（半導体 No.1501） 2015 年 2 月 4 日 三菱電機株式会社 AC400V 系電源のインバーターシステムに最適な高耐圧 IC デサット検出機能付 1200V HVIC 発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、欧州などの AC400V 系電源のインバーターシステムで IGBT などのパワ ー半導体を駆動する HVIC※1 の新製品として、業界最高水準の 1200V の高耐圧を実現し、不飽和 電圧（デサット）検出機能を搭載した「M81748FP」を 3 月 31 日に発売します。 ※1 High Voltage Integrated Circuit：パワー半導体素子の駆動機能と保護機能を内蔵した高耐圧集積回路 デサット検出機能付 1200V HVIC 「M81748FP」 新製品の特長 1．デサット検出機能を搭載し、パワー半導体の電力損失の低減化に貢献 ・1200V 高耐圧の P チャネル MOSFET※2 の搭載により、ハイサイド／ローサイド側の双方に デサット検出機能を内蔵し、パワー半導体の熱破壊を防止 ・ハイサイド側のパワー半導体の短絡・地絡を直接検知し、ローサイド側へ信号を伝達し、シ ステムを遮断 ・シャント抵抗※3 方式による短絡保護に比べて 150A クラス以上の定格に適し、パワー半導体 の電力損失低減に貢献 ※2 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ※3 短絡電流を検出する抵抗器 2．AC400V 系電源のインバーターシステムに適用可能な 1200V 高耐圧を実現 ・1200V 耐圧分割 RESURF 構造※4 により、リーク電流※5 を 10μA 以下に抑制 ・チップ表面に新たに PolyRFP※6 を採用し、安定した高耐圧特性を実現 ※4 Reduced surface field：最適なチップ表面構造により、半導体の pn 接合部への電界集中を抑制 ※5 半導体の電気的に絶縁された接合部位に流れる微弱な電流 ※6 Polycrystalline silicon resistor field plate： 高電圧回路部を囲う高耐圧部の表面にポリシリコン抵抗を用いて電界分布を均一化する構造 3．高ノイズ耐性により、インバーターシステムの信頼性向上に寄与 ・スイッチング時のラッチアップ誤動作※7を抑制する埋め込み層※8の採用で高ノイズ耐性を実 現し、システムの信頼性向上に寄与 ※7 複数の素子が同一チップ上に形成されているため、ノイズなどにより相互に影響し合い誤動作に至る現象 ※8 素子直下に設けられた低抵抗拡散層。素子間直下のインピーダンスを低減でき、ノイズの影響を抑制する 発売の概要 製品名 形名 概要 サンプル価格 （税抜き） 発売日 デサット検出機能付 HVIC M81748FP 1200V／2.0A 260 円 3 月 31 日 報道関係からの お問い合わせ先 〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目 7 番 3 号 TEL 03-3218-2359 三菱電機株式会社 広報部 1 FAX 03-3218-2431 発売の狙い 省エネルギーや高性能化を目的に、家電・産業用機器に使用されるモーター駆動システムのイ ンバーター化が進展しており、インバーターシステムでパワー半導体を駆動する HVIC の需要も 拡大しています。 欧州などでは AC400V 系電源のインバーターシステムが使用されており、その高電圧に適合し た高品質な 1200V 耐圧の HVIC が求められています。 当社は今回 1200V 高耐圧の P チャネル MOSFET 内蔵によるデサット検出機能を搭載し、ノイ ズ耐性を向上させた高品質な 1200V HVIC を発売します。 IGBT などのパワー半導体の熱破壊を防止するためのデサット検出機能は、シャント抵抗方式 による短絡保護に比べて 150A クラス以上の大きな定格に適し、さらにはハイサイドの地絡保護 も可能となります。 これにより、AC400V 系電源のインバーターシステムの信頼性向上およびパワー半導体の電力 損失低減に貢献します。 主な仕様 形名 耐圧 出力電流 ローサイド回路の消費電流 ハイサイド回路の消費電流 パッケージ 熱抵抗 Rth（j-a） 内蔵機能 M81748FP 1200V（高圧系）／24V（低圧系） ±2.0A 1.2mA 0.7mA 24P2Q 90℃／W 5V 系入力信号に対応した入力 I／F デサット検出による短絡、地絡保護回路 エラー信号出力回路（デサット検出時） エラー信号入力による出力遮断回路 （ハイサイド、ローサイドともに遮断） 電源電圧低下保護回路 入力インターロック回路 （ハイサイド、ローサイドの同時オン信号入力時の短絡防止回路） エラー信号自動リセット回路 ゲート遮断用 N チャネル MOSFET 出力シンク回路（2A 能力） 環境への配慮 本製品は RoHS※9 指令（2011/65/EU）に準拠しています。 ※9 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment 製品担当 三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 〒819-0192 福岡県福岡市西区今宿東一丁目 1 番 1 号 お客様からのお問い合わせ先 三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部 〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目 7 番 3 号 TEL 03-3218-3239 FAX 03-3218-2723 URL http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/ 2
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