LTM2887 - 調整可能なデュアル5Vレギュレータ付き

LTM2887
調整可能なデュアル 5V
レギュレータ付きSPI/デジタルまたは
I2C 対応 µModuleアイソレータ
特長
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
概要
6 チャネルのロジック・アイソレータ：2500VRMS
（1 分間）
UL-CSA 規格認定取得中
絶縁型 DC 電力：
n 最大 100mAでの 1.8V ∼ 5Vロジック電源
n 最大 100mAでの 0.6V ∼ 5V 補助電源
外付け部品は不要
SPI/デジタル対応オプション
（LTM2887-S）
または
I2C 対応オプション
（LTM2887-I）
同相トランジェント耐性が高い：30kV/μs
高速動作
n 10MHz のデジタル絶縁
n 4MHz/8MHz の SPI 絶縁
n 400kHz の I2C 絶縁
3.3V 動作（LTM2887-3）
または5V 動作（LTM2887-5）
1.62V ～ 5.5Vのロジック電源
絶縁障壁間での±10kVのESD 保護（人体モデル）
連続動作時の最大電圧：560VPEAK
低電流シャットダウン・モード
（<10μA）
高さの低い15mm×11.25mm×3.42mm BGA パッケージ
アプリケーション
n
n
n
n
絶縁型のSPIインタフェースまたはI2Cインタフェース
産業用システム
テスト装置および測定装置
切断されているグランド・ループ
LTM®2887は、完全なガルバニック・デジタルµModule®（マ
イクロモジュール）
アイソレータです。外付け部品は必要あり
ません。3.3Vまたは5Vの単電源により、一体化された絶縁
型 DC/DCコンバータを介してインタフェースの両側に電力
を供給します。ロジック電源ピンにより、主電源に関係なく、
1.62V ∼ 5.5Vのさまざまなロジック・レベルとのインタフェース
を容易にとることができます。
供給可能なオプションは、SPI 規格および I2C 規格（マスタ・
モードのみ）
に準拠しています。
絶縁サイドには、設定可能な電流制限を備える2つの公称
5Vの電源があり、それぞれ 100mAより大きい負荷電流供給
能力を持っています。各電源は、1 本の外付け抵抗を使用して
公称値から調整できます。
結合インダクタと絶縁パワー・トランスにより、入力と出力のロ
ジック・インタフェース間で2500VRMS の絶縁を実現します。こ
のデバイスは、グランド・ループが切断されているシステムに
最適であり、同相電圧範囲を広くすることができます。同相ト
ランジェントが30kV/µsを超える場合に通信が途切れません。
L、LT、LTC、LTM、Linear Technology、Linearのロゴおよび μModuleはリニアテクノロジー社
の登録商標です。その他全ての商標の所有権は、それぞれの所有者に帰属します。
標準的応用例
絶縁型の 4MHz SPIインタフェース
LTM2887-5S
5V
VCC2
VCC
AVCC2
IVCC2
VL
SDI
SCK
SDO
CS
SDI
SCK
5V/DIV
1.15k
3.3V AT 100mA
AVL2
ISOLATION BARRIER
SDOE
SCK
SD0
SCK2 = SD02
5V AT 100mA
VL2
ON
CS
50kV/µs の同相トランジェント通過時の LTM2887 の動作
27.4k
IVL2
REPETITIVE
COMMON MODE
TRANSIENTS
GND2 TO GND
1.15k
CS2
SDI2
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
GND2
6.04k
CS
SDI
SCK
200V/DIV
20ns/DIV
2887 TA01b
SDO
2887 TA01a
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
1
LTM2887
絶対最大定格
（Note 1）
VCC - GND 間............................................................ –0.3V ～ 6V
VL - GND 間.............................................................. –0.3V ～ 6V
VCC2、AVCC2、IVCC2 - GND2 間 ..................................–0.3V ～ 6V
VL2、AVL2、IVL2 - GND2 間 ........................................–0.3V ～ 6V
ロジック入力
DI1、SCK、SDI、CS、SCL、SDA、SDOE,
ON - GND 間 .......................................... –0.3V ～（VL ＋0.3V）
I1、I2、SDA2、
SDO2 - GND2 間 ................................. –0.3V ～（VL2 ＋0.3V）
ロジック出力
DO1、DO2、SDO - GND 間 ..................... –0.3V ～（VL ＋0.3V）
O1、SCK2、SDI2、CS2、
SCL2 - GND2 間 .................................. –0.3V ～（VL2 ＋0.3V）
動作温度範囲（Note 4）
LTM2887C ........................................................... 0°C ～ 70°C
LTM2887I......................................................... –40°C ～ 85°C
LTM2887H ..................................................... –40°C ～ 125°C
最大内部動作温度...........................................................125°C
保存温度範囲.................................................... –55°C ～ 125°C
ピーク・ボディ・リフロー温度 ...........................................245°C
ピン配置
LTM2887-I
LTM2887-S
TOP VIEW
1
2
3
4
DO2 DNC SCL SDA
5
6
7
8
DI1
GND
ON
VL
A
3
4
SDO DO2 SCK
SDI
DO1
GND
5
6
7
8
CS SDOE ON
VL
B
DO1
GND
VCC
C
D
D
E
E
F
F
G
G
H
H
J
2
A
B
C
TOP VIEW
1
I1
GND2
AVL2 IVL2 AVCC2
K
J
I1
GND2
VCC
AVL2 IVL2 AVCC2
K
L
L
I2
DNC SCL2 SDA2 O1
VL2 IVCC2 VCC2
BGA PACKAGE
32-PIN (15mm × 11.25mm × 3.42mm)
TJMAX = 125°C, θJA = 23.9°C/W, θJCbottom = 8.1°C/W,
θJCtop = 18.1°C/W, θJB = 9.3°C/W
θ VALUES DETERMINED PER JESD51-9, WEIGHT = 1.2g
SDO2
I2
SCK2 SDI2 CS2
VL2 IVCC2 VCC2
BGA PACKAGE
32-PIN (15mm × 11.25mm × 3.42mm)
TJMAX = 125°C, θJA = 23.9°C/W, θJCbottom = 8.1°C/W,
θJCtop = 18.1°C/W, θJB = 9.3°C/W
θ VALUES DETERMINED PER JESD51-9, WEIGHT = 1.2g
2887f
2
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
製品選択ガイド
LTM2887 C
Y
-3
I
#PBF
無鉛指定
PBF = 無鉛
ロジック・オプション
I = I2C（IC 間）バス
S = SPI（シリアル周辺機器インタフェース）バス
入力電圧範囲
3 = 3V ～ 3.6V
5 = 4.5V ～ 5.5V
パッケージ・タイプ
Y = BGA（ボール・グリッド・アレイ）
温度グレード
C = コマーシャル温度範囲（0°C ～ 70°C）
I = インダストリアル温度範囲（–40°C ～ 85°C）
H = 車載温度範囲（–40°C ～ 125°C）
製品番号
発注情報
http://www.linear-tech.co.jp/product/LTM2887#orderinfo
製品番号
パッド/
ボール仕上げ
製品マーキング
デバイス
仕上げコード
パッケージ・
MSL
ロジック・
タイプ
レーティング入力電圧範囲オプション温度範囲
0°C to 70°C
LTM2887CY-3I#PBF
LTM2887IY-3I#PBF
2
IC
LTM2887Y-3I
LTM2887HY-3I#PBF
LTM2887IY-3S#PBF
LTM2887HY-3S#PBF
LTM2887CY-5I#PBF
LTM2887IY-5I#PBF
LTM2887Y-3S
0°C to 70°C
SPI
SAC305（RoHS）
e1
BGA
0°C to 70°C
2
IC
LTM2887Y-5I
LTM2887Y-5S
–40°C to 85°C
–40°C to 125°C
4.5V to 5.5V
LTM2887CY-5S#PBF
–40°C to 85°C
–40°C to 125°C
3
LTM2887HY-5I#PBF
LTM2887IY-5S#PBF
–40°C to 125°C
3V to 3.6V
LTM2887CY-3S#PBF
–40°C to 85°C
0°C to 70°C
SPI
LTM2887HY-5S#PBF
–40°C to 85°C
–40°C to 125°C
• デバイスの温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで示してあります。
• パッドまたはボールの仕上げコードはIPC/JEDEC J-STD-609に準拠しています。
• 端子仕上げの製品マーキングの参照先：www.linear-tech.co.jp/leadfree
• この製品では、第 2 面のリフローは推奨していません。詳細については、
www.linear-tech.co.jp/BGA-assyをご覧ください。
• 推奨のBGA PCBアセンブリ手順および製造手順についての参照先：
www.linear-tech.co.jp/BGA-assy
• BGA パッケージおよびトレイの図面の参照先：www.linear-tech.co.jp/packaging
• この製品は水分の影響を受けやすくなっています。詳細についての参照先：
www.linear-tech.co.jp/BGA-assy
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
3
LTM2887
電気的特性
l は規定された動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は TA = 25 Cでの値。
注記がない限り、LTM2887-3 の VCC = 3.3V、LTM2887-5 の VCC = 5V、VL = 3.3V、および GND = GND2 = 0V、ON = VL。
注記がない限り、規格値は全てのオプションに適用される。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VCC
Input Supply Range
LTM2887-3
LTM2887-5
l
l
3
4.5
3.3
5
3.6
5.5
V
V
VL
Logic Supply Range
LTM2887-S
LTM2887-I
l
l
1.62
3
5
5.5
5.5
V
V
ICC
Input Supply Current
ON = 0V
LTM2887-3, ON = VL, No Load
LTM2887-5, ON = VL, No Load
l
l
l
0
25
19
10
30
25
µA
mA
mA
IL
Logic Supply Current
ON = 0V
LTM2887-S, ON = VL
LTM2887-I, ON = VL
l
0
10
10
150
µA
µA
µA
Regulated Output Voltage
No Load, AVCC2 Open
l
5.25
V
Output Voltage Operating Range
(Note 2)
5.5
V
Line Regulation
ILOAD = 1mA, MIN ≤ VCC ≤ MAX
l
入力電源
出力電源
VCC2
ICC2
VL2
IL2
4.75
5
0.6
1
6
mV
45
150
mV
580
620
mV
Load Regulation
ILOAD = 1mA to 100mA
l
ADJ Pin Voltage
ILOAD = 1mA to 100mA
l
Voltage Ripple
ILOAD = 100mA (Note 2)
Efficiency
LTM2887-5, ILOAD = 100mA (Note 2)
62
%
Output Short Circuit Current
VCC2 = 0V, IVCC2 = 0V
200
mA
Internal Current Limit
ΔVCC2 = –5%, IVCC2 = 0V
540
1
mVRMS
l
100
External Programmed Current Limit VCC2 = 5V, R(IVCC2 to GND2) = 2.26k
VCC2 = 5V, R(IVCC2 to GND2) = 1.5k
VCC2 = 5V, R(IVCC2 to GND2) = 1.15k
l
l
l
49
71
91
53
79
103
57
87
115
mA
mA
mA
Regulated Output Voltage
No Load, AVL2 Open
l
4.75
5
5.25
V
Output Voltage Operating Range
LTM2887-I (Note 2)
LTM2887-S (Note 2)
5.5
5.5
V
V
Line Regulation
ILOAD = 1mA, MIN ≤ VCC ≤ MAX
l
0.25
3
mV
Load Regulation
ILOAD = 1mA to 100mA
l
25
100
mV
ADJ Pin Voltage
ILOAD = 1mA to 100mA
l
580
620
Voltage Ripple
ILOAD = 100mA (Note 2)
1
mVRMS
Efficiency
LTM2887-5, ILOAD = 100mA (Note 2)
62
%
200
mA
Output Short Circuit Current
VL2 = 0V, IVL2 = 0V
Current Limit
ΔVL2 = –5%, IVL2 = 0V
External Programmed Current Limit VL2 = 5V, R(IVL2 to GND2) = 2.26k
VL2 = 5V, R(IVL2 to GND2) = 1.5k
VL2 = 5V, R(IVL2 to GND2) = 1.15k
mA
3
1.8
540
l
100
l
l
l
49
71
91
l
l
l
0.25 • VL
0.33 • VL
0.33 • VL2
mV
mA
53
79
103
57
87
115
mA
mA
mA
ロジック/SPI
VITH
Input Threshold Voltage
IINL
Input Current
ON, DI1, SDOE, SCK, SDI, CS 1.62V ≤ VL < 2.35V
ON, DI1, SDOE, SCK, SDI, CS 2.35V ≤ VL
I1, I2, SDO2
l
0.75 • VL
0.67 • VL
0.67 • VL2
V
V
V
±1
µA
2887f
4
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
電気的特性
l は規定された動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は TA = 25 Cでの値。
注記がない限り、LTM2887-3 の VCC = 3.3V、LTM2887-5 の VCC = 5V、VL = 3.3V、および GND = GND2 = 0V、ON = VL。
注記がない限り、規格値は全てのオプションに適用される。
SYMBOL
PARAMETER
VHYS
Input Hysteresis
VOH
Output High Voltage
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
150
UNITS
mV
DO1, DO2, SDO
ILOAD = –1mA, 1.62V ≤ VL < 3V
ILOAD = –4mA, 3V ≤ VL ≤ 5.5V
l
VL – 0.4
V
O1, SCK2, SDI2, CS2, ILOAD = –4mA
l
VL2 – 0.4
V
DO1, DO2, SDO
ILOAD = 1mA, 1.62V ≤ VL < 3V
ILOAD = 4mA, 3V ≤ VL ≤ 5.5V
l
0.4
V
O1, SCK2, SDI2, CS2, ILOAD = 4mA
l
0.4
V
Short-Circuit Current
0V ≤ (DO1, DO2, SDO) ≤ VL
0V ≤ (O1, SCK2, SDI2, CS2) ≤ VL2
l
±85
mA
mA
VIL
Low Level Input Voltage
SCL, SDA
SDA2
l
l
VIH
High Level Input Voltage
SCL, SDA
SDA2
l
l
IINL
Input Current
SCL, SDA = VL or 0V
SDA2 = VL2, SDA2 = VL2 = 0V
l
l
VHYS
Input Hysteresis
SCL, SDA
SDA2
VOH
Output High Voltage
SCL2, ILOAD = –2mA
DO2, ILOAD = –2mA
l
VOL
Output Low Voltage
SDA, ILOAD = 3mA
DO2, ILOAD = 2mA
SCL2, ILOAD = 2mA
SDA2, No Load, SDA = 0V, 4.5V ≤ VL2 < 5.5V
SDA2, No Load, SDA = 0V, 3V < VL2 < 4.5V
l
l
l
l
l
CIN
Input Pin Capacitance
SCL, SDA, SDA2 (Note 2)
CB
Bus Capacitive Load
VOL
ISC
Output Low Voltage
±60
I2C
ISC
0.3 • VL
0.3 • VL2
0.7 • VL
0.7 • VL2
V
V
V
V
±1
±1
0.05 • VL
0.05 • VL2
µA
µA
mV
mV
VL2 – 0.4
VL – 0.4
V
V
0.4
0.4
0.4
0.45
0.55
V
V
V
V
V
l
10
pF
SCL2, Standard Speed (Note 2)
SCL2, Fast Speed
SDA, SDA2, SR ≥ 1V/µs, Standard Speed (Note 2)
SDA, SDA2, SR ≥ 1V/µs, Fast Speed
l
l
l
l
400
200
400
200
pF
pF
pF
pF
Minimum Bus Slew Rate
SDA, SDA2
l
Short-Circuit Current
SDA2 = 0, SDA = VL
0V ≤ SCL2 ≤ VL2
0V ≤ DO2 ≤ VL
SDA = 0, SDA2 = VL2
SDA = VL, SDA2 = 0
l
ESD（人体モデル）
（Note 2）
Isolation Boundary
(VCC2, VL2, GND2) to (VCC, VL, GND)
0.3
1
V/µs
±30
±30
6
–1.8
±10
100
mA
mA
mA
mA
mA
kV
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
5
LTM2887
スイッチング特性
l は規定された動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外は TA = 25 Cでの値。
注記がない限り、LTM2887-3 の VCC = 3.3V、LTM2887-5 の VCC = 5V、VL = 3.3V、および GND = GND2 = 0V、ON = VL。
注記がない限り、規格値は全てのオプションに適用される。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Maximum Data Rate
DI1 → O1, Ix → DOx, CL = 15pF (Note 3)
l
10
CL = 15pF (Figure 1)
l
35
60
100
ns
3
20
12.5
35
ns
ns
3
20
12.5
35
ns
ns
ロジック
tPHL, tPLH Propagation Delay
tR
Rise Time
CL = 15pF (Figure 1)
LTM2887-I, DO2, CL = 15pF (Figure 1)
l
l
tF
Fall Time
CL = 15pF (Figure 1)
LTM2887-I, DO2, CL = 15pF (Figure 1)
l
l
Maximum Data Rate
Bidirectional Communication (Note 3)
Unidirectional Communication (Note 3)
l
l
4
8
CL = 15pF (Figure 1)
l
35
MHz
SPI
tPHL, tPLH Propagation Delay
MHz
MHz
60
100
ns
tPWU
Output Pulse Width Uncertainty
SDO, SDI2, CS2 (Note 2)
50
ns
tR
Rise Time
CL = 15pF (Figure 1)
l
3
12.5
ns
tF
Fall Time
CL = 15pF (Figure 1)
l
3
12.5
ns
tPZH, tPZL Output Enable Time
SDOE = ↓, RL = 1kΩ, CL = 15pF (Figure 2)
l
50
ns
tPHZ, tPLZ Output Disable Time
SDOE = ↑, RL = 1kΩ, CL = 15pF (Figure 2)
l
50
ns
(Note 3)
l
tPHL, tPLH Propagation Delay
SCL → SCL2, CL = 15pF (Figure 1)
SDA → SDA2, RL = Open, CL = 15pF (Figure 3)
SDA2 → SDA, RL = 1.1kΩ, CL = 15pF (Figure 3)
l
l
l
tPWU
Output Pulse Width Uncertainty
SDA, SDA2 (Note 2)
tHD;DAT
Data Hold Time
(Note 2)
tR
Rise Time
SDA2, CL = 200pF (Figure 3)
SDA, RL = 1.1kΩ, CL = 200pF (Figure 3)
SCL2, CL = 200pF (Figure 1)
l
l
l
40
40
300
250
250
ns
ns
ns
tF
Fall Time
SDA2, CL = 200pF (Figure 3)
SDA, RL = 1.1kΩ, CL = 200pF (Figure 3)
SCL2, CL = 200pF (Figure 1)
l
l
l
40
40
250
250
250
ns
ns
ns
tSP
Pulse Width of Spikes Suppressed
by Input Filter
l
0
50
ns
5
5
ms
ms
–20
2
IC
Maximum Data Rate
400
kHz
150
150
300
–20
225
250
500
ns
ns
ns
50
ns
600
ns
電源
Power-Up Time
ON = ↑ to VCC2 (Min)
ON = ↑ to VL2 (Min)
l
l
3
3
2887f
6
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
絶縁特性
TA = 25 C。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
VISO
Rated Dielectric Insulation Voltage
1 Minute, Derived from 1 Second Test
1 Second (Notes 5, 6)
2500
3000
VRMS
VRMS
Common Mode Transient Immunity
LTM2887-3 VCC = 3.3V, LTM2887-5 VCC = 5V,
VL = ON = 3.3V, VCM = 1kV, ∆t = 33ns (Note 2)
30
kV/µs
Maximum Continuous Working Voltage
(Notes 2, 5)
560
VPEAK,
VDC
VRMS
Partial Discharge
VPD = 750VRMS (Note 5)
VIORM
TYP
MAX
400
Input to Output Resistance
CTI
DTI
5
9
(Notes 2, 5)
10
600
UNITS
pC
Ω
Comparative Tracking Index
IEC 60112 (Note 2)
Depth of Erosion
IEC 60112 (Note 2)
0.017
mm
Distance Through Insulation
(Note 2)
0.06
mm
Input to Output Capacitance
(Notes 2, 5)
Creepage Distance
(Note 2)
Note 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに回復不可能な損傷を与
える可能性がある。また、長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と
寿命に悪影響を与えるおそれがある。
Note 2：設計によって保証されており、製造時のテストは行われない。
Note 3：最大データレートは他の測定されたパラメータによって保証されており、直接にはテ
ストされていない。
VRMS
6
pF
9.5
mm
Note 4：このモジュールには短時間の過負荷状態の間デバイスを保護するための過熱保護機
能が備わっている。過熱保護機能が動作しているとき接合部温度は 125°Cを超える。規定さ
れた最大動作接合部温度を超えた動作が継続すると、デバイスの劣化または故障が生じる
恐れがある。
Note 5：デバイスは2 端子のデバイスとみなされる。A1からB8までのピン・グループを互いに
接続し、K1からL8までのピン・グループを互いに接続する。
Note 6：誘電体絶縁定格電圧は連続定格電圧と解釈してはならない。
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
7
LTM2887
標準的性能特性
注記がない限り、TA = 25 C、LTM2887-3 の VCC = 3.3V、LTM2887-5 の VCC = 5V、VL = 3.3V、GND = GND2 = 0V、ON = VL。
VCC2 および VL2 の電圧と同じ
負荷電流
VCC の電源電流と温度
NO LOAD, REFRESH DATA ONLY
LTM2887-3
VCC = 3.3V
20
OUTPUT VOLTAGE (V)
SUPPLY CURRENT (mA)
25
LTM2887-5
VCC = 5V
15
10
5.25
5.25
5.00
5.00
OUTPUT VOLTAGE (V)
30
VCC2 または VL2 出力電圧と
入力電圧および負荷電流
4.75
4.50
–25
25
75
0
50
TEMPERATURE (°C)
4.00
125
100
LTM2887-3, VCC = 3.3V
LTM2887-5, VCC = 5V
0
25
5.25
5.10
LTM2887-5, VCC = 4.5V
LTM2887-5, VCC = 5V
LTM2887-5, VCC = 5.5V
0
50
100
150
200
LOAD CURRENT (mA)
250
5.05
5.00
4.95
4.90
–50
ILOAD = 1mA
ILOAD = 10mA
ILOAD = 100mA
–25
75
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
100
60
1.4
5.5
1.2
5.0
40
0.8
30
0.6
20
0.4
POWER LOSS
OUTPUT VOLTAGE (V)
1.0
4.95
4.90
–50
125
ILOAD = 1mA
ILOAD = 10mA
ILOAD = 100mA
–25
0
25
50
75
TEMERATURE (°C)
100
125
2887 G06
800
700
VOLTAGE
4.5
600
4.0
500
3.5
400
3.0
300
CURRENT
200
2.5
0.2
2.0
0.0
75 100 125 150 175 200 225
LOAD CURRENT (mA)
1.5
LTM2887-3, VCC = 3.3V
LTM2887-5, VCC = 5V
50
5.00
ICC CURRENT (mA)
50
POWER LOSS (W)
EFFICIENCY (%)
EFFICIENCY
25
5.05
VCC2 または VL2 の電圧および
VCC 入力電流と負荷電流
70
0
LTM2887-5
VCC = 5V
2887 G05
VCC2 または VL2 の効率
0
5.10
LTM2887-3
VCC = 3.3V
2887 G04
10
200
VCC2 または VL2 の
負荷レギュレーションと温度
OUTPUT VOLTAGE (V)
OUTPUT VOLTAGE (V)
OUTPUT VOLTAGE (V)
5.00
4.50
50
100
150
LOAD CURRENT (mA)
0
2887 G03
VCC2 または VL2 の
負荷レギュレーションと温度
4.75
LTM2887-3, VCC = 3V
LTM2887-3, VCC = 3.3V
LTM2887-3, VCC = 3.6V
2887 G02
VCC2 または VL2 出力電圧と
入力電圧および負荷電流
4.00
4.00
125
50
75
100
LOAD CURRENT (mA)
2887 G01
4.25
4.50
4.25
4.25
5
–50
4.75
LTM2887-3, VCC = 3.3V
LTM2887-5, VCC = 5V
0
2887 G07
25
50
100
0.0
75 100 125 150 175 200 225
LOAD CURRENT (mA)
2887 G08
2887f
8
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
標準的性能特性
注記がない限り、TA = 25 C、LTM2887-3 の VCC = 3.3V、LTM2887-5 の VCC = 5V、VL = 3.3V、GND = GND2 = 0V、ON = VL。
VCC2 または VL2 のトランジェント
応答 100mA の負荷ステップ時
VCC2 または VL2 のリップル
VCC2 または VL2 のノイズ
LOAD = 1mA
LOAD = 1mA
0.2V/
DIV
5mV/
DIV
2mV/
DIV
LOAD = 100mA
LOAD = 100mA
50mA/
DIV
200µs/DIV
400ns/DIV
10ms/DIV
2887 G09
2887 G10
VCC の電源電流と単一チャネルの
データレート
50
40
30
20
10
6
3.0
5
2.5
INPUT RISING
2.0
INPUT FALLING
1.5
1.0
1k
10k
100k
1M
DATA RATE (Hz)
10M
0
100M
1
2
2887 G12
4
3
2
3
4
5
VL SUPPLY VOLTAGE (V)
0
6
60
VL = 5V
2887 G15
1.2
500
1.0
40
0.8
30
0.6
POWER LOSS
10
1ms/DIV
600
50
20
1V/DIV
1.4
EFFICIENCY
EFFICIENCY (%)
5V/DIV
0
0.4
25
3 4 5 6 7 8
|LOAD CURRENT| (mA)
9
10
50
75
100
LOAD CURRENT (mA)
400
300
100
0.0
125
0
2887 G16
LTM2887-3, VCC = 3.3V
LTM2887-5, VCC = 5V
200
0.2
LTM2887-3, VCC = 3.3V
LTM2887-5, VCC = 5V
0
2
2887 G14
POWER LOSS (W)
VCC2
or VL2
1
最大内部動作温度 125 C の
ディレーティング
70
ON
0
2887 G13
同じ負荷電流での VCC2 および
VL2 の効率
電源投入時のシーケンス
VL = 5.5V
VL = 3.3V
VL = 1.62V
1
0.5
VCC SUPPLY CURRENT (mA)
VCC CURRENT (mA)
60
LTM2887-5
ロジック出力電圧と負荷電流
3.5
OUTPUT VOLTAGE (V)
CL = 1nF
CL = 330pF
CL = 100pF
CL = 20pF
ロジック入力しきい値とVL の
電源電圧
THRESHOLD VOLTAGE (V)
70
2887 G11
BASED ON THERMAL IMAGING
OF DEMO CIRCUIT 1791A
VCC2 and VL2 EQUALLY LOADED
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
125
2887 G17
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
9
LTM2887
ピン機能
LTM2887-I のロジック・サイド
LTM2887-I の絶縁サイド
DO2（A1）
：デジタル出力ピン。基準となる電位はVL ピンの電
圧および GND。絶縁障壁を介してI2ピンに接続されるロジッ
ク出力。絶縁通信障害の状態では、この出力は高インピーダ
ンス状態になります。
I2（L1）
：デジタル入力ピン。基準となる電位はVL2 ピンの電圧
およびGND2。絶縁障壁を介してDO2ピンに接続されるロジッ
ク入力。I2ピンのロジック状態は、DO2ピンと同じロジック状
態に変換されます。フロート状態にしないでください。
DNC（A2）
：接続しないでください。このピンは内部で接続され
ています。
SCL（A3）
：シリアルのI2Cクロック入力ピン。基準となる電位は
VL ピンの電圧および GND。絶縁障壁を介して絶縁サイドの
SCL2ピンに接続されるロジック入力。クロックはロジック・サ
イドから絶縁サイドへの片方向の信号です。フロート状態にし
ないでください。
SDA（A4）
：シリアルのI2Cデータ・ピン。基準となる電位はVL
ピンの電圧および GND。絶縁障壁を介して絶縁サイドの
SDA2ピンに接続される双方向ロジック・ピン。絶縁通信障害
の状態では、このピンは高インピーダンス状態になります。フ
ロート状態にしないでください。
DI1（A5）
：デジタル入力ピン。基準となる電位はVL ピンの電圧
および GND。絶縁障壁を介してO1ピンに接続されるロジック
入力。DI1ピンのロジック状態は、O1ピンと同じロジック状態
に変換されます。フロート状態にしないでください。
GND
（A6、B2 ∼ B6）
：回路のグランド。
ON（A7）
：イネーブル・ピン。基準となる電位はVL ピンおよび
GNDピンの電圧。絶縁障壁を介して電源供給およびデータ
通信をイネーブルします。ONピンが H になるとデバイスがイ
ネーブルされ、電源および通信が絶縁サイドで動作可能にな
ります。ONピンが L になるとロジック・サイドがリセット状態
に保持され、全てのデジタル出力が高インピーダンス状態に
なり、絶縁サイドに電源が供給されなくなります。フロート状
態にしないでください。
V（A8）
：ロジック電源ピン。DI1、SCL、SDA、DO1、DO2、ON
L
ピンのインタフェース電源電圧。動作電圧は1.62V ∼ 5.5Vで
す。1µFのコンデンサにより、内部でバイパスされています。
DO1（B1）
：デジタル出力ピン。基準となる電位はVL ピンの電
圧および GND。絶縁障壁を介してI1ピンに接続されるロジッ
ク出力。絶縁通信障害の状態では、この出力は高インピーダ
ンス状態になります。
VCC（B7 ∼ B8）
：電源電圧。動作電圧は、LTM2887-3の場合
は3V∼3.6Vで、LTM2887-5の場合は4.5V∼5.5Vです。2.2µF
のコンデンサにより、内部でバイパスされています。
DNC（L2）
：接続しないでください。このピンは内部で接続され
ています。
SCL2（L3）
：シリアルのI2Cクロック出力ピン。基準となる電位
はVL2ピンおよびGND2ピンの電圧。絶縁障壁を介してロジッ
ク・サイドのSCLピンに接続されるロジック出力。クロックはロ
ジック・サイドから絶縁サイドへの片方向の信号です。SCL2ピ
ンにはプッシュプル出力段があるので、外付けのプルアップ・デ
バイスには接続しないでください。絶縁通信障害の状態では、
この出力はデフォルトで H 状態になります。
SDA2
（L4）
：シリアルのI2Cデータ・ピン。基準となる電位はVL2
ピンの電圧およびGND2。絶縁障壁を介してロジック・サイドの
SDAピンに接続される双方向ロジック・ピン。出力は1.8mAの
電流源によって H にバイアスされます。SDA2ピンには外付け
のプルアップ・デバイスを接続しないでください。絶縁通信障
害の状態では、この出力はデフォルトで H 状態になります。
O1（L5）
：デジタル出力ピン。基準となる電位はVL2 ピンの電圧
および GND2。絶縁障壁を介してDI1ピンに接続されるロジッ
ク出力。絶縁通信障害の状態では、O1ピンはデフォルトで
H 状態になります。
VL2（L6）
：3V ∼ 5.5Vの調整可能な絶縁された電源電圧。絶
縁型 DC/DCコンバータによってVCC を基に内部で生成され、
外付け部品なしで5Vに安定化されます。4.7µFのコンデンサ
により、内部でバイパスされています。
IVCC2
（L7）
：VCC2 の高精度電流制限調整ピン。IVCC2とGND2
の間に抵抗を接続することによって、電流制限しきい値が設
定されます。電流制限抵抗値の設定方法の詳細については、
「アプリケーション情報」
のセクションを参照してください。使
用しない場合、IVCC2 ピンはGND2に接続してください。10nF
のコンデンサにより、内部でバイパスされています。
VCC2（L8）
：0.6V ∼ 5.5Vの調整可能な絶縁された電源電圧。
絶縁型 DC/DCコンバータによってVCC を基に内部で生成さ
れ、外付け部品なしで5Vに安定化されます。4.7µFのコンデ
ンサにより、内部でバイパスされています。
I1（K1）
：デジタル入力ピン。基準となる電位はVL2 ピンの電圧
およびGND2。絶縁障壁を介してDO1ピンに接続されるロジッ
ク入力。I1ピンのロジック状態は、DO1ピンと同じロジック状
態に変換されます。フロート状態にしないでください。
GND2
（K2 ∼ K5）
：絶縁サイドのグランド。
2887f
10
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
ピン機能
LTM2887-I の絶縁サイド
AVL2（K6）
：公称 5Vの絶縁された電源電圧調整ピン。調整ピ
ンの電圧はGND2を基準にして600mVです。詳細については、
「アプリケーション情報」
のセクションを参照してください。
IVL2（K7）
：VL2 の高精度電流制限調整ピン。IVL2とGND2の
間に抵抗を接続することによって、電流制限しきい値が設定
されます。電流制限抵抗値の設定方法の詳細については、
「ア
プリケーション情報」
のセクションを参照してください。使用し
ない場合、IVL2 ピンはGND2に接続してください。10nFのコ
ンデンサにより、内部でバイパスされています。
AVCC2（K8）
：公称 5Vの絶縁された電源電圧調整ピン。調整ピ
ンの電圧はGND2を基準にして600mVです。詳細については、
「アプリケーション情報」
のセクションを参照してください。
LTM2887-S のロジック・サイド
SDO（A1）
：シリアルSPIのデジタル出力ピン。基準となる電位
はVL ピンの電圧および GND。絶縁障壁を介して絶縁サイド
のSDO2ピンに接続されるロジック出力。絶縁通信障害の状
態では、この出力は高インピーダンス状態になります。
DO2（A2）
：デジタル出力ピン。基準となる電位はVL ピンの電
圧および GND。絶縁障壁を介してI2ピンに接続されるロジッ
ク出力。絶縁通信障害の状態では、この出力は高インピーダ
ンス状態になります。
SCK（A3）
：シリアルSPIのクロック入力ピン。基準となる電位は
VL ピンの電圧および GND。絶縁障壁を介して絶縁サイドの
SCK2ピンに接続されるロジック入力。フロート状態にしない
でください。
SDI（A4）
：シリアルSPIのデータ入力ピン。基準となる電位は
VL ピンの電圧および GND。絶縁障壁を介して絶縁サイドの
SDI2ピンに接続されるロジック入力。フロート状態にしないで
ください。
CS（A5）
：シリアルSPIのチップ選択ピン。基準となる電位は
VL ピンの電圧および GND。絶縁障壁を介して絶縁サイドの
CS2ピンに接続されるロジック入力。フロート状態にしないで
ください。
SDOE（A6）
：シリアルSPIのデータ出力イネーブル・ピン。基準
となる電位はVL ピンの電圧および GND。SDOEピンがロジッ
ク H になると、ロジック・サイドのSDOピンは高インピーダン
ス状態になり、ロジック L になると出力はイネーブルされま
す。フロート状態にしないでください。
ON（A7）
：イネーブル・ピン。基準となる電位はVL ピンおよび
GNDピンの電圧。絶縁障壁を介して電源供給およびデータ
通信をイネーブルします。ONピンが H になるとデバイスがイ
ネーブルされ、電源および通信が絶縁サイドで動作可能にな
ります。ONピンが L になるとロジック・サイドがリセット状態
に保持され、全てのデジタル出力が高インピーダンス状態に
なり、絶縁サイドに電源が供給されなくなります。フロート状
態にしないでください。
V（A8）
：ロジック電源ピン。SDI、SCK、SDO、DO1、DO2、CS、
L
ONピンのインタフェース電源電圧。動作電圧は1.62V ∼ 5.5V
です。1µFのコンデンサにより、内部でバイパスされています。
DO1（B1）
：デジタル出力ピン。基準となる電位はVL ピンの電
圧および GND。絶縁障壁を介してI1ピンに接続されるロジッ
ク出力。絶縁通信障害の状態では、この出力は高インピーダ
ンス状態になります。
GND
（B2 ∼ B6）
：回路のグランド。
VCC（B7 ∼ B8）
：電源電圧。動作電圧は、LTM2887-3の場合
は3V∼3.6Vで、LTM2887-5の場合は4.5V∼5.5Vです。2.2µF
のコンデンサにより、内部でバイパスされています。
LTM2887-S の絶縁サイド
SDO2
（L1）
：シリアルSPIのデジタル入力ピン。基準となる電位
はVL2 ピンの電圧および GND2。絶縁障壁を介してロジック・
サイドのSDOピンに接続されるロジック入力。フロート状態に
しないでください。
I2（L2）
：デジタル入力ピン。基準となる電位はVL2 ピンの電圧
およびGND2。絶縁障壁を介してDO2ピンに接続されるロジッ
ク入力。I2ピンのロジック状態は、DO2ピンと同じロジック状
態に変換されます。フロート状態にしないでください。
SCK2（L3）
：シリアルSPIのクロック出力ピン。基準となる電位
はVL2 ピンの電圧および GND2。絶縁障壁を介してロジック・
サイドのSCKピンに接続されるロジック出力。絶縁通信障害
の状態では、この出力はデフォルトで L 状態になります。
SDI2（L4）
：シリアルSPIのデータ出力ピン。基準となる電位は
VL2 ピンの電圧および GND2。絶縁障壁を介してロジック・サ
イドのSDIピンに接続されるロジック出力。絶縁通信障害の
状態では、この出力はデフォルトで L 状態になります。
CS2（L5）
：シリアルSPIのチップ選択ピン。基準となる電位は
VL2 ピンの電圧および GND2。絶縁障壁を介してロジック・サ
イドのCSピンに接続されるロジック出力。絶縁通信障害の状
態では、この出力はデフォルトで H 状態になります。
VL2（L6）
：1.8V ∼ 5.5Vの調整可能な絶縁された電源電圧。
絶縁型 DC/DCコンバータによってVCC を基に内部で生成さ
れ、外付け部品なしで5Vに安定化されます。4.7µFのコンデ
ンサにより、内部でバイパスされています。
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
11
LTM2887
ピン機能
GND2
（K2 ∼ K5）
：絶縁サイドのグランド。
LTM2887-S の絶縁サイド
IVCC2（L7）
：VCC2 の高精度電流制限調整ピン。IVCC2とGND2
AVL2（K6）
：公称 5Vの絶縁された電源電圧調整ピン。調整ピ
の間に抵抗を接続することによって、電流制限しきい値が設
ンの電圧はGND2を基準にして600mVです。詳細については、
定されます。電流制限抵抗値の設定方法の詳細については、「アプリケーション情報」
のセクションを参照してください。
「アプリケーション情報」
のセクションを参照してください。使
IVL2（K7）
：VL2 の高精度電流制限調整ピン。IVL2とGND2の
用しない場合、IVCC2 ピンはGND2に接続してください。10nF
間に抵抗を接続することによって、電流制限しきい値が設定
のコンデンサにより、内部でバイパスされています。
されます。電流制限抵抗値の設定方法の詳細については、
「ア
VCC2（L8）
：0.6V ∼ 5.5Vの調整可能な絶縁された電源電圧。プリケーション情報」
のセクションを参照してください。使用し
絶縁型 DC/DCコンバータによってVCC を基に内部で生成さ
ない場合、IVL2 ピンはGND2に接続してください。10nFのコ
れ、外付け部品なしで5Vに安定化されます。4.7µFのコンデ
ンデンサにより、内部でバイパスされています。
ンサにより、内部でバイパスされています。
AVCC2（K8）
：公称 5Vの絶縁された電源電圧調整ピン。調整ピ
I1（K1）
：デジタル入力ピン。基準となる電位はVL2 ピンの電圧
ンの電圧はGND2を基準にして600mVです。詳細については、
およびGND2。絶縁障壁を介してDO1ピンに接続されるロジッ「アプリケーション情報」
のセクションを参照してください。
ク入力。I1ピンのロジック状態は、DO1ピンと同じロジック状
態に変換されます。フロート状態にしないでください。
ブロック図
LTM2887-I
IVCC2
REG
VCC2
4.7µF
10nF
AVCC2
VCC
GND2
VL
2.2µF
IVL2
1µF
REG
GND
VL2
4.7µF
DC/DC
CONVERTER
10nF
AVL2
ON
REG
O1
DI1
SDA
SCL
SDA2
ISOLATED
COMMUNICATIONS
INTERFACE
ISOLATED
COMMUNICATIONS
INTERFACE
SCL2
DO2
I2
DO1
I1
2887 BDa
2887f
12
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
ブロック図
LTM2887-S
IVCC2
REG
VCC2
4.7µF
10nF
AVCC2
VCC
GND2
VL
2.2µF
IVL2
1µF
REG
GND
VL2
4.7µF
DC/DC
CONVERTER
10nF
AVL2
ON
REG
SDOE
CS2
CS
SDI
SCK
DO2
SDI2
ISOLATED
COMMUNICATIONS
INTERFACE
ISOLATED
COMMUNICATIONS
INTERFACE
SCK2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
2887 BDb
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
13
LTM2887
テスト回路
INPUT
0V
OUTPUT
CL
INPUT
VL
OUTPUT
CL
INPUT
OUTPUT
90%
10%
tPHL
10%
½VL2
90%
tR
tF
VL2
0V
OUTPUT
tPLH
VOH
VOL
INPUT
½VL
½VL2
tPLH
VOH
VOL
90%
10%
tPHL
10%
½VL
90%
tR
tF
2887 F01
図 1. ロジックのタイミング測定
VL OR 0V
VL
SDOE
RL
0V
SDO2 OR
VL2
SDO
CL
½VL
0V
SDO
SDOE
SDO
tPZH
VOH
tPHZ
VOH – 0.5V
½VL
0V
VL
tPLZ
tPZL
½VL
VOL
VOL + 0.5V
2887 F02
図 2．ロジックのイネーブル /ディスエーブル時間
VL
RL
SDA
0V
SDA2
CL
SDA
VL
SDA2
½VL
tPHL
VOH
VOL
½VL2
tPLH
30%
70%
70%
30%
tF
tR
VL
RL
SDA2
0V
SDA
CL
VL2
SDA2
SDA
½VL2
tPHL
VOH
VOL
½VL
tPLH
70%
30%
70%
tF
30%
tR
2887 F03
図 3．I2C のタイミング測定
2887f
14
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
アプリケーション情報
LTM2887デジタルµModuleアイソレータは、ガルバニック絶
縁された堅牢なロジック・インタフェースを実現します。このイ
ンタフェースは、内蔵の安定化 DC/DCコンバータによって電
力が供給され、デカップリング・コンデンサを備えています。
LTM2887は、グランドの電位が異なる場合がある複数の回
路網で使用するのに最適です。LTM2887 内での絶縁により、
高い電圧差が遮断され、グランド・ループが取り除かれます。
また、グランド・プレーン間での同相トランジェントに対する耐
性がきわめて高くなります。30kV/µsより大きい同相事象が発
生しても誤りのない動作が維持されるので、優れたノイズ絶
縁性能を実現します。
アイソレータµModule 技術
LTM2887は、アイソレータµModule 技術を使用して、絶縁障
壁を越えて信号および電力を変換します。障壁のどちらの側
の信号もパルスに符号化され、µModule 基板内に形成された
空芯型トランスにより、絶縁境界を越えて変換されます。この
システムは、データ・リフレッシュ機能、障害発生時の安全な
シャットダウン機能、きわめて高い同相信号除去特性を備え
ているので、信号を双方向で絶縁するための堅牢なソリュー
ションを実現します。µModule 技術により、絶縁された信号
処理と、複数のレギュレータおよび強力な絶縁型 DC/DCコン
バータを1つの小型パッケージに集約する手段が得られます。
2.2µFを使用してバイパスされ、VCC2 および VL2 は、それぞれ
4.7µFを使用してバイパスされています。
VL ロジック電源
ロジック電源ピンVL は独立しているので、LTM2887は、図 4
に示すように1.62V ∼ 5.5Vのロジック信号とのインタフェース
が可能です。所望のロジック電源をVL にそのまま接続してく
ださい。
VCCとVL の間に相互依存性はありません。規定の動作範囲
内であれば任意の電圧で同時に動作可能であり、任意の順
序で順序付けが可能です。VL は1µFのコンデンサにより、内
部でバイパスされています。
3V TO 3.6V LTM2887-3
4.5V TO 5.5V LTM2887-5
LTM2887-I
LTM2887は、完全に集積化されたDC/DCコンバータをトラン
スを含めて内蔵しているので、外付け部品は必要ありません。
ロジック・サイドには、1.6MHzで動作するフルブリッジ・ドライバ
があり、1 個のトランスの1 次側にAC 結合されています。直列
のDC 阻止コンデンサにより、ドライバのデューティ・サイクルに
偏りが生じてもトランスは飽和しません。1 次側の電圧はトラン
スによって調整され、全波倍電圧整流回路によって整流されま
す。この回路構成では、中間タップ付きの全波ブリッジの場合
と同様にダイオード1 個分の電圧降下を考慮に入れており、2
次側での不均衡に起因するトランスの飽和が発生しません。
3つの低ドロップアウト・レギュレータ
（LDO）
は、電圧ダブラの
出力に接続されます。1つのLDOは内部回路に電力を供給し、
外部では使用できません。他の2つのLDOは、VCC2 出力およ
び VL2 出力に、安定化された公称 5Vを供給します。VL2 は、
絶縁されたロジック・ピンの電圧レベルに対応します。
内部電源ソリューションは、VCC2 および VL2 から100mA 以
上の電流を供給するのに十分な性能を持っています。VCCは、
AVCC2
IVCC2
ANY VOLTAGE FROM
1.62V TO 5.5V
VL2
VL
ON
DI1
SDA
EXTERNAL
DEVICE
DC/DCコンバータ
VCC2
VCC
SCL
AVL2
ISOLATION BARRIER
概要
IVL2
O1
SDA2
SCL2
DO2
I2
DO1
I1
GND
GND2
2887 F04
図 4．VCC とVL は無関係
安全な活線挿入
LTM2887はセラミックのデカップリング・コンデンサを内蔵し
に対して電源
ているので、LTM2887の電源（VCC またはVL）
のプラグ接続が行われるアプリケーションでは注意が必要で
す。ケーブルの寄生インダクタンスとセラミック・コンデンサの
高いQ 特性の組み合わせにより、最大定格電圧を超える可能
性があるかなりのリンギングが発生して、LTM2887を損傷す
る場合があります。この現象の詳細および軽減方法について
は、リニアテクノロジーのアプリケーションノート88「セラミック
入力コンデンサによって生じる過電圧トランジェント」
を参照し
てください。
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
15
LTM2887
アプリケーション情報
絶縁型電源の電圧調整動作
2つの絶縁された電源レールは、外付け抵抗分割器を接続す
ることによって調整できます。未調整の出力電圧は、保証性能
の最大値を表します。VCC2 = 3.3Vおよび VL2 = 2.5Vの出力
電源レールの構成を図 5に示します。
VCC2 の出力電圧調整範囲は0.6V ∼ 5.5Vです。出力電圧は、
次式によって計算できます。
VCC2 = 0.6V
（1＋R2/R1）
VL2 の調整範囲は、LTM2887-Iの場合で3V ∼ 5.5V、
LTM2887-Sの場合で1.8V ∼ 5.5Vです。出力電圧は、次式に
よって計算できます。
VL2 = 0.6V（1＋R5/R4）
調整ピンのバイアス電流および内部分圧器によって生じる出
力電圧の誤差を最小限に抑えるため、R1またはR4の値は
6.04kΩ 以下にします。
低い出力電圧で動作させると、低ドロップアウト・レギュレータ
の電力損失が原因でサーマル・シャットダウン状態になる恐
れがあります。
絶縁された電源の設定可能な電流制限
IVCC2 ピンおよび IVL2 ピンを使用して、VCC2 および VL2 か
ら使用可能な最大電流をそれぞれ設定できます。電流調整
機能を使用して最大出力電力を制限し、一方の電圧レール
VL2
R5
19.1k
IVL2
CS2
R6
4.64k
R3
1.54k
R1
6.04k
R4
6.04k
SDI2
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
3.3V AT 75mA
R2
27.4k
AVL2
ISOLATION BARRIER
SCK
入力および出力の符号化および復号化により、複数のチャネ
ルが絶縁障壁にまたがってサポートされます。各方向で最大
3つの信号がパケットとして組み立てられ、絶縁障壁を越えて
伝送されます。3ビット全ての伝送に必要な時間は最大 100ns
なので、障壁の反対側で信号を変更できる頻度には制限が
設定されます。符号化伝送は、各データの方向には関係あり
ません。採用されている技法では、関連の出力チャネルにジッ
タが発生せず、遅延のみとなるように、ロジック・サイドでは
SCKまたはSCLに、絶縁サイドではSDO2またはI2に、それ
ぞれ最高の優先度が割り当てられます。この占有権割り当て
方式により、他方の絶縁チャネルに一定量の不確実性が生じ
IVCC2
ON
SDI
チャネルのタイミングの不確実性
AVCC2
VL
CS
抵抗値を設定する場合のこの式の精度は、約 1%です。値
の単位は、アンペア、ボルト、およびオームです。図 5に、VCC2
に対して75mAおよび VL2 に対して25mAに設定された電流
制限を示します。外部設定可能な電流制限が不要な場合は、
IVCC2 ピンまたはIVL2 ピンをGND2に接続する必要がありま
す。電流制限ピンは、10nFのコンデンサを使用して内部でデ
カップリングされています。
VCC2
VCC
SDOE
RIMAX = [119.22-（0.894 •（VCC2, VL2））]/ILIMIT
2.5V AT 25mA
LTM2887-5S
5V
にその能力を超える負荷が加えられた場合に、もう一方の電
圧レールの電圧が低下しないことを保証できます。電流制
限しきい値（ILIMIT）は、IVCC2 またはIVL2 からGND2に抵抗
（RIMAX）
を接続することにより、次のように設定されます。
GND2
2887 F05
図 5．調整可能な電圧レール
2887f
16
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
アプリケーション情報
ます。その結果、優先度の低いチャネルでのパルス幅の不確
実性は標準では 6nsですが、優先度の低いチャネルが符号
化されたパケットが、優先度の高いシリアル・パケットと同じパ
ケットでなかった場合は、最大 44nsまで変化することがあり
ます。
SPI（シリアル周辺機器インタフェース）
バス
LTM2887-Sは、SPI 互換の絶縁インタフェースを備えていま
す。最大データレートは、固有のチャネル伝播遅延、チャネル
間のパルス幅不確実性、およびデータ方向要件の関数です。
チャネルのタイミングの詳細を図 6 ∼ 9と表 2および 3に示し
ます。SPIプロトコルは、クロックの極性（CPOL）
およびクロッ
クの位相（CPHA）
で定義される4つの固有タイミング構成を
サポートしています
（概要を表 1に示します）。
表 1.SPI モード
CPOL
CPHA
0
0
0
1
1
0
1
1
データ
（とクロック）
との関係
• SDIからSCKまで
（マスタ・データのスレーブへの書き込み）
t2 → t4
≈50ns、SDI からSDI2までの伝播遅延
t5 → t6
≈50ns、SCK からSCK2までの伝播遅延
t2 → t5
≥50ns、SDI からSCKまで、別のパケットゼロ
以外のセットアップ時間
t4 → t6
≥50ns、SDI2 からSCK2まで、別のパケットゼロ
以外のセットアップ時間
• SDO からSCKまで
（マスタ・サンプルSDO、後続のSDO が
有効）
t8
SDIおよび SCKでのセットアップ・データ遷移
時刻
t8 → t10
≈50ns、SDI からSDI2までとSCK から
SCK2までの伝播遅延
サンプル（立ち上がり）
セットアップ（立ち下がり）
t10
SCK2のデータ遷移に呼応したSDO2の
データ遷移
サンプル（立ち下がり）
セットアップ（立ち上がり）
t10 → t11
≈50ns、SDO2 からSDOまでの伝播遅延
t11 → t12
マスタSDO からSCKまでのセットアップ時間
セットアップ（立ち上がり）
セットアップ（立ち下がり）
サンプル（立ち下がり）
サンプル（立ち上がり）
双方向通信の最大データレートは、タイミング波形に詳細を
示すように、同期システムを基準にして4MHzです。クロックの
デューティ・サイクルに偏りを持たせてSDO からSCKまでの
セットアップ時間を最小限に抑えれば、データレートをわずか
に高くすることができますが、クロック・レートは引き続きシス
テムの伝播遅延に左右されます。重要なタイミング経路につ
いて、図 6および 7を基準にして以下に説明します。
• CS からSCKまで
（マスタ・サンプルSDO、最初のSDO が
有効）
t0 → t1
約 50ns、CS からCS2までの伝播遅延
t1 → t1+
絶縁されたスレーブ・デバイスの伝播時間
（応答時間）、SDO2をアサート
t1 → t3
≈50ns、SDO2 からSDOまでの伝播遅延
t3 → t5
マスタSDO からSCKまでのセットアップ
時間
マスタからスレーブへの片方向通信の最大データレートは
8MHzで、システムの符号化 / 復号化方式または伝播遅延に
よって制限されます。クロック位相の2 種類のタイミングの詳
細を図 8、図 9および表 3に示します。
最大データレートを確保するためのその他の要件は以下のと
おりです。
• CSは、非同期の場合はSDIのデータ・パケットより前に送
信され、同期の場合はSDIと同じデータ・パケット内で送信
される。
• SDIおよびSCKのセットアップ・データ遷移は、
同じデータ・
パケット内で発生する。図 6を参照すると、SDIはSCKより
最大 13ns（t7 → t8）先行するか、SCKより3ns（t8 → t9）遅
れる可能性があり、この要件には違反していません。同様
に図8では、
SDIはSCKより最大13ns（t4 → t5）先行するか、
SCKより3ns（t5 → t6）遅れる可能性があります。
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
17
LTM2887
アプリケーション情報
CPHA = 0
CS = SDOE
CS2
SDI
SDI2
SCK (CPOL = 0)
SCK2 (CPOL = 0)
SCK (CPOL = 1)
SCK2 (CPOL = 1)
INVALID
SDO
SDO2
t0
t1 t2
t3 t4
t5
t6
t7
t8
t9
t10
t11 t12
t13
t14
t15
t17
t18
2887 F06
図 6．SPI のタイミング、双方向、CPHA = 0
CPHA = 1
CS = SDOE
CS2
SDI
SDI2
SCK (CPOL = 0)
SCK2 (CPOL = 0)
SCK (CPOL = 1)
SCK2 (CPOL = 1)
INVALID
SDO
SDO2
t0
t1 t2
t3 t4
t5
t6
t7
t8
t9
t10
t11 t12
t13
t14
t15
t16 t17
t18
2887 F07
図 7．SPI のタイミング、双方向、CPHA = 1
2887f
18
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
アプリケーション情報
CPHA = 0
CS = SDOE
CS2
SDI
SDI2
SCK (CPOL = 0)
SCK2 (CPOL = 0)
SCK (CPOL = 1)
SCK2 (CPOL = 1)
t0
t1 t2
t3
t4 t5
t6
t7
t8
t9
t11
t12
2887 F08
図 8．SPI のタイミング、片方向、CPHA = 0
CPHA = 1
CS = SDOE
CS2
SDI
SDI2
SCK (CPOL = 0)
SCK2 (CPOL = 0)
SCK (CPOL = 1)
SCK2 (CPOL = 1)
t0
t1 t2
t3
t4 t5
t6
t7
t8
t9
t10 t11
t12
2887 F09
図 9．SPI のタイミング、片方向、CPHA = 1
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
19
LTM2887
アプリケーション情報
表 2. 双方向での SPIタイミング事象の説明
時刻
CPHA
t0
0, 1
t0 ～ t1、t17 ～ t18
0, 1
t1
0, 1
t2
0
1
t1 ～ t3
0, 1
t3
0, 1
t2 ～ t4
0
1
t5
0, 1
t5 ～ t6
0, 1
t6
0, 1
t8
0, 1
t7 ～ t8
0, 1
t8 ～ t9
t8 ～ t10
t10 ～ t14
t10 ～ t11、t14 ～ t15
t11 ～ t12
t13
0, 1
0, 1
0, 1
0, 1
0, 1
0
1
t13 ～ t14
0
1
t15
0
1
t15 ～ t16
1
t17
0, 1
t18
0, 1
事象の説明
非同期のチップ選択。SDIに同期できるが、遅延時間を3nsより長くすることはできない。ロジック・サイドのス
レーブ・データ出力はイネーブルされており、初期データはスレーブ・デバイスのデータ出力とは等しくない
チップ選択の伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向、標準 50ns
スレーブ・デバイスのチップ選択出力データ・イネーブル
データ伝送の開始、データ・セットアップ
伝送の開始、データおよびクロックのセットアップ。データ遷移はクロック・エッジの–13ns ～ 3ns 以内にする必要がある
スレーブ・データの伝播遅延、絶縁サイドからロジック・サイドの方向、標準 50ns
スレーブ・データ出力が有効、ロジック・サイド
データの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
データおよびクロックの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
ロジック・サイドのデータ・サンプル時刻、セットアップ・データ遷移時刻から半クロック周期だけ遅延
クロックの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
絶縁サイドのデータ・サンプル時刻
同期データおよびクロックの遷移、ロジック・サイド
データからクロックまでの遅延、13ns 以内にする必要あり
クロックからデータまでの遅延、3ns 以内にする必要あり
クロックおよびデータの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
スレーブ・デバイスのデータ遷移
スレーブ・データの伝播遅延、絶縁サイドからロジック・サイドの方向
スレーブ・データ出力からサンプル・クロックのセットアップまでの時間
データおよびクロックの最後の遷移、ロジック・サイド
サンプル・クロックの最後の遷移、ロジック・サイド
データおよびクロックの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
クロックの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
スレーブ・データ出力の最後の遷移、ロジック・サイド
スレーブ・データ出力およびデータの最後の遷移、ロジック・サイド
データの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
チップ選択の非同期の遷移、伝送の終了。スレーブ・データ出力のディスエーブル、ロジック・サイド
絶縁サイドでのチップ選択の遷移、スレーブ・データ出力はディスエーブル済み
2887f
20
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
アプリケーション情報
表 3. 片方向での SPIタイミング事象の説明
時刻
CPHA
t0
0, 1
t0 ～ t1
0, 1
0
t2
1
t2 ～ t3
0
1
t3
0, 1
t3 ～ t5
0, 1
t4 ～ t5
0, 1
t5 ～ t6
0, 1
t5 ～ t7
0, 1
0
t8
1
t8 ～ t9
0
1
t9 ～ t10
1
t11
0, 1
t12
0, 1
事象の説明
非同期のチップ選択。SDIに同期できるが、遅延時間を3nsより長くすることはできない
チップ選択の伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
データ伝送の開始、データ・セットアップ
伝送の開始、データおよびクロックのセットアップ。データ遷移はクロック・エッジの–13ns ～ 3ns 以内にする必要がある
データの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
データおよびクロックの伝播遅延、ロジック・サイドから絶縁サイドの方向
ロジック・サイドのデータ・サンプル時刻、セットアップ・データ遷移時刻から半クロック周期だけ遅延
クロックの伝播遅延、クロックおよびデータの遷移
データからクロックまでの遅延、13ns 以内にする必要あり
クロックからデータまでの遅延、3ns 以内にする必要あり
データおよびクロックの伝播遅延
クロックおよびデータの最後の遷移
クロックの最後の遷移
クロックおよびデータの伝播遅延
クロックの伝播遅延
データの伝播遅延
チップ選択の非同期の遷移、伝送の終了
絶縁サイドでのチップ選択の遷移
ロック伝播遅延の最大値である225ns、グリッチ・フィルタお
よび絶縁サイドのデータ遅延の最大値である500ns、絶縁サ
LTM2887-Iは、I2C 互換の絶縁インタフェースを備えていま
イドおよびロジック・サイドでの最大バス負荷時のデータ立ち
す。クロック
（SCL）
は一方向で、マスタ・モードのみをサポート
下がり時間の合計である300nsで構成されます。セットアップ
しており、データ
（SDA）は双方向です。最大データレートは
時間を合計すると、I2Cでのデータ保持時間（tHD;DAT）が最
400kHzで、高速モードのI2Cをサポートします。タイミングの
大で175nsまで減少するので、十分なデータ・セットアップ時間
詳細を図 10に示します。データレートはスレーブのアクノリッ
（t
が保証されます。
SU;ACK）
ジ・セットアップ時間（tSU;ACK）
で制限されます。この時間は、
I2C 標準の最小セットアップ時間（tSU;DAT）である100ns、ク
I2C（IC 間通信）
バス
SLAVE ACK
SDA
SDA2
SCL
1
8
9
SCL2
START
tPROP
tSU;DAT
tHD;DAT
tSU;ACK
STOP
2887 F10
図 10．I2C のタイミング図
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
21
LTM2887
アプリケーション情報
絶縁サイドの双方向シリアル・データ・ピンであるSDA2 付近
の簡略回路図を図 11に示します。内蔵の1.8mA 電流源によ
り、SDA2ピンにはプルアップ電流が供給されます。SDA2ピ
ンには他のプルアップ・デバイスを接続しないでください。この
電流源は、高速モードでは200pFより大きく標準モードでは
400pFより大きいバス容量のシステム要件を満たすのに十分
です。
1.8mA
SDA2
30
V = 3V
V = 3.3V
V = 3.6V
V = 4.5V TO 5.5V
25
2887 F11
図 11．絶縁サイドの SDA2ピン付近の回路図
その他の独自回路により、SDAおよび SDA2の信号のスルー
レートをモニタして、絶縁障壁間での方向の制御が行われま
す。正常動作のためには、これら2つのピンでのスルーレート
を1V/µsより大きくする必要があります。
ロジック・サイドの双方向シリアル・データ・ピンであるSDAに
は、VL に接続されたプルアップ抵抗または電流源が必要で
す。高速モードおよび標準モードでの所望の立ち上がり時間
規格値および VOL の最大制限値を満たす適切なプルアップ
抵抗をSDAピンに接続するには、図 12および図 13の要件に
従ってください。抵抗の曲線は抵抗の最大値の境界を表しま
す。該当する曲線の左側の領域であれば、任意の値を使用で
きます。
絶縁サイドのクロック・ピンであるSCL2のプッシュプル出力ド
ライバの能力は十分ではないので、外付けのプルアップ・デバ
イスは接続しないでください。SCL2ピンは、クロック幅の伸張
なしでI2Cデバイスとの互換性があります。軽負荷の接続では、
SCL2ピンとGND2ピンの間に100pFのコンデンサを接続する
か、RCローパス・フィルタ
（R = 500Ω、C = 100pF）
を使用する
ことにより、立ち上がり時間および立ち下がり時間を増やして
ノイズを最小限に抑えることができます。
RPULL_UP (kΩ)
FROM
LOGIC
SIDE
GLITCH FILTER
20
15
10
5
0
10
100
CBUS (pF)
1000
2887 F12
図 12．標準速度モードでの SDAピンの最大プルアップ抵抗
10
V = 3V
V = 3.3V
V = 3.6V
V = 4.5V TO 5.5V
9
8
7
RPULL_UP (kΩ)
TO
LOGIC
SIDE
SCL2ピンとSDA2ピンの間の信号結合に対しては、何らかの
考慮が必要です。プリント回路基板上でこれらの信号線を分
離するか、信号線間にグランド配線を設けてください。これら
の信号線が基板から離れている場合は、SCL2ピンの信号線
をVCC2 またはGND2（あるいはその両方）の配線とより合わ
せ、SDA2ピンの信号線をGND2またはVCC2（あるいはその
両方）
の配線とより合わせます。SCL2とSDA2の信号線を一
緒により合わせることはしないでください。SCL2ピンとSDA2
ピンの間で信号の結合が避けられない場合は、前述のRC
フィルタをSCL2ピンに配置して、SDA2ピンへのノイズ注入を
減らしてください。
6
5
4
3
2
1
0
10
100
CBUS (pF)
1000
2887 F13
図 13．高速モードでの SDAピンの最大プルアップ抵抗
2887f
22
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
アプリケーション情報
RF、磁界に対する耐性
LTM2887 内部で使用されているアイソレータµModule 技術
は単独で評価されており、以下の試験規格に従って、欧州規
格 EN 55024に準拠したRFおよび磁界の耐性試験の要求基
準に合格しました。
EN 61000-4-3
Radiated, Radio-Frequency,
Electromagnetic Field Immunity
（放射無線周波数電磁界での耐性）
EN 61000-4-8
Power Frequency Magnetic Field
Immunity（電源周波数磁界での耐性）
EN 61000-4-9
Pulsed Magnetic Field Immunity
（パルス磁界での耐性）
試験は、データシートのプリント回路基板レイアウトの推奨事
項に従って設計されたシールドなしのテスト・カードを使用し
て行われました。試験ごとの具体的な制限値の詳細を表 4に
示します。
表 4．EMC 耐性試験
TEST
EN 61000-4-3 Annex D
周波数
80MHz ～ 1GHz
1.4MHz ～ 2GHz
電界 / 磁界強度
10V/m
3V/m
2GHz ～ 2.7GHz
1V/m
50Hzおよび 60Hz
30A/m
EN 61000-4-8 Level 5
60Hz
100A/m*
EN 61000-4-9 Level 5
Pulse
1000A/m
EN 61000-4-8 Level 4
*IEC 以外の方法
PCBレイアウト
LTM2887は集積密度が高いので、プリント回路基板のレイア
ウトは非常に簡単です。ただし、電気的絶縁特性、EMI 性能、
熱性能を最適化するには、レイアウトについていくつか検討す
ることが必要です。
• 負荷が重い条件では、VCC および GNDを流れる電流が
300mAを超えることがあります。プリント回路基板上の銅
の量を十分確保し、抵抗に起因する損失によって電源電
圧が許容最小レベルより低くならないようにしてください。
同様に、VCC2とGND2の導体パターンも、どのような外部
負荷電流もサポートできるように大きさを決める必要があ
ります。こうした厚い銅配線領域は、熱ストレスの軽減や熱
伝導率の向上にも役立ちます。
• 入力および出力のデカップリング用部品は、パッケージ内
部に組み込まれているので必要ありません。追加する場合
は値が 6.8µF ∼ 22µFの大容量コンデンサを推奨します。こ
のコンデンサはESR が大きいので、基板の共振が減少し、
電源電圧の活線挿入による電圧スパイクが最小限に抑え
られます。EMIの影響を受けやすいアプリケーションでは、
1µF ∼ 4.7µFの低 ESLセラミック・コンデンサを追加するこ
とを推奨します。これらはできるだけ電源端子およびグラン
ド端子の近くに配置してください。代わりに、値の小さいコ
ンデンサをいくつか並列に配置してESLを減少させ、正味
の容量を同じにすることもできます。
• パッドの内側の列の間のプリント回路基板上には銅領域
を配置しないでください。定格の絶縁電圧に耐えるため、
この領域は空けたままにしておく必要があります。
• EMIの影響を受けにくいアプリケーションでは、GNDおよ
び GND2に切れ目のないグランド・プレーンを使用して、信
号の忠実度および熱性能を最適化し、結合していないプリ
ント回路基板配線の導通によるRF 放射を最小限に抑えま
す。EMI が問題となるグランド・プレーンを使用すると、ダイ
ポール・アンテナ構造が形成され、GNDとGND2の間に生
じる差動電圧が放射される可能性があるという弱点があり
ます。グランド・プレーンを使用する場合は、その面積を最
小限に抑え、連続した面を使用することを推奨します。開
口部や切れ目があるとRF 放射の悪影響が増す可能性が
あるからです。
• グランド・プレーンが広くなる場合は、ディスクリートのコン
デンサを接続するか基板内に容量を埋め込むことによって
GNDとGND2の間に小さい容量（330pF 以下）
を追加する
と、モジュールの寄生容量に対する低インピーダンスの電
流帰還経路ができるので、高周波の差動電圧が最小限に
抑えられ、放射ノイズを大きく減少させることができます。
ディスクリート・コンデンサによる容量の場合は、寄生 ESL
があるので、埋め込み容量ほどは効果がありません。さら
に、部品を選択するときは、電圧定格、漏れ電流、および
隙間を考慮する必要があります。プリント回路基板内部に
容量を埋め込むと、理想に近いコンデンサが形成され、部
品選択の問題が解消されますが、プリント回路基板は4 層
にする必要があります。どちらの技法を採用する場合でも、
絶縁障壁の電圧定格が低下しないように注意する必要が
あります。
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
23
LTM2887
アプリケーション情報
• プリント回路基板内部に容量を埋め込まないアプリケー
ションでは、ロジック・サイドと絶縁サイドのデバイス・ピン
間にスロットを追加できます。スロットにより、プリント回路
基板側にある終端間の表面漏れ電流経路が広がります。
スロットはデバイスの中央に配置して、パッケージの周辺長
より長いものにする必要があります。
図 14および 15のプリント回路基板レイアウトは、LTM2887
の低 EMIデモ基板を示しています。デモ基板では、埋め込み
PCBブリッジ容量とGND - GND2 間のディスクリート・コンデ
ンサの両方を含む、EMI 軽減技法の組み合わせを採用して
います。安全規格認定のY2クラスの2つのコンデンサ
（村田
製作所製、製品番号 GA342QR7GF471KW01L）
を直列に接
続して使用しています。埋め込みコンデンサが有効に低減す
るのは400MHzより高い放射ノイズであるのに対して、ディス
クリート・コンデンサは400MHzより低い放射ノイズに有効で
す。EMI 性能を図 16に示します。これは、GTEM（Gigahertz
Transverse Electromagnetic：ギガヘルツ横方向電磁界）
セル
と、IEC 61000-4-20（Testing and Measurement Techniques –
Emission and Immunity Testing in Transverse Electromagnetic
Waveguides：試験および測定技術 - 横方向電磁界導波管の
エミッションおよびイミュニティ試験）
に詳細が記載されてい
る方法を使用して測定しました。
図 14．LTM2887 低 EMIデモ基板レイアウト
2887f
24
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
アプリケーション情報
最上層
内部第 2 層
中間層 1
最下層
図 15．LTM2887 低 EMIデモ基板レイアウト
（DC1791A）
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
25
LTM2887
アプリケーション情報
60
50
CISPR 22 CLASS B LIMIT
40
dBµV/m
30
20
DC1791A-B
10
DC1791A-A
0
DETECTOR=QUASIPEAK
RBW=120kHz
VBW=300kHz
SWEEP TIME=17s
# of POINTS=501
–10
–20
–30
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Frequency (MHz)
2887 F16
図 16．LTM2887 低 EMIデモ基板での放射ノイズ
標準的応用例
B8
5V
A8
1µF
LTM2887-5I
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
1.7k
A7
1.7k
VCC
A5
SDA
µC
A6
SCL
GND
A4
A3
A2
A1
B1
B3
IVL2
ON
GND
DI1
VL2
AVL2
O1
SDA
SDA2
SCL
SCL2
DNC
DNC
DO2
I2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
L7
K7
L6
K6
L5
LTC2631A-HZ12, DAC
1
8
CA1
CA0
2
7
VOUT
SCL
3
6
SDA
REF
4
5
VCC
GND
L4
L3
L2
L1
K1
0V TO 4.096V OUT
0.1µF
K2
1µF
LTC2301, ADC
10
11
0.1µF
12
1
2
3
VDD
GND
AD0
REFC
AD1
VREF
GND
IN
SDA
IN+
SCL
GND
9
8
7
– 6
5
4
1µF
10µF
0V TO 4.096V IN
0.1µF
2887 F17
図 17．絶縁されたI2C 制御の 12ビット、0V ∼ 4.096Vアナログ入力および出力
2887f
26
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
標準的応用例
LTM2887-3S
B8
3.3V
A8
10k
1nF
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
74LVC1G123
Rx/Cx
Cx
CLR
B
A4
A3
A2
VCC
A1
CSA
B1
CSB
B2
µC MOSI
AVL2
SDOE
A5
Q
VL2
ON
A6
A
1µF
IVL2
A7
CS
CS2
SDI
SDI2
SCK
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
L7
K7
L6
CSB
K6
L5
CSA
L4
MOSI
L3
SCK
L2
L1
MISO
K1
K2
SCK
MISO
GND
CSA
CSB
MOSI
SCK
2887 F18
図 18．絶縁型の SPI 制御デバイス拡張回路
B8
5V
A8
LTM2887-5I
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
10k
10k
A7
A6
ENABLE
SDA
SCLIN
ALERT
READY
A5
A4
A3
A2
A1
B1
B3
IVL2
ON
GND
DI1
VL2
AVL2
O1
SDA
SDA2
SCL
SCL2
DNC
DNC
DO2
I2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
10k
10k
0.01µF
10k
10k
10k
10k
10k
10k
L7
ALERT2
K7
L6
1
K6
2
L5
3
L4
4
L3
5
L2
6
L1
7
K1
8
K2
ALERT2
SCL2
ALERT
SDA2
SDAIN
ALERT1
GND
SCLIN
LTC4305
ENABLE
SDA1
SCL1
READY
VCC
ADR2
ADR0
ADR1
16
15
14
13
12
11
SCL2
SDA2
ALERT1
SDA1
SCL1
10
9
2887 F19
図 19．デュアル出力を備えた絶縁型 I2C 制御バッファ
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
27
LTM2887
標準的応用例
B8
5V
A8
1µF
LTM2887-5S
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
A7
A6
VCC
A5
Oz
A4
Oy
µC
A3
Ox
A2
A1
Iy
B1
GND Ix
B2
IVL2
VL2
ON
SDOE
AVL2
CS
CS2
SDI
SDI2
SCK
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
L7
K7
NTC THERMISTORS, MURATA NTSD1WD104, 100k
L6
K6
L3
L2
LTC1799
5
L1
K1
4
K2
OUT
V+
GND
DIV
SET
1
2
3
1M
3.01k
3
11
10
7
–40
–30
–20
–10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
1.23
1.46
1.87
2.58
3.77
5.67
8.64
13.09
19.53
28.47
40.65
55.87
74.45
96.08
119.83
144.73
169.36
–t°
DG4051A
16
6
FREQUENCY (kHz)
–t°
–t°
L4
9
TEMPERATURE (°C)
–t°
–t°
L5
8
VCC
X0
X
X1
A
X2
B
X3
C
X4
ENABLE X5
VEE
X6
GND
X7
–t°
–t°
–t°
13
14
15
12
1
5
2
4
–t°
–t°
–t°
–t°
LTC1799
5
4
OUT
V+
GND
DIV
SET
1
2
3
1M
3.01k
DG4051A
16
3
11
10
9
6
7
8
VCC
X0
X
X1
A
X2
B
X3
C
X4
ENABLE X5
VEE
X6
GND
X7
13
–t°
–t°
–t°
–t°
14
15
12
1
5
2
4
2887 F20
図 20．16 チャネル絶縁型温度 / 周波数変換器
2887f
28
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
標準的応用例
IRF7509
5V
B8
A8
LTM2887-5S
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
A7
A6
A5
3.3V ENABLE
5V ENABLE
3.3V UV
5V UV
A4
A3
A2
A1
B1
B2
IVL2
ON
SDOE
VL2
AVL2
CS
CS2
SDI
SDI2
SCK
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
GND2
100k
L8
SWITCHED 3.3V
K8
L7 1.15k
27.4k
K7
L6 1.15k
K6
6.04k
L5
L4
L3
L2
L1
IRF7509
100k
SWITCHED 5V
K1
K2
51.1k
LTC2902
1
2
3
0.1µF
4
10k
5
6
7
8
COMP3
COMP2
COMP1
COMP4
V3
V2
V1
V4
CRT
VREF
RST
VPG
T0
GND
RDIS
T1
16
15
14
13
12
11
10
9
93.1k
9.53k
2887 F21
図 21．低電圧モニタを備えたデジタル切り替え式デュアル電源
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
29
LTM2887
標準的応用例
B8
3.3V
1µF
A8
LTM2887-3S
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
A7
A6
VCC
CS
MOSI
µC
SCK
MISO
GND
A5
A4
A3
A2
A1
B1
B2
IVL2
VL2
ON
AVL2
SDOE
CS
CS2
SDI
SDI2
SCK
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
L7
K7
LTC2654-H16
L6
15
K6
6
L5
7
L4
9
L3
8
L2
11
L1
10
K1
12
K2
REFOUT
VCC
LDAC
REFC
CS
VOUTA
SDI
VOUTB
SCK
VOUTC
CLR
VOUTD
SDO
REFLO
PORSEL
GND
5
3
2
0V TO 4.096V OUTA
4
0V TO 4.096V OUTB
13
0V TO 4.096V OUTC
14
0V TO 4.096V OUTD
1
0.1µF
4
0.1µF
2887 F22
図 22．出力範囲が 0 ∼ 4.096V のクワッド16ビットD/Aコンバータ
5V
B8
A8
LTM2887-5S
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
A7
A6
CS
SDI
SCK
SDO
A5
A4
A3
A2
A1
B1
B2
IVL2
ON
SDOE
VL2
AVL2
CS
CS2
SDI
SDI2
SCK
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
5V@200mA
L7
K7
L6
K6
L5
L4
L3
L2
L1
K1
CS
SDI
SCK
SDO
K2
2887 F23
図 23．高電流用の並列出力電源
2887f
30
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
標準的応用例
B8
5V
A8
1µF
LTM2887-5I
VCC
VCC2
VL
AVCC2
A7
10k
A6
A5
Ox
A4
SDA
µC
A3
SCL
A2
1x
A1
GND
K8
L7
IVCC2
10k
VCC
L8
B1
B2
K7
IVL2
L6
VL2
ON
K6
AVL2
GND
L5
O1
DI1
SDA
SDA2
SCL
SCL2
DNC
DNC
DO2
I2
DO1
I1
GND
GND2
L4
L3
10k
L2
L1
K1
K2
VEE
–48V RTN
1k, ×4 IN SERIES
1/4W EACH
453k
8
9
16.9k
10
11
19
20
26
1
25
24
11.8k
7
1µF
47nF
–48V INPUT
VEE
10k
FLTIN
SCL
ADIN2
SDAI
OV
SDAO
SS
ALERT
LTC4261CGN
TMR
ON
EN
PGI
PGI0
ADR1
PG
ADR0
ADIN
VEE
SENSE
GATE
DRAIN RAMP
14
15
16
220nF
0.1µF
VIN
UVH
13
100nF
21
INTVCC
UVL
0.1µF
47nF
0.008Ω
1%
10Ω
22
6
5
4
3
2
28
PWRGD2
27
PWRGD1
23
18
1M
+
1k
10nF
100V
IRF1310NS
330µF
100V
VOUT
402k
2887 F24
図 24．絶縁型 I2Cインタフェースを備えた–48V/200W ホットスワップ・コントローラ
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
31
LTM2887
標準的応用例
3.3V
B8
1µF
A8
LTM2887-3S
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
A7
A6
VCC
CS
µC
MOSI
SCK
MISO
GND
A5
A4
A3
A2
A1
B1
B2
IVL2
ON
SDOE
VL2
AVL2
CS
CS2
SDI
SDI2
SCK
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
3.3k
3.3k
3.3k
3.3k
44
43
L7
42
K7
41
L6
40
K6
39
L5
1µF
1µF
38
L4
37
L3
36
L2
35
L1
34
K1
K2
74LVC3G07
100k
100k
33
32
31
30
100k
100k
29
28
27
26
25
24
23
LTC6803-1
CSI
CSO
SDO
SDOI
SDI
SCKO
SCKI
1
2
3
+ 4
V
VMODE
C12
GPIO2
S12
GPIO1
C11
WDT
S11
NC
C10
TOS
S10
VREG
C9
VREF
S9
VTEMP2
C8
VTEMP1
S8
NC
C7
V–
S7
S1
C6
C1
S6
S2
C5
C2
S5
S3
C4
C3
S4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
2887 F25
図 25．絶縁型 SPIインタフェースと低消費電力シャットダウン回路を備えた12セル・バッテリ・スタック・モニタ
2887f
32
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LTM2887
標準的応用例
B8
3.3V
A8
1µF
LTM2887-3I
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
10k
A7
10k
VCC
A6
A5
µC
SDA
SCL
GND
A4
A3
A2
A1
B1
B2
IVL2
ON
GND
DI1
VL2
AVL2
O1
SDA
SDA2
SCL
SCL2
DNC
DNC
DO2
I2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
0.02Ω
48V
VOUT
L7
K7
L6
K6
SENSE+ SENSE– VIN
SHDN
100k AT 25°C, 1%
VISHAY 2381 6154.104
L5
L4
L3
L2
L1
K1
K2
SDA
SCL
LTC4151
ADIN
ADR0
ADR1
1.37k
1%
GND
T(°C) =
3950
− 273,−40°C < T < 150°C
 1000 
− 1
8.965+LN
 NADIN 
NADIN IS THE DIGITAL CODE MEASURED
BY THE ADC AT THE ADIN PIN
2887 F26
図 26．絶縁型 I2C 制御の電圧、電流、温度、電源モニタ
2887f
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
33
LTM2887
標準的応用例
B8
5V
A8
10k
LTM2887-5I
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
10k
SHUTDOWN
ENABLE
SDA
SCLIN
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
INTERRUPT
B1
B2
IVL2
ON
GND
DI1
VL2
AVL2
O1
SDA
SDA2
SCL
SCL2
DNC
DNC
DO2
I2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
0.1µF
L7
K7
L6
27.4k
K6
100k
L5
0.1µF
SHDN1 VDD
RESET
L4
BYP
SDAIN
L3
SCL
L2
SDAOUT
L1
AUTO
K1
DETECT
1/4 LTC4266
INT
K2
AD0
AD1
AD2
6.04k
AD3
Q1: FAIRCHILD IRFM120A OR PHILIPS PHT6NQ10T
FB1, FB2: TDK MPZ2012S601A
T1: PULSE H609NL OR COILCRAFT ETH1-230LD
CMPD3003
VEE
DGND AGND
SMAJ58A
1µF
SENSE GATE
OUT
0.25Ω
Q1
–48V
S1B
S1B
0.22µF
FB1
•
•
RJ45
CONNECTOR
1
•
10nF
•
•
T1
75Ω
75Ω
2
10nF
3
•
4
5
PHY
6
7
•
•
•
8
•
10nF
•
(NETWORK
PHYSICAL
LAYER
CHIP)
FB2
75Ω
75Ω
10nF
•
2887 F27
1nF
図 27．1つの完全に絶縁された電源が供給されるイーサネット・ポート
2887f
34
詳細：www.linear-tech.co.jp/LTM2887
1.905
3.175
SUGGESTED PCB LAYOUT
TOP VIEW
0.000
aaa Z
0.630 ±0.025 Ø 32x
0.635
PACKAGE TOP VIEW
E
0.635
4
1.905
3.175
4.445
Y
X
D
6.350
5.080
0.000
5.080
6.350
aaa Z
2.45 – 2.55
SYMBOL
A
A1
A2
b
b1
D
E
e
F
G
aaa
bbb
ccc
ddd
eee
リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は
一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料は
あくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。
NOM
3.42
0.60
2.82
0.75
0.63
15.0
11.25
1.27
12.70
8.89
DIMENSIONS
0.15
0.10
0.20
0.30
0.15
MAX
3.62
0.70
2.92
0.90
0.66
NOTES
DETAIL B
PACKAGE SIDE VIEW
TOTAL NUMBER OF BALLS: 32
MIN
3.22
0.50
2.72
0.60
0.60
b1
0.27 – 0.37
SUBSTRATE
ddd M Z X Y
eee M Z
DETAIL A
Øb (32 PLACES)
DETAIL B
MOLD
CAP
ccc Z
A1
A2
A
Z
(Reference LTC DWG # 05-08-1851 Rev D)
// bbb Z
PIN “A1”
CORNER
4.445
BGA Package
32-Lead (15mm × 11.25mm × 3.42mm)
e
b
7
5
G
4
e
3
PACKAGE BOTTOM VIEW
6
ピン#1の識別マークの詳細はオプションだが、
示された領域内になければならない。
ピン#1の識別マークはモールドまたは
マーキングにすることができる
1
L
K
J
H
G
F
E
D
C
B
A
TRAY PIN 1
BEVEL
COMPONENT
PIN “A1”
7
!
PACKAGE IN TRAY LOADING ORIENTATION
LTMXXXXXX
µModule
パッケージの行と列のラベルは、
µModule製品間で異なります。
各パッケージのレイアウトを十分にご確認ください
BGA 32 1112 REV D
3
SEE NOTES
7
SEE NOTES
PIN 1
6. 半田ボールは、
元素構成比がスズ
（Sn）
96. 5%、
銀
（Ag）
3. 0%、
銅
（Cu）
0.5%の合金とする
5. 主データム -Z- はシーティングプレーン
ボールの指定はJESD MS-028およびJEP95による
4
2
3
2. 全ての寸法はミリメートル
注記：
1. 寸法と許容誤差はASME Y14. 5M-1994による
F
b
8
DETAIL A
LTM2887
パッケージの寸法
最新のパッケージ図面については、http://www.linear-tech.co.jp/product/LTM2887#packagingを参照してください。
2887f
35
LTM2887
標準的応用例
絶縁型デュアル・チャネル同時サンプリング・アナログ /デジタル・コンバータ、0V ∼ 2.5V の入力範囲
B8
3.3V
1µF
A8
LTM2887-3S
VCC
VCC2
VL
AVCC2
IVCC2
A7
A6
VCC
Ox
µC
SCK
MISO
GND
A5
A4
A3
A2
A1
B1
B2
IVL2
ON
SDOE
VL2
AVL2
CS
CS2
SDI
SDI2
SCK
SCK2
DO2
I2
SDO
SDO2
DO1
I1
GND
GND2
L8
K8
L7
K7
1.15k
L6
K6
L5
19.1k
L4
10
L3
9
L2
8
L1
7
K1
6
6.04k
K2
LTC1407A
CONV
SCK
SDO
VDD
GND
CH0+
1
CH0+
2
CH0–
VREF
CH1+
CH1–
CH0–
3
4
CH1+
5
CH1–
10µF
10µF
2887 TA02
関連製品
製品番号
説明
注釈
LTM2881
DC/DCコンバータを内蔵した絶縁型 RS485/
RS422 µModuleトランシーバ
20Mbps、2500VRMS の絶縁特性を備え、
電源もLGA/BGA パッケージに収容
LTM2882
DC/DCコンバータを内蔵したデュアル絶縁型
RS232 µModuleトランシーバ
2500VRMS の絶縁特性を備え、電源をLGA/BGA パッケージに
収容
LTM2883
DC/DCコンバータが内蔵されたSPI/デジタル
またはI2C µModuleアイソレータ
2500VRMS の絶縁特性を備え、調整可能な 12.5Vおよび
5V 電源をBGA パッケージに収容
LTM2884
電源を備えた絶縁型 USBトランシーバ
2500VRMS、自動速度選択、1 ∼ 2.5W 絶縁型電源
LTM2886
DC/DCコンバータが内蔵されたSPI/デジタル
またはI2C µModuleアイソレータ
2500VRMS の絶縁特性を備え、固定された 5Vおよび
調整可能な5V 電源をBGA パッケージに収容
LTM2889
電源付き絶縁型 CAN FD µModuleトランシーバ 4Mbps、2500VRMS の絶縁特性を備え、
電源もBGA パッケージに収容
LTM2892
SPI/デジタルまたはI2C 対応のµModule
アイソレータ
3500VRMS の絶縁特性を備え、電源なしで9mm×6.25mm BGA
パッケージに収容
LTC®1535
絶縁型 RS485トランシーバ
2500VRMS の絶縁特性を備え、外付けトランスを駆動
LTC4310
ホットスワップ可能なI Cアイソレータ
双方向 I2C 通信、低電圧レベル・シフト機能、100kHzまたは
400kHzの動作
LTC6803-1、LTC6803-3、マルチセル・バッテリ・スタック・モニタ
LTC6803-2、LTC6803-4
LTC6803-1は複数のデバイスをデイジー・チェーン接続する
ことを可能にし、LTC6803-2は並列通信バッテリ・スタック
構成を可能にする
2
2887f
36
リニアテクノロジー株式会社
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F
TEL 03-5226-7291 ● FAX 03-5226-0268 ● www.linear-tech.co.jp/LTM2887
LT1116 • PRINTED IN JAPAN
 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2016

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