データシート R1EV5801MB シリーズ 1M EEPROM (128-kword×8-bit) Ready/Busy and RES function R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 概要 R1EV5801MB シリーズは，131072 ワード×8 ビット EEPROM（電気的書き換え可能な ROM）です。最新の MONOS メモリ技術，CMOS プロセスおよび回路技術を採用し，高速・低消費電力および高信頼性を実現しています。また，128 バイトページ書き換え機能により，データ書き換えが高速化されています。 特長 • 単一電源：2.7V∼5.5V • アクセス時間： 150ns (max) @ Vcc=4.5V∼5.5V 250ns(max) @ Vcc=2.7V∼5.5V • 消費電力： 動作時： 20mW/MHz (typ) スタンバイ時：110µW (max) • アドレス，データ，CE，OE，WE ラッチ • 自動バイト書き換え：10 ms (max) • 自動ページ書き換え（128 バイト）：10 ms (max) • Data ポーリング，RDY/Busy • 電源 ON/OFF 時のデータ保護機能 • JEDEC Byte-wide Standard に準拠 • CMOS および MONOS プロセス • 書き換え回数 104 回以上 • データ保持 10 年以上 • ソフトウェアデータプロテクション • リセット機能によるデータ保護 • 本製品は鉛フリーです。 R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 1 of 20 R1EV5801MB シリーズ 製品ラインアップ Orderable Part Name R1EV5801MBSDRDI#B0 Access time Package 150ns/250ns 525mil 32-pin plastic SOP PRSP0032DC-A (FP-32DV) Shipping Container Quality Tube Max. 22 pcs/tube Max. 880 pcs/inner box 150ns/250ns 32-pin plastic TSOP Tray Max. 60 pcs/reel PTSA0032KD-A (TFP-32DAV) Max. 600 pcs/inner box R1EV5801MBTDRDI#B0 ピン配置 R1EV5801MBSDR Series RDY/Busy A16 A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 VSS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 VCC A15 RES WE A13 A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 R1EV5801MBTDR Series A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 VSS I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 CE A10 OE 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 A4 A5 A6 A7 A12 A14 A16 RDY/Busy VCC A15 RES WE A13 A8 A9 A11 (Top view) (Top view) ピン説明 ピ ン A0∼A16 I/O0∼I/O7 OE CE WE VCC VSS RDY/Busy RES R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 ピン名称 アドレス入力 データ入出力 出力イネーブル チップイネーブル ライトイネーブル 電源 接地 レディビジー リセット Page 2 of 20 R1EV5801MB シリーズ ブロックダイアグラム I/O0 to I/O7 V CC High voltage generator V SS RDY/Busy Voltage detector RES I/O buffer and input latch OE CE Control logic and timing WE RES A0 to Y decoder Y gating X decoder Memory array A6 Address buffer and latch A7 to A16 Data latch ピン接続 ピ モード CE Read VIL Standby VIH Write VIL Deselect VIL Write inhibit × Write inhibit × Data polling VIL Program reset × 【注】 1. 推奨 DC 動作条件を参照 2. ×：任意 R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 OE VIL ×*2 VIH VIH × VIL VIL × WE VIH × VIL VIH VIH × VIH × ン RES VH*1 × VH VH × × VH VIL RDY/Busy High-Z High-Z High-Z to VOL High-Z — — VOL High-Z I/O Dout High-Z Din High-Z — — Dout (I/O7) High-Z Page 3 of 20 R1EV5801MB シリーズ 絶対最大定格 項 目 記 号 電源電圧（VSS に対して） VCC 入力電圧（VSS に対して） Vin 動作温度*2 Topr 保存温度 Tstg 【注】 1. パルス幅が 50ns 以下の場合は，–3.0V 2. データ保持を含む 定 格 値 –0.6∼+7.0 –0.5*1∼+7.0 –40∼+85 –55∼+125 単 位 V V °C °C 推奨 DC 動作条件 項 目 記号 Min VCC 2.7 VSS 0 1 入力電圧 –0.3* VIL 2 1.9* VIH VH VCC – 0.5 動作温度 Topr –40 【注】 1. パルス幅が 50ns 以下の場合は，–1.0V。 2. VCC = 3.6∼5.5V の場合は，2.2V。 Typ 3.0 0 — — — — 電源電圧 単位 Max 5.5 0 0.8 VCC + 0.3 VCC + 1.0 +85 V V V V V °C DC 特性 (Ta = –40∼+85°C, VCC = 2.7V∼5.5V) 項 目 入力漏洩電流 出力漏洩電流 スタンバイ時電源電流 動作時電源電流 記号 ILI ILO ICC1 ICC2 ICC3 出力電圧 Min — — — — — Typ — — — — — Max 2*1 2 20 1 15 単位 — — 6 mA — — 50 mA — — 15 mA — — 0.4 — V V VOL — VOH VCC×0.8 【注】 1. RES ピンの場合は，100µA (max)。 µA µA µA mA mA 測定条件 VCC = 5.5V, Vin = 5.5V VCC = 5.5V, Vout = 5.5V/0.4V CE = VCC CE = VIH Iout = 0mA,duty = 100%, cycle =1µs, VCC = 5.5V Iout = 0mA,duty = 100%, cycle =1µs, VCC = 3.3V Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 150ns, VCC = 5.5V Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 250ns, VCC = 3.3V IOL = 2.1mA IOH = –400µA 容量 (Ta = +25˚C, f = 1MHz) 項 目 記号 単位 Min Typ Max 入力容量*1 Cin — — 6 pF Vin = 0V 出力容量*1 Cout — — 12 pF Vout = 0V 【注】 1. このパラメータは，全数測定されたものではなく，サンプル値です。 R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 測定条件 Page 4 of 20 R1EV5801MB シリーズ AC 特性 (Ta = –40∼+85°C, VCC = 4.5V∼5.5V) 測定条件 • • • • 入力パルスレベル：0.4∼2.4V, 0V∼VCC (RES) 入力立ち上がり／立ち下がり時間：≤ 20ns 出力負荷：1TTL Gate + 100pF 入出力タイミング参照レベル：0.8V, 2.0V リードサイクル 項 アクセス時間 目 CE・出力遅延時間 OE・出力遅延時間 データ出力ホールド時間 出力ディスエイブル遅延時間 RES・出力遅延時間 記 Min — — Max 150 150 単位 測 tACC tCE 号 ns ns CE = OE = VIL, WE = VIH OE = VIL, WE = VIH 定 条 件 tOE tOH tDF*1 tDFR*1 tRR 10 0 0 0 0 75 — 50 350 450 ns ns ns ns ns CE = VIL, WE = VIH CE = OE = VIL, WE = VIH CE = VIL, WE = VIH CE = OE = VIL, WE = VIH CE = OE = VIL, WE = VIH 書き換えサイクル Typ — — — Max — — — 単位 tAS tAH tCS Min*2 0 150 0 tCH 0 — — ns WE セットアップ時間（CE 制御） tWS 0 — — ns WE ホールド時間（CE 制御） OE セットアップ時間 tWH tOES 0 0 — — — — ns ns OE ホールド時間 データセットアップ時間 データホールド時間 WE パルス幅（WE 制御） tOEH 0 — — ns tDS tDH tWP 100 10 250 — — — — — — ns ns ns CE パルス幅（CE 制御） データラッチ時間 バイトロードサイクル バイトロード時間 ライトサイクル時間 tCW 250 — — ns 項目 アドレスセットアップ時間 アドレスホールド時間 CE セットアップ時間（WE 制御） CE ホールド時間（WE 制御） 記号 ns ns ns tDL tBLC tBL tWC tDB 300 — — ns 0.55 — 30 µs 100 — — µs 3 10* ms — — RDY/Busy 遅延時間 120 — — ns 書き換え待機時間 150*4 tDW — — ns リセット解除時間 tRP 100 — — µs リセットハイ時間*5 tRES 1.0 — — µs 【注】 1. tDF, tDFR は出力が開放状態に達し，出力レベルを参照できなくなった場合で定義します。 2. 使用時の Min 値です。 3. RDY/Busy あるいは，データポーリングを使用しない場合は，tWC を 10ms 以上に設定してください。10ms 以内に書き換えは自動的に終了します。 4. RDY/Busy あるいは，データポーリングを用いて書き換え終了検出を行う場合は，終了検出後ただちに（tDW 経過後），次の書き換えに入ることができます。 5. このパラメーターは全数測定されたものでなく，サンプル値です。 6. A7 から A16 までのページアドレスは，WE の最初の立ち下がりでラッチされます。 7. A7 から A16 までのページアドレスは，CE の最初の立ち下がりでラッチされます。 8. リードサイクルを参照してください。 R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 5 of 20 R1EV5801MB シリーズ AC 特性 (Ta = –40∼+85°C, VCC = 2.7V∼5.5V) 測定条件 • • • • 入力パルスレベル：0.4∼2.4V, 0V∼VCC (RES) 入力立ち上がり／立ち下がり時間：≤ 20ns 出力負荷：1TTL Gate + 100pF 入出力タイミング参照レベル：0.8V, 2.0V リードサイクル 項 アクセス時間 目 CE・出力遅延時間 OE・出力遅延時間 データ出力ホールド時間 出力ディスエイブル遅延時間 RES・出力遅延時間 記 Min — — Max 250 250 単位 測 tACC tCE 号 ns ns CE = OE = VIL, WE = VIH OE = VIL, WE = VIH 定 条 件 tOE tOH tDF*1 tDFR*1 tRR 10 0 0 0 0 120 — 50 350 600 ns ns ns ns ns CE = VIL, WE = VIH CE = OE = VIL, WE = VIH CE = VIL, WE = VIH CE = OE = VIL, WE = VIH CE = OE = VIL, WE = VIH 書き換えサイクル Typ — — — Max — — — 単位 tAS tAH tCS Min*2 0 150 0 tCH 0 — — ns WE セットアップ時間（CE 制御） tWS 0 — — ns WE ホールド時間（CE 制御） OE セットアップ時間 tWH tOES 0 0 — — — — ns ns OE ホールド時間 データセットアップ時間 データホールド時間 WE パルス幅（WE 制御） tOEH 0 — — ns tDS tDH tWP 100 10 250 — — — — — — ns ns ns CE パルス幅（CE 制御） データラッチ時間 バイトロードサイクル バイトロード時間 ライトサイクル時間 tCW 250 — — ns 項目 アドレスセットアップ時間 アドレスホールド時間 CE セットアップ時間（WE 制御） CE ホールド時間（WE 制御） 記号 ns ns ns tDL tBLC tBL tWC tDB 750 — — ns 1.0 — 30 µs 100 — — µs 3 10* ms — — RDY/Busy 遅延時間 120 — — ns 書き換え待機時間 250*4 tDW — — ns リセット解除時間 tRP 100 — — µs リセットハイ時間*5 tRES 1.0 — — µs 【注】 1. tDF, tDFR は出力が開放状態に達し，出力レベルを参照できなくなった場合で定義します。 2. 使用時の Min 値です。 3. RDY/Busy あるいは，データポーリングを使用しない場合は，tWC を 10ms 以上に設定してください。10ms 以内に書き換えは自動的に終了します。 4. RDY/Busy あるいは，データポーリングを用いて書き換え終了検出を行う場合は，終了検出後ただちに（tDW 経過後），次の書き換えに入ることができます。 5. このパラメーターは全数測定されたものでなく，サンプル値です。 6. A7 から A16 までのページアドレスは，WE の最初の立ち下がりでラッチされます。 7. A7 から A16 までのページアドレスは，CE の最初の立ち下がりでラッチされます。 8. リードサイクルを参照してください。 R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 6 of 20 R1EV5801MB シリーズ タイミング波形 リードタイミング波形 Address tACC CE tOH tCE OE tDF tOE WE High Data Out Data out valid tRR tDFR RES R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 7 of 20 R1EV5801MB シリーズ バイト書き換えタイミング波形-1（WE 制御） tWC Address tCS tAH tCH CE tAS tBL tWP WE tOES tOEH OE tDS tDH Din tDW High-Z RDY/Busy tDB High-Z tRP tRES RES VCC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 8 of 20 R1EV5801MB シリーズ バイト書き換えタイミング波形-2（CE 制御） Address tWS tAH tBL tWC tCW CE tAS tWH WE tOES tOEH OE tDS tDH Din tDW RDY/Busy tDB High-Z High-Z tRP tRES RES VCC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 9 of 20 R1EV5801MB シリーズ ページ書き換えタイミング波形-1（WE 制御） *6 Address A0 to A16 tAS tAH tBL tWP WE tDL tCS tBLC tWC tCH CE tOEH tOES OE tDH tDS Din RDY/Busy High-Z tDB tDW High-Z tRP RES tRES VCC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 10 of 20 R1EV5801MB シリーズ ページ書き換えタイミング波形-2（CE 制御） *7 Address A0 to A16 tAS CE tAH tBL tCW tDL tWS tBLC tWC tWH WE tOEH tOES OE tDH tDS Din RDY/Busy High-Z tDB tDW High-Z tRP RES tRES VCC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 11 of 20 R1EV5801MB シリーズ データポーリング(Data polling)タイミング波形 Address An An CE WE tOEH tCE *8 tOES OE tDW tOE *8 I/O7 Din X R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Dout X Dout X tWC Page 12 of 20 R1EV5801MB シリーズ トグルビット トグルビット機能により，EEPROM が書き換え中かどうかを識別することができます。 トグルビットは I/O6 に割り当てられています。書き換え中に読み出しを行うと，読み出すごとに"1"と"0"が交互に出力されます。 したがって，I/O6 に同一データが 2 回以上続けて出力された時点が書き換え終了となります。書き換え終了 検出後，ただちに（tDW 後）次のモードに入ることができます。 トグルビット波形 【注】 1. 2. 3. 4. I/O6 初期状態は，High 状態です。 I/O6 終了状態は，変化します。 リードサイクルを参照してください。 アドレスは任意ですが，期間中は変化させないでください。 Next mode *4 Address tCE *3 CE WE *3 tOE OE tOES tOEH *1 I/O6 Din Dout Dout tWC R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 *2 *2 Dout Dout tDW Page 13 of 20 R1EV5801MB シリーズ ソフトウェアデータプロテクションタイミング波形-1（プロテクトモード時） VCC CE WE tBLC Address 5555 Data AA 5555 AAAA or 2AAA 55 A0 tWC Write address Write data ソフトウェアデータプロテクションタイミング波形-2（プロテクトモード解除） VCC tWC Normal active mode CE WE Address Data R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 5555 AAAA or 2AAA 5555 5555 AAAA or 2AAA 5555 AA 55 80 AA 55 20 Page 14 of 20 R1EV5801MB シリーズ 機能説明 自動ページ書き換え 本製品は，ページモードでの書き換え機能を持っており，複数バイトのデータを一度に書き換えることが できます。1 ページで書き換え可能なバイト数は最大 128 バイトであり，128 バイト以内の任意のデータ数を 任意のアドレス(A0-A6)順序で書き換えることができます。最初の 1 バイトデータを入力すると，2 番目のバ イトデータのために 30µs のデータ入力窓が開き，この 30µs 以内ならば次のバイトデータを入力することが できます。以後データを 1 バイト入力するごとに 30µs のデータ入力窓が開き，順次データを入力していくこ とができます。また，データを入力したのち 100µs の期間 CE または WE 端子を High 状態に保った場合には， 書き換えモードに自動的に入り，それまでに入力したデータが書き換わります。 Data polling（データポーリング） データポーリングとは，書き換え時間中に EEPROM を読み出しモードにすると，最終入力データの反転 データが I/O7 から出力され，EEPROM が書き換え中であることを表示する機能です。 データポーリング機能を用いることにより，EEPROM の動作状態が読み出し可能状態かどうかを識別する ことができます。 RDY/Busy 信号 RDY/Busy 信号は，EEPROM が書き換え中のとき，Low 状態になり，読み出し可能なとき，High-Z 状態に なります。この RDY/Busy 信号出力でも EEPROM の動作状態を識別できます。 RES 信号の機能 RES=Low の場合，書き換え禁止状態になるため，VCC 電源投入・解除時に RES=Low に保つことにより， データを保護することができます。RES 端子には，ラッチ機能が付いていないため，読み出し中・書き換え 中は必ず High に保ってください。 VCC Read inhibit Read inhibit RES Program inhibit Program inhibit WE, CE 信号の機能 書き換えサイクル中，アドレスは WE または CE の立ち下がりで，I/O（データ）は WE または CE の立ち 上がりで，それぞれラッチされます。 書き換え回数について 書き換え回数は，104 回（累積不良率 1%以下）です。書き換え後のデータ保持 10 年間が可能です。 R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 15 of 20 R1EV5801MB シリーズ データ保護について 本製品は，動作中および電源投入・解除時のデータ保護対策として，次のような機能を内蔵しています。 1. 動作中に制御ピン(CE, OE, WE)に加わるノイズに対するデータ保護 制御ピンに加わるノイズがトリガーとなって，読み出し中，または待機中に書き換えモードに誤って入る 可能性があります。このような場合の対策として，ノイズ幅が 20ns 以内ならば，書き換えモードに入ら ないようなノイズキャンセル機能を持っています。20ns 幅以上のノイズが制御ピンに加わらないようにご 注意ください。 WE CE VIH 0V VIH OE 0V 20 ns max R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 16 of 20 R1EV5801MB シリーズ 2. VCC 電源投入・解除時のデータ保護，誤書き込み防止 VCC 電源投入・解除時に CPU 等からのノイズが制御ピンに加わった場合， 誤って EEPROM が書き換えモー ドに入る可能性があります。したがって VCC 電源投入・解除時には EEPROM を書き換え禁止，待機また は読み出し状態に保ってください。 【注】 CPU のリセット信号等を利用して電源投入・解除時における EEPROM の誤書き込みを阻止してくだ さい。 VCC CPU RESET * Unprogrammable * Unprogrammable 2.1 RES によるデータ保護 電源投入・解除時には CPU リセット信号を RES 端子に入力して EEPROM を書き換え禁止状態に保っ てください。 また，RES 端子が Low になると，書き換え動作が停止します。書き換え動作中 RES 端子を Low にし た場合は正常な書き換えは行われません。最終書き換えパルスを入力後，10ms 以上経ってから RES 端子を Low にしてください。 VCC RES Program inhibit WE or CE R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 1 µs min 100 µs min Program inhibit 10 ms min Page 17 of 20 R1EV5801MB シリーズ 3. ソフトウェアデータプロテクション 本製品は，実装時に外部回路から発生するノイズに起因する誤書き換えを防止するために，ソフトウェア データプロテクション機能を設けています。プロテクションは次のような 3 バイトコードおよび書き換え データを入力することにより設定できます。3 バイトコードのみの入力ではプロテクションモードには入 りません。プロテクションモード時に書き換えを行う場合は，設定時と同様に書き換えデータの前に 3 バ イトコードを入力する必要があります。 Address Data 5555 AA ↓ ↓ AAAA or 2AAA 55 ↓ ↓ 5555 A0 ↓ ↓ Write address Write data } Normal data input ソフトウェアデータプロテクションモードを解除するには， 次の 6 バイトコードを入力します。解除サ イクル中に時に書き換えデータを入力しても，データの書き換えはできません。 Address Data 5555 ↓ AAAA or 2AAA ↓ 5555 ↓ 5555 ↓ AAAA or 2AAA ↓ 5555 AA ↓ 55 ↓ 80 ↓ AA ↓ 55 ↓ 20 出荷時はノンプロテクション状態になっています。 【注】 他社品と当社品でソフトウェアデータプロテクションの設定/解除方法が異なる場合がありますので ご注意ください。なおご不明な点がごさいましたら，弊社営業窓口までお問い合わせください。 R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 18 of 20 R1EV5801MB シリーズ 受注型名ルール Orderable part Number Guide of Parallel EEPROM R1EV58 01MB SD Parallel EEPROM R D I #B0 Packaging, Environmental Memory density 064B : 64Kbit 256B : 256Kbit 01MB : 1Mbit #S0 : Embossed tape (Pb free) #B0 : Tray or Tube (Pb free) Quality grade I : –40 to +85 deg C (Industry) Package type DA : DiLP-28pin SC : SOP-28pin SD : SOP-32pin TC : TSOP-28pin TD : TSOP-32pin Access time B: D: 85/100/120ns 150ns/250ns Function R : Reset function suported N : Reset function not suported R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Page 19 of 20 R1EV5801MB シリーズ 外形寸法図 R1EV5801MBSD シリーズ(PRSP0032DC-A / Previous Code: FP-32DV) JEITA Package Code P-SOP32-11.3x20.45-1.27 RENESAS Code PRSP0032DC-A *1 Previous Code FP-32D/FP-32DV MASS[Typ.] 1.3g NOTE) 1. DIMENSIONS"*1 (Nom)"AND"*2" DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*3"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. F D 32 17 bp Index mark Terminal cross section 1 16 *3 e Z bp x L1 M A1 θ A S L Detail F y S c c1 HE *2 E b1 Reference Symbol Dimension in Millimeters Min Nom D 20.45 E 11.30 A2 A1 0.05 0.15 A bp 0.32 0.40 b1 0.38 c 0.17 0.22 c1 0.20 θ 0° HE 13.84 14.14 e 1.27 x y Z L 0.60 0.80 L1 1.42 Max 20.95 0.27 3.00 0.48 0.27 8° 14.44 0.15 0.10 1.00 1.00 R1EV5801MBTD シリーズ(PTSA0032KD-A / Previous Code: TFP-32DAV) JEITA Package Code P-TSOP(1)32-8x12.4-0.50 RENESAS Code PTSA0032KD-A Previous Code TFP-32DA/TFP-32DAV MASS[Typ.] 0.26g NOTE) 1. DIMENSION"*1"AND"*2(Nom)" DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*3"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. HD A y S 32 *3 1 D x M *1 bp Index mark bp 17 Z 16 c c1 e *2 E b1 S Terminal cross section F A1 θ L1 L Detail F R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 2014.06.09 Reference Symbol D E A2 A1 A bp b1 c c1 θ HD e x y Z L L1 Dimension in Millimeters Min 0.08 Nom 12.40 8.00 Max 8.20 0.13 0.18 1.20 0.22 0.30 0.20 0.12 0.17 0.22 0.125 0 5 13.80 14.00 14.20 0.50 0.08 0.10 0.45 0.40 0.50 0.60 0.80 0.14 Page 20 of 20 改訂記録 R1EV5801MB シリーズ データシート Rev. 発行日 ページ 0.01 0.02 1.00 2013.10.17 2013.10.18 2014.06.09 — 19 — 改訂内容 ポイント 新規登録 受注形名ルール：Access time 記号の A と C を削除 暫定解除 すべての商標および登録商標は，それぞれの所有者に帰属します。 C-1 ࡈὀព᭩ࡁ 1. ᮏ㈨ᩱグ㍕ࡉࢀࡓᅇ㊰ࠊࢯࣇࢺ࢙࢘࠾ࡼࡧࡇࢀࡽ㛵㐃ࡍࡿሗࡣࠊ༙ᑟయ〇ရࡢືసࠊᛂ⏝ࢆㄝ᫂ࡍࡿࡶࡢ࡛ࡍࠋ࠾ᐈᵝࡢᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒ࡢタィ࠾࠸ ࡚ࠊᅇ㊰ࠊࢯࣇࢺ࢙࢘࠾ࡼࡧࡇࢀࡽ㛵㐃ࡍࡿሗࢆ⏝ࡍࡿሙྜࡣࠊ࠾ᐈᵝࡢ㈐௵࠾࠸࡚⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋࡇࢀࡽࡢ⏝㉳ᅉࡋ࡚ࠊ࠾ᐈᵝࡲࡓࡣ➨୕ ⪅⏕ࡌࡓᦆᐖ㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ 2. ᮏ㈨ᩱグ㍕ࡉࢀ࡚࠸ࡿሗࡣࠊṇ☜ࢆᮇࡍࡓࡵៅ㔜సᡂࡋࡓࡶࡢ࡛ࡍࡀࠊㄗࡾࡀ࡞࠸ࡇࢆಖドࡍࡿࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋ୍ࠊᮏ㈨ᩱグ㍕ࡉࢀ࡚࠸ࡿሗ ࡢㄗࡾ㉳ᅉࡍࡿᦆᐖࡀ࠾ᐈᵝ⏕ࡌࡓሙྜ࠾࠸࡚ࡶࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ 3. ᮏ㈨ᩱグ㍕ࡉࢀࡓ〇ရࢹ㸫ࢱࠊᅗࠊ⾲ࠊࣉࣟࢢ࣒ࣛࠊࣝࢦࣜࢬ࣒ࠊᛂ⏝ᅇ㊰➼ࡢሗࡢ⏝㉳ᅉࡋ࡚Ⓨ⏕ࡋࡓ➨୕⪅ࡢ≉チᶒࠊⴭసᶒࡑࡢࡢ▱ⓗ㈈⏘ᶒ ᑐࡍࡿᐖ㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊఱࡽࡢ㈐௵ࢆ㈇࠺ࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋᙜ♫ࡣࠊᮏ㈨ᩱᇶ࡙ࡁᙜ♫ࡲࡓࡣ➨୕⪅ࡢ≉チᶒࠊⴭసᶒࡑࡢࡢ▱ⓗ㈈⏘ᶒࢆఱࡽチ ㅙࡍࡿࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋ 4. ᙜ♫〇ရࢆᨵ㐀ࠊᨵኚࠊ」〇➼ࡋ࡞࠸࡛ࡃࡔࡉ࠸ࠋࡿᨵ㐀ࠊᨵኚࠊ」〇➼ࡼࡾ⏕ࡌࡓᦆᐖ㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ 5. ᙜ♫ࡣࠊᙜ♫〇ရࡢရ㉁Ỉ‽ࢆࠕᶆ‽Ỉ‽ࠖ࠾ࡼࡧࠕ㧗ရ㉁Ỉ‽ࠖศ㢮ࡋ࡚࠾ࡾࠊ ྛရ㉁Ỉ‽ࡣࠊ௨ୗ♧ࡍ⏝㏵〇ရࡀ⏝ࡉࢀࡿࡇࢆពᅗࡋ࡚࠾ࡾࡲࡍࠋ ᶆ‽Ỉ‽㸸 ࢥࣥࣆ࣮ࣗࢱࠊOAᶵჾࠊ㏻ಙᶵჾࠊィ ᶵჾࠊAVᶵჾࠊ ᐙ㟁ࠊᕤసᶵᲔࠊࣃ࣮ࢯࢼࣝᶵჾࠊ⏘ᴗ⏝ࣟ࣎ࢵࢺ➼ 㧗ရ㉁Ỉ‽㸸 ㍺㏦ᶵჾ㸦⮬ື㌴ࠊ㟁㌴ࠊ⯪⯧➼㸧ࠊ㏻⏝ಙྕᶵჾࠊ 㜵⅏࣭㜵≢⨨ࠊྛ✀Ᏻ⨨➼ ᙜ♫〇ရࡣࠊ┤᥋⏕࣭㌟య༴ᐖࢆཬࡰࡍྍ⬟ᛶࡢ࠶ࡿᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒㸦⏕⥔ᣢ⨨ࠊேయᇙࡵ㎸ࡳ⏝ࡍࡿࡶࡢ➼㸧 ࠊࡶࡋࡃࡣከ࡞≀ⓗᦆᐖࢆⓎ⏕ࡉ ࡏࡿ࠾ࡑࢀࡢ࠶ࡿᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒㸦ཎᏊຊไᚚࢩࢫࢸ࣒ࠊ㌷ᶵჾ➼㸧⏝ࡉࢀࡿࡇࢆពᅗࡋ࡚࠾ࡽࡎࠊ⏝ࡍࡿࡇࡣ࡛ࡁࡲࡏࢇࠋ ࡓ࠼ࠊពᅗࡋ࡞࠸⏝ ㏵ᙜ♫〇ရࢆ⏝ࡋࡓࡇࡼࡾ࠾ᐈᵝࡲࡓࡣ➨୕⪅ᦆᐖࡀ⏕ࡌ࡚ࡶࠊᙜ♫ࡣ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ ࡞࠾ࠊࡈ᫂Ⅼࡀ࠶ࡿሙྜࡣࠊᙜ♫Ⴀᴗ࠾ၥ࠸ ྜࢃࡏࡃࡔࡉ࠸ࠋ 6. ᙜ♫〇ရࢆࡈ⏝ࡢ㝿ࡣࠊᙜ♫ࡀᣦᐃࡍࡿ᭱ᐃ᱁ࠊືస㟁※㟁ᅽ⠊ᅖࠊᨺ⇕≉ᛶࠊᐇ᮲௳ࡑࡢࡢಖド⠊ᅖෆ࡛ࡈ⏝ࡃࡔࡉ࠸ࠋᙜ♫ಖド⠊ᅖࢆ㉸࠼࡚ᙜ♫〇 ရࢆࡈ⏝ࡉࢀࡓሙྜࡢᨾ㞀࠾ࡼࡧᨾࡘࡁࡲࡋ࡚ࡣࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ 7. ᙜ♫ࡣࠊᙜ♫〇ရࡢရ㉁࠾ࡼࡧಙ㢗ᛶࡢྥୖດࡵ࡚࠸ࡲࡍࡀࠊ༙ᑟయ〇ရࡣ࠶ࡿ☜⋡࡛ᨾ㞀ࡀⓎ⏕ࡋࡓࡾࠊ⏝᮲௳ࡼࡗ࡚ࡣㄗືసࡋࡓࡾࡍࡿሙྜࡀ࠶ࡾࡲ ࡍࠋࡲࡓࠊᙜ♫〇ရࡣ⪏ᨺᑕ⥺タィࡘ࠸࡚ࡣ⾜ࡗ࡚࠾ࡾࡲࡏࢇࠋᙜ♫〇ရࡢᨾ㞀ࡲࡓࡣㄗືసࡀ⏕ࡌࡓሙྜࡶࠊே㌟ᨾࠊⅆ⅏ᨾࠊ♫ⓗᦆᐖ➼ࢆ⏕ࡌࡉࡏ ࡞࠸ࡼ࠺ࠊ࠾ᐈᵝࡢ㈐௵࠾࠸࡚ࠊ㛗タィࠊᘏ↝ᑐ⟇タィࠊㄗືస㜵Ṇタィ➼ࡢᏳタィ࠾ࡼࡧ࢚࣮ࢪࣥࢢฎ⌮➼ࠊ࠾ᐈᵝࡢᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒ࡋ࡚ࡢฟⲴಖド ࢆ⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋ≉ࠊ࣐ࢥࣥࢯࣇࢺ࢙࢘ࡣࠊ༢⊂࡛ࡢ᳨ドࡣᅔ㞴࡞ࡓࡵࠊ࠾ᐈᵝࡢᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒ࡋ࡚ࡢᏳ᳨ドࢆ࠾ᐈᵝࡢ㈐௵࡛⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋ 8. ᙜ♫〇ရࡢ⎔ቃ㐺ྜᛶ➼ࡢヲ⣽ࡘࡁࡲࡋ࡚ࡣࠊ〇ရಶูᚲࡎᙜ♫Ⴀᴗ❆ཱྀࡲ࡛࠾ၥྜࡏࡃࡔࡉ࠸ࠋࡈ⏝㝿ࡋ࡚ࡣࠊ≉ᐃࡢ≀㉁ࡢྵ᭷࣭⏝ࢆつไࡍࡿ RoHSᣦ௧➼ࠊ㐺⏝ࡉࢀࡿ⎔ቃ㛵㐃ἲ௧ࢆ༑ศㄪᰝࡢ࠺࠼ࠊࡿἲ௧㐺ྜࡍࡿࡼ࠺ࡈ⏝ࡃࡔࡉ࠸ࠋ࠾ᐈᵝࡀࡿἲ௧ࢆ㑂Ᏺࡋ࡞࠸ࡇࡼࡾ⏕ࡌࡓᦆᐖ 㛵ࡋ࡚ࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ 9. ᮏ㈨ᩱグ㍕ࡉࢀ࡚࠸ࡿᙜ♫〇ရ࠾ࡼࡧᢏ⾡ࢆᅜෆእࡢἲ௧࠾ࡼࡧつ๎ࡼࡾ〇㐀࣭⏝࣭㈍ࢆ⚗Ṇࡉࢀ࡚࠸ࡿᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒⏝ࡍࡿࡇࡣ࡛ࡁࡲࡏࢇࠋࡲ ࡓࠊᙜ♫〇ရ࠾ࡼࡧᢏ⾡ࢆ㔞◚ቯරჾࡢ㛤Ⓨ➼ࡢ┠ⓗࠊ㌷⏝ࡢ┠ⓗࡑࡢ㌷⏝㏵⏝ࡋ࡞࠸࡛ࡃࡔࡉ࠸ࠋᙜ♫〇ရࡲࡓࡣᢏ⾡ࢆ㍺ฟࡍࡿሙྜࡣࠊࠕእ ᅜⅭ᭰ཬࡧእᅜ㈠᫆ἲࠖࡑࡢ㍺ฟ㛵㐃ἲ௧ࢆ㑂Ᏺࡋࠊࡿἲ௧ࡢᐃࡵࡿࡇࢁࡼࡾᚲせ࡞ᡭ⥆ࢆ⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋ 10. ࠾ᐈᵝࡢ㌿➼ࡼࡾࠊᮏࡈὀព᭩ࡁグ㍕ࡢㅖ᮲௳ゐࡋ࡚ᙜ♫〇ရࡀ⏝ࡉࢀࠊࡑࡢ⏝ࡽᦆᐖࡀ⏕ࡌࡓሙྜࠊᙜ♫ࡣఱࡽࡢ㈐௵ࡶ㈇ࢃࡎࠊ࠾ᐈᵝ࡚ࡈ㈇ ᢸࡋ࡚㡬ࡁࡲࡍࡢ࡛ࡈᢎࡃࡔࡉ࠸ࠋ 11. ᮏ㈨ᩱࡢ㒊ࡲࡓࡣ୍㒊ࢆᙜ♫ࡢᩥ᭩ࡼࡿ๓ࡢᢎㅙࢆᚓࡿࡇ࡞ࡃ㌿㍕ࡲࡓࡣ」〇ࡍࡿࡇࢆ⚗ࡌࡲࡍࠋ ὀ1. ᮏ㈨ᩱ࠾࠸࡚⏝ࡉࢀ࡚࠸ࡿࠕᙜ♫ࠖࡣࠊࣝࢿࢧࢫ ࢚ࣞࢡࢺࣟࢽࢡࢫᰴᘧ♫࠾ࡼࡧࣝࢿࢧࢫ ࢚ࣞࢡࢺࣟࢽࢡࢫᰴᘧ♫ࡀࡑࡢ⥲ᰴࡢ㆟Ỵᶒࡢ㐣༙ᩘ ࢆ┤᥋ࡲࡓࡣ㛫᥋ಖ᭷ࡍࡿ♫ࢆ࠸࠸ࡲࡍࠋ ὀ2. ᮏ㈨ᩱ࠾࠸࡚⏝ࡉࢀ࡚࠸ࡿࠕᙜ♫〇ရࠖࡣࠊὀ㸯࠾࠸࡚ᐃ⩏ࡉࢀࡓᙜ♫ࡢ㛤Ⓨࠊ〇㐀〇ရࢆ࠸࠸ࡲࡍࠋ http://www.renesas.com ڦႠᴗ࠾ၥྜࡏ❆ཱྀ ͤႠᴗ࠾ၥྜࡏ❆ཱྀࡢఫᡤࡣኚ᭦࡞ࡿࡇࡀ࠶ࡾࡲࡍࠋ᭱᪂ሗࡘࡁࡲࡋ࡚ࡣࠊᘢ♫࣮࣒࣮࣍࣌ࢪࢆࡈぴࡃࡔࡉ࠸ࠋ ࣝࢿࢧࢫ ࢚ࣞࢡࢺࣟࢽࢡࢫᰴᘧ♫ࠉࠛ100-0004ࠉ༓௦⏣༊ᡭ⏫2-6-2㸦᪥ᮏࣅࣝ㸧 ڦᢏ⾡ⓗ࡞࠾ၥྜࡏ࠾ࡼࡧ㈨ᩱࡢࡈㄳồࡣୗグ࠺ࡒࠋ ࠉ⥲ྜ࠾ၥྜࡏ❆ཱྀ㸸http://japan.renesas.com/contact/ © 2014 Renesas Electronics Corporation. 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