1から2000mm/min ＜設置場所＞ ・早送り速度 Ｘ、Ｙ軸 6000mm/min 本館 B棟1F:機械加工試験室 Ｚ軸 3000mm/min ＜主担当＞ 加藤 勝 内線 573 ２．主軸 ・主軸端寸法 50番テ−パ 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・主軸回転数 40から2000rpm（無段） 内線 ３．電動機 ＜副担当＞ ・主軸駆動用 DC 5.5Kw（30分定格） 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ＮＣ精密成形研削盤 ＜製造元＞ （株）岡本工作機械 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＮＦＧ−５２ ＜用途等＞ 106 ６Ｍ付 設備分類: 加工技術（機械除去など） 本装置は、主軸に取り付けられた砥石により、加工物の平 面を研削加工する平面研削盤です。ＮＣ（数値制御）によ り自動運転が可能で、砥石を成形するドレッシング装置も 付属しています。金属材料やセラミックス等の平面研削加 工に用いられ、約１μｍの加工面粗さを得ることができま す。 ＜詳細仕様＞ 機械関係仕様 １．容量 ・テーブルの大きさ 550×200mm ・テーブルの移動量 600×230mm ・工作物許容重量 200Kg(チャック含む） ＜使用料＞1,650 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S57 年度 ・マグネットチャック寸法 350×200mm ２．テーブル ＜設置場所＞ ・左右送り速度 0.3〜25m/min 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・左右送りハンドル１回転の送り量 47mm ＜主担当＞ 加藤 勝 内線 573 ・前後手動移動量 ハンドル車１回転毎 0.1mm ハンドル車１目盛毎 0.001mm 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・前後送り 手動連続送り速度 0から500mm/min 内線 自動送り速度 1から600mm/min ＜副担当＞ 自動送り量 0.001から0.5mm ＜名称等＞ 圧電型切削動力計 ＜製造元＞ 日本キスラー（株） H26リストNo 107 ＜仕様・品質等＞ ９２５７Ｂ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 本装置は、フライス加工や平面研削加工において、３分力 （Fx,Fy,Fz方向）の切削抵抗や研削抵抗を測定する圧電型 の動力計です。水晶リングの圧電気効果（ある種の結晶に 機械的圧力を加えると、その表面は荷電する）を利用し て、主分力や法線分力（Fz）、送り分力（Fx）、背分力 （Fy）を同時に測定できます。動力計本体と、動力計から 得られた電荷、すなわち切削力を電圧に変換するアンプ、 ＜詳細仕様＞ 動力計本体仕様 ・測定範囲 -5から5kN ・許容過負荷 -7.5/7.5kN ・応答スレッショルド ＜0.01N ・感度 Fx、Fy -7.5pC/N ＜使用料＞670 （円／時間） ＜導入年度＞平成 2 年度 Fz -3.5pC/N ・直線性（全範囲） ≦±1%FSO ＜設置場所＞ ・ヒステリシス（全範囲） ≦±0.5%FSO 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・クロストーク ≦±2%FSO ＜主担当＞ 加藤 勝 内線 573 ・固有振動数 3.5kHz ・使用温度範囲 0から70℃ 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・温度係数 -0.02%/℃ 内線 ・静電容量 220pF ＜副担当＞ ・チャージアンプ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ コンターマシン ＜製造元＞ アマダ H26リストNo 108 ＜仕様・品質等＞ Ｖ-400 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 本装置は、バンドソーによって、金属材料やプラスチック 材料等の切断や輪郭加工を行う鋸盤です。バンドソーの切 れ味が悪くなった場合は、本体に付属している溶接機に よって、新しいバンドソーを溶接して使用します。 ＜詳細仕様＞ 機械本体仕様 ・切断材の大きさ 400×300mm ・鋸刃幅 2から19mm ・鋸刃長さ 3380から3578mm ・鋸刃速度 低速 15から90m/min ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S47 年度 高速 300から1800m/min ・ホイール径 425mm ＜設置場所＞ ・テーブル寸法 600×580mm 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・テーブル傾斜角度 左右15゜ ＜主担当＞ 加藤 勝 内線 573 ・テーブルまでの高さ 1000mm ・モータ 鋸刃駆動用 1.5kW 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr グラインダー用 75W 内線 ・テーブル積載重量 200kg ＜副担当＞ ・溶接機容量 4kVA（200V） ＜名称等＞ 直立ボール盤 ＜製造元＞ （株）吉田製作所 H26リストNo 109 ＜仕様・品質等＞ ＹＵＤ600 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 本装置は、主軸にドリルを取り付け、加工物の穴あけ加工 を行うボール盤です。モータ出力が２．２ｋＷと高出力で 剛性が高いため、φ５０ｍｍ程度の穴あけ加工が可能で す。 ＜詳細仕様＞ 機械本体仕様 ・主軸端からテーブル上面までの距離 165から795mm ・主軸端からベース上面までの距離 995から1215mm ・穴あけ能力（S45C） 50mm ・ねじ立て能力（S45C） M25 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S47 年度 ・中ぐり能力（FC25） 100mm ・主軸穴のテーパ MT No.4 ＜設置場所＞ ・主軸回転速度 62、83、112、150、200、270、345 本館 B棟1F:機械加工試験室 454、620、816、1083、1500rpm ＜主担当＞ 加藤 勝 内線 573 ・自動送り量 0.05、0.1、0.15、0.2、0.3、 0.4mm/rev 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・主軸の上下移動距離 自動180mm、手動220mm 内線 ・テーブルの大きさ φ570mm ＜副担当＞ ・テーブルの上下移動距離 410mm 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 卓上ボール盤 H26リストNo 110 ＜仕様・品質等＞ YBD-420B ＜製造元＞ 吉田鉄工所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 本装置は、主軸にドリルを取り付け、加工物の穴あけ加工 を行う卓上型のボール盤です。 ＜詳細仕様＞ 機械本体仕様 ・穴あけ能力（S45C） 16mm ・振り 420mm ・主軸端とテーブル上面までの距離 MAX370mm ・主軸端とベース上面までの距離 MAX580mm ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S46 年度 ・主軸の上下移動距離 125mm ・主軸穴のテーパ MT No.2 ＜設置場所＞ ・主軸回転速度 310、520、880、1480、2500rpm 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・柱の直径 100mm ＜主担当＞ 加藤 勝 内線 573 ・テーブルの大きさ 270×270mm ・テーブルの上下移動距離 350mm 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・ベースの大きさ 340×560mm 内線 ・主軸電動機 400W ＜副担当＞ ＜名称等＞ 多軸加工用制御システム H26リストNo 111 ＜仕様・品質等＞ CAMANDmultiaxisシステム ＜製造元＞ SDRC社 ＜用途等＞ 設備分類: 設計技術 本装置は、加工物をコンピュータ内でモデリングし、その 加工物のＮＣデータを作成する、サーフェースモデラタイ プの３次元ＣＡＤ／ＣＡＭです。５軸加工用のＮＣデータ の作成が可能で、工具と加工物の干渉などをチェックする 動作シミュレーション機能を有するのが特徴です。 ＜使用料＞1,250 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ソフト仕様 （SDRC社製 CAMAND multi−axis package) 主な機能 ・同時５軸加工のＮＣデータ作成 ・動作シミュレーション 9 年度 ・汎用ポストプロセッサ 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 超精密成形形状研削盤 H26リストNo 112 ＜仕様・品質等＞ SGC-630S4AK-Pcnc ＜製造元＞ ナガセインテグレックス ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 研削砥石を用いて、被加工物の平面並びに曲面形状を精密 に研削でき、研削加工のみで鏡面精度が得られる加工装置 です。 ＜詳細仕様＞ (1) 加工範囲とチャック寸法 ・加工可能なテーブル作業面の大きさは、左右（X） 600mm×前後（Y）300mm×上下（Ｚ）200mm ・加工物を保持チャックは永電磁チャックであり、その寸 法は600mm×300ｍｍ、耐荷重は100kg ＜使用料＞3600 （円／時間） ＜導入年度＞平成 22 年度 (2) 加工精度・加工能率 ・左右（X）・前後（Y）・上下（Z）軸最小設定単位は ＜設置場所＞ 0.1μm 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・位置決め精度に影響する各軸のフィードバックスケール ＜主担当＞ 加藤 勝 内線 573 は0.01μm (3) 加工性能 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・平面加工の場合、表面粗さRa0.01μm以下、Rz0.05μm以 内線 下の鏡面加工が可能 ＜副担当＞ ・非球面加工、コンタリング（輪郭）加工、同時３軸加工 ＜名称等＞ ミスト冷風供給装置 H26リストNo 113 ＜仕様・品質等＞ ｱｲﾐｽﾄZELSR0401 ＜製造元＞ ㈱荏原製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） オイルミストやｰ20℃程度の冷風を供給しながら、切削加 工を行える装置です。 ＜詳細仕様＞ オイルミスト：植物性オイル 冷風温度：～２０℃ ＜使用料＞130 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 油圧式強力高速弓鋸盤 H26リストNo 114 ＜仕様・品質等＞ PSB-350U ＜製造元＞ 津根ﾏｼｰﾝﾂｰﾙ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） メタルソーで丸棒や角材を任意の長さに切断する油圧式の 弓鋸盤です。 ＜詳細仕様＞ ・切断能力：丸材φ350mm以下 角材□300mm以下 ・鋸刃長さ550mm以下 ＜使用料＞280 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 12 年度 B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 内線 素形材プロセス開発部 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ワイヤーカット放電加工機 H26リストNo 115 ＜仕様・品質等＞ ＡＱ３６０Ｌ ＜製造元＞ （株）ソディック ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） ワイヤー電極線により、２次元形状の切断加工を行う放電 加工機です。導電材料であれば、硬くて切削できない材料 も加工可能です。 ＜詳細仕様＞ X,Y軸モータ駆動方式：リニアモータ 最大工作物寸法：550×400×200mm 最大工作物質量：350kg ＜使用料＞990 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ プラスチック粉砕機 H26リストNo 117 ＜仕様・品質等＞ VC3-360 ＜製造元＞ ホーライ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 成形時の不良品や、スプル、ランナを粉砕し、リサイクル を容易にしたり、廃プラスチックを粉砕することで省ス ペース化ができる。 ＜詳細仕様＞ K型ホッパー・受籍タイプ モーター：3.7kW 機械寸法：780mm（W）×960mm（L）×1,530mm（H） 機械重量：430kg ＜使用料＞240 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 12 年度 B棟1F:原材料倉庫 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ＬＮ２サブゼロ装置 H26リストNo 118 ＜仕様・品質等＞ Ⅰ型 ＜製造元＞ （株）フロンティアエンジニアリング ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（鋳造熱処理な 液体窒素の冷熱（−１９６℃）を利用して、常温から −１８０℃までの任意の温度雰囲気を作り出すことができ ます。 ＜使用料＞110 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:熱処理試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 ＜詳細仕様＞ 扉開閉方式：上開方式 温度範囲 ：常温から−１５０℃（ｍａｘ −１９６℃） 温度制御方式：デジタル、比例制御 温度制御精度：±５℃ 断熱方式：硬質ウレタンフォーム 7 年度 攪拌方式：プレートファン 有効内容積：縦４００×横４００×高さ５００mm 装置寸法；縦７４０×横９９０×高さ８２５mm 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ エコーチップ硬さ試験機 H26リストNo 119 ＜仕様・品質等＞ Ｄ型 ＜製造元＞ プロセク社（スイス） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 従来の硬さ計とは、全く異なった原理（EQUO）を応用し た硬さ試験機で、コンパクトに設計され、操作が非常に簡 単で経験のない人でも容易に正しい測定ができます。 固定物、重量物、スペースの狭い場所での測定および多 量生産工程中の連続測定に最適です。 ＜使用料＞120 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 測定材質：鉄鋼、アルミ合金、銅合金、亜鉛合金 測定能力：８０から１０００ＨＶ ２０から７０ＨＲＣ ３２から１００ＨＳ ８０から６５０ＨＢ （円／時間） ＜導入年度＞平成 S60 年度 測定精度：±０．５％（Ｌ＝８００） 寸法：幅１１２×高さ１１２×長さ２４５mm 重量：９００ｇ B棟1F:熱処理試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 函型電気炉 H26リストNo 120 ＜仕様・品質等＞ バッチタイプ炭化硅素発熱体加熱式 ＜製造元＞ （株）サーマル ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（鋳造熱処理な 本炉は、加熱温度が１３００℃まで可能なので、高速度 鋼の焼入れが可能です。また、付属のプログラム自動温度 調節計炉を利用して、加熱速度および冷却速度をを任意に 設定できます。 ＜詳細仕様＞ 電気容量：２７KW 炉内寸法：幅４００×高さ４００×長さ７００mm 使用温度：６００から１３００℃ 付属品：プログラム自動温度調節計（８パターン） ＜使用料＞410 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S57 年度 ＜設置場所＞ 本館 B棟1F:熱処理試験室 ＜主担当＞ 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 流動層熱処理炉 H26リストNo 121 ＜仕様・品質等＞ TM-2540 ＜製造元＞ 日新化熱工業 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（鋳造熱処理な 加熱媒体として、アルミナ粒子を用い、これを各種ガス によってあたかも液体のように流動させてワークを加熱・ 熱処理を行う装置です。 流動化ガスを選択することによって、多目的の熱処理が 可能です。急速加熱、後処理が容易な省エネ、低ランニン グコスト対応の熱処理装置です。 ＜詳細仕様＞ 有効寸法：直径２５０×高さ４００mm 温度範囲：常温から１０５０℃ 処理重量：約３０kg（グロス） 電気容量：１８kw 外径寸法：幅１５００×縦１１５０×高さ１０５０mm ＜使用料＞350 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 8 年度 B棟1F:熱処理試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜名称等＞ 鋳型焼成雰囲気炉 H26リストNo 122 ＜仕様・品質等＞ EBS-9（改） ＜製造元＞ 日新化熱工業（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（鋳造熱処理な 従来の電気炉に、空気供給装置および窒素ガス供給装置 を付帯させ、鋳型焼成ならびに無酸化熱処理を可能ににし た装置です。 さらに、付属の熱画像装置により、焼成温度等の測定が 可能です。 ＜詳細仕様＞ 加熱方式：炭化珪素発熱体加熱方式（５５KVA） ワーク寸法：５００×５００×１０００mm 最大処理量：８０kg 使用温度：常用 １１００℃ 制御方式：電流出力形，プログラム制御 ＜使用料＞1300 （円／時間） ＜導入年度＞平成 10 年度 空気供給：６３０Nl／min，最高吐出圧力 ０．９３Mpa 窒素供給： ３８Nl／min，最高吐出圧力 ０．４９Mpa ＜設置場所＞ 熱画像測定温度範囲：−２０から２０００℃ 本館 B棟1F:熱処理試験室 〃 精度：±２℃ ＜主担当＞ 内田 富士夫 内線 563 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 複合サイクル腐食試験機 H26リストNo 123 ＜仕様・品質等＞ CYP-90 ＜製造元＞ スガ試験機 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 塩水噴霧試験を単独で、または塩水噴霧試験、乾燥試験、 湿潤試験を組み合わせた複合サイクル腐食試験を行う装置 ＜詳細仕様＞ ①塩水噴霧モード ・温度：35～50℃ ・塩水噴霧量：80cm2あたり、１時間に1.0～2.0ml ②乾燥モード ・温度：35～60℃ ＜使用料＞290 （円／時間） ＜導入年度＞平成 20 年度 ・湿度：30～50%（ただし、湿度範囲は温度により異な る） ＜設置場所＞ ③湿潤モードで運転 本館 B棟1F:耐食性試験室 ・温度：35～50℃ ＜主担当＞ 菅原 靖 内線 533 ・湿度：95％以上 ④試験槽体積が200リットル以上 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 冷間等方加圧成形装置 H26リストNo 124 ＜仕様・品質等＞ ＣＩＰ−５０−２０００ ＜製造元＞ アプライドパワージャパン（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 粉末試料を水を媒体として全方向から均等に加圧成形する 装置。 ＜詳細仕様＞ 最大圧力：2000kgf/cm2 容器内有効寸法：内径50mm、高さ100mm 昇圧方式：手動式 流体：水 ＜使用料＞310 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:焼結・接合研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 内線 553 機能性材料Gr 内線 7 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 多目的高温炉 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ハイマルチ5000 ＜製造元＞ 富士電波工業 ＜用途等＞ ＜使用料＞1000 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 125 B棟1F:焼結・接合研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 内線 553 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 多目的高温炉はセラミック粉、金属粉の焼結、セラミッ クスと金属等の複合材料の開発に用いる加圧焼結装置で す。 １．粉体の焼結 金属粉、セラミックス粉の焼結、セラミックスと金属等 の複合材料の開発ができます。 ２．プレス焼結 ＜詳細仕様＞ ・プレス総圧力 49,000N（5,000kgf） ・試料ｹｰｽ外径寸法 φ120×110mm ・ダイス寸法 φ120×φ60×110mm ・温度 最高2300℃、通常2200℃ ・昇温時間 60分（常温から2200℃） 8 年度 ・雰囲気 真空、N2、Ar ・真空度 6.65×10-3Pa （5×10-5Torr） ・雰囲気圧力 0.95MPa（9.5kgf/cm2） ※FVPHP-R-5 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 放電プラズマ焼結装置 H26リストNo 126 ＜仕様・品質等＞ SPS-2080 ＜製造元＞ 住友石炭鉱業（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 放電プラズマ焼結装置（SPS：Spark Plasma Sintering）は、黒鉛などの型に粉を詰めて、上下から加 圧しながらパルス状の大電流（ON-OFFの繰り返し電流）を 流すことにより、従来法に比べてはるかに短時間で焼結す る装置です。 １．粉体の焼結 金属粉、セラミックス粉、それらの混合粉などを原料と ＜詳細仕様＞ ・成形加圧範囲 500kgfから20,000kgf ・直流パルス出力 0から8,000A（2から12V） ・焼結雰囲気 大気、真空（10-5Torr） 不活性ガス（Ar、N2） ＜使用料＞5300 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:焼結・接合研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 内線 553 機能性材料Gr 内線 8 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高速精密切断装置 H26リストNo 127 ＜仕様・品質等＞ ファインカットＮ−１００ ＜製造元＞ 平和テクニカ（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 金属、セラミックス、各種部品等の切断 ＜詳細仕様＞ 金属及びセラミックス等試料の切断に用いる装置です。 バイトに固定し、最小送り目盛り０．０２ｍｍで送ること により切断をが可能です。 ＜使用料＞710 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 4 年度 B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ マイクロフォーカスＸ線装置 H26リストNo 128 ＜仕様・品質等＞ ＨＯＭＸ−１６１ ＜製造元＞ 日本フィリップス（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 内部の状態を非破壊で検査したい場合などに用います。最 大４００倍程度まで拡大観察できるので、電子部品等の内 部検査に最適です。 ＜詳細仕様＞ 管電圧：ー１６０ｋＶ ターゲット：Ｗ 最小焦点寸法：５μｍ ＜使用料＞1800 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 551 複合材料Gr 内線 5 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ プレス付真空熱処理装置 H26リストNo 129 ＜仕様・品質等＞ ＰＲＥＳＳ−ＶＡＣ−２ ＜製造元＞ 東京真空（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（鋳造熱処理な 真空または不活性ガス雰囲気において、試料の高温加熱、 加圧処理に用いる装置。 ＜使用料＞570 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 最高加熱温度：１３００℃ 有効寸法：１５０φ×１７０Ｌ 均熱部：１３０φ×１００Ｌ 加圧力：０．４から２ｔｏｎ 加圧ストローク：４０ｍｍ 3 年度 到達圧力：×１０Ｅ−４Ｐａ B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜名称等＞ YAGレーザ加工装置 ＜製造元＞ 石川島播磨重工業 H26リストNo 130 ＜仕様・品質等＞ iLS-YC-30B ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 固体ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット） から発生する高密度の光ビーム（波長：1.06μｍ）熱エネ ルギーを利用した装置であり、ＣＯ2レーザと比較し、 レーザ光を光ファイバーで伝送できる、短い波長を利用し た微細加工に適している、金属への入射性に優れているな どの特徴を有している。 このような特徴を利用し、金属材料やセラミックス、ま ＜詳細仕様＞ 発振器 発振波長：１．０６μｍ 発振横モード：マルチモード 出力範囲：７００Ｗv３．０ｋＷ 発振形態：ＣＷ、変調パルス ＜使用料＞6900 （円／時間） ＜導入年度＞平成 11 年度 変調パルス周波数：５から５００Ｈｚ 励起ランプ：Ｋｒアークランプ ＜設置場所＞ 光ファイバ 本館 B棟1F:焼結・接合研究室 光ファイバ径：φ１．０ｍｍ ＜主担当＞ 木村 光彦 内線 551 ＮＡ：０．２ 焦点距離：ｆ＝１００ｍｍ 素形材プロセス開発部 複合材料Gr ガス系 内線 Ａｒ，Ｈｅ，Ｎ２、Ｏ２、Ａｉｒ ＜副担当＞ ステージ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 交直両用TIG溶接機 H26リストNo 131 ＜仕様・品質等＞ ＡＶＰ～３０００P ＜製造元＞ （株）ダイヘン ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 溶接法 TIG（AC,DC,AC-DC) 定格入力電圧：２００V，３相 定格出力電流：３００A 最高無不可電圧：６８V 定格使用率：４０％ プリフロー時間：０．３秒 アフターフロー時間：３～２０秒 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞730 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 13 年度 B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 真空チャンバー H26リストNo ＜仕様・品質等＞ φ５００×Ｈ２５０㎜（内寸）材質：Ｓ ＵＳ３０４ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（表面処理改質） ＜製造元＞ 日本精機 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞280 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜副担当＞ 14 年度 B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 132 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 溶接部可視化装置 H26リストNo 133 ＜仕様・品質等＞ ILV型 ＜製造元＞ 石川島播磨重工業㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 12 年度 B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ YAGレーザ用ロボットシステム H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＭＯＴＯＭＡＮ～ＵＰ６型 ＜製造元＞ 安川電機株 ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 ◎マニュピレータ：垂直多関接形（６自由度） ・繰り返し位置決め精度：±0.08㎜ ・可搬質量：6㎏ ・振動：0.5G以下 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 13 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 134 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 極間式磁気探傷機 H26リストNo 136 ＜仕様・品質等＞ ＢＹ-1 ＜製造元＞ 日本工機 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 磁粉探傷試験（金属部品等の表面の割れ、傷の検出） ＜詳細仕様＞ 磁力を用いて表面あるいは極表層の欠陥を検査する装置で す。よって検査物は磁性体でなければなりません。 磁界をかけながら調整した磁粉液を滴下し、欠陥に集まっ た磁粉を紫外線ランプを照射することにより、目視で検出 します。 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S43 年度 ＜設置場所＞ 本館 B棟1F:ＭＴ室 ＵＴ室 ＜主担当＞ 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 超音波映像装置 H26リストNo ＜製造元＞ 日立エンジニアリング・アンド・サービス 137 ＜仕様・品質等＞ FS200Ⅱ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 本装置は、ＩＣパッケージや電子部品およびＣＦＲＰ等、 積層部材内部の剥離、クラッ ク、ボイドなどの欠陥を超 音波を用いてすばやく映像化して非破壊検査を行う装置 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞1750 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:ＭＴ室 ＵＴ室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 22 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 磁気探傷機 H26リストNo 139 ＜仕様・品質等＞ ＰＲＡ−８０型 ＜製造元＞ （株）島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 磁粉探傷試験（金属部品等の表面の割れ、傷の検出） ＜詳細仕様＞ 磁力を用いて表面あるいは極表層の欠陥を検査する装置で す。よって検査物は磁性体でなければなりません。 磁界をかけながら調整した磁粉液を滴下し、欠陥に集まっ た磁粉を紫外線ランプを照射することにより、目視で検出 します。 ＜使用料＞230 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S46 年度 ＜設置場所＞ 本館 B棟1F:ＲＴ室 ＜主担当＞ 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 超音波探傷器 H26リストNo 135 ＜仕様・品質等＞ ＳＭ８０型 ＜製造元＞ 東京計器 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 超音波探傷試験 通常溶接部の欠陥、鋼板の欠陥等の検査に多く用いられま す。 ＜詳細仕様＞ 検査対象物に超音波を入射して、欠陥の位置や大きさを検 査する装置。超音波を探蝕子により入射させるため、検査 対象物は平滑、平面の面が望ましい。 ＜使用料＞500 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S53 年度 ＜設置場所＞ 本館 B棟1F:ＲＴ室 ＜主担当＞ 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ Ｘ線透過検査装置 H26リストNo 140 ＜仕様・品質等＞ ３００ＥＧ−Ｂ２Ｌ型 ＜製造元＞ 理学電気工業（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） Ｘ線を照射することにより検査対象物内部の欠陥を検査す る装置。 検査物の下にＸ線フィルムを設置し、Ｘ線を照射すること により欠陥を投影することにより検査します。 欠陥の大きさが検査対象物の厚さの約２％程度が検出限界 をされています。 ＜詳細仕様＞ 管電圧：ＭＡＸ３００ｋＶ 管電流：５ｍＡ ターゲット：Ｗ ＜使用料＞980 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S55 年度 ＜設置場所＞ 本館 B棟1F:ＲＴ室 ＜主担当＞ 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜名称等＞ JSNDI仕様デジタル超音波探傷器 ＜製造元＞ GEインスペクション・ﾃｸﾉﾛｼﾞｰｽﾞ・ｼﾞｬﾊﾟﾝ H26リストNo 138 ＜仕様・品質等＞ USM35X JE ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） JIS Z 2305非破壊試験技術者資格試験の超音波探傷技術者 実技試験対応機器 ＜詳細仕様＞ ①基本性能 ・JSNDI採択機種 ・測定方式は反射/二振動子/透過が可能 ・波形選択はDC/DC+/DC-/RFが可能 ・厚さ測定が可能 ＜使用料＞150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 23 年度 ・ゲインは0～110dB以上 ②装備品 ＜設置場所＞ ・垂直探触子を装備 本館 B棟1F:ＲＴ室 ・斜角探触子を装備 ＜主担当＞ 木村 光彦 内線 551 ・ソフトプローブを装備 ・探触子ケーブルを装備 素形材プロセス開発部 複合材料Gr ＜副担当＞ 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 3Dプリンターシステム H26リストNo 141 ＜仕様・品質等＞ FORTUS250mc ＜製造元＞ STRATASAS ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 三次元ＣＡＤデータを読み込み、製作する造形データを 三次元モデルで出力する装置。 ＜使用料＞1100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ○材料特性 ・引張強度：37MPa ・曲げ強度：56MPa ・たわみ温度95℃ ※ABS Plus樹脂 25 年度 ○造形サイズ(mm)：W254×D254×H305 ○造形ピッチ(mm)：0.178/0.254/0.330 B棟1F:輸送機器研究室 沓澤 圭一 内線 531 内線 574 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 井上 真 ＜名称等＞ セラミックス研磨装置 H26リストNo 142 ＜仕様・品質等＞ アブラミン ＜製造元＞ 丸本ストラウス（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 本装置は、セラミックス等の高硬度材料をダイヤモンド懸 濁液の供給を自動的に制御し、短い作業時間で再現性良 く、研磨深さを制御しながら研磨する研究室規模の加工装 置である。 ＜詳細仕様＞ 試料寸法：直径20mmから30mm、高さ20mmから40mm 加重範囲：3kgから40kg 研磨量自動設定：あり（マイクロメータ） ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞ自動供給：あり タイマー：あり ＜使用料＞2600 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:材料物性試験室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 10 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ セラミックス自動精密切断機 H26リストNo 143 ＜仕様・品質等＞ アキュトム５０ ＜製造元＞ 丸本ストラウス（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） セラミックス自動精密切断機はセラミックス等の高硬度材 料を精密に切断する実験室規模の小型装置である。 ＜詳細仕様＞ 切断速度：300から5000rpm（100rpm単位で可変） 送り速度：0.005から3.000mm/s（0.005mm/s単位で可変） 最大位置決め速度：Y=13mm/s、X=13mm/s 限界加圧力：低約20N、中約40N、高約60N 位置決め範囲：Y方向105mm（精度0.1mm）、X方向60mm（精 ＜使用料＞390 （円／時間） ＜導入年度＞平成 11 年度 度0.005mm） 切断試料の最大長さ：30mm、20mm径で140mm ＜設置場所＞ 固定試料の最大長さ：225mm 本館 B棟1F:材料物性試験室 試料の最大断面：127mm径切断ホイールと42mm径フラン ＜主担当＞ 杉山 重彰 内線 553 ジ：40mm径（回転なし）、80mm径（フランジあり） 152mm径切断ホイールと42mm径フランジ：50mm径（回転な 先端機能素子開発部 機能性材料Gr し）、100mm径（回転あり） 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ロックウェル硬さ試験機 H26リストNo 144 ＜仕様・品質等＞ ＡＴＫ−Ｆ１０００ ＜製造元＞ （株）アカシ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ダイヤモンド圧子または鋼球圧子を用い、試料面に初荷 重および試験荷重を加え、その侵入深さの差から硬さを算 出する装置で、初荷重自動ブレーキ機能を搭載しているた め、ワンタッチで自動測定ができます。 ＜使用料＞190 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:材料物性試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 ＜詳細仕様＞ 初荷重 ：３，１０kgf 試験荷重： １５，３０，４５，６０，１００，１５０kgf 荷重制御：自動方式（負荷、保持。除荷） 荷重保持時間：０〜３０sec任意設定可 7 年度 試料最大寸法：高さ２３５×奥行１４５mm 演算装置：内蔵（硬さ値算出機能、換算機能等） 装置寸法：幅２２０×奥行６１５×高さ８２０mm 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ビッカース硬度計 H26リストNo 145 ＜仕様・品質等＞ ＡＶＫ−Ｃ２５００ ＜製造元＞ （株）アカシ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 正四角すいのダイヤモンド圧子を試料面に押し込み、ピ ラミッド形のくぼみの表面積から硬さを測定する装置で、 試験荷重の大きさによらずほぼ同一の硬さ値が得られま す。この特徴から小さい試料や試料の局部の硬さ値を求め る場合、試験対象の大きさによって試験加重を自由に選ぶ ことができます。 また、ＴＶモニターにより６００倍に拡大されたくぼみ ＜詳細仕様＞ 試験荷重：１，２，５，１０，２０，３０，５０kgf 荷重機構：自動負荷開放 荷重保持時間 ：５，１０，１５，２０，２５，３０秒切替式 計測顕微鏡倍率 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 4 年度 ：約１００倍（対物１０倍、接眼１０倍） 試料最大高さ：２０５mm ＜設置場所＞ 試料最大奥行：１６５mm 本館 B棟1F:材料物性試験室 試験機寸法：幅３００mm×奥行６００mm×高さ７０５mm ＜主担当＞ 内田 富士夫 内線 563 消費電力：約４０Ｗ 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ＸＹ自動テーブル付硬度計 H26リストNo 146 ＜仕様・品質等＞ ＭＳ−４ ＜製造元＞ 明石製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 金属材料の硬化層深さ、溶接部の硬さ分布等を自動測定す る。 ＜詳細仕様＞ 試験荷重：１０，２５，５０，１００，２００， ３００，５００，１０００（ｇｒｆ） 荷重機構：自動負荷解放 顕微鏡倍率：１００倍、４００倍 荷重保持時間：５〜３０秒可変 ＜使用料＞250 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S60 年度 試料最大高さ：６０mm 試料微動台：面 積 １００×１００mm ＜設置場所＞ 微動範囲 ＸＹ各２５mm 本館 B棟1F:材料物性試験室 最小目盛 ０．０１mm ＜主担当＞ 内田 富士夫 内線 563 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 試料研磨琢磨機 H26リストNo 147 ＜仕様・品質等＞ ｴｺﾒｯﾄ4000 ＜製造元＞ ビューラー ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 金属材料（鉄鋼材料並びに非鉄金属材料）の金属組織を観 察するために、金属組織表面を鏡面状態に研磨する設備 ＜詳細仕様＞ ・複数試験片（１から６個程度）を同時に、プログラム制 御にて自動研磨が可能 ・試験片サイズ：φ２５mm、φ３０mm、φ４０mm ・研磨方向：時計回り、反時計回り 研磨荷重：５０～２ ７０N 回転速度：４０～５００ｒｐｍ ＜使用料＞710 （円／時間） ＜導入年度＞平成 20 年度 ・研磨板のメッシュは、８０，１２０，２２０，６００， １２００相当し、マグネット取り付けタイプ ＜設置場所＞ ・研磨剤（懸濁液）の粒度は、９，６，３，１μmの４タ 本館 B棟1F:材料物性試験室 イプとし、かつ自動供給が可能 ＜主担当＞ 内田 富士夫 内線 563 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 電解研磨装置 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ポレクトロール ＜製造元＞ ストルアス社 ＜用途等＞ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞230 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:材料物性試験室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 551 複合材料Gr 内線 9 年度 設備分類: 加工技術（機械除去など） 148 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 万能材料試験機 H26リストNo 149 ＜仕様・品質等＞ 5985 ＜製造元＞ Ｉｎｓｔｒｏｎ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） CFRP等複合材料およびアルミ合金、マグネシウム合金、チ タン合金、鋼材、セラミックス等の機械的特性試験用 ＜詳細仕様＞ ・NVLAP認証校正を有する ・フレーム最大荷重は±250ｋＮ以上 ・±250ｋN、±1kNのロードセルを有する ・クロスヘッド：ボールネジ式駆動 ・クロスヘッド速度は0.00005～500mm/min以上の範囲 ＜使用料＞2400 （円／時間） ＜導入年度＞平成 22 年度 ・クロスヘッド速度精度は設定速度の±0.05%以内（無負 荷又は一定負荷時） ＜設置場所＞ ・-150℃から600℃の温度環境で試験が可能 本館 B棟1F:精密強度試験室 ・荷重制御システムはASTM E4、BS 1610、DIN 51221、ISO ＜主担当＞ 木村 光彦 内線 551 7500-1、EN 10002-2、AFNOR A03-501に準拠 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 遊星回転ボールミル H26リストNo 150 ＜仕様・品質等＞ LA-PO412 ＜製造元＞ （有）伊藤製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 遊星回転ボールミルとは、回転テーブル上に取り付けられ た粉砕容器がテーブルとは逆の方向に回転する遊星運動 （公転と自転が逆方向）により、容器内のボールと試料が 激しい衝撃力によってぶつかり合い、試料を短時間に微粉 砕・均一混合するボールミルである。 ＜使用料＞210 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:粉体試験室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 内線 553 機能性材料Gr 内線 ＜詳細仕様＞ 回転数（容器）：0から740rpm 回転数（台）：0から370rpm 回転数（台：容器）：1:2 タイマー：デジタル式1分〜100時間 粉砕容器容量：250ml 8 年度 設置可能容器数：2個 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スプレードライヤー H26リストNo 151 ＜仕様・品質等＞ NHS-0型 ＜製造元＞ 大川原化工機（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） スプレードライヤーとは、粉体をハンドリングしやすい造 粒体に加工する粉体処理装置である。造粒操作とは、ポリ ビニルアルコールなどのバインダー（粘結剤）を用いて、 粉体がいくつか集まった集合体である造粒粒子にし、粉体 の流動性、可塑性、成形性を向上させる操作である。 ＜使用料＞550 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 水分蒸発量：3Kg/h 乾燥室寸法：800mmφ×1,200mm 噴霧方式：ディスク式 熱風接触方式：平流方式 原液ポンプ：チューブ式ローラーポンプ 9 年度 温度調節方式：温度比例制御方式 温度調節範囲：150〜250℃ B棟1F:粉体試験室 杉山 重彰 内線 先端機能素子開発部 553 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ アトライタ H26リストNo 152 ＜仕様・品質等＞ MAISE-X ＜製造元＞ 日本コークス工業（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 超硬等の粉末成形において、２種類以上の粉末をアルコー ル中で均一に混合するために使用する装置 ＜詳細仕様＞ 粉砕タンク：SUS304容量5.5リットル 超硬粉末処理：1.8リットル ＜使用料＞340 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:粉体試験室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 25 年度 菅原 靖 内線 553 機能性材料Gr 内線 533 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 小型造粒機 H26リストNo 153 ＜仕様・品質等＞ アイリッヒ逆流式高速混合機ＲＶＯ２型 ＜製造元＞ 日本アイリッヒ（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 各種の粉末試料をバインダー等と混合して撹拌、回転さ せることにより、任意の粒径の粒状試料を作製する装置で す。 撹拌羽根の回転数、反応容器の回転数を調整することに より、造粒、練り、破砕、粉砕、混合、解砕、等の処理を 行うことができます。 ＜使用料＞200 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ １．パン容量 １０Ｌ ２．パン回転数 ９００から５０００ｒｐｍ ３．電源 2 年度 ３Ｐ、２００Ｖ B棟1F:粉体試験室 菅原 靖 先端機能素子開発部 内線 533 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ふるい振盪機 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ Ｓ−１ ＜製造元＞ テラオカ ＜用途等＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:粉体試験室 菅原 靖 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 154 内線 533 機能性材料Gr 内線 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 本装置は、標準ふるい専用の基本的なふるい分け機械で す。 目開きの異なる標準ふるいを数段に重ねて本装置に固定 し、最上部のふるいに粉末試料を入れ、本装置を稼働させ ると楕円運動（水平円運動と直線運動の組み合わせ）が起 こり、粉末試料が落下します。そして粉末試料は、ふるい の網目サイズに応じて各粒度に分級されます。 ＜詳細仕様＞ １．標準ふるいの材質 しんちゅう ２．標準ふるいの網目開き ６３μｍから４ｍｍ ３．標準ふるいの段数 3 年度 ８段まで設置可能 ４．ふるいわけ時間 試料約１００ｇ当たり、５分〜１５分 試料の種類、量により異なる 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ボールミル H26リストNo 155 ＜仕様・品質等＞ 架台二連式AN-3S無段変速28〜100bpm ＜製造元＞ 日陶科学 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 本装置は、各種試料（セラミックス原料、鉱物、等、粒 径約１０ｍｍ以下）を粉砕する装置であります。 アルミナ製の容器内部に、試料と共に粉砕媒体としてア ルミナボールを入れて回転させると、試料とボールとの摩 擦や衝撃による粉砕が進行し、目的とするサイズの微粉を 得ることができます。 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:粉体試験室 菅原 靖 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 内線 533 ＜詳細仕様＞ １．容器材質 アルミナ製 ２．容器サイズ ２Ｌ、３Ｌ ３．粉砕用ボール 1 年度 アルミナ製、 直径１０，２０，３０ｍｍの３タイプ ４．回転速度 １７０ｒｐｍから７００ｒｐｍ 機能性材料Gr 内線 ＜名称等＞ 中型電気炉 ＜製造元＞ （株）モトヤマ H26リストNo 156 ＜仕様・品質等＞ SH-3045E ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 各種材料を温度、並びに時間を正確に制御しながら加熱 する装置です。 二珪化モリブデンヒーターとアルミナボード断熱材の使 用により、常用最高温度１６５０℃で、連続的に使用でき ます。 ＜詳細仕様＞ １．炉内サイズ Ｗ３００×Ｈ２５０×Ｄ４５０ｍｍ ２．常用温度 １６５０℃ ＭＡＸ ３．昇温時間 ＜使用料＞890 （円／時間） ＜導入年度＞平成 10 年度 １６５０℃まで約９０分 ４．雰囲気 ＜設置場所＞ 酸化雰囲気（大気） 本館 B棟1F:粉体試験室 ５．発熱体 ＜主担当＞ 菅原 靖 内線 533 二珪モリブデン ６．制御方式 先端機能素子開発部 機能性材料Gr ＰＩＤ制御 内線 ７．温度分布 ＜副担当＞ 約±５℃ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 乾式粉体表面改質装置 H26リストNo 157 ＜仕様・品質等＞ NHS-0型（閉回路） ＜製造元＞ （株）奈良機械製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（表面処理改質） 本装置は、粉体表面に微粉体を固定化、または成膜化 し、粉体を表面改質する装置です。 粉体（母粒子）表面に微粉体（子粒子）をコートするこ とにより、従来に無い新しい機能を有する材料の開発、試 料の高付加価値化、等が期待できます。 ＜詳細仕様＞ １．雰囲気：窒素雰囲気で処理 ２．粒子サイズ 母粒子：１００μｍ以下 子粒子：母粒子の約１/１０程度 ３．オーエムダイザー（母粒子と子粒子の混合） ＜使用料＞820 （円／時間） ＜導入年度＞平成 9 年度 処理量：実容積１００ｍＬ 回転数：８０から１６００ｒｐｍ ＜設置場所＞ 容器 ：ＳＵＳ３０４、０．３３Ｌ 本館 B棟1F:粉体試験室 ４．ハイブリダイザー（混合物の固定化、成膜化） ＜主担当＞ 菅原 靖 内線 533 処理量：ＭＡＸ ５０ｇ/Ｂａｔｃｈ 回転数：５０００から１６２００ｒｐｍ 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 製品タンク：ＳＵＳ３０４、容積６００ｍＬ 内線 ローター：ＳＵＳ３０４、およびアルミナ ＜副担当＞ ＜名称等＞ 真空溶解炉 H26リストNo 158 ＜仕様・品質等＞ ＦＶＰＭ−１０型 ＜製造元＞ 富士電波工業（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（鋳造熱処理な 真空、不活性ガス雰囲気中および大気中にて金属材料を溶 解し、鋳造することが可能である。 ＜使用料＞1,850 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:金属溶解試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ 電 源：サイリスタインバータ 溶解量：真空炉１０ｋｇ（鉄）、大気炉３０ｋｇ（鉄） 最高温度：真空炉１８００℃（チタン） 大気炉１５００℃（鉄） 使用ガス：窒素、アルゴン 7 年度 雰囲気圧力：０．９３MPa 真空度：７×１０-3MPa 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ニューマブラスター H26リストNo 159 ＜仕様・品質等＞ ＦＤＱ−４Ｓ ＜製造元＞ （株）不二製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 金属の表面に種々の研磨材を吹き付け錆、スケール、鋳物 砂等の除去やショットピーニング加工を行う。 ＜詳細仕様＞ ノズル径：Φ５からΦ７mm 研磨剤循環方式：直接落下 加圧タンク実効容量：８リットル 加工物の最大寸法：５０×５０×高３０（cm） ＜使用料＞300 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S57 年度 ＜設置場所＞ 本館 B棟1F:金属溶解試験室 ＜主担当＞ 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 動的ひずみ解析装置 H26リストNo 166 ＜仕様・品質等＞ EDX-1500A-16AC ＜製造元＞ （株）共和電業 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（鋳造熱処理な 構造物等に発生する動ひずみ（ひずみの大きさが時間経過 と共に変化したり、振動や衝撃が加わった場合の現象）を ひずみゲージによって電気的にひずみ量を測定する原理に より、応力値を算出する装置である。 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:鋳造研究室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 ＜詳細仕様＞ 測定チャンネル数：ひずみ測定１２チャンネル 温度測定４チャンネル サンプリング周波数：１，２，５，１０，２０，５０， １００，２００，５００Ｈｚ １，２，５，１０ｋＨｚ 10 年度 他１４種類 解析：四則演算、ＦＦＴ解析、頻度解析 その他：ＰＣカードによるデータの保存が可能 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 引張・圧縮疲労試験機 H26リストNo 160 ＜仕様・品質等＞ EHF-EG50KN-10L ＜製造元＞ 島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 本装置は、完全デジタル制御およびロードセル慣性力補 正機能、リアルタイム自動ＰＩＤ調整機能を有しており、 静的試験から高、低サイクル疲労試験、熱疲労試験、その 他の試験にいたるまで、広範囲にわたる高精度な荷重材料 試験が可能です。 ＜詳細仕様＞ 荷重容量：動的１００KN（静的１５０KN） ストローク：±５０ｍｍ 繰り返し波形出力：０．００００１から２００Hz 試験波形：サイン波、三角波、ランプ波、ホールド波、 矩形波、ハーバーサイン波 ＜使用料＞2700 （円／時間） ＜導入年度＞平成 11 年度 試験温度：常温、２００〜１２００℃（高周波誘導加熱 方式） ＜設置場所＞ 加熱速度：Max １０℃／sec 本館 B棟1F:鋳造研究室 冷却速度：Max ２℃／sec ＜主担当＞ 内田 富士夫 内線 563 試験片：直径１５mm、平行部１５mm、チャック部２０mm 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 発光分析装置 H26リストNo ＜製造元＞ （株）ＳＰＥＣＴＲＯ Ａｎａｌｙｉｃａｌ ＜仕様・品質等＞ ＳＰＥＣＴＲＯＬＡＢ Ｍ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ＜詳細仕様＞ 測定波長 120から800nm 測定可能マトリックス Fe、Al、Cu、Mg、Zn ＜使用料＞1300 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:鋳造研究室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 14 年度 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 161 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ シャルピ衝撃試験機 H26リストNo 162 ＜仕様・品質等＞ ３０kgm型 ＜製造元＞ （株）島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞130 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S54 年度 ＜設置場所＞ 本館 B棟1F:材料強度試験室 ＜主担当＞ 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 小野式回転曲げ疲労試験機 H26リストNo 163 ＜仕様・品質等＞ Ｈ６型 ＜製造元＞ （株）島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 疲れ強度を評価する一般的な試験機で、試験片作製、操 作が容易に行えます。試験片が破断したり、所定寸法以上 のたわみを発生した場合は、マイクロスイッチおよび電磁 開閉器の作動によって直ちに停止します。 ＜使用料＞100 ＜詳細仕様＞ 最大曲げモーメント：１０kgm 試験片寸法：つかみ部直径１５mm、全長２１０mm 平行部直径１２mm つかみ部長さ５０mm 回転数：２８００rpm 駆動用モータ：三相 ２００V、４００W （円／時間） ＜導入年度＞平成 S62 年度 装置寸法：幅１６３０×奥行４３０×高さ１２００mm ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:材料強度試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スガ摩耗試験機 H26リストNo 164 ＜仕様・品質等＞ ＮＵＳ−ＩＳＯ−３型 ＜製造元＞ スガ試験機（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 研磨剤を付着した円板を接触往復運動させ、アルマイ ト、めっき、塗装などの皮膜や金属材料、プラスチック等 の耐摩耗性を評価する。 ＜詳細仕様＞ 摩耗輪 直 径：５０ｍｍ、幅：１２ｍｍ 回転角度：０．９度／ＤＳ 往復運動機構 ４０ＤＳ／分、ストローク：３０ｍｍ ＜使用料＞170 （円／時間） ＜導入年度＞平成 1 年度 荷重機構 １００から３０００ｇｆ調節可能 ＜設置場所＞ 試験片の大きさ 本館 B棟1F:材料強度試験室 幅 ：５０から７０ｍｍ ＜主担当＞ 内田 富士夫 内線 563 長さ：５０から１５０ｍｍ 厚さ：１．０から４．０ｍｍ 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 摩耗試験機 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ EFM-3-EM ＜製造元＞ （株）エー・アンド・ディ ＜用途等＞ ＜使用料＞410 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 設備分類: 評価技術（材料特性など） 同一形状をした二つの円筒試料をその中心線上に一致さ せ、その直角面のリング状摺動における摩擦特性の評価試 験およびサンプルホルダーを用いて、ディスクチップの摺 動面の摩擦特性の評価試験が可能です。 加圧の設定および摩擦力測定は、ストレンゲージを応用 した圧縮型ロードセル用いているため、広範囲に行うこと ができます。 ＜詳細仕様＞ 加圧加重範囲：０．２から５００kgf 摩擦力範囲：１．０から３０kgf-cm 最大回転軸トルク：３０kgf/cm すべり速度範囲：０．０１から２，２から２００cm/sec 連続運転時間：最大２００時間 9 年度 本体寸法：幅６３０×縦７３０×１６００mm B棟1F:材料強度試験室 内田 富士夫 165 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高温雰囲気クリープラプチャー試験装置 H26リストNo 167 ＜仕様・品質等＞ ＶＧＲＴ−３０Ｓ ＜製造元＞ 東伸工業 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 高温雰囲気下（大気または不活性ガス雰囲気）における 金属材料の引張クリープラプチャー強度試験およびリニア ゲージ２個を用いて、引張クリープ伸びを測定する装置で す。 試験片は、３本吊りまで可能なため、同時に３タイプの 試験ができます。 ＜詳細仕様＞ 荷重負荷方式：縦型単てこ荷重式 最大負荷容量：３０KN 荷重精度：±０．５％ 荷重負荷冶具：インコネル７１３Ｃ 最高使用温度：１０００℃ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 11 年度 加熱雰囲気：不活性ガス 加熱ヒータ：カンタル線 ＜設置場所＞ 変位測定器：リニアゲージ２個平均値式 本館 B棟1F:材料強度試験室 試験片サイズ：直径６mm×長さ７０mm(GL３０mm） ＜主担当＞ 内田 富士夫 内線 563 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 万能試験機 H26リストNo 168 ＜仕様・品質等＞ UH～Ｆ300ｋＮＩ ＜製造元＞ 島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ＜詳細仕様＞ 最大容量：300kN ひょう量：６段(300/150/30/15/6kN） ＜使用料＞690 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:材料強度試験室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 19 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 射出圧縮成形装置 H26リストNo 170 ＜仕様・品質等＞ ROBOSHTOα-100C ＜製造元＞ ファナック（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 溶融混練した樹脂を高速、高圧下で金型に充填し、その 後、金型を閉じる過程で圧縮、賦形する装置。 ＜使用料＞1700 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 型締力：１００ｔ 射出速度：最大３００ｍｍ／ｓ 射出圧力：最大２２００ｋｇｆ／ｃｍ２ 型厚：最大４５０ｍｍ、最小１５０ｍｍ タイバー間隔：４１０×４１０ｍｍ 9 年度 プラテン寸法：６１０×６１０ｍｍ B棟1F:成形試験室Ⅱ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 精密微量水分計 H26リストNo 171 ＜仕様・品質等＞ CZA-3000 ＜製造元＞ ㈱ﾁﾉｰ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） プラスチック製品や原材料、揮発成分を含む各種製品、原 料の微量水分を測定する。 カールフィシャ滴定法での測定結果と十分相関のとれる結 果を得ることができる。 ＜詳細仕様＞ 試料：10ｍｇ～20ｇ 水分測定範囲： 水分率 10ｐｐｍから1％（1ｇにて） 水分質量 10μｇから10ｍｇ ＜使用料＞110 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 13 年度 分解能：1.0μｇ/1ｐｐｍ/0.0001％ 測定時間：約3分～20分（予測モード使用時） B棟1F:成形試験室Ⅱ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 加熱温度範囲：25～275℃ 複合材料Gr キャリアガス：窒素二次圧 約117.2から137.9ｋＰａ ＜副担当＞ 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ノズル樹脂圧力・温度計 H26リストNo 172 ＜仕様・品質等＞ ４０８５Ａ５Ａ２ ＜製造元＞ 日本キスラー（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） ノズルの射出圧力が不適正な場合には、成型品に樹脂が行 き渡らなかったり、金型からはみ出るなどの問題が起こる 可能性がある。樹脂の圧力・温度を測定することで、これ らの問題が起こらないようにする。 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 13 年度 B棟1F:成形試験室Ⅱ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 押出機 H26リストNo 174 ＜仕様・品質等＞ KZW25TW-60MG-NH(1200)ｽｸﾘｭ径25φ ＜製造元＞ ㈱テクノベル ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 耐圧性の型枠に入れられた素材に高い圧力を加え、一定断 面形状のわずかな隙間から押出すことで求める形状に加工 する。 ダイスを変えることでフィルム、パイプ、ホースなどの形 状に加工できる。 ＜詳細仕様＞ スクリュ径：25φ 軸数：2軸スクリュタイプ スクリュタイプ：標準スクリュ溝深さ スクリュ回転：60～100ｒｐｍ ＜使用料＞1600 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:成形試験室Ⅰ 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 加圧式ニーダ H26リストNo 175 ＜仕様・品質等＞ ＴＤ３～１０Ｍ型 ＜製造元＞ ㈱トーシン ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 槽内で2本のブレードが回転し、ブレード間で持ち上がる 材料を、上部からの蓋で押し込む。 強力なせん断応力で混練、分散を行う。 ＜詳細仕様＞ モーター出力：７．５ｋｗ 混合槽容量：３ℓ 羽根形状：バンバリー型ブレード ＜使用料＞590 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 17 年度 B棟1F:成形試験室Ⅰ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 集塵機 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＰＩＥ４５ ＜製造元＞ アマノ（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 微粉体の混錬作業等により発生する粉塵を除去する装 置。 ＜詳細仕様＞ 風量：45m3/min 出力：2.2kW フィルター粉塵払落とし方法： 差圧検知式自動パルスジェット ＜使用料＞480 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ B棟1F:成形試験室Ⅰ 工藤 素 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 176 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 樹脂乾燥機 H26リストNo 177 ＜仕様・品質等＞ DRL823WA ＜製造元＞ アドバンテック東洋 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 成形前の原料ペレットを恒温、恒湿下におき、水分を取り 除くのに用いる。 ＜詳細仕様＞ 最高温度：約 ＜使用料＞220 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 16 年度 B棟1F:成形試験室Ⅰ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 磁束密度測定装置 H26リストNo 180 ＜仕様・品質等＞ 9550 ＜製造元＞ F.W.BELL ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） ホールプローブを用いて直流および交流の磁束密度を測る 測定器です． ＜使用料＞120 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 ±０．２ ０．００１Ｇ ＤＣから１０ＫＨｚ 6段階,最小３Ｇ C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅱ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ 直交流磁場 測定可能 精度 ＤＣ 最小分解能 周波数応答性 9 年度 測定レンジ 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 測定レンジ 0.00１Ｇから100kG 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 砥粒分散用超音波発生器 H26リストNo 181 ＜仕様・品質等＞ ＵＤ～２０１（Ｓ） ＜製造元＞ トミー精工 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 13 年度 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅱ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 平坦度測定装置 H26リストNo 179 ＜仕様・品質等＞ FT-900（ウェハ用） ＜製造元＞ （株）ニデック ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 半導体ウェーハーのSIME規格にある平坦度等の基板品位を 測定する装置。 ＜詳細仕様＞ SEMI準拠（TV,GBIR,GFLR, GF3D,SORI）,BOW, Taperを評価 可能 適用試料サイズ:最大φ200mm 測定分解能：0.01μm 測定レンジ：200μm ＜使用料＞1250 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅱ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 25 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電界制御装置 H26リストNo 182 ＜仕様・品質等＞ MODEL20/20B ＜製造元＞ トレック・ジャパン（株） ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 四象現出力や高速応答可能な高精度高電圧アンプ ＜詳細仕様＞ 出力電圧範囲 0から±20ｋV 出力電流 0から±20ｍＡ 電力増幅率 2000V/V 利得帯域幅 DCから20ｋＨｚ スルーレート 350Ｖ/μs ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 10 年度 精度0.1％ 入力電圧 0から±10VDC,or peak AC ＜設置場所＞ 入力インピーダンス50ｋohm 本館 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ ノイズ5.0V ｐ-ｐ ＜主担当＞ 久住 孝幸 内線 560 寸法432×223×585ｍｍ 重量32Kｇ 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 小型切削動力計 H26リストNo 185 ＜仕様・品質等＞ 9256C2 ＜製造元＞ 日本キスラー株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 水晶板を用いたセンサ素子により直交３成分の動力測定 する計測装置。微細工具や機能性流体により切削、研削、 研磨等の加工実験を行い、それぞれの加工動力を測定し、 影響を受けた付加変動や加工特性の解析に用いることで、 最適な加工条件を解明する。 ＜詳細仕様＞ 動力計本体 測定範囲：Fx／Fy／Fz -250～250N 過負荷：-300～300N 動的分解能：＜0.002N 使用温度範囲：0～70℃ ＜使用料＞490 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 三脚 H26リストNo 186 ＜仕様・品質等＞ ﾌﾟﾛﾌｪｯｼｮﾅﾙﾃﾞｻﾞｲﾝⅡ ＜製造元＞ ｽﾘｯｸ ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 12 年度 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 自動研磨ヘッド H26リストNo ＜仕様・品質等＞ オートメット2000 60‐1970 ＜製造元＞ ビューラー ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 荷重を精密に制御できる研磨機 ＜詳細仕様＞ ・加工荷重の設定：３kgから25kgまで設定可能 ・回転方向：時計回り、反時計回り選択可能 ・試料ホルダー径：120～130mm ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 20 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 183 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 除振台 H26リストNo 184 ＜仕様・品質等＞ AYA-1809K4 ＜製造元＞ 明立精機 ＜用途等＞ 設備分類: その他 外部の振動の影響を抑えるために振動を減衰させるエアー サスペンションを採用した除振台 ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・サイズ：1800×900mm ・材質と厚み寸法：着磁性ステンレスまたはスチール、厚 み200mm以上 ・定盤上面：上面に50mm以下の間隔でM6タップ加工を施し ていること。 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ・除振機構：供給圧搾空気によりX,Y,Z方向に対して除振 ・固有振動数Ｈｚ：垂直1.1、水平0.8以下 ・水平維持：水平維持機構により、自動水平維持 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ ・耐荷重：300kg以上の最大荷重 久住 孝幸 内線 560 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 電源装置 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＭＯＤＥＬ６０９Ｄ−６ ＜製造元＞ トレックジャパン（株） ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 入力信号を高電圧に変換する高圧電源 ＜使用料＞190 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ 入力電圧 0から±4V 入力インピーダンス10ｋohm 出力電圧範囲 0から±4ｋV 出力電流 0から±20ｍＡ rms 利得帯域幅 15ＭＨｚ最小 7 年度 スルーレート 35Ｖ/μs 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 190 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 15MHzファンクションウェーブジェネレータ ＜製造元＞ 日本ヒューレットパッカード H26リストNo 187 ＜仕様・品質等＞ 33120A ＜用途等＞ 設備分類: 回路評価等の信号源や基準信号として，交流電場の任意信 号源として，用いることが可能． ＜詳細仕様＞ ○15MHzの正弦波/方形波を出力 ・標準波形；正弦波、三角波、方形波、ランプ波、ノイズ などの種々の波形を生成 DCボルト ・振幅分解能；12ビット、サンプルレート；40Mサンプル /s、波形の長さ8〜16,000ポイントの任意波形を生成 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 11 年度 ・不揮発性メモリ；16ｋ波形４個 ○周波数特性 ＜設置場所＞ ・正弦波，方形波 100μHzから15MHz 本館 C棟1F:医工連携実験室 ・三角波，ランプ波 100μHzから100ｋHz ＜主担当＞ 久住 孝幸 内線 560 ○信号特性； 方形波；立ち上がり／立ち下り時間：≦20ns 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 三角波,ランプ波，≦100ns 内線 ○出力特性 振幅；50ｍVｐ-ｐから10Vｐ-ｐ ＜副担当＞ ＜名称等＞ オシロスコープ H26リストNo ＜製造元＞ 日本ヒューレットパッカード 191 ＜仕様・品質等＞ HP-54645A ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） オシロスコープは，2ｃｈデジタル方式のオシロスコープ で，電気回路などの状態を電圧波形として捉える測定器で ある．本器は，データを自動トリガモードでデータを検査 しトリガを設定する機能があり，波形を容易に観察・測定 できます． ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ チャンネル数；2CH レンジ；1mV/divから5V/div ダイナミック入力レンジ；±8divまたは±32V未満 最大入力400V 入力インピーダンス；1MΩ，±1%,から13pF （円／時間） ＜導入年度＞平成 11 年度 メモリ容量；最大1M グリッジ・トリガリング（自動トリガ検出機能）； 波形最小持続時間8ns C棟1F:医工連携実験室 波形最大持続時間100秒 久住 孝幸 内線 560 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 安全キャビネット H26リストNo 178 ＜仕様・品質等＞ BHC-1006ⅡA／B３ ＜製造元＞ エアーテック ＜用途等＞ 設備分類: その他 HEPAフィルターで濾過した排気を行うことにより, 作業台 内を常に陰圧に保ち, 実験操作中に発生した気体等が外部 へ拡散させない機構を有した作業者への安全保護設備 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・HEPAフィルターを有し粒子サイズ0．3μｍを99％以上除 去が可能 ・排気（ｍ3／min）：6以上 ・吹き出し風速（ｍ／sec）：0.3v0.４ ・流入風速（ｍ／sec）：0.5から0.6 20 年度 ・庫内寸法：1000W×600D×640H（以上）mm C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 内線 素形材プロセス開発部 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 核酸増幅システム H26リストNo 192 ＜仕様・品質等＞ ＭＤＦ～１９２ ＜製造元＞ 三洋電機バイオメデイカ㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 遺伝子の保存、遺伝子の増幅、試薬の滴下、試薬との混 合、細胞等の培養、培養物の観察など、生体試料等の観 察・測定に用いる装置。 ＜詳細仕様＞ ＤＮＡ保存用超低温フリーザー 遺伝子増幅用グラジエント機能付サーマルサイクラー 微量高速冷却遠心機 恒温槽培養ミニＣＯ２インキュベータ ＜使用料＞310 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 17 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 蛍光顕微鏡 H26リストNo 193 ＜仕様・品質等＞ Ｅ４００～ＲＦＬ １ ＜製造元＞ ニコン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） ＜詳細仕様＞ 励起波長：450～490nm 510～560nm 365nm 590-650nm 倍率：10倍、20倍、40倍、400倍 ＜使用料＞200 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 15 年度 C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 内線 素形材プロセス開発部 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 材料物性測定装置 H26リストNo 188 ＜仕様・品質等＞ １２６０～ＭＡＳ（ソーラートロン） ＜製造元＞ 東陽テクニカ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） ポテンショ・ガルバノスタット、インピーダンスアナラ イザ、誘電率測定用イインターフェイスを組み合わせ、材 料の低周波から高周波域の交流インピーダンス測定、直流 分極測定等を全自動で行うことが出来る解析装置。 ＜詳細仕様＞ 測定周波数範囲：１０μＨｚから３２ＭＨｚ ＡＣ印加振幅範囲：５０μＶから３Ｖ インピーダンス測定範囲：１０ｍΩから１００ＴΩ 分解能：１μA，１ｐA ＜使用料＞690 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ CCDカラーカメラ H26リストNo 194 ＜仕様・品質等＞ CS5270i-S ＜製造元＞ 東京電子 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 12 年度 C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ゼータ電位測定装置 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ Nano Z ＜製造元＞ Sysmex ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） ナノ粒子やコロイドの特性評価 ＜使用料＞330 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ Measurement range: 3.8nm ～ 100 microns* Measurement principle: 電気泳動光散乱 Minimum sample volume: 150～L （円／時間） ＜導入年度＞平成 19 年度 Accuracy: 0.12～m.cm/V.s for aqueous systems using C棟1F:医工連携実験室 NIST SRM1980 standard reference material 久住 孝幸 内線 560 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 先進プロセス・医工連携Gr 内線 195 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 砥粒挙動モニタ用レンズ H26リストNo 196 ＜仕様・品質等＞ ML-Z07545他 ＜製造元＞ ﾓﾘﾃｯｸｽ ＜用途等＞ 設備分類: 設計技術 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 12 年度 C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 誘電率測定用サンプルホルダー H26リストNo 189 ＜仕様・品質等＞ SH2-Z ＜製造元＞ 東陽テクニカ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） ソーラトロン社製1260型インピダンスアナライザ用サンプ ルホルダー ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ソーラトロン社製1260 型 インピーダンスアナライザと4 端子、BNCで接続動作 ・抵抗測定範囲100mΩから1TΩ （ ※電極短絡時、＜ 10mΩ） ・周波数応答範囲DCから1MHz 25 年度 ・最大使用電圧＜ 500Vpp 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ・材質 ベリリウム銅 表面に金メッキ ・上電極直径 φ25mm ・下電極直径 φ10mm ・誘電率測定用ガード電極を具備 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 研磨装置 H26リストNo 197 ＜仕様・品質等＞ SLM-140 ＜製造元＞ 不二越機械工業 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 電界下にて砥粒を含むスラリーの配置制御技術を実現し、 より合理的な研磨加工技術の確立を目指す研磨実験装置 ＜使用料＞480 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜詳細仕様＞ ○研磨試料サイズ4インチ（φ100ｍｍ）以上 ○揺動機構 ・揺動幅：±10から50 ｍｍ ・揺動周期：2から10（往復/ min） ・ポリシングプレート回転数：100ｒｐｍ以上 22 年度 ・最大加工荷重：40kgf以上 C棟1F:加工メカニズム実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 片面研磨装置 H26リストNo 198 ＜仕様・品質等＞ SLM-140改 ＜製造元＞ 不二越機械工業 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 電界下にて砥粒を含むスラリーの配置制御技術を実現し、 より合理的な研磨加工技術の確立を目指す研磨実験装置 ＜使用料＞550 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 定盤径：φ560 定盤回転数：10rpmから200rpm 定盤回転精度：面ぶれ10μm 上部定盤径φ180mm 上部定盤回転数：10から300rpm （円／時間） ＜導入年度＞平成 25 年度 上部定盤揺動機構揺動幅:±35mm 定盤設定温度:10から25℃ C棟1F:加工メカニズム実験室 中村 竜太 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 久住 孝幸 内線 278 先進プロセス・医工連携Gr 内線 560 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高速引張試験機 H26リストNo 200 ＜仕様・品質等＞ HITS-T10 ＜製造元＞ 島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 最大速度20m/S(時速72Km/h)で材料試験が可能な油圧制御 式高速引張試験機 ＜使用料＞2,350 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・容量20kN(ピストン静的)以上 ・衝撃試験力は10kN以上 ・最大速度20m/S(時速72Km/h)以上で衝突時の材料試験が 可能、かつ低速0.1mm/Sからも設定可能 ・最大ストロークは300mm以上 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ・測定精度は荷重：設定レンジフルスケールの±1%以内 ・ストロークは設定レンジフルスケールの±1%以内 ・恒温槽は-40℃から150℃制御できる恒温槽 C棟1F:コンポジットセンター(B) 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 落錘衝撃試験機 H26リストNo 201 ＜仕様・品質等＞ 9205HV ＜製造元＞ INSTRON ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 樹脂、CFRP、アルミ合金、鋼板等材料の耐衝撃特性の評価 をする ＜使用料＞1450 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:コンポジットセンター(B) 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ・ASTM D-3763、NASA ST-1、ASTM D-244 Method C Penetration，ASTM D-5420 geometries GA，GB，GC、 Boeing 7260P Penetration Specに準拠した試験が可能 ・衝撃エネルギーは2.6～945J ・最大衝突速度は20m/S(時速72Km/h)以上 21 年度 ・位置精度は±0.02mm以内または±0.05％以下 ・速度精度は設定値の±2%以内 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 材料試験高速解析システム H26リストNo 202 ＜仕様・品質等＞ FASTCAM SA-X ＜製造元＞ （株）フォトロン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 高速度カメラ 樹脂、CFRP、アルミ合金、鋼板等材料の耐衝撃特性や機械 的特性試験の高速解析評価を行うために用いる。 ＜詳細仕様＞ 高速度カメラ FASTCAM SA-Xmodel ASU-N(モノクロ） 照 明：メタルハライドランプ，ファイバー 画像解析ソフ ト：TEMA 2D ＜使用料＞780 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ C棟1F:コンポジットセンター(B) 木村 光彦 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 24 年度 藤嶋 基 内線 551 複合材料Gr 内線 501 ＜名称等＞ 立形マシニングセンタ用集塵防塵装置 H26リストNo 203 ＜仕様・品質等＞ PiE-30SD ＜製造元＞ アマノ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 立形マシノングセンタ（ファナックα-T14iD）に接続して 使用し、切削屑を吸引しながら集塵する装置です。 ＜詳細仕様＞ 電動機の出力は1.5kW以上 集塵機本体の最大風量は20m3/min以上、 最大静圧は2.5kPa以上 ＜使用料＞760 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:コンポジットセンター(A) 加藤 勝 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 22 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 立形マシニングセンタ H26リストNo 204 ＜仕様・品質等＞ α-T14iD ＜製造元＞ ファナック ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） エンドミルやドリルなどの工具を回転させ、工作物との相 対位置を変えながらの工作物の切削の切削加工を行う装置 です。主に複合材料やプラスチック等の加工を行います。 ＜詳細仕様＞ 移動量(X×Y×Z)：400mm×400mm×300mm、 主軸回転速度：24,000rpm、 一方向位置決め精度：0.006/300mm、 ATC:１４本 ドライ切削専用 ＜使用料＞460 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 16 年度 C棟1F:コンポジットセンター(A) 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr ＜副担当＞ 内線 ＜名称等＞ 超臨界発泡射出成形機 ＜製造元＞ 日精樹脂工業株式会社 H26リストNo 205 ＜仕様・品質等＞ NEX180Ⅲ 25E ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 熱可塑性プラスチックを超臨界発泡によって微細中空孔の発現と 炭素繊維の切断が極力少なくなるように長炭素繊維を混合・射出 成形する装置。 ＜詳細仕様＞ ○標準樹脂用スクリュー：逆止弁付き標準樹脂対応デザイ ン スクリュー径：40mm 耐腐食、耐摩耗性材料 ○長繊維樹脂用スクリュー：逆止弁付き長繊維樹脂対応デ ザイン ＜使用料＞3000 （円／時間） ＜導入年度＞平成 24 年度 スクリュー径：40mm 耐腐食、耐摩耗性材料 ○加熱筒：最高温度：400℃（±0.1℃の制御）空圧シャッ ＜設置場所＞ トオフノズル 本館 C棟1F:コンポジットセンター(A) 射出圧力：最大200MPa 射出速度：最大180mm/sec ＜主担当＞ 工藤 素 内線 583 射出体積：最大200cm3 回転数：最大250rpm 型締め力：最大1765kN 使用型厚：250mmから500mm 素形材プロセス開発部 複合材料Gr タイバー間隔：560×500mm タイバープレート： 内線 800×750mm ＜副担当＞ 最小金型寸法：395×395mm 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 複合材硬化成形用オートクレーブ H26リストNo 206 ＜仕様・品質等＞ φ850 x 1500L ＜製造元＞ 株式会社 羽生田鉄工所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） CFRPプリプレグの加圧加熱硬化成形、あるいはVaRTM（真 空樹脂含浸製造法）成形等を行い、複合材料の力学特性等 の評価のための試験片作製、及び輸送機に関わる自動車部 品、航空機部品を試作試験のために使用 ＜詳細仕様＞ ・缶内有効寸法：φ600mm×(L)1000mm以上 ・開閉方式：手動・減速機付きハンドル ・加圧能力：最大圧力が0．95MPa（第2種圧力容器構造規 格） ・圧力制御：設定圧力に対して±0．02MPa以内で制御 ＜使用料＞1450 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ・昇圧速度：0.025MPa以上 ・使用温度：最大温度220℃ ＜設置場所＞ ・昇温速度は、0.1℃／minから5℃／minで0.1℃単位によ 本館 C棟1F:コンポジットセンター(A) る昇温制御が可能 ＜主担当＞ 藤嶋 基 内線 501 ・缶内温度分布：±3.0以内 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 複合材料切断機 H26リストNo 207 ＜仕様・品質等＞ AC-300CF ＜製造元＞ （株）丸東製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） CFRP等複合材料の機械的特性評価のために使用する試験片 作製時の切断 ＜詳細仕様＞ ・切断精度は0.05mm以下 ・試料切断寸法は300mm×300mm×ｔ10mm以下 ＜使用料＞570 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:コンポジットセンター(A) 藤嶋 基 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 22 年度 内線 501 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ フラットベット切断機 H26リストNo 208 ＜仕様・品質等＞ CF2-1215RC-S ＜製造元＞ （株）ミマキエンジニアリング ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 複合材料の原材料およびプラスチック材料、エラスト マー、フィルム材を任意形状へ切断する装置 ＜使用料＞750 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ X方向の有効切断範囲：1470mm Y方向の有効切断範囲：1200mm 1mm以下の切断が可能 切断速度：500mm/s 距離精度：0.1mm 25 年度 反復精度：0.1mm C棟1F:コンポジットセンター(A) 藤嶋 基 素形材プロセス開発部 内線 501 複合材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 耐候性試験機 H26リストNo 209 ＜仕様・品質等＞ UV-W161 ＜製造元＞ 岩崎電気（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 紫外線照射に対して、機器及び部品・材料がどのような変 化を起こすかを試験する装置。 ＜使用料＞1500 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 温度：照射時50から85℃、休止時35から75℃、（精度 ±3℃） 湿度：照射時40から70％RH、休止時50から90%RH、（精度 ±5％RH） 紫外線照度150±8mW/㎠以上、均斉度が90％以上 （円／時間） ＜導入年度＞平成 25 年度 295から450nmの紫外線が照射可 有効放射エリア：422mm×190mm ランプ平均寿命：1,500時間 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 近藤 康夫 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 542 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 重量級プラットホーム型電子天秤 H26リストNo 210 ＜仕様・品質等＞ FW-300KA4 ＜製造元＞ エー・アンド・ディ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 乾電池を電源としたコードレスタイプの台秤． 約１００時間の連続動作可能． 防滴構造で、水分を含んだ被計量物の計量が可能． ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 最大秤量 ：３００Kg 使用温度範囲：ー５℃から３５℃ 最小表示 ： ５０g（１９９．９５Kgまで） １００g（２００Kg以上） 電池寿命 ：高性能マンガン乾電池 約１００H 9 年度 計量皿寸法 ：６００×７００mm 重量 ：４５Kg （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 沓澤 圭一 内線 531 素形材プロセス開発部 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 放射電磁界イミュニティ試験システム H26リストNo 211 ＜仕様・品質等＞ ＴＣ２０００Ｃ ＜製造元＞ ｱﾝﾌﾟﾘﾌｧｲﾔｰﾘｻｰﾁ社 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 現「日本オートマティックコントロール株式会社」社製 ＜詳細仕様＞ IEC61000-4-3準拠 周波数：1MHzから1GHz 最大電界強度：10V/m ＜使用料＞1050 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 佐々木 信也 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 電界センサーのバッテリが劣化しており，1から２時間程 15 年度 度であれば連続稼働可能． 内線 564 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ プリント基板加工システム H26リストNo 212 ＜仕様・品質等＞ Protomat C100HF ＜製造元＞ 日本LPKF株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 ＣＡＤ設計データを基に表面パターンの作成、穴あけ及 び外形カット等を銅箔基盤等の材料に直接加工し、開発設 計環境でプリント基板作成を行うための装置。 ＜詳細仕様＞ 最大加工範囲：340×200mm以上 分解能：±3.9685μm 最大加工速度：40mm／秒 最高穴あけ速度：120穴／分 モーター回転数：10,000～100,000rpm ＜使用料＞450 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 16 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 佐々木 大三 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 505 電子・通信Gr 内線 ＜名称等＞ パワーマルチメーター H26リストNo 213 ＜仕様・品質等＞ WT1030 ＜製造元＞ 横河電気 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） （1 ）基本性能 基本確度が0.2 ％で電圧，電流の測定帯域がDC およ び0.5Hz 〜300kHz （電力測定は200kHz ）である。0.5Hz の有効電力の測定を可能と している。このときの表示更新周期は5 秒である。 また，最大電圧レンジを従来の600V から1000V と し，に必要な高電圧の測定を可能に ＜詳細仕様＞ 周波数特性：DC、0.5Hzから300kHz(0.5から10Hz、100kHz 以上は設計値) 基本確度：0.2％(45Hzから66Hz) 1000Vrmsの高電圧測定 10データ/100msの高速通信、100msのデータ更新 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 8 年度 入力電圧、電流の波形出力が可能(オプション) モータ評価機能(トルク、回転速度入力)によるトータル ＜設置場所＞ モータ効率を測定可能な特別モデルを用意(モデルWT1030M 本館 C棟1F:電気電子開放研究室(C) のみ) ＜主担当＞ 小笠原 雄二 内線 541(252) 約426(W)×132(H)×400(D)mm WT1010：約9kg、WT1030：約 10kg 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 磁気抵抗効果測定用電磁石 H26リストNo 214 ＜仕様・品質等＞ ヘルムホルツコイルM-HD31型 ＜製造元＞ マイテック ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 磁気抵抗効果測定用磁界発生 ＜使用料＞210 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 最大直流磁界:24 kA/m（但し、8 kA/m以上では別途電源が 必要） コイル間隔:200mm 均一磁場領域： 中心１インチφ内±1% 磁界周波数： 直流磁場 6 年度 磁界方向： 1方向 （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 高出力増幅器 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ 150A100B-150W1000 ＜製造元＞ 日本オートマチックコントロール ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 高周波電気信号の入力により、大電力電気信号を発生 ＜詳細仕様＞ 周波数範囲：10KHz-1000ＭＨｚ、最大出力：150W ＜使用料＞360 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 丹 健二 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 543 電子・通信Gr 内線 215 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ バイポーラ電源 H26リストNo 216 ＜仕様・品質等＞ BWS80-30G ＜製造元＞ 高砂製作所 ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 1象限から4象限の全領域で動作可能な電源 ＜詳細仕様＞ 最大電圧：±80V、最大電流：±30A ＜使用料＞190 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 16 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ワイヤーボンダー H26リストNo ＜仕様・品質等＞ モデル16 ＜製造元＞ TPT ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（表面処理改質） 微小電極間を金属ワイヤにより接続 ＜詳細仕様＞ ウェッヂ・ボールボンディング可能 バンプ形成可能 使用可能ワイヤ径：17から50μm ＜使用料＞270 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 丹 健二 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 543 電子・通信Gr 内線 217 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 雷サージ試験システム H26リストNo 218 ＜仕様・品質等＞ ＬＳＳ～１５ＡＸ～Ｃ１／Ｓ ＜製造元＞ ㈱ノイズ研究所 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） EN/IEC61000-4-5 規格準拠 サージ波形：コンビネーションウェーブ（1.2/50μs､ 8/20μs）、10/700μs（テレコムサージ） 最大出力電圧：15kV、最大出力電流：7500A ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 13 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(B) 近藤 康夫 電子光応用開発部 内線 542 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 静電気試験システム H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＥＳＳ～２０００ ＜製造元＞ ノイズ研究所 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） ＜詳細仕様＞ EN/IEC61000-4-2 規格準拠 出力電圧：0.20～30kV±5％ ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:電気電子開放研究室(B) 近藤 康夫 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 14 年度 内線 542 電子・通信Gr 内線 219 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ グローワイヤー試験機 H26リストNo 220 ＜仕様・品質等＞ TA03.35（付属チャンバBT-07） ＜製造元＞ Physics tecnics Lab ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） グローヤー試験 IEC 60695-2-10(JIS C60695-2-10)試験対応 ＜詳細仕様＞ IEC 60695-2-10(JIS C60695-2-10)試験対応 ５００℃から９６０℃ 150mm×120mmまで試験が可能 ＜使用料＞310 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 25 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(B) 近藤 康夫 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 542 電子・通信Gr 内線 ＜名称等＞ 雑音総合評価試験機 ＜製造元＞ （株）ノイズ研究所 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ＭＯＤＥＬ ＜用途等＞ 221 ＥＭＣ−５０００Ｓ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 本機は、雑音許容度試験機INS、電源電圧変動許容度試験 機VDS、静電気許容度試験機ESSを一体化し、さらに電源ラ イン観測装置NDR-552を加え、EMC耐力測定の統合化ならび に能率化を図ることを目的としたものである。 ＜詳細仕様＞ ○雑音許容度試験機INS-410 「インパルス幅」・・・50nsec、100nsec、200nsec、 250nsec、400nsecおよびその組合せ。最大幅1μsec。 「インパルス電圧」・・・59.9Ω負荷にてAC100V入力時 2000VMAX ＜使用料＞870 （円／時間） ＜導入年度＞平成 1 年度 ----------------------------------------------○電源電圧変動許容度試験機VDS-220SB ＜設置場所＞ 「被試験機電源」・・・70Vから240V 50Hzまたは60Hz 本館 C棟1F:電気電子開放研究室(B) 「異常電圧出力」・・・0Vから入力電圧の120% ＜主担当＞ 佐々木 信也 内線 564 ----------------------------------------------○静電気許容度試験機ESS-625S 電子光応用開発部 電子・通信Gr 「出力電圧」・・・本体電圧出力端にて0から25KV MAX 内線 ±10% ＜副担当＞ 「印加方式」・・・プローブ放電式 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 低温恒温高湿器 H26リストNo 222 ＜仕様・品質等＞ PSL-2K ＜製造元＞ エスペック ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 周囲の温度や湿度を一定にした雰囲気中に試料を置き，試 料の経時変化等を確認するための装置． ＜使用料＞240 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜詳細仕様＞ 温度範囲：-70から+100℃ 湿度範囲：20から98%rh ※ただし制御可能範囲があります 変動幅：＋0.3℃/±2.5%rh 温度上昇時間：-70→+100℃まで35分以内 19 年度 温度下降時間：+20→-70℃まで70分以内 内寸：W600×H850×D600[mm] C棟1F:電気電子開放研究室(B) 佐々木 大三 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 505 電子・通信Gr 本設備のお問い合わせは次のアドレスへ [email protected] ( [email protected] でも可) 内線 ＜名称等＞ 冷熱衝撃装置 H26リストNo 223 ＜仕様・品質等＞ ＴＳＡ～７１Ｓ～Ｗ ＜製造元＞ エスペック㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 電子機器や部品に高温と低温を短時間で交互に繰り返し 与え、急激な温度変化に伴う膨張と収縮が原因で機器や部 品に発生する破壊や材料の疲労を評価する装置。 ＜詳細仕様＞ 環境試験方法：JIS C0025、EIAJ ED-2531A 方式：ダンパ切り替え方式（２ゾーン，常温込み３ゾー ン） 高温さらし温度範囲：＋60～＋200℃ 低温さらし温度範囲：-70～ 0℃ ＜使用料＞590 （円／時間） ＜導入年度＞平成 17 年度 温度変動幅：±0.5℃ 高温槽温度上昇時間：常温から＋200℃まで15分以内 ＜設置場所＞ 低温槽温度下降時間：常温から-70℃まで40分以内 本館 C棟1F:電気電子開放研究室(B) テストエリア荷重：30kg（等分布荷重） ＜主担当＞ 佐々木 大三 内線 505 試料かご耐荷重：5kg（等分布荷重） テストエリア寸法(WxHxD [mm])：410x460x370 電子光応用開発部 電子・通信Gr ＜副担当＞ 内線 （ご参考）試料無しでのテストエリア温度の変化速度： -40→+90℃ および +90→-40℃ ： ２分程度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 空圧落下衝撃試験装置 H26リストNo 224 ＜仕様・品質等＞ ＳＭ−１１０−ＭＰ型 ＜製造元＞ ボクスイ・ブラウン（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 電気電子部品・機器等に、規定のピーク加速度と作用時間 を持つ正弦半波パルスの機械的衝撃を加える装置。 ＜詳細仕様＞ 試験条件： 「100G,6msec」「50G,11msec」「30G,11msec」 「30G,18msec」「500G、1msec」 ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 3 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(A) 近藤 康夫 電子光応用開発部 内線 542 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 衝撃解析システム H26リストNo ＜仕様・品質等＞ lansmont TP3etcｷｯﾄ for Win ＜製造元＞ エア・ブラウン社 ＜用途等＞ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞190 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ （円／時間） ＜導入年度＞平成 C棟1F:電気電子開放研究室(A) 近藤 康夫 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 13 年度 内線 542 電子・通信Gr 内線 設備分類: 評価技術（製品性能など） 225 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 振動試験機 H26リストNo 226 ＜仕様・品質等＞ F-03000BM/FA ＜製造元＞ エミック株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 製品が輸送中及び使用中に受ける振動を再現発生させる 装置。宇宙航空機器、自動車機器、エレクトロニクス製 品、精密機器などの製品開発における耐久性評価、輸送環 境における梱包等輸送方法の評価に使用。 ＜詳細仕様＞ 周波数範囲：（ＤＣ）から2500Hz 最大変位：30mm 最大加速度：68G ＜使用料＞1200 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 16 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(A) 佐々木 信也 電子光応用開発部 内線 564 電子・通信Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 真空乾燥器 H26リストNo 227 ＜仕様・品質等＞ VOS-450SD ＜製造元＞ EYELA ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 本装置は、粉体等の固体サンプルを真空下及び他の不活性 ガス雰囲気下で乾燥させるものです。 真空下で乾燥することにより、乾燥時間が短縮され、サン プルの酸化を防ぐことができます。 ＜使用料＞120 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 582 ＜詳細仕様＞ ・設定温度範囲 40から240℃ ・到達真空度 133Pa(1Torr) ・プログラム機能 オートスタート、オートストップ、２ステップ繰り返し、 ステップ運転（８ステップ以内） 9 年度 ・庫内寸法 450幅×450奥行×450高さ ・内容積 ９１ℓ ・不活性ガス 窒素など 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 自動研磨装置 H26リストNo 228 ＜仕様・品質等＞ AUTOMET2&ECOMET3 ＜製造元＞ ビューラー社 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 粉体、金属等の表面を研磨する装置である。 ＜詳細仕様＞ ・研磨器回転数：10から500rpm ・研磨圧力：0.45kgから27kgまで0.45kgで設定可能 ＜使用料＞170 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 9 年度 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ スクラバー付ドラフトチャンバー H26リストNo 229 ＜仕様・品質等＞ GNE-1500N ＜製造元＞ オリエンタル技研工業（株） ＜用途等＞ 設備分類: その他 本装置は、抽出等の有害ガス等が発生する場合に、安全に 実験を行うためのドラフトチャンバーである。スクラバー が付いているので、有害ガスはそこで捕集される。 ＜詳細仕様＞ 作業ｽﾍﾟｰｽ：1500幅×750奥行×750高さ㎜ ＜使用料＞170 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 9 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 発熱量測定装置 H26リストNo 230 ＜仕様・品質等＞ CA-4PJ ＜製造元＞ （株）島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 本装置は、各種燃料の発熱量測定、有機・無機化合物等燃 焼熱測定を行う装置です。 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・方式：燃研式断熱法 ・ｻﾝﾌﾟﾙ量：0.1から1g ・測定範囲：4,000から32,000J（1,000から7,500cal） ・測定精度：±80J（±20cal） ・測定時間：約30分（1ｻﾝﾌﾟﾙ） 10 年度 ・データ記憶：最大50ｻﾝﾌﾟﾙまで可能 ・（財）日本品質保証機構による検定証付 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 粉塵ドラフト H26リストNo 231 ＜仕様・品質等＞ GNS-1800S ＜製造元＞ オリエンタル技研（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本ドラフトは、粉体を扱う場合に発生する粉塵が人体に入 らないように、安全かつクリーンに作業を行うためのもの である。 ＜詳細仕様＞ ・方式：防爆仕様集塵機による捕集 ・作業容積：1800間口×750奥行き×750高さ ・捕集効率：1μm以上の粒子99.97％ 0.2μm以上の粒子99.7％ ・作業面：ﾚﾌﾟｼﾝ（ｴﾎﾟｷｼ無垢材32ｍｍ厚） ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 10 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 排ガス分析装置 H26リストNo 232 ＜仕様・品質等＞ GC-17A ＜製造元＞ （株）島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本装置は、FID（水素炎ｲｵﾝ化検出器）、TCD（熱伝導度検 出器）、FPD（炎光光度検出器）付きのｷｬﾋﾟﾗﾘｰ・ﾊﾟｯｸﾄﾞ併 用のガスクロマトグラフである。 ＜詳細仕様＞ カラムオーブン ・温度範囲：室温+4℃から450℃（1℃ｽﾃｯﾌﾟ） ・ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ段数：5段 ・昇温（降温）速度：0.1から±100℃/min（0.1℃ｽﾃｯﾌﾟ） 試料注入部 ＜使用料＞110 （円／時間） ＜導入年度＞平成 10 年度 ・独立温度制御方式 ・温度範囲：室温+4℃から450℃（1℃ｽﾃｯﾌﾟ） ＜設置場所＞ ・注入ﾕﾆｯﾄ：ｽﾌﾟﾘｯﾄ/ｽﾌﾟﾘｯﾄﾚｽ注入ﾕﾆｯﾄ 本館 D棟1F:素材分析測定室 検出器 ＜主担当＞ 遠田 幸生 内線 582 FID（水素炎ｲｵﾝ化検出器） ・方式：ﾜｲﾄﾞﾚﾝｼﾞまたはﾘﾆｱ 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr ・温度範囲：〜450℃（1℃ｽﾃｯﾌﾟ） 内線 TCD（熱伝導度検出器） ＜副担当＞ ・方式：2ﾌｨﾗﾒﾝﾄ定電流方式 ＜名称等＞ 有害金属測定装置 H26リストNo 233 ＜仕様・品質等＞ イオンクロマトグラフィーDX-120 ＜製造元＞ 日本ダイオネクス（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本装置は 溶液中の陰イオン、陽イオンを測定するもので ある。 ＜詳細仕様＞ サンプル量：25μℓ 測定可能イオン 陽イオン：Li+,Na+,NH4+,K+,Mg2+,Ca2+ 陰イオン：F-,Cl-,NO2-,Br-,NO3-,PO43-,SO42測定限界：10ppb以下 ＜使用料＞360 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 9 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ CHN元素分析装置 H26リストNo 234 ＜仕様・品質等＞ 2400２CHNS/0 ＜製造元＞ （株）パーキンエルマージャパン ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本装置は、固体・液体サンプルの炭素・水素・窒素・硫黄 含有量を簡単にかつ迅速に測定する装置 ＜詳細仕様＞ ・分析範囲：炭素、水素、窒素、硫黄いずれも0.3から 100wt% ・ｻﾝﾌﾟﾙ量：0から500mg（通常有機物は1〜3mg） ・燃焼管温度：100から1100℃（助燃剤の使用により、 ｻﾝﾌﾟﾙ温度は1800℃以上） ＜使用料＞210 （円／時間） ＜導入年度＞平成 10 年度 ・分析時間：6〜8分（1ｻﾝﾌﾟﾙ） ・ｻﾝﾌﾟﾙ導入：ｵｰﾄｻﾝﾌﾟﾗｰにより60ｻﾝﾌﾟﾙまでの自動導入が ＜設置場所＞ 可能 本館 D棟1F:素材分析測定室 ・ｷｬﾘﾌﾞﾚｰｼｮﾝ：1点検量線法、多点検量線検量線法が可 ＜主担当＞ 遠田 幸生 内線 582 能。 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 燃焼灰品質評価装置 H26リストNo 235 ＜仕様・品質等＞ マイクロトラックHRA-X-100 ＜製造元＞ 日機装 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本装置は、粉体の粒度を迅速かつ簡単に測定する粒度分布 計です。自動試料循環器がついていますので、測定は、誰 でも簡単に行うことができます。 ＜使用料＞970 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ・測定原理：レーザー回折・散乱法 ・粒度測定範囲：0.12から704μm ・粒度出力区分：100ch ・サンプル所要量：0.05から2g ・出力データ：平均粒度、ヒストグラム、Rosin-Rammler 9 年度 線図、対数正規分布、データ合成など 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 焼成挙動評価装置 H26リストNo 236 ＜仕様・品質等＞ DMRXP ＜製造元＞ ライカ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 本装置は、燃焼灰等の粉体サンプルを加熱昇温する加熱装 置とその加熱挙動をリアルに観察する顕微鏡、並びに加熱 挙動を解析するための画像解析装置から構成されていま す。 ＜詳細仕様＞ ・顕微鏡倍率：50から500倍 ・加熱温度範囲：常温から1750℃ ・画像解析：ライン長計測、区間長計測、角度計測、任意 形状計測、抽出領域形状計測、濃度断面計測、個数カウン ト、ポイント位置計測、ピーク間距離計測、ピーク幅計測 ＜使用料＞590 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 9 年度 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜名称等＞ ガス吸着量測定装置 H26リストNo 237 ＜仕様・品質等＞ AUTOSORBI-MP/VP ＜製造元＞ ユアサアオイニクス ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本装置は、ガス吸着等温線を作成することにより、固体表 面と気体との相互作用を定量化し、表面積、細孔分布等固 体性能を支配する因子を測定するものです。 ＜詳細仕様＞ ・測定範囲 比表面積 0.05㎡/ｇ以上（窒素吸着） 細孔容積検出限界 0.0001㏄/ｇ 細孔径分布 3.5～から5000～ ・サンプル所要量 0.1から10ｇ ＜使用料＞1200 （円／時間） ＜導入年度＞平成 9 年度 ・測定点数 吸着脱離等温線で最大200 ・吸着ガス Ｎ2、Ar、CO2など ＜設置場所＞ ・物理吸着による測定項目 本館 D棟1F:素材分析測定室 BET比表面積（多点法） ＜主担当＞ 遠田 幸生 内線 582 Langmuir、B.J.H法、D.H法等による細孔容積と比表面積分 布など 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr ＜副担当＞ 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 波長分散型蛍光Ｘ線装置 H26リストNo 238 ＜仕様・品質等＞ XRF-1700(4KW) ＜製造元＞ 島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 固体、液体等の廃棄物や無機化合物の化学組成を分析する 装置である。測定表面上の0.5mm間隔のマッピングも可能 である。 ＜使用料＞900 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・測定可能な固体サンプル形状：直径50mm以下×高さ35mm 以下 ・測定可能な粉体サンプル量：1g以上 ・測定可能元素：ホウ素からウランまで ・測定時間：10分以上 11 年度 ・測定限界：10ppm（条件によっては1ppmまで可） ・視野絞り：1、3、10、20、30mm D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ｶﾞｽｸﾛﾏﾄｸﾞﾗﾌ質量分析装置 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ Agirent 5973W ＜製造元＞ 横河ｱﾅﾘﾃｨｶﾙｼｽﾃﾑｽﾞ ＜用途等＞ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞170 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 設備分類: 評価技術（化学組成など） 239 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ GC用熱分解装置 H26リストNo 241 ＜仕様・品質等＞ PY-2020iD ＜製造元＞ （株）島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 熱分解させた試料をガスクロマトグラフに導入するための 前処理装置で、木材などの有機物の熱分解ガスの測定、基 板等の有機物から加熱等で発生する炭化水素系ガスなどの 測定が可能となる ＜詳細仕様＞ 1-15-02-04-999-000001 排ガス分析装置と同時使用 ＜使用料＞520 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 分解加熱炉 ・40℃から800℃以上。(1℃毎)昇温可能で4段階昇温可能 21 年度 ・昇温速度:1から100℃/min(1℃/min毎)以上 ・熱分解時間:1から999.9 min(0.lmin毎)以上 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ サイクロンサンプルミル H26リストNo 242 ＜仕様・品質等＞ CSM-F1 ＜製造元＞ 静岡精機（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 約10mmの木片、草木、稲わらなどを0.5ｍｍ以下に粉砕す る装置 ＜詳細仕様＞ ・数十mmの木片、草木、稲わらなどを0.5ｍｍ以下に粉砕 可能 ・ボール、ロッド等の粉砕媒体を使用しない粉砕方法 ・木材の場合、１分間に50g以上処理 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 20 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ハロゲン化合物測定自動前処理装置 H26リストNo 243 ＜仕様・品質等＞ AQF-100 ＜製造元＞ 三菱化学（株+D102） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） イオンクロマトグラフにより有機物・無機物中の塩素、 臭素、硫黄を測定するため、前処理として試料を燃焼し各 元素を吸収液に捕集する装置。 ＜詳細仕様＞ 吸収ユニット オートボートコントローラ ＜使用料＞720 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 18 年度 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ビード作製装置 H26リストNo 244 ＜仕様・品質等＞ TK-4100型 ＜製造元＞ 東京科学㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 波長分散型蛍光X線装置で精度良く測定するため、サン プルを溶解しビードにする必要があり、そのビードを作成 するための装置。 ＜詳細仕様＞ 温度範囲：150から1300℃ 溶融、振動の各時間を任意に設定可 ＜使用料＞790 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ハンディ型燃焼排ガス分析計 H26リストNo 245 ＜仕様・品質等＞ t350システムXL ＜製造元＞ （株）テストー ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 小型ボイラー・燃焼炉から排出されるガス中のO2、NOx、SOｘ、 CO、CO2濃度を測定する装置 ＜使用料＞120 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ O2 0から25Vol.% （分解能 0.01Vol.%） CO（H2補償） 0から10,000ppm （分解能 1ppm） NO 0から3,000ppm （分解能 1ppm ） NO2 0から500ppm （分解能 0.1ppm ） SO2 0から5,000ppm （分解能 1ppm ） （分解能 0.1ppm ） 23 年度 H2S 0から300ppm CO2(IR) 0～50Vol.% （分解能 0.1Vol.%） D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 粒度分布測定装置 H26リストNo 246 ＜仕様・品質等＞ MT3300EX2-SDC-H ＜製造元＞ 日機装（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 本装置は、粉体の粒度を迅速かつ簡単に測定する粒度分布 計です。自動試料循環器がついていますので、測定は、誰 でも簡単に行うことができます。 ＜詳細仕様＞ ・測定原理：レーザー回折・散乱法 ・粒度測定範囲：0.02から2000μm ・出力データ：平均粒度、ヒストグラム、Rosin-Rammler 線図、対数正規分布、データ合成など ＜使用料＞570 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 25 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 低温恒温恒湿器 H26リストNo 247 ＜仕様・品質等＞ ＰＬ−３ＳＰ型 ＜製造元＞ タバイエスペック（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 温湿度変化に対して、機器及び部品・材料がどのような変 化を起こすかを試験する装置。 ＜詳細仕様＞ 温湿度範囲：-40から+100℃/20〜98%RH (2013.5月現在) 対応可能温度は0から+100℃。 ＜使用料＞170 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 5 年度 D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 分光光度計 H26リストNo 248 ＜仕様・品質等＞ U-3000 ＜製造元＞ （株）日立製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 溶液試料の紫外・可視領域の透過率、吸光度を高感度、高 精度、迅速に測定し、定量分析を行う。 ＜使用料＞340 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 波長範囲：１９０から９００ｎｍ 分光器：瀬谷−波岡形分光器 検知器：光電子増倍管 光源：紫外域；重水素ランプ 可視域；ヨウ素タングステンランプ （円／時間） ＜導入年度＞平成 10 年度 光源切り替え：波長に連動した自動切り替え 測光方式：ダブルビーム直接比率測光方式 測定モード：吸光度、透過率、反射率、リファレンス側 D棟1F:環境評価試験室 エネルギー、サンプル側エネルギー 遠田 幸生 内線 582 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 卓上遠心分離機 H26リストNo 249 ＜仕様・品質等＞ Ｈ−９００ ＜製造元＞ 国産遠心器株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 微粒子の含まれる溶液試料の分離において、普通のろ過操 作で分離困難な場合や少量の沈殿物の分離のため、遠心力 を用いた分離操作を行う。これによって、沈殿と溶液との 分離が速やかに行われ、溶液中の沈殿物の観察や沈殿物の 化学分析等が可能である。 ＜詳細仕様＞ 試料量：１００ｍｌ×８本 回転数：１００から６０００ｒｐｍ 遠心力：１０から７０００ｇ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 3 年度 D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ＩＣＰ質量分析装置 H26リストNo 250 ＜仕様・品質等＞ Agirent 7500 Series ICP-MS ＜製造元＞ アジレント・テクノロジー（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） アルゴンガスの誘導結合プラズマによって、溶液中の元 素をイオン化した後、四重極質量分析計に取り込み、質量 別に分別後、元素濃度を検出する装置である。多元素を同 時に分析でき、かつ元素濃度を、ppt（１兆分の１）まで 測定する装置。 ＜詳細仕様＞ ダイナミックレンジ：９桁（１桁ｐｐｔから１００ｐｐｔ オーダーの同時定量が可能） 定性半定量分析が可能 ＜使用料＞1650 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ イオンクロマトグラフ（陰イオン・陽イオン・糖分析システム） H26リストNo 251 ＜仕様・品質等＞ ＩＣＳ～３０００＋２１００型 ＜製造元＞ ダイオネクス ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 水溶液中の陰イオン（塩素イオン、硝酸イオン、硫酸イオ ン、リン酸イオンなど）、陽イオン（アンモニウムイオ ン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなど）、糖成分 （グルコース、マンノース、キシロース等）を測定する装 置 ＜使用料＞1550 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ①送液機能：４溶媒以上のグラジェント送液機能 ②送液方法：ダブルプランジャー方式 ③流量範囲：0.001から10 mL/min以上、0.01 ｍL/min毎に 設定可能 ④流量精度：1mL/minのとき±0.1％以内 22 年度 ⑤動作圧力：0.1から35 MPa（15～5000 psi）の範囲で動 作 D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr ⑥糖検出モード：電気化学検出器と金電極による測定 ⑦糖質分析用四電位パルス測定が可能なインテグレーテッ ドパルスドアンペロメトリ(以下 IPAD) 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 吸着性能評価装置 H26リストNo 252 ＜仕様・品質等＞ ChemBET-3000型 ＜製造元＞ Quantachrome社 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 炭化物などの吸着がアンモニア等のガスをどの程度吸着 するかを測定する装置。 ＜詳細仕様＞ 比吸着質体積：0.0001ml/g以上 使用可能ガス：Nox系、Sox系、アンモニア系 ＜使用料＞690 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ バイオシェーカー H26リストNo 253 ＜仕様・品質等＞ BR-43FL-MR ＜製造元＞ タイテック（株） ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 一定温度で溶液を振盪もしくは旋回させ、酵素糖化や発酵など を行う培養器 ＜詳細仕様＞ ○温度：+ 4 ℃~+ 70℃ ○往復・旋回振盪が切り替え可能 ・振盪速度：20から300ｒｐｍ ○500ｍｌ三角フラスコを６本以上装着可能 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 23 年度 D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 分子量分布測定装置 H26リストNo 254 ＜仕様・品質等＞ ProminenceGPCｼｽﾃﾑ ＜製造元＞ 島津製作所 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） ゲル浸透クロマトグラフィー（GPC） ＜使用料＞380 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ オートサンプラー注入量（μL）：0.1から100 並列ダブルプランジャポンプ：並列 検出器：示差屈折率 ガードカラム：分析カラム、標準試料 リグニン測定：可 25 年度 カラムオーブン温度：室温+10から65℃ 出力内容：数平均分子量、重量平均分子量、Z平均分子量 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 微粉砕機 H26リストNo 255 ＜仕様・品質等＞ MB-1 ＜製造元＞ 中央化工機（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（表面処理改質） 10mm前後のフェライト、金属、アルミナ、石膏、石炭等を 数十〜数ミクロンまで粉砕可能な振動ミルである。 ＜詳細仕様＞ ・１バッチ当たりの標準粉砕量約0.8ℓ×2（ポット２個） ・粉砕時間は粉砕物よって変わる。 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 9 年度 D棟1F:粉砕評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 粗粉砕機 H26リストNo 256 ＜仕様・品質等＞ SR-2 ＜製造元＞ 三田村理研工業（株） ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（粉体焼結接合） 50mm前後のフェライト、金属、アルミナ、石膏、石炭等を 数百ミクロンまで粉砕可能な振動ミルである。 ＜詳細仕様＞ 粉砕量：１時間当たり約100から200kg 環状スクリーン孔径：0.25、0.5、1.0、2.0、3.0mm ＜使用料＞130 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:粉砕評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 9 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 凍結粉砕器 H26リストNo 257 ＜仕様・品質等＞ ＪＦＣ～１５００型 ＜製造元＞ 日本分析工業 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） ＜詳細仕様＞ ・振動回転数1700rpm以上 ・振幅8mm以上 ・液体窒素連続注入式 ・タイマー０から60min ＜使用料＞300 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 15 年度 D棟1F:粉砕評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 小型タンデムリング粉砕機 H26リストNo 258 ＜仕様・品質等＞ TR-LM ＜製造元＞ 中央化工機商事（株） ＜用途等＞ 設備分類: 新・省エネルギー バイオマス、化学原料などの固体物質を短時間で粉砕し、かつ固 体内部の構造を変化させる（メカノケミカル効果）衝撃式粉砕 機。 ＜詳細仕様＞ ・振動数を1000から1500ｒｐｍ ・試料ポットの容量は3.4Ｌ ・メカノケミカル効果を短時間で発揮する粉砕媒体を装備 ・200Ｖ３相、防音箱装備 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ D棟1F:粉砕評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 24 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ アスファルトミキサー H26リストNo 259 ＜仕様・品質等＞ 北大型30k練2Hp ＜製造元＞ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ 2 年度 D棟1F:アスファルト評価室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ アスファルト用乾燥機 H26リストNo ＜製造元＞ ＜仕様・品質等＞ ＜用途等＞ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S46 年度 ＜設置場所＞ 本館 D棟1F:アスファルト評価室 ＜主担当＞ 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 設備分類: 加工技術（素形材成形） 260 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ガスコンロ H26リストNo ＜製造元＞ 261 ＜仕様・品質等＞ ＜用途等＞ 設備分類: その他 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S55 年度 ＜設置場所＞ 本館 D棟1F:アスファルト評価室 ＜主担当＞ 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ローラーコンパクター H26リストNo 262 ＜仕様・品質等＞ ＴＲ−３２３Ｃ ＜製造元＞ 谷藤 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（素形材成形） 各種試験評価用アスファルト供試体作成 ＜使用料＞130 ＜設置場所＞ 本館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 実際に舗装される道路のアスファルト混合物と同様の荷重 を与えて、アスファルト混合物の供試体を作成する装置。 供試体作成の最大寸法は、40×30ｃｍ、最大荷重は、線圧 で40ｋｇ/ｃｍ。 転圧開始温度の設定や転圧回数の設定により、自動で転圧 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S47 年度 を開始し、離形材の散布の自動のほかランプ点灯時に表面 部の成形などを指示する自動転圧システム。 D棟1F:アスファルト評価室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 3連式自動ホイールトラッキング試験機 H26リストNo 263 ＜仕様・品質等＞ HKA-110A3D-CW15 ＜製造元＞ ニッケン ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 動的安定度評価試験（Ｄ.Ｓ） ＜詳細仕様＞ 夏季等におけるアスファルト舗装の耐流動特性を評価する 試験機で、供試体を60℃の状態で大型車と同様の接地圧を 与え供試体表面をゴム輪を走行させながらわだち深さを測 定する。 試験に用いる供試体は30×30×5ｃｍの供試体で、1時間/ ＜使用料＞740 （円／時間） ＜導入年度＞平成 8 年度 １サイクルに３枚試験でき６サイクル連続で１８枚の試験 ができる。 ＜設置場所＞ １日で６サイクル×２回の試験ができ、３６枚/１日当り 本館 D棟1F:供試体準備室 の試験ができる。 ＜主担当＞ 遠田 幸生 内線 582 試験および計測は、全自動システムとなっている。 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 蛍光Ｘ線膜厚計 H26リストNo 264 ＜仕様・品質等＞ SEA-5120 ＜製造元＞ セイコー電子工業 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 多層膜の膜厚及び元素分析の非破壊測定 ＜詳細仕様＞ 測定可能元素：AlからU、薄膜：最大５層、各層10成分の 膜厚Ｘ線検出部：Si(Li)半導体検出器、測定可能膜厚:１ nm ＜使用料＞1400 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:Ｘ線解析室400 岡田 紀子 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 6 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 薄膜構造評価用高輝度Ｘ線回折装置 H26リストNo 265 ＜仕様・品質等＞ ATX-G ＜製造元＞ 理学電機 ＜用途等＞ 設備分類: 解析技術 定格出力：１８Ｋｗ、Ｘ線源：Ｃｕ、５軸ゴニオメータ 用途：単結晶薄膜、エピタキシャル薄膜の結晶構造評価・ 解析に用いる。 ＜詳細仕様＞ 測定試料の大きさ：1インチ角以上3インチ丸以内、厚み： 1mm以下 ＜使用料＞5900 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 12 年度 1F:Ｘ線解析室400 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 電子スピン共鳴測定装置 H26リストNo 266 ＜仕様・品質等＞ EMXplus型（マイクロ波ブリッジ含） ＜製造元＞ ブルカー・バイオスピン社 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 磁場中で試料にマイクロ波を照射し、試料に存在する格子 欠陥や表面の欠陥(ダングリングボンド)を評価する装置 ＜詳細仕様＞ 検出限界： 2×10^9 spin/G 周波数帯： Xバンド マイクロ波出力：200 mW 円筒型TE011共振器を装備 ＜使用料＞1800 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:Ｘ線解析室400 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 25 年度 神田 哲典 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 *201 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電子顕微鏡用引伸機 H26リストNo 267 ＜仕様・品質等＞ L1200 ＜製造元＞ ダースト ＜用途等＞ 設備分類: その他 電子顕微鏡写真の引き伸ばし ＜詳細仕様＞ フィルムサイズ １×５inchから35mm判，電顕フルサイ ズ・ハーフサイズ使用可 ＜使用料＞790 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 1F:暗室 岡田 紀子 技術イノベーション部 内線 *114 技術コーディネート班 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ イオンスパッタ装置 H26リストNo 268 ＜仕様・品質等＞ JUC-5000 ＜製造元＞ 日本電子 ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 電子顕微鏡での観察の際に試料表面に導電膜をコーティン グ ＜詳細仕様＞ ﾏｸﾞﾈﾄﾛﾝ方式、ﾀ-ｹﾞｯﾄ:Pt,Au,Pt-Pd,C,Al ＜使用料＞2000 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:走査型電子顕微鏡室401 岡田 紀子 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 4 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ マイクロオージェ電子分光装置 H26リストNo 269 ＜仕様・品質等＞ JAMP-7830F ＜製造元＞ 日本電子㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 試料の微小領域における元素分析、深さ方向分析、化学結 合状態分析 ＜詳細仕様＞ 電子銃：ショットキーフィールドエミッションタイプ、プ ローブ径：4nm(二次電子像)、10nm(オージェ)、エネル ギー範囲：0-3000eV ＜使用料＞9100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 14 年度 1F:走査型電子顕微鏡室401 岡田 紀子 技術イノベーション部 内線 *114 技術コーディネート班 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 断面試料作製装置 H26リストNo 270 ＜仕様・品質等＞ クロスセクション・ポリッシャ9010 ＜製造元＞ 日本電子 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 試料サイズ 7mm角×2mm厚以上、加工イオンビーム径 >φ100ミクロン、エッチングレート >20ミクロン/時、加 工面積 >1mm ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞620 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:走査型電子顕微鏡室401 岡田 紀子 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 17 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 実体顕微鏡 H26リストNo 271 ＜仕様・品質等＞ SZH-141 ＜製造元＞ オリンパス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 試料の立体観察 ＜詳細仕様＞ ｽﾞ-ﾑ比:8.5倍 透過･落射型照明 ＜使用料＞340 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 4 年度 1F:透過型電子顕微鏡室402 岡田 紀子 内線 技術イノベーション部 *114 技術コーディネート班 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 光電子分光装置 (ESCA) H26リストNo ＜仕様・品質等＞ 5600MC ＜製造元＞ アルバックファイ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 材料表面の組成･化学状態の分析、深さ方向の分析 ＜詳細仕様＞ X線源:Al/Mg、分解能(eV)-感度(kcps) (φ0.075mm) ＜使用料＞17600 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:表面分析室403 田口 香 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 4 年度 内線 550 技術コーディネート班 内線 :1.4eV-10kcps 273 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 2次元光検出器 H26リストNo 274 ＜仕様・品質等＞ BQ-73LN ＜製造元＞ ビットラン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 試料の反射像や磁化像などの2次元像を2次元光検出器で測 定・観察する ＜詳細仕様＞ ・電子冷却型CCDカメラ ・波長特性 検出波長帯域が400から650 nm以上 ・撮像面積：20 mm×20 mm以上 ・1フレームの画像取得に要する時間が1秒以内 ＜使用料＞110 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 22 年度 1F:磁気測定室404 近藤 祐治 先端機能素子開発部 内線 *209 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 紫外分光式磁気特性評価装置 H26リストNo 275 ＜仕様・品質等＞ BH-M800UV-HD-10 ＜製造元＞ ネオアーク ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 磁性材料の磁気特性を紫外域から可視域波長範囲にて評 価する装置。 ＜詳細仕様＞ カー効果測定装置 ＜使用料＞1400 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:磁気測定室404 山根 治起 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 波長範囲：250nmから900nm 波長送りピッチ：10nm 最大発生磁場：25k０e 17 年度 試料サイズ：φ65mmおよび10mm角以内 測定スポット径：約3x10mm 内線 *207 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高感度マグネットメータ H26リストNo 277 ＜仕様・品質等＞ MicroMag2900 ＜製造元＞ プリンストンメジャメンツ社 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 微小試料（薄膜）の磁気特性測定 ＜詳細仕様＞ 測定ﾚﾝｼﾞ:0.000001から5emu/FS、最大感度:10-8emu､分解 能:0.005%、磁界ﾚﾝｼﾞ:30から30kOe 測定試料（基板）大きさ：約2mm角、0.5mm厚 ＜使用料＞4400 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 1F:磁気測定室404 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ディンプルグラインダ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ D-500 ＜製造元＞ VCR ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 主に透過型電子顕微鏡用試料の研磨薄膜加工 ＜詳細仕様＞ 最終厚さ:10μm以下 ＜使用料＞1700 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:化学実験室405 岡田 紀子 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 4 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 278 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ダイヤラップ研磨システム H26リストNo 279 ＜仕様・品質等＞ ML-150P ＜製造元＞ マルトー ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 主に透過型電子顕微鏡用試料の研磨加工 ＜詳細仕様＞ ﾗｯﾌﾟ盤ｻｲｽﾞ:φ150mm､回転数:30から190rpm ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 1F:化学実験室405 岡田 紀子 技術イノベーション部 内線 *114 技術コーディネート班 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 低速切断機 H26リストNo 280 ＜仕様・品質等＞ SBT650 ＜製造元＞ サウスベイテクノロジー ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 主に透過型電子顕微鏡用試料の精密切断加工 ＜詳細仕様＞ 回転数:0～300rpm､試料ｻｲｽﾞ:φ33mm最小切断厚さ:0.2mm ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:化学実験室405 岡田 紀子 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 5 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 純水・超純水製造装置 H26リストNo 281 ＜仕様・品質等＞ RFU655DA・RFP543RA ＜製造元＞ アドバンテック ＜用途等＞ 設備分類: その他 めっき成膜を行う際の器具洗浄および試料洗浄等 ＜使用料＞240 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:化学実験室405 田口 香 技術イノベーション部 内線 ＜詳細仕様＞ ・純水の製造能力が10リットル/時以上 ・純水の純度（水質）が比抵抗値で3MΩ・ｃｍ（at 25℃）以上 ・純水のタンク容量が 50リットル以上 ・超純水の純度（水質）が比抵抗値で18MΩ・ｃｍ（at 22 年度 25℃）以上，或いは電気伝導率で0.06μS/ｃｍ（at 25℃）以下 ・超純水の水質がTOC 0.05mg/リットル以下 550 技術コーディネート班 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 恒温恒湿槽 H26リストNo 282 ＜仕様・品質等＞ AGX-224 ＜製造元＞ ADVANTEC ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 高温高湿耐環境試験 ＜詳細仕様＞ 温度:-20から100℃、湿度:30から98%、温度分布:±0.5℃: 湿度分布:±3%、w400×D400×H500 ＜使用料＞310 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:化学実験室405 櫻田 陽 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 7 年度 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 静電容量微小変位計 H26リストNo 283 ＜仕様・品質等＞ PS-Ⅲ-5D ＜製造元＞ ナノテックス ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 測定分解能：5nm、測定範囲：0から50μm、プローブ外 径：4mm、応答周波数：１KHz ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 16 年度 1F:化学実験室405 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 金属顕微鏡 H26リストNo 284 ＜仕様・品質等＞ XPF-UNRB ＜製造元＞ ニコン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 試料表面の観察及び撮影 ＜詳細仕様＞ 明視野､暗視野､微分干渉観察機能､最高倍率:1,000倍､写真 ｶﾒﾗ付き ＜使用料＞950 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:精密加工室406 伊勢 和幸 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 4 年度 内線 590(245) 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 静電式パターニング装置 H26リストNo 285 ＜仕様・品質等＞ QDX500-V-XC ＜製造元＞ エンジニアリングシステム（株） ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 金属微粒子や有機物質などを分散・溶解させた液材と、こ の液材の吐出対象である基板との間に電圧を印加すること で生じる静電引力を用いて液材を吐出し、微小形状膜を直 接形成する装置 ＜使用料＞1100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ 液材吐出方式：静電方式 液材吐出先端口径：標準10から200 μm 点描画形成ドット径：20μm以下 線描画形成ライン幅：30μm以下 常温時対応液材粘度：5 Pa･s 25 年度 描画範囲：XY:50 mm Z軸高さ方向調整量：100 mm 1F:精密加工室406 伊勢 和幸 内線 590(245) 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 揺動式片面精密研磨機 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ LPS-38A ＜製造元＞ 不二越 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 高精度研磨 ＜詳細仕様＞ ｴｱｰｽﾋﾟﾝﾄﾞﾙ定盤回転数:10から300rpm ＜使用料＞730 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:精密加工室406 山川 清志 内線 上級主席研究員 ＜副担当＞ 内線 *210 5 年度 286 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ハイトゲージ H26リストNo 287 ＜仕様・品質等＞ CERTO-CT60M ＜製造元＞ ハイデンハイン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 基板、部品などの厚さ、高さの計測 ＜詳細仕様＞ 最小表示:0.05μm、 ｽﾄﾛｰｸでのﾊﾞﾗﾂｷ:±0.１μm以内、 ｽﾄﾛｰｸ:60mm、操作:電動 ＜使用料＞420 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 6 年度 1F:精密加工室406 山川 清志 内線 *210 上級主席研究員 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 揺動式片面精密研磨機 H26リストNo 288 ＜仕様・品質等＞ SPL15 ＜製造元＞ ラップマスターSF ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 基板の鏡面加工 ＜詳細仕様＞ ｴｱｰﾍﾞｱﾘﾝｸﾞ定盤回転数:1から400rpm、最小切込量:1μmﾃｰ ﾌﾞﾙ上面水平度:2.0μm/380mm､ﾌｪｰｼﾝｸﾞ真直 度:0.4μm/140mm､ﾜｰｸ強制回転:0～280rpm ＜使用料＞1500 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:精密加工室406 山川 清志 内線 上級主席研究員 ＜副担当＞ 内線 *210 6 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ダイシング・ソー H26リストNo 289 ＜仕様・品質等＞ DAD320 ＜製造元＞ ディスコ ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） ガラスやシリコンなどの薄板の精密切断 ＜詳細仕様＞ 最大ﾜｰｸｻｲｽﾞ:φ<160mm、厚さ<2.5mm、回転数:20000rpm、X 軸送り速度:0.1から300mm/sec、最小移動単位:Y軸 0.2μm,Z軸 1μm ＜使用料＞1450 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 7 年度 1F:精密加工室406 内田 勝 電子光応用開発部 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ バッチ式多元スパッタ装置 H26リストNo 290 ＜仕様・品質等＞ SPM506 ＜製造元＞ トッキ ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 電子デハイス用薄膜作製全般。特に、磁性材料薄膜。 ＜詳細仕様＞ ﾌﾟﾚｰﾅﾏｸﾞﾈﾄﾛﾝ方式φ4ｲﾝﾁｶｿｰﾄﾞ6基（RFx2、DCx4）、ｽﾊﾟｯ ﾀｱｯﾌﾟ、基板6枚まで可、基板加熱:ﾀｰﾝﾃｰﾌﾞﾙ 300℃,ﾌﾞﾛｯ ｸﾋｰﾀ 500℃、到達圧力2×10-5Pa ＜使用料＞3750 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:ＣＲ薄膜作製409 新宅 一彦 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 7 年度 内線 *208 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ イオンビームガン H26リストNo 291 ＜仕様・品質等＞ EMIS-212 ＜製造元＞ アリオス ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（表面処理改質） イオンビームを薄膜作製前の基板に照射し、薄膜の密着 性向上などの表面活性化や、作製した薄膜に照射し酸化・ 窒化など薄膜の改質を行う装置。 ＜詳細仕様＞ ECRイオンガン(2.45 GHz)、Arなどの不活性イオン種、N2, O2などの活性イオン種が使用可能、イオン電流密度 >1.5 mA/cm2、有効ビーム径 >φ50mm ＜使用料＞430 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 17 年度 1F:ＣＲ薄膜作製409 内田 勝 電子光応用開発部 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ スパッタリング用パルス電源 H26リストNo 292 ＜仕様・品質等＞ RPG-50A-00 ＜製造元＞ 日本MKS ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 スパッタの際の電力を供給する電源として、特に酸化膜 を高品位に作製できるようにするためのパルス電源。 ＜詳細仕様＞ パルス周波数 50-250 kHz、出力デューティ比 0-40%、 最大出力 5kW、逆バイアス印加 ＜使用料＞290 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:ＣＲ薄膜作製409 内田 勝 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 17 年度 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スパッタ･蒸着複合装置 H26リストNo 293 ＜仕様・品質等＞ SPS506 ＜製造元＞ トッキ ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 ｽﾊﾟｯﾀﾘﾝｸﾞ方式と蒸着方式の両方で成膜 ＜詳細仕様＞ ｶｿｰﾄﾞ:φ4ｲﾝﾁﾌﾟﾚｰﾅﾏｸﾞﾈﾄﾛﾝ方式、ｽﾊﾟｯﾀｱｯﾌﾟ6基(EB蒸発源: 出力10Kw)、基板加熱:ｽﾊﾟｯﾀﾎﾙﾀﾞ 600℃,蒸着ﾎﾙﾀﾞ 300℃、 排気時間:10-4Pa台まで10分以内、到達圧力1×10-5Pa 成膜用基板の大きさ：1インチ角 ＜使用料＞3900 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 7 年度 1F:ＣＲ薄膜作製409 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 分子線エピタキシー装置 H26リストNo 294 ＜仕様・品質等＞ EW-100S ＜製造元＞ エイコー・エンジニアリング ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 原子一層の堆積を制御し、高品位の超格子・規則格子薄 膜や磁気・半導体デバイス用薄膜を作製するための装置。 ＜詳細仕様＞ エフュージョンセル：２基、電子ビーム：４基、基板最大 加熱温度：800℃、到達真空度：3×10-8Pa、RHEED装備 基板：1インチ角、0.5mm厚 ＜使用料＞4800 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:ＣＲ薄膜作製409 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 17 年度 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ディスクスパッタ装置 H26リストNo 301 ＜仕様・品質等＞ SSH-4S ＜製造元＞ 日本真空技術 ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 ﾃﾞｨｽｸ媒体用薄膜試料の作製 ＜詳細仕様＞ ﾁｬﾝﾊﾞ構成:仕込取出､前処理､第1ｽﾊﾟｯﾀ､第2ｽﾊﾟｯﾀ室基板 ｻｲｽﾞ:φ1.8から3.5ｲﾝﾁ取付基板枚数:8枚最高加熱温 度:650°静止､回転成膜 ＜使用料＞12300 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 1F:ＣＲ薄膜作製410 山根 治起 内線 電子光応用開発部 *207 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 光学式表面解析装置 H26リストNo 302 ＜仕様・品質等＞ OSA5100-200SQ ＜製造元＞ Candela Instruments ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 金属基板、ガラス基板などの表面形状(スクラッチ、 パーティクル、粗さ、残渣、欠陥など)や磁区構造などを 非接触で測定する装置。 ＜詳細仕様＞ 最小ｽｸﾗｯﾁｻｲｽﾞ：深さ<5 nm、幅<100 nm、最小ﾊﾟｰﾃｨ ｸﾙｻｲｽﾞ：<200 nm、磁気像(ｶｰ回転角)：<±50 mdeg、表面 ﾄﾎﾟｸﾞﾗﾌｨ(微小粗さ、うねり)感度：<0.1 nm ＜使用料＞1100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:ＣＲ薄膜作製410 山根 治起 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 *207 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ イオンミリング装置 H26リストNo 303 ＜仕様・品質等＞ ミラトロンⅣ ＜製造元＞ コモンウェルス ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（表面処理改質） ｱﾙｺﾞﾝｲｵﾝによる表面の微細加工 ＜詳細仕様＞ ﾋﾞｰﾑ径:φ4″､基板ｻｲｽﾞ:最大φ3″､加速電圧:200から 2,000V、最大ﾋﾞｰﾑ電流:250mA ＜使用料＞1900 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 4 年度 1F:ＣＲ薄膜作製410 山川 清志 内線 *210 上級主席研究員 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 超高真空多元スパッタ装置 H26リストNo 305 ＜仕様・品質等＞ MPS-4000-C6 ＜製造元＞ アルバック ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 ﾛｰﾄﾞﾛｯｸ室、酸化物製膜室(φ2ｲﾝﾁｶｿｰﾄﾞ2基)、ﾒﾀﾙ製膜室 (φ2ｲﾝﾁｶｿｰﾄﾞ6基)、基板加熱各室600℃、磁場印加機構、 到達圧力1.3×10-7Pa(ﾒﾀﾙ製膜室) ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞6000 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:ＣＲ薄膜作製410 新宅 一彦 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 15 年度 内線 *208 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ リークデテクター H26リストNo 307 ＜仕様・品質等＞ ASM120HS ＜製造元＞ 日電アネルバ ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（化学組成など） 真空容器の漏れ測定 ＜詳細仕様＞ 測定範囲：10-9～10-1mbarl/sec、ビッグリークモード10 -8から1mbarl/sec、応答時間<1sec、分析管感度：3×10 -4A/mbar ＜使用料＞810 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 4 年度 1F:ＣＲ薄膜作製410 内田 勝 電子光応用開発部 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ MEMS対応型マスクアライナ H26リストNo 308 ＜仕様・品質等＞ MA6BSA ＜製造元＞ ズース･マイクロテック ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 紫外線レジストへの露光 ＜詳細仕様＞ 基板ｻｲｽﾞ:からφ4″、露光モード:ﾌﾟﾛｷｼﾐﾃｨ、ｺﾝﾀｸﾄ、等、 光源：Hgﾗﾝﾌﾟ（g線）、解像度：1.0μm以下、裏面ｱﾗｲﾒﾝﾄ 対応、ｱﾗｲﾒﾝﾄ精度：±1μm以下 ＜使用料＞1950 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:ＣＲ微細加工411 伊勢 和幸 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 15 年度 内線 590(245) 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ レーザー直接描画装置 H26リストNo 309 ＜仕様・品質等＞ DWL 200UV ＜製造元＞ ハイデルベルク社 ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 フォトマスクの作製、およびマスクレスフォトリソグラ フィ ＜詳細仕様＞ 標準レジスト(ｉ,ｇ線)の露光、最大基板サイズ：200mm 角、最小描画線幅：0.6μm、自動フォーカス・位置合わせ 機能 ＜使用料＞270 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 10 年度 1F:ＣＲ微細加工411 高橋 慎吾 内線 *113 先端機能素子開発部 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 工場顕微鏡システム H26リストNo 310 ＜仕様・品質等＞ MM-11U ＜製造元＞ ニコン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 大寸法試料表面の観察 ＜詳細仕様＞ Ｚ軸ｽﾄﾛｰｸ:80mm、ＷＤ:8.5(×20)、微分干渉、多重干渉 デジタルスケール付き(0.001mm単位) ＜使用料＞2950 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:ＣＲ微細加工411 田口 香 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 4 年度 内線 550 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 超音波洗浄装置 H26リストNo 311 ＜仕様・品質等＞ W118 ＜製造元＞ 本多電子 ＜用途等＞ 設備分類: その他 基板等の洗浄 ＜詳細仕様＞ 最大出力:1200W、発振周波数:28kHz、45kHz、100kHz ＜使用料＞440 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 7 年度 1F:ＣＲ微細加工411 田口 香 内線 技術イノベーション部 550 技術コーディネート班 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 純水・超純水製造装置 H26リストNo 312 ＜仕様・品質等＞ Milli-Q Integral 10 ＜製造元＞ 日本ミリポア株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: その他 成膜前の基板洗浄およびレジスト現像後の洗浄用（ＣＲ 内） ＜使用料＞230 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:ＣＲ微細加工411 田口 香 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 内線 ＜詳細仕様＞ ・純水の製造能力が10リットル/時以上 ・純水の純度（水質）が比抵抗値で 3MΩ・ｃｍ （at 25℃）以上 ・純水のタンク容量が 50リットル以上 ・超純水の純度（水質）が比抵抗値で 18MΩ・ｃｍ 21 年度 （at 25℃）以上，或いは電気伝導率で 0.06μS/ｃｍ （at 25℃）以下 ・超純水の水質がTOC 0.05mg/リットル以下 550 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ サンプリングオシロスコープ H26リストNo 313 ＜仕様・品質等＞ 9354TM ＜製造元＞ レクロイジャパン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 波形信号の観察･収集･演算処理 ＜詳細仕様＞ ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞﾚｰﾄ:100MS/s、ﾁｬﾝﾈﾙ数:4ch､ｽﾄﾚｰｼﾞ長:2MW/ch、最 小垂直ﾚﾝｼﾞ:2mV､HD,FD,ICｶｰﾄﾞ､ﾌﾟﾘﾝﾀ付き ＜使用料＞150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 7 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 高速スペクトラムアナライザ H26リストNo 314 ＜仕様・品質等＞ E4401B ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電気信号の周波数特性の測定 ＜詳細仕様＞ 周波数帯域：9kHz～1.5ＧＨｚ,掃引レンジ: 5ms-2000s,最 小分解能帯域幅: 10Hz ,タイムゲート及びトラッキング ジェネレータ付 ＜使用料＞280 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 11 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高速パルスジェネレータ H26リストNo 315 ＜仕様・品質等＞ HP81110A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 任意の信号パターンの発生 ＜詳細仕様＞ 周波数：1mＨｚ～165ＭＨｚ、出力チャンネル数：2CH、発 生パタン長：2～16384 ＜使用料＞240 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 11 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ルビジウム周波数標準発振器 H26リストNo 316 ＜仕様・品質等＞ FS725 ＜製造元＞ スタンフォードリサーチ ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 基準信号出力数: 6出力(10MHz), 1出力(5MHz). 基準信号 振幅: 0.5Vrms以上.GPSと同期可能. ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 17 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電波暗室・EMI測定システム H26リストNo 317 ＜仕様・品質等＞ ESIB26a ＜製造元＞ Rohde&Schwars ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 放射電磁妨害波等の測定 ＜詳細仕様＞ 測定種目：放射ﾉｲｽﾞ，伝導ﾉｲｽﾞ（雑音端子電圧）、ﾚｼｰﾊﾞ 測定周波数：1～26.5ＧＨｚ、対応規格：CISPL，FCC， EN，ANSI，VCCI、ｱﾝﾃﾅﾚﾝｼﾞ：30MHz～300MHz～1GHz～18Ｇ Ｈｚ ＜使用料＞9550 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 16 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 電波暗室用センサスキャナ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ DM3423AV1/0 ＜製造元＞ デバイス ＜用途等＞ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞210 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 19 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 318 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 発振器 H26リストNo 319 ＜仕様・品質等＞ WF1973 ＜製造元＞ エヌエフ回路設計ブロック ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 19 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ロックインアンプ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ LI5640 ＜製造元＞ エヌエフ回路設計ブロック ＜用途等＞ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 19 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 設備分類: エレクトロニクス技術 320 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 低ノイズアンプ H26リストNo 321 ＜仕様・品質等＞ MLA-00118-B01-35 ＜製造元＞ TSJ ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 アンテナで受信した散乱波信号を増幅するために使用 ＜詳細仕様＞ ・周波数帯域1GHz～18GHz の信号を増幅 ・利得：23dB 以上 ・雑音指数：2.8dB 以下 ・入出力インピーダンス：50 Ω ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 20 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 高利得マイクロ波アンテナ H26リストNo 322 ＜仕様・品質等＞ EM-6969 ＜製造元＞ Electro Metrics ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電波暗室におけるEMC評価において，１ GHｚを越えるマイ クロ波領域の周波数の測定を行うために使用 ＜詳細仕様＞ ・６ GHｚから１８ GHｚ ・ゲイン：30 ｄB以上（典型値） ・雑音指数：3.0 dB以内（典型値） ・アンテナ単体のゲインは14 dBi以上（特定周波数） ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 21 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 自動車用直流電源インピーダンス安定化回路網 H26リストNo 323 ＜仕様・品質等＞ NNBM8125 ＜製造元＞ Schwarzbeck Mess Elektronik ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 国際規格に準拠した自動車電装品のEMI 試験を行うための 自動車用直流電源インピーダンス安定化回路網 ＜詳細仕様＞ ・CISPR 25 規格に準拠したインピーダンス特性 ・電圧最大定格42V 以上 ・電流最大定格40A 以上 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 21 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ CISPR22対応電波吸収体 H26リストNo 324 ＜仕様・品質等＞ IS-030A ＜製造元＞ TDK ＜用途等＞ 設備分類: その他 電波暗室におけるEMC評価において，１ GHzを越えるマイ クロ波領域の周波数の測定を行うために使用 ＜詳細仕様＞ CISPR22に定めるSVSWR特性を下記周波数範囲で満たす吸収 特性 ○１ GHｚから６ GHｚ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 22 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 電磁シールド特性評価システム H26リストNo 325 ＜仕様・品質等＞ KEC法測定システム ＜製造元＞ テクノサイエンスジャパン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） KEC(関西電子工業振興センター) 法を用いたシールド特性 の評価に使用 ＜詳細仕様＞ ・周波数150 kHz{1 GHz の範囲でシールド特性を評価可能 ・4. 60dB 以上の測定ダイナミックレンジ ・外形50mm × 50mm、厚さ3 mm の試料を評価可能 ＜使用料＞110 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 22 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 雑音電力測定システム H26リストNo ＜仕様・品質等＞ MAC600A-AJ , EPS/RFP-AJ ＜製造元＞ 東陽テクニカ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） LED照明等の雑音電力測定装置。 ＜詳細仕様＞ 吸収クランプを自動で移動，位置設定可能 吸収クランプ走行台の高さ：0.8m 吸収クランプの走行長：5.6m ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 25 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 326 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 雑音測定用疑似通信回路網 H26リストNo 327 ＜仕様・品質等＞ KNW-2208, KNW-441, およびF-51 ＜製造元＞ 協立電子工業(株) ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電気用品安全法（PSE），VCCI，その他EMC規制で制定され た通信ポート，負荷端子，あるいは補助端子の伝導妨害波 を測定するための装置 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ インピーダンス安定化回路網(ISN) ・平衡4対線(8線)の測定が可能 ・150ｋHz-30MHｚで150±20Ωのコモンモードインピーダンス ・150ｋHz-30MHｚで0°±20°のコモンモードインピーダンスの 位相角 ・150kHz-1.5MHｚで35-55ｄB以上の対向機器からの妨害波分離 25 年度 度 ・1.5MHz-30MHｚで55ｄB以上の対向機器からの妨害波分離度 木谷 貴則 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 *213 ＜名称等＞ 超微小硬度計 H26リストNo 328 ＜仕様・品質等＞ MHA-400 ＜製造元＞ 日本電気 ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 薄膜の硬さ測定 ＜詳細仕様＞ 荷重:0.1mg～10g、膜厚:0.1μm以上 ＜使用料＞14700 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:精密測定室407 経徳 敏明 素形材プロセス開発部 ＜副担当＞ 内線 4 年度 ＜試料の準備＞ ・針の位置を確認するのに試料表面に写る反射像を 利用しますので、試料表面が鏡面である必要があります。 585 環境・エネルギーGr 内線 ・正しい測定のため、 試料形状は平板であること、 試料の測定面だけではなく、天秤皿に接する面もバリ等 が無いこと 、が必要です。 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 触針式表面形状測定装置 H26リストNo 329 ＜仕様・品質等＞ DEKTAK150 ＜製造元＞ アルバック ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 薄膜の厚さ、材料表面の粗さ、エッチングの深さなどの測 定に用いる ＜詳細仕様＞ ・垂直方向の測定分解能：0.1 nm以下 ・表面段差の測定再現性：1σが1 nm以下 ・走査距離：10 mm以上 ・ステージサイズ：100 mm径以上 ・サンプル観察倍率：50倍以上 ＜使用料＞250 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 21 年度 1F:精密測定室407 千葉 隆 技術イノベーション部 内線 540 技術コーディネート班 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 走査型プローブ顕微鏡 （走査型トンネル顕微鏡） H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ナノスコープⅢ ＜製造元＞ デジタル･インスツルメンツ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 表面微細構造及び磁区の観察 ＜詳細仕様＞ 機械分解能(垂直､水平):0.01nm、 AFM,MFM機能 ＜使用料＞7850 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:精密測定室407 田口 香 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 4 年度 内線 550 技術コーディネート班 内線 330 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 大型サンプルSPM観測ステージ H26リストNo 331 ＜仕様・品質等＞ D3000 ＜製造元＞ デジタル･インスツルメンツ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 走査型プローブ顕微鏡に付随した6インチまでの基板等の 表面観察用ステージ ＜詳細仕様＞ ﾉｲｽﾞﾚﾍﾞﾙ:0.5Årms(誤差)、試料ｻｲｽﾞ:φ150mm、厚 さ:12mm、ｽﾃｰｼﾞ可動範囲:125mm×100mm、AFM.MFM機能付き ＜使用料＞2200 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 7 年度 1F:精密測定室407 田口 香 技術イノベーション部 内線 550 技術コーディネート班 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 走査型プローブ顕微鏡用駆動システム H26リストNo 332 ＜仕様・品質等＞ RDS-F/DSP ＜製造元＞ Veeco ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 走査型プローブ顕微鏡に付随し，装置の駆動およびデータ 解析，処理を行う ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:精密測定室407 田口 香 技術イノベーション部 ＜副担当＞ 13 年度 内線 550 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ MTF評価装置 H26リストNo 333 ＜仕様・品質等＞ Image Master HR LP ＜製造元＞ トライオプティクス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 撮像用レンズの画質の評価の性能指標であるMTF値を評価･ 測定する装置 ＜使用料＞540 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:精密測定室407 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 ＜詳細仕様＞ ・被検レンズの焦点距離：10～200mmを含む ・像高移動量：±25mm以上 ・軸外角度：±90度 ・入射瞳：φ15mm ・MTF基本測定：軸上および軸外で､SagおよびTangの測定 21 年度 ・補助測定および解析：EFL測定､周辺光量比解析､像面湾 曲解析､焦点深度解析､非点収差解析､色収差測定 ・測定空間周波数：500LP/mm以上 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 自動エリプソメータ H26リストNo 334 ＜仕様・品質等＞ DVA-FZVW ＜製造元＞ 溝尻光学工業所 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 光学定数(屈折率､吸光定数)及び膜厚の測定 ＜詳細仕様＞ 測定波長範囲:350～850nm、測定分解能:△=±0.02゜,ψ= ±0.01゜ ＜使用料＞1150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:精密測定室407 梁瀬 智 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 4 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 金属顕微鏡システム H26リストNo 335 ＜仕様・品質等＞ BH3-MJL ＜製造元＞ オリンパス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 超解像ピンホールによる高倍率観察。CCDカメラによるビ デオ映像観察およびポラロイド写真の撮影。 ＜詳細仕様＞ 接眼ﾚﾝｽﾞ:超広視野ﾀｲﾌﾟ､超長作動ﾀｲﾌﾟ､x50～x2500､明･暗･ 微分干渉切換、2/3"CCD3板式TVｶﾒﾗ･ｶﾗ-ﾓﾆﾀ-･ﾎﾟﾗﾛｲﾄﾞ･ 35MMｶﾒﾗ撮像ｱﾀﾞﾌﾟﾀｰ付き ＜使用料＞1500 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 6 年度 1F:精密測定室407 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ナノ加工用イオンビーム装置 H26リストNo 336 ＜仕様・品質等＞ SMI2050 ＜製造元＞ セイコーインスツルメンツ㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） SIM像観察(分解能5nm)､マスクレス任意形状加工､任意形状 カーボン堆積機能 ＜詳細仕様＞ イオン源: Ga液体金属 加速電圧: 30 kV 最大プローブ電流: 20 nA 試料サイズ: 50 mm角以下，12 mm厚以下 試料ステージ: xyz並進，R回転，T回転 ＜使用料＞4000 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロA）414 近藤 祐治 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 14 年度 田口 香 内線 *209 スピン・ナノデバイスGr 内線 550 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ クリーンブースB(H17導入) H26リストNo 337 ＜仕様・品質等＞ ECB02-22D5 ＜製造元＞ 日本エアーテック ＜用途等＞ 設備分類: その他 磁気ディスクなどの性能検査用の装置等を清浄雰囲気で 収納し、作業を行うための装置。 ＜詳細仕様＞ 清浄度：クラス１００ ＨＥＰＡフィルター 蛍光灯：４０ｗ×２ 内寸法:2000(W)x2000(D)x2300(H) mm ＜使用料＞120 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 17 年度 1F:試験室（メカトロA）414 近藤 祐治 先端機能素子開発部 内線 *209 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 電子ビーム描画装置 H26リストNo 338 ＜仕様・品質等＞ ELS-7500 ＜製造元＞ エリオニクス ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 平面基板上に塗布したレジストに電子線走査により露光す ることで、ナノメートル～マイクロメートルサイズの任意 形状パターンを形成することができる。 また、基板上に形成した微小パターンの観察を行なうため の電子顕微鏡としても使用できる。 ＜使用料＞3050 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロA）414 近藤 祐治 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ 走査方法: ベクター方式， 最小ビームサイズ: φ2 nm 加速電圧: 50 kV ビーム電流: 5 pA～50 nA 電子線走査領域: 75 μm～1.2 mm 19 年度 基板サイズ: φ3インチ以下 重ね合せ精度: 150 nm 内線 *209 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ FFTアナライザ H26リストNo 339 ＜仕様・品質等＞ HP35670A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 制御系の周波数応答や機器振動成分を測定 ＜詳細仕様＞ 周波数ﾚﾝｼﾞ:122μHz～102.4kHz、ﾀﾞｲﾅﾐｯｸﾚﾝｼﾞ:90dB､確度: ±0.15dB ＜使用料＞1150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 加速度センサ H26リストNo 340 ＜仕様・品質等＞ JA-5VC3 ＜製造元＞ 日本航空電子工業 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 低周波の加速度を高精度に測定 ＜詳細仕様＞ 測定範囲:±２Ｇ､測定分解能:0.1mG以下、応答周波数:DC ～300Hz ＜使用料＞350 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 5 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ディジタルオシロスコープ H26リストNo 341 ＜仕様・品質等＞ HP54542A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 磁気ﾍｯﾄﾞのｻｰﾎﾞ、制御信号の測定 ＜詳細仕様＞ ﾊﾞﾝﾄﾞ巾:500ＭＨｚ、ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ速度:2GS/S(4CH同時) ＜使用料＞760 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 任意波形発生器 H26リストNo 342 ＜仕様・品質等＞ AG4100 ＜製造元＞ 横河電機 ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 制御系に加わる外乱信号を模擬する信号源 ＜詳細仕様＞ 出力ﾁｬﾝﾈﾙ数:3ch、出力振幅分解能:12bit、ｸﾛｯｸﾚｰﾄ:400Ｍ Ｈｚ、設定分解能:1Hz ＜使用料＞1850 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 5 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 光マイクロメータ H26リストNo 343 ＜仕様・品質等＞ MTI-2000 1157 ＜製造元＞ MTI ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 微少な変位量を非接触で高精度に測定 ＜詳細仕様＞ 測定分解能:0.25nm､測定範囲:0～5mm､ｽﾎﾟｯﾄｻｲｽﾞ: φ0.483mm応答速度:1.3mm/s ＜使用料＞610 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 微小変位計光マイクロメータ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ MTI-2000 1165 ＜製造元＞ MTI ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 微少な変位量を非接触で高精度に測定 ＜詳細仕様＞ 測定分解能:0.25nm､測定範囲:0～5mm､ｽﾎﾟｯﾄｻｲｽﾞ: φ0.483mm応答速度:1.3mm/s ＜使用料＞330 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 5 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 344 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ レーザードップラー振動計 H26リストNo 345 ＜仕様・品質等＞ LV-1500 ＜製造元＞ 小野測器 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 微小部及び２点間の相対的な振動を非接触で測定 ＜詳細仕様＞ 測定周波数帯域:1Hz～1.5ＭＨｚ、測定速度範囲:10μm/s ～5m/s、ﾚｰｻﾞｽﾎﾟｯﾄｻｲｽﾞ:φ100μm以下相対振動測定機能有 り ＜使用料＞1150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ FFTサーボアナライザ H26リストNo 346 ＜仕様・品質等＞ HP35670A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 制御系の周波数応答や機器振動の周波数成分を分析・評価 ＜詳細仕様＞ 周波数ﾚﾝｼﾞ:122μHz～102.4kHz、ﾀﾞｲﾅﾐｯｸﾚﾝｼﾞ:90dB､確 度:0.25dB ＜使用料＞630 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 7 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ タイムインターバルアナライザ H26リストNo 347 ＜仕様・品質等＞ HPE1725B ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 ﾓｰﾀ等の回転ﾑﾗ､回転ﾌﾞﾚや偏心の解析 ＜詳細仕様＞ 入力数:2ch,最大測定ﾚｰﾄ:80ＭＨｚ,最小ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ間 隔:25nsec,測定項目:周波数､周期､時間偏差､位相偏差､ ﾋｽﾄｸﾞﾗﾑ､測定分解能:50psec,ﾒﾓﾘ:256k個 ＜使用料＞1400 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 7 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 高分解能光ファイバー式変位計 H26リストNo 348 ＜仕様・品質等＞ ATW-01 +ATP-A20 ＜製造元＞ フォトニクス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 測定範囲：２０μｍ、感度：２ｎｍ／ｍＶ、測定スポット 径：φ0.1ｍｍ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞220 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高周波連続可変フィルタ(H13導入) H26リストNo 349 ＜仕様・品質等＞ 3660A ＜製造元＞ エヌエフ回路設計ブロック ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 100ＭＨｚの高周波ﾛｰﾊﾟｽﾌｨﾙﾀ、減衰傾度48dB/oct、遮断周 波数範囲:1ＭＨｚ～100ＭＨｚ、入力ｱﾝﾌﾟ利得:1,2,5,10倍 切換え可 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 13 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ FFTアナライザー H26リストNo 350 ＜仕様・品質等＞ 35670A ＜製造元＞ アジレントテクノロジー ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 アクチュエータ等の制御系の設計及び評価を行うため、 動特性を周波数領域で解析し、制御系の設計に必要な機械 系のモデル化と制御性能を評価するための測定器。 ＜詳細仕様＞ 入力チャンネル：４チャンネル サーボアナライズ機能あり 最小周波数分解能：１０ｍＨｚ以下 ＜使用料＞170 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 17 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 5ch 静電容量変位計 H26リストNo 351 ＜仕様・品質等＞ PS-Ⅲ-5D ＜製造元＞ ナノテックス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 高速・高精度なアクチュエータの微小で高速な動作を、 高温・高湿環境において測定することができる装置。 ＜詳細仕様＞ 測定分解能：5nm、測定範囲：0～50μm、プローブ外径： 4mm、応答周波数：１KHz ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 17 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ オートコリメータ H26リストNo 352 ＜仕様・品質等＞ 6B ＜製造元＞ ニコン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 高精度なステージを評価するため、ステージ本体または 各構成部品の直角度，平面度、真直度等を評価するのに用 いられる、光学式の高精度測定装置。 ＜詳細仕様＞ 測定範囲：３０分 最小読取範囲：０．１秒 ＜使用料＞220 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高速・高精度制御装置 H26リストNo 353 ＜仕様・品質等＞ NMC 7880 ＜製造元＞ MED ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 高速・高精度位置決めに不可欠な高分解能なインター フェースと高速な演算処理用のCPUで構成されるアクチュ エータ制御装置。 ＜詳細仕様＞ CPU動作周波数：400MHz 入出力AD,DA分解能：16bit ディジタル入力：DB96-T02 (SONY)に対応 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 18 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 超高分解能光学スケール H26リストNo ＜製造元＞ Sony Manufacturing Systems Corporation 354 ＜仕様・品質等＞ BH20 ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 半導体製造装置の位置決め機構などに用いる超精密ス テージの研究開発に適用する位置フィードバック用の反射 型光学スケール装置。 ＜詳細仕様＞ 31.25pm分解能光学スケール 測定分解能：0.03125nm 測定範囲：10mm 光源：半導体レーザ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 平面検出型光学スケール H26リストNo ＜製造元＞ Sony Manufacturing Systems Corporation 355 ＜仕様・品質等＞ BZ ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 半導体製造装置用に平面モータのX-Y平面内の高速で高 精度な位置決め機構の位置フィードバックに用いられる反 射光学型２次元スケール。 ＜詳細仕様＞ 40nm分解能平面検出型光学スケール 測定分解能：0.0625nm 測定範囲：0.5×0.5mm 光源：半導体レーザ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 18 年度 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ FFTアナライザー H26リストNo ＜仕様・品質等＞ DS-2100 ＜製造元＞ 小野測器 ＜用途等＞ ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞220 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 19 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 設備分類: メカトロニクス技術 356 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スペクトラムアナライザ H26リストNo 357 ＜仕様・品質等＞ HP4396B ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電気的な検出信号の周期と振幅を測定し、解析する機器 ＜詳細仕様＞ 周波数範囲:2Hz～1.8ＧＨｚ、周波数分解能:0.001Hz、周 波数基準確度:1.3×10-7／年 ＜使用料＞920 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 9 年度 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 高分解能オシロスコープ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ HP54540C ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 微小変位等の信号波形測定 ＜詳細仕様＞ ﾊﾞﾝﾄﾞ巾:500ＭＨｚ、ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞﾚｰﾄ:2G、ｻﾝﾌﾟﾙ/s (1ch),500Mｻﾝﾌﾟﾙ/s(4ch)、測定感度:1mV～5V/div ＜使用料＞390 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 7 年度 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 358 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ マイクロスコープ H26リストNo 359 ＜仕様・品質等＞ KH-7700 ＜製造元＞ ハイロックス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞230 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 19 年度 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 高分解能・光学スケール H26リストNo ＜製造元＞ ソニーマニュファクチュアリングシステムズ 360 ＜仕様・品質等＞ BH20 ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 被測定物体から反射、散乱された光ビームの位置変化を光 の回折と干渉を利用して、明暗の縞（しま）を作り出し、 この明暗の変化をカウントして位置検出する ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ①測定分解能：0.1nm以下 ②測定範囲：10mm以上 ③スケール精度：±100nm以下 ④繰り返し精度：位置決め制御目標値±1nm以下 ⑤光源：半導体レーザー （円／時間） ＜導入年度＞平成 20 年度 ⑥検出原理：格子干渉式の反射型 ⑦応答速度：100mm/sec以上 ⑧スケール荷重：5g以下 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ロジックアナライザ H26リストNo 361 ＜仕様・品質等＞ 16804A ＜製造元＞ アジレントテクノロジー㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 被測定回路にプローブと呼ばれる端子を用いて接続し、信 号を読み取ってデジタル化して記録し、ディスプレイにそ の波形をグラフィックス表示したりすることができる ＜詳細仕様＞ ・ロジックアナライザー：チャンネル数は116以上 ・最大タイミング・サンプリング・レート：フルチャネル で500MHz以上 ・最大ステート・クロック・レート：400MHz以上 ・最大メモリ長は32MB以上 ＜使用料＞240 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 20 年度 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ オシロスコープ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ DSO7104A ＜製造元＞ アジレントテクノロジー㈱ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 高速な電気信号の時間的変化をグラフとして表示 ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・測定周波数帯域が1GHz以上 ・サンプリングレートが4GSa/s以上 ・測定チャンネルが4ch以上 ・メモリ長が全チャンネル測定時，4Mpts以上 ・垂直軸測定レンジの下限が2mV/div 以下 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ・垂直軸測定レンジの上限が5V/div 以上 ・時間軸測定レンジの下限が500ps/div 以下 ・時間軸測定レンジの上限が50s/div 以上 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 362 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高分解能・光学スケール H26リストNo 363 ＜仕様・品質等＞ BH25, BD96-B1400HC特 ＜製造元＞ ｿﾆｰﾏﾆｭﾌｧｸﾁｭｱﾘﾝｸﾞｼｽﾃﾑｽﾞ ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 被測定物体から反射、散乱された光ビームの位置変化を光 の回折と干渉を利用して、明暗の縞（しま）を作り出し、 この明暗の変化をカウントして位置検出する ＜使用料＞110 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ①測定分解能：0.05nm以下 ②測定範囲：100mm以上 ③スケール精度：±100nm以下 ④繰り返し精度：位置決め制御目標値±1nm以下 ⑤光源：半導体レーザー （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ⑥検出原理：格子干渉式 ⑦応答速度：100mm/sec以上 ⑧スケール荷重：50g以下 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ファンクションジェネレータ（2ch出力） H26リストNo 364 ＜仕様・品質等＞ AFG3252 ＜製造元＞ テクトロニクス株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 テスト信号を生成する汎用発振器の一種で、正弦波や矩形 波を始め任意の波形を出力 ＜使用料＞100 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ ＜詳細仕様＞ ・出力チャンネルは，2ch以上 ・周波数レンジは，パルス出力（方形波）で120MHz以上 ・パルス出力時，100psの分解能 ・出力可能な波形は，正弦波/方形波/パルス/三角波/ラン プ波/任意波 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ・変調機能は，AM/FM/PM/FSK/PWM/掃引/バースト ・最小出力振幅は，50mVpp以下 ・最大出力振幅は，5Vpp以上 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ レーザ干渉変位計システム H26リストNo 365 ＜仕様・品質等＞ LV-2100 ＜製造元＞ 株式会社小野測器 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） わずかに周波数が異なる信号光と，参照光のレーザ光を重 ね合わせて，そのビート（うなり）信号を検出する測定手 法 ＜使用料＞120 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ①測定分解能は，0.5nm以下 ②測定時の測定物までの設置距離は，100mm以上が可能 ③測定にスケールやミラーなどを用いない非接触測定が可 能 ④測定値のアナログの出力リップルノイズは，10mVpp以下 21 年度 ⑤測定可能周波数は，50kHz以上 荒川 亮 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 *262 ＜名称等＞ 除振台 ＜製造元＞ 明立精機 H26リストNo 366 ＜仕様・品質等＞ MAPS～008A～G1010 ＜用途等＞ 設備分類: その他 精密測定における外部の振動の影響を抑えるために振動を 減衰させる装置 ＜詳細仕様＞ ・定盤の材質は黒御影石（１級）以上 ・定盤のサイズは1000mm×1000mm×200mm以上 ・除振機構：定盤に対するアクティブ制御機構を有し，水 平XY方向，鉛直Z方向およびその回転方向を制御する６自 由度制御可能 ＜使用料＞270 （円／時間） ＜導入年度＞平成 22 年度 ・固有周波数：垂直，水平とも１Hz以下 ・除振性能：パッシブ除振とアクティブ除振含む除振機構 ＜設置場所＞ において，鉛直Z方向の外乱10nm以下の振幅，DC～500Hzま 高度技術研究館 1F:試験室（メカトロB）413 での振動に対して除振可能 ＜主担当＞ 櫻田 陽 内線 *265 ・位相特性：アクティブ制御範囲内にて位相遅れが90度以 下 電子光応用開発部 ナノメカニカル制御Gr ・水平維持：水平の位置決め精度は，定盤（水平XY方向） 内線 に対して鉛直Z方向の振動をアクティブ制御範囲内で ＜副担当＞ ±10μm以下に自動水平維持可能 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ レーザドップラ振動計 H26リストNo 368 ＜仕様・品質等＞ LV-1800 ＜製造元＞ 小野測器 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 微小部及び２点間の相対的な振動を非接触で測定 ＜詳細仕様＞ 測定周波数帯域:0.3Hz～3ＭＨｚ 測定速度範囲:0.3μm/s～10m/s ﾚｰｻﾞｽﾎﾟｯﾄｻｲｽﾞ:φ20μm以下 相対振動測定機能有り ＜使用料＞140 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 内線 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 25 年度 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 荒川 亮 *262 ＜名称等＞ 振動周波数分析器 H26リストNo 369 ＜仕様・品質等＞ FRA5097 ＜製造元＞ 株式会社エヌエフ回路設計ブロック ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 アクチュエータ等の制御系の設計及び評価を行うため、 動特性を周波数領域で解析し、制御系の設計に必要な機械 系のモデル化と制御性能を評価するための測定器。 ＜詳細仕様＞ ・信号入力チャンネルは2ch ・周波数帯域：0.1mHz～15MHz ・測定用信号源出力は、-10V～10V ＜使用料＞120 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（メカトロB）413 櫻田 陽 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 25 年度 荒川 亮 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 *262 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ GMR評価高磁界用マグネット電源 H26リストNo 370 ＜仕様・品質等＞ PBX20～20 ＜製造元＞ 菊水電子工業 ＜用途等＞ 設備分類: その他 バイポーラ出力：最大±20V,±20A、誘導性・容量性負荷 の駆動、任意波形出力、ＧＰＩＢインターフェイス ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 10 年度 1F:試験室（新材料B）412 山川 清志 内線 *210 内線 *207 上級主席研究員 ＜副担当＞ 山根 治起 ＜名称等＞ 発振器 H26リストNo 371 ＜仕様・品質等＞ HP81110A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 任意の信号パターンを発生させる ＜詳細仕様＞ 周波数：1ＭＨｚ～165ＭＨｚ、出力チャンネル数：2CH、 発生パタン長：2～16384 ＜使用料＞240 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 11 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スポットUV照射装置 H26リストNo 372 ＜仕様・品質等＞ トスキュア250 ＜製造元＞ 東芝ライテック ＜用途等＞ 設備分類: その他 紫外線硬化樹脂の光源 ＜詳細仕様＞ 超高圧水銀ﾗﾝﾌﾟ:250W、ＵＶ強度:3000mW/cm2 ＜使用料＞290 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 5 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 梁瀬 智 ＜名称等＞ クリーンブースC(H17導入) H26リストNo ＜仕様・品質等＞ ACB-352C-特型 ＜製造元＞ 日本エアテック ＜用途等＞ 設備分類: その他 簡易型の清浄スペース ＜詳細仕様＞ クラス100、有効寸法 ＜使用料＞120 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 7 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 mm× mm× mm 373 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 光学顕微鏡 H26リストNo 374 ＜仕様・品質等＞ MM-11U ＜製造元＞ ニコン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 金属や薄膜素子の表面観察 ＜詳細仕様＞ 接眼ﾚﾝｽﾞ:視野数20､10×、 対物ﾚﾝｽﾞ:超長作動ﾀｲﾌﾟ､～ 100×､明･暗･微分干渉、ﾎﾟﾗﾛｲﾄﾞ撮影機能 マイクロメータステージ付き ＜使用料＞580 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 7 年度 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ローパスフィルタ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ 3660A ＜製造元＞ エヌエフ回路設計ブロック ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 高周波の不要雑音の除去 ＜詳細仕様＞ 遮断周波数の可変範囲:1MHz～100MHz 減衰傾度48dB/oct 入力ｱﾝﾌﾟ利得:1,2,5,10倍切換え可 ＜使用料＞430 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 9 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 375 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ロングメモリオシロスコープ H26リストNo 377 ＜仕様・品質等＞ LC574AL ＜製造元＞ レクロイ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電気信号波形の計測 ＜詳細仕様＞ 入力: 4ch, アナログ帯域幅：1ＧＨｚ サンプリング速 度：4GS/s(1ch),2GS/s(2ch同時) ストレージ長：8Mワード (1ch),4Mワード(2ch同時) ＜使用料＞670 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 11 年度 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ オシロスコープ H26リストNo 378 ＜仕様・品質等＞ 54622A ＜製造元＞ AgilentTechnologies ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電気信号波形の計測 ＜詳細仕様＞ 入力: 2ch, ｱﾅﾛｸﾞ帯域幅: 100ＭＨｚ, サンプリング速度: 200MS/s (2ch同時), ストレージ長: 2Mワード(2ch同時) ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スペクトラムアナライザ H26リストNo 379 ＜仕様・品質等＞ E4411B ＜製造元＞ AgilentTechnologies ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電気信号の周波数特性の測定 ＜詳細仕様＞ 周波数帯域：9kHz～1.5GHz 掃引レンジ: 4ms-4000s 最小分解能帯域幅: 1kHz ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 12 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 丹 健二 543 ＜名称等＞ 高精度スピンスタンド H26リストNo 380 ＜仕様・品質等＞ LS1000/500PS-ⅡK ＜製造元＞ 協同電子システム ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 磁気ディスクおよび磁気ヘッドの記録再生特性評価。 ＜詳細仕様＞ ｽﾋﾟﾝﾄﾞﾙ回転数：1600～20000rpm、ｽﾋﾟﾝﾄﾞﾙ回転振れ（非同 期成分）：5nm以下、微動ｽﾃｰｼﾞ移動精度：0.5nm、ｽﾃｰｼﾞ位 置繰り返し精度：10nm以下、トラックサーボ機能有 ＜使用料＞2450 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 1F:試験室（新材料B）412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ GPIB直流電源装置 H26リストNo 381 ＜仕様・品質等＞ PB×40-5 ＜製造元＞ 菊水電子 ＜用途等＞ 設備分類: その他 記録信号電源及び計測機の制御 ＜詳細仕様＞ 電流範囲:±5A(ﾊﾞｲﾎﾟｰﾗ)、電圧範囲:±40V(ﾊﾞｲﾎﾟｰﾗ)、電 流電圧誤差:0.01% ＜使用料＞260 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 2F:高機能開放研究室D 240 神田 哲典 先端機能素子開発部 内線 *201 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 磁気抵抗測定装置 H26リストNo 382 ＜仕様・品質等＞ MRMS-10K ＜製造元＞ ハヤマ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 磁場中で磁性薄膜および半導体薄膜の電気特性を評価する ために用いる ＜詳細仕様＞ 測定試料：1インチ角、0.5mm厚 ＜使用料＞3700 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:高機能開放研究室D 240 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 磁場印加システム ○バイポーラ電源により、最大10 kOe以上、最小-10 kOe 以下の磁場を測定試料に印加可能 20 年度 磁場の測定の分解能が0.1 Oe以下 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 ○プローバー DCから最大3 GHzの周波数帯域を測定できるプローブを４ 基以上備えている 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ バランシングマシン H26リストNo 384 ＜仕様・品質等＞ RI00/RI0/RS1 ＜製造元＞ 長浜製作所 ＜用途等＞ 設備分類: メカトロニクス技術 モータの回転子など高速・高精度に回転する部品を実際 に回転させ、その回転時にアンバランス(不釣合い)によっ て発生する振動を測定し、回転体の有する微小な不釣合い 量とその位置を正確に検出する装置。 ＜詳細仕様＞ 釣合い良さの等級：G0.4以下、釣り合い良さの上限値： 0.4 mm/s以下、許容残留比不釣合い：0.1 g mm/kg （10,000rpm時） ＜使用料＞320 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 16 年度 2F:試験室（メカトロC）453 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ スポット溶接機 H26リストNo 385 ＜仕様・品質等＞ YG501SPF ＜製造元＞ 松下電器 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（表面処理改質） 金属板同士を小さなｽﾎﾟｯﾄで溶接 ＜詳細仕様＞ 溶接能力:Sus,Bs,Fe、板厚0.5mm×２枚以下のｽﾎﾟｯﾄ溶接 ＜使用料＞300 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロC）453 丹 健二 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 内線 543 電子・通信Gr 内線 5 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 小型旋盤 H26リストNo 386 ＜仕様・品質等＞ コンパクト8 ＜製造元＞ エムコ社 ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 治具の作製(旋盤､ﾌﾗｲｽ､中ぐり､ねじ切り加工) ＜詳細仕様＞ ｾﾝﾀｰ間距離:450mm､ｾﾝﾀｰﾊｲﾄ:105mm主軸回転数:100～ 1,700rpm､ﾓｰﾀ:100V,0.5ps ＜使用料＞580 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 2F:試験室（メカトロC）453 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 立型帯鋸盤 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ VWS-55 ＜製造元＞ ラクソー ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（機械除去など） 金属および脆弱性材料の切断加工 ＜詳細仕様＞ 切断能力:H190mm×D500mm､ﾃｰﾌﾞﾙｻｲｽﾞ:500mm×400mm､ﾓｰ ﾀ:200V,400W ＜使用料＞280 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロC）453 櫻田 陽 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 5 年度 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 387 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 偏光顕微鏡 H26リストNo 388 ＜仕様・品質等＞ ＢＨＳ−７５１−Ｐ型 ＜製造元＞ オリンパス光学工業（株） ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 試料の偏光像を観察することにより、結晶状態や微細構造 を解析する装置 ＜詳細仕様＞ 対物レンズ：×４，×１０，×２０、×４０ 接眼レンズ：×１０ ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 S62 年度 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロB）452 梁瀬 智 電子光応用開発部 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ワードジェネレーター H26リストNo ＜仕様・品質等＞ HP8110A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 任意の信号ﾊﾟﾀｰﾝを発生させる ＜詳細仕様＞ ﾃﾞｰﾀ速度:150ＭＨｚ､出力ﾁｬﾝﾈﾙ数:2ch、ﾜｰﾄﾞ長:2～ 65536bit ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロB）452 梁瀬 智 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 7 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 389 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 顕微鏡用デジタルカメラ H26リストNo 390 ＜仕様・品質等＞ DS-Fi1 ＜製造元＞ ニコン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 顕微鏡観察画像の取り込み、解析、保存 ＜詳細仕様＞ 2/3 カラーＣＣＤ 524万画素 12bit Cマウント 自動、補正等の調節可能 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 19 年度 2F:試験室（メカトロB）452 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 高フレームレートカメラ H26リストNo 391 ＜仕様・品質等＞ Dragonfly Express DX-BW-CS ＜製造元＞ Point Grey Research ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 高フレームレートのモノクロデジタルカメラユニットと、 パソコンにデータ転送を行うインターフェースボードとそ の制御ソフトから構成 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロB）452 梁瀬 智 電子光応用開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ・フレームレート：最大200 fps ・有効画素数：640×480 ・グレースケール：8 biｔ ・Cマウント ・露光時間：可変が可能 20 年度 ・三脚取り付け：固定用ねじ穴 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高性能LD光源 H26リストNo 392 ＜仕様・品質等＞ 56RCS002/HV ＜製造元＞ メレスグリオ ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 液晶レンズの光学性能の評価に使用する短波長(405nm)の 高品位のレーザ光源 ＜詳細仕様＞ ・光源波長：40０～410nm ・最大光出力：60mW ・ビーム径：φ2.9mm ・ビーム広がり：0.3mrad以下 ・ビーム楕円率：1.05以下 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 21 年度 2F:試験室（メカトロB）452 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 色彩輝度計 H26リストNo 400 ＜仕様・品質等＞ 分光フィッテイング方式 CS-200 ＜製造元＞ コニカミノルタ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 照明機器や発光型のディスプレイ機器、各種光源用部品、 製品などに対して、放射される光（反射光を含む）の輝度 （人間の目が感じる明るさの量）と色情報（色度や色温度 など）を調べるために使用 ＜使用料＞130 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロB）452 梁瀬 智 電子光応用開発部 ＜副担当＞ ＜詳細仕様＞ ○最小測定径（φ0.1mm） ○測定輝度：(0.01～20,000,000 cd/m2) ○繰り返し精度(2cd/m2において) 輝度LV：0.5% 色度xy：0.002 25 年度 ○測定項目：輝度、xy色度、u’v’色度、XYZ三刺激値、T 相関色温度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 高速カメラ H26リストNo 401 ＜仕様・品質等＞ HAS-D3M ＜製造元＞ （株）ディテクト ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 高速な切り替え速度を持つ液晶レンズおよび液晶マイクロ レンズアレイの評価する装置。 ＜詳細仕様＞ ・VGA(640x480)、モノクロ→3,000FPS ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロB）452 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 25 年度 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 内田 勝 *204 ＜名称等＞ 液晶配向シミュレータ H26リストNo 393 ＜仕様・品質等＞ LCD MASTER 3D ＜製造元＞ シンテック(株) ＜用途等＞ 設備分類: 解析技術 電極形状や配置、液晶層厚み、基板表面の配向条件、液 晶材料の物性値などを任意に設定し、時間変化を含めた液 晶分子の配向状態をシミュレートするソフトウエアプログ ラム。 ＜詳細仕様＞ 液晶分子３次元動解析シュミレーション ＜使用料＞190 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロA）451 梁瀬 智 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 18 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ラビング装置 H26リストNo 394 ＜仕様・品質等＞ MR-100 ＜製造元＞ E.H.C(株) ＜用途等＞ 設備分類: 加工技術（表面処理改質） ガラス基板上の液晶分子を一定の方向に向かせる（配向 させる）ために、基板上に塗布された高分子膜をラビング 布で一方向に擦る(ラビングする)装置。 ＜詳細仕様＞ 対応基板サイズ：～100mm×100mm ローラ回転数：0～1400rpm テーブル移動速度：０～600mm/min ＜使用料＞270 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 18 年度 2F:試験室（メカトロA）451 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ UV加圧硬化装置 H26リストNo 395 ＜仕様・品質等＞ MLP-320G ＜製造元＞ E. H. C ＜用途等＞ 設備分類: その他 液晶パネル等の貼り合せ工程で，均一加圧状態を保ったま までUV照射によりシール材等を硬化させる。 ＜詳細仕様＞ 対応サイズ：150mm×150mm、0.3～2.0t 加圧範囲：0.003Pa～0.1Mpa 光源：365nmLED（330mW） ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロA）451 梁瀬 智 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 19 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ シール剤塗布装置 H26リストNo 396 ＜仕様・品質等＞ Ez-ROBO5/ACCURA DG ＜製造元＞ 岩下エンジニアリング ＜用途等＞ 設備分類: その他 小型X-Y-Zロボットに吐出制御付きのディスペンサと基板 固定用の吸着ステージを搭載した装置 ＜詳細仕様＞ ・対応基板サイズ：250mm(x)×200mm(y)の範囲で、z 方向に70mmのストローク ・位置分解能：0.005mm以下 ・塗布デザイン：円弧を含む任意形状の塗布に対応 ・吐出圧力：5kPa～490kPa、1kPaで設定可 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 20 年度 2F:試験室（メカトロA）451 梁瀬 智 電子光応用開発部 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ アッベ屈折計 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ DR-M4/1550 ＜製造元＞ アタゴ ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 液晶材料の屈折値やアッベ数を種々の波長領域で測定 ＜詳細仕様＞ ・屈折率測定範囲：1.4700～1.8700 (589nmにおいて) ・対応測定波長：450nm～1550nm ・屈折率最小表示：0.001 ・測定精度：±0.0002 ・恒温液循環：対応 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロA）451 梁瀬 智 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 21 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 397 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ヘッド観察用顕微鏡セット(ボアスコープ) H26リストNo 398 ＜仕様・品質等＞ G080- 034-090-55 ＜製造元＞ オリンパス ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（製品性能など） 通常のカメラがら入らない狭い個所や隙間などの中を顕微 観察が可能。 ＜詳細仕様＞ 倍率:60倍(WD5mm)、視野:φ7mmﾌｧｲﾊﾞｰ式 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 2F:試験室（メカトロA）451 梁瀬 智 電子光応用開発部 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 光スペクトラムアラナイザ H26リストNo 399 ＜仕様・品質等＞ AQ-6315B ＜製造元＞ 横河電機 ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 光学フィルター、プリズムなどの光コンポーネントを伝 達する光信号の透過伝達特性や、LEDや白熱ランプから放 射される光の波長成分の分布特性などの評価を行う装置。 ＜詳細仕様＞ 測定波長: 400-1700 nm 最小波長分解能: 50 pm 測定感度: -75dBm以下 白色光源波長: 400-1800 nm ＜使用料＞330 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（メカトロA）451 梁瀬 智 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 光ファイバーへの光入力（SMF、MMF、大口径ファイバあ り） フィルター透過率評価用の平行ビームマウントを装備 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ B-Hループメータ(解析装置付き) H26リストNo 402 ＜仕様・品質等＞ MODEL4800(解析装置: マイテック: 高感 度 M-VSM500R) ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） ＜製造元＞ テスラ 軟磁性薄膜の磁化曲線の測定 ＜詳細仕様＞ 印加磁界:80 Oe以下、感度:10-4emu、検出磁束:1×10 -10wb/Fs、ｻﾝﾌﾟﾙｻｲｽﾞ:1inch角以下、膜厚測定能力:10nm以 上、精度:1%以内 ＜使用料＞1350 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 4 年度 2F:試験室（新材料A）450 山川 清志 内線 *210 上級主席研究員 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ ズーム顕微鏡 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ DZ2-SH ＜製造元＞ ユニオン光学(株) ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（形状寸法など） 研削・研磨等加工を行う際の位置決め ＜詳細仕様＞ 対物ﾚﾝｽﾞ部:F14.0対物ﾚﾝｽﾞ5×～50×、F46.6対物ﾚﾝｽﾞ 1.5×～15×、ｽﾞｰﾑ部：ｽﾞｰﾑ比10 ＜使用料＞230 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（新材料A）450 山川 清志 内線 上級主席研究員 ＜副担当＞ 内線 *210 9 年度 403 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ 軟磁性用振動試料型磁力計 H26リストNo 404 ＜仕様・品質等＞ 高感度 M-VSM500R ＜製造元＞ マイテック ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 軟磁性薄膜の磁化曲線の測定 ＜詳細仕様＞ 最大磁界500Oe、試料寸法:10mm角以下、測定部:ﾉｲｽﾞﾚﾍﾞﾙ ±1×10-5emu以下、感度±1×10-6emu ＜使用料＞360 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 7 年度 2F:試験室（新材料A）450 新宅 一彦 先端機能素子開発部 内線 *208 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ LCRメータ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ HP4284A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 各種電子部品の動作特性や電気的特性の計測 ＜詳細仕様＞ 最高分解能:0.01mΩ,0.01nH,0.01fF,0.001゜、基本確 度:0.1%、測定周波数:20Hz～1ＭＨｚ、分解能:1ＭＨｚ ＜使用料＞600 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（新材料A）450 森 英季 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 7 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 405 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ファンクションゼネレータ H26リストNo 406 ＜仕様・品質等＞ AFG2020 ＜製造元＞ ソニーテクトロニクス ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 各種電気信号波形の発生 ＜詳細仕様＞ 周波数範囲:0.5Hz～100ＭＨｚ(正弦波):0.5Hz～31.2ＭＨ ｚ(その他)､波形作成機能 ＜使用料＞590 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 4 年度 2F:試験室（新材料A）450 神田 哲典 先端機能素子開発部 内線 *201 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 標準電圧電流発生器 H26リストNo ＜仕様・品質等＞ R6161 ＜製造元＞ アドバンテスト ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 各種計測器の校正用基準信号源 ＜詳細仕様＞ 直流電圧:±1200V､直流電流:±120mA､確度:±0.0055% ＜使用料＞230 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（新材料A）450 神田 哲典 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 5 年度 内線 *201 スピン・ナノデバイスGr 内線 407 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ マルチメータ H26リストNo 408 ＜仕様・品質等＞ HP3458A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 抵抗､電圧電流の測定 ＜詳細仕様＞ 電圧分解能:10nV、電流分解能:1pA、抵抗分解能:10μΩ、 4端子抵抗測定 ＜使用料＞330 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 2F:試験室（新材料A）450 神田 哲典 先端機能素子開発部 内線 *201 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ アンプ付き電流プローブ H26リストNo 409 ＜仕様・品質等＞ ＡＭ５０３Ｓ＋ｏｐ０５ ＜製造元＞ ソニーテクトロニクス ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電流値の計測 ＜詳細仕様＞ 測定周波数：DC～100ＭＨｚ 測定レンジ：1mA, 2mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA, 100mA, 200mA, 500mA, 1A, 2A, 5A/div 最大測定電流：20A（連続）、50A(ピークパルス) ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:試験室（新材料A）450 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 11 年度 黒澤 孝裕 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 *214 型番： TM502:ケース AM503B：電流プローブアンプ A6312：電流プローブ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ デジタルオシロスコープ H26リストNo 410 ＜仕様・品質等＞ WR6051A ＜製造元＞ LeCroy ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電気信号波形の計測・解析 ＜詳細仕様＞ 周波数帯域幅500ＭＨｚ、最大サンプリングレート5GS/s、 最大メモリ長24Mポイント、チャンネル数2ch、最小垂直レ ンジ2mV、GPIB、100Base-T搭載 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 16 年度 2F:試験室（新材料A）450 木谷 貴則 先端機能素子開発部 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ インピーダンスアナライザ H26リストNo ＜仕様・品質等＞ HP4291A ＜製造元＞ HP ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） ｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ測定及び電子回路の振幅・位相の周波数測定 ＜詳細仕様＞ 測定周波数範囲:1ＭＨｚ～1.8ＧＨｚ、周波数分解 能:0.001Hz、ｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ確度:0.8％DCﾊﾞｲｱｽ機能:有り ＜使用料＞1650 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:電子計算機室447 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 6 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 411 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ カオス解析システム H26リストNo ＜製造元＞ コンピュータコンビニエンス 412 ＜仕様・品質等＞ ＜用途等＞ 設備分類: 解析技術 アトラクター、ポアンカレセクション、ローレンツプロッ ト表示、リアプノフスペクトル、フラクタル次元の計算 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞140 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 12 年度 2F:電子計算機室447 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 誘電率測定フィクスチャ H26リストNo 413 ＜仕様・品質等＞ 16453A ＜製造元＞ Agilent ＜用途等＞ 設備分類: 評価技術（材料特性など） 3 次元電界マッピングシステムで使用される散乱体材料の 誘電率を測定 ＜詳細仕様＞ ・インピーダンスアナライザ(HP 4291A) に接続して比誘 電率を測定可能 ・30MHz-1GHz の範囲の任意の周波数で比誘電率が測定可 能 ・比誘電率の実部が30 以下の誘電体を測定可能 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 20 年度 ・比誘電率の実部の測定誤差が50%以下 ・室温から80 ℃の温度範囲で測定可能 ＜設置場所＞ ・直径20mm の円板試料を測定可能 高度技術研究館 2F:電子計算機室447 ・±10V の直流バイアス電圧を印加可能 ＜主担当＞ 黒澤 孝裕 内線 *214 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ ディジタルオシロスコープ H26リストNo 414 ＜仕様・品質等＞ 9354L ＜製造元＞ レクロイジャパン ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 電気信号波形の計測 ＜詳細仕様＞ ﾊﾞﾝﾄﾞ巾:500ＭＨｚ、ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ速度 :1GS/s(2CH同時)、 ｽﾄﾚｰｼﾞ長:4MW(2CH同時) ＜使用料＞230 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 5 年度 2F:電子計算機室447 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ 大規模データ処理用並列分散計算クラスタリングシステム ＜製造元＞ IBM H26リストNo ＜仕様・品質等＞ eServer325 ＜用途等＞ 設備分類: 情報処理 415 CPU:Opteron250,2.4GHz,dual×4台、総メモリ容量:12GB、 OS:Debian/GNU Linux、ノード間接続:1000Base-T×２、 バックアップ用テープドライブ: LTO Ultrium2 ＜詳細仕様＞ ＜使用料＞140 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:電子計算機室447 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 16 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スペクトラムアナライザ H26リストNo 416 ＜仕様・品質等＞ R3361A ＜製造元＞ アドバンテスト ＜用途等＞ 設備分類: 計測技術（電磁光音など） 信号の周波数特性の測定 ＜詳細仕様＞ 周波数範囲:9kHz～2.6ＧＨｚ、ﾄﾗｯｷﾝｸﾞｼﾞｪﾈﾚｰﾀｰ機能 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:電子計算機室447 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 4 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 黒澤 孝裕 *214 ＜名称等＞ 高周波連続可変フィルタ(H11導入) H26リストNo ＜仕様・品質等＞ 3660A ＜製造元＞ エヌエフ回路設計ブロック ＜用途等＞ 設備分類: エレクトロニクス技術 高周波の不要雑音の除去 ＜詳細仕様＞ 遮断周波数の可変範囲:1MHz～100MHz 減衰傾度48dB/oct 入力ｱﾝﾌﾟ利得:1,2,5,10倍切換え可 ＜使用料＞170 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:電子計算機室447 木谷 貴則 先端機能素子開発部 ＜副担当＞ 11 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 376 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ フォトリソグラフ用クリーンオーブン H26リストNo 417 ＜仕様・品質等＞ CSO-402BF ＜製造元＞ 榎本化成 ＜用途等＞ 設備分類: その他 フォトレジストの乾燥や精密部品、光学部品などの塵埃を 嫌う部品、材料のベーキング ＜詳細仕様＞ 温度設定範囲：６０～２００℃、温度調節精度：±０． ５℃、温度分布：±３℃、室内清浄度：クラス１００、室 内容量：４００（ｍｍ）３ ＜使用料＞150 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 12 年度 2F:セミナールーム441 内田 勝 内線 電子光応用開発部 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 ＜副担当＞ ＜名称等＞ アライナ用クリーンブース H26リストNo 418 ＜仕様・品質等＞ SCB-2-201520 ＜製造元＞ 三基計装株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: その他 比較的環境の良い一般室にてフォトマスクパターンの転写 を行うマスクアライナを無塵状態で用いるために使用 ＜詳細仕様＞ ○外形寸法 ・幅： 2000mm 以上、 2500mm 以下 ・奥行き： 1500mm 以上、 2000mm 以下 ・高さ： 2000mm 以上、 2500mm 以下 ○室内清浄度がクラス1000 ＜使用料＞100 （円／時間） ＜導入年度＞平成 ＜設置場所＞ 高度技術研究館 ＜主担当＞ 2F:セミナールーム441 内田 勝 電子光応用開発部 ＜副担当＞ 21 年度 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳（カタログ） ＜名称等＞ スピンコータ H26リストNo 419 ＜仕様・品質等＞ MS-A150 ＜製造元＞ ミカサ株式会社 ＜用途等＞ 設備分類: 薄膜技術 アライナでマスク形状を転写するのに用いるレジストの処 理を行う ＜詳細仕様＞ ○スピンコータ ・搭載可能な最大ウェーハサイズは、φ6インチ以上 ・回転数は、最低が50rpm以下、最大が6000rpm以上 ○装備品 ・用卓上ドラフト ＜使用料＞130 （円／時間） ＜導入年度＞平成 21 年度 ・ホットプレート：温度調節範囲：室温～200℃以上 ・超音波洗浄機：500mlビーカー ＜設置場所＞ ・クリーン温風循環乾燥機：クラス1000以上 高度技術研究館 2F:セミナールーム441 ・オートドライデシケータ ＜主担当＞ 内田 勝 内線 *204 電子光応用開発部 ＜副担当＞ オプトエレクトロニクスGr 内線
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