Öğrenci No: Ad-Soyad: ELE 231 – Elektronik I Ödev #5 Öğretim Üyesi Ali Toker Teslim Tarihi: 12 Aralık 2014 İmza: Metin Yazgı Altı adet soru kağıdında toplam dört adet soru bulunmaktadır. Çözümlerinizi soruların altındaki boş alanlara yapınız. Ayrıca kağıt kullanmayınız. Soru 1 1. Şekil-1’deki devrede kullanılan MOSFET’ in parametreleri VT=VTH=1V ve =1mA/V2 , λ0 dır. a) VI giriş gerilimi 0V ile 5V arasında değerler almaktadır. VO’nun maksimum ve minimum değerlerini bulunuz. Şekil-1 b) VO = VOmin iken MOSFET üzerinde harcanan gücü bulunuz. 1 c) Çıkış geriliminin giriş gerilimine eşit olduğu (VI =VO) değeri hesaplayınız. Yol gösterme: Bu problem çözülürken her aşamada direncin akımının MOSFET akımına eşit olduğu gerçeğinden hareket edilecektir. Soru 2 a) Bir JFET için doymalı çalışma bölgesinde transfer iletkenliğinin gm 2 VP I DSS I D bağıntısı ile hesaplanabileceğini gösteriniz. b) VP=-4V ile IDSS=4 mA için gm’in ID’ye bağlı grafiğini çiziniz. 2 c) Şekil.2’deki devrede VDS=10V olduğuna göre R1’in değeri nedir? (VP=-1V, IDSS=1 mA) +VDD=24V 56kΩ D G S 1MΩ R1 4kΩ Şekil.2 3 Soru.3 +VDD=+5V RD 2kΩ G D Şekil.3’teki devrede NMOS transistor kanal oluşturmalı VT=0.6V, türden olup, parametreleri: µnCox=100µA/V2, λ≈0 olarak alınabilir. Gövde etkisi ihmal edilecektir. S I0 -VSS=-5V Şekil.3 a) Transistor doymalı bölgede çalışırken VGS=1.6V ve ID=2.5 mA olması için W/L oranını hesaplayınız. b) Bu durumda NMOS’un VDS gerilimini hesaplayarak NMOS’un doymalı bölgede çalıştığını gösteriniz. 4 c) Hangi RD değeri için NMOS doymasız bölge sınırına gelir? Soru 4 a) Şekil.3’teki devre aynı topolojiyle, parametreleri VT=-0.6 V, µpCox=50µA/V2 , λ≈0 olan bir PMOS ile gerçekleştirmek isteniyor. Devreyi çiziniz. 5 b) VGS=-1.6V ve ID=-2.5 mA olması için W/L oranını hesaplayınız. 6
© Copyright 2024 Paperzz
