Powering Your Innovation Powering Your Innovation 主要な IP (Intellectual Property) 高周波での電力変換インテグレートされた電源管理システムインダクタコントローラ磁気工学特別に設計された即使用可能なソリューション完全にシミュレーション、特性評価、検証済みシステム・レベルで検証済み電源のパッケージ化と構造 MOSFET x 2 インダクタとキャパシタの選択作業が不要に高周波フィルタ・キャパシタ Enpirion の利点システム電源デザインに関する、現在と未来の課題に対応します。 PowerSoC の比較最高の電力密度と最小の実装面積 PowerSoC - 他のソリューションに比べ、 25% ∼ 75% 小さい実装面積を実現他のディスクリート・スイッチングレギュレータやモジュールと比べて、 Point-of-load として要求されるプリント基板の面積、および高さのプロファイルを大幅に縮小しました。高い効率と熱のパフォーマンス最高 96% の効率で最適化されています。高効率デバイスは工業用グレードで、85℃ の周囲温度でも負荷ディレーティングやエアフローは必要ありません。競合他社のモジュール最少の部品点数と信頼性の向上 PowerSoC は完全な電源システムとして設計され、シミュレーション、特性評価、製造検査されています。部品点数の削減と、綿密に制御された IC 製造プロセスにより、MTBF が 280,000 year という最高の信頼性が実現されています。容易な設計と市場投入期間の短縮競合他社のディスクリート・レギュレータインダクタと補償回路を内蔵した PowerSoC により、即使用可能なデザインが実現できます。ディスクリート・スイッチング・レギュレータと比べて、開発工数を大幅に削減する PWM コントローラことができます。補償回路完全に検証された電源ソリューション完全に検証されたプリント基板のレイアウトと技術資料により、ほぼ 100% の確率で初回のテストに合格できます。 BMUFSBDPKQFOQJSJPO イネーブルゲート・ドライブインダクタ詳細低放射ノイズ Enpirion 競合製品 QSPR 22 クラス B 10m dB (µV/メータ) レベル (dBµV/m 単位) CFR 47 パート 15 クラス H 10m CISPR クラス A 10m CFR 47 パート 15 クラス B 10m CISPR クラス B 10m 周波数 (Hz 単位) 周波数 (MHz) 低リップル高速ダイナミック応答競合製品 Enpirion 競合製品 Enpirion 5 V 入力 5 V 入力 5 V 入力 5 V 入力 3.3 V 出力 3.3 V 出力 3.3 V 出力 3.3 V 出力 500 MHz 帯域幅 500 MHz 帯域幅アプリケーション装置メーカーは市場からのプレッシャーを受け、フォーム・ファクタを小型化しエネルギー効率の改善を目指しながら、より多くの特長や機能を追加し、広帯域化を図っています。最新の 28nm および 20nm FPGA、プロセッサ、およびその他の SoC は、より細かく精密な電源管理を導入することで、これらの課題に対応しています。その結果、電源レール数が増加し、パワーアップ・シーケンス要件が複雑化し、ノイズ許容値が厳しくなっています。アルテラの Enpirion® 電源ソリューションは、電源デザインに関するこれらの課題を解決し、多くのアプリケーションで幅広く使用されています。コンピュータサーバーのマザーボード企業向けストレージ NIC および HBA カード SATA、SAS、mSATA、マイクロ・サーバーストレージ・システム RAID コントローラネットワークと通信機器無線基地局 PCI Express® (PCIe®) テスト & 計測機器ネットワーク・アナライザ ( マクロ、ピコ、フェムト ) 自動テスト装置 (ATE) ( マイクロウェーブ、有線 ) スコープ、アナライザ、バックホールデータ収集メディア・ゲートウェイ信号ジェネレータ (ATCA/AMC) 産業用および組み込み半導体ドライブ (SSD)：セキュリティ・システム／デジタル・ビデオ・レコーダ (DVR) 産業用コンピューティング産業用通信モジュール光ネットワーク光モジュール：SFP、XFP、 CXP、CFP アクティブ光ケーブル再プログラム可能な Add/ Drop 多重 BMUFSBDPKQFOQJSJPO パッケージ・サイズ (ピン ) 0.6−VIN 0.6 2.4−5.5 0.6−VIN EP5368QI 0.6 EP5388QI 0.8 EP53A8xQI 1 EP53A7xQI EN6310QI 囲 2.4−5.5 0.6 1 1 2.4−5.5 2.4−5.5 2.4−5.5 2.4−5.5 2.4−5.5 2.7−5.5 uQFN16 0.6−VIN QFN16 0.6−VIN 0.6−VIN 0.6−VIN 0.6−VIN QFN24 2 2.4−5.5 0.6−VIN EN5337QI EN5339QI EN5365/6QI EN5367QI EN5395QI EN5396QI 3 3 6 6 9 9 6 V 入力製品 EN5311QI EN5335/6QI EN6337QI EN6347QI EN5364QI EN6360QI EN5394QI EN63A0QI 1 2.4−5.5 9 12 V 入力製品 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN QFN24 4.5−6.6 QFN58 QFN20 EQC1240QI 4 4 0.6−1.2 1−1.8 0.6−1.2 2.9−14 2.9−14 BMUFSBDPKQFOQJSJPO NA−NA NA−NA 28 1.1 21 1.1 5 1.85 6 1.1 21 65 1.1 40 1.1 58 7 1.85 75 12 1.85 229 12 1.85 277 3 6 6 6 5 1.1 1.1 3 1.85 1.1 55 55 55 210 282 36 4 7 1.85 75 QFN68 QFN68 QFN68 4 7 1.85 1.85 8 11 8 11 1.85 8 11 11 3 3 QFN76 10 QFN36 5.5 5.5 0.9 QFN68 8 11 3 QFN68 0.60−3.3 1.1 QFN38 QFN38 0.60−3.3 4.5−14 4 ・・ 157 4.5−14 0.75−5.0 10 21 1.85 QFN68 1−1.8 NA 4 ・・ 10 0.75−5.0 8 NA 4 1.1 14 7.5 8 8 11 11 11 3 QFN16 3.3 3.3 0.9 QFN 8 11 3 QFN24 QFN24 4 4 10 4 4 190 3 3 0.75 0.75 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 200 ・・・・・・・・・・ 235 ・・ 325 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 200 ・・・・・ 40 ・・・ 140 125 ・・・・・・・・・・・ 227 200 12 5.5 195 3 13 QFN54 160 200 10 QFN92 75 3 QFN76 電流検知およびモニタリング製品 EQC1241QI 3 1.1 QFN44 4.5−14 0.5−0.9 EV1380QI 4 3 12 1−1.8 5 3 10 DDR メモリ終端製品 EV1340QI 3 3 QFN58 3 EV1320QI 3 3 2.4−5.5 0.75−VIN 0.60−3.3 15 3 10 4.5−14 EN23F0QI 3 5.5 4.5−14 9 14 QFN54 4 6 1.1 2.5−5.5 0.75−VIN EN2340QI EN2390QI 0.6−VIN 2.4−5.5 0.75−3.3 8.0−13 EN2360QI 2.5 2.25 10 4 4 20 QFN58 EC2630QI EN2342QI 0.9 2.4−5.5 0.75−VIN 2.4−5.5 2.4−6.6 0.6−VIN 12 1.75 2 2.5 2.25 4 4 8 QFN24 H QFN38 2.4−6.6 0.75−VIN 6 QFN16 W 2.4−5.5 0.75−VIN 3 3 QFN16 QFN24 EN5322QI 2 QFN16 0.6−VIN 0.6−VIN EN5329QI QFN16 QFN38 2.4−5.5 2.4−5.5 uQFN16 0.6−3.3 1.5 1.5 uQFN14 0.6−VIN EP53F8QI EN5319QI パッケージ V in 0.4 EP5357xUI EP5358xUI ( VD C) EP5348QI Vo 範 C) ( VD ) t(A Iou PN 5 V 入力標準製品 L (m ソリ m) ューショ抵ン抗デ・サイズ VID ィバイ (m ダ VO m2 VO UT ) PO UT セ Kフットセットソフラグト・スタ高ート精度をプイネー入ログ力同ブルラムクロ期可能ック並列出力機スイ能ッチン低負荷グ周波プリモード数をバイ (AB プログラ -L 過電アスム可・ス LM) 圧保能ター護過電トア流ップ保過護熱保護 IBC への使 VD 用承 DQ 認トラ外部ッキ済みリフングマーァジニレンスング・ピンプロダクト・セレクター・ガイド・・・・・・・・・・・・・ EP5368QI 600mA PowerSoC ■仕様： ■特長：・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V ・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.4 V) ・低リップル (5 mVp-p (Typ)) ・ノイズ・センシティブ RF に対応・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・3 mm x 3 mm x 1.1 mm QFN パッケージ・3-PIN VID 出力プログラミング・2 つの小型 MLCC コンデンサのみ必要・連続出力電流：600 mA ・保護：OCP、熱、UVLO ・外部ディバイダで Comp を変更可能・抵抗ディバイダ・オプション 3 mm x 3 mm x 1.1 mm ・動作周波数：4 Mhz ・ソリューション・フットプリント：<24 mm2 表 1 VID 電圧選択設定 VS2 VS1 VS0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 VOUT 3.3V 2.5V 1.8V 1.5V 0 1.25V 0 0.8V 1 1 ・VID ピンを動的に変更可能・イネーブル・ピン 1 1.2V ユーザーが選択可能 EP5388QI 800mA PowerSoC ■特長： ■仕様：・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V ・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.4 V) ・低リップル (5 mVp-p (Typ)) ・ノイズ・センシティブ RF に対応・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・3 mm x 3 mm x 1.1 mm QFN パッケージ・3-PIN VID 出力プログラミング・2 つの小型 MLCC コンデンサのみ必要・連続出力電流：800 mA ・保護：OCP、熱、UVLO ・外部ディバイダで Comp を変更可能・抵抗ディバイダ・オプション 3 mm x 3 mm x 1.1 mm ・動作周波数：4 Mhz ・ソリューション・フットプリント：<28 mm2 表 1 VID 電圧選択設定・VID ピンを動的に変更可能・イネーブル・ピン VS2 VS1 VS0 0 0 1 2.5V 1 1.5V 0 0 0 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 VOUT 3.3V 1.8V 1.25V 1.2V 0.8V ユーザーが選択可能 BMUFSBDPKQFOQJSJPO EN6310QI 1A 高効率 PowerSoC ■仕様：・入力電圧範囲：2.7 V ∼ 5.5 V ・VOUT 範囲 :0.6 V ∼ 3.3 V ・連続出力電流：1 A ・動作周波数：2.2 MHz ・4 mm x 5 mm x 1.85 mm QFN ・ソリューション・フットプリント：65 mm2 4 mm x 5 mm x 1.85 mm ・高精度出力：項目条件初期 DC 精度 VIN=5.0 V または 3.3 V；I_Load=100 mA；TA=25 ℃ VIN=3.3 V；0 A I_Load 1 A；-40 ℃ TA +85 ℃ VIN=5.0 V；0 A I_Load 1 A；-20 ℃ TA +85 ℃ DC 精度 VIN=5.0 V；0 A I_Load 1 A；-40 ℃ TA +85 ℃ ■特長：・低 VOUT に最適化・高い変換効率・SERDES および IO 用に極めて低いリップル・クラス最高の過渡応答・抵抗ディバイダ VOUT プログラミング・ソフト・スタートをプログラム可能・シーケンシング用イネーブルおよび POK ・過電流と短絡から保護・熱保護：140 ℃/30 ℃ ・低入力電圧ロックアウト：2.2 V 最小最大単位 % +1 -1 -2 +2.25 % % +2 -2 % +2 -3 EP53F8QI 1.5 A PowerSoC ■仕様：・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V ・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V) ・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：1500 mA ・動作周波数：4 Mhz ・ソリューション・フットプリント：40 mm2 ■特長：・低リップル ( 最小 8 mVp-p (Typ)) ・ノイズ・センシティブ RF に対応・3 x 3 x 1.1 mm QFN パッケージ・高出力密度：275 mW/mm2 ・エラー・モニタリング用 POK フラグ・保護：OCP、熱、UVLO ・イネーブル・ピン 3 mm x 3 mm x 1.1 mm EN6337QI 3 A 高効率 PowerSoC 4 mm x 7 mm x 1.85 mm BMUFSBDPKQFOQJSJPO ■仕様：・入力電圧範囲：2.375 V ∼ 6.6 V ・出力電圧範囲：0.75 V ∼ (VIN-0.5 V) ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：3 A ・静止電流 (LLM)：650 uA ・ソリューション・フットプリント：・上面最大面積：75 mm2 ・裏面最大面積：50 mm2 ■特長：・IBC と互換・ピーク効率：95 % ・過電流保護：4.5 A (Typ) ・低入電圧ロックアウト：2.2 V ・バイアス低負荷モード (LLM) ・ソフト・スタートをプログラム可能・カスタマイズ可能な制御ループ・EN6347QI 4 A とピン互換・EN5337QI 3 A と準ピン互換・外部クロックに同期・イネーブル兼 POK フラグ EN6347QI 4 A 高効率 PowerSoC 4 mm x 7 mm x 1.85 mm ■仕様：・入力電圧範囲：2.375 V ∼ 6.6 V ・出力電圧範囲：0.75 V ∼ (VIN-0.5 V) ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：4 A ・静止電流 (LLM モード )：650 uA ・ソリューション・フットプリント：・上面最大面積：75 mm2 ・裏面最大面積：50 mm2 ■特長：・ IBC と互換・ピーク効率：95 % ・過電流保護：6 A (Typ) ・低電圧ロックアウト：2.2 V ・バイアス低負荷モード (LLM) ・ソフト・スタートをプログラム可能・カスタマイズ可能な制御ループ・EN6337QI 3 A と互換・EN5337QI 3 A と準ピン互換・外部クロックに同期・イネーブル兼 POK フラグ EN6360QI 8 A 高効率 PowerSoC ■仕様：・入力電圧範囲：2.5 V ∼ 6.6 V ・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V) ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：8 A ・スイッチ周波数：1.2 MHz ・ソリューション・フットプリント：190 mm2 11 mm x 8 mm x 3 mm ■特長：・IBC と互換・最大 96 % の高い効率・熱ディレーティングは不要・スイッチング周波数をプログラム可能・外部クロックに同期・高精度イネーブルしきい値・ソフト・スタートをプログラム可能・並列動作可能・保護：熱、OC、SC、UVLO ・ソフト・シャットダウン EN63A0QI 12 A 高効率 PowerSoC ■仕様：・入力電圧範囲：2.5 V ∼ 6.6 V ・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V) ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：12 A ・スイッチ周波数：1.2 MHz ・ソリューション・フットプリント：230 mm2 11 mm x 10 mm x 3 mm ■特長：・IBC と互換・最大 96 % の高い効率・スイッチング周波数をプログラム可能・外部クロック同期可能・高精度イネーブルしきい値・ソフト・スタートをプログラム可能・ソフト・シャットダウン・並列動作可能・保護：熱、OC、SC、UVLO ・RoHS 準拠、MSL レベル 3、リフロー：260 C BMUFSBDPKQFOQJSJPO EN2342QI 12 V/4 A PowerSoC ■仕様：・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V ・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 5 V ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：4 A ・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃ ・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃ ・ソリューション・フットプリント：200 mm2 8 mm x 11 mm x 3 mm Q) 9,1 ■特長：・効率：94 % ・外部クロックに同期・ソフト・スタートをプログラム可能・保護：OCP、短絡、UVLO、過熱・EN2340QI 4 A、EN2360QI 6 A、EN2362QI 6 A とピン互換・イネーブル兼 POK フラグ・熱ディレーティングなし +) 9287 3* %703 9''% %*1' 9287 39,1 59% N +) 21 2)) (14, (1$%/( & 287 5$ &$ $9,12 +) +) $9,1 5 &$ 9)% 66 Q) 3*1' 3*1' )$'- $*1' 5)6 5&/; 5% 5&/; EN2360QI 12 V/6 A PowerSoC ■仕様：・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V ・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 5 V ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：6 A ・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃ ・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃ ・ソリューション・フットプリント： 200 mm2 ■特長：・効率：93 % ・外部クロック同期可能・ソフト・スタートをプログラム可能・保護：OCP、短絡、UVLO、過熱・EN2340QI 4 A、EN2342QI 4 A とピン互換・イネーブル兼 POK フラグ・制限付き熱ディレーティング 8 mm x 11 mm x 3 mm EN2390QI 12 V/9 A PowerSoC ■仕様：・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V ・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 3.3 V ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：9 A ・ソリューション・フットプリント：235 mm2 10 mm x 11 mm x 3 mm BMUFSBDPKQFOQJSJPO ■特長：・効率：93 % ・外部クロック同期可能・ソフト・スタートをプログラム可能・周囲温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃ ・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃ ・保護：短絡、UVLO、熱・イネーブル兼 POK フラグ・並列可能 EN23F0QI 12 V/15 A PowerSoC ■仕様：・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V ・出力電圧範囲：0.65 V ∼ 5 V ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング・連続出力電流：15 A ・ソリューション・フットプリント：308 mm2 ■特長：・効率：93 % ・外部クロック同期可能・ソフト・スタートをプログラム可能・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃ ・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃ ・保護：短絡、UVLO、熱・イネーブル兼 POK フラグ・並列可能 12 mm x 13 mm x 3 mm EV1320QI 2 A 高効率 DDR 終端 ■仕様：・入 DDR2、DDR3、DDR4 対応 VTT ・VDDQ VIN 範囲：1.0 V ∼ 1.8 V ・3.3 V AVIN ・VOUT = ½ VDDQ ・VDDQ でトラック・ソースおよびシンク能力：2 A ・ソリューション・フットプリント：40 mm2 3 mm x 3 mm x 0.55 mm ■特長：・VTT アプリケーションに最適化・ピーク効率：96 % ・8 A VTT には最大 4 個のデバイスを並列・ソフト・スタートをプログラム可能・過電流および短絡保護・熱的過負荷保護・低電圧保護・RoHS 準拠、MSL 3、リフロー：260 C ・ソフト・シャットダウン EV1340QI 5 A 高効率 DDR 終端 10 mm x 5.5 mm x 3 mm ■仕様：・DDR2、DD3、DD4 対応・VDDQ VIN 範囲：1.0 V ∼ 1.8 V ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・AVIN 供給：3.3 V ・VOUT = ½ VDDQ ・VDDQ でトラック・公称 Fsw：1.5 MHz ・ソースおよびシンク能力：5 A ・ソリューション・フットプリント：125 mm2 ■特長：・VTT アプリケーションに最適化・ピーク効率：91.5 % ・プリバイアス対応・ソフト・スタートをプログラム可能・ソフト・シャットダウン・過電流および短絡保護・熱的過負荷保護・低電圧保護 BMUFSBDPKQFOQJSJPO EV1380QI 8 A 高効率 DDR 終端 11 mm x 8 mm x 3 mm ■仕様：・DDR2、DD3、DD4 対応・VDDQ VIN 範囲：1.16 V ∼ 1.65 V ・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・AVIN 供給：3.3 V ・VOUT = ½ VDDQ ・VDDQ でトラック・公称 Fsw：1.5 MHz ・ソースおよびシンク能力：8 A ・ソリューション・フットプリント：200 mm2 ■特長：・VTT アプリケーションに最適化・ピーク効率：94 % ・並列可能・プリバイアス対応・ソフト・スタートをプログラム可能・ソフト・シャットダウン・過電流および短絡保護・熱的過負荷保護・低電圧保護 EC7401QI + ET4040 40 A ソリューションの機能 EC7401QI ・2、3、または 4 フェーズ動作・フェーズごとに周波数を 1 MHz まで調整可能・差動リモート電圧検知・出力電圧精度 ±0.5 %（入力電圧、負荷、温度、経年）・差動電流検知・各フェーズの電流バランス・VR11 と拡張 VR10 準拠。6.25 mV ／ビットで 8 ビット VID 入力・動的 VID テクノロジ・0.5 V ∼ 1.6 V の Vout 範囲・高精度イネーブルしきい値・熱モニタリング・プログラム可能な温度補償・過電流保護・過電圧保護 BMUFSBDPKQFOQJSJPO ET4040QI ・40 A の高密度モノリシック FET スイッチ・40 A の連続動作電流・FPGA、プロセッサ、および DDR メモリ向けコア電圧を対象として最適化された低デューティ・サイクル動作・最大 1 MHz の動作周波数で高い効率・50 ∼ 75 % 低いインダクタンスと低容量出力コンデンサを実現・500 KHz で 95 % のピーク効率 (1.8 Vout、10 A) ・POSCAP や電解コンデンサは不要・上面ヒートシンク取り付け可能 ED8106N0xQI + ET4040 40 A ソリューション仕様／機能 ET4040QI ・デジタル単相 PWM コントローラ・デジタル制御ループをプログラム可能・ET4040 での使用に最適化してプリプログラム済み・5.0 V または 3.3 V 単一電源で動作・Stratix® V、Stratix 10、および Arria® 10 コア条件に対応・最小のフットプリントで最大の電力密度・デジタル制御ループで過渡応答と安定した定常状態を保証・プリバイアス・スタートアップをサポート・保護機能：・過電流保護・過電圧保護 (Vin、Vout) ・低電圧保護 (Vin、Vout) ・過負荷でのスタートアップ・障害状況での連続リトライ「ヒカッ ( プ」) モード ,6 ( 1 76 ( 1 3:0 5( ), 1 (' ・40 A の高密度モノリシック FET スイッチ・FPGA、プロセッサ、および DDR メモリ向けコア電圧を対象として最適化された低デューティ・サイクル動作・最大 1 MHz の動作周波数で維持される高い効率・50 ∼ 75 % 低いインダクタンスと低容量出力コンデンサを実現・500 KHz で 95 % のピーク効率 (1.8 Vout、10 A) ・40 A の連続動作電流・POSCAP や電解コンデンサは不要・インダクタ DCR センシングを必要としない電流検知・上面ヒートシンク取り付け可能 ED8106N0xQI 2)) 9,1 &,1 3*1' 9 9&&B*' (7$ 9± 9 ,1'8&725 9287 6: &287 3*1' 3*1' 9 9&& 9&&B*1' 3+$6( %227 BMUFSBDPKQFOQJSJPO 400 mA 2x1.75 mm 600 mA 600 ∼1500 mA 2.5x2.25 mm 3x3 mm 1.5∼3 A 6x4 mm 3∼4 A 7x4 mm 電源ソリューションで最小の実装面積 4∼9 A 11x8 mm 9∼12 A 10x11 mm 15 A 13x12 mm （パッケージ・サイズは実寸大） Enpirion サイト：www.altera.co.jp/enpirion 〒163-1332 東京都新宿区西新宿6-5-1 新宿アイランドタワー32F 私書箱1594号 TEL. 03-3340-9480 FAX. 03-3340-9487 www.altera.co.jp E-mail: [email protected] Altera Corporation 101 Innovation Drive, San Jose, CA 95134 USA www.altera.com 本資料に掲載されている内容は、製品の仕様の変更等により予告なく変更される可能性があります。最新の情報はアルテラ・ウェブサイトをご参照ください。 ©2014 Altera Corporation. All rights reserved. ALTERA, ARRIA, CYCLONE, ENPIRION, MAX, MEGACORE, NIOS, QUARTUS and STRATIX words and logos are trademarks of Altera Corporation and registered in the U.S. Patent and Trademark Office and in other countries. All other words and logos identified as trademarks or service marks are the property of their respective holders as described at www.altera.com/legal. July 2014 Broch-Enpirion-2.0/JP.