参考ランド寸法

参考ランド寸法
1 集積回路
表面実装半導体デバイスのランド幅は、付着するはんだの量に関係します。はんだ付けの方式に合わせラ
ンド寸法を適正化する必要があります。以前は、JEITA においても推奨ランド寸法をパッケージタイプ別に
定めていましたが、上記の理由により、現在は、端子のあるべき位置 (Terminal Land Area) のみ規格化されて
います。参考に以前 JEITA が定めていたランド設計のガイドラインを示します。実際のプリント基板設計に
おいては、はんだ付け方式などに応じて、十分に検討することが必要です。
1.1 SOタイプ
β2
β2
β1
β1
L
L
HE
e
e
e
e
e
e
b2
HE + 2β2
I2
I2 ≥ L + β1 + β2
b ≤ b2 ≤ e − γ
γ :
b :
β1 :
β2 :
耐はんだブリッジ (γ = 0.3 mm)
端子幅
はんだ付け強度 (β1 = 0.3 mm)
ソルダマスクのパターン精度およびはんだ付けの目視 (β2 = 0.2 mm)
注) ( )内の数値は推奨値です。
1
参考ランド寸法
1.2 QFPタイプ
β2
β2
β1
β1
L
L
HE (またはHD)
e
e
b2
HE (またはHD) + 2β2
b2
e
I2
e
HE (またはHD) + 2β2
I2 ≥ L + β1 + β2
b ≤ b2 ≤ e − γ
γ :
b :
β1 :
β2 :
耐はんだブリッジ (γ = 0.3 mm)
端子幅
はんだ付け強度 (β1 = 0.5 mm)
ソルダマスクのパターン精度およびはんだ付けの目視 (β2 = 0.2 mm)
注) ( )内の数値は推奨値です。
2
参考ランド寸法
1.3 QFNタイプ
I4
e
I1
I2
I
I3
a
b
< 0.4 mm ピッチ適用 >
項　目
はんだ付けランド寸法
メタルマスク寸法
パッド配置間隔 e
0.40
–
パッド寸法 I3 (= I + I1 + I2)
1.00
–
パッド寸法 I1
0.10
–
パッド寸法 I2
0.30
–
パッド寸法 b
0.20
0.20
パッド寸法 I
0.60
–
パッド寸法 a
0.16
–
メタルマスク開口長さ I4
–
0.90
メタルマスク厚み
–
0.13
※上記寸法は当社実験結果に基づき算出した値です。
3
参考ランド寸法
1.3 QFNタイプ (つづき)
I4
e
I1
I2
I
I3
a
b
< 0.5 mm ピッチ適用 >
項　目
はんだ付けランド寸法
メタルマスク寸法
パッド配置間隔 e
0.50
–
パッド寸法 I3 (= I + I1 + I2)
1.00
–
パッド寸法 I1
0.10
–
パッド寸法 I2
0.30
–
パッド寸法 b
0.26
0.26
パッド寸法 I
0.60
–
パッド寸法 a
0.20
–
メタルマスク開口長さ I4
–
0.90
メタルマスク厚み
–
0.13
※上記寸法は当社実験結果に基づき算出した値です。
4
参考ランド寸法
2 個別半導体素子
ML2-N1
ML3-N2
[ ダイオード ]
0.35
0.2
0.4
0.7
0.60
0.35
[ トランジスタ、ダイオード ]
0.3
0.65
ML6-N6
0.3
SSSMini2-F1
SSSMini2-F2
SSSMini2-F3
[ トランジスタ ]
[ ダイオード ]
0.64
0.32
0.15
1.3
0.77
0.18 0.18
0.23
0.3
0.4
0.3
0.78
0.16
SSSMini3-F1
SSSMini3-F2
TSSSMini3-F1
SSSMini6-F1
[ トランジスタ、ダイオード ]
[ トランジスタ ]
0.35
0.35
0.40
0.15
0.35
0.95
0.35
1.00
0.40
0.45
0.40
0.40
0.20
5
参考ランド寸法
2 個別半導体素子 (つづき)
SSMini2-F1
SSMini2-F2
SSMini2-F4
USSMini2-F1
[ ダイオード ]
[ ダイオード ]
0.4
0.3
0.4
1.3
1.0
0.4
0.3
0.5
SSMini3-F1
SSMini3-F2
SSMini3-F3
SSMini4-F1
[ トランジスタ、ダイオード ]
[ ダイオード ]
1.0
0.5
1.5
1.4
0.6
0.6
1.0
0.6
SSMini5-F2
SSMini5-F3
SSMini6-F1
SSMini6-F2
[ トランジスタ、ダイオード、複合ディスクリート ]
0.5
0.5
0.5
0.3
6
0.3
0.4
1.5
1.3
0.5
[ トランジスタ、複合ディスクリート ]
0.3
参考ランド寸法
2 個別半導体素子 (つづき)
WSSMini6-F1
SMini2-F1
[ トランジスタ、複合ディスクリート ]
0.9
0.50
1.0
0.37
2.1
1.33
1.0
0.50
[ ダイオード、回路保護素子 ]
0.35
1.1
SMini2-F2
SMini2-F3
[ ダイオード ]
[ ダイオード ]
1.1
0.8
1.0
1.9
2.1
2.0
1.0
1.1
0.8
0.9
SMini3-F1
SMini3-F2
SMini3-G1
SMini4-F1
SMini4-F2
[ トランジスタ、ダイオード ]
[ ダイオード ]
1.3
0.8
1.9
1.9
0.8
0.9
1.3
0.8
7
参考ランド寸法
2 個別半導体素子 (つづき)
SMini5-F1
SMini5-G1
SMini6-F1
SMini6-G1
[ トランジスタ、ダイオード ]
[ トランジスタ、ダイオード ]
0.8
0.80
1.9
0.65 0.65
1.9
0.65 0.65
0.4
0.40
WSMini6-F1
Mini2-F1
[ トランジスタ ]
[ ダイオード ]
1.1
0.8
0.7
3.1
1.8
0.8
0.65 0.65
0.4
Mini3-G1
Mini4-G1
[ トランジスタ、ダイオード、リセット IC]
[ ダイオード ]
1.9
1.0
2.4
2.4
1.0
1.0
1.9
8
1.0
参考ランド寸法
2 個別半導体素子 (つづき)
Mini5-G1
Mini6-G1
Mini6-G2
[ トランジスタ、ダイオード ]
0.95
0.95
1.0
1.0
2.4
0.95
2.4
0.95
[ トランジスタ、ダイオード ]
0.7
0.7
WMini8-F1
MiniP3-F2
[ トランジスタ ]
[ トランジスタ ]
0.6
2.2
0.65 0.65 0.65
1.0
2.40
2.2
45°
0.65
1.5
45°
1.0
0.40
TMiniP2-F1
1.05 1.0
1.5
1.5
SO8-F1
[ ダイオード ]
[ トランジスタ ]
2.1
1.15
1.4
4.4
5.45
1.4
1.27 1.27 1.27
0.50
9
参考ランド寸法
2 個別半導体素子 (つづき)
N-G1
I-G1
[ トランジスタ ]
[ トランジスタ ]
2.8
15.3
11.4
8.1
1.8
2.1
9.3
2.54
1.4
2.3 2.3
TO-220C-G1
[ トランジスタ ]
1.8
11.0
13.7
8.0
45°
2.1
8.3
2.54
10
1.35
2.1
2.0
1.35
1.4

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