Curriculum

CURRICULUM
VITAE
INFORMAZIONI PERSONALI
Nome
Indirizzo
ENZO ROTUNNO
Telefono
3299310198
E-mail
Nazionalità
Data di nascita
VIA FORTUNATO 6, 75018, STIGLIANO (MT), ITALY
[email protected]
Italiana
29 APRILE 1986
ESPERIENZA LAVORATIVA
• Date (da – a)
• Nome e indirizzo del
datore di lavoro
• Tipo di azienda o settore
• Tipo di impiego
• Principali mansioni e
responsabilità
1/2/2013 – 31/07/2013
The University of Tennessee, Knoxville, TN, USA
• Date (da – a)
• Nome e indirizzo del
datore di lavoro
• Tipo di azienda o settore
• Tipo di impiego
• Principali mansioni e
responsabilità
2012 - 2013
Consiglio Nazionale delle ricerche – Istituto IMEM
• Date (da – a)
• Nome e indirizzo del
datore di lavoro
• Tipo di azienda o settore
• Tipo di impiego
• Principali mansioni e
responsabilità
2011 - 2012
Consiglio Nazionale delle ricerche – Istituto IMEM
• Date (da – a)
Pagina 3 - Curriculum vitae di
[ ROTUNNO Enzo ]
Università estera
University Graduate Student
Indagine nanostrutturale su materiali semiconduttori mediante tecniche
di Microscopia Elettronica in trasmissione a scansione.
L’attività è stata svolta nei laboratori dell’ Oak Ridge National
Laboratory sotto la supervisone del prof. Stephen J. Pennycook.
Ricerca scientifica
Assegno di Ricerca N.0001090
Studio delle proprietà strutturali e chimiche di nano strutture di
Carbonio e ossidi semiconduttori mediante tecniche di Microscopia
Elettronica Analitica.
Ricerca scientifica
Assegno di Ricerca N.0001197
Indagine nanostrutturale e microanalitica di nanofili di materiali
calcogenuri a transizione di fase, in particolare GeSbTe, mediante
tecniche di Microscopia Elettronica Analitica.
2010 - 2011
6 marzo 2014
• Nome e indirizzo del
datore di lavoro
• Tipo di azienda o settore
• Tipo di impiego
• Principali mansioni e
responsabilità
Consiglio Nazionale delle ricerche – Istituto IMEM
Ricerca scientifica
Assegno di Ricerca N.0001165
Indagine nanostrutturale e microanalitica di nanofili di materiali
calcogenuri a transizione di fase, in particolare GeSbTe, mediante
tecniche di Microscopia Elettronica Analitica.
ISTRUZIONE E FORMAZIONE
• Date (da – a)
• Nome e tipo di istituto di
istruzione o formazione
• Principali materie / abilità
professionali oggetto dello
studio
•Qualifica conseguita
• Date (da – a)
• Nome e tipo di istituto di
istruzione o formazione
• Principali materie / abilità
professionali oggetto dello
studio
• Qualifica conseguita
• Date (da – a)
• Nome e tipo di istituto di
istruzione o formazione
• Principali materie / abilità
professionali oggetto dello
studio
Pagina 4 - Curriculum vitae di
[ ROTUNNO Enzo ]
2010 – 2013
Università degli Studi di Parma
L’aver superato il concorso ha permesso di accedere alla frequenza
dei corsi di Dottorato presso l’Università di Parma, tutt’ora in corso. In
particolare lo studio si è focalizzato sull’apprendimento di nuove
tecniche di indagine superficiale (Catodoluminescenza, Rutherford
Back Scatterig, Secondary Ion Mass Spettroscopy). La tematica del
Dottorato invece è lo sviluppo di metodologie di analisi High Angle
Annular Dark Field (HAADF) STEM sia dal punto di vista
sperimentale che numerico, mediante l’utilizzo di software
specialistico dedicato. L’abilità nell’utilizzo delle tecniche menzionate
è dimostrato dall’ampio numero e dalla qualità delle pubblicazioni
scientifiche conseguite durante gli anni del dottorato.
Dottorato di ricerca in Scienze e Tecnologia dei Materiali Innovativi
(valutazione della commissione giudicatrice: Ottimo)
2008 – 2010
Università degli Studi di Parma
Approfondimento dello studio della Fisica dello Stato Solito iniziato
durante la laurea triennale, in particolare focalizzato sulla fisica dei
semiconduttori e sul funzionamento dei dispositivi a semiconduttore.
Il lavoro di tesi svolto ha trattato i materiali Calcogenuri a transizione
di fase e la loro applicazione nel campo delle memorie non volatili a
stato solido Phase Change Memories. Durante il lavoro sono state
acquisite ottime competenze nelle tecniche di Microscopia
Elettronica in Trasmissione.
Laurea Magistrale in Scienze e Tecnologia dei Materiali Innovativi
(voto di laurea 110/110 cum laude)
2005 – 2008
Università degli Studi di Parma
Acquisizione delle conoscenze base di Fisica (elettromagnetismo,
ottica, meccanica quantistica) e Chimica (inorganica e organica) per
affrontare i principali aspetti della Scienza dei Materiali: analisi delle
proprietà di materiali esistenti e ricerca di nuovi materiali (cristalli,
6 marzo 2014
• Qualifica conseguita
• Date (da – a)
• Nome e tipo di istituto di
istruzione o formazione
• Principali materie / abilità
professionali oggetto dello
studio
• Qualifica conseguita
polimeri, vetri, ceramici). Il lavoro di tesi svolto ha trattato
l’ottenimento di celle solari a banda intermedia mediante quantum
dot. Durante il lavoro sono state acquisite buone conoscenze delle
tecniche di crescita (Molecular Beam Epitaxy)
Laurea Triennale in Scienza e Tecnologia dei Materiali (voto di
laurea 110/110 cum laude)
2000 – 2005
Liceo “F. Alderisio”, Stigliano (MT)
L’ottenimento della Maturità Scientifica mediante la Sperimentazione
Brocca ha permesso la comprensione dei principi base della
Matematica, Fisica, Chimica, Biologia e Geologia con particolare
attenzione al metodo sperimentale e alle applicazioni tecnologiche
attraverso un sistematico uso dei laboratori.
Diploma di Scuola Media Superiore (voto di maturità 100/100)
CAPACITÀ E COMPETENZE
PERSONALI
MADRELINGUA
ITALIANO
ALTRE LINGUE
0
• Capacità di lettura
• Capacità di scrittura
• Capacità di espressione
orale
• Capacità di lettura
• Capacità di scrittura
• Capacità di espressione
orale
CAPACITÀ E COMPETENZE
TECNICHE
Pagina 5 - Curriculum vitae di
[ ROTUNNO Enzo ]
INGLESE
ECCELLENTE
BUONO
ECCELLENTE
FRANCESE
BUONO
BUONO
BUONO
Esperienza in campo teorico e sperimentale della Fisica e della
Chimica dello Stato Solido e capacità di usare tali conoscenze per
risolvere problemi che richiedano approcci interdisciplinari.
Conoscenza delle tecniche diagnostiche per lo studio di materiali
(Trasmission Electron Microscopy in particolare, ma anche X-ray
diffraction, IR e UV-vis spectroscopy, Scanning Electron
Microscopy, Atomic Force Microscopy, etc) e delle principali
tecniche di crescita (Molecular Beam Epitaxy, Pulsed Electron
Deposition, MetallOrganic Chemical Vapour Deposition, etc).
Perfetta padronanza dei principali mezzi informatici. Ottima
conoscenza del computer (hardware e software) in ambiente
Windows e Linux. Conoscenza dei principali linguaggi di
programmazione: C, C++, HTML, Matlab.
Competenze nell’utilizzo degli strumenti di laboratorio
convenzionali sia in ambito chimico che fisico e di strumenti
6 marzo 2014
avanzanti e di ultima generazione. In particolare sono state
conseguite elevate competenze nel settore della microscopia
elettronica durante un lungo periodo di formazione su microscopio
Elettronico in Trasmissione Jeol JED 2200FS che ha permesso di
acquisire autonomia nella conduzione di esperimenti di HRTEM
imaging, Selected Area Electron Diffraction
X-Ray Microanalysis, EELS Spectrum Imaging.
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[ ROTUNNO Enzo ]
6 marzo 2014
ELENCO DELLE PUBBLICAZIONI
Peer-review papers:
1) “Au-catalyzed self assembly of GeTe nanowires by MOCVD”, M. Longo, C. Wiemer, O. Salicio, M.
Fanciulli, L. Lazzarini, E. Rotunno, J. Cryst. Growth 315, 152-156 (2011)
doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.09.065
2) M. Longo, C. Wiemer, O. Salicio, M. Fanciulli, L. Lazzarini, E. Rotunno, “Metal Organic Chemical
Vapor Deposition of Phase Change Ge1Sb2Te4 Nanowires”, Nanoletters 12, 1509−1515 (2012)
dx.doi.org/10.1021/nl204301h
3) V. Grillo, E. Rotunno “STEM_CELL: a software tool for electron microscopy. Part I Simulations” ,
Ultramicroscopy 125, 97−111 (2013).
http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2012.10.016
4) “Au-Catalyzed synthesis and characterization of phase change Ge-doped Sb-Te nanowires by
MOCVD” M. Longo, T. Stoycheva, R Fallica, C. Wiemer, L. Lazzarini, E. Rotunno, J. Cryst. Growth 370,
323–327 (2013)
http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.09.021
5) L Lazzarini, E Rotunno, V Grillo and M Longo, “ Determination of the Atomic Stacking Sequence of
Ge-Sb-Te Nanowires by HAADF STEM”, MRS Proceedings vol 1512, (2013)
DOI: 10.1557/opl.2012.1746
6) E. Rotunno, L. Lazzarini, M. Longo e V. Grillo, “Crystal structure assessment of Ge–Sb–Te phase
change nanowires” Nanoscale, 5, 1557, (2013).
DOI: 10.1039/c2nr32907g
7) T. Markurt, L. Lymperakis, J. Neugebauer, P. Drechsel, P. Stauss, T. Schulz, T. Remmele, V. Grillo,
E. Rotunno, and M. Albrecht, “Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of
Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN”, Phys. Rev. Lett. 110, 036103 (2013)
DOI: 10.1103/PhysRevLett.110.036103
8) F. Fabbri, E. Rotunno, L. Lazzarini, D. Cavalcoli, A. Castaldini, N. Fukata, K. Sato, G. Salviati e A.
Cavallini, “Preparing the Way for Doping Wurtzite Silicon Nanowires while Retaining the Phase” Nano
Letters, 13, (2013) 5900–5906
dx.doi.org/10.1021/nl4028445
9) F. Fabbri, E. Rotunno, L. Lazzarini, N.Fukata, G. Salviati "Visible and Infra-red Light Emission in
Boron-Doped Wurtzite Silicon Nanowires" Scientific Reports, 4 : 3603, on-line open access journal of the
Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/srep03603
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6 marzo 2014
Contributions to international conference:
1)The X International Conference on “Nanostructured Materials” (NANO 2010) , Rome, September, 1317, 2010
“Au-catalyzed self assembly of Ge-Sb-Te nanowires by Metalorganic Chemical Vapour Deposition”,
Oral presentation, M. Longo, C. Wiemer, O. Salicio, R. Fallica, M. Fanciulli, L. Lazzarini, L. Nasi, E.
Rotunno.
2) AVS 57th International Symposium & Exhibition, October 17-22, 2010, Albuquerque, New Mexico.
“Au-catalyzed Self Assembly of Ge-Sb-Te Nanowires by Metalorganic Chemical Vapour Deposition”
Poster NS-TuP17, M. Longo, C. Wiemer; O. Salicio; R. Fallica; M. Fanciulli; L. Lazzarini; L. Nasi; E.
Rotunno
3) Società Italiana di Fisica, XCVI Congresso Nazionale, Bologna, Settembre 2010, Analisi chimica e
strutturale di nanofili di Ge(Sb)Te. Rotunno E., Lazzarini L., Longo M., Oral Presentation
4) ICG2010, Italian crystal growth, Progress in Functional Materials Conference, Parma, 18-19
November 2010
“Au-catalyzed self assembly of Ge-Sb-Te nanowires by MOCVD”. M. Longo, C. Wiemer, O. Salicio, R.
Fallica, M. Fanciulli, L. Lazzarini, E. Rotunno, Oral presentation
5) 5th Nanowire Growth Workshop NWG 2010, 4-5 November 2010, Rome, Italy
“MOCVD self assembly of GeTe and GexSbyTeY nanowires catalyzed by Au-nanoislands”
Poster, M. Longo, C. Wiemer, O. Salicio, R. Fallica, M. Fanciulli, L. Lazzarini, E. Rotunno.
6) E\PCOS 2011, European Symposium on Phase Change and Ovonic Science, September 4th-6th,
2011, Zurich (CH), "Electrical characterization of chalcogenide nanowires, self assembled by MOCVD",
R. Fallica, M. Longo, C. Wiemer, O. Salicio, M. Fanciulli, L. Lazzarini, E. Rotunno, (poster contribution)
7) 2011 MRS Spring Meeting, San Francisco, CA, 25-29 Aprile 2011
“Electrical Characterization of MOCVD-grown Chalcogenide Nanowires for Phase Change Memory
Applications”.
R. Fallica, M. Longo, C. Wiemer, O. Salicio, M. Fanciulli, L. Lazzarini, E. Rotunno, Oral
presentation, PM R5.8.
8) MC2011, Microscopy conference 2011, Kiel (DE), 28 August / 2 September 2011, "Determination of
the stacking arrangement of phase-change Ge-Sb-Te compounds by HAADF STEM"
E. Rotunno, L. Lazzarini, V. Grillo, M. Longo, poster LBP M.P003
9) 2011 MRS Fall Meeting, Boston, MA, 28 November / 2 December 2011, “Influence of Boron Doping
on the near Infra Red Emission of Hexagonal Silicon Nanowires.”
Filippo Fabbri, Enzo Rotunno, Laura Lazzarini, Naoki Fukata and Giancarlo Salviati. Oral Presentation
10)E\PCOS 2012, European Symposium on Phase Change and Ovonic Science, Tampere (Finland),
10-12 July 2012, "MOCVD self-assembly and characterization of Sb2Te3 and Ge-doped Sb-Te
Nanowires", M. Longo, T. Stoycheva, R. Fallica, C. Wiemer, L. Lazzarini, E. Rotunno Poster
11) ICMOVPE2012, International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Busan (Korea),
“Au-catalyzed Synthesis and Characterization of Phase Change Ge-Doped Sb-Te Nanowires by
MOCVD”
M. Longo , T. Stoycheva, R. Fallica, C. Wiemer, L. Lazzarini, E. Rotunno
th
st
12) EMC2012, European Microscopy Congress 2012, Manchester, 16 -21 September 2012,
“Toward atom by atom quantitative analysis in STEM HAADF imaging of InGaN/GaN QWs”
E. Rotunno, V. Grillo, T. Markurt, M. Albrecht, L. Lymperakis, A. Duff. Oral presentation
13) MRS 2012- Fall Meeting, Boston (USA) 25-30 Nov 2012, “Preparing the Way for Doping and
Retaining WZ Silicon Nanowires” , G Salviati, F Fabbri, E Rotunno, L Lazzarini, D Cavalcoli, K Sato, A
Castaldini, N Fukata, A Cavallini, poster presentation
14)MRS 2012- Fall Meeting, Boston (USA) 25-30 Nov 2012, “ Determination of the Atomic Stacking
Sequence of Ge-Sb-Te Nanowires by HAADF STEM” L Lazzarini, E Rotunno, V Grillo, M Longo, oral
presentation
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6 marzo 2014
15)2013 MRS Spring Meeting, San Francisco, CA, 1-5 April 2013 "Sb2Te3 and Ge-doped Sb2Te3
Nanowires for Phase Change Memory Applications", M. Longo, T Stoycheva, R. Fallica, C. Wiemer, L.
Lazzarini, E. Rotunno, Poster
16) ICG2013, Italian crystal growth, Progress in Functional Materials Conference, Parma, 14-15
November 2013
“MOCVD-grown Ge-Sb-Te nanowires for phase change memory” Massimo Longo, Claudia Wiemer,
Roberto Fallica, Toni Stoycheva, Enzo Rotunno, Laura Lazzarini. Oral Presentation
Il sottoscritto esprime il proprio consenso affinchè i dati personali forniti possano essere trattati nel rispetto del Decreto
Legislativo n. 196/2003, per gli adempimenti connessi alla presente procedura.
ROTUNNO Enzo
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6 marzo 2014

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