HP8KA1TB : Transistors

HP8KA1
30V Nch+Nch Power MOSFET
Datasheet
l外 形 図
VDSS
30V
RDS(on)(Max.)
5.0mΩ
ID
14A
PD
3W
HSOP8
l内 部 回 路 図
l特 長
1) 低オン抵抗
2) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
3) ハロゲンフリー
l包 装 仕 様
包装形態
リールサイズ (mm)
l用 途
タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)
ロードスイッチ
テーピングコード
LiB充放電スイッチ
標印
Embossed
Tape
330
12
2500
TB
HP8KA1
l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 >
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ドレイン電流 (直流)
Symbol
Value
Unit
VDSS
ID*1
30
V
14
28
±20
3
150
-55 ~ +150
A
A
V
W
ドレイン電流 (パルス)
ID,pulse*2
ゲート・ソース間電圧
ジャンクション温度
VGSS
PD*3
Tj
保存温度
Tstg
許容損失
℃
℃
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Datasheet
l熱 抵 抗
Parameter
Values
Symbol
熱抵抗 (ジャンクション・外気間)
Unit
Min.
Typ.
Max.
RthJA*3
-
41
-
℃/W
l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 >
Parameter
Symbol
Values
Conditions
Unit
Min.
Typ.
Max.
30
-
-
V
ドレイン・ソース降伏電圧 ΔV(BR)DSS ID = 1mA
温度係数
ΔTj referenced to
-
21
-
mV/℃
ドレイン遮断電流
IDSS
VDS = 24V, VGS = 0V
-
-
1
μA
ゲート漏れ電流
IGSS
VGS = ±20V, VDS = 0V
-
-
±100
nA
VGS(th)
VDS = 10V, ID = 10mA
1.0
-
2.5
V
-
-3
-
mV/℃
VGS = 10V, ID = 14A
-
3.5
5.0
VGS = 4.5V, ID = 14A
-
5.0
7.0
14
-
-
ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS
ゲートしきい値電圧
ゲートしきい値電圧
温度係数
VGS = 0V, ID = 1mA
ΔVGS(th) ID = 1mA
ΔTj referenced to
ドレイン・ソース間
オン抵抗
RDS(on)*4
順伝達アドミタンス
|Yfs| *4
VDS = 5V, ID = 14A
mΩ
S
*1 チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用下さい。
*2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*3 40mm×40mm 銅箔基板実装時
*4 パルス負荷
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l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 >
Values
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Min.
Typ.
Max.
入力容量
Ciss
VGS = 0V
-
2550
-
出力容量
Coss
VDS = 15V
-
330
-
帰還容量
Crss
f = 1MHz
-
270
-
VDD ⋍ 15V,VGS = 10V
-
25
-
ID = 7A
-
30
-
td(off)*4
RL ⋍ 2.1Ω
-
85
-
tf*4
RG = 10Ω
-
40
-
ターンオン遅延時間
上昇時間
td(on)*4
tr*4
ターンオフ遅延時間
下降時間
pF
ns
l ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通>
Values
Parameter
Symbol
ゲート総電荷量
Qg*4
ゲート・ソース間電荷量
Qgs*4
ゲート・ドレイン間電荷量
Qgd*4
Conditions
VDD ⋍ 15V, ID = 14A
VGS = 4.5V
Unit
Min.
Typ.
Max.
-
24
-
-
7.5
-
-
9.0
-
nC
l 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 >
Values
Parameter
ソース電流(直流)
Symbol
IS*1
ソース電流(パルス)
ISP*2
順方向電圧
VSD*4
Conditions
Ta = 25℃
VGS = 0V, IS = 2.5A
Unit
Min.
Typ.
Max.
-
-
2.5
A
-
-
28
A
-
-
1.2
V
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l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1, Tr2共通 >
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation
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l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1, Tr2共通 >
Fig.5 Typical Output Characteristics(I)
Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperature
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l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1, Tr2共通 >
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
Fig.10 Tranceconductance vs. Drain
Current
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l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1, Tr2共通 >
Fig.11 Drain Current Derating Curve
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
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l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1, Tr2共通 >
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)
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l 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1, Tr2共通 >
Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage
Fig.18 Switching Characteristics
Fig.19 Dynamic Input Characteristics
Fig.20 Source Current vs. Source Drain
Voltage
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l測 定 回 路 図
Fig.1-1 スイッチング時間測定回路
Fig.1-2 スイッチング波形
Fig.2-1 ゲート電荷量測定回路
Fig.2-2 ゲート電荷量波形
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l外 形 寸 法 図
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