製品概要 インテル® NOR 型フラッシュメモリー インテル® ワイヤレス・フラッシュ・ メモリー（W18/W30） ワイヤレス・アプリケーション向けのきわめて 高性能のソリューション 製品の概要 インテル® ワイヤレス・フラッシュ・メモリーは、 130nm プロセス技術を使用しています。インテル® ワイヤ レス・フラッシュ・メモリーは、フレキシブル・パー ティションによる RWW/E アーキテクチャーに、同 期型バーストモードおよび非同期型ページモー ドの読み出し動作、インテル® Advanced+ Boot Block フラッシュメモリー（C3）のセキュリティー 対応機能、低電圧 1.8V 動作を統合した製品で す。さらに、W18/W30 は、フラッシュメモリー内 でコード、データ、およびファイルを管理できる、 インテル® FDI（フラッシュ・データ・インテグレー ター） ソフトウェアに完全に対応しています。 これらの機能と EFP の統合により、本製品は次世 代の「音声 + データ」型携帯電話 / ワイヤレス・ア プリケーションに理想的な RWW/E フラッシュ・メ モリー・ソリューションです。 製品の特長 • マルチパーティション・アーキテクチャーにより、 システム・プロセッサーは、 1 つのパーティション の読み出しと同時に、他のパーティションの書 き込み / 消去を実行可能 • 1.8V で高性能を発揮 ̶ バーストモード : 最大 66MHz をサポート。 ̶ ページモード : 最初のアクセスに 60ns、 2 回目以降のアクセスに 20ns • フル 1.8V 動作。1.65V ∼ 1.95V（EIA/JEDEC の 1.8V 規格）の範囲内で RWW/E が可能 • インテル® ワイヤレス・フラッシュ・メモリー（W18） により、1 つのフラッシュ・メモリー・デバイス内 でコードの実行とデータの格納が可能 • 3V アプリケーション用に 3V I/O 版も選択可 （W30） • パッケージング ̶ 0.75mm ピッチの CSP （7 × 8 ボール・マトリックス） ̶ 0.8mm ピッチの Stacked-CSP （8 × 10 ボール・マトリックス） • バーストモードおよびページモード・インター フェイス • 同期バースト型での読み出しおよび非同期ペー ジ型読み出し。ゼロウェイト状態で最大 66MHz の高速コード実行 RWW/E（Read-WhileWrite/Erase）動作 次世代の携帯電話 / ワイヤレス・アプリケーションは、インターネット・ブ ラウジング、 データ・ストリーミング、 およびテキスト・メッセージングなど、 多くのデータ機能を統合しています。これらのシステム要件は、データ 処理能力とスループットの大幅な向上を要求しています。RWW/E フラッ 機 能 利 点 フレキシブル・ • 4Mb 単 位 の パーティションに より、コードとデータの必要条 マルチパーティション・ アーキテクチャー シュ・メモリー・デバイスは、これらの条件を実現します。 る携 帯 電 話 / ワイヤレス機 器 フレキシブル・パーティション機能により、 プロセッサーは、1 つのパーティ アプリケーションに対応 ションのコードの実行と同時に、他のパーティションの書き込みまたは • コードの 実 行とデータの 書き 込みまたは消去を同時に実行 消去を実行できます。この機能により、フラッシュメモリー内の情報の格 納とアクセスの速度が最大 40% 向上します。 フル 1.8V 動作 フル 1.8V 動作により、インテル® ワイヤレス・フラッシュ・メモリー・デバイ 低電圧 1.8V • 1.65V ∼ 1.95V の JEDEC 規格 スは、EIA/JEDEC が規定する 1.8V 電圧の全範囲にわたって、データ の読み出し、書き込み、消去を行えます。1.8V の低電圧動作は、1.8V イ時間の延長 ̶ バッテリーの再充電間隔の います。本製品は、1.8V アプリケーションと 3V アプリケーションの両 延長 バーストモードおよび ページモード・インターフェイス 同期型バーストモードおよび非同期型ページモードの読み出し動作に ̶ ゼロウェイト状態で最大 用してフラッシュメモリーの内容にアクセスすることで、メモリーのボトル 各種の容量とパッケージ 容量が用意され、さまざまなニーズと将来の成長に対応します。また、 本製品は、個別部品とインテル® Stacked-CSP パッケージの両方で提 供されるため、あらゆるワイヤレス・アプリケーションに対応するソリュー ションとなります。 EFP（Enhanced Factory Programming） 66MHz インテル ® FDI ソフトウェアに対応 • 1 つのデバイスで、コードの • パケット化データに対応 • バーストモードとページモード 実行とデータの保守を管理 に対応 関連資料とツール W18/W30 関連資料の最新版は、www.intel.com/design/flash/ （英語）にアクセスし、左側のナビゲーションから“Documentation”を クリックしてご覧ください EFP は、業界で最も高速な、製造現場でのフラッシュメモリーへの書き 込み技術です。EFP は簡単に導入でき、新しい書き込みアルゴリズムに よって書き込みスループットを 2 倍にアップできるため、大幅なコストの 削減が図れます。 詳細は、http://www.intel.com/design/flash/（英語）をご覧ください。 本資料に掲載されている情報は、インテル製品の概要説明を目的としたものです。本資料は、明示されているか否かにかかわらず、また禁反言によるとよら ずにかかわらず、いかなる知的財産権のライセンスを許諾するためのものではありません。製品に付属の売買契約書『Intel's Terms and Conditions of Sale』に規定されている場合を除き、インテルはいかなる責を負うものではなく、またインテル製品の販売や使用に関する明示または黙示の保証（特定目的 への適合性、商品性に関する保証、第三者の特許権、著作権、その他、知的所有権を侵害していないことへの保証を含む）にも一切応じないものとします。 インテル製品は、医療、救命、延命措置などの目的への使用を前提としたものではありません。 インテル製品は、予告なく仕様、説明、または計画が変更されることがあります。 Intel、インテル、Intel ロゴ、Intel. さあ、その先へ。、Intel. さあ、その先へ。ロゴは、アメリカ合衆国およびその他の国における Intel Corporation または その子会社の商標または登録商標です。 * その他の社名、製品名などは、一般に各社の表示、商標または登録商標です。 インテル株式会社 〒 300-2635 茨城県つくば市東光台 5-6 http://www.intel.co.jp/ 2006 Intel Corporation. 無断での引用、転載を禁じます。 ©2006 年 9月 解消 に対応 を実現します。非同期型ページ読み出しと同期型バースト読み出しを使 インテル® 1.8V ワイヤレスフラッシュは、32Mb、64Mb、128Mb の各 • 高速コード実行 ̶ メモリーのボトルネックを ̶ 高性能バースト・プロセッサー より、携帯電話のメモリー・サブシステムに 1 ランク上のパフォーマンス ムで、ゼロウェイト状態で最大 66MHz の直接実行が可能になります。 の小型化 携帯電話の小型化 れにより、消費電力の大幅な削減とバッテリー駆動時間の延長が図れ ネックが解消されます。これらの高速読み出し機能により、1.8V システ ̶ 低消費電力によるバッテリー ̶ 通話時間の延長とスタンバ ます。インテル® 1.8V ワイヤレスフラッシュには、3V I/O 版も用意されて バーストモードとページモード • バッテリーで動作する次世代携 帯電話 / ワイヤレス機器に最適 ̶ バッテリーの 小 型 化による ロジックをサポートしており、最大 60% の省電力効果を実現します。こ 方に対応するソリューションです。 件の変化に対応 • ス ループット の 向 上 に より、 大量のデータ処理を必要とす 298256-007JA JPN/0609/1K/SE/FPG/TS
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