地域産学官連携科学技術振興事業費補助金
「ナノ量子情報エレクトロニクス連携研究拠点」プロジェクト
公開シンポジウム
- ナノ量子情報エレクトロニクスの新展開 -
講演資料集
2014 年 5 月 19 日(月) ～ 20 日（火）
東京大学 本郷キャンパス
伊藤国際学術研究センター
地下 2 階 伊藤謝恩ホール
シンポジウムプログラム
5 月 19 日 （月）
10:00
開会挨拶
荒川 泰彦 （東京大学ナノ量子機構・機構長）
10:05
東京大学挨拶
松本 洋一郎 （東京大学理事・副学長）
10:10
来賓挨拶
木村 直人 （文部科学省 科学技術・学術政策局 産業連携・地域支援課長）
10:20
MO-1 [基調講演]
ナノ量子情報エレクトロニクスの進展とイノベーション創出
荒川 泰彦 （東京大学ナノ量子機構・機構長）
11:00
MO-2
富士通における研究開発とイノベーション創出への取り組み
矢野 映 （東京大学ナノ量子機構、富士通）
11:20
MO-3
社会イノベーションに向けた研究開発
- 日立における研究開発とイノベーション創出への取り組み 長我部 信行 （東京大学ナノ量子機構、日立製作所）
11:40
MO-4
シャープにおける研究開発とイノベーション創出への取り組み
高橋 明 （東京大学ナノ量子機構、シャープ）
12:00-13:00
13:00
昼食休憩
MO-5
NEC における研究開発とイノベーション創出への取り組み
田原 修一 （東京大学ナノ量子機構、日本電気）
13:20
MO-6
通信・産業用の GaAs 基板上の新しい半導体レーザ
- 量子ドットレーザ、DFB レーザ、可視レーザ 菅原 充 （東京大学ナノ量子機構、QD レーザ）
13:40
MO-7
量子ゲートテレポーテーションを用いた極限コヒーレント光通信
古澤 明 （東京大学ナノ量子機構、工学系）
14:00
MO-8
量子もつれ光子の計測への応用
竹内 繁樹 （東京大学ナノ量子機構、京都大学）
14:20
MO-9
万能測定ベース量子計算とイジング分配関数計算
今井 浩 （東京大学ナノ量子機構、情報理工学系）
14:40
MO-10
量子計算機を用いたエネルギーの射影測定
村尾 美緒 （東京大学ナノ量子機構、理学系）
15:00-15:15
15:15
休憩
MO-11
多重量子ドットのスピン制御と量子ビット
樽茶 清悟 （東京大学ナノ量子機構・副機構長、工学系）
15:35
MO-12
近接場光を介したエネルギー移動制御技術の開発
大津 元一 （東京大学ナノ量子機構、工学系）
15:55
MO-13
光援用ナノプローブによる太陽電池材料評価
高橋 琢二 （東京大学ナノ量子機構、生産研）
16:15
MO-14
室温動作単電子トランジスタと CMOS との融合
平本 俊郎 （東京大学ナノ量子機構、生産研）
16:35
MO-15
シリコン・ダイヤモンド量子情報処理
伊藤 公平 （東京大学ナノ量子機構、慶応義塾大学）
16:55
MO-16 [特別講演]
新しいリサーチフロンティアの開拓
江崎 玲於奈 （横浜薬科大学学長、茨城県科学技術振興財団理事長）
17:45 - 意見交換会
5 月 20 日 （火）
10:00
TO-1
対称性と偏光制御
五神 真 （東京大学ナノ量子機構、理学系）
10:20
TO-2
フォトニック結晶技術の進展 ―ナノ共振器・量子ドット融合系―
浅野 卓・野田 進 （東京大学ナノ量子機構、京都大学）
10:40
TO-3
量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系における共振器量子電気力学
岩本 敏 （東京大学ナノ量子機構、生産研）
11:00
TO-4
強磁性半導体と量子ヘテロ構造 －最近の進展－
田中 雅明 （東京大学ナノ量子機構、工学系）
11:20
TO-5
有機ナノ量子情報デバイスと分子性界面制御技術
染谷 隆夫 （東京大学ナノ量子機構、工学系）
11:40
TO-6
高性能・高速動作有機薄膜トランジスタの開発
北村 雅季 （東京大学ナノ量子機構、神戸大学）
12:00-13:00
昼食休憩
13:00-14:05
ポスターショートプレゼンテーション
14:05-15:15
ポスターセッション
15:15-15:30
休憩
15:30
TO-7
金属ナノギャップ電極を用いた極限ナノトランジスタ
平川 一彦 （東京大学ナノ量子機構、生産研）
15:50
TO-8
非磁性量子閉じ込め構造における磁場を用いないスピン偏極とその検出
勝本 信吾 （東京大学ナノ量子機構、物性研）
16:10
TO-9
量子もつれ LED に向けたサイドゲート型量子ドット素子の基盤技術開発
中岡 俊裕 （東京大学ナノ量子機構、上智大学）
16:30
TO-10
グラフェンにおける量子輸送現象
町田 友樹 （東京大学ナノ量子機構、生産研）
16:50
TO-11
超伝導量子回路とハイブリッド量子系
中村 泰信 （東京大学ナノ量子機構、先端研）
17:10
閉会
ポスターセッション [ 5 月 20 日 （火）]
P-1
ウェハ接合によるSi基板上InAs/GaAs量子ドットレーザ
田辺克明1、荒川泰彦1,2
(1東大ナノ量子, 2東大生研)
P-2
ドレスト光子技術による物質表面平坦化
大津元一、八井崇
(東大院工)
P-3
通信路揺らぎを利用した安全な通信法
戸丸辰也
(日立中研)
P-4
半導体量子ドットと高Q値H0型フォトニック結晶ナノ共振器を用いた共振器量子電磁力学
太田泰友1、高宮大策2、太田竜一2、熊谷直人1、石田悟己2、岩本敏1,2、荒川泰彦1,2
(1東大ナノ量子, 2東大生研)
P-5
半導体三次元キラルフォトニック結晶における光学活性
高橋駿1、田尻武義2、太田泰友1、館林潤1、岩本敏1,2、荒川泰彦1,2
(1東大ナノ量子, 2東大生研)
P-6
バタフライ・グレイル・クラスターネットワーク上でのユニタリ演算子の実装可能性
秋笛清石1、村尾美緒1,2
(1東大院理, 2東大ナノ量子)
P-7
Terahertz Response of Single Self-Assembled InAs Quantum Dots
Y.Zhang1, K. Shibata1,2, N. Nagai1, C. Ndebeka-Bandou1,3, G. Bastard1,3, and K. Hirakawa1,2
(1東大生研, 2東大ナノ量子, 3LPA- Ecole Normale Superieure)
P-8
単一分子における量子伝導の外場変調
吉田健治1,2、坂田修一1,2、岡村直柔1,2、濱田幾太郎3、北川祐一2、石井和之2、塚田捷3、平川一彦1,2
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研, 3 東北大 AIMR)
P-9
ケルビンプローブフォース顕微鏡によるCIGS太陽電池の物性評価
石井智章1、峯元高志3、高橋琢二1,2
(1東大生研, 2東大ナノ量子, 3立命館大理工)
P-10
Non-radiative Recombination Property in CIGS Solar Cells Investigated through
Photothermal Atomic Force Microscopy
Warithapol Srivises1, Takashi Minemoto3, and Takuji Takahashi1,2
(1東大生研, 2東大ナノ量子, 3立命館大理工)
P-11
光共振器の結合系における幾何学位相制御のための光学系の検討
鴻池遼太郎、浅野卓、田中良典、野田進
(京大院工)
P-12
有機材料を使ったマルチ駆動が可能な高い感度を持つフレキシブルな生体信号センサの開発
李元領1、Jonathan Rivnay2、松久直司1、横田知之1、関谷毅1、George Malliaras2、染谷隆夫1
(1 東大院工, 2Ecole Nationale Superieure des Mines Saint-Etienne)
P-13
高分子絶縁膜を用いた低電圧駆動可能なフレキシブル有機トランジスタの作製
北之迫浩輝、寺川雄貴、徳原健富、横田知之、関谷毅、染谷隆夫
(東大院工)
P-14
High frequency organic electronics for neural interface systems
Amir Reuveny, Tsuyoshi Sekitani, Tomoyuki Yokota, Mari Koizumi, Martin Kaltenbrunner,
Naoji Matsuhisa, and Takao Someya
(東大院工)
P-15
gflowを用いた測定ベース量子計算から量子回路モデルへの変換
宮崎慈生1、Michal Hajdusek1,2、村尾美緒1,3
(1東大院理, 2 SUTD, 3東大ナノ量子)
P-16
量子ドット‐微小共振器系を用いた単一光子源に対する暗励起子の効果
上出健仁1、岩本敏1,2、荒川泰彦1,2
(1東大ナノ量子, 2東大生研)
P-17
非ガウス型操作実現に向けた高速ゲイン可変ガウス型操作の研究
宮田一徳1、小川尚史1、米澤英宏2、古澤明1
(1東大院工, 2 UNSW)
P-18
高誘電率絶縁膜を用いた低電圧駆動有機トランジスタ
甚野裕明1、Martin Kaltenbrunner1、横田知之1、松久直司1,2、関谷毅1、染谷隆夫1
(1東大院工, 2 東大ALPS)
P-19
超高純度1.5m帯単一光子生成および100 km単一光子量子鍵配付実証
竹本一矢1、南部芳弘2、宮澤俊之3、三木茂人4、 山下太郎4、寺井弘高4、 藤原幹生4、佐々木雅英4、王鎮4、
佐久間芳樹5、山本剛之1、萬伸一2、荒川泰彦3,6
(1富士通研, 2 NEC, 3東大ナノ量子, 4情報通信研究機構, 5物材機構, 6東大生研)
P-20
外部共振器型量子ドットレーザの縦モードの検討
安岡奈美1、石田充3、山口正臣3、江川満3、山本剛之3、菅原充4、荒川泰彦1,2
(1東大ナノ量子, 2東大生研, 3富士通研, 4QDレーザ)
P-21
径方向p-i-n構造を有するInP系ナノワイヤからの室温エレクトロルミネッセンス
河口研一1、須藤久男2、松田学2、江川満2、山本剛之2、荒川泰彦1
(1東大ナノ量子, 2富士通研)
P-22
量子測定の背景依存性から見たバンチング現象の量子性
Pawel Kurzynski1,2、添田彬仁1,2、Jayne Thompson1、Dagomir Kaszlikowski1,3
(1CQT-NUS, 2Adam Mickiewicz 大理, 3NUS 物理)
P-23
立方晶GaN量子ドットを用いた単一光子発生
加古敏1、M. Holmes2、S. Sergent2、M. Bürger3、D.J. As3、荒川泰彦1,2
(1 東大生研, 2 東大ナノ量子, 3Paderborn 大)
P-24
ソフトリソグラフィを使用した有機トランジスタの局所的しきい値電圧制御
平田郁恵1、Ute Zschieschang2、横田知之1、栗原一徳3、Hagen Klauk2、関谷毅1、染谷隆夫1
(1 東大院工, 2 マックス・プランク研, 3 産総研)
P-25
室温における位置制御GaN量子ドットからの単一光子発生
Mark Holmes1、崔琦鉉1、加古敏2、有田宗貴1、荒川泰彦1,2
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研)
P-26
量子ドット内準位の選択的共鳴励起による単一光子の高純度化
宮澤俊之1、竹本一矢2、佐久間芳樹3、宋海智2、高津求2、山本剛之2、荒川泰彦1, 4
(1 東大ナノ量子, 2 富士通研, 3 物材機構, 4 東大生研)
P-27
有機薄膜トランジスタの閾値電圧制御と擬似CMOS回路への応用
木村由斉1、北村雅季1,2、荒川泰彦2,3
(1 神戸大院工, 2 東大ナノ量子, 3 東大生研)
P-28
MOCVD法による高均一積層InGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの結晶成長
舘林潤1、太田泰友1、石田悟己1,2、西岡政雄1,2、岩本敏1,2、荒川泰彦1,2
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研)
P-29
量子スタビライザー状態に関する2分決定ダイアグラム操作
今井浩1,2、平石秀史2,3
(1 東大ナノ量子, 2 東大情報理工, 3NII)
P-30
Observation of stimulated Raman scattering in silicon photonic crystal waveguides with modified holes
Yi-Hua Hsiao2-3, Satoshi Iwamoto1-3, and Yasuhiko Arakawa1-3
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研, 3 東大先端研)
P-31
エニオン系におけるエンタングルメント・エントロピーの情報論的定式化
加藤晃太郎1、ファビアンフラー1、村尾美緒1,2
(1 東大院理, 2 東大ナノ量子)
P-32
<110>層状ダイヤモンド構造三次元フォトニック結晶ナノ共振器の作製と評価
田尻武義1、高橋駿2、太田泰友2、舘林潤2、岩本敏1-3、荒川泰彦1-3
(1 東大生研, 2 東大ナノ量子, 3 東大先端研)
P-33
光照射KFMによるCIGS太陽電池における光励起キャリア再結合プロセスの評価
龍顯得1、峯元高志3、高橋琢二1,2
(1 東大生研, 2 東大ナノ量子, 3 立命館大理工)
P-34
中間バンド太陽電池実現へ向けた単一量子ドット中における光吸収特性評価
野澤朋宏1-3、都木宏之1,2、渡邉克之1、荒川泰彦1,2
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研, 3 シャープ)
P-35
単一光子の非局所性の検証
不破麻里亜1、武田俊太郎2、Marcin Zwierz3、Howard Wiseman4、古澤明1
(1 東大工, 2 分子研, 3Warsaw 大, 4Griffith 大)
P-36
Nbを用いたInAs自己形成量子ドットジョセフソン接合における超伝導電流の観測
馬場翔二1、R.S. Deacon2、大岩顕3、柴田憲治4、平川一彦4,5、樽茶清悟1,5
(1 東大工, 2 理研, 3 阪大産研, 4 東大生研, 5 東大ナノ量子)
P-37
有機デバイス応用に向けたフッ素化銅フタロシアニンの膜構造および電気的特性に対するアニール効果
葛本恭崇1、北村雅季2,3
(1 シャープ, 2 東大ナノ量子, 3 神戸大)
P-38
InAs/GaAs Quantum Dot Lasers on Silicon-on-Insulator Substrate by Metal-Stripe Wafer Bonding for
Photonics-Electronics Converged Circuits
Yuan-Hsuan Jhang1, Katsuaki Tanabe2, Satoshi Iwamoto1,2, and Yasuhiko Arakawa1,2
(1 東大生研, 2 東大ナノ量子)
P-39
幾何学的多体エンタングルメント測度の数値的解析
森祐樹1、添田彬仁1、村尾美緒1,2
(1 東大院理, 2 東大ナノ量子)
P-40
自己組織化単分子膜ゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタにおけるフリッカ雑音
ルアンプラサート ピリッダー、武直矢、横田知之、関谷毅、染谷隆夫
(東大院工)
P-41
1.3m帯InAs/GaAs量子ドット構造へのGaP歪補償層の導入
渡邉克之1、岩本敏1,2、荒川泰彦1,2
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研)
P-42
GaN界面ゆらぎ量子ドットのMOCVD成長と単一ドット分光
有田宗貴1、壹岐太一2、加古敏2、荒川泰彦1,2
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研)
P-43
GaAsナノワイヤプラズモンレーザ
Jinfa Ho1、館林潤1、Sylvain Sergent1、Chee Fai Fong1、岩本敏1-3、荒川泰彦1-3
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研, 3 東大先端研)
P-44
多体エンタングル状態に対する古典情報の符号化と復号化
新保厚1、添田彬仁1、村尾美緒1,2
(1 東大院理, 2 東大ナノ量子)
P-45
バリスティックグラフェンnpn接合における量子干渉
森川生1、増渕覚1,2、守谷頼1、渡邊賢司3、谷口尚3、町田友樹1,2
(1 東大生研, 2 東大ナノ量子, 3 物材機構)
P-46
シリコン基板上InAs量子ドット−GaAsナノワイヤ単一光子源
權晋寛1、渡邉克之1、太田泰友2、岩本敏1,2、荒川泰彦1,2
(1 東大生研, 2 東大ナノ量子)
P-47
Nb/InAs/Nb 接合へのスピン注入による伝導度の抑制
中村壮智、高井久弥、橋本義昭、家泰弘、勝本信吾
(東大物性研)
P-48
AB-SOIスピン干渉デバイスの製作と検証
岩崎優1、金善宇1、橋本義昭1、中村壮智1、家泰弘1、勝本信吾1,2
(1 東大物性研, 2 東大ナノ量子)
P-49
高品質InGaNナノワイヤ量子ドットのMOCVD選択成長
崔琦鉉1、有田宗貴1、荒川泰彦1,2
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研)
P-50
高移動度グラフェン/ｈ−ＢＮヘテロ構造における量子輸送現象
増渕覚1,2、森川生2、荒井美穂2、守谷頼2、渡邊賢司3、谷口尚3、町田友樹1,2
(1 東大ナノ量子, 2 東大生研, 3 物材機構)
P-51
AlGaAs近接障壁層導入による量子ドット赤外線検出器の比検出能の向上
各務惣太1,2、五十嵐悠一1,2、渡邉克之2、白根昌之1,2、大河内俊介2、萬伸一1,2、荒川泰彦2,3
(1NEC スマエネ研, 2 東大ナノ量子, 3 東大生研)
P-52
表面弾性波による二経路干渉計における量子操作
伊藤諒1、高田真太郎1,2、山本倫久1,3、樽茶清悟1,4
(1 東大工, 2 ニール研, 3JST, 4 理研)
P-53
N型強磁性半導体(In,Fe)As量子井戸構造における電気的な磁性制御
Le Duc Anh1、Pham Nam Hai1、笠原裕一2、岩佐義宏2、田中雅明1
(1 東大電気系, 2 東大物工)
P-54
Epitaxial Growth and Characterization of n-type Magnetic Semiconductor (In,Co)As
Nguyen Thanh Tu, Le Duc Anh, Pham Nam Hai, and Masaaki Tanaka
(東大院工)
P-55
歪Ge/SiGe量子井戸中の二層系2DHGにおけるランダウ準位交差および反交差の観測
守谷頼1、星裕介2,3、澤野憲太郎2、増渕覚1,4、白木靖寛2、町田友樹1,4
(1 東大生研, 2 都市大総研, 3 名大工, 4 東大ナノ量子)
P-56
GaMnAsの反射MCD測定における多重反射の効果
寺田博、大矢忍、田中雅明
(東大院工)
P-57
GaAs:BeとGaMnAsにおける共鳴トンネル分光の測定結果の比較
宗田伊理也、寺田博、大矢忍、田中雅明
(東大院工)
P-58
プローブ偏光変調型-電気光学サンプリング法によるテラヘルツ波の偏光計測
根本夏紀1、樋口卓也1,2、神田夏輝3,4、小西邦昭4、五神真1,4,5,6
(1 東大院理, 2 フリードリッヒアレクサンダー大, 3 理研, 4 東大光量子, 5 東大ナノ量子, 6 東大フォトンサイエンス)
P-59
IV族強磁性半導体GeFeの特性：成長温度依存性，Fe原子位置とその磁性への影響
若林勇希、伴芳祐、大矢忍、田中雅明
(東大院工)
P-60
強磁性マグノンモード−超伝導量子ビット結合系の量子状態制御
石野誠一郎1、田渕豊1、石川豊史1、山崎歴舟1、宇佐見康二1、中村泰信1-3
(1 東大先端研, 2 理研, 3 東大ナノ量子)
P-61
面内電場によるIn0.5Ga0.5As/GaAs量子ドットの励起子発光の制御
斎藤敏夫1、中岡俊裕1,2、荒川泰彦1
(1 東大ナノ量子, 2 上智大理工)
P-62
三回回転対称性を有する人工ナノ構造を利用した波長変換技術の開拓
石井俊太郎1、樋口卓也1、Jia Li2、Jakob Larsson1、小西邦昭2、五神真1-4
(1 東大院理, 2 東大光量子, 3 東大ナノ量子, 4 東大フォトンサイエンス)
P-63
超伝導量子ビットを用いたマイクロ波光子数統計器の研究
河野信吾1、増山雄太1、石川豊史1、田渕豊1、山崎歴舟1、宇佐見康二1、中村泰信1-3
(1 東大先端研, 2 理研, 3 東大ナノ量子)