Infineon Technologies

●Infineon Technologies●
Infineon Technologies[http://www.infineon.com/]
本社所在地
Am Campeon 1-12, 85579, Neubiberg, Germany
（百万ユーロ） 03 年 9 月期
電話番号
49-800-951951951
04 年 9 月期
05 年 9 月期
06 年 9 月期
全社売上高
6152
7195
6759
7930 （Qimonda 含む）
半導体売上高
6152
7195
6759
7930 （Qimonda 含む）
半導体設備投資
872
1163
1425
1253
主な製品
DRAM、ロジック、 MCU、システム LSI、 ASSP、ディクリート、パワー IC、パワー・ディスクリートなど
製品別構成比
通信分野向け： 15％／自動車・産業向け： 36％／メモリ（DRAM など）： 48％／その他： 1％
主な投資先
03 年 9 月期
Dresden （SC300）、 Inotera Memories
04 年 9 月期
Dresden （SC300）、 Inotera Memories
05 年 9 月期
Dresden （SC300）、 Inotera Memories
06 年 9 月期
Malaysia （Qimonda 分除く）
(1) 事業構造改革
Infineon は 07 年 5 月にメモリ事業を分社、新会社「Qimonda （キマンダ） AG」として独立させた。 Qimonda の本社はミュ
ンヘンに置かれ、 Infineon の完全子会社としてスタートする。社長には、現在のメモリ製品グループの最高責任者である
Kin Wah Loh 取締役が就任した。なお、メモリ事業、 Qimonda の概況については「Qimonda」の項にまとめていく。
Qimonda のベースとなる Infineon のメモリ製品（MP）事業の売上高は 05 年 9 月期で 28 億 3000 万ユーロ。世界第 4
位の DRAM メーカとなっており、さらにフラッシュ・メモリの生産も行っていく。製造拠点としては独 Dresden、米バーモン
ト州 Richmond などの自社工場、台湾 Nanya Technology との合弁企業である Inotera Memories などの JV、提携先を含め、
５ヵ所の 300mm ウェーハ工場を整備している。 Richmond の 200mm ウェーハ工場も Qimonda の工場とする。 Dresden の
200mmFab は同社が保有しているものの、現在は Qimonda のファンドリとなっている。また、 Dresden の研究開発センタ
を含む５ヵ所の主要な研究開発拠点を有している。
メモリ事業分社化後の Infineon は、低消費電力の半導体ソリューション、モビリティの向上を実現するソリューション、
さらにネットワーク社会とセキュリティの向上に向けたソリューションに注力していくことにしている。
メモリ事業と Infineon として継続して展開していく RF、アナログ、ミクスト・シグナル IC、パワー・デバイスなどの事業
とはビジネス・モデルが大きく異なっている。特に継続的な大型投資が要求されるメモリ・ビジネスと特徴のあるラインを
機動的に運用することが必要となるアナログ、ミクスト・シグナル、 RF などのビジネスとでは設備投資戦略で大きな差が
生じている。また、生産ラインの面でも、従来は最先端ラインは、まず DRAM などのメモリ生産に利用、その後、マイコ
ンなどのロジックに転用し、さらにアナログなどに利用する、という流れがあった。しかし、最先端ラインとアナログ、ミク
スト・シグナル IC などが必要とするラインとのかい離が広がっており、転用が困難になっている。このため、注力分野
06 ∼ 07 年のを RF、アナログ、ミクスト・シグナル IC、パワー・デバイスとしている Infineon にとって、自ら最先端ラインを持つ理由
事業動向
がなくなってきたことも、メモリ事業分離の背景にある。今後、 300mm ウェーハ、 65nm 以下の最先端プロセス対応のラ
インを自社単独で保有することはない、という方針を示している。先端ロジックなどは外部ファブ、パートナ企業の活用に
よって対応していく考えである。
(2) 事業動向
06 年 9 月期売上高は、前年度比 5％増の 41 億 1400 万ユーロとなっている。 Qimonda を含むグループ売上高は同
17％増の 79 億 3000 万ユーロとなった。 06 年度のグループ EBIT 損失は 1500 万ユーロだが、前年度からは 10 分の 1
以下にまで損失幅は縮小している。グループ純損失は 2 億 6800 万ユーロとなった。マレーシア・クリムの新工場立ち
上げとミュンヘン＝ペルラッハ工場の段階的な生産終了に 7000 万ユーロ以上を費やしたものの、 06 年度の EBIT マー
ジンは 8.7％で前年の 5.3％を上回った。製品分野別売上高構成比率は、通信分野向けが 15％、自動車・産業向けが
36％、メモリが 48％、その他 1％となった。同年度の成長をけん引したのはメモリ事業で前年度比 38.5％増と大幅な成
長を記録した。このほか自動車産業用でも同 12.8％増と 2 桁増を遂げている。
07 年度第 1 四半期では、メモリ事業を担当する Qimonda を除く Infineon としての売上高は 9 億 5800 万ユーロで、前
年同期比 4％減、前四半期比では 9％減となった。通信ソリューションの売上高は 2 億 3600 万ユーロで前期比 21％
減、自動車・産業・多目的製品（AIM）事業の売上高は 7 億 1000 万ユーロで同 4％減となり、主力製品分野がいず
れも前期割れとなった。税引き前損失は 900 万ユーロで、前年度同期の 100 万ユーロに対して赤字転落となったが、前
四半期からは 1 億 6500 万ユーロも改善が進んでいる。なお、前期実績には Qimonda の IP 費用、子会社である BenQ
Mobiles の独子会社破綻に関わる経費が含まれている。 Qimonda を含む Infineon グループとしての売上高は 21 億 3100
万ユーロで、前年度同期比 27％増、前四半期比 7％減となった。税引き前利益は 2 億 1600 万ユーロで前年同期から
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●Infineon Technologies●
約 3 億 4000 万ユーロ改善、前四半期と比較しても 7 倍以上に拡大している。純利益は 1 億 2000 万ユーロとなり、前期、
前年度同期の赤字から黒字回復を達成している。
07 年度第 2 四半期（07 年 1 ∼ 3 月）の Qimonda を含む Infineon グループ売上高は 19 億 6200 万ユーロ、前年度
同期比 2％減、前四半期比 8％減となった。税引き前利益（EBIT）は 4900 万ユーロで、前年同期比 75％増、前四半
期からは 77％のダウンとなった。純損益は 1100 万ユーロの損失で、前年同期からは 1500 万ユーロの改善となったが、
前四半期からは 1 億 3100 万ユーロも悪化、赤字に転落している。 Qimonda を除いた業績は、売上高が 9 億 7800 万
ユーロで、前年度同期比 8％減も前四半期比では2％増となった。 EBIT は 2800 万ユーロの損失で、前年度同期比で
は 3500 万ユーロ、前四半期比でも 1800 万ユーロの悪化となっている。
事業セグメント別業績は以下の通り。自動車、産業、マルチマーケット部門（AIM）は売上高が 7 億 4100 万ユーロ
で前期比 4％増、 EBIT は 6600 万ユーロで同 20％増と改善が進んだ。ハイ・パワー製品は成長したものの、セキュリ
ティ &ASIC 事業は予想を下回った。通信ソリューション（COM）部門は、売上高が前期比 1％増の 2 億 3800 万ユーロ、
EBIT は 5300 万ユーロの赤字となった。携帯電話機向け製品がけん引した。 Qimonda の同期売上高は前期比 16％減
の 9 億 8400 万ユーロ、 EBIT は 7700 万ユーロで前期の 3 分の 1 となった。これは DRAM 価格の急落が原因。
07 年度第 3 四半期（07 年 4 ∼ 6 月）については、 Qimonda を除く Infineon としての売上高は前四半期から拡大が期
待されており、 EBIT も改善が見込まれている。売上高については COM 部門の成長が予想されている。 Qimonda につ
06 ∼ 07 年のいては、 Richmond 工場の 300mm ライン、 Inotera Memories の新工場が本格稼働することからビット生産量は前期比 8
事業動向
∼ 12％増と予想されている。
（続き）
なお、07 年 4 月にはシンガポールの研究開発センターの拡張計画を発表した。 2 億ユーロの資金を投じ、200 名のスタッ
フを増強する。今回の計画により、 Customer Premises Equipment （CPE）、インターネット・アクセス・デバイス（IAD）、
超低価格携帯電話プラットフォーム、モバイル TV 向けデジタル・ビデオ・ブロードキャスト（DVB）、デジタル電源管理、
自動車・産業用デバイスなどの分野の研究開発活動を加速する狙いである。また、ウェーハ・プロセス、組立技術な
どの研究も行っていく。
(3) 提携の状況
同社はメモリ分野では、生産協業、技術供与などを積極的に展開してきたが、同分野での詳細は「Qimonda」の項に
譲る。ロジック、アナログ、ディスクリート分野の提携で注目されるのは、 07 年 3 月にインドの新半導体メーカ Hindustan
Semiconductor Manufacturing （HSMC）に 130nmCMOS プロセスのライセンス供与を行うことで合意に達したことである。
供与する技術には、標準プロセスに加えて、 RF 技術、チップ・カード向け組込フラッシュ・メモリ技術、車載用組込フラッ
シュ・メモリ技術なども含まれている。また、設計ライブラリについてもライセンスを提供する。さらに Infineon は、技術
移転、 HSMC の工場立ち上げの支援を行う。
HSMC は供与された技術を活用して、携帯電話機、 ID カード、自動車などのアプリケーションに向けた製品開発を行う。
HSMC はインドに二つの半導体工場建設を計画しており、まず 10 億米ドルを投じて、 200mm ウェーハ対応の第 1 工場
を建設する。さらに第 2 工場として 32 億∼ 35 億ドルを投じて 300mm ウェーハ対応工場を建設する計画である。
(1) 工場動向
同社の前工程工場は、 Qimonda 所属分も含めて、ドイツの Dresden、 Perlach、 Regensburg、オーストリアの Villach、
米国の Infineon Technologies Richmond の 5 拠点、さらに 06 年からはマレーシア・クリム工業団地の車載半導体、パワー
半導体用の新工場を建設している。合弁製造企業としては米 IBM との合弁企業であるフランスの Altis Semiconductor、
台湾 Nanya Technology との合弁企業である Inotera Memories（前述）がある。このうち、Qimonda の所有、共同企業となっ
た Dresden、 Infineon Technologies Richmond、 Inotera Memories に関しては、 Qimonda の項に譲る。
同社では 05 年からドイツ、オーストリア地域の半導体生産工場の再編を進めており、ミュンヘン・ Perlach 工場は 07
年に生産を停止する。同工場で生産しているロジック、ディスクリート製品などを Regensburg 工場とオーストリア・ Villach
工場に移管している。
欧州工場では、 Villach はパワー IC の生産拠点。 06 年中に Fab1 は 150mm 対応に完全にシフトした。生産能力は月
産 2 万 5000 ∼ 3 万枚となっている。 Fab2 は 200mm ラインで、生産能力は Perlach 工場の生産分の受け入れと、パワー・
投資動向・デバイス事業強化のため、月産 5 万∼ 6 万枚規模に拡大している。 Regensburg は 200mm ウェーハ対応工場で、自動車・
工場計画
産業用デバイス、アナログ IC の生産拠点で、生産能力は月産 7 万枚弱の大型工場（MegaFab）となっている。 0.25 ∼
0.18μm レベルまで対応可能であり、アナログ IC 工場としては最先端の能力をもつ。今後の同社の主力工場となる。
Altis は 200mm 対応のロジック・ライン。 04 年には 90nm プロセスへのアップ・グレードを行っている。生産能力は 06
年初めには月産約 4 万枚にまで拡大したが、その後、半導体市況の悪化に対応するため、同 3 万枚に削減している。
06 年 9 月にはマレーシアのクリム（Kurim) 工業団地に建設してきたパワー半導体の前工程工場を竣工、稼働を開始した。
同工場はアジアでの Infineon の前工程工場となる。同工場はそれぞれに 5000m2 のクリーンルームを備えた 2 モジュー
ル構造となっており、フル稼働時で 200mm ウェーハで月産 10 万枚の生産能力を持ち、従業員数は 1700 名となる。総
投資額は 10 億米ドルを予定している。産業用途向け CoolMOS、 IGBT、自動車用スマート・パワー IC などの生産を行う。
Regensburug、 Altis Semiconductor の両工場を補完する役割を果たす。
なお、同社は前述のように Qimonda を除く自社単独で 65nm 以降の最先端プロセス対応ラインを構築する計画はない
ため、他社との協調を軸に進めていく。
後工程工場としては、中国の Suzhou Industrial Park に Singapore Suzhou Industrial Park Venture （CSVC）と合弁でメ
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●Infineon Technologies●
モリ IC の後工程（組立・テスト）を担当する新しい企業 Infineon Technologies Suzhou を設立している。資本金は 3 億
3300 万米ドルで、出資比率は Infineon72.5％、 CSVC27.5％。 04 年 10 月には Suzhou Industrial Park （SIP）内に工場
を開設、 05 年から量産を開始している。同工場のフル稼働時のメモリ生産能力は年産 10 億個となる。同時に蘇州市に
生産プロセスを対象とした IT 開発センタを開設した。
投資動向・ (2) 投資動向
工場計画（続 06 年 9 月期の設備投資額は 12 億 5300 万ユーロとなった。これには 06 年 5 月に分離した Qimonda の投資分を含む。
Infineon の継続事業向け設備投資は 6 億 9000 万ユーロ程度と推定される。主な投資対象は、 Qimonda、 Inotera の
き）
300mm ラインとマレーシア工場。中でも、Inotera では Fab2 の建設が開始されることから、大型の投資が必要とされている。
ただし、 Inotera は 06 年 4 月に株式を公開、資金調達のためのシンジケートも確立していることから、 Infineon としての
投資負担は軽減されている。マレーシア工場は 06 年 8 月に稼働を開始、 07 年度 1Q から本格稼働を開始した。
07 年度の Qimonda を除く、 Infineon のみの設備投資額は 4 億 5000 万∼ 5 億 5000 万ユーロを計画している。投資対
象はマレーシア工場の生産能力増強を中心に Villach の生産能力整備にも振り向けていく。
同社では今後の投資水準を売上高の 10 ∼ 12％としていく方針である。
(1) 微細化に対する考え方
同社は 65nm 以降の最先端プロセスを必要とするハイエンド・ロジック分野に関しては、自社で生産能力を持たないファ
ブレス・モデルを採用する。研究開発に関しても、後述するように IBM との共同開発を軸に展開していく。自社ではアナ
ログ、ミクスト・シグナル、 RF、パワーなど自社の独自技術を生かすことのできる製品に注力する。
微細化動向
(2) 開発戦略
5nm ／ 45nm プロセスでは IBM と Chartered Semiconductor Manufacturing、 Samsung Electronics と共同開発プロジェ
クトを進めている。この共同開発アライアンスは対象を 32nm まで広げるとともに、 Freescale Semiconductor も参加して
いる。このアライアンスで開発した 45nm Si チップは 4 社で共同開発したエンベデッド・メモリと Infineon が設計した標準
セル・ライブラリ、入出力回路などから構成されている。 Samsung、 IBM、 Chartered の 3 社は、この技術を 12 インチ生
産ラインに移転して、 07 年末までに量産準備を進める予定。なお、開発のためのデザイン・キットは 4 社から提供する
という
また、45nm 以降のプロセスではベルギーの研究機関である IMEC が進める 45nm 以降の BISA プロセス技術開発プロジェ
クトにオランダ Philips 社、仏伊合弁の STMicroelectronics 社、米 Intel 社、韓国 Samsung Electronics 社とともにコア・パー
トナとして参加している。
□主要前工程／一貫生産拠点所在地
工場名／会社名
Villach
Dresden
Perlach
Regensburg
Richmond
Kulim
Altis Semiconductor
□主要組立拠点所在地
工場名／会社名
Eupec
Porto
Batam
Malacca
Singapore
Wuxi
Infineon Technologies Suzhou
所在地
Siemensstrasse 2 ,9500 Villach, Austria
Konigsbrucker Strasse 180,01099 Dresden, Germany
Otto-Hahn-Ring 6, Perlach Center,Bavaria, Munich, Germany
Wernerwerkstrasse 2, Postfach 2, Regensburg, Germany
6000 Technology Blvd,Sandston, White Oak Industrial Park, Richmond,
VA, USA
Kulim, Malaysia
Corbeilles-Essonnes, France
電話番号
43-4242-33660-0
49-351-886-0
49-89-636-3350
49-941-2020
1-804-952-6000
所在地
Max-Planck Str. 5, D 59581 Warstein, Germany
Portugal
Jl Beringin Lot 317 Muka Kuning Batamindo Industrial Park Batam,
Indonesia
Malaysia
Singapore
China
China
電話番号
49-2902-7641148
154
33-1-60-88-51-51
62-770-612103
●Infineon Technologies●
Infineon Technologies の半導体生産拠点の概要（ED リサーチ社推定を含む）
工場名
主要
ライン名
生産品目
月産能力（万枚）
07 年
3月
フル稼
働時
ウェー
ハ径
（mm）
プロセス・投資額 ( 百万米ドル )
レベル
06 年度累積総額
（μm）
推定／計画値
06 年∼ 07 年トピックス
Dresden
200mm
ライン
自動車用半導
体、産業用半導
体、ロジック
6.5
6.5
200
∼ 90nm
Villach
Fab 1
パワー MOSFET
IGBT
2.5
2.5
150
2
Fab 2
パワー MOSFET
IGBT
ロジック IC、バイ
ポーラ、 BiCMOS
IC、
ロジック
6
6
200
0.65
1.8
1.8
150
0.35 ∼
0.25
0.15
0.15
200
0.11
ディスクリート、
オプトエレクトロ
ニクス・デバイス、
IGBT、 MESFET
アナログ、ミクス
ト・シグナル IC、
MCU、パワー・
ディスクリート
ロジック ; MRAM
1.8
2.5
150
0.5
6.8
6.8
200
0.35 ∼
0.18
270 Rerlach からの移管を進めてい
る。 R&D ラインを持つ。後工程
の開発拠点でもある。
3
3
200
0.18 ／
0.13
自動車用 IC、パ
ワー IC
2.0 ∼
3.0
10
200
0.22 ∼
0.15
600 06 年中に生産規模を月産 3 万
枚規模に縮小している。 IBM と
の共同出資の生産会社。出資
比率は IBM49％、 Inﬁneon が 51
％。
900 06 年第 4 四半期から本格稼働
を開始した。投資額は 9 億∼ 10
億米ドルとなる予定。 09 年まで
に月産 10 万枚にまで生産能力
を増強する。
Perlach
Fab1
200mm
ライン
Fab2
Regensburg
Altis
Semiconductor
Kulim
155
現在は Qimonda のメモリ製品に
ついて、ファンドリとしての生産
も行っている。これは 09 年まで
継続する計画。
150mm ラインへの転換を終えて
いる。パワー・デバイスの生産
拠点
500 パワー・デバイスの生産能力強
化のため、能力増強をはかった。
200 同工場は 07 年までに閉鎖、生
産分は Regensburg を中心に移
管
100
85

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