岩井
1．本籍
2．氏名
3．学歴
4．学位
5．研究業績
6．職歴
洋
略歴
東京都
岩井 洋 （いわい ひろし）
昭和 47 年 4 月 東京大学工学部電子工学科卒業
博士（工学）（東京大学 平成 4 年 3 月）
Two-Dimensional Fringing Effects of Scaled-Down MOS Field Effect Transistors
別紙の通り
昭和 48 年 4 月 東京芝浦電気株式会社（現東芝） 入社
総合研究所集積回路研究所研究員
昭和 52 年 4 月
出向：株式会社日電東芝情報システム株式会社
第６研究所研究員
（昭和 53 年 9 月まで）
昭和 57 年 4 月
株式会社東芝半導体事業本部
半導体技術研究所研究主務
昭和 58 年 3 月
米国スタンフォード大学集積回路客員研究員
（昭和 59 年 11 月まで）
平成 3 年 4 月
株式会社東芝ＵＬＳＩ研究所主任研究員
平成 6 年 10 月
株式会社東芝半導体事業本部
ＬＳＩ技術第七部長付兼務
平成 9 年 4 月
株式会社東芝
マイクロエレクトロニクス技術研究所開発主幹
平成 11 年 4 月
東京工業大学 教授
平成 18 年～現在
蘭州交通大学 兼職教授
平成 18 年 3 月～平成 20 年 3 月 華中科技大学 顧問教授
平成 19 年 12 月 28 日〜１ヶ月間 インド工科大学ボンベイ校
D.J.Gandhi Distinguished Visiting Professor
平成 20 年 12 月 25 日～１ヶ月間 インド工科大学ボンベイ校
D.J.Gandhi Distinguished Visiting Professor
平成 20 年 11 月 24 日～平成 22 年 11 月 23 日 湘潭大学 兼職教授
平成 20 年 7 月 1 日～平成 23 年 7 月 1 日 新疆大学 客座教授
平成 22 年 3 月～平成 25 年 2 月 華東交通大学 客座教授
平成 22 年 5 月 1 日～平成 25 年 4 月 30 日 中国科学技術大学 客座教授
平成 22 年 12 月 22 日～１ヶ月間 インド工科大学ボンベイ校
D.J.Gandhi Distinguished Chair Professor
平成 23 年 9 月 1 日～平成 27 年 3 月 31 日 筑波大学大学院 客員教授
平成 23 年 11 月 2 日～平成 25 年 11 月 1 日
中国科学院寧波材料技术与
工程研究所 客聘研究員
平成 23 年 12 月 22 日～4 週間
インド工科大学ボンベイ校
D.J.Gandhi Distinguished Chair Professor
平成 24 年 5 月～平成 29 年 4 月
中国科学院微电子研究所
Honorary Professor
平成 24 年 6 月 19 日～現在
杭州電子科技大学 兼職教授
平成 24 年 7 月～平成 27 年 6 月
北方民族大学 客座教授
平成 24 年 12 月～平成 27 年 12 月 インド工科大学ボンベイ校
D.J.Gandhi Distinguished Chair Professor
現在に至る
7．賞
昭和 43 年
2月
名古屋市長賞
1
平成 2 年 11 月
平成 6 年 4 月
平成 6 年 12 月
平成 9 年 1 月
平成 10 年 3 月
平成 13 年 12 月
平成 14 年 8 月
平成 17 年 1 月
平成 19 年 8 月
平成 19 年 10 月
平成 19 年 11 月
平成 20 年 12 月
平成 21 年 4 月
平成 21 年 9 月
平成 23 年 4 月
8．専門分野
日本発明協会関東地方奨励賞
日経ＢＰ技術賞大賞
IEEE EDS Paul Rappaport 賞
IEEE Fellow 授与
電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティー
エレクトロニクス賞
IEEE EDS J.J. Ebers Award
応用物理学会論文賞
日本発明協会関東地方奨励賞
応用物理学会フェロー授与
IEEE BCTM Award
第７回財団法人材料科学技術振興財団 山﨑貞一賞
IEEE 2008 EDS Distinguished Service Award
文部科学大臣表彰 科学技術分野 科学技術賞
開発部門
電子情報通信学会フェロー授与
電気学会フェロー授与
半導体電子工学
Development of the first generation of Toshiba's NMOS LSI technology
Development of several generations of high density static and dynamic RAM's and logic LSI's.
Research on device physics, process technologies related to small-geometry MOSFETs
Development of sub-50 nm CMOS technologies
Development of RF BiCMOS and RF CMOS technologies.
Research on Nano CMOS and Emerging Technologies: High–k gate insulator, plasma doping, Ni
salicide, RF CMOS modeling, Ge transister, Chip Embedded and Chip Technology.
2
9．岩井洋 研究業績
シリコン集積回路素子微細化技術の研究
同氏は、シリコン集積回路(LSI)の創生期より先端シリコン集積回路の開発に携わり、
その課程において素子微細化の研究開発を行って来た。様々な観点から微細化上の問題点
を考察し、i)様々な微細化技術を開発することによって、それぞれの世代における集積回路
技術の進歩に貢献すると共に、ii) 将来の微細化の指針を示すことによって世の中の中長期
レベルの研究開発方針やロードマップの策定に貢献して来た。
初期の研究結果で論文となっているものはとしては当時の shallow junction での問題点と
なった contact hole の Al spike の原因解析である。 Al の spike 防止策としてはコンタクトホ
ールを介しての不純物の再拡散法を考案した。
その後 64k ビット DRAM や 1M ビット SRAM の開発とそれに伴う微細化によって顕在化
してきた短チャネル効果など素子の fringing 効果（周辺効果）や hot carrier 効果などの高電
界効果に関していくつかの新現象を発見し、これらの現象を明確化しモデル化した。これ
ら新現象の中には MOSFET Capacitance の短チャネル効果、P-MOS の Drain avalanche hot hole
injection などがある。また charge pumping 法を用いてホットキャリア注入によって発生し
た固定電荷の空間分布の正確な測定法を開発した。
これらの世代での最大の関心事は、先ずは素子の微細化が 0.1 μの壁を破って進み、LSI
の微細化に基づく発展が継続できるかということであった。このためには、モンテカルロ
シュミレーションを用いて 0.025 μまでの素子の動作と微細化の手法を初めて明確化し、
この為に必要な極浅拡散層形成の為に短時間高温個層拡散法を開発し、これを用いて 10 nm
という極めて薄い拡散層を形成し、ゲート長 40 nm という deep-sub-0.1 μの領域の MOSFET
を試作し、常温での正常動作を初めて実験的にも確認した。この結果は SIA (Semiconductor
Industry Association, U.S.A.) Roadmap 作成などに大きなインパクトを与えた。
94 年の学会発表では当時誰も実現できるとは信じなかった 1.5nm の極薄膜がゲート絶縁
膜に応用できることを実証し、今までと比べ飛躍的高性能、SIA roadmap(1997 版)の修正な
ど世の中に再びインパクトを与えた。現在はこれらの技術が実際の製品に用いられている。
また以前から CMOS に加え Si bipolar/BiCMOS の微細化/高性能化にも注力しており、CMOS
及び BiCMOS の微細化の研究に貢献した。また最近はシリコン LSI の digital 回路応用のみ
でなく通信用の RF analog front end 回路など RFCMOS 技術実現のための先駆的研究を行い、
CMOS の微細化、ゲート膜の薄膜化、高周波化などの研究に貢献した。
99 年からは研究の中心を CMOS の微細化の為に残された問題で最も重要な高速電体ゲー
ト縁膜の研究に移し、La2O3 膜で世界最小のリーフ電流を達成した。また新たな不純物ドー
ピング技術としてプラズマドーピングの成果も出しつつある。
3
10．博士論文
Two-dimensional fringing effects of scaled-down MOS field effect transistors
（平成 4 年 3 月 東京大学）
11．研究論文:
[ 1] T. Inoue, S. Horiuchi, H. Iwai, H. Shimizu, T. Ishida, “Micro-probe Auger analysis of Si
migration in Al metallization for LSI”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.15
pp.63-69 ,1976
[ 2] K. Natori, M. Ogura, H. Iwai, K. Maeguchi, S. Taguchi, “A 64k bit MOS dynamic random
access memory”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 14, pp.482-485 , 1979
[ 3] M. Konaka, H. Iwai, Y. Nishi, “Suppression of anomalous drain current in short channel
MOSFET”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.18, Suppl. 18-1, pp.27-33 , 1979
[ 4] L. M. Dang, H. Iwai, Y. Nishi, S. Taguchi, “P-channel versus N-channel in MOS-ICs of
submicron channel lengths”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.19, Suppl. 19-1,
pp.107-112, 1980
[ 5] L. M. Dang, H. Iwai, “Modeling of the impurity profile in an ion-implanted layer of an
IGFET for the calculation of threshold voltages”, IEEE Transactions on Electron Devices,
Vol.28, pp.116-117, 1981
[ 6] K. Taniguchi, M. Kashiwagi, H. Iwai, “Two-dimensional computer simulation models for
MOSLSI fabrication processes”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.28, pp.574-580 ,
1981
[ 7] H. Otsuka, K. Watanabe, H. Nishimura, H. Iwai, H. Nihira, “The effect of substrate materials
on holding time degradation in MOS dynamic RAM”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
Vol. EDL-3, No.7, pp.182-184, 1982
[ 8] H. Iwai, K. Taniguchi, M. Konaka, S. Maeda, Y. Nishi, “Two-dimensional nature of diffused
layers and certain limitations in scaling-down coplanar structure”, IEEE Transactions on
Electron Devices, Vol.29, pp.625-630 ,1982
[ 9] H. Iwai, S. Kohyama, “On-chip capacitance measurement circuits in VLSI structures”, IEEE
Transactions on Electron Devices, Vol. 29, pp. 1622-1626, 1982
[ 10] J. Oristian, H. Iwai, J. Walker, R. W. Dutton, “Small geometry MOS transistor capacitance
measurement method using simple on-chip circuits”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
Vol.EDL-5, No.10, pp.395-397, October, 1984
[ 11] H. Iwai, H. Otsuka, Y. Matsumoto, K. Hisatomi, K. Aoki, “Comparison of intrinsic gettering
and epitaxial wafers in terms of soft error endurance and other characteristics of 64k bit
dynamic RAM”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.31, pp.1149-1151, 1984
[ 12] H. Iwai, M. R. Pinto, C. S. Rafferty, J. E. Oristian, R. W. Dutton, “Velocity saturation effect
on short channel MOS transistor capacitance”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,
Vol.EDL-6, No.3, pp.120-122, March, 1985
[ 13] J. Oristian, H. Iwai, J. Walker, R. W. Dutton, “A reply to “Comments to `Small geometry
MOS transistor capacitance measurement method using simple on-chip circuits”, IEEE
ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol.EDL-6, No.1, pp., January, 1985.
[ 14] H. Iwai, J. E. Oristian, J. T. Walker, R. W. Dutton, “A scaleable technique for measurement of
intrinsic MOS capacitance with atto Farad resolution”, IEEE Transactions on Electron Devices,
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[ 15] H. Iwai, M. R. Pinto, C. S. Raffrety, J. E. Oristian, R. W. Dutton, “Analysis of velocity
saturation and other effects on short channel MOS transistor capacitances”, IEEE Transactions
on Computer-Aided Design, Vol.6, pp.173-184, 1987
[ 16] M. Matsui, T. Ohtani, J. Tsujimoto, H. Iwai, A. Suzuki, K. Sato, M. Isobe, K. Hashimoto, M.
Saitoh, H. Shibata, H. Sasaki, T. Matsuno, J. Matsunaga, T. Iizuka, “A 25-ns 1-Mbit CMOS
SRAM with loading-free bit lines”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.22, pp.733-740,
1987
[ 17] Y. Hiruta, H. Iwai, F. Matsuoka, K. Hama, K. Maeguchi, K. Kanzaki, “Interface state
generation under long term positive bias temperature stress for a p+ poly gate MOS structure”,
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.36, pp.1732-1739, 1989
[ 18] Matsuoka, H. Iwai, K. Hama, H. Itoh, R. Nakata, T. Nakakubo, K. Maeguchi, K. Kanzaki,
“Electromigration reliability for tungsten filled via hole structure”, IEEE Transactions on
Electron Devices, Vol.37, pp.562-568, 1990
4
[ 19] F. Matsuoka, H. Iwai, H. Hayashida, K. Hama, Y. Toyoshima, K. Maeguchi, “Analysis of hot
carrier induced degradation mode on PMOSFETs”, IEEE Transactions on Electron Devices,
Vol. 37, pp.1487-1495, 1990
[ 20] Y. Toyoshima, H. Iwai, F. Matsuoka, H. Hayashida, K. Maeguchi, K. Kanzaki, “Analysis of
gate oxide thickness dependence of hot carrier induced degradation in thin gate oxide
nMOSFETs”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.37, pp.1496-1503, 1990
[ 21] Invited Paper: M. Norishima, H. Iwai, Y. Niitsu, K. Maeguchi, “Impurity diffusion behaviors
of bipolar transistor under low-temperature furnace annealing and high-temperature RTA and
its optimization for 0.5μm Bi-CMOS process”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.39,
pp.33-40, January , 1992
[ 22] B. Baccus, T. Wada, N. Shigyo, M. Norishima, H. Nakajima, K. Inou, T. Iinuma, H. Iwai, “A
study of non-equilibrium diffusion modeling; Application to rapid thermal annealing and
advanced bipolar technologies”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-39, No.3,
pp.648-661, March, 1992.
[ 23] T. Iijima, A. Nishiyama, Y. Ushiku, T. Ohguro, I. Kunishima, K. Suguro, H. Iwai, “A new
contact plug technique for deep-submicron ULSIs employing selective nickel silicidation of
polysilicon with a titanium nitride stopper”, IEEE Transactions Electron Devices, Vol. 40,
pp.371-377, 1993
[ 24] M. Tsuchiaki, H. Hara, T. Morimoto, H. Iwai, “New Charge Pumping Method for Determining
the Spatial Distribution of Hot-Carrier-Induced Fixed Charge in p-MOSFET's”, IEEE
Transactions Electron Devices, Vol. 40, pp.1768-1779, 1993
[ 25] M. Saito, T. Yoshitomi, H. Hara, M. Ono, Y. Akasaka, H. Nii, S. Matsuda, H. S. Momose, Y.
Katsumata, H. Iwai, “P-MOSFET's with Ultra-Shallow Solid-Phase-Diffused Drain Structure
Produced by Diffusion from BSG Gate-Sidewall”, IEEE Transactions on Electron Devices,
Vol.ED-40, No.12, pp.2264-2272, 1993
[ 26] S. Matsuda, N. Itoh, C. Yoshino, Y. Tsuboi, Y. Katsumata, H. Iwai, “Mechanical Stress
Analysis of Trench Isolation Using a Two-Dimensional Simulation”, IEICE
TRANSACTIONS on Electronics, Vol.E77-C, pp.124-128, 1993
[ 27] Y. Tsuboi, C. Fiegna, E. Sangiorgi, B. Ricco, T. Wada, Y. Katsumata, H. Iwai, “Monte Carlo
Analysis of Velocity Overshoot Effects in Bipolar Devices with and without an i-Layer”,
IEICE TRANSACTIONS on Electronics, Vol.E77-C, pp.174-178, 1993
[ 28] H. S. Momose, T. Morimoto, Y. Ozawa, K. Yamabe, H. Iwai, “Electrical Characteristics of
Rapid Thermal Nitride-Oxide Gate n- and p-MOSFET's with Less Than 1 Atom% Nitrogen
Concentration”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 41, pp.546-552, 1994
[ 29] H. S. Momose, H. Iwai, “Analysis of the Temperature Dependence of Hot-Carrier-Induced
Degradation in Bipolar Transistors for Bi-CMOS”, IEEE Transactions on Electron Devices,
Vol. 41, pp.978-987, 1994
[ 30] C. Fiegna, H. Iwai, T. Wada, M. Saito, E. Sangiorgi, B. Ricco, “Scaling the MOS transistor
below 0.1μm: methodology, device structures and technology requirements”, IEEE
Transactions on Electron Devices, Vol. 41, pp.941-951, 1994
[ 31] T. Ohguro, S. Nakamura, M. Koike, T. Morimoto, A. Nishiyama, Y. Ushiku, T. Yoshitomi, M.
Ono, M. Saito, H. Iwai, “Analysis of Resistance Behavior in Ti- and Ni- Salicided Polysilicon
Films”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 41, pp.2305-2317, December, 1994
[ 32] T. Iinuma, N. Itoh, H. Nakajima, K. Inou, A. Matsuda, C. Yoshino, Y. Tsuboi, Y. Katsumata,
H. Iwai, “Sub-20 ps High-Speed ECL Bipolar Transistor with Low Parasitic Architecture”,
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 42, pp.399-405, March, 1995
[ 33] H. S. Momose, T. Morimoto, Y. Ozawa, K. Yamabe, H. Iwai, “An Improvement of
Hot-Carrier Reliability in the Stacked Nitride-Oxide Gate n- and p-MISFET's”, IEEE
Transactions on Electron Devices, Vol. 42, pp.704-712,April, 1995
[ 34] T. Morimoto, T. Ohguro, H. S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, I. Katakabe, H.
Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Y. Katsumata, H. Iwai, “Self-Aligned Nickel-Mono-Silicide
Technology for High-Speed Deep Submicrometer Logic CMOS ULSI”, IEEE Transactions on
Electron Devices, Vol. 42, pp.915-922, May, 1995
[ 35] H. Iwai, H. S. Momose, M. Saito, M. Ono, Y. Katsumata, “The future of ultra-small-geometry
MOSFETs beyond 0.1 micron”, Microelectronic Engineering, Vol.28 pp.147-154, June, 1995
[ 36] M. Ono, M. Saito, T. Yoshitomi, C. Fiegna, T. Ohguro, H. S. Momose, H. Iwai, “Fabrication
of sub-50-nm gate length n-metal-oxide semiconductor field effect transistors and their
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Journal of Vacuum Science and Technology B, Vol.13,
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M. Ono, M. Saito, T. Yoshitomi, C. Fiegna, T. Ohguro, H. S. Momose, H. Iwai, “A Study of
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T. Ohguro, K. Yamada, N. Sugiyama, S. Imai, K. Usuda, T. Yoshitomi, C. Fiegna, M. Ono, M.
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[42] H. S. Momose, T. Morimoto, K. Yamabe, H. Iwai, “Relationship between mobility and
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[44] T. Morimoto, H. S. Momose, Y. Ozawa, K. Yamabe, H. Iwai, “Effects of boron penetration
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[45] Invited Talk: H. Iwai, “Hot carreir induced degradation mode in thin gate insulator dual gate
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1991 INFOS, April, 1991, Liverpool, UK, : also Edited by W. Eccleston and M. Uren,
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[47] T. Morimoto, H. S. Momose, Y. Ozawa, K. Yamabe, H. Iwai, “Limits on gate insulator
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[51] T. Morimoto, H. S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, H. Okano, I. Katakabe, H.
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[53] T. Iinuma, K. Inou, H. Nakajima, S. Matsuda, I. Kunishima, K. Suguro, Y. Katsumata, H. Iwai,
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[54] N. Itoh, Yoshino, S. Matsuda, Y. Tsuboi, K. Inou, Y. Katsumata, H. Iwai, “Optimization of
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[55] K. Inou, M. Kondo, N. Itoh, Y. Tsuboi, Y. Yoshino, H. Nakajima, Y. Katsumata, H. Iwai,
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[56] M. Saito, T. Yoshitomi, M. Ono, Y. Akasaka, H. Nii, S. Matsuda, H. S. Momose, Y.
Katsumata, Y. Ushiku, H. Iwai, “An SPDD p-MOSFET structure suitable for 0.1 and sub 0.1
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19
[57] Invited Talk: H. Iwai, “Application of T-CAD to Advanced Silicon Devices: Its Usage”,
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[59] Y.Tsuboi, C. Fiegna, E.Sangiorgi, B.Riccò, T.Wada, Y.Katsumata, H.Iwai, “Analysis of
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[60] S.Matsuda N.Itoh, C.Yoshino, Y.Tsuboi, Y.Katsumata, H.Iwai, “Analysis of Mechanical
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[61] Y.Ushiku, H.Ono, T.Iijima, N.Ninomiya, A.Nishiyama, H.Iwai, H.Hara, “Planarized Silver
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[62] T.Yoshitomi, M.Saito, H.Oguma, Y.Akasaka, M.Ono, H.Nii, Y.Ushiku, H.Iwai, H.Hara,
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[63] S.Matsuda, N.Itoh, H.Nakajima, K.Inou, T.Iinuma,C.Yoshino, Y.Tsuboi, Y.Katsumata, H.Hara,
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[64] C.Fiegna, H.Iwai, T.Wada, T.Saito, E.Sangiorgi, B.Riccò, “A New Scaling Methodology for
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[67] N.Itoh, Y.Katsumata, H.Iwai, “Noise figure degradation under emitter-base reverse stress for
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[68] C.Fiegna, H.Iwai, E.Sangiorgi, B.Ricco, “Analysis of Carrier Transport and Heating in
Ultra-Small SOI N-MOSFETs”, ESSDERC 93, pp. 675-678, September,1993, Grenoble,
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[69] Invited Talk: H.Iwai, “CMOS Device Architecture and Technology for the 0.25Micron to
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[70] T.Ohguro,T.Morimoto, A.Nishiyama, Y.Ushiku, H.Iwai, “Comparison of Ti and Ni salicide as
regards the electrical conductance of silicided films”, ESSDERC 93, pp. 481-484,
September,1993, Grenoble, France
[71] Y.Katsumata, N.Itoh, H.Nakajima, K.Inou, T.Iinuma, S.Matsuda, C.Yoshino, Y.Tsuboi,
H.Iwai, “Sub-20 ps ECL Bipolar Technology with High Breakdown Voltage”, ESSDERC 93,
pp. 133-136, September,1993, Grenoble, France
[72] M.Ono,M.Saito, T.Yoshitomi, C.Fiegna, T.Ohguro, H.Iwai, “Sub-50 nm Gate Length
N-MOSFETs with 10nm phosphorus Source and Drain Junction,” in IEDM Tech.Dig.,
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[73] T.Ohguro, K.Yamada, N.Sugiyama, K.Usuda, Y.Akasaka, T.Yoshitomi, C.Fiegna, M.Ono,
M.Saito, H.Iwai, “Tenth Micron P-MOSFET’s with Ultra-Thin Epitaxial Channel Layer
Grown by Ultra-High Vacuum CVD”, in IEDM Tech.Dig.pp.433-436, December, 1993
[74] M.Ono, M.Saito, T.Yoshitomi, C.Fiegna, T.Ohguro, H.S.Momose, H.Iwai, “Influence of High
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[75] Invited Talk: H.Iwai, Y.Katsumata, S.Matsuda, C.Yoshino, “Local Stress Analysis of
Semiconductor Devices”, Proceedings of 22nd Symposium on ULSI Ultra Clean Technology,
20
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N.Nakajima, N.Itoh, K.Inou, T.Iinuma, S.Matsuda, C.Yoshino, Y.Katsumata, H.Iwai, “0.5µm
Silicon Bipolar Transistor Technology for Analog Applications”, IEEE Bipolar/BiCMOS
Circuits and Technology Meeting, pp.213-216, October,1994, Minneapolis, USA
N.Itoh, Y.Yoshida, S.Watanabe, Y.Katsumata, H.Iwai, “The Analysis of Silicon Bipolar
Transistor Scaling-Down Scheme for Low Noise and Low Power Analog Application”, IEEE
Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, pp.60-63, October, 1994, Minneapolis,
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Invited Talk: H.Iwai, Y.Katsumata, M.Saito, “Solid-Phase Diffusion Technique”, Technical
Proceedings, SEMI Technology Symposium, pp.80-88, November, 1994
C.Fiegna, H.Iwai, M.Saito, E.Sangiorgi, “Application of Semiclassical Device Simulation to
Trade-Off Studies Sub-0.1µm MOSFETs”, in IEDM Tech.Dig., pp.347-350, December, 1994
S.Matsuda, C.Yoshino, H.Nakajima, K.Inou, T.Yoshitomi, Y.Katsumata, H.Iwai,
“Tree-Dimensional Mechanical Stress Analysis of Trench Isolation along{111}Gliding
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H.S.Momose, M.Ono, T.Yoshitomi, T.Ohguro, S.Nakamura, M.Saito, H.Iwai, “Tunneling gate
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Length n-MOSFETs and their Electrical Characteristics”, Twenty-second Annual Conference
on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, p.SU1940, January, 1995
T.Ohguro, M.Saito, K.Endo, M.Kakumoto, T.Yoshitomi, M.Ono, H.S.Momose, H.Iwai, “A
High Frequency 0.35 µm Gate Length Power Silicon NMOSFET Operating with Breakdown
Voltage of 13 V”, Proceeding of 1995 International Symposium on Power Semiconductor
Devices & Ics, pp.114-118, May, 1995, Yokohama, Japan
Invited Talk: H.Iwai, H.S.Momose, Y.Katsumata, “Si-MOSFET Scaling Down to Deep-Sub
0.1-Micron Range and Future of Silicon LSI”, Proceeding of Technical Papers, International
Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, pp.262-267, May, 1995, Taipei,
Taiwan, ROC
C.Yoshino, K.Inou, S.Matsuda, H.Nakajima, Y.Tsuboi, H.Naruse, H.Sugaya, Y.Katsumata,
H.Iwai, “A 62.8 GHz fmax LP-CVD Epitaxially Grown Silicon Base Bipolar Transistor with
Extremely High Early Voltage of 85.7 V”, Digest of Technical Papers, Symposium on VLSI
Technology, pp.131-132, June, 1995, Kyoto, Japan
M.Saito, M.Ono, R.Fujimoto, C.Takahashi, H.Tanimoto, N.Ito, T.Ohguro, T.Yoshitomi,
H.S.Momose, H.Iwai, “Advantage of Small Geometry MOSFETs for High-Frequency Analog
Applications under Low Power Supply Voltage of 0.5 V”, Digest of Technical Papers,
Symposium on VLSI Technology, pp.71-72, June, 1995, Kyoto, Japan
T.Ohguro, N.Sugiyama, K.Imai, K.Usuda, M.Saito, T.Yoshitomi, M.Ono, H.S.Momose,
H.Iwai,”The influence of oxygen at epitaxial Si/Si substrate interface for 0.1 µm epitaxial Si
channel N-MOSFETs grown by UHV-CVD”, Digest of Technical Papers, Symposium on
VLSI Technology, pp.21-22, June, 1995, Kyoto, Japan
T.Yoshitomi, M.Saito, T.Ohguro, M.Ono, H.S.Momose, H.Iwai, “Silicided Silicon-Sidewall
Source and Drain (S4D) structure for high-performance 75-nm gate length pMOSFETs”,
Digest of Technical Papers, Symposium on VLSI Technology, pp.11-12, June, 1995, Kyoto,
Japan
Invited Talk: H.Iwai, H.S.Momose, M.Saito, M.Ono, Y.Katsumata, “The future of
ultra-small-geometry MOSFETs beyond 0.1 micron”, in 1995 INFOS, Villard-de-Lans, June,
1995, France : also Edited by S. Cristoloveanu and N.Gillemot, “Insulating Films on
Semiconductors 1995”, pp.147-154, 1995
T.Yoshitomi, M.Saito, T.Ohguro, M.Ono, H.S.Momose, H.Iwai, “A High Performance 0.15
µm Single Gate CMOS Technology”, International Conference on Solid State Devices and
Materials, pp.222-224, August, 1995, Osaka, Japan
21
[92] K.Inou, Y.Katsumata, S.Matsuda, H.Naruse, H.Sugaya, H.Iwai, “Improvement of Narrow
Emitter Bipolar Transistor Performance by In-situ Highly Doped Arsenic Polysilicon
Technique”, IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, pp.93-96, September,
1995, Minneapolis, USA
[93] T.Ohguro, S.Nakamura, E.Morifuji, M.Ono, T.Yoshitomi, M.Saito, H.S.Momose, H.Iwai,
“Nitrogen-doped nickel monosilicide technique for deep submicron CMOS salicide”, IEDM
Tech. Dig., pp.453-546, December, 1995
[94] Invited Talk: H.Iwai, “Si-MOSFET downsizing into deep-sub-0.1 µm regime and images of
future silicon LSIs towards 2010s”, FUET‘96, International Symposium on the Basic of Future
Electronics technology, pp.57-64, February, 1996, Oiso, Japan
[95] Plenary Invited Talk: H.Iwai, W.Fichtner, R.W.Dutton, “TCAD for Sub-0.1 Micrometer Era –
Present Status & Future – “, 1996 Semiconductor Technology CAD Workshop & Exhibition,
pp.1-42, May, 1996, Taiwan, ROC
[96] T.Ohguro, E.Morifuji, M.Saito, M.Ono, T.Yoshitomi, H.S.Momose, N.Ito, H.Iwai, “0.2 µm
analog CMOS with very low noise figure at 2 GHz operation”, Digest of Technical Papers,
Symposium on VLSI Technology, pp.132-133, June, 1996, Honolulu, Hawaii, USA
[97] T.Yoshitomi, T.Ohguro, M.Saito, M.Ono, E.Morifuji, H.S.Momose, H.Iwai, “High
Performance 0.15 µm Single Gate Co Salicide CMOS”, Digest of Technical Papers,
Symposium on VLSI Technology, pp.34-35, June, 1996, Honolulu, Hawaii, USA
[98] Invited Talk: H.Iwai, “Ultra-small MOSFET Limits and Device Prospects for the Year 2010”,
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, June, 1996, Honolulu, Hawaii,USA
[99] T.Yoshitomi, M.Saito, T.Ohguro, M.Ono, H.S.Momose, H.Iwai, “Hot-Carrier Reliability of
S4D n-MOSFETs”, ESSDERC ’96, pp.65-68, September, 1996, Bologna, Italy
[100] Plenary Invited Talk: H.Iwai, “Recent advances and future trends of ULSI technologies”,
ESSDERC’96, pp.46-52, September,1996, Bolonga, Italy
[101] H.S.Momose, S.Nakamura, Y.Katsumata, H.Iwai, “Thin Gate Dielectrics for future CMOS
Applications”, 27th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, 8.1, December,
1996, San Diego, California,USA
[102] H.S.Momose, E.Morifuji, T.Yoshitomi, T.Ohguro, M.Saito, T.Morimoto, Y.Katsumata, H.Iwai,
“High-frequency AC Characteristics of 1.5 nm Gate Oxide MOSFETs”, IEDM Tech. Dig.,
pp.105-108, December, 1996
[103] T.Ohguro,M.Saito, E.Morifuji, K.Murakami, K.Matsuzaki, T.Yoshitomi, T.Morimoto,
H.S.Momose, Y.Katsumata, H.Iwai, “High efficiency 2 GHz power Si-MOSFET design under
low supply voltage down to 1V”, IEDM Tech. Dig., pp.83-86, December, 1996
[104] Invited Talk: H.Iwai, “Future High Performance Technologies for Sub-0.1 µm Devices”,
Semiconductor Technology Symposium, SEMICON Korea 97, pp.IV 30-39, February, 1997,
Korea
[105] T.Ohguro, S.Nakamura, E.Harakawa, E.Morifuji, T.Yoshitomi, T.Morimoto, H.S.Momose,
Y.Katsumata, H.Iwai, “Salicide Technology for Advanced CMOS Devices”, Semiconductor
technology Symposium, SEMICON Korea 97, pp.Ⅱ57-66, February, 1997, Korea
[106] T.Ohguro, S.Nakamura, M.Saito, M.Ono, H.Harakawa, E.Morifuji, T.Yoshitomi, T.Morimoto,
H.S.Momose, Y.Katsumata, H.Iwai, “Ultra-shallow Junction and Salicide Techniques for
Advanced CMOS Devices”, Proceedings of the Sixth International Symposium on Ultralarge
Scale Integration Science and Technology, Electrochemical Society, pp.275-295, May, 1997
[107] H.S.Momose, S.Nakamura, Y.Katsumata, H.Iwai, “Ultra-thin Gate Oxide Technology for High
Performance CMOS”, Proceedings of the Sixth International Symposium on Ultralarge Scale
Integration Science and Technology, Electrochemical Society, pp.235-246, May, 1997
[108] Invited Talk: H.Iwai, “RF CMOS Technology”, Symposium on ULSI Technology & Systems,
May, 1997, Hsinchu, Taiwan, ROC
[109] H.S.Momose, S.Nakamura,T.Ohguro, Y.Katsumata, H.Iwai, “Uniformity and Reliability of
1.5nm direct tunneling gate oxide MOSFETs”, Symposium on VLSI Technology, pp.15-16,
June, 1997, Kyoto, Japan
[110] T.Ohguro, S.Nakamura, E.Morifuji, Y.Katsumata, H.Iwai, “0.25µm CoSi2 salicide technology
thermally stable upto 1000C with high TDDB reliability”, Symposium on VLSI Technology,
pp.102-103, June, 1997, Kyoto, Japan
[111] H.S.Momose, H.Iwai, “Low power, low voltage integrated circuit”, Internal Summer School
on Advanced Microelectronics, June, 1997,Grenoble, France
22
[112] H.Iwai, “Silicon MOSFET scaling beyond 0.1µm”, International Microelectronics Conference,
pp.11-18, Nis, September, 1997, Yugoslavia
[113] H.S.Momose, S.Nakamura, Y.Katsmata, H.Iwai, “Tunneking gate oxide MOSFET
technology”, Europian Solid State Device Research Conference (ESSDERC), pp.133-143,
September, 1997, Ludwigberg, Germany
[114] H.Nii, C.Yoshino, H.Nakajima, Y.Katsumata, H.Iwai, “0.3µm BiCMOS technology for mixed
analog/digital application systems”, IEEE bipolar/BiCMOS Circuit and Technology
Conference(BCTM), pp.68-71, September, 1997, Minneapolis, MN, USA
[115] H.Iwai, “CMOS downsizing and future concept of Si-LSI”, International Conference on
VCLSI and CAD, pp.162-167, November, 1997, Seoul, Korea
[116] H.S.Momose, S.Nakamura, T.Ohguro, Y.Katsumata, H.Iwai, “A study of hot-carrier
degradation in n- and p-MOSFETs with ultra-thin gate oxide in the direct-tunneling regime”,
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp.453-456, December, 1997,
Washington DC, USA
[117] T.Ohguro, H.Naruse, H.S.Momose, Y.Katsumata, H.Iwai, “0.18µm low voltage / low power
RF CMOS with zero Vtn analog MOSFEs made by undoped epitaxial channel technique”,
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp.837-840, December, 1997,
Washington DC, USA
[118] Invited Talk: H. Iwai, “The downsizing of silicon devices and the impact on computers and
communications”, International Conference on Computers and Devices for Communications
(CODEC’98), pp.4-13, January, 1998, Calcutta, India
[119] Invited Talk: H. Iwai, “Scaling CMOS below 0.1μm”, A Workshop Honoring of the Career of
Robert H. Dennard on the Occasion of the 320th Anniversary of the 1-Transistor DRAM
Memory Cell, May, 1998, Yorktown Heights, NY, USA
[120] H. Iwai, “CMOS - year 2010 and beyond ; from technological side”, IEEE Custom Integrated
Circuit Conference (CICC’98), pp.141-148, May, 1998, Santa Clara, USA
[121] Invited Talk: Y. Unno, H. Iwai, “Future trends in semiconductor technologies, -- from
industrial view point,” 1998 Advanced Research Workshop, Future Trends in Microelectronis:
Off the Beaten Path, May 31- June 5, 1998, Ile des Embiez, France
[122] H. S. Momose, S. Nakamura, Y. Katsumata, H. Iwai, “Study of direct-tunneling gate oxides fro
CMOS applications”, 3rd International Symposium on Plasma-Induced Damage, pp.30-33,
June, 1998, Honolulu, Hawaii, USA
[123] T. Ohguro, H. Narus, H. Sugaya, S. Nakamura, E. Morifuji, H. Kimijima, T. Yoshitomi, T.
Morimoto, H. S. Momose, Y. Katsumata, H. Iwai, “High performance RF characteristics of
raised gate/source/drain CMOS with Co salicide”, Dig. Tech., Symp on VLSI Tech.,
pp.136-137, June, 1998, Hololulu, Hawaii, USA
[124] T. Yoshitomi, H. Kimijima, S. Ishizuka, Y. Miyahara, T. Ohguro, E. Morifuji, T. Morimoto, H.
S. Momose, Y. Katsumata, H. Iwai, “A study of self-aligned doped channel structure for low
power and low 1/f noise operation”, Dig. Tech., Symp on VLSI Tech., pp.98-99, June, 1998,
Hololulu, Hawaii, USA
[125] H. Momose, R. Fujimoto, S. Otaka, E. Morifuji, T. Ohguro, T. Yoshitomi, H. Kimijima, S.
Nakamutra, T. Morimoto, Y, Katsumata, H. Tanimito, H. Iwai, “RF noise in 1.5 nm gate oxide
MOSFETs and the evaluation of NMOS LNA circuit integrated on a chip”, Dig. Tech., Symp
on VLSI Tech., pp.96-97, June, 1998 , Honolulu, Hawaii,USA
[126] E. Morifujim C. E. Biber, W. Bachtold, T. Ohguro, T. Yoshitomi, H. Kimijima, T. Morimoto,
H. S. Momose, Y. Katsumata, H. Iwai, “RF noise study of small gate width Si-mOSFETs up to
8 GHz applications”, International Conference on Solid State Devices and Materiasl, pp.80-81,
September, 1998, Hiroshima, Japan
[127] Plenary Invited Talk: H. Iwai, “Current status and future of advanced CMOS technologies –
digital and analog aspects --”, Int Conf. on Advanced Semiconductor Devices and
Microelectronics (ASDAM’98), pp.1-10, October, 1998, Smolenice, Slovakia
[128] Invited Talk: H. Iwai, “CMOS Scaling toward its limits”, Int. Conf. on Solid-State and
Integrated Circuit Technology (ICSICT’98), pp.31-34, October,1998, Beijing, China
[129] Invited Talk: H. Iwai, “Thin film technology for CMOS downsizing towards its limit”,
International Workshop on Development of Thin Film for Future ULSI's, p.17, 1998
[130] Invited Talk: H. Iwai, H. S. Momose, “Ultra-thin gate oxide – performance and reliability”,
Dig. Tech., pp.163-166, December, 1998, San Francisco, USA
23
[131] E. Morifujim T. Ohguro, T. Yoshitomi, H. Kimijima, T. Morimoto, H. S. Momose, Y.
Katsumata, H. Iwai, “Process induced damage on RFCMOS”, Tech. Dig. IEDM, Dig. Tech.,
pp.956-968, December, 1998, San Francisco, USA
[132] T. Ohguro, H. Naruse, H. Sugaya, H. Kimijima, E. Morifuji, T. Yoshitomi, T. Morimoto, H. S.
Momose, Y. Katsumata, H. Iwai, “0.12µm Raised Gate/source/Drain Epitaxial Channel
NMOS Technology”, Tech. Dig. IEDM, Dig. Tech., pp.927-930, December, 1998, San
Francisco, USA
[133] H. S. Momose, H. Kimijima, S.Ishizuka, Y,. Miyahara, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji,
S. Nakamura, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai, “A study of flicker noise in n- and
p-MOSFETs with ultra-thin gate oxides in the direct-tunneling regime”, Tech. Dig. IEDM, Dig.
Tech., pp.923-926, December, 1998, San Francisco, USA
[134] T. Yoshitomi, Y. Sugawara, E. Morifuji, T. Ohguro, H. Kimijima, T. Morimoto, H. S. Momose,
Y. Katsumata, H. Iwai, “On-chip spiral inductors with diffused shields using channel-stop
implant”, Tech. Dig. IEDM, Dig. Tech., pp.540-543, December, 1998, San Francisco, USA
[135] Y. Katsumata, T. Ohguro, H. S. Momose, E. Morifuji, H. Iwai, “ RF CMOS technology,” 1998
Asa-Pacific Microwave Conference, Workshop, WS2. Leading Edge Silicon Devices and
Their Applications to Microwave/Millimeter-Wave Circuits, pp.3-20, December, 1998,
Yokohama, Japan
[136] Plenary Invited Talk: H. Iwai, “RF CMOS technology”, Int, Electron Devices and Material
Symposia (IEDMS’98), pp.1-01, December, 1998, Tainan, Taiwan, ROC
[137] H. Iwai, “Downsizing of CMOS Towards Deep Sub-0.1 Micro-Meter and its Limitation”, The
6th Korean Conference on Semiconductors, pp.1-4, February, 1999, Korea
[138] H. Kimijima, T. Ohguro, B. Evans､ B. Acker, J. Bloom, H. Mabuchi, D.-L. Kwong, E.
Morifuji, T. Yoshitomi, H.S. Momose, M. Kinugawa, Y. Katsumata, H. Iwai, “Improvement of
1/f noise by using VHP(Vertical High Pressure) oxynitride gate insulator for deep-sub micron
RF and analog CMOS”, 1999 Symposium on VLSI Technology, pp. 119-120, June,1999,
Kyoto, Japan
[139] J.-S. Goo, C.-H. Choi, E. Morifuji, H.S. Momose, Z. Yu, H. Iwai, T.H. Lee, W. Dutton, “RF
Noise Simulation for Submicron MOSFET's Based on Hydrodynamic Model”, 1999
Symposium on VLSI Technology, pp.153-154, June ,1999, Kyoto, Japan
[140] E. Morifuji, H.S. Momose, T. Ohguro, T. Yoshitomi, H. Kimijima, F. Matsuoka, M. Kinugawa,
Y.Katsumata, H. Iwai, “Future perspective and scaling down roadmap for RF CMOS”, 1999
Symposium on VLSI Technology, pp.163-164, June,1999, Kyoto, Japan
[141] E. Morifuji, T. Ohguro, H. Kimijima, T. Yoshitomi, H. S. Momose, Y. Katsumata, K. Ishimaru,
F. Matsuoka, M. Kinugawa, H. Iwai, “RF modeling for 0.1µm gate length MOSFETS”, 29th
European Solid-State Device Research Conference, pp.656-659, September ,1999, Leuven,
Belgium
[142] Invited Talk: H. Iwai, “Scaling laws of CMOS - How this can be driven?”, Litho Workshop, A
path towards sub-100nm lithography､IMEC, pp.1-14, September,1999, Leuven, Belgium
[143] Invited Talk: H. Iwai､Y. Katsumata, T. Ohguro, E. Morifuji, H.S. Momose, K. Inoh, H. Nii,
“Advanced Silicon BIPOLAR, BICMOS and CMOS technologies for RF Applications”,
EUMW (Europian Microwave)-Workshop 1999, Silicon and SiGe Technologies and Circuits,
pp.4-7, October 1999, Munich, Germany
[144] T. Yoshitomi, Y. Ebuchi, H. Kimijima, T. Ohguro, E. Morifuji, H. S. Momose, K. Kasai, K.
Ishimaru, F. Matsuoka, Y. Katsumata, M. Kinugawa, H. Iwai, “High Performance MIM
Capacitor for RF BiCMOS/CMOS LSIs”, Proceedings of the 1999 BIPOLAR/BiCMOS
Circuits and Technology Meeting (BCTM), pp.133-136, September,1999, Minneapolis,
Minnesota, USA
[145] Invited Talk: H. Iwai, T. Ohguro, E. Morifuji, T. Yoshitomi, H. Kimijima, H. S. Momose, K.
Inoh, H. Nii, Y. Katsumata, “Advanced RF CMOS Technology”, Proceedings of SPIE (The
International Society for Optical Engineering)-Electronics and Structures for MEMS, pp.10-20,
October, 1999, Queensland,Australia
[146] T. Ohguro, H. Naruse, H. Sugaya, S. Nakamura, N. Sugiyama, E. Morifuji, H. Kimijima, T.
Yoshitomi, T. Morimoto, H. S. Momose, Y. Katsumata, H. Iwai, “Silicon Epitaxy and Its
Application to RFIC's”, The First Symposium on ULSI Process Integration, Electrochemical
Society Proceedings, Vol.99-18, pp.123-141 in the 196th Meeting of the Electrochemical
Society, pp.123-141, October 1999, Honolulu､ Hawaii, USA
24
[147] Invited Talk: H. Iwai, “Sub-100nm MOSFET technologies”, International Symposium on
Surface Science for Micro-and Nano-Device Fabrication, pp.5, November, 1999, Tokyo, Japan
[148] Plenary Invited Talk: H. Iwai, “Problems for downsizing of CMOS below 0.1 µm and
attempts for solution by introduction of new materials, structures and planarization”,
International CMP Symposium '99, November, 1999 , Tokyo, Japan
[149] Invited Talk: H. Iwai, “Next-generation RF silicon device technology for mobile
telecommunication”, 1999 The 20th Modern Engineering and Technology Symposium,
December, 1999 , Taipei, Taiwan, ROC
[150] H.S.Momose, E.Morifuji, H.Sugaya, S.Nakamura, T.Yoshitomi, H.Kimijima, T.Morimoto,
F.Matsuoka, Y.Katsumata, H.Ishiuchi, H.Iwai, “Improvement of direct-tunneling gate leakage
current in ultra-thin gate oxide CMOS with TiN gate electrode using non-doped selective
epitaxial Si channel technique”, International Electron Devices Meeting 1999, pp.819-822,
December, 1999, Washington DC, USA
[151] H. Iwai, “Source Drain and Wells”, Sub-100nm CMOS, 1999 IEDM Short Course, pp.1-95,
December,1999, Washington DC, USA
[152] Invited Talk: H. Iwai, “Sub-100nm MOSFET Technologies”, ISSS 2000, February, 2000,
India
[153] Invited Talk: H. Iwai, T. Ohguro、E. Morifuji, T. Yoshitomi, H. Kimijima, H. S. Momose, S.
Ohmi, K. Inoh, H. Nii, Y. Katsumata, “CMOS Technologies for High Frequencies”, GHz2000
Symposium, pp.41-45, March, 2000, Göteborg, Sweden
[154] Plenary Invited Talk: H. Iwai, H. S. Momose, S. Ohmi, “Ultra-thin gate SiO² technology”,
proceedings of The Fourth International Symposium on The Physics and Chemistry of SiO²
Interface, Electrochemical Society, pp.3-17, also in the Meeting Abstracts, the 197th Meeting
of the Electrochemical Society, Vol.2000-1, p.443, May 14-18, 2000, Toronto, Canada
[155] Invited Talk: H. Iwai, “CMOS Technology for RF Application”, presented at the 22nd
International Conference On Microelectronics (MIEL 2000), pp.27-34, May, 2000, Niš,
Yugoslavia
[156] Invited Talk: H. Iwai, “High-speed low-power CMOS technology”, conference proceedings of
the SEMICON Kansai 2000, Session 3, pp.42-51, June 1-2, 2000
[157] Invited Talk: H. Iwai, S. Ohmi, “Future CMOS Technology below 0.1µm”, SBMicro2000,
pp.2-17, September 18-24, 2000, Manaus, Amazonas, Brazil
[158] Plenary Invited Talk: H. Iwai, S. Ohmi, “Problems and solutions for downsizing CMOS
below 0.1µm”, Proceedings for 2000 IEEE International Conference on Semiconductor
Electronics (ICSE2000), pp.1-19, November 13-15, 2000, Malaysia
[159] Invited Talk: H. Iwai, “Gate Oxide Film and Small-Geometry MOS Devices”, Abstracts, Joint
Workshop of 29th IUVSTA International Workshop on Selective and Functional Film
Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology, and 2nd International Workshop on
Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise-Shima,
pp.108-122, November 19-24, 2000, Mie, Japan
[160] R. Fujimura, K.Sato, M. Takeda, S. Ohmi, H. Ishiwara, H. Iwai, “The relation between
dielectric constant and short-channel effects for high-k gate insulator film's MOSFETs down to
sub 50nm”, Abstracts, Joint Workshop of 29th IUVSTA International Workshop on Selective
and Functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology, and 2nd
International Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale
Process Integration, Ise-Shima, pp.165-169, November 19-24, 2000, Mie, Japan
[161] K. Osima, E. Tokumitsu, S. Ohmi, H. Iwai, H. Ishiwara, “Electrical Characteristics of High
Dielectric Constant ZrO2 Thin Films Prepared by Ultra High Vacuum-Electron Beam
Evaporation Method”, Abstracts, Joint Workshop of 29th IUVSTA International Workshop on
Selective and Functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology, and
2nd International Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale
Process Integration, Ise-Shima, pp.323-326, November 19-24, 2000, Mie, Japan
[162] Invited Talk: H. Iwai, “Silicon Technology-Miniaturization from past to future”, Inauguration
Workshop of the Microtechnology Center at Chalmers, MC2, March 1, 2001 Gőteborg,
Sweden
[163] Invited Talk: H. Iwai, T. Ohguro, S. Ohmi, “NiSi Salicide Technology for Scaled CMOS”,
Abstract, European Workshop Materials for Advanced Metallization (MAM2001), p.07.5,
March 5-7, 2001 ,Sigtuna, Sweden
25
[164] Plenary Invited Talk: H. Iwai, S. Ohmi, “ULSI Process Integration for 2005 and beyond”,
ULSI Process Integration II, Electrochemical Society Proceedings Volume 2001-2, pp.3-33,
2001, also Abstract No.395, Meeting Abstracts, The 199th Meeting of The Electrochemical
Society, March 25-29, 2001
[165] R. Fujimura, M. Takeda, K. Sato, S. Ohmi, H. Ishiwara, H. Iwai, “Enhanced short-channel
effects of sub-50nm gate length MOSFETs with high-k gate insulator films”, ULSI Process
Integration II, Electrochemical Society Proceedings Vol. 2001-2, pp.313-323, 2001, also
Abstract No.421, Meeting Abstracts, The 199th Meeting of The Electrochemical Society,
March 25-29, 2001
[166] H. S. Momose, T. Ohguro, S. Nakamura, Y. Toyoshima, H. Ishiuchi, H. Iwai, “Study of wafer
orientation dependence on performance and reliability of CMOS with direct-tunneling gate
oxide”, 2001 Symposium on VLSI Technology, Kyoto, Digest of Technical Papers, pp.77-78,
June 12-14, 2001
[167] H. Iwai, S. Ohmi, “Gate dielectrics for deep sub-0.1 μm CMOS”, FTM 2001 Poster
Presentations, Scientific Program, 2001 Advanced Research Workshop, Future Trends in
Microelectronics: The Nano Millennium, p.45, June 25-29, 2001, Ile de Bendor, France
[168] Keynote Invited Talk: H. Iwai, “Direction of Silicon Technology from Past to Future”,
Keynote address, 8th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of
Integrated Circuits, IPFA 2001, Proceedings, pp.1-35, July 9-13, 2001, Singapore
[169] Invited Talk: H. Iwai, S. Ohmi, “Problems and expected solutions for the gate oxide thinning
in miniaturized CMOS ULSI devices”, International Workshop on Device Technology,
Alternatives to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics, p.16, September
3-5, 2001, Porto Alegre, Brazil, also 2001 MRS Workshop Series, pp.1-12, 2001
[170] S. Ohmi, C. Kobayashi, E. Tokumitsu, H. Ishiwara, H. Iwai, “Low Leakage La2O3 Gate
Insulator Film with EOTs of 0.8-1.2 nm”, the 2001 International Conference on Solid State
Devices and Materials, pp.496-497, 2001
[171] S. Ohmi, S. Akama, A. Kikuchi, I. Kashiwagi, C. Ohshima, J. Taguchi, H. Yamamoto, C.
Kobayashi, K. Sato, M. Takeda, K. Oshima, H. Ishiwara, H. Iwai, “Rare Earth Metal Oxide
Gate Thin Films Prepared by E-beam Deposition”, International Workshop on Gate Insulator
2001, pp200-204, November 2001,Tokyo, Japan
[172] Invited Talk: H. Iwai, “Silicon technology trend from past to future”, IEEE Electron Devices
and Solid-State Circuits Society Bangalore Chapter, March, 2002, India
[173] Invited Talk: H. Iwai, S. Ohmi, “CMOS Downsizing and High-k Gate Insulator Technology”,
Fourth IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, pp.D049_1-8,
April 17-19, 2002, Aruba
[174] S. Ohmi, S. Akama, A. Kikuchi, I. Kashiwagi, C. Ohshima, J. Taguchi, H. Yamamoto, K. Sato,
M. Takeda, H. Ishiwara, H. Iwai, “Rare earth metal oxides for high-k gate insulator”, 201st
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[175] H. Iwai: Advanced Device Technologies for sub-65nm Node FEOL; Varian semiconductor
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[176] S. Ohmi, M.Takeda, H.Ishiwara, H. Iwai: Characterization of Lu2O3 High-k Thin Films on
Si(100) Fabricated by E-beam Deposition Method; Abstract of ISTC2002, September, 2002
[177] S.Ohmi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, J.Taguchi, H.Yamamoto, J.Tonotanim H.Ishiwara, H.Iwai:
Electrical Characteristics of Rare Earth Gate Oxides Improved by Chemical Oxide and Long
Low Temperature Annealing; Abstracts of the 2002 International Conference on SSDM,
pp.718-719, September, 2002
[178] T.Shiraishi, T.Nakamura, K.Takahashi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, H.Nohira, S.Ohmi, H.Iwai,
T.Hattori: Depth Profiling of High-K Dielectric/Si Interfacial Transition Layer; abstracts of
international conference of SSDM, pp.758-759, September, 2002
[179] C. Ohshima, I. Kashiwagi, S. Ohmi, H. Iwai, “Electrical Characteristics of Gd2O3 thin film
deposited on Si substrate”, Proceedings of ESSDERC2002, pp.415-418, September, 2002
[180] S. Akama, A. Kikuchi, J. Tonotani, S. Ohmi, H. Iwai:, “Stability of High-k Thin Films in
Moisture Ambience - The Effect of Dissolution Gas from Acryl Apparatus-”, Proceedings of
ESSDERC2002, pp.587-590, September, 2002
[181] J. Taguchi, H. Yamamoto, J. Tonotani, S. Ohmi, H. Iwai, “Annealing Condition Dependence
26
of Electrical Characteristics for Dy2O3/Si(100) Structures”, Proceedings of ESSDERC2002,
pp.591-594, September, 2002
[182] Invited Talk: H.Iwai, S.Ohmi, “Trend of CMOS downsizing and its reliability”, Proceedings
of ESREF2002, pp.1251-1258, October, 2002
[183] H. Yamamoto, J. Taguchi, S. Ohmi, H. Iwai, “Electrical Characteristics Improvement of Dy2O3
Thin Films by In-situ Vacuum Anneal”, abstracts of ECS 202nd Meeting, October,2002
[184] H. Iwai, S. Ohmi, S. Akama, C. Ohshima, I. Kashiwagi, A. Kikuchi, J. Taguchi, H. Yamamoto,
I. Ueda, A. Kuriyama, J. Tonotani, Y. Kim, Y. Yoshihara, H. Ishiwa, “High Dielectric
Constant Gate Insulator Technology using Rare Earth Oxides”, abstracts of ECS 202nd
Meeting, October, 2002
[185] A. Kikuchi, S. Akama, S. Ohmi, H. Iwai, “Stability of High-k Thin Films for Wet Process” ,
abstracts of ECS 202nd Meeting, October, 2002
[186] I. Kashiwagi, C. Ohshima, S. Ohmi, H. Iwai, “Characteristics of High-k Gd2O3 Films
Deposited on Different Orientation of Si Substrate”, abstracts of ECS 202nd Meeting, October,
2002
[187] H. Yamamoto, J. Taguchi, S. Ohmi, H. Iwai, “The Effect of In-situ Vacuum Anneal for
High-Dielectric Dy2O3 Thin Films”, abstracts of μE-ED 2002, pp.16-17, October, 2002
[188] I. Kashiwagi, C. Ohshima, Y. Kim, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai, “Dependence of Gd2O3 Thin
Film Properties on Si Substrate Orientation”, abstracts of μE-ED 2002, pp.14-15, October,
2002
[189] A.Kikuchi, S. Akama, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai, “High-k Gate Insulator Endurance against
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[190] H. Iwai, “CMOS Downscaling Towards Its Limit”, abstracts of IEEE μE-ED 2002, pp.4-5,
October, 2002
[191] H. Iwai, “CMOS Scaling and Requested New Technologies”, Proceedings of SISC2002,
December, 2002
[192] H. Nohira, T. Shiraishi, T. Nakamura, K. Takahashi, M. Takeda, S. Ohmi, H. Iwai, T. Hattori,
“Chemical and Electronic Structures of Lu2O3 /Si Interfacial Transition Layer”, abstracts of 4th
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[193] C. Ohshima, J. Taguchi, I. Kashiwagi, H. Yamamoto, S. Ohmi, H. Iwai, “Effect of Surface
Treatment of Si substrates and Annealing Condition on High-k Rare Earth Oxide Gate
Dielectrics”, abstracts of 4th ISCSI, October, 2002
[194] H. Iwai, “Advanced CMOS Technology for Sub-70 nm and further below”, 1st WIMNACT,
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[195] F.Lime, K.Oshima, M.Cassé, G.Ghibaudo, S.Cristoloveanu, B.Guillaumot, H.Iwai, “Ellectrical
Characterization of Advanced CMOS Devices with Metal Gate and HFO2Gate Dielectric”,
Proceedings WoDIM 2002, pp.81-84, November, 2002
[196] Plenary Invited Talk: H.Iwai, “CMOS Scaling and Requested New Technologies”, 33rd IEEE
SISC 2002, December, 2002
[197] Invited Talk: H.Iwai, S.Ohmi, S.Akama, C.Ohshima, A.Kikuchi, I. Kashiwagi, J.Taguchi,
H.Yamamoto, J.Tonotani, Y.Kim, I.Ueda, A.Kuriyama, Y.Yoshihara,“Advanced Gate
Dielectric Materials for Sub-100nm CMOS”, IEDM 2002, pp.625-628, December, 2002
[198] H.Iwai, “CMOS Downsizing toward sub-10 nm”, ULIS 2003, pp7-10, March, 2003
[199] Invited Talk: H.Iwai, “Prospects and Challenges for Advanced Gate-Stack Materials in Sub-65
nm CMOS”, 2003 MRS Spring Meeting, Abstracts, p.90, April, 2003
[200] Keynote Invited Talk: H.Iwai, “CMOS down scaling and process induced damages”, 2003 8th
International Symposium on Plasma- and Process- Induced Damage, pp1-11, April, 2003
[201] K.Oshima, S.Cristoloveanu, B.Guillaumot, G.le Carval, H.Iwai, C. Mazure, M.S.Kang,
Y.H.Bae, M.W.Kwon, J.H.Lee, S.Deleonibus, “Replacing the BOX with Buried Alumina:
Improved Thermal Dissipation in SOI MOSFETs”, 203rd ECS Meeting, Vol.2003-01, Abstract
No.815, 2003
[202] J.O.Borland, H.Iwai, W.Masazara, H.Wang, “Extending the Life of Planar Single-Gate CMOS
& the Realization of Double-Gate/Multi-Gate CMOS Devices”, 203rd ECS Meeting,
Vol.2003-01, Abstract No.976, 2003
[203] T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki,
K.Kimura, I.Kashiwagi, C.Ohshima, S.Ohmi, H.Iwai, “Composition, Chemical Structure and
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2003-Barcelona, WS1-9, June, 2003
27
[204] H.Iwai, “The Future of CMOS Downscaling”, FTM(Future Trends in Microelectronics)-2003,
Corsica, France, p46, June, 2003
[205] J.O.Borland, H.Iwai, W.Maszara, H.Wang, “Extending Planar Single-Gate CMOS &
Accelerating the Realization of Double-Gate/Multi-Gate CMOS Devices”, ULSI Process
Integration III, Vol.2003-06, pp.330-345, 2003
[206] Plenary Invited Talk: H.Iwai, Advanced High K Dielectrics”, ESSDERC 2003, p.15,
September, 2003, Estoril, Portugal
[207] R.Higaki, K.Tsutsui, Y.Sasaki, S.Akama, B.Mizuno, S.Ohmi, H.Iwai, “Effects of gas phase
absorption into Si substrates on plasma doping process”, ESSDERC 2003, pp.231-234,
September 200 , Estoril, Portugal
[208] Y.Kim, A.Kuriyama, I.Ueda, S. Ohmi, K.Tsutsui, H.Iwai, “Analysis of Electrical
Characteristics of La2O3 Thin Films Annealed in Vacuum and Others”, ESSDERC 2003,
pp.569-572, September, 2003, Estoril, Portugal
[209] S.Ohmi, H.Yamamoto, J.Taguchi, K.Tsutsui, H.Iwai, “Effect of Vacuum Annealing on High-k
Dy2O3 Thin Films Deposited on Si(100)”, SSDM 2003, pp.510-511, September, 2003 ,Tokyo,
Japan
[210] Plenary Invited Talk: H.Iwai, “CMOS Downscaling”, IUMRS-ICAM 2003, p.110, October
8-13,2003, Yokohama, Japan
[211] I.Ueda, S.Ohmi, H.Iwai, “Electrical Characteristics of High-K Stack Gate Dielectric Thin
Films with La2O3 as Buffer Layer”, 204th ECS Meeting Orlando, Abs.545, October12-16,
2003, Florida, U.S.A.
[212] H.Sauddin, Y.Yoshihara, S.Ohmi, K.Tsutsui, H.Iwai, “Low-Frequency Noise Characteristics
of MISFET’s with La2O3 Gate Dielectrics”, ECS 204th Meeting Orlando, Abs.546,
October12-16, 2003, Florida, USA
[213] A.Kuriyama, S.Ohmi, K.Tsutusi, H.Iwai, “Effect of Post Metallization Annealing for La2O3
Gate Thin Films on Electrical Characteristics”, ECS 204th Meeting Orlando, Abs.564, October
12-16, 2003 , Florida, U.S.A.
[214] Y.Kim, S.Ohmi, K.Tsusui, H.Iwai, “Electrical Characteristics of High-k La2O3 Thin Film
Deposited by E-Beam Evaporation Method”, ECS 204th Meeting Orlando,Abs.582, October
12-16, 2003 , Florida, U.S.A.
[215] S.Ohmi, I.Ueda, Y.Kobayashi, K.Tsutsui, H.Iwai, “Electrical Characterstics of rare-earth
oxides stacked-layer structures”, IWGI 2003 Tokyo, pp.28-31, November 6-7,2003, Tokyo.
Japan
[216] Invited Talk: H.Iwai, “CMOS Scaling toward sub-10nm regime”, EDMO2003,pp.30-34,
November, 17-18,2003, Orlando, Florida, USA
[217] Plenary Invited Talk: H.Iwai, “Scaling of Advanced CMOS”, IWPSD2003, pp.13-18,
December, 2003, Chennai, India
[218] Plenary Invited Talk: H.Iwai, “CMOS Scaling Challenge to sub-10 nm”, CODEC-04, January
1-3,2004, Kolkata, India
[219] Plenary Invited Talk: H.Iwai, “CMOS Scaling for sub-90 nm to sub-10 nm”, VLSI2004,
pp.30-35, January 5-9, 2004, Mumbai, India
[220] K.Tsusui, R.Higaki, Y.Sasaki, T.Sato, H.Tamura, B.Mizuno, H.Iwai, “Contribution and
Control of Neutral Gas Absorption Effects in the Plasma Doping of Boron into Si”,
IWJT-2004 pp.46-49, March 15-16, 2004, Shanghai, China
[221] C.G.Jin, Y.Sasaki, K.Tsutsui, H.Tamra, B.Mizuno, R.Higaki, T.Satoh, K.Majima, H.Sauddin,
K.Takagi, S.Ohmi, H.Iwai, “Estimation of Ultra-Shallow Plasma Doping (PD) Layer’s Optical
Absorption Properties by Spectroscopic Ellispsometry (SE)”, IWJT-2004, pp.102-103, March
15-16, 2004, Shanghai, China
[222] K.Tsutsui, Y.Sasaki, C.G.Jin, H.Tamura, B.Mizuno, R.Higaki, T.Sato, K.Majima, S.Ohmi,
H.Iwai, “Ultra Shallow p＋/n Junctions Fabricated by Plasma Doping and All Solid State
Laser Annealing”, Proceedings of the International Symposium, 205thMeeting of The
ElectrochemicalSociety,ProceedingVol.2004-01, pp.106-111, May, 2004, SanAntonio,USA
[223] Plenary Talk: H.Iwai, “FUTURE CMOS SCALING”, Proceeding of the 11th International
Conference, Mixed Design of integrated circuits and systems, pp.19-23, MIXEDS 2004, June
24-26, 2004, Szczecin, Poland
[224] Y.Sasaki, C.G.Jin, H.Tamura, B.Mizuno, R.Higaki, T.Satoh, K.Majima, H.Sauddin, K.Takagi,
S.Ohmi, K.Tsutsui, H.Iwai, “B2H6Plasma Dopong with “In-situ He Pre-amorphization”, 2004
Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, pp.180-181, June 15-17, 2004,
Honolulu, USA
28
[225] Invited Talk: H.Iwai, “RF CMOS Technology”, 2004 Asia-Pacific Radio Science Conference
Proceedings, pp.296-298, August 24-27, 2004, Qingdao,China
[226] Invited Talk: H. Iwai, “Future of CMOS Technology”, 2004 Semiconductor Manufacturing
Technology workshop Proceedings, pp.5-8, Sep.9-10, 2004, Taiwan, ROC
[227] Y.Kim, S. Ohmi, K.Tsutsui, H.Iwai, “Space-Charge-Limited Current Conductions in La2O3
Thin Films Deposited by E-Beam Evaporation after Low Temperature Dry-Nitrogen
Annealing”, ESSDERC 2004, Proceeding of the 34th European Solid-State Device Research
Conference, September 21-23, 2004, pp.81-84, 2004, Leuven, Belgium
[228] T. Sato, R. Higaki, H. Tamura, Y. Sasaki, B. Mizuno, K. Tsutsui, H. Iwai, “Effects of Wet
Cleaning Treatment on Dose of Impurity after Plasma Doping”, ESSDERC 2004, Proceeding
of the 34th European Solid-State Device Research Conference, September 21-23, 2004,
pp.149-152, 2004
[229] J.Ng, S.Ohmi, K.Tsutsui, H.Iwai, “A Study of Aluminum Gate La2O3 nMISFET with Post
Metallization Anneal”, Dielectrics for Nanosystems: Materials Science, Processing, Reliability,
and Manufactruing, 206th Meeting of The Electrochemical Society, Proceedings Vol. 2004-04,
pp.369-380, October, 2004, Hawaii, USA
[230] Y.Kim, S.Ohmi, K.Tsutsui, H.Iwai, “Electrical Conduction Processes in Lanthana Thin Films
prepared by E-Beam Evaporation”, Dielectrics for Nanosystems: Materials Science, Processing,
Reliability, and Manufactruing, 206th Meeting of The Electrochemical Society, Proceedings
Vol. 2004-04, pp.452-463, October, 2004, Hawaii, USA
[231] B. Mizuno, Y. Sasaki, C. Jin, H. Tamura, K. Okashita, H. Ito, K.Tsutsui, H.Iwai, “Plasama
Doping”, 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,
Proceedings, October 18-21, 2004, ICSICT 2004, Vol. I pp.423-427, Beijing, China
[232] K. Tsutsui, R. Higaki, T. Sato, Y. Sasaki, H.Tamura, B. Mizuno, H. Iwai, “Effects of Surface
Conditions on Dose Controllability of Plasma Doping Process”, 7th International Conference
on Solid-State and Integrated Circuits Technology, Proceedings October 18-21, 2004, ICSICT
2004, Vol. I pp.439-444, Beijing, China
[233] Invited Talk: H. Iwai, “CMOS Technology Future”, ICCDCS, pp.179-182, November 3-5,
2004, Punta Cana, Dominican Republic
[234] C.G. Jin, Y. Sasaki, K. Okashita, H. Tamura, H. Ito, B. Mizuno, K. Tsutsui, S. Ohmi, H. Iwai,
“Ultra Shallow p+/n Junction Formation by Plasma Doping (PD) and All Solid-State Laster
Annealing (ASLA) with Selective Absorption Modulation”, the 15th International Conference
on Ion Implantation Technology, IIT2004, October 25-29, 2004, Taipei, Taiwan, ROC
[235] Y. Sasaki, C.G. Jin, K. Okashita, H. Tamura, H. Ito, B. Mizuno, R. Higaki, T. Satoh, K.
Majima, H.Sauddin, K. Takagi, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai, “New Method of Plasma Doping
with In-Situ Helium Pre-Amorphization”, the 15th International Conference on Ion
Implantation Technology, IIT2004, October 25-29, 2004, Taipei, Taiwan, ROC
[236] Plenary Talk: H. Iwai, “Future Semiconductor Manufacturing - Challenges and Opportunities”,
2004 IEEE International Electron Devices Meeting, December 13-15, 2004, pp.11-16, San
Francisco Hilton and Towers, San Francisco, USA
[237] H. Iwai, “Future of Si integrated devices and its manufacturing”, WOFE 2004 Advanced
Workshop on Frontiers Electronics, J. E. Irausquin Blvd 77 Palm Beach, December 18-22,
p.72, 2004, Aruba
[238] K. Miyauchi, K. Nakagawa, K. Tsutsui, H. Iwai, “La2O3/Y2O3 Stack High-K Gate Insulator
Technique”, WOFE 2004 Advanced Workshop on Frontiers Electronics, J. E. Irausquin Blvd
77 Palm Beach, December 18-22, 2004, p.14, Aruba
[239] H. Iwai, “New Technology Study for Future Downscaling CMOS: High-k and Plasma
Doping” 6th Workshop and IEEE EDS Mini-colloquia on Nanometer CMOS Technology,
National Chiao Tung University, January 21-22, 2005, pp.1-1 , Taiwan, ROC
[240] Invited Talk: H. Iwai, “Challenges for the CMOS roadmap and nanotechnology beyond
CMOS”, Workshop on Semiconductors and Micro & Nano-Technology SEMANTEC 2005,
pp.1-4, March 4, 2005,Campinas, Brazil
[241] Y.Kobayashi, R.Xiang, K.Tsutsumi, H.Iwai, “Formation of heat resistant Ni silicide by
additional Hf layers.”, Materials for Advanced Metallization (MAM2005), March 6-9, 2005,
Dresden, Germany
[242] I. Aiba, Y. Sasaki, K. Okashita, H. Tamura, Y. Fukagawa, K. Tsutsui, H. Ito, K. Kakushima, B.
Mizuno, H. Iwai, “Feasibility Study of Plasma Doping on Si Substrates with Photo-Resist
Patterns”, International Workshop on Junction Technology(IWJT), pp.71-72, June 7-8, 2005,
Osaka, Japan
[243] K. Tsutsui, K. Majima, Y. Fukagawa, Y. Sasaki, K. Okashita, H. Tamura, K. Kakushima, H.
29
Ito, B. Mizuno, H. Iwai, “Analysis of Conductivity in Ultra-shallow p+ Layers Formed by
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7-8,2005, Osaka, Japan
[244] H. Sauddin, H. Tamura, K. Okashita, Y. Sasaki, H. Ito, B. Mizuno, K. Kakushima, K. Tsutsui,
H. Iwai, “Reverse Current of Plasma Doped p+/n Ultra-Shallow Junction”, International
Workshop on Junction Technology(IWJT), pp.75-76, June 7-8,2005, Osaka, Japan
[245] Tutrial: H. Iwai, “High-K Gate Stack Technology”, ESSDERC 2005, September 12-16, 2005,
Grenoble, France
[246] K. Nakagawa, K. Miyauchi, K. Kakushima, T. Hattori, K. Tsutsui, H. Iwai, “The Effect of
Y2O3 Buffer Layer for La2O3 Gate Dielectric Film”, ESSDERC 2005, pp.387-389, September
12-16, 2005, Grenoble, France
[247] S. Yoshizaki, Woei Yuan Chong, M. Nakagawa, Y. Nara, M. Yasuhira, F. Ohtsuka, T.
Arikado, K. Nakamura, K. Kakushima, K. Tsutsui , H. Aoki, H. Iwai, “RF Modeling of Sub‐
100 nm CMOS”, ESSDERC 2005, September 12-16, 2005, Grenoble, France
[248] Keynote Address: H. Iwai, “Silicon Integrated Circuit Technology and MANUFACTURING
Innovations for the Past and the Next 30 Years”, 22nd International VLSI Multilevel
Interconnection Conference, pp.25-27, October 4-6, 2005, Fremont, USA
[249] E.Miranda J.Molina, Y.Kim, H.Iwai, “Degradation of High-K La2O3 gate Dielectrics using
Progressive Electrical Stress”, the 16th European Symposium on Reliability of Electron
Devices, October 12, 2005, Bordeaux, France
[250] H. Nohira, T. Yoshida, H. Okamoto, W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, Ng Jin
Aun, Y. Kobayashi, S. Ohmi, H. Iwai, E. Ikenaga, “THERMAL STABILITY OF
LANTHANUM OXIDE/Si(100) INTERFACIAL TRANSITION LAYER”, ECS 208 th
Meeting, ECS Transaction, Vol.1, No.1, pp.87-95, October 16-20, Los Angeles, USA
[251] H. Iwai, “CMOS Scaling and its Future towards Downsizing Limit”, IEEE EDS WIMNACT-9,
2005, October 25, 2005, Yokohama, Japan
[252] Y. Kuroki, Jin-Aun Ng, K. Kakushima, N. Sugii, K. Tsutsui, H. Iwai, “Al/La2O3 Analysis of
Post Metallization Annealed MISFETs by XPS”, ECS 208th Meeting, Vol. 1, No.5, pp.239-247,
October 17-20, 2005, Los Angeles, USA
[253] J. Molina, K.Kakushima, P. Ahmet, S. Nobuyuki, K. Tsutsui, H. Iwai, “BREAKDOWN AND
RELIABILITY OF METAL GATE-La2O3 THIN FILMS AFTER POST-DEPOSITION
ANNEALING IN N2”, ECS 208th Meeting, Vol. 1, No. 5, pp.757-765, October 17-20, 2005,
Los Angeles, USA
[254] Invited Talk: H. Iwai, “Future of CMOS Scaling and Its Manufacturing”, IWPSD-2005,
pp.55-66, December 13-17, 2005, New Delhi, India
[255] Invited Talk: H. Iwai, “Future CMOS Technology and Manufacturing”, EPMDS-2006,
Vol.1-1, January 4-6, 2006, Kolkata, India
[256] H. Iwai, “Recent Status an Nano CMOS and Future Direction”, IWNC2006, pp.1-5, January
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[257] K. Tsutsui, Y. Sasaki, K. Majima, Y. Futagawa, I. Aiba, R. Higaki, C. Jin, H. Ito, B. Mizuno,
J.A.Ng, K. Tachi, J. Song, Y. Shiino, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, “Ultra-shallow
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[258] H. Wong, K. Kakushima, H. Iwai, “Material and Interface Instabilities of High-k MOS Gate
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[259] Manoj C. R., A. Mangal, V. R. Rao, K. Tsutsui, H. Iwai, “Parasitics Effects in Multi Gate
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[260] I. Aiba, Cheng-Guo Jinm, Y. Sasaki, K. Tsutsui, H. Tamura, K. Okashita, H. Kakushima, H.
Iwai,
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[261] K. Tsutsui, Y. Sasaki、Cheng-Guo Jin, H. Tamura, K. Okashita, H. Ito, B. Mizuno, H.
Sauddin, K. Majima, T. Satoh, Y. Fukagawa, K. Kakushima, H. Iwai, “Formation of
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[262] A. Fukuyama, K. Kakuashima, P. Ahmet, A.N.Chandorkar,K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H.
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Transition Temperature Range from NiSi to NiSi2 Depending on Annealing Time”,
30
ISTC-2006, March 21-22, 2006, Shanghai, China
[264] P. Ahmet, T. Nagata, D. A. Kukuruznyak, K. Ohmori, K. Kakushima, K. Tsutsui, T.Chikyou,
H.Iwai, “Combinatorial Fabrication and Phase Diagramming of Ternary Composition Spreads”,
ISTC-2006, Vol.1 pp.215-224, March 21-22, 2006, Shanghai, China
[265] Invited Talk: H.Iwai, “CMOS Scaling and Future Manufacturing”, 2006-IWNE, pp.3-47,
April 21, 2006, Tainan, Taiwan
[266] Keynote Speech:H.Iwai, “Semiconductor Manufacturing Technology in the 21st Century”,
2006 VLSI-TSA, pp.1-17, April 24-26, 2006, Hsinchu, Taiwan
[267] K.Shiraishi, T.Nakayama, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakaoka, K.Ohmori, P.Ahmet, K.Torii,
H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada, “New Theory of Effective Work
Functions at Metal/High-k Dielectric Interfaces-Application to Metal/High-k HfO2 And La2O3
Dielectric Interfaces-” , ECS 209th Meeting, ECS Transactions, Vol. 2, No.1, pp.25-40, May
7-12, 2006, Denver, USA
[268] P.Ahmet, T.Nagata, D.A.Kukuruznyak, K.Ohmori, K.Kakushima, K.Tsutsui, T.Chikyow,
H.Iwai, “Combinatorial Fabrication and Characterization of Oxide and Metal Thin Film
Composition Spreads”, ECS 209th Meeting, ECS Transactions, Vol. 2, No.1, pp.79-90, May
7-12, 2006, Denver, USA
[269] K.Kakushima, P.Ahmet, N.Sugii, K.Tsutsui, T.Hattori, H.Iwai, “Lanthanum Oxides for Gate
Insulator Application”, ECS 209th Meeting, ECS Transactions, Vol. 2, No.1, pp.115-127, May
7-12, 2006, Denver, USA
[270] T.Hattori, K.Kakushima, K.Nakajima, H.Nohira, K.Kimura, H.Iwai, “Angle-Resolved
Photoelectron Spectroscopy Study on Gate Insulators”, ECS 209th Meeting, ECS Transactions,
Vol. 2, No.1, pp.275-286, May 7-12, 2006, Denver, USA
[271] J.A.Ng, N.Sugii, K.Kakushima, P.Ahmet, T.Hattori, K.Tsutsui, H.Iwai, “Mobility Degradation
Analysis for La2O3 nMOSFET”, ECS 209th Meeting, ECS Transactions, Vol. 2, No.1,
pp.329-338, May 7-12, 2006, Denver, USA
[272] K.Tsutusi, R.Xiang, K.Nagahiro, T.Shiozawa, P.Ahmet, Y.Okuno, M.Matsumoto, M.Kubota,
K.Kakushima, H.Iwai, “Irregular Increase in sheet Resistance of Ni Sikicides at Temperature
Range of Transition from NiSi to NiSi2”, IWJT-2006, pp.188-191, May 15-16, 2006, Shanghai,
China
[273] Invited Talk: H. Iwai, “La2O3 Gate Oxide Technology for MOSFETs”, The-E-MRS 2006
Spring Meeting,May 29, 2006, Nice, France
[274] J.Song, A.Fukuyama, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, T.Hattori, H.Iwai, “Characteristics
of La2O3/Ge MIS Capacitors on Annealing Condition”, The-E-MRS 2006 Spring Meeting, Vol.
1-1, May 29, 2006, Nice, France
[275] Invited Talk, Distinguished Lecture: H.Iwai, “Future CMOS Scaling and Its Manufacturing”,
AdCom &ExCom Meeting Mini-Colloquia, June 1, 2006, Napoli, Italy
[276] K.Kakushima, P.Ahmet, J.A.Ng J.Molina,H.Sauddin,Y.Kuroki, K.Nakagawa,A.Fukuyama,
K.Tachi, Y.Shiino, J.Song, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai, “Study of La2O3 Gate
Dielectric Suitability for Future MIM and MOSFETs”, 2006 IEEE Si Nanoelectronics
Workshop, p.113, June 12, 2006, Honolulu, Hawaii, USA
[277] H.Iwai, “Future of nano CMOS and its manufacturing”, FTM, p.47, June 27, 2006, Heraklion,
Crete
[278] Invited Talk, Distinguished Lecture: H.Iwai, “High Dielectric Constant Gate Insulator
Technology”, WIMNACT Mini-Colloquium, July 4, 2006, Singapore
[279] Keynote Speech: H.Iwai, “Future of Nano-CMOS Technology and Its Production”, IPFA2006,
pp.1-17, July 5, 2006, Singapore
[280] E.Miranda, H.Iwai, “Modeling of the Leakage Current in Ultrathin La2O3 Films Using a
Eneralized Power Law Equation”, IPFA2006, pp.306-310 ,July 7, 2006, Singapore
[281] Invited Talk, Distinguished Lecture: H.Iwai, “Nano-CMOS and Its Manufacturing”, EDS
Tsinghua Student Chapter Opening Ceremony, July 10, 2006, Beijing, China
[282] Invited Talk: H. Iwai, “Histrical Trends and Future Perspectives of Silicon Technology
Scaling”, SINANO Summer School 2006, Bologna, Italy
[283] A.Kuriyama, O. Faynot, L. Brevard, A. Tozzo, L.Clerc, J.Mitard, V. Vidal, S. Deleonibus,
S.Cristoloveanu, H. Iwai, “Precise Extraction of Metal Gate Work Function from Bevel
Structures”, Solid State Devices and Materials Yokohama 2006, pp.210-211, September 13-15,
2006, Japan
[284] K. Ohmori, P.Ahmet, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, N. Umezawa, K.
Nakjima, M.Yoshitake, T. Nakayama, K.-S. Chang, K. Kakushima, Y. Nara, M.L. Green,
H.Iwai, K. Yamada, T. Chikyow, “Wide Controllability of Flatband Voltage in La2O3 Gate
31
Structures-Remarkable Advantages of La2O3 over HfO 2-”, Solid State Devices and Materials
Yokohama 2006, pp.432-433, September 13-15, 2006, Japan
[285] Keynote Talk: H. Iwai, “Academia-Industry collaborations in Japan in the field of
Nanoelectronics”, ENIAC-MEDEA+ Workshop, ESSDERC/ESSCIRC 2006, September 22,
2006, Montreux, Switzerland
[286] Invited Talk: H. Iwai, “CMOS for next 15 years as the mainstream of nano device technology:
problems, solutions and beyond that”, SINANO Workshop, ESSDERC/ESSCIRC 2006,
September 22, 2006, Montreux, Switzerland
[287] M. Nakagawa, J. Song, Y. Nara, M. Yasuhira, F. Ohtsuka, T. Akikado, K. Nakamura,
K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, H. Iwai, “High Frequency Model of Sub-100nm High-k
RF CMOS”, Satellite workshop to ESSDERC/ESSCIRC 2006, September 22,2006, Montreux,
Switzerland
[288] A.Kuriyama, O. Faynot, L. Brevard, A. Tozzo, L.Clerc, S. Deleonibus, J. Mitard, V. Vidal, S.
Cristoloveanu, H.Iwai, “Work Function Investigation in Advanced Metal Gate-HfO2-SiO2
Systems with Bevel Structures”, ESSDERC 2006, pp.109-112,September 19, 2006, Montreux,
Switzerland
[289] K. Tsutsui, Y. Sasaki, C-G. Jin, H. Sauddin, K. Majima. Y. Fukagawa, I. Aiba, H. Ito, B.
Mizuno, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, “Ultra-Shallow Junction Formation By Plasma
Doping And Flash Lamp Annealing”, RTP-2006, October 11, 2006, Kyoto, Japan
[290] A.N.Chandorkar,Ch.Ragunandan, P. Agashe, D. Sharma, H. Iwai, “Impact of Process
variations on Leakage Power in CMOS Circuits in Nano Era”, ICSICT-2006, Vol.2
pp.1248-1251, October 23-26, 2006, Shanghai, China
[291] K.Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, A. Ohta, H.
Watanabe, N. Umezawa, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Toii, T. Chikyow, Y. Nara, T-J. King Liu,
H. Iwai, K. Yamada, “Physics of Interfaces between gate electrodes and high-k dielectrics”,
ICSICT-2006, pp.384-387, October 23-26, 2006, Shanghai, China
[292] P. Ahmet, K. Kakushima, K. Tsutsui, N. Sugii, T.Hattori, H. Iwai, “La-based oxides for High-k
Gate Dielectric Application”, ICSICT-2006, pp.408-411, October 23-26, Shanghai, China
[293] K. Nagahiro, K. Tsutsui, T. Shiozawa, R. Xiang, P. Ahmet, K. Kakushima,Y. Okuno, M.
Matsumoto, M. Kubota, H. Iwai, “Thermal Stability of NiSi Controlled by Post Silicidation
Metal Doping Method”, ICSICT-2006, pp.466-469, October 23-26, 2006, Shanghai, China
[294] H.Sauddin, Y.Sasaki, H. Ito, B. Mizuno, P. Ahmet, K. Kakushima, N. Sugii, K. Tsutsui, H.
Iwai, “Leakage Current Characteristics of Ultra-Shallow Junctions Formed by B2H6 Plasma
Doping”, ECS 210th Meeting, ECS Transactions, Vol.3 No.2, pp.57-65, October
29-November 3, 2006, Cancun, Mexico
[295] H. Nohira, T. Matsuda, K.Tachi, Y.Shiino, J.Song, Y.Kuroki, Ng Jin Aun, P.Ahmet,
K.Kakushima, K.Tsutsui, E.Ikenaga, K.Kobayashi, H.Iwai, T.Hattori, “ Effect of Deposition
Temperature on Chemical Structure of Lanthanum Oxide/Si Interface Structure”, ECS 210th
Meeting, ECS Transactions,Vol.3 No.2, pp.169-173, October 29-November 3, 2006, Cancun,
Mexico
[296] T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, T. Nakaoka, K. Torii, A. Ohta, P.
Ahmet, K. Ohmori, N.Umezawa, H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada,
“Physics of Metal/High-k Interfaces”, ECS 210th Meeting, ECS Transactions, Vol.3 No.3,
pp.129-140, October 29- November 3, 2006, Cancun, Mexico
[297] K.Ohmori, P.Ahmet, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Watanabe, Y.Akasaka, N.Umezawa,
K.Nakajima, M.Yoshitake, T.Nakayama, K.-S. Chang, K.Kakushima, Y.Nara, M.L.Green.
H.Iwai, K.Yamada, T.chikyow, “Wide Controllability of Flatband Voltage in La2O3 Gate
Stack Structures - Remarkable Advantages of La2O3 over HfO2-”, ECS 210th Meeting, ECS
Transactions, Vol.3 No.3, pp.351-363, October 29-November 3, 2006, Cancun, Mexico
[298] K.Tachi, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai, “Effect of Oxygen for
Ultra-Thin La2O3 Film Deposition”, ECS 210th Meeting, ECS Transactions, Vol.3 No.3,
pp.425-434, October 29- November 3, 2006, Cancun, Mexico
[299] Y.Shiino, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai, “La2O3 Gate
Dielectric Thin Film with Sc2O3 Buffer Layer for High Temperature Annealing”, ECS 210th
Meeting, ECS Transactions , Vol.3 No.3, pp.511-519, October 29-November 3 2006, Cancun,
Mexico
[300] Y. Kuroki, Jin-Aun Ng, K. Kakushima, N. Sugii, K. Tsutsui, H. Iwai, “Al/ La2O3 Analysis of
Post Metallization Annealed MISFETs by XPS”, ECS 210th Meeting, ECS Transactions ,
Vol.1 No.5, pp.239-247, October 29-November 3 2006, Cancun, Mexico
[301] J. Molina, K. Kakushima, P. Ahmet, S. Nobuyuki, K. Tsutsui, H. Iwai, “BREAKDOWN AND
32
RELIABILITY OF METAL GATE - La2O3 THIN FILMS AFTER POST-DEPOSITION
ANNEALING IN N2”, ECS 210th Meeting, ECS Transactions , Vol.1 No.5, pp.757-765, Oct
ober 29-November 3 2006, Cancun, Mexico
[302] Invited Talk: H. Iwai , H. Wong, “Nano-CMOS Technology for Next Fifteeen Years”, The
IEEE TENCON Nanoscale CMOS Technology, p.9,November 14-17, 2006, Hong Kong
[303] Invited Plenary Talk: H. Iwai, “Nano CMOS Manufacturing”, The Conference on
Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, December 6-8, 2006, Perth,
Western Australia
[304] Invited Plenary Talk: H. Iwai, “ Nano CMOS Manufacturing”, The International Conference
on Computers and Devices for Communication (CODEC)2006, p.5, December, 18-20 2006,
Kolkata, India
[305] Keynote Speech: H. Iwai, “Nano CMOS Technology and Manufacturing”, The 4th
International Conference on Electrical & Computer Engineering, p.20, December 19-21, 2006,
Dhaka, Bangladesh
[306] Invited Talk, Distinguished Lecture: H. Iwai, “Electron Devices for Human Society”,
Inaugural Ceremony of IEEE Electron Devices Society Bangladesh Chapter, December 19,
2006, Dhaka, Bangladesh
[307] Invited Talk, Distinguished Lecture: H. Iwai, “Miniaturization of Semiconductor Devices for
Integrated Circuits”, IEEE EDS Mini-Colloquium on Microelectronics & VLSI, pp.5-8,
January 3, 2007, Bhubaneswar, India
[308] Invited Talk,Invited Talk :H. Iwai, “Future of Silicon Integrated Circuit Technology”, The
2007 Nano and Giga Challenges Conference, p.97, March 14 2007, Phoesnix, USA
[309] T. Shiozawa, K. Nagahiro, K. Tsutsui, P. Ahmet, K. Kakushima, and H. Iwai, “Improvement
of Thermal Stability of Ni Silicide by Al Interlayer Deposition”, The ECS ISTC 2007, March
20, 2007, pp.43-47, Shnghai, China
[310] Y. Kobayashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P.Ahmet, H.Iwai, “Parasitic
Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs”, ECS 211th Meeting, ECS
Transactions,Vol.6 No.4 pp.83-87, May 8, 2007, Chicago, USA
[311] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”,
WIMNACT/MQ 1 & IEDST, June 4, 2007, Tsinghua University, Beijing, China
[312] J. Song, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai, “Improvement of
interfacial properties with interfacial layer in La2O3/Ge Structure”, INFOS2007,
Microelectronic Engineering, pp.2336-2339,June20-23 2007, Glyfada, Athens, Greece
[313] S. Sato, K. Tachi , K. Kakushima , P. Ahmet , K. Tsutsui , N. Sugii , T. Hattori, H. Iwai,
“Thermal-Stability Improvement of LaON Thin Film Formed Using Nitrogen Radicals”,
INFOS2007, Microelectronic Engineering, pp.1894-1897, June20-23 2007, Glyfada, Athens,
Greece
[314] T. Kawanago, K. Tachi , J. Song , K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui , N. Sugii , T. Hattori
H. Iwai, “Electrical Characterization of Directly Deposited La-Sc Oxides Complex for Gate
Insulator Application", INFOS2007, Microelectronic Engineering, pp.2235-2238, June20-23
2007, Glyfada, Athens, Greece
[315] Invited Talk :H. Iwai, “Future of Silicon Integrated Circuit Technology”, Second International
Conference on Industrial and Information systems, August 8-11, 2007, University of
Paradeniya, Sri Lanka
[316] H. Iwai, “Past and Future of Silicon Integrated Circuit Technology”, School of Physics,
September 7, 2007, Xinjiang University, Xinjiang, China
[317] K. Okamoto, M. Adachi, K. Kakushima, P. Ahmet, N. Sugii, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai,
“Effective Control of Flat-band Voltage in HfO2 Gate Dielectric with La2O3 Incorporation” ,
ESSDERC 2007, September 11-13, 2007, Munich, Germany
[318] Y.C.Ong,D.S.Ang,S.J.O’Shea,K.L.Pey,T.Kawanago,K.Kakushima,H.Iwai,“Characterization
of the Sc2O3/ La2O3 High-k Gate Stack by STM”, SSDM TSUKUBA2007, September 19-21,
2007, Tsukuba, Japan
[319] Keynote Speech:H. Iwai, “Gate stack technology for next 25 years”, 4th International
Symposium on Advanced Gate Stack Technology, September 26, 2007, Dallas, Texas, USA
[320] K.Tsutsui, K.Nagahiro, T.Shiozawa, P.Ahmet, K.Kakushima, H. Iwai, “Improvement of
Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes”, ECS
212th Meeting, ECS Transactions, Vol.11, No.6, pp.207-213, October 7-12, 2007, Washington,
USA
[321] K.Tachi, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H.Iwai, “Improvement of
Interface of W/La2O3/Si MOS Structure Using Al Capping Layer”, ECS 212th Meeting, ECS
33
Transactions, Vol.11, No.4, pp.191-198, October 7-12, 2007, Washington, USA.
[322] M.Adachi, K.Okamoto, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H.Iwai,
“Control of Flat Band Voltage by Partial Incorporation of La2O3 or Sc2O3 into MfO2 in
Metal/MfO2/SiO2/Si MOS Capacitors”, ECS 212th Meeting, ECS Transactions, Vol.11 No.4,
pp.157-167, October 7-12, 2007, Washington, USA
[323] Invited Talk, Distinguished Lecture:H.Iwai, “Future Gate Stack Technology”,
Mini-Colloquium at IBM East Fishkill, December 7, 2007, New York, USA
[324] Golden Jubilee Distinguished Lecture: H.Iwai, “Past and Future Half-Centuries for
Semiconductor Device Development”, Indian Institute of Technology , Bombay, January 11 ,
2008, Bombay, India
[325] H.Iwai, “Advanced Logic Technologies with New Materials and Strucures”, Inadian Institute
of Science, January 18 , 2008, Bangalore, India
[326] H.Iwai, “Past and future for micro-and nano-electronics, focusing on Si integrated circuits
technology”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloqiia on Nanometer COMOS Technology
(WIMNACT) , March 6-7, 2008, Sikkim, India
[327] K. Tsutsui, T. Shiozawa, K. Nagahiro, Y. Ohishi, K. Kakushima, P. Ahmet, N. Urushihara, M.
Suzuki, H. Iwai, “Improvement of Thermal Stability of Ni Silicide on N+-Si by Direct
Deposition of Group III Element (Al, B) Thin Film at Ni/Si Interface”, MAM2008, pp.63-64,
March 2-5, Dresden, Germany
[328] Y. Ohishi, K. Noguchi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai,
“Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide/Si Contacts by Insertion of Thin Er or Pt
Layers”, The ECS ISTC 2008, pp.459-462, March 16, 2008, Shnghai, China
[329] Y. Morozumi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui,N. Sugii, T. Hattori, K. Natori , H.Iwai,
“Properties of Ballistic current in MOSFETs studied by RT model”, The ECS ISTC 2008,
pp.129-132, March 16,2008, Shnghai, China
[330] Keynote Speech: H.Iwai, “CMOS Technology after Reaching the Scale Limit”, IWJT-2008,
pp.1-2, May 15-16, 2008, Shanghai, China
[331] K. Tsutsui, M. Watanabe, Y. Nakagawa, K. Sasaki, T. Kai, Cheng-Guo Jin, Y. Sasaki, K.
Kakushima, P. Ahmet, B. Mizuno, T. Hattori, H.Iwai, “Profiling of Carrier Properties for
Shallow Junctions Using a New Sub-nanometer Step-by-step Etching Technique”, IWJT-2008,
pp.58-61, May 15-16, 2008, Shanghai, China
[332] K. Kakushima, K. Okamoto, K. Tachi, S. Sato, T. Kawanago, J. Song, P. Ahmet, N. Sugii, K.
Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, “Impact of Thin La2O3 Insertion for MfO2 MOSFET”, ECS 213th
Meeting, ECS Transactions, Vol.13, No.2, pp.29-37, May 19, 2008, Phoenix, USA
[333] K. Tsutsui, T. Shinozawa, K. Nagahiro, Y. Ohishi, K. Kakushima, P. Ahmet, N. Urushihara, N.
Suzuki, H. Iwai, “Effects of B Al Interface Layers on Thermal Stability of Ni Silicide on Si”,
ECS 213th Meeting, Vol.13, No.1, pp.413-419, May 21, 2008, Phoenix, USA
[334] N. Umezawa, K, Shiraishi, K. Kakushima, H. Iwai, K. Ohmori, K. Yamada, T. Chikyow,
“Relation between solubility of silicon in high-k oxides and the effect of Fermi level pinning”,
ECS 213th Meeting, ECS Transactions,Vol.13, No.2, pp.15-20, May, 2008, Phoenix, USA
[335] Invited Talk, Distinguished Lecture: H. Iwai, “Past and future for micro-and nano-electronics,
focusing on Si integrated circuits technolog”, IEEE EDS Committee, AdCom &ExCom
Meeting Mini-Colloquium, June 2, 2008, National Technical University at Athenes, Greece
[336] Invited Talk, Distinguished Lecture: H.Iwai, “Past and future for micro- and nano-electronics,
focusing on Si integrated circuits technology”, Mini-Colloquia, Sabanci University, Jun. 4,
2008, Istanbul, Republic of Turkey
[337] Invited Talk, Distinguished Lecture: H.Iwai, “Future of Nano-CMOS after Scaling Limit”,
Mini-Colloquia, Pontificia Universidad Javeriana, Mini-Colloquium, September 8, 2008,
Bogota, Colombia
[338] Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V. R. Rao, H. Iwai, “Analysis of
Threshold Voltage Variations of FinFETs : Separation of Short Channel Effects and Space
Charge Effects”, Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), September,
2008, Tsukuba, Japan
[339] K. Kakushima, K. Okamoto, K. Tachi, S. Sato, J. Song, T. Kawanago, P. Ahmet, N. Sugii, K.
Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, “Interfacial Dipole Measurement of Dielectric/Silicon Interface by
X-ray Photoelectron Spectroscopy”, PRIME 2008: Joint International Meeting, ECS
Transactions, October 14, 2008, Honolulu, Hawaii, USA
[340] H. Nohira,Y. Takenaga,K.Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, H. Iwai, “Annealing-temperature
Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and
34
ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer”, PRIME 2008: Joint International Meeting, ECS
Transactions, ECS Transactions, Vol.16, No.5, pp.171-176, October 14, 2008, Honolulu,
Hawaii, USA
[341] K. Okamoto, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, A.N.Chandorkar, T. Hattori,H.Iwai,
“0.5 nm EOT MOS structure with TaSix/W stacked gate electrode”, PRIME 2008: Joint
International Meeting, ECS Transactions, Vol.16, No.5, pp.203-212, October 14, 2008,
Honolulu, Hawaii, USA
[342] K.Noguchi , W.Hosoda , K.Matano , K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, A. N.
Chandorkar, T.Hattori , H.Iwai, “Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its
Application to SB-MOSFETs”, PRIME 2008: Joint International Meeting, ECS Transactions,
October 14, 2008, Honolulu, Hawaii, USA
[343] Y. Lee, T. Nagata, K. Kakushima, K. Shiraishi, H. Iwai, “Electronic Structure Analysis of
Silicon Nanowires for High Conductivity in n- and p-channel Nanowire-FET”, PRIME 2008:
Joint International Meeting, ECS Transactions, October 14, 2008, Honolulu, Hawaii, USA
[344] Y. Kobayashi , A. Sachid, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet ,V. Rao, H. Iwai, “Analysis of
Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects”, PRIME 2008:
Joint International Meeting, ECS Transactions, October 14, 2008, Honolulu, Hawaii, USA
[345] M. Kouda, K. Tachi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Chandorkar , T.
Hattori, H. Iwai, “Electric Properties of CeOX /La2O3 Stack as Gate Dielectric in Advanced
MOSFET Technology”, PRIME 2008: Joint International Meeting, ECS Transactions, Vol.16
No.5, pp.153-160, October 14, 2008, Honolulu, Hawaii, USA
[346] J. Song, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai, “Effect of
Ultrathin Si Passivation Layer for Ge MOS Structure with La2O3 Gate Dielectric”, PRIME
2008: Joint International Meeting, ECS Transactions, Vol.16, No.5, pp.285-293, October 14,
2008, Honolulu, Hawaii, USA
[347] M. Hino, K. Nagata, T. Yoshida, D. Kosemura, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii,
A. Ogura, T. Hattori, H. Iwai, “Study on Stress Memorization by Argon Implantation and
Annealing”, PRIME 2008: Joint International Meeting, ECS Transactions, Vol.16 No.10,
pp.117-124, October 14, 2008, Honolulu, Hawaii, USA
[348] K. Kakushima, K. Tachi, M. Adachi, K. Okamoto, S. Sato, T. Kawanago, P.Ahmet, K.Tsutsui,
N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai, “Advantage of La2O3 Gate Dielectric over HfO2 for Direct
Contact and Mobility Improvment”, ESSDERC 2008, pp. 126-129, October 15-19, 2008,
Scotland, UK
[349] K.Tsutsui, M. Watanabe, Y. Nakagawa, T. Matsuda, T.Yoshida, E. Ikenaga, K. Kakushima,
P.Ahmet, H. Nohira, T. Maruzumi, A. Ogura, T. Hattori, H. Iwai, “New Analysis of Heavily
Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-ray Photoelectron Spectroscopy”,
ESSDERC 2008, pp. 142-145, October 15-19 ,2008, Scotland, UK
[350] P.Ahmet, T. Shiozawa, K.Nagahiro, K.Kakushima, K.Tsutsui, T. Chikyow, H.Iwai, “Ni
silicidation on Heavily Doped Si Substrates”, ICSICT2008, Vol.2 pp.1304-1307, October
20-23, 2008, Beijing, China
[351] H.Iwai, “Past and future for micro-and nano-electronics, focusing on Si integrated circuits
technology”, Changchun University of Science and Technology, Mini-Colloquium, October 24,
2008, Changchun, China
[352] H.Iwai, “Technology Scaling and Roadmap for 22nm CMOS logic and beyond”, Dalian
University of Technology, Mini-Colloquium,October 27, 2008, Dalian, China
[353] H.Iwai, “Future of Nano-CMOS after Scaling Limit”, Shenyang University of Technology,
Mini-Colloquium,October 28, 2008, Shenyang, China
[354] Invited Talk: H. Iwai, “Introduction of new materials into Si-integrated Circuits”, C-MRS,
November 23, 2008, South China University of Technology, Guangzhou, China
[355] H. Iwai, “Past and Future of Si integrated Circuit Technology”, Xiangtan University,
November 24, 2008, Xiangtan, China
[356] H. Iwai, “Introduction of new materials into Si integrated circuits”, Hunan University,
November 27, 2008, Changsha, China
[357] H. Iwai, “Past and future of Si integrated circuit technologies”, Nanjing University, November
28, 2008, Nanjing, China
[358] H. Iwai, “Technology Scaling and Roadmap” 2008 IEDM Short Course : 22nm CMOS
Technology, Decemver 14, 2008, San Francisco, USA
[359] H.Iwai, “Downsizing of transistors towards its Limit”, NIT Calicut, January 5, 2009, Calicut,
India
[360] Invited Talk, Distinguished Lecture: H.Iwai, “Technology Scaling and Roadmap for 22nm
35
and beyond”, Kyungpook National University, Mini-Colloquium, March 13, 2009, Daegu,
Korea
[361] H. Fujisawa, A. Srivastava, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori1, C. K.
Sarkar, H. Iwai, “Electrical Characterization of W/HfO2 MOSFETs with La2O3 Incorporation”,
ISTC /CSTIC2009, p.53, March 19,2009, Shanghai, China
[362] H. Kamimura，H. Arai，S. Sato，K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H.
Iwai, “Evaluation of Lateral Ni Diffusion in Si Nanowire Schottky Contact”, ISTC
/CSTIC2009, p.58, March 19,2009, Shanghai, China
[363] Invited Talk, Distinguished Lecture: H. Iwai, “Technology Scaling and Roadmap for 22nm
CMOS and beyond”, University College of Dublin, EDS Mini-Colloquium on Advanced
Electron Devices modeling and Technology, May 1, 2009, Dublin, Ireland
[364] Invited Talk: H. Iwai, “Technology Roadmap for 22nm CMOS and Beyond”, IEEE/2nd IEEE
International Workshop On Electron Devices And Semiconductor Technology, June 1, 2009,
Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, India
[365] H.Iwai, “Past and Future of Integrated Circuits Technology”, International Conference on
Frontiers of Physics(ICFP 2009), p.60, June 2-5,2009, Kathmandu, Nepal
[366] K.Tachi, T. Ernst, C. Dupre, A. Hubert, S. Becu, H. Iwai, S. Cristoloveanu, O. Faynot,
“Transport Optimization with Width Dependence of 3D-stacked GAA Silicon Nanowire FET
with High-k/Metal Gate Stack”, 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop, June 13, 2009,
Kyoto, Japan
[367] H. Iwai, “Nono-CMOS Technology after Reaching Its Scaling Limit”, Future Trends in
Microelectronics(FTM-2009) Workshop, June 16, Sardinia, Italy
[368] P.Ahmet, T. Nagata, K.Kakushima, K.Tsutsui, T. Chikyow, H. Iwai, “On the thermal stability
of nicket silicides”, Future Trends in Microelectronics(FTM-2009) Workshop, June 16,
Sardinia, Italy
[369] M.Kouda, N.Umezawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Shiraishi, T.Chikyow, K.Yamada, H.Iwai,
“Charged defects reduction in gate insulator with multivalent materials”, 2009 Symposium on
VLSI Technology Digest of Technical Papers, pp.200-201, June 17, 2009, Kyoto, Japan
[370] Plenary Invited Talk: H.Iwai, “Roadmap for 22nm and beyond”, INFOS2009, June 29, 2009,
Clare College, Cambridge, UK
[371] J. Song, K. Kakushima, P.Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai, “Post metallization
annealing study in La2O3/Ge MOS structure”, INFOS2009, Microelectronic Engineering, Vol.
86, pp.1638-1641, June 28-July 1, 2009, Cambridege University, UK
[372] T. Kawanago, J. Song, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H.
Iwai ,“Experimental Study for High Efffective Mobility with directly deposited HfO2/La2O3
MOSFET”, INFOS2009, Microelectronic Engineering, Vol. 86, pp.1629-1631, June 28-July 1,
2009, Cambridege University, UK
[373] H.Iwai, “Si Nanowire experiment”, G-COE Workshop on Nanoelectronics, July 3, 2009,
University of Cambridege, UK
[374] K.Kakushima, H.Iwai, “High-k Experiment below 0.5-nm EOT”, G-COE Workshop on
Nanoelectronics, July 3, 2009, Cambridege University, UK
[375] Keynote Speech: H.Iwai, “Logic LSI Technology Roadmap for 22nm and Beyond”, IPFA2009,
July 8, Suzhou, China
[376] H.Iwai, “Future nanoelectronic device technologies - high-k, nanowire and alternative
channel-”, NSC-JST Nano Device Workshop, July 23, 2009, National Nano Device
Laboratories, Hsinchu, Taiwan
[377] S. Sato, H. Kamimura, H. Arai, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Ohmori, K. Yamada, H. Iwai,
“High-Performance Si Nanowire FET with a Semi Gate-Around Structure Suitable for
Integration”, ESSDERC 2009, 39th European Solid-State Device Research Conference,
pp.249-252, September 14-18, 2009, Athens, Greece
[378] K. Kakushima, K. Okamoto, T. Koyanagi, K. Tachi, M. Kouda, T. Kawanago, J. Song, P.
Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai, “Selection of Rare Earth Silicate with SrO
Capping for EOT Scaling below 0.5 nm”, ESSDERC 2009, 39th European Solid-State Device
Research Conference, pp.403-406, September 14-18, 2009, Athens, Greece
[379] H.Iwai, “Roadmap for Nano-CMOS”, ECS 216th Meeting, ECS Transactions, Vol.25, No.7,
pp.67-76, October 7, 2009, Vienna, Austria
[380] K.Kakushima, P.Ahmet, H. Iwai, “Overwhelming the 0.5 nm EOT Level for CMOS Gate
Dielectric”, ECS 216th Meeting, ECS Transactions, Vol.25, No.7, pp.171-75, October 4-9,
2009, Vienna, Austria
[381] M.Mamatrishat, M.Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, K. Natori, T.
36
Hattori, H. Iwai, “Analysis of Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFETs
with CeO2/La2O3 Gate Stacks”, ECS 216th Meeting, ECS Transactions,Vol.25, No.7,
pp.253-257, October4-9, 2009, Vienna, Austria
[382] H.Arai, H.Kamimura, S.Sato, K.Kakushima, P. Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori,
H.Iwai, “Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire”, ECS 216th Meeting, ECS
Transactions, Vol.25, No.7, pp.447-454, October 4-9, 2009, Vienna, Austria
[383] T.Koyanagi, K.Okamoto, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A. Nishiyama, N.Sugii, K.Natori,
T.Hattori, H.Iwai, “Impact of Alkali Earth Elements Incorporation on Electrical Characteristics
of La2O3 Gated MOS Device”, ECS 216th Meeting, ECS Transactions, Vol.25, No.6, pp.17-22,
October 4-9, 2009, Vienna, Austria
[384] M.K.Bera, J.Song, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai, “Electrical
Properties of Lanthanum-scandate Gate Dielectric Directly Deposited on Ge”, ECS 216th
Meeting, ECS Transactions,Vol.25, No.6, pp.67-77, October 4-9, 2009, Vienna, Austria
[385] K.Funamizu, Y.C.Lin, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, E.Y.Chang, T.Hattori,
H.Iwai, “Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS
Structure”, ECS 216th Meeting, ECS Transactions, Vol.25, No.6, pp.265-270, October 4-9,
2009, Vienna, Austria
[386] H.Nohira, Y.Kon, K.Kitamura, M.Kouda, K.Kakushima, H.Iwai, “Annealing-temperature
Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx / LaOx/Si
and LaOx/CeOx /Si Structure”, ECS 216th Meeting, ECS Transactions,Vol.25, No.6,
pp.321-326, October 4-9, 2009, Vienna, Austria
[387] H.Nakayama, K.Kakushima, P.Ahmet, E.Ikenaga, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai,
“Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La2O3 MOS Capacitors”,
ECS 216th Meeting, Vol.25, No.6, pp.339-345, October 4-9, 2009, Vienna, Austria
[388] Y. Lee, K. Kakushima, K. Shiraishi, K. Natori, H. Iwai, “Systematic Study on Size
Dependences of Transport Parameters for Ballistic Nanowire-FET with Effective Mass
Approximation”, 2009 International Conference on Solid Sate Devices and Materials, E-7-5,
October 2009, Sendai Kokusai hotel, Miyagi, Japan
[389] H. Iwai, “Miniaturization and future prospects of Si devices”, G-COE PICE International
Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology,
Japan
[390] M. K. Bera, J. Song, P. Ahmet, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, T. Hattori,
H. Iwai, “Rare-earth based mixed oxide as high-k gate dielectrics for Ge MOSFET”, G-COE
PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute
of Technology, Japan
[391] J. Song, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori and H. Iwai, “Effect of
Ultrathin Si Passivation Layer for La2O3/Ge MOS structure”, G-COE PICE International
Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology,
Japan
[392] T. Kawanago, K. Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Experimental Investigation of VFB shift and Effective Mobility in La2O3
MOS Devices”, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, October
13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan
[393] S. Sato, H. Arai, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, “Evaluation of Channel Potential Profile
of Si Nanowire Field Effect Transistor”, G-COE PICE International Symposium on Silicon
Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan
[394] M. Mamatrishat, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Study on Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFETs with
CeO2/ La2O3 Gate Stacks”, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices,
October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan
[395] A. Abudukelimu, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Current-Voltage Characteristics of Ballistic Nanowire MOSFET by
Numerical Analysis”, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices,
October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan
[396] M. Kouda, N. Umezawa, K. Kakushima, H. Nohira, P. Ahmet, K. Shiraishi, T. Chikyow, K.
Yamada, H. Iwai, “Charged defects reduction in gate insulator with multivalent materials”,
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo
Institute of Technology, Japan
[397] Y. Lee, K. Kakushima, K. Shiraishi, K. Natori, H. Iwai, “Size-Dependent Transport
Characteristics of Ballistic Silicon Nanowire FETs”, G-COE PICE International Symposium on
37
Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan
[398] H. Nakayama, K. Kakushima, P. Ahmet, E. Ikenaga,K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai,
“Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La2O3 MOS Capacitors”,
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[399] H. Arai, H. Kamimura, S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama,K. Tsutsui, N. Sugii,
K. Natori, T. Hattori H. Iwai, “Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire”,
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo
Institute of Technology, Japan
[400] K. Funamizu, T. Kanda, Y.C. Lin, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N.
Sugii, E.Y. Chang, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical Characteristics of HfO2 and
La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure”, G-COE PICE International
Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology,
Japan
[401] W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori,
T.Hattori, H.Iwai, “A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer
Insertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs”, G-COE PICE International Symposium
on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan
[402] K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, N. Sugii, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, “Threshold
Voltage Control in p-MOSFET with High-k Gate dielectric”, G-COE PICE International
Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology,
Japan
[403] T. Koyanagi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui,A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Influence of Alkali Earth Elements Capping on Electrical Characteristics of
La2O3 Gated MOS Device”, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices,
October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan
[404] Y. Kobayashi, K. Kakushima, P. Ahmet, V. Ramgopal Rao, K. Tsutsui, H. Iwai,
“Short-channel effects on FinFETs induced by inappropriate fin widths”, G-COE PICE
International Symposium on Silicon Nano Devices, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[405] Keynote Speech: H. Iwai, “Past and future of Micro/Nano-electronics”, IEEE EDS & SKP
Workshop 2009, Novemver 4, 2009, SKP Engineering College,Tiruvannamalai, India
[406] Invited Talk, Distinguished Lecture: H. Iwai, “Past and future of Micro/Nano-electronics”,
IEEE EDS Mini Colloquia, November 9, 2009, Government Engineering College, Port Blair,
India
[407] K. Tachi, M. Casse, D. Jang, C. Dupre, A. Hubert, N. Vulliet, C. Maffini-Alvaro, C. Vizioz, C.
Carabasse, V. Delaye, J.M.Hartmann, G. Ghibaudo, H. Iwai, S. Cristoloveanu, O. Faynot,
Ernst, “Relationship between mobility and high-k interface properties in advanced Si and SiGe
nanowires”, IEDM 2009, December 8, 2009, Baltimore, USA
[408] Plenary Invited Talk:H. Iwai, “Si MOSFET Roadmap for 22nm and beyond”, CODEC 2009,
December 14, 2009, Hyatt Regency, Kolkata, India
[409] H. Iwai, “Past and Future of Silicon Electronic Devices”, December 15, 2009, National
Symposium on “Science and Technology and the Young (Career, Creativity and Excitement)”
Organized by National Academy of Science, Calcutta University, Kolkata, India
[410] Invited Talk, Distinguished Lecture: H Iwai, “Future nanoelectronic device technologies high-k, nanowire and alternative channel”, IEEE AP & ED Joint MQ, January 13, 2010,
IIT Bombay, Bombay, India
[411] K.Matano, K. Funamizu, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical Characteristics of Rare Earth (La, Ce, Pr and
Tm) Oxides/Silicates Gate Dielectric”, China Semiconductor Technology International
Conference,Vol.27, No.1, pp.1129-1134, March 18-19, 2010, Shanghai, China
[412] W. Hosoda, K. Ozawa, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide
Containing Er Interlayer” China Semiconductor Technology International Conference, Vol.27,
No.1, pp.1105-1110, March 18-19, 2010, Shanghai, China
[413] A. Abudukelimu, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Performance of Silicon Ballistic Nanowire MOSFET with Diverse
Orientations and Diameters”, China Semiconductor Technology International Conference,
Vol.27, No.1, pp.1111-1116, March 18-19, 2010, Shanghai, China
[414] H Iwai, “Si Nanoelectronic Device Technology”, March 10, 2010, University of Science and
38
Technology of China, Hefei, China
[415] H Iwai, “Past and Future of Integrated Circuits Technology”, March 15, 2010, Jiangxi
University of Finance and Economics, Nanchang, China
[416] H Iwai, “Past and Future of Integrated Circuits Technolog”, March 16, 2010, East China
Jiaotong University, Nanchang, China
[417] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Si Nanoelectronic Device Technolohy” , IEEE
EDS DL, Beyond the definition of classical devices & communication technology, Siliguri
Institute of Technology, March 29, 2010, Siliguri Institute of Technology, Siliguri, India
[418] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Si Nanoelectronic Device Technology", IEEE
EDS WIMNACT 23, April 2, 2010, IIT Guwahati, Guwahati, India
[419] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Si Nanoelectronic Device Technology", IEEE
EDS WIMNACT 23, April 5, 2010, North-Eastern Hill University, Shillong, India
[420] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Si Nanoelectronic Device Technology", IEEE
EDS WIMNACT 23, April 8, 2010, NIT Silchar, Silchar, India
[421] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Nanoelectronic Device Technology", IEEE
EDS WIMNACT 23, April 9, 2010, Heritage Institute of Technology, Kolkata, India
[422] P. Ahmet, K. Kakushima, H Iwai, “Towards the Ultimate Scaling of MOSFET Gate
Dielectrics - Direct Contact of High-k and Silicon-", ECS 217th Meeting, Vol.28, No.2,
pp.69-73, April 26, 2010, Vancouver, Canada
[423] P. Ahmet, W. Hosoda, K. Noguchi, Y. Ohishi, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Iwai, “Er Inserted
Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs”, IEEE IWJT 2010 Extended
Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology, pp.62-64, May 11, 2010,
Shanghai, China
[424] A. Uedono, K. Tsutsui, S. Ishibashi, H. Watanabe, S. Kubota, K. Tenjinbayashi, Y. Nakagawa,
B. Mizuno, T. Hattori, H. Iwai, “Vacancy-Type Defects in Ultra-Shallow Junctions Fabricated
Using Plasma Doping Studied by Positron Annihilation”, IEEE IWJT 2010 Extended
Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology, pp.149-154, May 11, 2010,
Shanghai, China
[425] K. Tsutsui, N. Hoshino, Y. Nakagawa, M. Tanaka, H. Nohira, K. Kakushima, P. Ahmet, Y.
Sasaki, B. Mizuno, T. Hattori, H. Iwai, “Depth Profiling of Chemical Bonding States of
Impurity Atoms and Their Correlation with Electrical Activity in Si Shallow Junctions”, IEEE
IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology,
pp.174-177, May 11, 2010, Shanghai, China
[426] K. Tsutsui, Y. Kobayashi, K. Kakushima, P. Ahmet, V. R. Rao, H. Iwai, “Analysis of
Threshold Voltage Variation in Double-gate MOSFETs(FinFETs), International Symposium
on technology Evolution for Silicon Nano-Electronics(ISTESNE), p.53, June 4, 2010, Tokyo
Institute of Technology, Tokyo, Japan
[427] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Past and future of Si integrated circuit device
technologies” , IEEE EDS Mini Colloquium, June 7, 2010, Institute for Microelectronics
Stuttgart(IMS-CHIPS), Stuttgart, Germany
[428] K. Kakushima, T. Koyanagi, D. Kitayama, M. Kouda, J. Song, T. Kawanago, M. Mamatrishat,
K. Tachi, M. K. Bera,P. Ahmet, H. Nohira, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, K. Yamada, H. Iwai, “Direct Contact of High-k/Si Gate Stack for EOT below 0.7 nm
using LaCe-silicate Layer with Vfb controllability”, 2010 Symposium on VLSI Technology,
pp.69-70, June 15, 2010, Honolulu, Hawaii, USA
[429] Keynote Speech:H. Iwai, “Future perspective for the mainstream CMOS technology and their
contribution to green technologies”, 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and
Applications of Advanced Semiconductor Devices, July 1, 2010, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[430] H. Iwai, “Nanoelectronic Device Technology - Future perspective for the mainstream CMOS
technology-”, July 15, 2010, Xinjiang University, Xinjiang, China
[431] Invited Talk:H. Iwai,“Si Nanowire Device and its Modeling”, International Conference on
Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD), September 6, 2010, , Bologna,
Italy
[432] T. Kawanago, Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “Optimized Oxygen Annealing Process for Vth Tuning of p-MOSFET with
High-k/Metal Gate Stacks”, ESSDERC 2010, 40th European Solid-State Device Research
39
Conference, September 15, 2010, Seville, Spain
[433] S. Sato,Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Ohmori, K. Natori, K. Yamada, H. Iwai, “Gate
Semi-Around Si Nanowire FET Fabricated by Conventional CMOS Process with Very High
Drivability”, ESSDERC 2010, 40th European Solid-State Device Research Conference,
September 16, 2010, Seville, Spain
[434] K. Tachi, N. Vulliet, S. Barraud, B. Guillaumot, V. Maffini-Alvaro, C. Vizioz, C. Arvet, Y.
Campidelli, P. Gautier, J.M. Hartmann, T. Skotnicki, S. Cristoloveanu, H. Iwai, O. Faynot, T.
Ernst, “3D Source/Drain Doping Optimization in Multi-Channel MOSFET, ESSDERC 2010,
40th European Solid-State Device Research Conference, September 16, 2010, Seville, Spain
[435] H. Iwai, “Future Silicon Nanoelectronic Technology”, Shandong University, September 21,
2010, Jinan, China
[436] Invited Talk:H. Iwai, “High-k Gate Stack Technology Beyond 0.5 nm EOT”, 11th IUMRS
International Conference in Asia, September 28, 2010, Qingdao, China
[437] T. Koyanagi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Impact of Alkali-Earth-Elements Incorporation on Vfb R0ll-Off
Characteristics of La2O3 Gated MOS Device”, ECS 218th Meeting, ECS Transactions,Vol.33,
No.3, pp.67-74, October 11, 2010, Las Vegas, USA
[438] M. Bera, P. Ahmet, K. Kakushima, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Nishiyama, T. Hattori, H. Iwai,
“Electrical Properties of Yttrium-Titanium Oxide High-k Gate Dielectric on Ge”, ECS 218th
Meeting, ECS Transactions ,October 11, 2010, Las Vegas, USA
[439] M. Mamatrishat, M. Kouda, T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Aierken, K. Tsutsui,
A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, H. Iwai, “Effect of Remote-Surface –Roughness Scattering
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Vegas, USA
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[448] K. Ozawa, M. Kouda, Y. Urabe, T. Yasuda, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, “La2O3
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[449] H. Iwai, “Si Nanowire FET Modeling and Technology”, Institute of Microelectronics Chinese
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[450] K. Tachi, M. Casse, S. Barraud, C. Dupre, A. Hubert, N. Vulliet, M.E. Faivre, C. Vizioz, C.
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[451] T. Nakayama, K. Kakushima, O. Nakatsuka, Y. Machida, S. Sotome, T. Matsuki, K. Ohmori,
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[455] M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet，K. Tsutsui，A, Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori，
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2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and
Technology(IWDTF-11) , January 20, 2011, Tokyo, Japan
[456] M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A, Nishiyama，N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai，“Preparation and electrical characterization of CeO2 films for gate dielectrics
application: comparative study of CVD and ALD processes”, 2011 International Workshop on
Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology(IWDTF-11) , January
20, 2011, Tokyo, Japan
[457] Y. Lee, K. Kakushima, K. Natori，H. Iwai，“Cross-sectional distribution of phonon-limited
electron mobility in rectangular silicon nanowire field effect transistors”, 2011 International
Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and
Technology(IWDTF-11) , January 20, 2011, Tokyo, Japan
[458] D. Hassanzadeh，T. Takashi，K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Effects of In0.53Ga0.47As Surface Preparation on MOS Device
Electrical Characterization”, 2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future
ULSI Devices: Science and Technology(IWDTF-11) , January 20, 2011, Tokyo, Japan
[459] Introductory Talk: H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, IEEE EDS
Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 26), February 9, 2011,
Tokyo, Japan
[460] E. Y. Chang, H. Iwai, “III-V MOSFETs for Next Generation-Fabrication of III-V MOS
Capacitor”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March 3, 2011, Tokyo, Japan
[461] H. Iwai, “High-K Gate Dielectronics for Future III-V FET”, Taiwan-Japan Workshop on
“Nano Devices”,p.52, March 3, 2011, Tokyo, Japan
[462] K. Tachi, K. Kakushima, H. Iwai, S. Cristoloveanu, T. Ernst, “Characterization of carrier
transport in vertically-stacked Si nanowire FETs”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano
Devices”,March 3, 2011, Tokyo, Japan
[463] S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Ohmori, K. Natori, K. Yamada, H. Iwai, “Influence of
the cross-sectional shape for Si nanowire FETs”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano
Devices”,March 3, 2011, Tokyo, Japan
[464] Y. Lee, K. Kakushima, K. Natori, H. Iwai, “Corner Effects on Phonon-Limited Mobility in
Rectangular Si Nanowire MOSFETs”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March 3,
2011, Tokyo, Japan
[465] A. Abudukelimu, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Natori, H. Iwai, “Influence of Phonon
Generation of Hot Electrons in Drain Region on Ballistic Transport”, Taiwan-Japan Workshop
on “Nano Devices”,March 3, 2011, Tokyo, Japan
[466] N. Shigemori, S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “An effective suppression process for Ni silicide enchroachment into Si
41
nanowire”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March 3, 2011, Tokyo, Japan
[467] M. Koyama, N. Shigemori, H. Arai, S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A.
Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Lateral encroachment of Ni silicide into
silicon nanowire”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March 3, 2011, Tokyo, Japan
[468] K. Nakajima, S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “Interface State Density Measurement of Three Dimensional Silicon
Structures by Charge Pumping Method”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March
3, 2011, Tokyo, Japan
[469] T. Kawanago, T. Suzuki, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “An effective process for oxygen defect suppression for La-based
oxide gate dielectric”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March 3, 2011, Tokyo,
Japan
[470] T. Koyanagi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Flatband Voltage Shift of La-based Gate Oxides with Alkali-earth-elements
Incorporation”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March 3, 2011, Tokyo, Japan
[471] T. Kaneda, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “Effect of rare earth oxide capping for La-based gate oxides”,
Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March 3, 2011, Tokyo, Japan
[472] M. Mamatrishat, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, H.
Iwai, “Remote-surface-roughness scattering-limited electron, mobility in ultrathin high-k gate
stacked MOSFETs”, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,March 3, 2011, Tokyo,
Japan
[473] D. Kitayama, T. Kubota, T. Koyanagi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Precise Control of Silicate Reaction with La2O3 Gate
Dielectrics towards Equivalent Oxide Thickness of 0.5 nm”, Taiwan-Japan Workshop on
“Nano Devices”, March 3, 2011, Tokyo, Japan
[474] T. Kanda, D. Zade, Y. -C. Lin, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii,
E. Y. Chang, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Annealing Effect on the Electrical Properties of
La2O3/InGaAs MOS Capacitors”, CSTIC2011,March 13, 2011, Shanghai, China
[475] T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Metal Inserted Poly-Si Stacks with La2O3 Gate Dielectrics for Scaled EOT
and VFB Control by Oxygen Incorporation”, CSTIC2011, March 13, 2011, Shanghai, China
[476] S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Ohmori, K. Natori, K. Yamada, H. Iwai, “Structural
Effects of Channel Cross-section on a Gate Capacitance of Silicon Nanowire Field-Effect
Transistors”, CSTIC2011, March 14, 2011, Shanghai, China
[477] P. Ahmet, D. Kitayama, T. Kaneda, T. Suzuki, T. Koyanagi, M. Kouda, M. Mamatrishat T.
Kawanago, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai,
“TiN/W/La2O3 /Si High-k Gate Stack for EOT below o.5nm”, CSTIC2011,March 14, 2011,
Shanghai, China
[478] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano-Electronic
Devices”, One day National Workshop on Electronic Devices, April 7, 2011, Mizoram
University Aizawl, Mizoram, India
[479] Invited Talk:H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano-Electronic Devices”,ISDMISC 2011,
April 12, 2011, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim, India
[480] H. Iwai, “Si nanowire FET technology”, ECS 219th Meeting, ECS Transactions,Vol.35, No.3,
pp.33-53, May 2, 2011, Montreal, Canada
[481] P. Ahmet, D. Kitayama, T. Kaneda, T. Suzuki, T. Koyanagi, M. Kouda, M. Mamatrishat, T.
Kawanago, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai,
“Effects of Metal Layer Insertion on EOT scaling in TiN/Metal/ La2O3 Si High –k Gate
Stacks”, ECS 219th Meeting, ECS Transactions, Vol.35, No.2, pp.305-308, May 3, 2011,
Montreal, Canada
[482] C. Dou, K. Mukai, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Resistive switching behaviors of ReRAM having W/CeO2/Si/TiN structure” ,
ECS 219th Meeting, ECS Transactions,May 4, 2011, Montreal, Canada
[483] Yueh-Chin Lin, Chia-Hua Chang, K. Kakushima, H. Iwai, Tin-En Shie, Guan-Ning Huang,
Po-Ching Lu, Ting-Chun Lin and Edward Yi Chang, “Study of La2O3/HfO2 Gate Dielectric for
n-InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor”, ECS 219th Meeting, ECS Transactions,
pp.397-401, May, 2011, Montreal, Canada
[484] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Future of Si Nano-CMOS Technology”,2011
42
IEEE EDS WIMNACT 29- Taiwan, IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS
Technology, May 27, 2011, National Chiao Tung University, Taiwang
[485] K. Ohmori, W. Feng, S. Sato, R. Hettiarachchi, M. Sato, T. Matsuki, K. Kakushima, H. Iwai, K.
Yamada, “Direct Real-Time Observation of Channel Potential Fluctuation, Correlated to
Random Telegraph Noise of Drain Current Using Nanowire MOSFETs with Four-Probe
Terminals”, 2011 Symposium on VLSI Technology, June 14-16, 2011, Kyoto, Japan
[486] D. Zade, K. Kakushima, T. Kanda, Y.C.Lin, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii,
E.Y. Chang, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Improving electrical characteristics of
W/HfO2/Ino.53Gao.47As gate stacks by altering deposition techniques”, Insulating Films on
Semiconductors(INFOS 2011), June 21-24, 2011, Grenoble, France
[487] D. Kitayama, T. Koyanagi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Effect of thin Si insertion at metal gate/high-k interface on
electrical characteristics of MOS device with La2 O3”, Insulating Films on
Semiconductors(INFOS 2011), June 21-24, 2011, Grenoble, France
[488] H. Iwai, “Future of Si Nano-CMOS Technology”, ICMAT 2011 (International Conference on
Materials for Advanced Technologies), July 1, 2011, Singapore
[489] T. Kawanago, Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “Metal Inserted Poly-Si wirh High Temperature Annealing for Achieving
EOT of 0.62nm in La-silicate MOSFET”, 41st European Solid-State Device Research
Conference, September 12-16, 2011, Helsinki, Finland
[490] M. Koyama, N. Shigemori, K. Ozawa, K. Tachi, K. Kakushima, O. Nakatsuka, K. Ohmori, K.
Tsutsui, A. Nshiyama, N. Sugii, K. Yamada, H. Iwai, “Si/Ni-Silicide Schottky Junctions with
Atomically Flat Interfaces Using NiSi2 Source”, 41st European Solid-State Device Research
Conference, September 12-16, 2011, Helsinki, Finland
[491] Keynote Speech:H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, 2011 IEEE Regional
Symposium on Micro and Nanoelectronics(IEEE-RSM 2011), September 29, 2011, Le
Meredien Hotel, Kota Kinabalu, Malaysia
[492] H. Iwai, “Miniaturization and future prospects of Si devices”, G-COE PICE International
Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by
World’s Leading Scientists, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS
Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists,
October 4, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[493] K. Kakushima, J. Kanehara, T. Hattori, K. Tsutsui, H. Iwai, “Boron depth profile of a plasma
immersed substrate by XPS analysis”, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS
Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists,
October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[494] T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Nitrogen incorporated La-silicate gate dielectric with high scalability”,
G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid
Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists,October 4-5, 2011, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[495] M. Mamat, T. Seki, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai , “Evaluation of oxide traps in La based oxides for direct high-k/Si capacitor” ,
G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid
Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[496] A. Abudukelimu, A. Ablimit*, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui,
K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electron transport in ballistic diodes: influence of phonon
generation in drain region” , G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS
Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists,
October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[497] M. Kouda, K. Ozawa, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, T. Yasuda, “Comparative study of
CeO2 gate dielectrics using chemical vapor deposition and atomic layer deposition” , G-COE
PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano
Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[498] D. H. Zadeh, Y. Suzuki, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai,“Characterization of metal Schottky junction for InGaAs substrate” ,
G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid
43
Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[499] C. Dou, S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Si nanowire FET with asymmetric channel”, G-COE PICE International
Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by
World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[500] Y. Wu, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H.
Iwai, “An analytical model of a tunnel FET with Schottky junction” , G-COE PICE
International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices:
Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology,
Japan
[501] K. Tuokedaerhan, T. Kaneda, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Impact of annealing ambient for La2O3/Si capacitor” , G-COE
PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano
Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[502] D. Kitayama, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Effect of Silicate Formation at Metal Gate/High-k Interface on Electrical
Characteristics of La2O3 gated MOS Devices” , G-COE PICE International Symposium and
IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s
Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[503] T. Suzuki, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, T. Yasuda, “Formation and electrical
characterization of MgO - incorporated La2O3 gate insulators by ALD” , G-COE PICE
International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices:
Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology,
Japan
[504] K. Nakajima, W. Li, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “Interface state density measurements of 3D silicon channel by charge
pumping method” , G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on
Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[505] R. Hosoi, Y. Suzuki, D. H. Zadeh, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “A novel interpretation of frequency dispersed
capacitances in InGaAs capacitor by conductance method” , G-COE PICE International
Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by
World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[506] W. Li, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H.
Iwai, “Interface state density measurements of 3D silicon channel by charge pumping method” ,
G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid
Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[507] S. Kano, C. Dou, M. Hadi, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Impact of metal electrode material on resistive switching
properties of Ce oxides” , G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS
Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists,
October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[508] Y. Tanaka, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori,
H. Iwai, “Impact of annealing on structural change in amorphous carbon: effect of Fe catalyst” ,
G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid
Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, G-COE PICE International
Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by
World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[509] Y. Tamura, R. Yoshihara, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai ,“A novel Ni silicidation technology for Schottky diode formation” ,
G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid
Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[510] K. Tsuneishi, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai,“Electrical properties of Tm2O3 gate dielectric and its scaling
issues” , G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced
44
Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo
Institute of Technology, Japan
[511] M. Hosoda, Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Size dependent phonon limited electron mobility of Si nanowire” , G-COE
PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano
Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[512] K. Matsumoto, M. Koyama, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Ni silicidation for Si fin and nanowire structures” , G-COE PICE
International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices:
Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology,
Japan
[513] R. Yoshihara, Y. Tamura, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical characterization of atomically flat NiSi2 Schottky
diode” , G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced
Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo
Institute of Technology, Japan
[514] J. Kanehara, Y. Takei, Y. Miyata, H. Nohira, Y. Izumi, T. Muro, T. Kinoshita, P. Ahmet, K.
Kakushima, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, “Depth Profiling of As with Various Chemical
Bonding States Doped in Si Shallow Junction by Using Soft X-ray Photoelectron
Spectroscopy” , G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on
Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, October 4-5, 2011,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[515] Y. Miyata, K. Akita, J. Kanehara, H. Nohira, Y. Izumi, T. Muro, T. Kinoshita, P. Ahmet, K.
Kakushima, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, “Analysis of Boron Doped in Si Fin Structure by
Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy” , G-COE PICE International Symposium and IEEE
EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading
Scientists, October 4-5, 2011, Tokyo Institute of Technology, Japan
[516] M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori,
H. Iwai, “Electrical Properties of Rare-Earth oxides and La2O3 Stacked Gate Dielectrics”, ECS
220th Meeting,ECS Transactions, Vol.41, No.7, pp.119-124, October 9-14,2011, Boston, USA
[517] T. Kaneda, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hatorri, H. Iwai, “Influence of Flash Lamp Annealing on Electrical Characteristics of MOS
Device with Si/ La2O3/n-Si Structure”, ECS 220th Meeting, ECS Transactions, Vol.41, No.7,
pp.157-164,October 9-14,2011, Boston, USA
[518] K. Nakajima, S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “Dependence of Interface-State Density on Three Dimensional Silicon
Structure Measured by Charge-Pumping Method”, ECS 220th Meeting, ECS
Transactions,Vol.41, No.7, pp.293-298, October 9-14,2011, Boston, USA
[519] H. Nohira, A. Komatsu, K. Yamashita, K. Kakushima, H. Iwai, Y. Hoshi, K. Sawano, Y.
Shiraki, “XPS Study on Chemical Bonding States of high-k/high-μ Gate Stacks for Advanced
CMOS”, ECS 220th Meeting, ECS Transactions, Vol.41, No.7, pp.137-146, October 9-14,2011,
Boston, USA
[520] Y. Sakurai, K. Ohmori, K. Yamada, K. Shiraishi, K. Kakushima, H. Iwai, S. Nomura,
“Photoluminescence Characterization of the Interface Properties of Si Nanolayers and
Nanowires”, ECS 220th Meeting, October 9-14,2011, Boston, USA
[521] Invited Talk:H. Iwai, “Materials and Structures for Future nano CMOS”, IEEE
Nanotechnology Materials and Devices Conference(NMDC) 2011, October 21, 2011, Jeju,
Korea
[522] Y. Tamura, R. Yoshihara, K. Kakushima, O. Nakatsuka, P. Ahmet, H. Nohira, K. Tsutsui, A.
Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical Properties of
Ultrathin-Nickel-Silicide Schottky Diodes on Si(100)”, 15th International Conference on Thin
Films, 2011, November 8, 2011, Kyoto, Japan
[523] T. Kawanago, Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “Characterization of Effective Electron Mobility in n/MOSFETs with
Direct Contact La-silicate/Si Structure”, 15th International Conference on Thin Films, 2011,
November 8, 2011, Kyoto, Japan
[524] Y. Suzuki, D. Zade, R. Hosoi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical characteristics of La2O3/In0.53Ga0.47AAs capacitors with
surface nitridation”, 15th International Conference on Thin Films, 2011, November 8, 2011,
45
Kyoto, Japan
[525] W. Feng, R. Hettiarachchi, Y. Lee, S. Sato, K. Kakushima, M. Sato, K. Fukuda, M. Niwa, K.
Yamabe, K. Shiraishi, H. Iwai, K. Ohmori, “Fundamental origin of excellent low-noise
property in 3D Si-MOSFETs ~Impact of charge-centroid in the channel due to quantum effect
on 1/f noise ~”, 2011 IEDM, December 5-7, 2010, Washington, USA
[526] H. Iwai, “Si Nano Electronics”, 2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium(TNS’11),
December 15, 2011, University of Tsukuba, Japan
[527] Y. Wu, K. Kakushima, K. Ohmori, A. Nishiyama, H. Iwai, K. Yamada, “A Study on
Fabrication and Analytic Modeling of novel Schottky contact tunneling Transistors”, Tsukuba
Nanotechnology Symposium(TNS’11), December 15, 2011, University of Tsukuba, Japan
[528] C. Dou, S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Si nanowire FET with asymmetric channel”, Tsukuba Nanotechnology
Symposium(TNS’11), December 15, 2011, University of Tsukuba, Japan
[529] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”,
International Workshop on The Future of Nano Electronics Research and Challenges Ahead,
December 26, 2011, SKP Engineering College, Tiruvannamalai, Tamilunadu, India
[530] Invited Talk, Distinguished Lecture: H. Iwai, “Future of Nano CMOS
Technology”,WINMACT 30, December 30, 2011, Sri Rama Krishna Institute, India
[531] Keynote Lecture: H. Iwai, “FUTURE OF NANO CMOS TECHNOLOGY”, International
Conference on Nanoscience and Technology(ICONSAT 2012), January 21, 2012, Hyderabad,
India
[532] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Future of Nano-CMOS Technology”,
WIMNACT Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology 31,
January 30, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[533] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Nano CMOS and High-k Technology”, IEEE
EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[534] H. Iwai, “High-k Gate Dielectrics for Future III-V FET”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32
C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[535] K. Kakushima, J. Kanehara, T, Hattori, K. Tsutsui, H. Iwai, “Boron depth profile of a plasma
immersed substrate by XPS analysis”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS
Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[536] T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Nitrogen incorporated La-silicate gate dielectric with high scalability”, IEEE
EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[537] M. Mamat, T. Seki, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Evaluation of oxide traps in La based oxides for direct high-k/Si capacitor”,
IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10,
2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[538] A. Abudukelimu, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Influence of Heat Generation within Drain Region on Transport of Hot
Electrons”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT,
February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[539] M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, T. Yasuda, “Comparative study of CeO2 gate
dielectrics using chemical vapor deposition and atomic layer deposition”, IEEE EDS MQ
WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo
Institute of Technology, Japan
[540] M. Kouda, T. Suzuki, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, T. Yasuda, “Stack structures of ALDLa2O3 and CVD-CeO2 : fabrication and mobility improvement effects”, IEEE EDS MQ
WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo
Institute of Technology, Japan
[541] Y. Lee, K. Kakushima, K. Natori, H. Iwai, “Corner Effects on Phonon-Limited Mobility in
Rectangular Si Nanowire MOSFETs”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS
Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[542] D. H. Zadeh, R. Hosoi, Y. Suzuki, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii,K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical Characterization and improvement of
high-k/InGaAs devices”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter
46
and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[543] C. Dou, S. Sato, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Si nanowire FET with asymmetric channel”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32
C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[544] Y. Wu, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii,K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H.
Iwai, “An analytical model of a tunnel FET with Schottky junction”, IEEE EDS MQ
WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo
Institute of Technology, Japan
[545] W. Li, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H.
Iwai, “Interface state density measurements of 3D silicon channel by conductance
method” ,IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT,
February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[546] K. Tuokedaerhan, T. Kaneda, M. Mamat, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama,
N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Impact of Annealing Ambient for La2O3/Si
Capacitor”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT,
February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[547] D. Kitayama, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T.
Hattori, H. Iwai, “Effect of Silicate Formation at Metal Gate/High-k Interface on Electrical
Characteristics of La2O3 gated MOS Devices”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored
by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[548] K. Nakajima, W. Li, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
T. Hattori, H. Iwai, “Interface state density measurements of 3D silicon channel by charge
pumping method”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and
TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[549] R. Hosoi, Y. Suzuki, D. H. Zadeh, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “A novel interpretation of frequency dispersed
capacitances in InGaAs capacitor by conductance method”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32
C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[550] T. Suzuki, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai, T. Yasuda, “Formation and electrical
characterization of MgO - incorporated La2O3 gate insulators by ALD” , IEEE EDS MQ
WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo
Institute of Technology, Japan
[551] S. Kano, C. Dou, M. Hadi, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Impact of metal electrode material on resistive swirching
properties of Ce oxides”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter
and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[552] Y. Tamura, R. Yoshihara, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “A novel Ni silicidation technology for Schottky diode formation”,
IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10,
2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[553] Y. Tanaka, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori,
H. Iwai, “Impact of annealing on structural change in amorphous carbon: effect of Fe catalyst”,
IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10,
2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[554] K. Matsumoto, M. Koyama, Y. Wu, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Ni silicidation for Si Fin and nanowire strucures” IEEE
EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[555] M. Hosoda, Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori,
H. Iwai, “Size-dependent phonon-limited electron mobility in Si Nanowire MOSFETs”, IEEE
EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[556] K. Tsuneishi, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical properties of Tm2O3 gate dielectric and its scaling
issues”, IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT,
February 10, 2012, Tokyo Institute of Technology, Japan
[557] R, Yoshihara, Y. Tamura, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical characterization of atomically flat NiSi2 Schottky
47
diode”, Ni silicidation for Si Fin and nanowire strucures” IEEE EDS MQ WIMNACT 32
C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT, February 10, 2012, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[558] H. Iwai, “High-k, Metal Gate, Channel Materials New material integration in CMOS
technologies”, ULIS 2012, Tutorial, March 5, 2012, Grenoble, France
[559] K. Kakushima, Y. Suzuki, D. Zade, T. Kawanago, H. Iwai, “High-k Gate Dielectrics for
InGaAs Substrates”, International Symposium on “Development of Core Technologies for
Green Nanoelectronics”, March 14, 2012, Miraican Hall, National Museum of Emerging
Science and Innovation, Japan
[560] R. Hosoi, Y. Suzuki, D. Zadeh, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii,
K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Characterization of matal Schottky junction for
In0.53Ga0.47AAs substrates”, CSTIC 2012, March 18-19, 2012, Shanghai, China
[561] S. Kano, C. Dou, M. Hadi, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, L. Tsutsui, Y.
Kataoka, K. Natori, E. Miranda, T. Hattori, H. Iwai, “Influence electrode materials on CeOx
based resistive switching”, CSTIC 2012, March 18-19, 2012, Shanghai, China
[562] W. Li, K. Nakajima, C. Dou, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, Y.
Kataoka, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Evaluation of Interfacial State Density of MOS
Capacitor with Three-Dimensional Channel by Conductance Method”, CSTIC 2012, March
18-19, 2012, Shanghai, China
[563] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano-Electronic
Devices”, IEEE EDS, April 28, 2012, Institute of Engineering & Management, Kolkata, India
[564] Invited Talk, Distinguished Lecture:H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano-Electronic
Devices”, IEEE EDS, April 30, 2012, NIT Manipur, Imphal, India
[565] K. Ohmori, W. Feng, R. Hettiarachchi, Y. Lee, S. Sato, K. Kakushima, M. Sato, K. Fukuda, M.
Niwa, K. Yamabe, K. Shiraishi, H. Iwai, K. Yamada, “Low-frequency noise reduction in Si
Nanowire MOSFETs”, ECS 221st Meeting, ECS Transactions,Vol.45, No.3, pp.437-442, May
9, 2012, Seattle, WA, USA
[566] E. Miranda, S. Kano, C. Dou, J. Sune, K. Kakushima, H. Iwai, “New experimental evidences
of conductance quantization in electroformed oxide stacks”, E-MRS 2012 Spring Meeting,
May, 2012, Strasbourg, France
[567] Y. Miyata, J. Kanehara, H. Nohira, Y. Izumi, T. Muro, T. Kinoshita, P. Ahmet, K. Kakushima,
K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, “Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Boron Doped
on Top Surfaces and Sidewalls of Si Fin Structures”, 2012 12th International Workshop on
Junction Technology(IWJT2012), May 14-15, 2012, Shanghai, China
[568] H. Iwai, “Evolution of Si CMOS Technologies to Sub-10 nm Generation”, Electron Devices
Colloquium, June 4, 2012, Imec, Leuven, Belgium
[569] H. Iwai, “Future of Si devices”, 2012 Advanced Resesaerch Workshop Future Trends In
Microelectronics: Into the Cross Currents, June 27, 2012, Corsica, France
[570] Y. Sakurai, K. Ohmori, K. Yamada, K. Kakushima, T. Tayagaki, H. Iwai, Y. Kanemitsu, K.
Asakawa, K. Shiraishi, S. Nomura, “Photoluminescence Properties of Si Nanolayers and Si
Nanowires”, Tsukuba Nanotechnology Symposium 2012(TNS’12), July 26-27,2012, Japan
[571] T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “(100)-and (110)-oriented nMOSFETs with highly Scaled EOT in
La-silicate/Si Interface for Multi-gate Architecture”, ESSDERC 2012, September 18, 2012,
Bordeaux, France
[572] M. Koyama, M. Casse, R. Coquand, S. Barraud, H. Iwai, G. Ghibaudo, G. Reimbold, “Study
of Carrier Transport in Strained and Unstrained SOI Tri-gate and Omega-gate Si Nanowire
MOSFETs”, ESSDERC 2012, September 18, 2012, Bordeaux, France
[573] D. H. Zadeh, H. Ohmine, Y. Suzuki, K. Kakuhisma, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nisiyama, N.
Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “La2O3/ Ino.53 Ga0.47 AS
metal-oxide-semiconductor capacitor with low interface state density using TiN/W gate
electrode”, SSDM 2012, September, 2012, Kyoto, Japan
[574] H. Iwai, “Future of Nanoelectronics and Devices”, 2012 International Semiconductor
Conference Dresden – Grenoble(ISCDG), September 25, 2012, Grenoble, France
[575] H. Iwai, B. de Salvo, “Scaling and Beyond for Logic and Memories. Which perspectives?”,
2012 International Semiconductor Conference Dresden – Grenoble(ISCDG), Short Course,
September 26, 2012, Grenoble, France
[576] K. Kakushima, Y. Tamura, R. Yoshihara, K. Tsutsui, H. Iwai, “Interface Controlled Stacked
Ni Silicidation Process with Schottky Barrier Height Controllability”, IUMRS-ICEM 2012,
September 28, 2012, Yokohama, Japan
48
[577] H. Iwai, “Introduction of New Materials into CMOS Devices”, ECS 222nd Meeting, ECS
Transactions, Vol.50, No.5, pp.13-20, October 10, 2012, Honolulu, Hawaii
[578] H. Iwai, “Si Nanowire Technology”, ECS 222nd Meeting, ECS Transactions, Vol.50, No.4,
pp.251-260, October 10, 2012, Honolulu, Hawaii
[579] Y. Tamura, R. Yoshihara, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “A Proposal of Schottky Barrire Height Tuning
Method with Interface Controlled Ni/Si Stacked Silicidation Process”, ECS 222nd Meeting,
ECS Transactions, Vol. , No. , pp.
, October 8, 2012, Honolulu, Hawaii
[580] Y. Tanaka, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K.
Natori, T. Hattori, S. Yamasaki, H. Iwai, “TiC Electrode Formed by Multi-Stacking Process
for Diamond Contact Metal”, ECS 222nd Meeting, ECS Transactions, Vol. , No. , pp.
,
October 9, 2012, Honolulu, Hawaii
[581] Y. Suzuki, D. H. Zadeh, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Effect of In0.53Ga0.47AAs surface nitridation on
electrical characteristics of high-k/capacitors”, ECS 222nd Meeting, ECS Transactions, Vol.50,
No.4, pp.145-150, October 9, 2012, Honolulu, Hawaii
[582] R. Yoshihara, Y. Tamura, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Thermally stable NiSi2 for Ge contact with Schottky
barrirer height modulation capability”, ECS 222nd Meeting, ECS Transactions, Vol.50, No.9,
pp.217-221, October 9, 2012, Honolulu, Hawaii
[583] K. Tuokedaerhan, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, ”Interface Properties of La-silicate MOS Capacitors
with Tungsten Carbide Gate Electrode for Scaled EOT”, ECS 222nd Meeting, ECS
Transactions, Vol.50, No.4, pp.281-284, October 10, 2012, Honolulu, Hawaii
[584] J. Chen, K. Tsuneishi, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Thickness dependent electrical characteristics of
AlGaN/GaN MOSHEMT with La2O3 gate dielectrics”, ECS 222nd Meeting, ECS Transactions,
Vol.50, No.3, pp.353-357, October 10, 2012, Honolulu, Hawaii
[585] K. Tsuneishi, J. Chen, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Ti silicide electrodes low contact resistance for
undoped AlGaN/GaN structure”, ECS 222nd Meeting, ECS Transactions, Vol.50, No.3,
pp.447-450, October 11, 2012, Honolulu, Hawaii
[586] E. Miranda, T. Kawanago, K. Kakushima, J. Sune, H. Iwai, “Analysis and modeling of the gate
leakage current in advanced nMOSFET devices with severe gate–to-drain dielectric
breakdown”, ESREF2012, October, 2012, Cagliari, Italy
[587] Distinguished Lecture:H. Iwai, “Evolution of Si CMOS Technologies to Sub-10 nm
Generation”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquim on Nanometer CMOS
Technology(WIMNACT 35), November 29, 2012, Nanyang Technological University,
Singapore
[588] Distinguished Lecture:H. Iwai, “Evolution of Si CMOS Technologies to Sub-10 nm
Generation”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquim on Nanometer CMOS
Technology(WIMNACT 36), November 30, 2012, Penang Skills and Development Center,
Penang, Malaysia
[589] H. Iwai, “Future of nano CMOS technology”, EDSSC2012, December 4, 2012, Thailand
[590] H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano Electronic Devices”, IEEE Mini Colloquium on The
Future of Nano Electronics, December 27, 2012, Dhanalakshmi Srinivasan Engineering
College, Tiruvannamalai, Tamil Nadu, India
[591] H. Iwai, “Future of nano CMOS Technology”, ICEVENT2013, January 8, 2013,
Tiruvannamalai, India
[592] Poster:T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Interface properties of La-silicate gate dielectrics on
Si(110)surface”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS
Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[593] Poster:D.H.Zade, H. Oomine, Y. Suzuki, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama,
N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “La2O3/In0.53Ga0.47AAs
metal-oxide-semiconductor capacitor with low interface state density using TiN/W gate
electrode”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology
(WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute
of Technology, Japan
49
[594] Poster:M. Hadi, S. Kano, C. Dou, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Resistive Switching Device using Ce-oxide with
Ni-silicide Electrodes”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS
Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[595] Poster:K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Work Function Extraction of W,Ta and Ti
Carbides Formed by Multi Stacked Process”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on
Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and
Kuramae Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[596] Poster:W. Li, K. Nakajima, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Extraction of Interface State Density of 3-dimensional Si channel”,
Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT
37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[597] Poster:J. Chen, G. Lu, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT with
La-oxide gate dielectrics”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS
Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[598] Poster:S. Kano, C. Dou, M. Hadi, K. Kakushima, P. Ahmet, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Transient Switching Characteristics of Ce-oxide
Resistive Switching Devices”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer
CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae
Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[599] Poster:Y. Suzuki, D.H.Zadeh, H. Oomine, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A.
Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Interface Engineering of
La2O3/InGaAs Capacitors with High Temperature Stability”, Workshop and IEEE EDS
Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013,
Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[600] Poster:Y. Tanaka, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii,
K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Interface controlled metal contact for n-type diamonds”,
Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT
37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[601] Poster:Y. Tamura, R. Yoshihara, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Stacked Ni-Silicidation Process for Schottky
Barrier FET”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology
(WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute
of Technology, Japan
[602] Poster:K. Tsuneishi, J. Chen, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii,
K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “A Robust Ohmic Contact Process for AlGaN/GaN
using Ti-silicide electrodes” , Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer
CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae
Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[603] Poster:M. Hosoda, K. Kakushima, K. Natori, S. Yamasaki, H. Ohashi, H. Iwai, “Carrier
transport modeling in diamonds”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer
CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae
Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[604] Poster:K. Matsumoto, M. Koyama, Y. Wu, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A.
Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Size dependent resistivity
change of Ni-silicides in nano-region”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on
Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and
Kuramae Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[605] Poster:Y. Xhao, M. Maimaitrishat, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Separation of bulk and interface traps of La-silicate on
Si(100) surface”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS
Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[606] Poster:T. Inamura, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui,
50
K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Formation of Fe-silicides using Multi-Stacking Sputtering
Process”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology
(WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute
of Technology, Japan
[607] Poster:H. Oomine, D.H.Zadeh, Y. Suzuki, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A.
Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “La-Oxide Gate Dielectrics for
InGaAs Substrates formed by Chemical Vapor Deposition”, Workshop and IEEE EDS
Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013,
Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[608] Poster: T. Seki, T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii,
K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Infrared absorption study of La-silicate gate
dielectrics”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology
(WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute
of Technology, Japan
[609] Poster: A. Takemasa,K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Impact of Surface Treatments for Metal Contact on
p-type Diamonds”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS
Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[610] Poster: S. Hosoda, K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsuitsui, Y. Kataoka, A.
Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Improvenents in interface, states with
W-carbide metal gate for La2O3/si MOS Capacitor”, Workshop and IEEE EDS
Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013,
Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[611] Poster: R. Yoshihara, Y. Tamura, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “A Novel Ohmic Contact Process for n-Ge
Substrates”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology
(WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute of
Technology, Japan
[612] Poster: J. Song, M. Koyama, K. Matsumoto, K. Kakushima, O. Nakatsuka, K. Ohmori, K.
Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Yamada, H. Iwai, “Atomically flat Ni-silicide/Si interface
using NiSi2 sputtering”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS
Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[613] Poster: P. Liu, K. Kakushima, H. Iwai, “Transport characteristics of 2-dimensional hole gas in
AlGaN/GaN”, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology
(WIMNACT 37), February 18, 2013, Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute
of Technology, Japan
[614] Poster: M. Okamoto, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Extraction of Energy Band Diagram of AlGaN/GaN
with SiO2 Capped Annealing using X-ray Photoelectron Spectroscopy”, Workshop and IEEE
EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), February 18, 2013,
Royal Blue Hall and Kuramae Hall, Tokyo Institute of Technology, Japan
[615] T. Seki, T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical and Infrared Absorption Studies on
La-silicate/Si Interface”, International Symposium on Next-Generation Electronics(ISNE
2013), February 25, 2013, I-Shou University, Kaoh siung, Taiwan
[616] M. Hosoda, K. Kakushima, K. Natori, S. Yamasaki, H. Ohashi, H. Iwai, “On the electron
conduction in n-diamond”, International Symposium on Next-Generation Electronics(ISNE
2013),February 25, 2013, I-Shou University, Kaoh siung, Taiwan
[617] K. Matsumoto, M. Koyama, Y. Wu, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Electrical Analyses of Nickel Silicide
Formed on Si Nanowires with 10-nm-width”, International Symposium on Next-Generation
Electronics(ISNE 2013),February 25, 2013, I-Shou University, Kaoh siung, Taiwan
[618] H. Iwai, “III-V MOSFET for Next Generation”, Taiwan-Japan Workshop on Nano Devices
2013, March 5, 2013, National Chiao Tung University, Taiwan
[619] Invited Talk: H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, China Semiconductor
Technology International Conference (CSTIC) 2013, March 17, 2013, Shanghai, China
[620] E. Y. Chang, H. D. Trinh, Y. C. Lin, H. Iwai, “Development of High k/III-V (InGaAs, InAs,
InSb) Structures for Future Low Power, High Speed Device Applications”, 2013 MRS Spring
51
Meeting, April 2, 2013, San Francisco, California, USA
[621] M. Casse, S. Barraud, R. Coquand, M. Koyama, D. Cooper, C. Vizioz, C. Comboroure, P.
Perreau, V. Maffini-Alvaro, C. Tabone, L. Tosti, S. Barnola, V. Delaye, F. Aussenac, G.
Ghibaudo, H. Iwai, G. Reimbold, “Strain-Enhanced Performance of Si-Nanowire FETs”, ECS
223nd Meeting, ECS Transactions, Vol.53, No.3, pp.125-136, May 14, 2013, Toronto, Canada
[622] K. Kakushima, R. Yoshihara, K. Tsutsui, H. Iwai, “A Low Temperature Ohmic Contact
Process for n-type Ge Substrates”, 2013 13th International Workshop on Junction
Technology(IWJT2013), June 6, 2013, Kyoto, Japan
[623] Poster: K. Kakushima, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, “Interface State Density of
Passivation/Nanowire Interface”, The 1st International Symposium on Nano-Wire Si Solar
Cells/ MEXT “FUTURE-PV Innovation” Project, June 10, 2013, Tokyo Tech Front, Tokyo
Institute of Technology, Tokyo, Japan
[624] M. Koyama, M, Casse, R. Coquand, S. Barraud, G. Ghibaudo, H. Iwai, G. Reimbold, “Study
of Low-frequency Noise in SOI Tri-gate Silicon Nanowire MOSFETs”, 22nd ICNF, June 26,
2013, Montpellier, France
[625] E. Miranda, T. Kawanago, K. Kakushima, J. Sune, H. Iwai, “Modeling of the Output
Characteristics of Advanced N-MOSFETs After a Severe Gate-to-Channel Dielectric
Breakdown”, Insulating Films on Semiconductors(INFOS 2013), June 26, 2013, Cracow,
Poland
[626] B.L.Yang, H. Wong, S. Dong, K. Kakushima, H. Iwai, “Charge Trapping and Detrapping
Characteristics CeO2/La2O3 Stack Gate Dielectrics”, 7th International Conference on Materials,
for Advanced Technologies(ICMAT2013), July 3, 2013, Singapore
[627] Invited Talk:H. Iwai, “Ultimate CMOS scaling”, Korean International Summer School on
Nanoelectronics(nano-KISS 2013), July 3, 2013, Daejeon, Korea
[628] Keynote Speech:H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, SBMicro 2013, September 4,
2013, Curitiba, Brazil
[629] Invited Talk:H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, EDS Mini Colloquim, September
9, 2013, UNICAMP, Campinas, Brazil
[630] T. Kawanago, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Advantage of TiN Schottky Gate over Conventional Ni for
Improved Electrical Characteristics in AlGaN/GaN HEMT”, ESSDERC 2013, September 17,
2013, Bucharest, Romania
[631] M. Koyama, M. Casse, R. Coquand, S. Barraud, G. Ghibaudo, H. Iwai, G. Reimbold,
“Influence of Device Scaling on Low-frequency Noise in SOI Tri-gate Si Nanowire N-and
PMOS FETs”, ESSDERC 2013, September 19, 2013, Bucharest, Romania
[632] D. H. Zadeh, H. Oomine, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Scalable La-silicate Gate Dielectric on InGaAs
Substrate with High Thermal Stability and Low Interface State Density”, 2013 International
Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM),September 26, 2013, Fukuoka, Japan
[633] Poster:M. S. Hadi, S. Kano, C. Dou, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “A Proposal of a Forming-Free
Resistive Switching Memory based on Breakdown and Anodic Reoxidation of thin SiO2 on
NiSi2 Electrode using CeOx Buffer Layer”, 2013 International Conference on Solid State
Devices and Materials(SSDM),September 26, 2013, Fukuoka, Japan
[634] K. Nayak, M. Bajaj, A. Konar, P. J. Oldiges, H. Iwai, K.V.R.M. Murali, V.R. Rao, “Negative
Differential Conductivity and Carrier Heating in Gate-All-Around Si Nanowire FETs and its
Impact on CMOS logic Circuits”, 2013 International Conference on Solid State Devices and
Materials(SSDM),September 26, 2013, Fukuoka, Japan
[635] Poster:P. Liu, K. Kakushima, H. Iwai, “Characterization of Two-Dimensional Hole Gas at
GaN/AlGaN Heterointerface”, The 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and
Applications, October 27-29, 2013, Columbus, Ohio,USA
[636] Poster:M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A, Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, H. Iwai, “An Ohmic Contact Process for AlGaN/GaN Structures using TiSi2
Electrodes”, The 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications,
October 27-29, 2013, Columbus, Ohio,USA
[637] S. Hosoda, K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Reliability of La-silicate MOS capacitors with
tungsten carbide gate electrode for scaled EOT”, ECS 224nd Meeting, ECS Transactions,
Vol.58, No.7, pp.61-64, October 28, 2013, San Francisco, CA, USA
[638] J. Song, K. Matsumoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi,
52
K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Resistivity of Ni silicide nanowires and its dependence on Ni
film thickness used for the formation”, ECS 224nd Meeting, ECS Transactions, Vol.58, No.7,
pp.87-91, October 28, 2013, San Francisco, CA, USA
[639] H. Oomine, D.H.Zadeh, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi,
K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Electrical characterization of atomic layer deposited La2O3
films on In0.53Ga0.47AAs substrates”, ECS 224nd Meeting, ECS Transactions, Vol.58, No.7,
pp.385-389, October 30, 2013, San Francisco, CA, USA
[640] T. Inamura, A. Sasaki, K. Aoki, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “A stacked sputtered process for β-FeSi2
formation”, ECS 224nd Meeting, ECS Transactions, Vol. , No. , pp. , October 30, 2013,
San Francisco, CA, USA
[641] Poster:K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, Y. Nakamura, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama,
N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Influence of Carbon Incorporation
in W Gate Electrode for La-silicate Gate Dielectrics”, 2013 International Workshop on
DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCINCE AND
TECHNOLOGY-, November 7, 2013, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan
[642] Poster:Y. Wu, H. Hasegawa, K. Kakushima, K. Ohmori, T. Watanabe, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, Y. Kataoka, K. Natori, K. Yamada, H. Iwai, “Influence of
Band Discontinuities at Source-Channel contact in Tunnel FET Performance”, 2013
International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON
DEVICES-SCINCE AND TECHNOLOGY-, November 7, 2013, University of Tsukuba,
Ibaraki, Japan
[643] D. Hassan Zadeh, H. Oomine, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Low DitHigh-k/In0.53Ga0.47As Gate Stack with
CET down to 0.73 nm and Thermally Stable Silicide Contact by Suppression of Interfacial
Reaction”, IEDM 2013,December 9, 2013, Washington, DC
[644] Distinguished Lecture:H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, IEEE EDS,
WIMNACT 38, December 27, 2013, Thiagarajar College of Engineering, Tamilnadu Madurai,
India
[645] Plenary Talk: H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, International Conference on
VLSI Design 2014, January 7, 2014, Convocation Hall, IIT Bombay, Mumbai, India
[646] H. Iwai, “Future of Multi-Gate CMOS Technology”, Euro SOI 2014, January 29,2014,
Tatrragona Spain
[647] H. Iwai, “Future of Nano-CMOS Technology”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[648] Poster: T. Kawanago, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Advantage of TiN Schottky Gate over Conventional Ni for
Improved Electrical Characteristics in AlGaN/GaN HEMT”, The Workshop on Future Trend
of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[649] Poster: D. Hassan Zadeh, H. Oomine, K. Kakushima, H. Iwai, “Highly Scalable La2O3
/InGaAs Gate Stack with Low Interface State Density”,The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[650] Poster: M.S. Hadi, C. Dou, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “A study on Resistive Memory based on
Breakdown and Anodic Reoxidation of thin SiO2 on NiSi2 Electrode with CeOx
Buffer Layer”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February
7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[651] Poster: C. Dou, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Determination of oxide traps distribution high-k/InGaAs MOS
capacitor by capacitance-voltage measurement”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[652] Poster: Y. Wu, H. Hasegawa, K. Kakushima, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N.
Sugii, Y. Kataoka, K. Natori, H. Iwai, “Influence of structure parameter on Mg2Si-Si
Hetero-junction
Tunneling
FET”,
The
Workshop
on
Future
Trend
of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
53
[653] Poster: K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Mobility Improvement of La-silicate MOSFET
by W2C Gate Electrode”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39,
February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[654] Poster: W. Li, A. Sasaki, H. Oozu, K. Aoki, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Resistivity Measurement of
Monoclinic Thin Tungsten Oxide Film Due to Annealing Processes”, The Workshop
on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall,
Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[655] Poster: J. Chen, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H, Iwai, W. Saito, “Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT
with La2O3 gate dielectrics”, The
Workshop
on
Future
Trend
of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[656] Poster:T. Inamura, T. Kato, A. Sasaki, K. Aoki, K. Kakushima,Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “ A study on silicide
semiconductors for high efficiency thin film photovoltaic devices”, The Workshop on
Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall,
Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[657] Poster: H. Oomine, D.H.Zadeh, K. Kakushima, A. Nishiyama, N. Sugii, Y. Kataoka, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Effect of pretreatment for
high-/k//InGaAs interface property”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[658] Poster: T. Seki, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Physical understanding of La-silicate gate dielectrics
thermally formed by interface reaction on Si(110) and (111)”, The Workshop on
Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall,
Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[659] Poster: A. Takemasa, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Electrical characteristics of Ti, Ni, NiSi2 and Ni3P/n-diamond
contacts”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7,
2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[660] Poster: S. Hosoda, K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, K. Tsutsui, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, H. Wakabayashi, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Atomically flat interface of
La-silicate/Si with W2C gate electrodes”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[661] Poster: R. Yoshihara, M. Motoki, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Interface control process toward
un-pinned metal/germanium Schottky contact”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[662] Poster: J. Song, K. Matsumoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Reduction of the resistivities of Ni
Silicide formed by the reaction of Si nanowire and Ni thin films”, The Workshop on
Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall,
Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[663] Poster: H. Imamura, T. Inamura, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Characterization of Thin NiSi2 Films by
Stacked Silicidation Sputtering Process with Kr Gas”, The Workshop on Future Trend
of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[664] Poster: M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, H. Iwai, W. Saito, “An Ohmic Contact Process for AlGaN/GaN Structures using
TiSi2 Electrode”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39,
February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[665] Poster: T. Shoji, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Silicon Nanowire Solar Cells: Surface Passivation and Interface
Analysis”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7,
54
2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[666] Poster: Y. Nakamura, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, H. Wakabayashi, N. Sugii, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Measurement of flat-band voltage shift using
multi-stacked
dielectric
film”,
The
Workshop
on
Future
Trend
of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[667] Poster: H. Hasegawa, Y. Wu, J. Song, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Improvement of tunnel FET performance using
narrow bandgap semiconductor silicide /Si hetero-structure source electrode”, The Workshop
on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall,
Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[668] Poster:M. Motoki, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Dependence between Sheet Resistance and Annealing
Temperature of Ni Germanide Formed by Multi-Layered Ni and Ge Films”, The Workshop on
Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall,
Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[669] Poster:P. Liu, A. Nakajima, K. Kakushima, T. Makino, M. Ogura, S. Nishizawa, H. Iwai, H.
Ohashi, “A study on mobility of 2D hole gas in AlGaN/GaN heterostructure with
piezo- and spontaneous polarization”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[670] Poster:Y.M. Lei, S. Munekiyo, K. Kakushima, T. Kawanago, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, M. Furuhashi, N. Miura, S. Yamakawa,
“ Interface reaction analysis of La2O3/SiC upon annealing by ATR-FTIR”, The Workshop on
Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall,
Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[671] Poster:M. Yoon, K. Terayama, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Ohashi, K. Kakushima, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, “Investigation into scaling law in AlGaN/GaN Fin
field effect transistors by device simulation”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[672] Poster:T. Kato, T. Inamura, A. Sasaki, K. Aoki, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N.
Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Electrical characteristic of b-FeSi2”,
The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014,
Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[673] Poster:Y. Matsukawa,M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.
Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, W. Saito, “An Ohmic Contact Process for
AlGaN/GaN Structures using TiCElectrode”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[674] Poster:Y. Takei, M. Okamoto, S. Man, R. Kayanuma, M. Kamiya, W. Saito, K. Tsutsui, K.
Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H. Iwai, “Contact resistances depending on AlGaN
layer thickness for AlGaN/GaN HEMT structures”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[675] Poster:M. Kamiya, Y. Takei, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, K.
Tsutsui, H. Iwai, “Evaluation of 2DEG distribution on AlGaN/GaN HEMTs
introducing uneven AlGaN layers and its possibility for low-resistive contacts
formation”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7,
2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[676] Poster:Y. Ito, H. Hori, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, A. Nishiyama,
N. Sugii, K. Natori, H. Iwai, “Schottky barrier height reduction process for silicide/Si
interfaces”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7,
2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[677] Poster:H. Yonezawa, R. Kayanuma, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Ohashi, K. Tsutsui, K.
Kakushima, H. Wakabayashi, H. Iwai, “AlGaN/GaN-based p-channel HFETs with
wide-operating temperature”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT
39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology,
Japan
[678] Poster:K. Terayama, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Ohashi, K. Kakushima, H. Wakabayashi,
55
K. Tsutsui, H. Iwai, “Caluculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using
device simulation”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39,
February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[679] Poster:S. Man, R. Kayanuma, Y. Takei, T. Takahashi, M. Shimizu, K. Tsutsui, K. Kakushima,
H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H. Iwai, “A Study on the Fabrication of GaN-FinFET Using
Selective Area Growth Method”, The Workshop on Future Trend of
Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus,
Tokyo Institute of Technology, Japan
[680] Poster:H. Hori, Y. Ito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, A. Nishiyama,
N. Sugii, K. Natori, H. Iwai, “Effects of substrate back bias on solar cells formed on thin SOI
structures”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7,
2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[681] Poster:T. Ohashi, H. Wakabayashi, K. Kakushima, N. Sugii, A. Nishiyama, Y. Kataoka, K.
Natori, K. Tsutsui, H. Iwai, “Performance Prediction on n-MOSFET using Single-Layer MoS2
Channel”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7,
2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan
[682] Poster:A. Takemasa, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K.
Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, “Electrical characteristics of n-type diamond contacts with Ti, Ni,
NiSi2 and Ni3P electrodes”, China Semiconductor Technology International Conference
(CSTIC) 2014, March 16-17, 2014, Shanghai, China
[683] Keynote Speech:H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, ICCDCS, April 2, 2014,
Playa del Carmen, Mexico
[684] M. Koyama, M. Casse, S. Barraud, G. Ghibaudo, H. Iwai, G. Reimbold, “Assessment of
Technological Device Parameters by Low-frequency Noise Investigation in SOI Omega-gate
Nanowire NMOS FETs”, 15th ULIS Conference, April 9, 2014, Stockholm, Sweden
[685] M. Koyama, M. Casse, R. Coquand, S. Barraud, G. Ghibaudo, H. Iwai, G. Reimbold,
“Influence of Technological and Geometrical Parameters on Low-frequency Noise in SOI
Omega-gate Nanowire MOSFETs”, 2014 International Symposium on VLSI Technology,
Systems and Applications(2014 VLSI-TSA), April 28, 2014, Hsinchu, Taiwan
[686] Y. Takei, M. Okamoto, W. Saito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H.
Iwai, “Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High
Electron Mobility Transistor Structures”, ECS 225th Meeting, ECS Transactions, Vol.61, No.4,
pp.265-270, May 14, 2014, Orlando,FL, USA
[687] Poster:A.Nakajima, H. Yonezawa, K. Tsutsui, K. Kakushima, S. Nishizawa, H. Ohashi, H.
Wakabayashi, H. Iwai, “One-chip operation of GaN-based P-channel and N-channel
Heterojunction Field Effect Transistors”, The 26th International Symposium on Power
Semiconductor Devices and ICs(ISPSD 2014), June 15-19, 2014, Waikoloa, Hawaii, USA
Distinguished Lecture
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[56] H. Iwai, “CMOS Logic Technology”, IEEE AP/ED Bombay Chapter, January 24, 2013, IIT
Bombay, Mumbai,India
[57] H. Iwai, “Future of nano CMOS Technology”, IEEE EDS, January 9, 2013, VIT University,
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[58] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, IEEE EDS, June 21, 2013, Institute of Electron
Technology, Warsaw, Poland
[59] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, EDS Mini Colloquim, September 9, 2013,
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[60] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”,IEEE EDS, September 24,2013, Institut
Polytechnique de GRENOBLE, France
[61] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”,IEEE EDS,October 8, 2013, Institute of
Microelectronics, Chinese Academy of Science (IMECAS), Beijing, China
[62] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, IEEE EDS, WIMNACT 38, December 27,
2013, Thiagarajar College of Engineering, Tamilnadu Madurai, India
[63] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, IEEE EDS, January 20, 2014, IIT Bombay,
Mumbai, India
[64] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, IEEE EDS MQ, May 26, 2014, KTH, Kista,
Stockholm, Sweden
Seminar
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Distinguished Lecture: H. Iwai “Miniaturization of Semiconductor Devices for Integrated
Circuits” University of Chile, UTFSM., University of Bio Bio, Nov. 20-24 , 2006, Chile
Distinguished Lecture: H. Iwai, “Past and future of Si integrated circuit technology” Jan. 9, 11
2007, Kashgar Pedagogical Institute , Kashgar & Hotan Pedagogical College, Hotan, China
Distinguished Lecture: H. Iwai, “Past and future of Si integrated circuit technology” Jan.11
2007, Hotan Pedagogical College, Hotan, China
Distinguished Lecture: H. Iwai, “Past and future of Si integrated circuit technology” Jan.16
2007, Xinjian University, Urumuqi, China
Distinguished Lecture:H. Iwai, "Nano-CMOS Technology and Its Beyond" Feb. 5 , 2007 ,
National Chiao Tung University, Taiwang
Distinguished Lecture:H. Iwai, "Nano-CMOS and High-k/metal Gate Technology" Feb.6,
2007, UMC, Taiwang
Distinguished Lecture: H. Iwai, “High-k/Metal Gate Technology” Indian Institute of
Technology, Bombay , Jan. 9 , 2008, Bombay, India
Distinguished Lecture:H.Iwai, Past and Future for Micro-and Nano-Electronics Focusing on
Si Integrated Circuits Technology” Narula Institute of Technology , Feb. 29, 2008, Kolkata,
India
Distinguished Lecture: H. Iwai, “Roadmap for 22nm Logic CMOS and Beyond” IIT Bombay,
Jan. 21, 2009, Bombay, India
Distinguished Lecture: H. Iwai, “Roadmap for 22nm Logic CMOS and Beyond” Bengal
Engineering Science University, Mar. 5 , 2009, Bengal, India
Distinguished Lecture: H. Iwai, “Downsizing of transistors towards its Limit” Bengal Institute
of Technology&Management, Mar. 6 , 2009, Bengal, India
Distinguished Lecture: H. Iwai, “Roadmap for 22nm Logic CMOS and Beyond” Heritage
Institute of Technology, Mar. 9 , 2009, Heritage, India
Distinguished Lecture: H. Iwai, “Past and Future of Integrated Circuits Technology”
University of Manchester, May 5, 2009, Manchester, UK
Distinguished Lecture: H. Iwai “Recent Our Activities in Si FET Research” IIT Madras,
November 3, 2009, Chennai, India
Distinguished Lecture: H. Iwai “Si MOSFET Roadmap for 22nm and beyond", December 16,
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2009, Jadavpur University, Kolkata, India
[16] H. Iwai “Past and Future of Silicon Electronic Devices", Seminar, December 24, 2009, Xian
Jiaotong University, Xian, China
[17] H. Iwai “Future nanoelectronic device technologies - high-k, nanowire and alternative channel",
Seminar, December 24, 2009, Xian Jiaotong University, Xian, China
[18] H. Iwai “Past and Future of Silicon Electronic Devices", Seminar, December 29, 2009,
Northwestern Polytechnical University,Xian, China
[19] H. Iwai, “Nano-CMOS Technology”, June 1, 2011, Lanzhou Jiaotong University, China
[20] H. Iwai, “Future of Micro/Nano Electronics”, August 12, 2011, University of Science and
Technology China, Hafei, China
[21] H. Iwai, “Future of Micro/Nano Electronics”, August 17, 2011,Xiamen University, Xiamen,
China
[22] Distinguished Lecture:H. Iwai, “Future of Micro/Nano Electronics”, September 19, 2011,
KTH, Kista, Sweden
[23] H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano Electronics”, October 28, 2011, Zijingang Campus,
Zhejiang University, Hangzhou, China
[24] H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano Electronics”, October 28, 2011, Yuquan Campus,
Zhejiang University, Hangzhou, China
[25] H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano Electronics”, October 31, 2011, Zhejiang Technology
and Science University, Hangzhou, China
[26] H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano Electronics”, November 2, 2011, Ningbo Institute of
Material Technology and Engineering, Hangzhou, China
[27] H. Iwai, “Evolution of Si CMOS Technologies to Sub-10 nm Generation”, May 16, 2012,
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[28] H. Iwai, “Past and Future of Micro/Nano Electronic Devices”, July 16, 2012, Beifang
University of Nationality, Yinchuan, China
[29] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, October 14, 2013, University of Science and
Technology of China, Hefei, China
[30] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, October 17, 2013, Nanjing University, Nanjing,
China
[31] H. Iwai, “Problems and some solutions for future Nano CMOS Technology”, October 29, 2013,
Stanford University, USA
[32] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, January 2, 2014, IISc Bangalore, India
[33] H. Iwai, “Future of Nano CMOS Technology”, January 3, 2014, IBM SRDC(Semiconductor
Research and Development Center),Bangalore, India
[34] H. Iwai, “Future of Nano-CMOS Technology”, January 20, 2014, URV(Universitat Rovira I
Virgili), Tarragona, Spain
[35] Distinguished Lecture:H. Iwai, “Future of Nano-CMOS Technology”, March 20, 2014,
Zhejiang University, Hangzhou, China
[36] H. Iwai, “Future of Nano-CMOS Technology”, April 7, 2014, INAOE, Puebla, Mexico
[37] H. Iwai, “Future of Nano-CMOS Technology”, April 8, 2014, CINVESTAV, Mexico City,
Mexico
[38] H. Iwai, “New Materials and Structures for Sub-10 nm CMOS Devices”, May 18, 2014, Fudan
University, Shanghai, China
Others
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[2]
H. Iwai “Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design” 2006 Springer
H. Iwai and W. Maszara, “Advanced materials and IC process technologies,” Proc. of the
Ninth International Symposium on Silicon Material Science and Technology, Semiconductor
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[3]
[4]
H. Iwai “IEEE Division I Activities in R10” IEEE AdVom Meeting, May 29, 2011, Taiwan
H. Iwai “Green by/on Nano CMOS Technology “ Ambassador’s Residence, Embassy of
Switzerland, Tokyo, February 15, 2012
13．国内学会発表リスト
[1] 招待講演：岩井 洋 百瀬寿代、「直接トンネルゲート酸化膜の MOSFET への応用」
応用物理学会薄膜・表面物理分科会特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・
信頼性」pp.193-198 嵐山、埼玉、1997 年 1 月
[2] 岩井 洋「高周波パワーデバイスⅠ」電気学会、高性能高機能パワー素子用デバイス・
プロセス技術調査専門委員会 特別シンポジウム「21 世紀に向けたパワーデバイスの
重点課題」1997 年 3 月
[3] 藤本竜一、大高章二、谷本 洋、岩井 洋「微細 CMOS を用いた 1.5GHz 低雑音増幅
器」電子情報通信学会、回路とシステム軽井沢ワークショップ pp.237-242 軽井沢、
1997 年 4 月
[4] 岩井 洋「単体 Tｒに関する本質的課題と解決に向けて」電子工業振興会、半導体産
業研究所「0.01mmSiLSI に向けたシンポジウム」1997 年 5 月
[5] 岩井 洋「CMOSLSI の微細化と低消費電力化」超高密度高速知能システム機能研究
会、通研研究「Si 系デバイスの極微細化」仙台 1997 年 7 月
[6] 百瀬寿代、岩井 洋「トンネルゲート酸化膜 MOSFET 技術」半導体研究振興会、半導
体専門講習会 蔵王 1997 年 7 月
[7] 招待講演：岩井 洋、「21 世紀の極微細デバイス構造」電気学会電子・情報・システ
ム部門大会、pp.29-30 東京、1997 年 8 月
[8] 招待講演：岩井 洋、「ワンチップシステムへの集積化を目指す RF パワーMOSFET」
電気学会電子・情報・システム部門大会、pp. 207-208 東京、1997 年 8 月
[9] 岩井 洋「Si 系デバイス(MOSFET)の微細化と性能限界」応用物理学会スクール Si デ
バイスの新機軸記号－ポスト DRAM を見据えて－ pp.1-26 1997 年 10 月
[10] 百瀬寿代、岩井 洋「極薄ゲート酸化膜技術」VLSI Forum 極薄化、高信頼性を模索
するゲート絶縁膜技術 pp. 49-61、1997 年 11 月
[11] 岩井 洋「集積化 SiMOSFET の微細化限界について」電子工業振興会「デカナノエレ
クトロ二クス委員会」東京 1997 年 11 月
[12] 岩井 洋「シリコンデバイスの微細化とその問題」電気学会・光応用・視覚研究会
LAV-97-14 pp. 1-16 東京、1997 年 11 月
[13] 岩井 洋「超高周波 CMOS 技術」電気学会・電子デバイス研究会、EDD-97-77 pp. 33-36
東京、1997 年 12 月
[14] 岩井 洋、大黒達也「高速・高周波 CMOS サリサイド技術」日本学術振興会 未来開
拓推進プロジェクト「次世代 ULSI 用薄膜材料の開発とナノスケールインテグレーシ
ョン」第 3 回研究会、平成 9 年度報告書 pp. 12-13 名古屋、1998 年 3 月
[15] 岩井 洋、大黒達也、「サリサイド技術への CMOS への応用」東北大学電気通信研究
所共同プロジェクト「IV 族半導体極微細構造形成と表面・界面に関する研究」平成 9
年度研究会 予稿集 pp. 3-4 仙台、1998 年 3 月
[16] 岩井 洋、大黒達也「極微細シリコン高周波デバイス技術」応用物理学会関係連合講
演会「シリコン高周波デバイスの展望」シンポジウム 東京、1998 年 3 月
[17] 岩井 洋、「高速シリコンデバイスの現状と将来展望」日本学術振興会 長集積化デ
バイス・システム第 165 研究会第 6 回研究会、研究資料 pp. 9-16 東京、1998 年 4 月
[18] 岩井 洋、「最先端 MOSLSI 研究開発動向」京都大学 LSI 量子効果融合デバイス研
究会、京都、 1998 年 4 月
[19] 百瀬寿代、中村新一、勝又康弘、岩井 洋「1.5nm 酸化膜 MOSFET」電子情報通信学
会 信学技報 ED-98-9, SDM98-9 pp. 49-61 広島、1998 年 4 月
[20] 招待講演：岩井 洋、大黒 達也、勝又 康弘、｢Si エピタキシーの Advanced CMOS
61
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
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[29]
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[38]
[39]
[40]
[41]
[42]
LSI への応用｣、IV 族半導体極微構造形成と表面・界面制御に関する研究、pp．25-26、
蔵王、宮城、1998 年 10 月
招待講演：岩井 洋、「高速シリコンデバイスの現状と将来展望」日本学術振興会超
集積化デバイス・システム第 165 研究会 第６回研究会、東京、pp.9-16、1998 年 4 月
岩井 洋、大黒 達也、勝又 康弘、｢Si エピタキシーの Advance CMOS LSI への
応用｣、東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究｢IV 族半導体極微細構造形成と
表面・界面に関する研究｣、pg.25、1998 年
招待講演： 岩井 洋、｢CMOS デバイスの限界｣、STARC Symposium、pp.41、1998
年
招待講演：岩井 洋、大黒 達也、｢高速・高周波 CMOS サリサイド技術｣、日本学術
振興会未来開拓学術研究推進プロジェクト｢次世代 ULSI 用薄膜材料の開発とナノスケ
ールインテグレーション第 3 回研究会｣、pp.12、1998 年
岩井 洋、大黒 達也、｢サリサイド技術への CMOS への応用｣、東北大学電気通信研
究所共同プロジェクト研究｢IV 族半導体極微細構造形成と表面・界面に関する研究｣
平成 9 年度研究会、pp.３、1998 年
招待講演：岩井 洋、｢高速シリコンデバイスの現状と将来展望｣、日本学術振興会超
集積化デバイス・システム第 6 回研究会｣、pp.９、1998 年
百瀬 寿代、中村 新一、勝又 康弘、岩井 洋、｢1.5nm 酸化膜 MOSFET｣、電子情
報通信学会研究会 信学技報、pp.15､1998 年
森藤 英治、大黒 達也、吉富 崇、森本 豊太、百瀬 寿代、勝又 康弘、岩井 洋、
｢CMOS におけるプロセスダメージとアナログ特性の関係｣、電子情報通信学会技術研
究報告、信学技報 vol.98 no.517,1999 年 1 月
岩井 洋、｢RF CMOS 技術｣ 電子デバイス研究会、pp．13-18、1999 年 3 月
岩井 洋、大見 俊一郎、｢次世代ゲート絶縁膜技術｣ 東京工業大学 ベンチャー・
ビジネス・ラボラトリー 公開シンポジウム 99、東京、pp．32-35、1999 年 12 月
招待講演：岩井 洋、｢Si-MOSFET の微細化の研究｣、電子情報通信学会 総合大会、
1999 年
招待講演：岩井 洋、｢最先端 MOSLSI 研究開発動向｣、京都大学 LSI 量子効果融合デ
バイス研究会
岩井洋、大見俊一郎 “微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜” 応用物理
Vol.69 No.1 pp.4-14（2000 年 1 月）
招待講演：岩井 洋、｢高誘電率ゲート絶縁膜の展開｣、極限構造電子物性第 151 委員
会，第 53 回研究会、pp．1-16､2000 年 3 月
招待講演：岩井 洋、大見 俊一郎、｢次世代ゲート絶縁膜の動向｣、日本学術振興会
未来開拓学術研究推進事業 研究プロジェクト、｢次世代 ULSI 用薄膜材料の開発とナ
ノスケールプロセスインテグレーション｣第 6 回研究会、pp．1-5、2000 年 3 月
招待講演：岩井 洋、大見 俊一郎、「２１世紀の半導体デバイスとリソグラフィイ
技術」、pp.340-343,電気学会誌、vol.120, no.6,2000 年
招待講演：岩井 洋・大見 俊一郎、｢CMOSULSI 技術開発の課題｣、半導体界面制御
技術第 154 委員会第 28 回研究会、日本学術振興会、pp.1-14, 東京、2000 年 7 月 18
日
岩井 洋・大見 俊一郎、｢High-K 材料と極微細デバイス｣、極限構造電子物性第 151
委員会第 55 回研究会・超集積化デバイス・システム第 165 委員会第 16 回研究会、日
本学術振興会、pp.8-19, 東京、2000 年 7 月 19 日
岩井 洋、「0.1µm 以下への CMOS 微細化の問題点と新素材、プロセス、構造による
解決」、Milli-Fest 2000 講演、2000 年 7 月 28 日
大島享介、大見俊一郎、徳光永輔、岩井洋、石原宏、“高誘電率材料 ZrO2 膜の特性と
Sr 添加の効果”、第 6１回応用物理学会学術講演会、3p-ZD-5（2000 年 9 月）
岩井 洋・大見 俊一郎、百瀬 寿代、大黒 達也、勝又 康弘、｢マイクロ波 Si 系
半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について｣、電子情報通信学会 C 論文誌、
Vol.J83-C､ No.10、pp.911-919、2000 年 10 月
招待講演：岩井 洋・大見 俊一郎、｢70nm、50nm node における CMOS 技術開発
62
の課題｣、応用物理学会分科会シリコンテクノロジー、No.23、pp.7-20、2000 年 11 月
[43] 招待講演：岩井 洋、大見 俊一郎、芦田光行、大島享介、藤村亮介、佐藤航一郎、
武田光弘、小林千尋、｢次世代ゲート絶縁膜技術｣ 東京工業大学 ベンチャー・ビジ
ネス・ラボラトリー 公開シンポジウム 00、東京、pp．75-78、2000 年 12 月
[44] 岩井 洋、｢High-k ゲート絶縁膜の実用化に向けての課題｣、第 57 回 VLSI FORUM｢ア
グレッシブに動くゲート絶縁膜｣、VLSI Report、pp.13-28，2001 年 2 月 23 日
[45] 大見俊一郎、R. S. Johnson、J. G. Hong、G. Lucovsky、岩井 洋、 “RPECVD 法による Al2O3
の Si 基板上への形成”、第４８回応用物理学関係連合講演会、30p-YF-7（2001 年 3 月）
[46] 藤村亮介、武田光弘、大見俊一郎、石原宏、岩井洋、“シミュレーションによる極微細高誘電
率ゲート FET の電気特性解析”、第４８回応用物理学関係連合講演会、29p-ZS-1（2001 年 3
月）
[47] 大島享介、大見俊一郎、徳光永輔、岩井洋、石原宏、“超高真空電子ビーム蒸着法により堆
積した高誘電率材料 ZrO2 膜の特性”、第４８回応用物理学関係連合講演会、30p-YF-17
（2001 年 3 月）
[48] 佐藤航一郎、大見俊一郎、徳光永輔、石原宏、岩井洋、“電子ビーム蒸着法により Si 基板上
に堆積した Pr 酸化物の特性”、第４８回応用物理学関係連合講演会、31a-YF-2（2001 年 3
月）
[49] 小林千尋、大見俊一郎、徳光永輔、石原宏、岩井洋、“電子ビーム蒸着法による La2O3 薄膜
の Si 基板上への形成”、第４８回応用物理学関係連合講演会、31a-YF-3（2001 年 3 月）
[50] 芦田光行、大見俊一郎、大黒達也、岩井洋、“微細 CMOS における 1/f 雑音のゲート長
依存性”、第４８回応用物理学関係連合講演会、31a-ZL-9（2001 年 3 月）
[51] 岩井 洋、大見 俊一郎、“次世代ゲート絶縁膜用高誘電率薄膜に関する研究”、日本
学術振興会 未来開拓学術研究推進事業 研究プロジェクト、｢次世代 ULSI 用薄膜材料
の開発とナノスケールプロセスインテグレーション｣第８回研究会、名古屋大学ベンチ
ャービジネスラボラトリー、2001 年 4 月 5 日
[52] 岩井 洋、“次世代ゲート絶縁膜技術”、TEL Advanced Technology Forum 2001、東京、
2001 年 4 月 13 日
[53] 大見俊一郎、岩井洋、“技術トレンド アメリカを中心とするゲート絶縁膜用 High-k
材料の最新技術動向”、マテリアルステージ 1(2)、pp.1-11、2001 年 5 月
[54] 招待講演：岩井 洋、大見 俊一郎、“高誘電体ゲート絶縁膜技術”、招待講演、半導
体・集積回路技術第６０回シンポジウム、大阪、講演論文集 pp.6-11、2001 年 6 月 6
日･7 日
[55] 岩井 洋、大見 俊一郎、“微細 CMOS 技術”、超機能化グローバルインテグレーショ
ン研究 講演予稿集 pp.3, 4、2002 年 2 月
[56] 佐藤航一郎、大見俊一郎、石原宏、岩井洋、” Si 基板上への高誘電率 Pr2O3 薄膜の形
成条件に関する検討” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.795（2002 年 3 月）
[57] 赤間貞洋、菊池明、戸野谷純一、大見俊一郎、石原宏、岩井洋 “高誘電率希土類酸化
物薄膜の耐湿性に関する検討” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.795（2002
年 3 月）
[58] 柏木郁未、大島千鶴、大見俊一郎、石原宏、岩井洋 “希土類酸化物薄膜の電気特性に
おける Si 基板面方位依存性” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.796（2002
年 3 月）
[59] 田口順一、山本浩之、戸野谷純一、大見俊一郎、石原宏、岩井洋 “Dy2O3/Si(100)構造
の電気特性のアニール時間依存性” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.835
（2002 年 3 月）
[60] 山本浩之、田口純一、大見俊一郎、石原宏、岩井洋 “In-Situ アニールによる Dy2O3
薄膜の電気特性向上に関する検討” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.836
（2002 年 3 月）
[61] 大島千鶴、
柏木郁未、
大見俊一郎、石原宏、岩井洋 “Si 基板上に形成した高誘電率 Gd2O3
薄膜の電気特性” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.836（2002 年 3 月）
[62] 菊地明、赤間貞洋、戸野谷純一、大見俊一郎、石原宏、岩井洋 “希土類酸化物薄膜の
ウェットプロセス耐性” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.836（2002 年 3
63
月）
[63] 武田光弘、大見俊一郎、石原宏、岩井洋 “Lu2O3 薄膜形成における基板表面処理の効
果” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.837（2002 年 3 月）
[64] 中村智裕、白石貴義、高橋健介、柏木郁未、大島千鶴、武田光弘、野平博司、大見俊
一郎、岩井洋、服部健雄 “GdOx および LuOx の極薄膜の角度分解 X 線光電子分光分
析” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.837（2002 年 3 月）
[65] 戸野谷純一、赤間貞洋、菊池明、大見俊一郎、岩井洋 “High-k ゲート絶縁膜の RIE 特
性” 第４９回応用物理学関係連合講演会、vol.2 pp.837（2002 年 3 月）
[66] 特別招待論文：岩井洋、”低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化”、電気情報通信
学会技術研究報告、Vol.102, No.271, pp.37-42（2002 年 8 月）
[67] 栗山篤、山本浩之、大見俊一郎、岩井洋“希土類酸化物薄膜における in-situ 真空アニ
ールの効果に関する検討” 第 63 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No.2 pp.734
(2002 年 9 月)
[68] 金容湜、柏木郁未、大見俊一郎、岩井洋“希土類酸化物の結晶化における Si 基板面方
位依存性”第 63 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No.2 pp.734(2002 年 9 月)
[69] 吉原義昭、大島千鶴、大見俊一郎、岩井洋“高誘電率希土類酸化物薄膜の Si 基板表面
処理の効果” 第 63 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No.2 pp.735(2002 年 9 月)
[70] 白石貴義、中村智裕、吉田徹史、高橋健介、柏木郁未、大島千鶴、武田光弘、野平博
司、大見俊一郎、岩井洋、服部健雄“GdOx/Si(100)および LuOx/Si(100)界面遷移層の角
度分析Ｘ線光電子分光分析”第 63 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No.2 pp.735
(2002 年 9 月)
[71] 上田功、田口順一、大見俊一郎、岩井洋“希土類酸化物上への TaN ゲート電極の形成
第 63 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No.2 pp.737(2002 年 9 月)
[72] 岩井洋: 高速 CMOS デバイスの動向と課題; STARC シンポジウム 2002 講演予稿集,
pp.27-38, （2002 年 9 月）
[73] 岩井洋: 超低消費電力・超高速情報通信用ナノデバイス集積回路の研究; 東工大イノ
ベーション研究推進体発足記念講演会, （2002 年 9 月）
[74] 岩 井 洋 : Si ナ ノ デ バ イ ス と 酸 化 物 ; CERAMIC DATA BOOK 2002, vol.30 no.84
pp.171-173（2002 年 10 月）
[75] 岩井洋: 50nm 以下の領域への CMOS のスケーリングとそのための必要プロセス技術;
酸化膜研究会, (2002)
[76] 岩井洋、”日本にとってのシリコン半導体デバイス研究開発の重要性とその戦略”、文
部科学省科学技術政策研究所講演録-109 (2002 年 12 月)
[77] 岩井洋、大見俊一郎 、グローバル・デバイス・インテグレーション技術の創製―高誘
電体ゲート絶縁膜形成とプラズマドーピング技術、文部科学省特定領域研究(A)「超機
能化グローバルインテグレーション研究」研究会講演予稿集（2003 年 3 月）pp.179-184
[78] 金容湜、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “MBE 法により形成した高誘電率 La2O3 薄膜
における電気特性” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.868 (2003 年 3 月)
[79] 吉原義昭、大島千鶴、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “La2O3 薄膜の電気特性におけ
る Si 基板表面処理の効果” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.868 (2003 年 3
月)
[80] 上田功、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “高誘電率希土類酸化物の積層構造に関する
検討” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.869 (2003 年 3 月)
[81] 中嶋薫、城森慎司、鈴木基史、木村健二、大見俊一郎、岩井洋 “La2O3, Gd2O3 および
Lu2O3 極薄膜の高分解能 RBS による分析” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2
pp.869 (2003 年 3 月)
[82] 白石貴義、竹林一騎、高橋健介、野平博司、柏木郁未、大島千鶴、大見俊一郎、岩井
洋、城森慎司、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、服部健雄 “LuOx 極薄膜の深さ方向組
成・科学結合状態分析” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.870 (2003 年 3 月)
[83] 吉田徹史、白石貴義、高橋健介、野平博司、柏木郁未、大島千鶴、大見俊一郎、岩井
洋、城森慎司、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、服部健雄 “LuOx 極薄膜中のシリケー
ト” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.870 (2003 年 3 月)
[84] 野平博司、白石貴義、高橋健介、柏木郁未、大島千鶴、大見俊一郎、岩井洋、城森慎
司、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、高田恭孝、小林啓介、辛埴、服部健雄 “希土類酸
化物極薄膜中のシリケートとシリサイド” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2
pp.870 (2003 年 3 月)
[85] 大島千鶴、吉原義昭、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “高誘電率 Gd2O3 薄膜の Si 基板
表面処理の効果” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.871(2003 年 3 月)
[86] 栗山篤、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “希土類酸化物薄膜におけるポストアニール
64
に関する検討” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.871 (2003 年 3 月)
[87] 柏木郁未、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “希土類酸化物の電気特性における Si 基板
面方位依存性” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.871 (2003 年 3 月)
[88] 田口順一、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “TaN/Dy2O3/n-Si(100)構造に置ける電気特
性のアニール条件依存性” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.872 (2003 年 3
月)
[89] 山本浩之、栗山篤、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “希土類酸化物薄膜における超高
真空アニールの効果に関する検討” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.872
(2003 年 3 月)
[90] 戸野谷純一、大見俊一郎、岩井洋 “TaN ゲート電極の RIE 特性” 第 50 回応用物理学
関係連合講演会、No.2 pp.935 (2003 年 3 月)
[91] 檜垣良太、赤間貞洋、筒井一生、佐々木雄一朗、水野文二、吉川住和、大見俊一郎、
岩井洋 “室温ガスドーピング法におけるドーズ量の制御” 第 50 回応用物理学関係連
合講演会、No.2 pp.940 (2003 年 3 月)
[92] 赤間貞洋、檜垣良太、筒井一生、佐々木雄一朗、水野文二、吉川住和、大見俊一郎、
岩井洋 “室温ガスドーピングの表面反応機構” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、
No.2 pp.941 (2003 年 3 月)
[93] 佐々木雄一朗、水野文二、赤間貞洋、檜垣良太、大見俊一郎、筒井一生、岡下勝己、
前嶋聡、吉川住和、中山一郎、岩井洋 “プラズマドーピング法における H 等の深さ分
布プロファイルの挙動とコンタミの検討” 第 50 回応用物理学関係連合講演会、No.2
pp.941 (2003 年 3 月)
[94] 野平博司、白石貴義、高橋健介、柏木郁未、大島千鶴、大見俊一郎、岩井洋、城森慎
司、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、服部健雄 “極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造（極
薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術）” 電子情報通信学会技術研究
報告、SDM、シリコン材料・デバイス Vol.103 No.149、pp.25-29（2003 年 6 月）
[95] 白石貴義、吉田徹史、野平博司、柏木郁未、大島千鶴、大見俊一郎、岩井洋、城森慎
司、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、服部健雄 “LaOx 極薄膜の組成・化学結合状態の深
さ方向分析(II)” 第 64 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.735 (2003 年 8 月)
[96] 小林洋一、上田功、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “高誘電率希土類酸化物の積層構
造に関する検討” 第 64 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.735 (2003 年 8 月)
[97] 宮内邦裕、金容湜、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “電子ビーム蒸着法により形成し
た高誘電率 La2 O3 薄膜における漏れ電流特性” 第 64 回応用物理学関係連合講演会、
No.2 pp.735 (2003 年 8 月)
[98] 吉田丈治、ヘンドリアンシャーサウッディン、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “La2 O3
をゲート絶縁膜に用いた MISFET の低周波ノイズ” 第 64 回応用物理学関係連合講演会、
No.2 pp.736 (2003 年 8 月)
[99] 黄仁安、栗山篤、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “La2 O3 薄膜におけるポストメタル
アニールに関する検討” 第 64 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.736 (2003 年 8 月)
[100] 岩井洋 “微細化の末法時代とは : シリコンデバイスの重要性とその行方”応用物理
Vol.72 No.9、pp.1119（2003 年 9 月）
[101] 檜垣良太、筒井一生、佐々木雄一朗、水野文二、吉川住和、大見俊一郎、岩井洋 “プ
ラズマ前処理を用いたガスドーピングにおける基板表面状態の影響” 第 64 回応用物
理学関係連合講演会、No.2 pp.771 (2003 年 9 月)
[102] 佐藤貴久、檜垣良太、筒井一生、佐々木雄一朗、田村秀貴、金成国、水野文二、大見
俊一郎、岩井洋 “プラズマドーピング前後の HF 洗浄とドーズ量の変化” 第 64 回応用
物理学関係連合講演会、No.2 pp.772 (2003 年 9 月)
[103] 岩井洋 “新材料・プロセスの新技術” 第 7 回システム LSI ワークショップ、pp.171-189
（2003 年 11 月）
[104] 岩井洋 “希土類系ゲート絶縁膜” 春季第 51 回応用物理学関係連合講演会、No.0
pp.5(2004 年 3 月)
[105] 小林洋一、上田功、筒井一生、岩井洋 “La2O3/La/n-Si(100)積層構造に関する検討” 春
季第 51 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.869 (2004 年 3 月)
[106] 黄仁安、栗山篤、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “La2O3 薄膜に対する熱処理に関す
る検討” 春季第 51 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.869 (2004 年 3 月)
[107] 吉田丈治、ヘンドリアンシャーサウッディン、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “La2O3
をゲート絶縁膜に用いた MISFET の低周波ノイズのアニール雰囲気依存性” 春季第 51
回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.869 (2004 年 3 月)
[108] 宮内邦裕、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “La2O3 薄膜における電気特性のアニール
時間依存性” 春季第 51 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.870 (2004 年 3 月)
[109] 金容湜、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋 “高誘電率 La2O3 薄膜におけるリーク電流機
65
構の解析” 春季第 51 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.870 (2004 年 3 月)
[110] 佐藤貴久、田村秀貴、檜垣良太、佐々木雄一朗、水野文二、筒井一生、大見俊一郎、
岩井洋 “プラズマドーピング後の基板洗浄がドーズに与える影響” 春季第 51 回応用
物理学関係連合講演会、No.2 pp.945 (2004 年 3 月)
[111] 高木克洋、佐藤貴久、田村秀貴、筒井一生、佐々木雄一朗、水野文二、大見俊一郎、
岩井洋 “プラズマドーピングにおける He プラズマ後処理による不純物プロファイル
制御” 春季第 51 回応用物理学関係連合講演会、No.2 pp.945 (2004 年 3 月)
[112] 黒木裕介、黄仁安、栗山篤、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋“La2O3 をゲート絶縁に
用いた MISFET におけるポストメタライゼーションアニ―ルの効果に関する検討”
秋季第 65 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No.2 pp.686(2004 年 9 月)
[113] 高木克洋、佐藤貴久、田村秀貴、岡下勝己、筒井一生、佐々木雄一朗、水野文二、岩
井洋 “プラズマドーピングにおける He プラズマ前処理の不純物プロファイルへの
効果”秋季第 65 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No2. pp.741(2004 年 9 月)
[114] 福山享、金溶湜、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋“高誘電率 La2O3 薄膜におけるリー
ク電流機構の解析” 秋季第 65 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No2. pp.686
(2004 年 9 月)
[115] 吉崎智史、吉田丈治、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋“ゲート絶縁膜に用いた MISFET
の低周波ノイズのアニール温度依存性” 秋季第 65 回応用物理学会学術講演会講演予
稿集、No2. pp.686 (2004 年 9 月)
[116] 相庭一穂、佐藤貴久、佐々木雄一朗、筒井一生、水野文二、岩井洋“プラズマドーピ
ング後の基板洗浄によるドーズ変化” 秋季第 65 回応用物理学会学術講演会講演予稿
集、No2. pp741 (2004 年 9 月)
[117] Molina R. Joel、栗山篤、筒井一生、岩井洋“希土類酸化物薄膜におけるポストメタル
アニールに関する検討（２）” 秋季第 65 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No2.
pp.685 (2004 年 9 月)
[118] 項瑞飛、小林洋一、筒井一生、岩井洋“Hf を添加した Ni シリサイドの形成” 秋季第
65 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No2. pp.708 (2004 年 9 月)
[119] 中川健太郎、宮内邦裕、筒井一生、岩井洋“高誘電率希土類酸化物の積層構造に関す
る研究” 秋季第 65 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No2. pp.687 (2004 年 9 月)
[120] 吉田徹史、岡本英介、品川盛治、野平博司、酒井渉、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、
吉田丈治、大見俊一郎、岩井洋、池永英司、高田恭孝、辛埴、小林啓介、服部健雄“GdOx/Si
界面組成遷移層の化学結合状態の深さ方向分布の熱処理依存性” 秋季第 65 回応用物
理学会学術講演会講演予稿集、No2. pp.688 (2004 年 9 月)
[121] 野平博司、吉田徹史、岡本英介、品川盛治、酒井渉、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、
Ng Jin Aun、小林洋一、宮内邦裕、吉田丈治、大見俊一郎、岩井洋、池永英司、高田
恭孝、辛埴、小林啓介、服部健雄“LaOx/Si 界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理
依存性” 秋季第 65 回応用物理学会学術講演会講演予稿集、No2. pp.688 (2004 年 9 月)
[122] 眞嶋健太、深川洋太郎、田村秀貴、岡下勝己、佐々木雄一朗、水野文二、筒井一生、
岩井洋“プラズマドーピング法で形成した極浅 p+n 接合のホール測定” 秋季第 65 回
応用物理学会学術講演会講演予稿集、No2. pp.741 (2004 年 9 月)
[123] 招待講演：岩井洋“エレクトロニクス分野の 10 年後に向けた戦略 ①日米欧中台韓
における戦略比較”
第 52 回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 No.0 pp.129(2005
年 3 月)
[124] 項瑞飛、小林洋一、永廣候治、筒井一生、岩井洋、奥野泰利、松元道一、久保田正文
“Hf 層挿入による Ni シリサイドの高耐熱化の検討”第 52 回応用物理学関係連合講
演会 講演予稿集 No.2 pp.741 (2005 年 3 月)
[125] 福山享、金容湜、大見俊一郎、筒井一生、岩井洋“MIM 構造の高誘電率 La2O3 薄膜
におけるリーク電流機構” 第 52 回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 No.2
pp.918 (2005 年 3 月)
[126] 黒木裕介、黄 仁安、杉井信之、筒井一生、岩井洋“ポストデポジションアニールに
よる La2O3-Si 界面状態回復に関する検討” 第 52 回応用物理学関係連合講演会 講演
予稿集 No.2 pp.918 (2005 年 3 月)
[127] 吉田徹史、松田徹、岡本英介、品川盛治、野平博司、中川健太郎、黒木裕介、宮内邦
裕、大見俊一郎、岩井洋、池永英司、高田恭孝、小林啓介、服部健雄“LaOx/Yox/Si
界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性” 第 52 回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集 No.2 pp.918 (2005 年 3 月)
[128] 中川健太郎、宮内邦裕、筒井一生、岩井洋“高誘電率希土類酸化物の積層構造に関す
る研究” 第 52 回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 No.2 pp.919 (2005 年 3 月)
[129] 深川洋太郎、相庭一穂、田村秀貴、岡下勝己、佐々木雄一朗、水野文二、筒井一生、
岩井洋“He プラズマ照射によるプレアモルファス層形成過程の検討” 第 52 回応用物
66
理学関係連合講演会 講演予稿集 No.2 pp.963 (2005 年 3 月)
[130] 相庭一穂、深川洋太郎、田村秀貴、岡下勝己、佐々木雄一朗、筒井一生、水野文二、
岩井洋“レジストパターンを形成した Si 基板へのプラズマドーピングの検討” 第 52
回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 No.2 pp.963 (2005 年 3 月)
[131] 岡下勝己、佐々木雄一朗、金 成国、田村秀貴、伊藤裕之、水野文二、筒井一生、岩
井洋“プラズマドーピングと spike RTA を用いた極浅接合の形成” 第 52 回応用物理
学関係連合講演会 講演予稿集 No.2 pp.964 (2005 年 3 月)
[132] H・サウッディン、田村秀貴、岡下勝己、佐々木雄一朗、水野文二、筒井一生、岩井
洋“プラズマドーピングで形成した極浅 p+/n 接合の漏れ電流評価” 第 52 回応用物理
学関係連合講演会 講演予稿集 No.2 pp.964 (2005 年 3 月)
[133] 山田啓作、知京豊裕、遠藤哲郎、岩井洋“10nmCMOS に向けた 40nm デザインルール
による学独連携相乗りマスク製作” シンポジウム「来るべきナノ CMOS 時代に向け
ての挑戦とその課題」pp.22-25 (2005 年 4 月) 早稲田大学総合学術情報センター国際会
議場
[134] 知京豊裕、中島清美、山田啓作、岩井洋“サブ 10nmCMOS 作成のための 40nm ノード
微細 MOS 構造の原子レベルでの構造観察”シンポジウム「来るべきナノ CMOS 時代
に向けての挑戦とその課題」pp.26-29 (2005 年 4 月) 早稲田大学総合学術情報センター
国際会議場
[135] 筒井一生、大見俊一郎、角嶋邦之、佐々木雄一朗、伊藤裕之、水野文二、岩井洋“ナ
ノ CMOS に向けた極浅接合形成と高誘電率ゲート絶縁膜技術” シンポジウム「来る
べきナノ CMOS 時代に向けての挑戦とその課題」pp.30-33 (2005 年 4 月) 早稲田大学
総合学術情報センター国際会議場
[136] 宋在烈、福山亨、角嶋邦之、筒井一生、岩井洋“La2O3/n-Ge(100)MIS キャパシタの特
性” 第 66 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.688 (2005 年 9 月) 徳島大学（常三島
キャンパス）
[137] 舘喜一、黒木裕介、黄仁安、角嶋邦之、杉井信之、筒井一生、岩井洋 “ポストメタ
ラ応用物理学会学術講演会イゼーションアニールを用いた La2O3-MISFET の移動度向
上に関する検討” 第 66 回応用物理学会学術講演会 Ｎｏ.2 pp.688 (2005 年 9 月) 徳島
大学（常三島キャンパス）
[138] 野平博司、松田徹、岡本英介、品川盛治、中川健太郎、池永英司、角嶋邦之、筒井一
生、小林啓介、岩井洋、服部健雄 “LaOx/YOx/Si 界面組成遷移層の化学結合状態の
熱処理依存性Ⅱ” 第 66 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.689 (2005 年 9 月) 徳島大
学（常三島キャンパス）
[139] 椎野泰洋、中川健太郎、角嶋邦之、筒井一生、岩井洋 “La2O3/Y2O3 ゲート絶縁膜
を用いた MISFET の作成と特性評価” 第 66 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.689
(2005 年 9 月) 徳島大学（常三島キャンパス）
[140] H.サウッディン、田村秀貴、岡下勝己、佐々木雄一朗、伊藤裕之、水野文二、角嶋邦
之、筒井一生、岩井洋 “プラズマドーピング法で形成したメサ型ｐ+/n 接合の逆方
向電流の評価” 第 66 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.723 (2005 年 9 月) 徳島大学
（常三島キャンパス）
[141] 深川洋太郎、相庭一穂、小林勇介、田村秀貴、岡下勝己、佐々木雄一朗、水野文二、
筒井一生、角嶋邦之、 岩井洋 “プラズマドーピング法で形成したｐ+層の極浅化に
伴う電気伝導特性の変化”第 66 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.723 (2005 年 9 月)
徳島大学（常三島キャンパス）
[142] 松田徹、野平博司、池永英司、相庭一穂、深川洋太郎、田村英貴、岡下勝己、金正国、
佐々木雄一郎、伊藤裕之、角嶋邦之、筒井一生、水野文二、岩井洋、服部健雄 “シ
リコン表面にプラズマドープしたボロン原子の化学結合状態” 第 66 回応用物理学会
学術講演会 No.2 pp.723 (2005 年 9 月) 徳島大学（常三島キャンパス）
[143] 中川昌幸、吉崎智史、宋在烈、張偉源、奈良安雄、安平光雄、大塚文雄、有門経敏、
中村邦雄、角嶋邦之、筒井一生、青木均、岩井洋 “Sub-100nm High-K MOSFET の
RF 特性比較”第 66 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.735 (2005 年 9 月) 徳島大学
（常三島キャンパス）
[144] 野平博司、松田徹、舘喜一、椎野泰洋、宋在烈、黒木裕介、ン・ジンアン、パールハ
ット・アヘメト、角嶋邦之、筒井一生、池永英司、小林啓介、岩井洋、服部健雄 “LaOx/Si
界面組成遷移層の熱安定性” 第 53 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.833 (2006 年 3
月) 武蔵工業大学
[145] 椎野泰洋、中川健太郎、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、杉井信之、服部健雄、
筒井一生、岩井洋 “La2O3/Sc2O3 積層構造ゲート絶縁膜による耐熱性向上に関する検
討” 第 53 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.834 (2006 年 3 月) 武蔵工業大学
[146] 中嶋薫、木村健二、舘喜一、角嶋邦之、岩井洋 “高分解能 ERD 法を用いた La2O3/Si(001)
67
中の水素分析” 第 53 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.834 (2006 年 3 月) 武蔵工
業大学
[147] 舘喜一、黒木裕介、黄仁安、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信
之、服部健雄、岩井洋 “La2O3-nMISFET 電気特性の金属微量添加による効果”
第
53 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.835 (2006 年 3 月) 武蔵工業大学
[148] 宋在烈、福山享、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部健
雄、岩井洋 “熱処理における La2O3/n-Ge(100)界面の XPS 分析” 第 53 回応用物理学
会学術講演会 No.2 pp.837 (2006 年 3 月) 武蔵工業大学
[149] 塩澤崇史、項端飛、永廣候治、パールハット・アヘメト、角嶋邦之、筒井一生、岩井
洋、奥野泰利、松元道一、久保田正文 “NiSi から NiSi2 への相転移温度領域における
シート抵抗増加特性の評価” 第 53 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.911 (2006 年 3
月) 武蔵工業大学
[150] 永廣候治、項端飛、塩澤崇史、パールハット・アヘメト、角嶋邦之、筒井一生、岩井
洋、奥野泰利、松元道一、久保田正文 “Ni シリサイド形成における異種金属積層添
加効果の検討” 第 53 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.911 (2006 年 3 月) 武蔵工
業大学
[151] 中川昌幸、吉崎智史、宋在烈、張偉弦、奈良安雄、安平光雄、大塚文雄、有門経敏、
中村邦雄、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、青木均、岩井洋 “Sub-100
nm High-k MOSFET の高周波歪み特性” 第 53 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.934
(2006 年 3 月)武蔵工業大学
[152] 小林勇介、V.Hariharan、角嶋邦之、筒井一生、岩井洋、R.Rao “FinFET のゲート-ソー
ス/ドレイン間寄生効果の素子形状依存性” 第 53 回応用物理学会学術講演会 No.2
pp.934 (2006 年 3 月) 武蔵工業大学
[153] 角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、岩井洋 “La2O3 の次世代ゲート絶縁
膜への応用” 第 67 回応用物理学会学術講演会 No.0 pp.73 (2006 年 8 月) 立命館大学
[154] 川那子高暢、椎野康洋、アンシャー･サウッディン、角嶋邦之、パールハット・アヘメ
ト、筒井一生、杉井信之、服部健雄、岩井洋 “Sc2O3 ゲート絶縁膜を用いた MISFET
の作製と特性評価”
第 67 回応用物理学会学術講演会 No.0 pp.718 (2006 年 8 月) 立
命館大学
[155] 佐藤創志、舘喜一、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部
健雄、岩井洋 “電子ビーム蒸着時の酸素供給による La2O3 膜の熱安定性向上効果”
第 67 回応用物理学会学術講演会 No.0 pp.718 (2006 年 8 月) 立命館大学
[156] 大石善久、永廣侯治、塩澤崇史、パールハット・アヘメト、角嶋邦之、筒井一生、岩
井洋 “AI 層界面挿入による N＋-Si 基板上 Ni シリサイドの耐熱性向上” 第 67 回応
用物理学会学術講演会 No.0 pp.773 (2006 年 8 月) 立命館大学
[157] 足立学、永廣侯治、塩澤崇史、パールハット・アヘメト、角嶋邦之、筒井一生、岩井
洋 “異種金属の PSMD(モノシリサイド形成後金属添加)法による NiSi の耐熱性向上”
第 67 回応用物理学会学術講演会 No.0 pp.774(2006 年 8 月) 立命館大学
[158] 小林勇介、V.Hariharan、角嶋邦之、R.Rao、岩井洋 “FinFET の寄生効果低減の為のゲ
ート-ソース/ドレイン間素子形状の最適化” 第 67 回応用物理学会学術講演会 No.0
pp.800(2006 年 8 月) 立命館大学
[159] 岡本晃一、宋在烈、福山亨、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信
之、服部健雄、岩井洋 “La2O3 MIM キャパシタ電気特性の熱処理依存症”
第 67 回
応用物理学会学術講演会 No.0 pp.719 (2006 年 8 月) 立命館大学
[160] 松田徹、野平博司、池永英司、小林勇介、金成国、岡下勝巳、佐々木雄一朗、伊藤裕
之、角嶋邦之、筒井一生、水野文二、服部健雄、岩井洋 “プラズマドープしたボロン
の化学結合形態とその深さ方向分布の Spike RTA による変化” 第 67 回 応用物理学
会学術講演会 No.0 pp.770 (2006 年 8 月) 立命館大学
[161] 岩井洋 “NanoCMOS の今後の 15 年の展望” シンポジウム「NanoCMOS の今後の 15
年の展望とその技術課題」pp.2-11 (2006 年 9 月) 早稲田大学小野記念講堂
[162] 白石賢二、武内英樹、赤坂泰志、中山隆志、宮崎誠一、中岡高志、太田晃生、渡部平
司、梅澤直人、パールハット・アヘメト、鳥居和功、知京豊裕、奈良安雄、Tsu-Jae King
Liu、山田啓作、岩井洋 “High-k/metal ゲートでのフェルミレベルピニングのメカニズ
ム解明とその解決法” シンポジウム「NanoCMOS の今後の 15 年の展望とその技術課
題」 pp.28-37 (2006 年 9 月) 早稲田大学小野記念講堂
[163] 筒井一生、佐々木雄一朗、眞嶋健太、深川洋太郎、相庭一穂、桧垣良太、金成国、
ヘンドリーアンシャー･サウッディン、伊藤裕之、水野文二、角嶋邦之、パールハット・
アヘメト、岩井洋 “10nm ソース・ドレイン接合深さを実現するプラズマドーピング技
術” シンポジウム「NanoCMOS の今後の 15 年の展望とその技術課題」pp.62-69(2006
年 9 月) 早稲田大学小野記念講堂
68
[164] 水野文二、佐々木雄一朗、金成国、岡下勝巳、伊藤裕之、筒井一生、ヘンドリーアン
シャー･サウッディン、筒井一生、岩井洋 “プラズマドープされた不純物層の測定手法”
シンポジウム「NanoCMOS の今後の 15 年の展望とその技術課題」pp.70-75 (2006 年 9
月) 早稲田大学小野記念講堂
[165] パールハット・アヘメト、角嶋邦之、筒井一生、岩井洋 “Sub-1nm EOT を実現する
La2O3 high-k ゲート絶縁膜技術” シンポジウム「NanoCMOS の今後の 15 年の展望と
その技術課題」pp.76-83 (2006 年 9 月) 早稲田大学小野記念講堂
[166] 角嶋邦之、中川昌幸、筒井一生、岩井洋 “40GHzRF 測定による 50nm ゲート長
High-kCMOS の誘電分散の評価” シンポジウム「NanoCMOS の今後の 15 年の展望と
その技術課題」pp.134-138(2006 年 9 月) 早稲田大学小野記念講堂
[167] 中嶋薫、趙明、鈴木基史、木村健二、植松真司、鳥居和功、神山聡、奈良安雄、山田
啓作、舘喜一、角嶋邦之、岩井洋、“シリコンと high-k ゲート絶縁膜の界面高分解能
RBS/ERD 分析（シリコン関連材料の作製と評価）”電子情報通信学会技術研究報告、
SDM、シリコン材料・デバイス Vol.106 No.417、pp.31-36（2006 年 12 月）
[168] 塩澤崇史、永廣侯治、パールハット・アヘメト、角嶋邦之、筒井一生、岩井洋 “AI
層界面挿入による N＋-Si 基板上 Ni シリサイドの耐熱性向上”春季第 54 回応用物理学
会学術講演会 No.02 pp.895 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[169] 永廣侯治、塩澤崇史、パールハット・アヘメト、角嶋邦之、筒井一生、岩井洋 “AI
を用いた PSMD(モノシリサイド形成後金属添加)法による NiSi の耐熱性向上” 春季第
54 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.895 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[170] 宋在烈、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部健雄、岩井
洋“La2O3/Ge 構造における界面層成長による界面特性改善” 春季第 54 回応用物理学
会学術講演会 No.02 pp.861 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[171] 舘喜一、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部健雄、岩井
洋 “W／La2O3／Si 構造における酸化膜電荷の評価” 春季第 54 回応用物理学会学術
講演会 No.02 pp.857 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[172] 両角康宏、小林勇介、名取研二、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、服
部健雄、杉井信之、岩井洋 “RT モデルによる MOSFET パラメーターにおけるバリス
ティック伝導性の調査” 春季第 54 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.947 (2007 年
3 月) 青山学院大学
[173] 川那子高暢、椎野康洋、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、
服部健雄、岩井洋 “希土類複合酸化物（La-Sc-O）を用いた High-k ゲート絶縁膜の作
製と電気特性評価” 春季第 54 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.857 (2007 年 3 月)
青山学院大学
[174] 佐藤創志、舘喜一、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部
健雄、岩井洋 “in situ ラジカル窒化 LaOxNy 膜の耐熱性に関する検討” 春季第 54 回
応用物理学会学術講演会 No.02 pp.859 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[175] 椎野泰洋、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部健雄、岩
井洋 “La2O3／Sc2O3 積層ゲート絶縁膜による耐熱性向上に関する検討（2）” 春季第
54 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.859 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[176] 大石善久、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部健雄、岩
井洋 “Ni シリサイドショットキー障壁の熱処理依存症” 春季第 54 回応用物理学会
学術講演会 No.02 pp.896 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[177] 足立学、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部健雄、岩井
洋 “La2O3／Metal ゲートスタック構造での金属の実効仕事関数” 春季第 54 回応用
物理学会学術講演会 No.02 pp.856 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[178] 小林勇介、筒井一生、角嶋邦之、V. Hariharan, V. R. Rao, パールハット・アヘメト , 岩
井洋 “FinFET の Spacer 領域形状変化のデバイス特性への影響” 春季第 54 回応用物
理学会学術講演会 No.02 pp.924 (2007 年 3 月) 青山学院大学
[179] 竹永祥則、松田徹、野平博司、椎野泰洋、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井
一生、服部健雄、岩井洋 “LaOｘ／ScOｘ／Si 界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理
温度依存性” 春季第 54 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.859 (2007 年 3 月) 青山
学院大学
[180] 大毛利健治、吉川英樹、パールハット・アヘメト、角嶋邦之、山部紀久夫、小林啓介、
知京豊裕、岩井洋 “硬 X 線を用いたメタルゲート／High－k 絶縁膜ゲートスタック
構造の非破壊観察” 春季第 54 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.851 (2007 年 3 月)
青山学院大学
[181] 佐藤創志、舘喜一、宋在烈、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信
之、服部健雄、岩井洋 “ラジカル窒化による La_2O_3 ゲート絶縁膜への窒素導入効
果 : 堆積時窒化による EOT 増加抑制効果（ゲート絶縁膜、容量膜、機能幕及びメ
69
モリ技術） ”電子情報通信学会技術研究報告、SDM、シリコン材料・デバイス Vol.107
No.85、pp.71-74（2007 年 5 月）
[182] 山田啓作、知京豊裕、白石賢二、遠藤哲郎、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、岩
井洋 “ナノスケールメモリーの将来展望とその重要性” 第 35 回 薄膜・表面物理
セミナー pp.1 (2007 年 7 月) 早稲田大学 小野記念講堂
[183] 宋在烈, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
“La2O3/Ge MIS 構造における微量 Si 界面層導入による電気特性の変化” 秋季第 68
回応用物理学会学術講演会 (2007 年 9 月) 北海道工業大学
[184] 幸田みゆき, 川那子高暢, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服
部健雄, 岩井洋 “Sc2O3 ゲート絶縁膜のリーク電流機構の解析” 秋季第 68 回応用
物理学会学術講演会 (2007 年 9 月) 北海道工業大学
[185] 岡本晃一、足立学、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、杉井信之、筒井一生、服部
健雄、岩井洋 “HfO2/Si 界面への La2O3 サブモノレイヤー添加による電気特性の変
化” 秋季第 68 回応用物理学会学術講演会 (2007 年 9 月) 北海道工業大学
[186] 藤澤 宏樹, 舘 喜一, 角嶋 邦之，パールハット・アヘメト, 筒井 一生, 杉井 信之, 服
部 健雄, 岩井 洋 “Al キャップ層が W/La2O3/Si MOS 構造の電気特性に及ぼす影響”
秋季第 68 回応用物理学会学術講演会 (2007 年 9 月) 北海道工業大学
[187] 日野雅文, 角嶋 邦之，パールハット アヘメト，筒井 一生，杉井 信之，服部 健雄，
岩井 洋 “HfO2/ La2O3 のゲート絶縁膜を用いた Si-MOSFET の電気特性” 秋季第 68
回応用物理学会学術講演会 (2007 年 9 月) 北海道工業大学
[188] 上村 英之，足立 学, 角嶋 邦之，パールハット アヘメト，筒井 一生，杉井 信之，
服部 健雄，岩井 洋 “HfO2/SiO2 界面への Sc2O3 添加によるフラットバンド電圧
シフト” 秋季第 68 回応用物理学会学術講演会 (2007 年 9 月) 北海道工業大学
[189] 渡邉将光，松田徹，小林勇介，佐藤創志, 野平博司，池永英司，金成国，岡下勝巳，
佐々木雄一郎，パールハット・アヘメト，角嶋邦之，水野文二，服部健雄，筒井一生，
岩井洋 “極浅高濃度ボロンドーピング層における正孔移動度深さ分布” 秋季第 68
回応用物理学会学術講演会 (2007 年 9 月) 北海道工業大学
[190] 小林勇介, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, V. R. ラオ, 筒井一生, 岩井洋 “ダブ
ルゲート型およびプレーナー型 MOSFET における構造バラつきの影響の比較検討”
秋季第 68 回応用物理学会学術講演会 (2007 年 9 月) 北海道工業大学
[191] 岩井洋“次世代異種新材料複合 MOSFET 集積化技術”STARC シンポジウム 2007（2007
年 9 月）大阪, 千里阪急ホテル
[192] 舘 喜一, 角嶋邦之 , パールハット アヘメト, 筒井 一生 , 杉井 信之, 服部健雄,
岩井 洋 “高性能 MOSFET 実現のための La2O3 ゲート絶縁膜/Si 直接接合界面特性改
善技術” STARC シンポジウム 2007（2007 年 9 月）大阪, 千里阪急ホテル
[193] 宋在烈, 角嶋邦之, パールハット アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
“La2O3/Ge MOS 構造における Ge 表面処理による電気特性の改善”
STARC シン
ポジウム 2007（2007 年 9 月）大阪, 千里阪急ホテル
[194] 川那子 高暢、舘 喜一、宋 在烈、角嶋 邦之、パールハット・アヘメト、筒井 一生、
杉井 信之、服部 健雄、岩井 洋 “希土類複合酸化膜(LaScOx)を用いた High-k ゲー
ト絶縁膜の作製とデバイスへの応用” STARC シンポジウム 2007（2007 年 9 月）大
阪, 千里阪急ホテル
[195] 原田慈久，中村仁，角嶋邦之，服部健雄，岩井洋，金成国，佐々木雄一朗，水野文二，
辛埴，“シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測（表
面界面電子物性、領域 9、表面・界面、結晶成長）”日本物理学会講演概要集 62(2-4)、
P.966（2007 年 8 月）
[196] パールハット・アヘメト、角嶋邦之、長田貴弘、筒井一生、杉井信之、知京豊裕、服
部健雄、岩井洋“高濃度 n+-Si 及び p+-Si 基板上の Ni シリサイドの熱安定性の違い”
春季第 55 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.896 (2008 年 3 月)日本大学
[197] 舘喜一、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服部健雄、岩井
洋“Sub-1.0nm EOT における W／La2O3 ゲートスタックｎMOSFET の電子移動度解析”
春季第 55 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.849 (2008 年 3 月)日本大学
[198] 宋在烈、舘喜一、岡本晃一、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信
之、服部健雄、岩井 洋 “La シリケート層を界面に用いた high-k/Si MOS 構造の電気
特性検討”春季第 55 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.849 (2008 年 3 月)日本大学
[199] 足立学、岡本晃一、舘喜一、佐藤創志、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一
生、杉井信之、服部健雄、岩井洋“HfO2/ La2O3 積層キャパシタにおける La2O3 層に依
存した界面層成長抑制の効果”春季第 55 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.849
(2008 年 3 月)日本大学
[200] 岡本晃一、舘喜一、足立学、佐藤創志、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、杉井信
70
之、筒井一生、服部健雄、岩井 洋 “Hf O2 系 High-k ゲート MOSFET の電気特性に
対する La2O3 界面層挿入効果”
春季第 55 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.848 (2008
年 3 月)日本大学
[201] 幸田みゆき、舘喜一、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服
部健雄、岩井洋“CeO2/La2O3 積層ゲート絶縁膜の電気特性評価”春季第 55 回応用物
理学会学術講演会 No.02 pp.850 (2008 年 3 月)日本大学
[202] 野口浩平、大石善久、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、杉井信之、服
部健雄、岩井洋“Er 層界面挿入による Ni シリサイドのショットキー障壁変調技術”
春季第 55 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.879(2008 年 3 月)日本大学
[203] 日野雅文、吉田哲也、小瀬村大亮、 角嶋邦之、パールハット・アヘメト、筒井一生、
杉井信之、小椋厚志、服部健雄、岩井洋“SiN 応力膜による Si 基板への歪記憶の検討”
春季第 55 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.883 (2008 年 3 月)日本大学
[204] 上村英之、角嶋邦之、パールハット・アへメト、筒井一生、杉井信之、大毛利健治、
服部健雄、岩井 洋“熱酸化による Si ナノワイヤ形状の酸化条件依存性”春季第 55 回
応用物理学会学術講演会 No.02 pp.913 (2008 年 3 月)日本大学
[205] 小林勇介、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、V. R. Rao、筒井一生、岩井洋 “FinFET
におけるショートチャンネル効果のフィン幅依存症”春季第 55 回応用物理学会学術講
演会 No.02 pp.925 (2008 年 3 月)日本大学
[206] 中野美尚、村上裕彦、ダリューシュ ハサンザデ、パールハット・アヘメト、角嶋邦
之、岩井洋“基板並行方向への CNT 成長制御”春季第 55 回応用物理学会学術講演会
No.02 pp.992 (2008 年 3 月)日本大学
[207] 北村幸司、舘喜一、角嶋邦之、岩井洋、野平博司“HfLaOx/SiO2/Si の組成分布に及ぼ
す熱処理の効果”春季第 55 回応用物理学会学術講演会 No.02 pp.848(2008 年 3 月)日本
大学
[208] 酒井一憲、渡邉将光、中川恭成、金成国、岡下勝巳、佐々木雄一郎、パールハット・
アヘメト、角嶋邦之、水野文二、服部健雄、筒井一生、岩井洋“極浅接合プロファイ
リングのための反復犠牲酸化エッチング技術”春季第 55 回応用物理学会学術講演会
No.02 pp.900(2008 年 3 月)日本大学
[209] 角嶋邦之，宋在烈，パールハット アヘメト，筒井一生，岩井洋“希土類酸化物 La2O3
膜を用いた GeMOS デバイスの特性改善のための極薄界面層の検討”第 72 回半導体・
集積回路技術シンポジウム（2008 年 7 月 10 日）東京農工大学 小金井キャンパス
[210] 李映勲，永田貴弘，白石賢二，角嶋邦之，岩井 洋 “第一原理計算によるシリコンナ
ノワイヤの電子構造解析”秋季第 69 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.766 (2008 年 9
月)中部大学
[211] 新井英朗，上村英之，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，服部
健雄，杉井信之，岩井 洋“熱酸化による Si ナノワイヤの作製とその電気特性”秋
季第 69 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp. 768 (2008 年 9 月)中部大学
[212] 小柳友常，岡本晃一，角嶋邦之，パールハット アヘメト，杉井信之，筒井一生，服部
健雄，岩井 洋“La203 系 MOSFET への Mg 挿入による電気特性の変化”秋季第 69 回
応用物理学会学術講演会 No. 2 pp. 702 (2008 年 9 月)中部大学
[213] 川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井信之，服部健雄，岩
井 洋“La2O3/Si 直接接合構造における界面特性の評価”秋季第 69 回応用物理学会
学術講演会 No.2 pp.702 (2008 年 9 月)中部大学
[214] 船水清永，幸田みゆき，舘 喜一，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉
井信之，服部健雄，岩井 洋“CeOX/La2O3 積層ゲート絶縁膜構造の膜特性評価”秋季
第 69 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.703 (2008 年 9 月)中部大学
[215] 野平博司，今陽一郎，北村幸司，幸田みゆき，角嶋邦之，岩井 洋“CeO2/La2O3/Si(100)
構造の熱安定性”秋季第 69 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.703 (2008 年 9 月)中部
大学
[216] 佐藤創志，上村英之，新井英朗，大毛利健治，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒
井一生，服部健雄，杉井信之，山田啓作，岩井 洋“Si Fin のアスペクト比最適化に
より作製した円形 Si ナノワイヤの形状に関する研究”秋季第 69 回応用物理学会学術
講演会 No.2 pp. 735 (2008 年 9 月)中部大学
[217] 中川恭成，野平博司，酒井一憲，横田知之，甲斐隆行，金 成国，パールハット アヘ
メト，角嶋邦之，水野文二，服部健雄，筒井一生，岩井 洋“光電子分光による Si
中 As の活性化状態の深さ方向分布評価”秋季第 69 回応用物理学会学術講演会 No.2
pp.738 (2008 年 9 月)中部大学
[218] 中山寛人，日野雅文，岩井 洋，服部健雄，杉井信之，筒井一生，パールハット アヘ
メト ，角嶋邦之，小椋厚志，永田晃基，吉田哲也，小瀬村大亮“Ar 注入と SiN 応力
膜によるパターン付 Si 基板への歪記憶技術の検討”秋季第 69 回応用物理学会学術講
71
演会 No.2 pp. 743 (2008 年 9 月)中部大学
[219] 酒井一憲，中川恭成，横田知之，金 成国，岡下勝巳，佐々木雄一郎，パールハット ア
ヘメト，角嶋邦之，水野文二，服部健雄，筒井一生，岩井 洋“3 次元 Fin 構造中不
純物プロファイリングのための反復犠牲酸化エッチング”秋季第 69 回応用物理学会学
術講演会 No. 2 749pp. (2008 年 9 月)中部大学
[220] 細田 亘，野口浩平，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井信之，服部
健雄，岩井 洋“Er 層界面挿入による Ni シリサイドのショットキー障壁変調と
SB-MOSFET への応用”
秋季第 69 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.751 (2008 年 9 月)
中部大学
[221] 又野克哉，野口浩平，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井信之，服部
健雄，岩井 洋“Hf 層界面挿入による Ni シリサイドのショットキー障壁変調技術”
秋季第 69 回応用物理学会学術講演会 No.2 pp.751 (2008 年 9 月)中部大学
[222] 小林勇介，角嶋邦之，パールハット アヘメト，ラオ ラムゴパル，筒井一生，岩井 洋
“FinFET の閾値変動における短チャネル効果による影響の切り分け”秋季第 69 回応
用物理学会学術講演会 No.2 pp. 753 (2008 年 9 月)中部大学
[223] 小柳友常，舘 喜一，岡本晃一，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井
信之，服部健雄，岩井 洋“Electrical Characterization of La2O3-Gated Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor with Mg Incorporation” International Workshop on
Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices(IWDTF), (2008 年 11 月 6 日)東京工業大学
[224] 幸田みゆき、梅澤直人、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、白石賢二、知京豊裕、
山田啓作、服部健雄、岩井洋“低電子揺動 Ce 酸化物を利用した high－k 膜中の固定
電荷の抑制”応用物理学会 薄膜･表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会 ゲートスタック研究会－材料･プロセス・評価の物理－（第 14 回研究会）
pp.21 , （2009 年 1 月）東レ総合研修センター
[225] 岩井 洋，山田啓作，大毛利健治，筒井一生，角嶋邦之，パールハット アヘメト，佐
藤創志，上村英之，新井英朗“トップダウン Si ナノワイヤ FET の作製法とその電気
的特性のサーベイ”第 56 回応用物理学関係連合講演会 No.0 pp.147(2009 年 3 月 30～4
月 2 日) 筑波大学
[226] 岩井 洋，名取研二，白石賢二，山田啓作，大毛利健治，筒井一生，角嶋邦之，パー
ルハット アヘメト“シリコンナノワイヤ FET 研究の現状とロードマップ作成の考え
方” 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No.0 pp.155(2009 年 3 月 30～4 月 2 日) 筑波
大学
[227] 野平博司，今陽一郎，北村幸司，幸田みゆき，角嶋邦之，岩井 洋“CeO2 /La2O3/Si(100)
構造の熱安定性(2)” 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No.2 pp.853(2009 年 3 月 30～
4 月 2 日) 筑波大学
[228] 宋 在烈，舘 喜一，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井信之，服部
健雄，岩井 洋“極薄 Si 界面層を挿入した La2O3/Ge MIS 構造における界面準位密度
低減に関する検討” 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No.2 pp.840(2009 年 3 月 30～
4 月 2 日) 筑波大学
[229] 細田 亘，野口浩平，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井信之，服部
健雄，岩井 洋“異種金属界面挿入による Ni シリサイドのショットキー障壁変調と
SB-MOSFET への応用” 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No.2 pp.868(2009 年 3 月
30～4 月 2 日) 筑波大学
[230] 幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井信之，服部健雄，岩
井 洋“CeO2 /La2O3 積層ゲート絶縁膜のリーク電流特性の膜厚依存性” 第 56 回応用
物理学関係連合講演会 No.2 pp.854(2009 年 3 月 30～4 月 2 日) 筑波大学
[231] 船水清永，Yueh-Chin Lin，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井信之，
Edward Yi Chang，服部健雄，岩井 洋“High-k ゲート絶縁膜を用いた InxGa1-xAs MOS
構造の研究” 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No.2 pp.837(2009 年 3 月 30～4 月 2
日) 筑波大学
[232] 李 映勲，永田貴弘，角嶋邦之，白石賢二，名取研二，岩井 洋“引っ張り歪み Si
ナノワイヤの電子構造とバリスティック伝導” 第 56 回応用物理学関係連合講演会
No.2 pp.902(2009 年 3 月 30～4 月 2 日) 筑波大学
[233] 佐藤創志，上村英之，新井英朗，角嶋邦之，パールハット アヘメト，大毛利健治，筒
井一生，杉井信之，服部健雄，山田啓作，岩井 洋“四端子測定 TEG を用いた Si ナ
ノワイヤトランジスタのチャネル内電位の測定” 第 56 回応用物理学関係連合講演会
No.2 pp.901(2009 年 3 月 30～4 月 2 日) 筑波大学
[234] 新井英朗，上村英之，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井
信之，服部健雄，岩井 洋“Si ナノワイヤへの Ni シリサイド形成の評価” 第 56 回
応用物理学関係連合講演会 No.2 pp.901(2009 年 3 月 30～4 月 2 日)筑波大学
72
[235] 横田知之，酒井一憲，パールハット アヘメト，角嶋邦之，筒井一生，岩井 洋“反復
剥離法による 3 次元 Fin 構造中ドーピングプロファイル測定の提案” 第 56 回応用物
理学関係連合講演会 No.2 pp.873(2009 年 3 月 30～4 月 2 日)筑波大学
[236] 又野克哉，川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，杉井信之，服
部健雄，岩井 洋“Ge 層挿入による La2O3-MOS キャパシタの VFB 制御” 第 56 回応
用物理学関係連合講演会 No.2 pp.854(2009 年 3 月 30～4 月 2 日)筑波大学
[237] 中山寛人，日野雅文，永田晃基，小瀬村大亮，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒
井一生，杉井信之，小椋厚志，服部健雄，岩井 洋“As 注入と SiN 応力膜による poly-Si
への歪記憶の検討” 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No.2 pp.869(2009 年 3 月 30～
4 月 2 日)筑波大学
[238] 星野憲文，中川恭成，野平博司，室隆桂之，加藤有香子，甲斐隆行，金成国，パール
ハット アヘメト，角嶋邦之，水野文二，木下豊彦，筒井一生，服部健雄，岩井 洋“光
電子分光による Si 中 As の化学結合状態評価”第 56 回応用物理学関係連合講演会 No.2
pp.883(2009 年 3 月 30～4 月 2 日)筑波大学
[239] 小林勇介，角嶋邦之，パールハット アヘメト，V.R.Rao，筒井一生，岩井 洋“FinFET
の構造ばらつきによるオン電流のばらつきの検討” 第 56 回応用物理学関係連合講演
会 No.2 pp.898(2009 年 3 月 30～4 月 2 日)筑波大学
[240] 小柳友常，岡本晃一，角嶋邦之，パールハット アヘメト，杉井信之，筒井一生，服部
健雄，岩井 洋“La2O3MOS デバイスへの SrO 導入による電気特性の変化” 第 56 回
応用物理学関係連合講演会 No.2 pp.854(2009 年 3 月 30～4 月 2 日)筑波大学
[241] 岩井洋“低消費シリコンデバイス技術の重要性” 第 70 回応用物理学会学術講演会シ
ンポジウム 薄膜・表面分科会企画「省エネルギー社会のための半導体デバイス技術」
（2009 年 9 月 8 日）富山大学
[242] 岩井洋“High-k ゲート絶縁膜の現状とその将来展望 –希土類系材料を中心として-”
第 70 回応用物理学会学術講演会シンポジウム High-k ゲートスタック研究を振り返り
次のステップへ（2009 年 9 月 8 日）富山大学
[243] 向井弘樹，中山寛人，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井
信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“Si 基板面方位の違いによる La2O3/Si MOS キャ
パシタの電気特性”第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.733（2009 年 9 月）富山
大学
[244] 小柳友常，角嶋邦之，パールハット・アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取
研二，服部健雄，岩井洋“La2O3 MOS デバイスへの BaO キャップによる電気特性の変
化” 第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.733（2009 年 9 月）富山大学
[245] 野平博司，今陽一郎，幸田みゆき，角嶋邦之，岩井洋“SrO/ La2O3/CeO2/Si(100)構造の
熱安定性”第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.733（2009 年 9 月）富山大学
[246] ダリューシュ ザデ，A.Srivastava，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，
杉井信之，服部健雄，岩井洋“High-k ゲート絶縁膜を用いた MOSFET の低周波ノイズ
解析”第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.740（2009 年 9 月）富山大学
[247] 神田高志，船永清永，Yueh Chin Lin，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，
西山彰，杉井信之，Edward Yi Chang，名取研二，服部健雄，岩井洋“La2O3, HfO2 を用
いた In0.53Gao.47As MOS キャパシタの電気特性” 第 70 回応用物理学会学術講演会
No.2pp.748（2009 年 9 月）富山大学
[248] H.サウッディン，岡下勝己，佐々木雄一朗，水野文二，中山一郎，パールハット ア
ヘメト，角嶋邦之，筒井一生，岩井洋“ボロン固体ソースを用いたプラズマドーピン
グ法” 第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.768（2009 年 9 月）富山大学
[249] 横田知之，筒井一生，田中正興，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋“反復
剥離法による３次元 Fin 構造中ドーピングプロファイルの測定” 第 70 回応用物理学
会学術講演会 No.2pp.775（2009 年 9 月）富山大学
[250] 星野憲文，筒井一生，野平博司，田中彰博，鈴木峰晴，パールハット アヘメト，角
嶋邦之，服部健雄，岩井洋“光電子分光により検出した Si 中の Sb の化学結合状態の
評価” 第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.776（2009 年 9 月）富山大学
[251] 小澤健児，細田亘，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，服部健雄，名取研二，岩井洋“異種金属界面挿入による Ni シリサイドのショット
キー障壁変調と SB-MOSFET への応用Ⅱ”第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.780
（2009 年 9 月）富山大学
[252] 茂森直登，新井英朗，佐藤創志，角嶋邦之，パ－ルハット アヘメト，西山彰，筒井
一生，杉井信之，服部健雄，岩井洋“2step アニールを用いた酸化膜中の Si ナノワイ
ヤへの Ni シリサイド化” 第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.798（2009 年 9 月）
富山大学
[253] A.Abudukelimu，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，
73
名取研二，服部健雄，岩井洋“Current-Voltage Characteristics of Ballistic Nanowire FETs by
Numerical Simulation” 第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.800（2009 年 9 月）富
山大学
[254] マイマイティ マイマイティレャアティ，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット ア
ヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“CeO2/ La2O3 MOSFET
におけるリモートクーロン錯乱の移動度に及ぼす影響” 第 70 回応用物理学会学術講
演会 No.2pp.734（2009 年 9 月）富山大学
[255] 来山大祐，小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井
信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“La2O3 を用いた MOS キャパシタの高温熱処理の
検討” 第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.732（2009 年 9 月）富山大学
[256] 澤田剛伸，小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井
信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“La2O3MOS キャパシタの初期膜厚の違いによる
界面 La シリケート膜の形成” 第 70 回応用物理学会学術講演会 No.2pp.732（2009 年 9
月）富山大学
[257] 岩井洋“Si Nanoelectronic Device Technology” Tokyo-Tech Technical Workshop for Open
Innovation -Green ICE at Tokyo Tech-, （2009 年 11 月 30 日）東京工業大学統合研究院
[258] イントロダクトリートーク：金山敏彦，平本俊郎，岩井洋“Si ナノワイヤ FET と I I I
– V/Ge チャネル FET 技術開発の重要性”第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿
集 pp.255（2010 年 3 月）東海大学
[259] 来山大祐，小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，名取研二，服部健雄，岩井洋“EOT=0.5nm に向けた TaSi2/La2O3/CeOx ゲートスタ
ック構造の検討” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 pp.13-094（2010 年 3
月）東海大学
[260] ダリューシュ ザデ，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山
彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“界面に La2O3 絶縁膜層を挿入した Hf
系 high-k ゲート MOSFET の評価” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
pp.13-095（2010 年 3 月）東海大学
[261] 小澤健児，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉
井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“La2O3 MOSFET への CeOx キャップによる電気
特性の改善” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 pp.13-096（2010 年 3 月）
東海大学
[262] 幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名
取研二，服部健雄，岩井洋“希土類酸化物をキャップすることによる MOSFET の電気
特性の改善” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 pp.13-097（2010 年 3 月）
東海大学
[263] 小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取
研二，服部健雄，岩井洋“La2O3 MOS デバイスへのアルカリ土類元素キャップによる
電気特性の変化” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 pp.13-098（2010 年 3
月）東海大学
[264] 神田高志，船水清永，Yueh Chin Lin, 角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，
西山彰，杉井信之，Edward Yi Chang，名取研二，服部健雄，岩井洋“HfO2/ La2O3/ In0.53
Ga0.47As 構造の界面特性の変化” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
pp.13-141（2010 年 3 月）東海大学
[265] 川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名
取研二，服部健雄，岩井洋“酸素添加が W ゲート MOS デバイスの電気特性に与える
影響” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 pp.13-151（2010 年 3 月）東海
大学
[266] 田中正興，星野憲文，筒井一生，野平博司，室隆桂之，加藤有香子，木下豊彦，パー
ルハット アヘメト，角嶋邦之，服部健雄，岩井洋“光電子分光により検出した Si
中の As および P の化学結合状態の評価” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集 pp.13-191（2010 年 3 月）東海大学
[267] 茂森直登，新井英朗，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，西山彰，筒井
一生，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“酸化膜中の Si ナノワイヤへの Ni 拡
散の制御” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 pp.13-269（2010 年 3 月）
東海大学
[268] 佐藤創志，新井英朗，角嶋邦之，パールハット アヘメト，大毛利健治，名取研二，
岩井洋，山田啓作“Si ナノワイヤトランジスタの電気特性の断面形状依存症” 第 57
回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 pp.13-270（2010 年 3 月）東海大学
[269] 李映勲，角嶋邦之，白石賢二，名取研二，岩井洋“バリスティック Si ナノワイヤトラ
ンジスタの電気特性の直径依存性” 第 57 回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
74
pp.13-272（2010 年 3 月）東海大学
[270] 岩井洋“日本における CMOS 微細化研究開発の重要性”SEMI Forum Japan 2010 （2010
年 6 月 1 日）グランキューブ大阪
[271] 来山大祐，小柳友常，角嶋邦之，Parhat Ahmet，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研
二，服部健雄，岩井洋“EOT=0.5nm に向けた希土類 MOS デバイスの高温短時間熱処
理の検討”電子情報通信学会技術研究報告 pp.43-48（2010 年 6 月 22 日）東京大学
[272] 茂森直登，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，名取研二，服部健雄，岩井洋“Si ナノワイヤへの Ni シリサイド形成と過剰な侵
入とその抑制に関する検討” 電子情報通信学会技術研究報告 pp.17-22（2010 年 6 月
22 日）東京大学
[273] 佐藤創志，角嶋邦之，Parhat Ahmet，大毛利健治，名取研二，岩井洋，山田啓作“キャ
リア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析”電子情報通
信学会技術研究報告 pp.11-16（2010 年 6 月 22 日）東京大学
[274] 角嶋邦之，小柳友常，来山大祐，幸田みゆき，宋在烈，佐藤創志，川那子高暢，M.マ
イマイティ，舘喜一，MK.ベラ，パールハット アヘメト，野平博司，筒井一生，西山
彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，山田啓作，岩井洋“LaCe シリケート膜を用い
た EOT<0.7nm の直接接合 high-k/Si の実現とフラットバンド電圧制御” 応用物理学
会分科会 シリコンテクノロジー No.127 pp.4-8（2010 年 7 月 22 日）産業技術総合研
究所
[275] 幸田みゆき，小澤健児，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，ト部友二，安田
哲二，“CVD 法による CeOx 絶縁膜の作製と特性評価”第７１回応用物理学会学術講演
会（2010 年 9 月）長崎大学
[276] 小澤健児，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，ト部友二，安田
哲二 “La(iPrCp)3 を原料とした La2O3 の ALD: Self-limiting 成長条件の明確化” 第
７１回応用物理学会学術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[277] 金田翼，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，名取研二，服部健雄，岩井洋 “Tm-oxide/La2O3 構造ゲート絶縁膜の界面特性評価”
第７１回応用物理学会学術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[278] 細井隆司，神田高志，ダリューシュ ザデ，Yueh Chin Lin，角嶋邦之，パールハット ア
ヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，Edward Yi Chang，名取研二，服部健雄，岩井
洋“絶縁膜材料を用いた In0.53Ga0.47As MOS キャパシタの電気特性”第７１回応用物理
学会学術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[279] 呉研，茂森直登，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，
杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋 “トンネル FET 動作に向けた Ni シリサイド
/Si 接触におけるトンネル電流の観測” 第７１回応用物理学会学術講演会（2010 年 9
月）長崎大学
[280] 竇春萌，マイマイティ マイマイティレャアティ，ダリューシュ ザデ，佐藤創志，角
嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，
岩井洋 “希土類(Ce,Eu)酸化物 MIM 構造の抵抗スイッチング特性” 第７１回応用物理
学会学術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[281] 田中正興，金原潤，宮田陽平，角嶋邦之，パールハット アヘメト，室隆桂之，木下豊
彦，野平博司，筒井一生，室田淳一，服部健雄，岩井洋 “Si エピタキシャル層にド
ープされたボロンの軟 X 線光電子分光” 第７１回応用物理学会学術講演会（2010 年 9
月）長崎大学
[282] 来山大祐，小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，名取研二，服部健雄，岩井洋 “高温短時間熱処理を用いた希土類 MOS キャパシタ
への TiN キャップ効果” 第７１回応用物理学会学術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[283] 鈴木拓也，川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井
信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“希釈酸素雰囲気熱処理を用いた La シリケー
ト/Si MOS 構造の VFB/Vth シフトの低 EOT への適用”第７１回応用物理学会学術講演会
（2010 年 9 月）長崎大学
[284] マイマイティ マイマイティレャアティ，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一
生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“High-k ゲートスタック MOSFET
における電子移動度のリモート界面ラフネス散乱依存性 ” 第７１回応用物理学会学
術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[285] 李映勲，角嶋邦之，白石賢二，名取研二，岩井洋，“バリスティックナノワイヤトラ
ンジスタ性能の太さ依存における状態密度と静電容量のトレードオフ”第７１回応用
物理学会学術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[286] 小山将央，茂森直登，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，西山彰，筒井一
生，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“窒素導入による Si ナノワイヤ内への
75
Ni シリサイド侵入抑制機構の検討” 第７１回応用物理学会学術講演会（2010 年 9 月）
長崎大学
[287] 中島一裕，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“チャージポンピング法による立体 Si 構造の界面
準位密度の評価” 第７１回応用物理学会学術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[288] 山下晃司，野平博司，角嶋邦之，岩井洋，“HfO2/La2O３/In0.53Ga0.47As 構造の熱安定性”
第７１回応用物理学会学術講演会（2010 年 9 月）長崎大学
[289] 岩井洋 “先端ナノエレクトロニクス研究コアユニット” 複合創造領域シンポジウム
（2010 年 12 月 14 日）東京工業大学 大学院総合理工学研究科 くらまえホール
[290] ポスター：舘喜一，角嶋邦之，T.Ernst，S. Cristoloveanu，岩井洋，
“Vertically-Stacked
Nanowire Transistors for future CMOS” 複合創造領域シンポジウム（2010 年 12 月
14 日）東京工業大学
[291] ポスター：佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，大毛利健治，山田啓作，
名取研二，岩井洋，“Influence of the cross-sectional shape for Si nanowire FETs” 複合創
造領域シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東京工業大学
[292] ポスター：李映勲，角嶋邦之，名取研二，岩井洋，“Diameter-dependent injection
velocity of ballistic Si nanowire MOSFETs” 複合創造領域シンポジウム（2010 年
12 月 14 日）東京工業大学
[293] ポスター：A.Abudukelimu，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，
杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“The Effect of Scattering in Drain Region
of Ballistic Channel Diode” 複合創造領域シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東
京工業大学
[294] ポスター：茂森直登，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，西山彰，筒井
一生，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Suppression of Lateral Encroachment
of Ni Silicide into Si Nanowires using Nitrogen Incorporation” 複合創造領域
シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東京工業大学
[295] ポスター：小山将央，茂森直登，新井英朗，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット ア
ヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Lateral
encroachment of Ni silicide into Si nanowire” 複合創造領域シンポジウム（2010
年 12 月 14 日）東京工業大学
[296] ポスター：中島一裕，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西
山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Interface state density of 3-D
structured Si using charge pumping method”複合創造領域シンポジウム（2010 年
12 月 14 日）東京工業大学
[297] ポスター：川那子高暢，鈴木拓也，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，
西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“An Effective Process for Oxygen
Defects Suppression for La-based Oxide Gate Dielectric” 複合創造領域シンポジ
ウム（2010 年 12 月 14 日）東京工業大学
[298] ポスター：小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井
信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Flatband Voltage Shift of La-based Gate Oxides
with Alkali-earth-elements Incorporation” 複合創造領域シンポジウム（2010 年
12 月 14 日）東京工業大学
[299] ポスター：金田翼，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西
山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Effect of Rare Earth Oxide Capping
for La-based Gate Oxides” 複合創造領域シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東京
工業大学
[300] ポスター：マイマイティ マイマイティレャアティ，角嶋邦之，パールハット アヘ
メト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，岩井洋，“Remote Coulomb and roughness
scatterings in gate oxide scaling” 複合創造領域シンポジウム（2010 年 12 月 14
日）東京工業大学
[301] ポスター：来山大祐，小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西
山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Process Optimization of Rare-Earth
Oxides Gated MOS Devices for Future EOT Scaling” 複合創造領域シンポジウム（2010
年 12 月 14 日）東京工業大学
[302] ポスター：久保田透，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井
信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Spectroscopic analysis of interface state
density in high-k/Si structure” 複合創造領域シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）
東京工業大学
[303] ポスター：幸田みゆき，小澤健児，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，ト
部友二，安田哲二，“Electrical characterization of CVD deposited Ce oxides” 複
76
合創造領域シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東京工業大学
[304] ポスター：小澤健児，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，ト
部友二，安田哲二，“Self-limited growth of La oxides with ALD” 複合創造領域
シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東京工業大学
[305] ポスター：ダリューシュ ザデ，神田高志，細井隆司，角嶋邦之，パールハット ア
ヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Towards High
Performance III-V MOSFET, A Study on high-k Gate Stacks on In0.53Ga0.47As” 複
合創造領域シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東京工業大学
[306] ポスター：竇春萌，向井弘樹，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山
彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Feasibility study of Ce oxide for
resistive RAM application” 複合創造領域シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東京
工業大学
[307] ポスター：呉研，茂森直登，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一
生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Observation of Tunneling FET
operation in MOSFET with NiSi/Si Schottky source/channel interface” 複合創造
領域シンポジウム（2010 年 12 月 14 日）東京工業大学
[308] 佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，大毛利健治，名取研二，山田啓作，岩
井洋，“Effects of corners of channel cross-section on electrical performance
of silicon nanowire field-effect transistors”ゲートスタック研究会－材料･プロ
セス・評価の物理－（第 16 回研究会）（2011 年 1 月 23 日）東京工業大学
[309] 小澤健児，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，ト部友二，安田
哲二，“La2O3 の ALD 成長のための原料選択：シクロペンタジエニル錯体とアミデ
ィネート錯体の比較” ゲートスタック研究会－材料･プロセス・評価の物理－（第 16
回研究会）（2011 年 1 月 23 日）東京工業大学
[310] 舘喜一, M. Casse, S. Barraud, C. Dupre, A. Hubert, N. Vulliet, M.E. Faivre, C. Vizioz, C.
Carabasse, V. Delaye, J.M. Hartmann, 岩井洋, S. Cristoloveanu, O. Faynot, T. Ernst,
“Experimental study on carrier transport limiting phenomena in 10 nm width nanowire CMOS
transistors” IEDM 特集講演会（2011 年 1 月 31 日）機械振興会館
[311] 中山隆史、角嶋邦之、中塚理、町田義明、五月女真一、松木武雄、大毛利健治、岩井
洋、財満鎭明、知京豊裕、白石賢二、山田啓作、“ドーピングによるシリサイドの仕
事関数の変調：シリサイドの物理に基づく理論（先端 CMOS デバイス・プロセス技術）”
電子情報通信学会技術研究報告、SDM、シリコン材料・デバイス Vol.110 No.406、pp.5-8
（2011 年 1 月）
[312] 櫻井蓉子，大毛利健治，山田啓作，角嶋邦之，岩井洋，白石賢二，野村晋太郎，“デ
バイス評価に向けた Si ナノワイヤーの発光測定”第 58 回応用物理学関係連合講演会
（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[313] 久保田透，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研
二，服部健雄，岩井洋，“High-k/Si 構造における界面準位密度のスペクトル解析” ”
第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[314] 幸田みゆき，小澤健児，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，ト部友二，安田
哲二，“CVD により形成した CeO2 の誘電率周波数分散の成長プロセス依存性” 第
58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[315] 金田翼，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Si/La2O3 /n-Si 構造に対する Flash Lamp Annealing
の電気特性への影響” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科
大学
[316] 来山大祐，小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“W 電極/ La2O3 絶縁膜界面への La-silicate 層形
成による MOS キャパシタの電気特性への影響” 第 58 回応用物理学関係連合講演会
（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[317] 川那子高暢，来山大祐，鈴木拓也，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西
山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“MIPS 構造による希土類 MOS デバ
イスの EOT スケーリングの検討” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）
神奈川工科大学
[318] 小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研
二，服部健雄，岩井洋，“MgO 添加による La2O3 MOS キャパシタの電気特性の変化”
第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[319] 鈴木拓也，川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井
信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“希土類酸化物キャップ La2O3 MOS デバイス
77
に対する希釈酸素雰囲気熱処理を用いた VFB シフトの検討” 第 58 回応用物理学関係
連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[320] マイマイティ マイマイティレャアティ，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一
生，西山彰，杉井信之，名取研二，岩井洋，“超薄い High-k ゲートスタック MOSFET
における電子移動度の劣化” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈
川工科大学
[321] 山下晃司，沼尻侑也，野平博司，角嶋邦之，岩井洋，“表面処理の違いが La2O3
/In0.53Ga0.47As 界面の化学結合状態に及ぼす影響” 第 58 回応用物理学関係連合講演会
（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[322] 神田高志，ダリューシュ ザデ，Yueh Chin Lin，角嶋邦之，パールハット アヘメト，
筒井一生，西山彰，杉井信之，Edward Yi Chang，名取研二，服部健雄，岩井洋，“La2O3
/InGaAs MOS キャパシタに及ぼす界面特性の熱処理による変化” 第 58 回応用物理学
関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[323] 金原潤，田中正興，宮田陽平，筒井一生，野平博司，室隆桂之，木下豊彦，パールハ
ット アヘメト，角嶋邦之，服部健雄，岩井洋，“軟 X 線光電子分光による Si 中の
As 極浅ドープ層における化学結合状態の検出とその深さ方向分布” 第 58 回応用物理
学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[324] 宮田陽平，田中正興，金原潤，筒井一生，角嶋邦之，パールハット アヘメト，服部健
雄，岩井洋，“反復剥離法を用いた Fin 構造中ドーピングプロファイルの測定精度向
上” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[325] 佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，大毛利健治，名取研二，山田啓作，岩
井洋，“シリコンナノワイヤトランジスタの電気特性の絶縁膜厚依存性” 第 58 回応
用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[326] 李蔚，佐藤創志，中島一裕，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，
杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“シリコンナノワイヤトランジスタの
Subthresgold 特性による界面準位密度の評価” 第 58 回応用物理学関係連合講演会
（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[327] 小山将央，茂森直登，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山
彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Si/SiO2 コア/シェル型および露出型
Si ナノワイヤにおける Ni シリサイド成長機構の検討” 第 58 回応用物理学関係連合
講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[328] 竇春萌，向井弘樹，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，
名取研二，服部健雄，岩井洋，“CeO2 を用いた抵抗変化型メモリーへの Si バッファ
ー層の効果検討” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[329] 茂森直登，小澤健児，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信
之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“超平坦界面ショットキーダイオードの形成と電
気特性評価” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[330] 呉研，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，
服部健雄，岩井洋，“Ni シリサイド/Si ショットキー障壁を用いたトンネル MOS トラ
ンジスター－NMOS vs PMOS の比較” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3
月）神奈川工科大学
[331] 中島一裕，李蔚，佐藤創志，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，
杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“チャージポンピング法による立体構造の
界面準位密度の熱処理温度依存性” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011 年 3 月）
神奈川工科大学
[332] 李映勲，角嶋邦之，名取研二，岩井洋，“バリスティック Si ナノワイヤ MOSFET の
注入速度の直径依存におけるキャリア縮退の影響” 第 58 回応用物理学関係連合講演
会（2011 年 3 月）神奈川工科大学
[333] A.Abudukelimu，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，
名取研二，服部健雄，岩井洋，“バリスティック n+-i-n+ダイオードのドレイン領域内
のフォノン発生が電子伝導に与える影響” 第 58 回応用物理学関係連合講演会（2011
年 3 月）神奈川工科大学
[334] 櫻井蓉子、大毛利健治、山田啓作、角嶋邦之、岩井洋、白石賢二、野村晋太郎、“低
温における Si ナノワイヤーの発光特性（磁性半導体・量子井戸・超請格子、領域 4（半
導体、メゾスコピック系・局在））”日本物理学会講演概要集 66(1-4)、P699（2011
年 3 月）
[335] 岩井洋，“節電社会を牽引する新たなナノ Si 技術 -ナノ CMOS の進化-”東工大社会
人教育院「世界をリード・世界に羽ばたく東工大の最先端研究」公開講演会（2011 年
5 月 25 日）東京工業大学 田町キャンパス
[336] 川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取
78
研二，服部健雄，岩井洋，“高温熱処理と MIPS 構造による La-silicate/Si 界面特性の
改善と低 EOT の実現” シリコン材料・デバイス研究会(SDM)（2011 年 7 月 4 日）名
古屋大学
[337] ザデ ダリューシュ，細井隆司，パールハット アヘメト，角嶋邦之，筒井一生，西山
彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“コンダクタンス法を用いた HfO
2/In<0.53>Ga<0.47>As の界面解析” シリコン材料・デバイス研究会(SDM)（2011 年 7
月 4 日）名古屋大学
[338] 櫻井蓉子，大毛利健，山田啓作，角嶋邦之，岩井洋，白石賢二，野村晋太郎，“Si ナ
ノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面”シリコン材料・デバイス研究会(SDM)（2011
年 7 月 4 日）名古屋大学
[339] 田中祐樹，川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井
信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“シリコン基板上に堆積したナノカーボン薄膜
への高温短時間アニーリングの影響”第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月
29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[340] 関拓也，来山大祐，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，
名取研二，服部健雄，岩井洋，“High-k/Si 直接接合構造における界面準位の定量評価
について” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学
小白川キャンパス
[341] 鈴木拓也，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，安田哲二，“ALD
による MgO 添加 La2O3 ゲート絶縁膜の形成及び電気特性評価” 第 72 回応用物理学
会学術講演会（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[342] Kamale Tuokedaerhan，金田翼，マイマイティ マイマイティレャアティ，角嶋邦之，
パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，
“La2O3/n-Si 構造に対する Post Deposition Anneal の電気特性への影響” 第 72 回応用
物理学会学術講演会（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[343] 常石佳奈，来山大祐，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西
山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“W/Tm2O３/n-Si 構造キャパシタの電
気特性における Tm2O３膜厚依存性” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月
29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[344] 沼尻侑也，山下晃司，小松新，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，岩井洋，野平博司，
“AR-XPS による(NH４) ２S 処理した In0.53Ga0.47As 表面の化学結合状態の評価” 第 72
回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパ
ス
[345] 鈴木佑哉，細井隆司，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井
一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“high-k/In0.53Ga0.47As MOS キ
ャパシタの容量-電圧特性の解析” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月 29
日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[346] 松本一輝，小山将央，呉研，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，
杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“酸化膜被覆型 Si ナノワイヤおよび Si Fin
構造における Ni シリサイド成長機構の検討” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011
年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[347] 角嶋邦之，金原潤，筒井一生，服部健雄，岩井洋，“高濃度ボロンドープ飼料の角度
分解 X 線光電子分光による濃度分布解析” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011
年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[348] 宮田陽平，金原潤，難波覚，三角元力，筒井一生，野平博司，室隆桂之，木下豊彦，
角嶋邦之，パールハット アヘメト，服部健雄，岩井洋，“軟 X 線光電子分光法を用
いた Fin 構造中の不純物化学結合状態分析” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011
年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[349] 金原潤，宮田陽平，秋田洸平，筒井一生，野平博司，室隆桂之，木下豊彦，パールハ
ット アヘメト，角嶋邦之，服部健雄，岩井洋，“Si 中に極浅ドープされた As の軟 X
線光電子分光による化学結合状態の検出とその深さ方向分布” 第 72 回応用物理学会
学術講演会（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[350] 田村雄太，角嶋邦之，中塚理，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，
名取研二，服部健雄，岩井洋，“Ni と Si の積層薄膜によって形成したシリサイドの
シート抵抗に対する熱処理温度の影響” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8
月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[351] 吉原亮，角嶋邦之，パールハット アヘメト，中塚理，筒井一生，西山彰，杉井信之，
名取研二，服部健雄，岩井洋，“Ni/Si 積層から形成される Ni シリサイドのショット
キーダイオードの電流特性” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月 29 日～9
月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
79
[352] 李蔚，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，
服部健雄，岩井洋，“コンダクタンス法による立体チャネルを有する MOS キャパシ
タの界面準位密度の評価” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月 29 日～9
月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[353] フェン ウェイ，ヘッティアーラッチ・ランガ，佐藤創志，角嶋邦之，M. Niwa，岩井
洋，山田啓作，大毛利健治，“Advantages of Silicon Nanowire MOSFETs over Planar
MOSFETs Investigated from the Aspect of Drain-Current Noise” 第 72 回応用物理学会学
術講演会（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[354] 大毛利健治，フェン ウェイ，佐藤創志，ヘッティアーラッチ・ランガ，佐藤基之，松
木武雄，角嶋邦之，岩井洋，山田啓作，“ドレイン電流のランダムテレグラフノイズ
に相関した FET チャネルポテンシャル揺らぎの実時間直接観測”第 72 回応用物理学
会学術講演会（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[355] 叶真一，Mokhammad Hadi，竇春萌，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，
西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“希土類酸化物(CeOX)を用いた MIM
構造の抵抗スイッチング特性” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月 29 日
～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[356] 細田倫央，李映勲，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，
名取研二，岩井洋，“矩形断面 Si ナノワイヤ MOSFET におけるフォノン散乱に制限
された移動度のサイズ依存性” 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年 8 月 29 日
～9 月 2 日）山形大学 小白川キャンパス
[357] 櫻井蓉子，大毛利健治，山田啓作，角嶋邦之，岩井洋，白石賢二，野村晋太郎，“25pHD-9
低温における Si ナノワイヤーの発光特性”日本物理学会第 66 回秋季大会（2011 年 9
月 22 日）弘前大学
[358] 東京工業大学，産業技術総合研究所，“第２世代超薄膜ゲート絶縁膜材料の研究開発
～半導体機器における消費電力の大幅な削減に向けて～”NEDO 省エネルギー技術フ
ォーラム 2011（平成 23 年 12 月 1 日）東京国際交流館プラザ平成
[359] 幸田みゆき，鈴木拓也，角嶋邦之， パールハット アヘメト，岩井洋，安田哲二，
“ALD-La2O3 と CVD-CeO2 の積層構造形成と移動度改善効果” ゲートスタック研究
会－材料・プロセス・評価の物理－（第 17 回研究会）（2012 年 1 月 20 日）東レ総合
研究センター
[360] 沼尻侑也，山下晃司，小松新，角嶋邦之，岩井洋，野平博司，“表面処理した
In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As 表面の化学結合状態の角度分解光電子分光法
による評価” ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第 17 回研究
会）（2012 年 1 月 20 日）東レ総合研究センター
[361] 岩井洋，“CMOS 集積回路の現状”計算物質科学イニシャティブ(CMSI)勉強会（平成
24 年 3 月 10 日）東京大学 本郷キャンパス工学部 6 号館 1 階大会議室
[362] パールハット アヘメト，関拓也，来山大祐，金田翼，マイマイティ マイマイティレ
ャアティ，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，
岩井洋，“All in-situ プロセスによる TaN/W/ La2O３構造を用いた EOT 0.5nm 領域のた
めの高耐熱性 high-k ゲートスタック技術”第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012
年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[363] 川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井
一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“高温熱処理と MIPS 構造による EOT=0.62nm
の La-silicate MOSFET の実現” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15
日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[364] A.Abudukelimu，角嶋邦之，パールハット アヘメト，Mamtimin Geni，名取研二，岩井
洋，“歪みドレインがバリスティックチャネルデバイスの特性に与える影響” 第 59
回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャ
ンパス
[365] 幸田みゆき，マイマイティ マイマイティレャアティ，川那子高暢，角嶋邦之，パー
ルハット アヘメト，野平博司，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，
服部健雄，岩井洋，“Ce 酸化物/Si(100)界面における Ce の価数と Ce シリケート” 第
59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田
キャンパス
[366] Kamale Tuokedaerhan，田中祐樹，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西
山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Work Function Measurement
of C/W Stacked Structure on SiO2 Gate Dielectrics” 第 59 回応用物理学関係連合講演会
（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[367] 細井隆司，鈴木佑哉，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，パールハット アヘメト，西山
80
彰，杉井信之，筒井一生，片岡好則，名取研二，服部健雄，岩井洋，“熱処理による/
In0.53Ga0.47As ショットキーダイオードの特性変化” 第 59 回応用物理学関係連合講演
会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[368] 来山大祐，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一
生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“La-silicate 形成時の高温熱処理雰囲気の MOS 特
性への影響” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早
稲田大学 早稲田キャンパス
[369] 中島一裕，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一
生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“チャージポンピング法による三次元構造 Si チャ
ネルの界面準位密度測定” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3
月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[370] 鈴木拓也，幸田みゆき，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，安田哲二，“ALD
La2O3 ゲート絶縁膜の低リーク化：成長温度、PDA、H2 プラズマ処理の検討” 第 59
回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャ
ンパス
[371] 田中祐樹，Kamale Tuokedaerhan，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西
山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“タングステンとカーボ
ンの積層薄膜の形成と熱処理によるシート抵抗の変化” 第 59 回応用物理学関係連合
講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[372] 田村雄太，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一
生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“積層 NiS2 のシート抵抗の熱処理温度依存性に
及ぼす基盤の影響” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18
日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[373] 叶真一，竇春萌，M. Hadi，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，
杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“W/CeOX/NiSi2 構造 ReRAM の
抵抗スイッチング特性” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3
月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[374] 鈴木佑哉，細井隆司，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，パールハット アヘメト，西山
彰，杉井信之，筒井一生，片岡好則，名取研二，服部健雄，岩井洋，“In0.53Ga0.47As
表面窒化が La2O３/In0.53Ga0.47As キャパシタの電気特性に及ぼす影響” 第 59 回応用物
理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[375] 常石佳奈，陳江寧，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“超積層プロセスを利用した NiSi2 と
AlGaN/GaN の電流電圧特性および不純物挿入の効果” 第 59 回応用物理学関係連合講
演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[376] 松本一輝，小山将央，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信
之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Ni シリサイドを形成した Si ナノワ
イヤにおける電気抵抗の評価” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15
日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[377] 趙洋，マイマイティ マイマイティレャアティ，角嶋邦之，パールハット アヘメト，
片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“熱処理で
形成された Silicate 膜と La2O３界面のコンダクタンス法による評価” 第 59 回応用物理
学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[378] 陳江寧，常石佳奈，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“HfO2 と La2O３をゲート絶縁膜として用い
た AlGaN/GaN-HEMT の電気特性” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月
15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[379] 吉原亮，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一生，
名取研二，服部健雄，岩井洋，“Ni/Si 積層構造を用いた NiSi2 ショットキーのダイオ
ード特性と B､P の界面への導入による効果”第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012
年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[380] 関拓也，来山大祐，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“La2O３と Si 基板との界面に由来する赤外
スペクトルの熱処理による変化” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15
日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[381] 秋田洸平，宮田陽平，金原潤，筒井一生，角嶋邦之，パールハット アヘメト，岩井洋，
“反復剥離法を用いた Fin 構造の上面および側面におけるドーピングプロファイル測
定”第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早
稲田キャンパス
[382] 武井優典，寺山一真，宮田陽平，金原潤，筒井一生，角嶋邦之，パールハット アヘメ
81
ト，服部健雄，岩井洋，“極浅不純物深さ方向プロファイリングのためのオゾン酸化
を用いた Si ステップバイステップエッチングの不純物濃度依存性” 第 59 回応用物理
学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[383] 金原潤，宮田陽平，武井優典，寺山一真，筒井一生，野平博司，泉雄大，室隆桂之，
木下豊彦，パールハット アヘメト，角嶋邦之，服部健雄，岩井洋，“軟 X 線光電子
分光法による Si 中の極浅高濃度 B ドープ層におけるクラスター濃度分布解析” 第 59
回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャ
ンパス
[384] 宮田陽平，金原潤，秋田洸平，筒井一生，野平博司，泉雄大，室隆桂之，木下豊彦，
角嶋邦之，パールハット アヘメト，服部健雄，岩井洋，“軟 X 線光電子分光法を用
いた Si 中 B の化学結合状態の熱処理温度依存性”第 59 回応用物理学関係連合講演会
（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[385] 櫻井蓉子，角嶋邦之，大毛利健治，山田啓作，岩井洋，浅川潔，白石賢二，野村晋太
郎，“Si ナノワイヤーの発光測定” 第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 年 3 月
15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[386] 沼尻侑也，山下晃司，小松新，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，岩井洋，野平博司
“/In0.53Ga0.47As 表面の初期酸化課程の AR-XPS による評価” 第 59 回応用物理学関係
連合講演会（2012 年 3 月 15 日～3 月 18 日）早稲田大学 早稲田キャンパス
[387] 筒井一生，金原潤，宮田陽平，野平博司，泉雄大，室隆桂之，木下豊彦，パールハッ
ト アヘメト，角嶋邦之，服部健雄，岩井洋，“極浅接合における異なる化学結合状態
を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価” 第 149 回研究集会「ゲートス
タック技術の進展－不純物分布および接合界面制御を中心に」（2012 年 6 月 21 日）
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
[388] 田村雄太，吉原亮，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“微細 3 次元デバイスに向けたシリサイド
ショットキーS/D の界面制御方法の提案”第 149 回研究集会「ゲートスタック技術の
進展－不純物分布および接合界面制御を中心に」（2012 年 6 月 21 日）名古屋大学ベ
ンチャー・ビジネス・ラボラトリー
[389] 岩井洋，“次世代エレクトロニクスのための革新的シーズ技術”H24 年電気学会 産業
応用部門大会「2030 年に向けた低炭素社会実現のためのグリーンエレクトロニクスの
役割」（2012 年 8 月 21 日）千葉工業大学 津田沼キャンパス
[390] 川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井
一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“直接接合 La-silicate/Si 界面構造を用いた
EOT=0.62nm の nMOSFET”第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9
月 14 日）愛媛大学、松山大学
[391] 川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井
一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“(100)面及び(110)面 Si 基板上への直接接合
La-silicate/Si 構造の形成と nMOSFET 特性の評価” 第 73 回応用物理学会学術講演会
（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、松山大学
[392] Kamale Tuokedaerhan，R. Tan, 細田修平，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好
則，西山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Influence of Si/TiN
Capped Annealing on the Interfacial Properties of W2C/La-silicate/n-Si Capacitors for EOT
Scaling” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、
松山大学
[393] 陳江寧，常石佳奈，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Thickness dependent electrical characteristics
of AlGaN/GaN-HEMT with La2O３ gate dielectrics” 第 73 回応用物理学会学術講演会
（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、松山大学
[394] 趙洋，鈴木拓也，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，筒井一生，西山彰，
杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“ALD による La2O３ゲート絶縁膜の MOSFET
の作成” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、
松山大学
[395] 稲村太一，李蔚，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“Fe 層と Si 層の積層スパッタにより形成
82
した FeSi2 の赤外吸収特性” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9
月 14 日）愛媛大学、松山大学
[396] 大嶺洋，鈴木佑哉，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好
則，西山彰，杉井信之，筒井一生，服部健雄，名取研二，岩井洋，“TiN/W 構造をゲ
ート電極に用いた La2O３/In0.53Ga0.47As 界面特性の改善” 第 73 回応用物理学会学術講
演会（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、松山大学
[397] 関拓也，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一生，
名取研二，服部健雄，岩井洋，“La-silicate のメタル電極を通した赤外吸収の熱処理
温度依存性” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛
大学、松山大学
[398] 武正敦，田中祐樹，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“積層構造 TiC 電極とダイヤモンドの接触
抵抗” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、
松山大学
[399] 細田修平，Kamale Tuokedaerhan，譚瑞琴，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡
好則，西山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“EOT が 1nm 以
下となる場合に W2C 電極が La-silicate/Si 界面特性に及ぼす影響” 第 73 回応用物理学
会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、松山大学
[400] 吉原亮，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，
岩井洋，“Ni/Si 積層構造を用いた NiSi2 ショットキーのダイオード特性と B、P の界
面への導入による効果” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9 月
14 日）愛媛大学、松山大学
[401] 劉璞誠，田村雄太，吉原亮，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，
杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“NiSi2/Si ショットキーダイオ
ードにおける不純物導入位置がBn に与える影響” 第 73 回応用物理学会学術講演会
（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、松山大学
[402] 岡本真里，常石佳奈，陳江寧，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，
杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“AlGaN/GaN 基板に形成した
TiSi2 電極の電流電圧特性” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9
月 14 日）愛媛大学、松山大学
[403] 武井優典，寺山一真，米澤宏昭，宮田陽平，筒井一生，角嶋邦之，パールハット アヘ
メト，服部健雄，岩井洋，“オゾン酸化を用いた Si および Ge のサブ nm ステップバ
イステップエッチング” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9 月
14 日）愛媛大学、松山大学
[404] 寺山一真，神谷真行，武井優典，宮田陽平，筒井一生，角嶋邦之，パールハット アヘ
メト，服部健雄，岩井洋，“Si 極浅接合プロファイリングのためのステップエッチン
グ法の比較” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛
大学、松山大学
[405] 笠原大，岡田葉月，沼尻侑也，角嶋邦之，岩井洋，野平博司，“TiN-cap が W/high-k 絶
縁膜/In0.53 Ga0.47As の熱安定性に及ぼす効果” 第 73 回応用物理学会学術講演会（2012
年 9 月 11 日～9 月 14 日）愛媛大学、松山大学
[406] 笠原大，岡田葉月，沼尻侑也，角嶋邦之，岩井洋，野平博司，“TiN-cap が W/high-k
絶縁膜/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As の熱安定性に及ぼす効果” ゲートス
タック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第 18 回研究会）（2013 年 1 月 25 日）
ニューウェルシティー湯河原
[407] フェン ウェイ，ランガ ヘッティアーラッチ，李映勲，佐藤創志，角嶋邦之，佐藤基
之，福田浩一，丹羽正昭，山部紀久夫，白石賢二，岩井洋，山田啓作，大毛利健治，“Si
ナノワイヤ MOSFET の「静かな」雑音特性”ゲートスタック研究会－材料・プロセス・
評価の物理－（第 18 回研究会）（2013 年 1 月 26 日）ニューウェルシティー湯河原
[408] ポスター：角嶋邦之，大嶺洋，鈴木佑哉，ザデ ダリューシュ，岩井洋，“希土類系
高誘電体薄膜を中心とした III-V 族化合物半導体基板用絶縁膜の探索的研究-La2O３ゲ
ート絶縁膜で低界面準位密度と耐熱性の実現-”2013 年 FIRST「グリーン・ナノエレク
83
トロニクスのコア技術開発」成果報告会（2013 年 3 月 13 日）一橋講堂
[409] 角嶋邦之，大嶺洋，鈴木佑哉，ザデ ダリューシュ，岩井洋，“希土類系高誘電体薄膜
を中心とした III-V 族化合物半導体基板用絶縁膜の探索的研究” 2013 年 FIRST「グ
リーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」成果報告会（2013 年 3 月 13 日）一
橋講堂
[410] 叶真一，竇春萌，M. Hadi，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，
杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“CeOX 膜と NiSi2 電極を用いた
抵抗変化メモリの抵抗変化時の電流の過渡特性” 第 60 回応用物理学会春季学術講演
会（2013 年 3 月 27 日～3 月 30 日）神奈川工科大
[411] 稲村太一，角嶋邦之，，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井
一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“太陽光スペクトルの変動を考慮した最適なバ
ンドギャップの検討” 第 60 回応用物理学会春季学術講演会（2013 年 3 月 27 日～3
月 30 日）神奈川工科大学
[412] 大嶺洋，ザデ ダリューシュ，鈴木佑哉，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好
則，西山彰，杉井信之，筒井一生，服部健雄，名取研二，岩井洋，“原子層堆積(ALD)
法を用いた La2O３/In0.53Ga0.47As 界面特性の向上”第 60 回応用物理学会春季学術講演
会（2013 年 3 月 27 日～3 月 30 日）神奈川工科大学
[413] 武正敦，田中祐樹，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“金属への不純物導入による金属/n+ダイヤ
モンド接合の電気特性” 第 60 回応用物理学会春季学術講演会（2013 年 3 月 27 日～3
月 30 日）神奈川工科大学
[414] 細田修平，Kamale Tuokedaerhan，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西
山彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“W2C ゲート電極と La-silicate
ゲート絶縁膜を用いた MOS キャパシタの信頼性評価” 第 60 回応用物理学会春季学
術講演会（2013 年 3 月 27 日～3 月 30 日）神奈川工科大学
[415] 吉原亮，田村雄太，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“P を導入した NiSi2/n-Ge に硬 X 線光電子
分光を用いたバンド曲がりの観測” 第 60 回応用物理学会春季学術講演会（2013 年 3
月 27 日～3 月 30 日）神奈川工科大学
[416] 宋禛漢，松本一輝，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，杉井信之，
筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井洋，“二段階熱処理法により形成した Ni シリサ
イドナノワイヤの抵抗率形状依存性” 第 60 回応用物理学会春季学術講演会（2013 年
3 月 27 日～3 月 30 日）神奈川工科大学
[417] 鹿国強，陳江寧，川那子高暢，角嶋邦之，パールハット アヘメト，片岡好則，西山彰，
杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋，“La2O３ゲート絶縁膜を用いた AlGaN/GaN
デバイスの熱処理温度依存性” 第 60 回応用物理学会春季学術講演会（2013 年 3 月 27
日～3 月 30 日）神奈川工科大学
[418] 劉璞誠，中島昭，角嶋邦之，牧野俊晴，小倉政彦，西澤伸一，岩井洋，大橋弘通，“低
温における GaN/AlGaN へテロ界面の 2 次元正孔ガスの伝導機構” 第 60 回応用物理学
会春季学術講演会（2013 年 3 月 27 日～3 月 30 日）神奈川工科大学
[419] 秋田洸平，宮田陽平，寺山一真，武井優典，筒井一生，野平博司，角嶋邦之，パール
ハット アヘメト，服部健雄，岩井洋，“Ni シリサイド/Si ショットキー接合界面にお
ける偏析不純物の活性化の評価” 第 60 回応用物理学会春季学術講演会（2013 年 3 月
27 日～3 月 30 日）神奈川工科大学
[420] 武井優典，神谷真行，寺山一真，米澤宏昭，筒井一生，角嶋邦之，パールハット アヘ
メト，服部健雄，岩井洋，“オゾン酸化を用いた AlGaN/GaN のサブ nm ステップバイ
ステップエッチング” 第 60 回応用物理学会春季学術講演会（2013 年 3 月 27 日～3
月 30 日）神奈川工科大学
[421] 櫻井拓也，沼尻侑也，山下晃司，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，岩井洋，野平博司，
“AR-XPS による異なる酸化雰囲中の In0.53Ga0.47As の初期酸化過程の評価” 第 60 回
応用物理学会春季学術講演会（2013 年 3 月 27 日～3 月 30 日）神奈川工科大学
[422] ポスター-:川那子高暢，角嶋邦之，岩井洋, “高速・低損失の電子デバイス／パワーデ
84
バイスの先導研究”STARC ワークショップ 2013（2013 年 9 月 12 日）新横浜国際ホテ
ル
[423] 宋禛漢，松本一輝，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名
取研二，服部健雄，岩井洋，“Ni シリサイドナノワイヤ抵抗率の Ni 膜厚依存性” 第
74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田
辺キャンパス
[424] ポスター：鹿国強，大嶺洋，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，西山彰，杉井信之，片
岡好則，若林整，筒井一生，名取研二，岩井洋，“ALD 堆積条件による La2O ３
/In0.53Ga0.47As キャパシタの電気特性への影響”第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[425] 今村浩章，稲村太一，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，
名取研二，岩井洋，“Kr ガスを用いた積層シリサイド化スパッタプロセスにより形成
した NiSi2 の薄膜評価” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9
月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[426] ポスター：岡本真里，松川佳弘，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，
筒井一生，名取研二，岩井洋，齋藤渉，“TiSi2 電極の熱処理による AlGaN/GaN への
コンタクト特性の変化” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9
月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[427] 小路智也，石川昴，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名
取研二，岩井洋，“チャージポンピング法を用いた立体 Si 構造の絶縁膜界面準位の位
置推定” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志
社大学 京田辺キャンパス
[428] 中村嘉基，細田修平，Kamale Tuokedaerhan，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，若林整，
杉井信之，筒井一生，名取研二，岩井洋，“W2C ゲート電極と La-silicate ゲート絶縁
膜を用いた MOS キャパシタの信頼性評価” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[429] 長谷川明紀，呉研，宋禛漢，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井
一生，名取研二，岩井洋，“低バンドギャップ、バンドオフセットを持つ半導体シリ
サイド/Si 接合によるトンネル FET 特性向上” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[430] 宗清修，川那子高暢，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，
名取研二，岩井洋，“ショットキーゲート材料による AlGaN/GaN の容量電圧特性へ
の影響” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志
社大学 京田辺キャンパス
[431] 元木雅章，吉原亮，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名
取研二，岩井洋，“P を導入した NiSi2 電極を用いた n-Ge 基板の電流電圧特性の熱処
理依存性” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同
志社大学 京田辺キャンパス
[432] 譚錫昊，岡本真里，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名
取研二，岩井洋，“AlGaN/GaN 上の TiSi2 電極によるコンタクトの温度依存性” 第
74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田
辺キャンパス
[433] 劉璞誠，米澤宏昭，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名
取研二，岩井洋，“AlGaN のドライエッチングへの Bcl3 の影響に関する研究” 第 74
回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田辺キ
ャンパス
[434] 嘉藤貴史，稲村太一，佐々木亮人，青木克明，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信
之，若林整，筒井一生，名取研二，岩井洋，“Fe 層と Si 層の積層スパッタにより形
成されたβ-FeSi2 のキャリア密度に関する研究” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演
会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[435] 松川佳弘，岡本真里，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，
名取研二，岩井洋，齋藤渉，“AlGaN/GaN 上の TiC 電極の電流電圧特性の熱処理温度
依存性” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志
社大学 京田辺キャンパス
[436] 大橋匠，若林整，角嶋邦之，杉井信之，西山彰，片岡好則，名取研二，筒井一生，岩
井洋，“炭層 MoS2 チャネルを用いた n-MOSFET の性能見積もり” 第 74 回応用物理
学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[437] 神谷真行，寺山一真，武井優典，齋藤渉，角嶋邦之，若林整，片岡好則，筒井一生，
岩井洋，“AlGaN/GaN HEMT への凹凸 AlGaN 層導入による２次元電子ガス濃度分布
評価および低抵抗コンタクト形成の可能性” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
85
（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[438] 武井優典，神谷真行，寺山一真，米澤宏昭，齋藤渉，筒井一生，角嶋邦之，若林整，
片岡好則，岩井洋，“AlGaN/GaN 系 HEMT におけるコンタクト特性の AlGaN 層厚依
存性” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社
大学 京田辺キャンパス
[439] 米澤宏昭，中島昭，西澤伸一，大橋弘通，筒井一生，角嶋邦之，若林整，岩井洋，
“AlGaN/GaN 系 p チャンネル HFET の製作” 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京田辺キャンパス
[440] 石川昴，小路智也，角嶋邦之，若林整，片岡好則，西山彰，杉井信之，筒井一生，名
取研二，岩井洋，“チャージポンピング法を用いた三次元 Si 構造の界面準位密度測定”
第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 年 9 月 16 日～9 月 20 日）同志社大学 京
田辺キャンパス
[441] ポスター：ザデ ダリューシュ，大嶺洋，角嶋邦之，岩井洋，“Highly Scalable La2O３
/InGaAs Gate Stack with Low Interface State Density”最先端研究開発支援プログラム
(FIRST)採択課題「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
(2013 年 12 月 17 日)イイノホール＆カンファレンスセンター
[442] ポスター：大嶺洋，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，岩井洋，“La2O３ gate dielectrics for
InGaAs channel using ALD process”最先端研究開発支援プログラム(FIRST)採択課題「グ
リーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会(2013 年 12 月 17 日)
イイノホール＆カンファレンスセンター
[443] 小路智也，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取研二，
岩井洋，“立体 Si 構造における局所的な界面準位密度の抽出”ゲートスタック研究会
―材料・プロセス・評価の物理―（第 19 回研究会）（2014 年 1 月 24 日）ニューウェ
ルシティ湯河原
[444] ザデ ダリューシュ，大嶺洋，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井
一生，名取研二，岩井洋，“低界面準位と sub-nm CET を有する La2O３/ In0.53Ga0.47As
ゲートスタックの実現” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3
月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[445] Kamale Tuokedaerhan，細田修平，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，
筒井一生，名取研二，岩井洋，“W2C ゲート電極による La-silicate MOSFET の移動度
改善” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学
院大学 相模原キャンパス
[446] 呉研，長谷川明紀，角嶋邦之，渡辺孝信，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒
井一生，名取研二，岩井洋，“Mg2Si-Si ヘテロ接合トンネル FET 特性の構造依存性”
第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相
模原キャンパス
[447] 陳江寧，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取研二，岩
井洋，齋藤渉，“La2O３ゲート絶縁膜を用いた AlGaN/GaN デバイスのプロセス依存性”
第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相
模原キャンパス
[448] 李蔚，佐々木亮人，大図秀行，青木克明，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，
若林整，筒井一生，名取研二，岩井洋，“単斜晶 WO3 薄膜抵抗率の熱処理依存性” 第
61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相
模原キャンパス
[449] 稲村太一，嘉藤貴史，佐々木亮人，青木克明，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信
之，若林整，筒井一生，名取研二，岩井洋，“β-FeSi2 の抵抗率熱処理依存性” 第 61
回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原
キャンパス
[450] 大嶺洋，ザデ ダリューシュ，角嶋邦之，西山彰，杉井信之，片岡好則，若林整，筒井
一生，名取研二，岩井洋，“La2O３/ InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影
響” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院
大学 相模原キャンパス
[451] 関拓也，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取研二，岩
井洋，“Si(110),(111)基盤上で熱処理による界面反応で形成した La-silicate ゲート絶縁
膜の物理的理解に関する研究” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17
日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[452] 細田修平，Kamale Tuokedaerhan，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，
筒井一生，名取研二，岩井洋，“W2C 電極導入による La-silicate/Si における平坦な界
面の実現” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青
山学院大学 相模原キャンパス
86
[453] 吉原亮，元木雅章，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名
取研二，岩井洋，“P を導入した NiSi2/n-Ge コンタクトの電気特性と不純物拡散の様
子” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院
大学 相模原キャンパス
[454] 今村浩章，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取研二，
岩井洋，“積層シリサイド化スパッタプロセスにより作成した Ni シリサイドショット
キーダイオードの評価” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3
月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[455] 岡本真里，松川佳弘，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，
名取研二，大橋弘通，岩井洋，齋藤渉，“TiB2 電極の熱処理による AlGaN/GaN への
コンタクト特性の変化” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3
月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[456] 小路智也，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取研二，
岩井洋，“Si ナノワイヤー曲面における保護膜界面準位密度の研究” 第 61 回応用物
理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパ
ス
[457] 長谷川明紀，呉研，宋禛漢，角嶋邦之，片岡好則, 西山彰，杉井信之，若林整，筒井
一生，名取研二，岩井洋，“Mg/Si 極薄膜積層の熱処理を用いて作製した Mg2Si の赤
外線吸収特性評価” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月
20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[458] 宗清修，雷一鳴，角嶋邦之，川那子高暢，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒
井一生，名取研二，岩井洋，古橋壮之，三浦成久，山川聡，“La-silicate 界面層を用い
た SiC-MOS キャパシタの容量電圧特性の評価”第 61 回応用物理学会春季学術講演会
（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[459] 元木雅章，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取研二，
岩井洋，“Ni と Ge 積層薄膜によって形成した NiGe 膜のシート抵抗と熱処理温度の
関係” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学
院大学 相模原キャンパス
[460] 譚錫昊，川那子高暢，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，
名取研二，岩井洋，“高電圧ストレスによる AlGaN/GaN の界面とバルクトラップの
測定に関する研究” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月
20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[461] 劉璞誠，竇春萌，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取
研二，岩井洋，“コンダクタンス法による AlGaN/GaN ヘテロ接合界面トラップに関
する研究” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青
山学院大学 相模原キャンパス
[462] 雷一鳴，宗清修，角嶋邦之，川那子高暢，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒
井一生，名取研二，岩井洋，古橋壮之，三浦成久，山川聡，“ATR-FTIR 法を用いた
熱処理による La2O3/SiC 界面反応の解析” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014
年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[463] Yoon Minjae，寺山一真，中島昭，西澤伸一，大橋弘通，角嶋邦之，若林整，筒井一生，
岩井洋，“デバイスシミュレーションによる AlGaN/GaN 系 FinFETs におけるスケー
リング則の検証” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20
日）青山学院大学 相模原キャンパス
[464] 嘉藤貴史，稲村太一，佐々木亮人，青木克明，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信
之，若林整，筒井一生，名取研二，岩井洋，“β-FeSi2 の電気特性-膜厚依存性” 第
61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相
模原キャンパス
[465] 松川佳弘，岡本真里，角嶋邦之，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，
名取研二，岩井洋，齋藤渉，“AlGaN/GaN 上の Ti/C/TiN 電極のコンタクト抵抗：Ti/C
膜厚及び比率依存性” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3
月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
[466] 佐々木亮人，青木克明，片岡好則，小林薫平，稲村太一，角嶋邦之，岩井洋，“バリ
ウムシリサイド半導体を用いたショットキー型太陽電池に関する研究” 第 61 回応用
物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原キャン
パス
[467] 武井優典，岡本真里，マンシン，萱沼玲，神谷真行，齋藤渉，筒井一生，角嶋邦之，
若林整，片岡好則，岩井洋，“AlGaN/GaN 系 2 次元電子ガスへのコンタクト特性にお
ける電極材料および AlGaN 膜厚依存性” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014
年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパス
87
[468] 堀隼人，伊藤勇磨，筒井一生，角嶋邦之，若林整，片岡好則，西山彰，杉井信之，名
取研二，岩井洋，“薄膜 SOI 太陽電池の発電特性への基板バイアス効果” 第 61 回応
用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原キャ
ンパス
[469] 寺山一真，中島昭，西澤伸一，大橋弘通，角嶋邦之，若林整，筒井一生，岩井洋，“デ
バイスシミュレーションによる横型 GaN パワーデバイスの極限オン抵抗の試算” 第
61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相
模原キャンパス
[470] 米澤宏昭，萱沼怜，中島昭，西澤伸一，大橋弘通，筒井一生，角嶋邦之，若林整，岩
井洋，“広い温度範囲で動作する AlGaN/GaN 系 P チャネル型 HFET” 第 61 回応用物
理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相模原キャンパ
ス
[471] 伊藤勇磨，堀隼人，筒井一生，角嶋邦之，若林整，片岡好則，西山彰，杉井信之，名
取研二，岩井洋，“微細 Si 構造を利用した太陽電池に適した接合プロセスの提案” 第
61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月 20 日）青山学院大学 相
模原キャンパス
[472] 神谷真行，武井優典，齋藤渉，角嶋邦之，若林整，片岡好則，筒井一生，岩井洋，
“AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタへの凹凸 AlGaN 層導入による低抵抗コンタ
クト形成の可能性” 第 61 回応用物理学会春季学術講演会（2014 年 3 月 17 日～3 月
20 日）青山学院大学 相模原キャンパス

14．Panel Discussion
[1] Evening Discussion Session ME2: W.J. Dally, J. Emer, F. Fox, W-M. Hwu, H. Iwai, F. Pollack,
and F. Weber, “Where will proessor performance come from in the next ten years?”
pp.118-119, Dig. Tech. ISSCC, 2000
[2] H.Iwai, M.Hiratani, M.Takayanagi, H.Kitajima, H.Kang, T.Horikawa, K.Torii, Y.Tsunashima,
J.Yugami, S.De Gendt, H.Niimi, M.Fischetti, and R.Chau, “Development Strategy of Gate
Dielectrics: Ultra-thin Oxynitride versus High-k materials”, IWGI 2003, pp.194,
November6-7,2003, Tokyo,
[3] Evening Panel Discussion: J.N.Burghartz, D.Harame, T.Stetzler, H.Iwai, M.Tiebout and
V.Ilderem, “When Will CMOS Replace HBTs for RF?”, p.593, SESSION25, IEDM2003, ,
December8-10,2003, Washington DC, USA,
[4] 木村紳一郎、小柳光正、立花明知、平本俊郎、福間雅夫、藤田博之、安田幸夫、岩井
洋「来るべきナノ CMOS 時代に向けての挑戦とその課題」2005 年 4 月 早稲田大学国
際会議場
[5] 下東勝博、久間和生、岩井洋、浅田邦博 イノベーションジャパン 2007「エレクトロ
ニクスセッション」2007 年 9 月 東京国際フォーラム
[6] K.Shimohigashi, K.Kyuma, H.Iwai, K.Asada,Innovation Japan2007 pp19, September 12-14,
2007, Tokyo
[7] 金山敏彦、岩井洋 “ナノエレクトロニクス研究における連携のあり方”春季第 55 回
応用物理学会学術講演会 2008 年 3 月 日本大学
[8] Panel Discussion: H. Iwai, S. Oda, S. Sze, G. Baccarani, N. Sano, T. Kanayama, K. Natori, S.
Deleonibus, T. Hiramoto, C. Claeys, S. Takagi, Y. Miyamoto, W. Milne, K. Banerjee, N.
Koshida, K.Uchida, S. Sugano, K. Kimura, K. Yamada, K. Shiraishi, D-L.,Kwong, S.
Sugawara, “Silicon nano-devices in 2030” , Global COE International Symposium, October 14,
2009, Tokyo
15. Short Course:
[1] H. Iwai, “Source Drain and Wells,” Short Course A: Sub-100NM CMOS, IEDM Short Course,
December, 1999
88
[2] H. Iwai, “Advanced Device Technologies,” Key Technology Challenges for sub-70nm VLSI,
Symp. on VLSI Tech., June, 2002
[3] H. Iwai, “High-k Dielectics,” Short Course 1) New process and device concepts, ESSDERC,
September, 2005
[4] H.Iwai,“Technology Scaling and Roadmap,” Short Course: 22nm CMOS Technology,IEDM
2008, December, 2008
[5]H. Iwai, B. de Salvo, “Scaling and Beyond for Logic and Memories. Which perspectives?”,
ISCDG 2012, Short Course, September 26, 2012
16．その他
[5] 岩井洋，“0.1 ミクロン以下の領域に向けての MOSFET のスケーリングヒストリカルト
レンドを踏まえて”、日本電子工業振興会 21 世紀エレクトロ二クス技術に関する調
査研究報告書Ⅱ 94-基-17, pp.16-33 (1994 年 3 月)
[6] 岩井洋，“固相拡散法”，応用物理第 63 巻第 11 号，pp.1155-1156（1994 年）
[7] 百瀬寿代，斉藤雅信，大黒達也，大黒達也，岩井洋 他 2 名，“MOSFET は、今後も
性能向上が可能であることを実証 0.09mm、1.5V 動作で gm は 1010mS/mm を達成”，
日経マイクロデバイス 1994 年 2 月号第 116 号，pp.103-109
[8] 小野瑞城，斉藤雅信，大黒達也，吉富崇，岩井洋，“Si LSI の限界を追求ゲート長 0.04mm
で動作を実証”，日経マイクロデバイス 1994 年 4 月号第 106 号，pp.91-97
[9] 百瀬寿代，岩井洋，“総合報告、シリコンデバイスの微細化と性能限界”、応用物理第
64 巻第 11 号，pp.1074-1084（1995 年 11 月）
[10] 百瀬寿代，岩井洋，“1.5nm トンネルゲート酸化膜 MOSFET”，Break Though， No.116-117
pp.12-15（1996 年 2 月）
[11] 百瀬寿代，岩井洋，“解説 シリコン LSI の発展を支える超微細トランジスタプロセス
技術”，電子情報通信学会誌，第 79 巻第 3 号，pp.250-258（1996 年 3 月）
[12] 岩井洋“VLSI プロセス技術の最先端-4 メタライス技術”、電子学会誌 第 117 巻第 2
号 pp.104-107（1997 年 2 月）
[13] 岩井洋，“96IEDM デバイスハイライト”，エレクトロ二クス，第 514 号（第 42 巻第 3
号），pp.64-80（1997 年 3 月）
[14] 岩井洋，“単体トランジスタに関する本質的課題と解決に向けて（1）”，日本電子工業
振興協会 基礎技術政策に関する報告書Ⅱ，97-基-16， pp.8-27（1997 年 3 月）
[15] 百瀬寿代，岩井洋，“移動通信からシリコンデバイスを考える”，Break Though，
No.134-135， pp.6-19（1997 年 8 月）
[16] 岩井洋，“シリコンデバイスの微細化とその問題点”，電気学会研究会資料，1997 巻 14
号，pp.1-16（1997 年）
[17] H. Iwai，W. Maszara， “Advanced materials and IC process technologies”， Proc. of the Ninth
International Symposium on Silicon Material Science and Technology，Semiconductor Silicon，
2002, pp. 325-327
[18] 岩井洋，“「本当に限界か」を検証すべき”， 日経マイクロデバイス，2002 年 2 月号，
第 200 号，pp.14-15
[19] 岩井洋，“IT 集積回路の重要性”，三菱電気技報 巻頭言，Vol.77，No3， pp.1 (2003 年
3 月)
[20] 岩井洋，“シリコンデバイスの 40 年と日本”，電子情報通信学会エレクトロニクスソサ
イエティ 巻頭言，Vol.J86-C，No.6 (2003 年 6 月)
[21] 岩井洋，“全 15 種類の希土類材料薄膜を調査 次世代ゲート絶縁膜へ応用”，半導体技
術・産業の未来，2003 年版（日経マイクロデバイス特別編集版），pp.38-39
[22] 岩井洋，“微細化の末法時代とは －シリコンデバイスの重要性とその行方－”，応用物
理 巻頭言，Vol72， No.9 ，p.1119 (2003 年 9 月)
[23] 特別インタビュー 岩井洋 （聞き手・工業調査会 志村幸雄），“ナノ CMOS と次
世代半導体”，電子材料１２月号別冊，「超 LSI 製造・試験装置ガイドブック 2006
年版」，p.9
[24] 巻頭座談会 志村幸雄，岩井洋，江刺正喜，“マイクロ/ナノ技術の向こう側 半導体
と MEMS/NEMS の展望”，エンジニアズ カラーズ 3 号，pp.4-9（2006 年 5 月）
[25] H. Iwai，“Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design” 2006 Springer
[26] 岩井洋，“NanoCMOS の今後の 15 年の展望（半導体小特集）” 日本電子材料技術協会
会報，38 巻 pp.2-10（2007 年）
89
[27] 岩井洋，“マイクロからナノの世界へ”，電子情報通信学会論文誌，エレクトロニクス
ソサエティ 第 508 号 NEWS LETTER 新フェロー寄稿，2010 年 4 月 1 日発行，pp.3-4
[28] 岩井洋，“CMOS 技術の限界と課題”，日本信頼性学会誌，Vol.33，No.4， pp.152-157
（2011 年 7 月）
[29] 岩井洋，角嶋邦之，“シリコンナノワイヤ FET 技術”，電子情報通信学会誌，Vol.95,No.4,
pp.278-283（2012 年 4 月）
[30] 岩井洋，角嶋邦之，川那子高暢，“ゲートスタック技術”，日本表面科学会誌，Vol.33,No.11,
pp.600-609（2012 年 11 月）
17．著書リスト
国内著書
[1] ASIC 産業便覧」サイエンスフォーラム 1989 年 4 月、香山晋、八幡恵介、渡辺誠、星
川龍介、岩井洋 他 30 名 pp.275-279
[2] 西澤潤一編「半導体研究 42、超 LSI 技術 20、デバイスとプロセスその 10」工業調査
会 1996 年 8 月、岩井洋 「第１章シリコン LSI の将来、0.1m 以下の微細素子及びそ
れを用いた LSI の将来像」pp.3-43
[3] 西澤潤一編「半導体研究 44、超 LSI 技術 22－デバイスとプロセスその 12」工業調査
会 1998 年 5 月、百瀬寿代、岩井洋、「第４章トンネルゲート酸化膜 MOSFET 技術」
pp.111-149
[4] 木村忠正編「電子材料ハンドブッック」朝倉書店 2006 年 11 月、岩井洋、「IC・LSI
関連材料の種類と特徴」pp.285-295
[5] 「ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術－成膜技術と膜・界面の物性科学」
2012 年 7 月 20 日、岩井洋、長谷川英機、知京豊裕 他 38 名、岩井洋「絶縁膜の超薄
膜化ニーズ」pp.3-10、ISBN:978-4-86469-039-3
海外著書
[1] H. Iwai, "Hot carreir induced degradation mode in thin gate insulator dual gate MISFETs,”
Edited by W. Eccleston and M. Uren, "Insulating Films on Semiconductors 1991," Adam
Hilger, Bristol, Philadelphia and New York, pp.83-92, 1991
[2] Y.katsumata, T.Ohguro, K.Inoh, E.Morifuji, T.Yoshitomi, H.Kimijima, H.Nii, T.Morimoto,
H.S.Momose, K.Yoshikawa, H.Ishiuchi and H.Iwai, "CMOS/BiCMOS Technology" in
The VLSI Handbook, Chapter 2, edited by Prof. Wai-Kai Chen, Univ. of Illinois, Chicago,
Illinois, 1999
[3] Y.Unno, H.Iwai, "Future Trend in Large-Scale Integrated Circuit Technologies from an
Industrial Perspective" edited by J.Xu et al. in "Future Trends in Microelectronics, The Road
Ahead", published by John Wiley & Sons, Inc., pg.196, 1999
[4] H. Iwai and S. Ohmi, “Trends and Projections for the Future of Scaling and Future Integration
Trends”, The Computer Engineering Handbook, pp1_1-1_29, February 2002
[5] H. Wong, K. Shiraishi, K. Kakushima, H. Iwai, “High-K Gate Dielectrics” Electronic Device
Architectures for the Nano-CMOS Era, pp.105-140, 2009
[6] H. Iwai, S.M. Sze, Y. Taur, H. Wong, “BASIC ELECTRON DEVICES – Chapter2
MOSFETs”,IEEE Guide to State-of-the-Art Electron Devices, pp.21-36, 2013
18．特許リスト
国内特許
[1]堀内 重治・岩井
洋 「半導体装置」1072176 号、公告番号：昭 55－028434、出願：
昭和 49 年 1 月 29 日、公開番号：昭 50－106588、公開日：昭和 50 年 8 月 22 日
[2]堀内 重治・岩井
洋 ・田沼
幸男「半導体装置」1263318 号、公告番号：昭 59－033979、
出願：昭和 50 年 9 月 16 日、公開番号：昭 52－010684、公開日：昭和 52 年 1 月 27 日
[3]堀内 重治・岩井
洋・田沼
幸男「半導体装置」1216050 号、公告番号：昭 58－016338、
90
出願：昭和 50 年 7 月 29 日、公開番号：昭 52－016189、公開日：昭和 52 年 2 月 7 日
[4]深津 安・岩井 洋「半導体記憶装置」1295190 号、公告番号：昭 60－018147、出願：
昭和 51 年 11 月 5 日、公開番号：昭 53－057779、公開日：昭和 53 年 5 月 25 日
[5]岩井 洋 ・柳瀬
年延「半導体装置」1340200 号、公告番号：昭 61－004199、出願：
昭和 51 年 11 月 26 日、公開番号：昭 53－066179、公開日：昭和 53 年 6 月 13 日
[6]岩井 洋「半導体装置」1225456 号、公告番号：昭 58－056977、出願：昭和 52 年 3
月 18 日、公開番号：昭 53－115187、公開日：昭和 53 年 10 月 7 日
[7]岩井 洋「半導体装置の製造方法」1333855 号、公告番号：昭 60－059749、出願：昭
和 52 年 3 月 18 日、公開番号：昭 53－115183、公開日：昭和 53 年 10 月 7 日
[8]岩井 洋「半導体装置の製造方法」1339176 号、公告番号：昭 61－003103、出願：昭
和 52 年 6 月 22 日、公開番号：昭 55－003649、公開日：昭和 55 年 1 月 11 日
[9]岩井 洋「半導体装置の製造方法」1314983 号、公告番号：昭 60－038026、出願：昭
和 53 年 11 月 21 日、公開番号：昭 56－073451、公開日：昭和 56 年 6 月 18 日
[10]岩井
洋 ・西 義雄「半導体装置の製造方法」1557850 号、公告番号：平 01－033945、
出願：昭和 54 年 12 月 7 日、公開番号：昭 56－081968、公開日：昭和 56 年 7 月 4 日
[11]岩井
洋「半導体装置の製造方法」1355725 号、公告番号：昭 61－019111、出願：昭
和 55 年 7 月 16 日、公開番号：昭 57－023239、公開日：昭和 57 年 2 月 6 日
[12]前田
哲・岩井 洋「半導体装置の製造方法」1411954 号、公告番号：昭 62－017862、
出願：昭和 55 年 10 月 2 日、公開番号：昭 57－062542、公開日：昭和 57 年 4 月 16 日
[13]沢田
静夫・前田
哲・岩井 洋「MOS 型半導体装置の製造方法」1399914 号、公告
番号：昭 62－003990、出願：昭和 55 年 10 月 9 日、公開番号：昭 57－066673、公開日：
昭和 57 年 4 月 22 日
[14]岩井
洋「半導体装置の製造方法」1595026 号、公告番号：平 2－008451、出願：昭
和 55 年 11 月 27 日、公開番号：昭 57－090940、公開日：昭和 57 年 6 月 5 日
[15]岩井
洋「半導体装置の製造方法」1394980 号、公告番号：昭 61－009737、出願：昭
和 55 年 11 月 29 日、公開番号：昭 57－091535、公開日：昭和 57 年 6 月 7 日
[16]岩井
洋「半導体装置及びその製造方法」1334029 号、公告番号：昭 60－057703、出
願：昭和 55 年 11 月 29 日、公開番号：昭 57－091536、公開日：昭和 57 年 6 月 7 日
[17]岩井
洋「半導体記憶装置の製造方法」1544466 号、公告番号：平 01－022990、出願：
昭和 56 年 2 月 18 日、公開番号：昭 57－136360、公開日：昭和 57 年 8 月 23 日
[18]前田
哲・岩井 洋「半導体装置の製造方法」1668243 号、公告番号：平 03－018342、
出願：昭和 56 年 4 月 28 日、公開番号：昭 57－180143、公開日：昭和 57 年 11 月 6 日
[19]前田
哲・岩井
洋「半導体装置の製造方法」1411972 号、公告番号：昭 62－017867、
出願：昭和 56 年 4 月 28 日、公開番号：昭 57－180144、公開日：昭和 57 年 11 月 6 日
[20]前田
哲・岩井
洋「半導体装置の製造方法」1334049 号、公告番号：昭 60－059737、
出願：昭和 56 年 5 月 1 日、公開番号：昭 57－181136、公開日：昭和 57 年 11 月 8 日
[21]岩井
洋「ウエハ露光方法及びその装置」1406576 号、公告番号：昭 62－011780、出
願：昭和 56 年 5 月 6 日、公開番号：昭 57－183033、公開日：昭和 57 年 11 月 11 日
[22]岩井
洋「半導体装置の製造方法」1613052 号、公告番号：平 02－026368、出願：昭
和 56 年 6 月 26 日、公開番号：昭 58－002020、公開日：昭和 58 年 1 月 7 日
91
[23]亀山
周一・篠崎 慧・岩井
洋「半導体装置の製造方法」1599622 号、公告番号：
平 02－023028、出願：昭和 56 年 8 月 21 日、公開番号：昭 58－032432、公開日：昭和
58 年 2 月 25 日
[24]前田
哲・岩井
洋「半導体装置の製造方法」1416203 号、公告番号：昭 62－020697、
出願：昭和 56 年 9 月 1 日、公開番号：昭 58－039027、公開日：昭和 56 年 3 月 7 日
[25]前田
哲・岩井
洋「相補型 MOS 半導体装置及びその製造方法」1673017 号、公告番
号：平 03-024068、出願：昭和 56 年 9 月 3 日、公開番号：昭 58－040851、公開日：昭和
58 年 3 月 9 日
[26]前田
哲・岩井
洋「相補型 MOS 半導体装置及びその製造方法」1673018 号、公告番
号：平 03－024069、出願：昭和 56 年 9 月 3 日、公開番号：昭 58－040852、公開日：昭
和 58 年 3 月 9 日
[27]岩井
洋「半導体装置の製造方法」1512295 号、公告番号：昭 63－055780、出願：昭
和 56 年 9 月 7 日、公開番号：昭 58－042251、公開日：昭和 58 年 3 月 11 日
[28]岩井
洋「半導体装置の製造方法」1699582 号、公告番号：平 03－063220、出願：昭
和 56 年 9 月 17 日、公開番号：昭 58－048437、公開日：昭和 58 年 3 月 22 日
[29]亀山
周一・篠崎 慧・岩井
洋「半導体装置の製造方法」1684328 号、公告番号：
平 03－038742、出願：昭和 56 年 12 月 25 日、公開番号：昭 58－112342、公開日：昭和
58 年 7 月 4 日
[30]岩井
洋「半導体装置及びその評価方法」1569859 号、公告番号：平 01－053513、出
願：昭和 57 年 2 月 10 日、公開番号：昭 58－138064、公開日：昭和 58 年 8 月 16 日
[31]岩井
洋「半導体装置の製造方法」1530505 号、公告番号：平 01－012110、出願：昭
和 57 年 3 月 26 日、公開番号：昭 58－165341、公開日：昭和 58 年 9 月 30 日
[32]堀内
重治・田沼
幸男・岩井
洋 「半導体装置」1202338 号、公告番号：昭 58－
033704、出願：昭和 50 年 7 月 16 日、公開番号：昭 57－184237、公開日：昭和 57 年 11
月 12 日
[33]岩井
洋・大塚 英雄「半導体装置及びその製造方法」1826592 号、公告番号：平 05
－026346、出願：昭和 58 年 3 月 31 日、公開番号：昭 59－181050、公開日：昭和 58 年
10 月 15 日
[34]岩井
洋「半導体装置」1225456 号、公告番号：昭 53－115187、出願：昭和 52 年 3
月 18 日、公開番号：昭 53－115187、公開日：昭和 53 年 10 月 7 日
[35]前田
哲・岩井 洋「半導体記憶装置」1744710 号、公告番号：平 04－027708、出願：
昭和 58 年 8 月 15 日、公開番号：昭 60－041255、公開日：昭和 60 年 3 月 4 日
[36]岩井
洋「半導体装置及びその製造方法」1800680 号、公告番号：平 05－008587、出
願：昭和 58 年 8 月 19 日、公開番号：昭 60－042866、公開日：昭和 60 年 3 月 7 日
[37]前田
哲・岩井
洋「相補型 MOS 半導体装置の製造方法」1818301 号、公告番号：平
05－027265、出願：昭和 58 年 9 月 30 日、公開番号：昭 60－074664、公開日：昭和 60
年 4 月 26 日
[38]堀内
重治・田沼 幸男・岩井 洋 「半導体集積回路の製造方法」1343039 号、公告
番号：昭 61－006544、出願：昭和 50 年 7 月 29 日、公開番号：昭 59－130444、公開日：
昭和 59 年 7 月 27 日
92
[39]岩井
洋「半導体集積回路」1709027 号、公告番号：平 03－069178、出願：昭和 60
年 3 月 30 日、公開番号：昭 61－225853、公開日：昭和 61 年 10 月 7 日
[40]岩井
洋「半導体装置の製造方法」1693606 号、公告番号：平 03－058531、出願：昭
和 55 年 11 月 27 日、公開番号：昭 62－097331、公開日：昭和 62 年 5 月 6 日
[41]岩井
洋 ・西 義雄「半導体装置の製造方法」1769957 号、公告番号：平 04－041506、
出願：昭和 54 年 12 月 7 日、公開番号：昭 63－023351、公開日：昭和 63 年 1 月 30 日
[42]岩井
洋 ・西
義雄「半導体装置の製造装置」1769958 号、公告番号：平 04－041507、
出願：昭和 54 年 12 月 7 日、公開番号：昭 63－023352、公開日：昭和 63 年 1 月 30 日
[43]岩井
洋 「カレントミラー型センスアンプ」1752550 号、公告番号：平 04－039244、
出願：昭和 62 年 7 月 15 日、公開番号：平 01－019820、公開日：平成 1 年 1 月 23 日
[44]岩井
洋 「CMOS 型半導体メモリ装置及び Bi-CMOS 型半導体メモリ装置」2726454
号、出願：昭和 63 年 11 月 10 日、公開番号：平 02－130870、公開日：平成 2 年 5 月 18 日
[45]亀山
周一・篠崎
慧・岩井 洋 「半導体装置の製造装置」1864033 号、公告番号：
平 05－074220、出願：昭和 56 年 12 月 25 日、公開番号：平 02－177330、公開日：平成 2
年 7 月 10 日
[46]百瀬
寿代・岩井
洋 ・高木
信一・北川 悟・山部
紀久夫「半導体装置及びその
製造方法」2889295 号、出願：平成 1 年 12 月 5 日、公開番号：平 03－129774、公開日：平
成3年6月3日
[47]岩井
洋 ・森本
豊太・百瀬
寿代・北川 悟・高木
信一・山部
紀久夫「半導体
装置及びその製造装置」2968548 号、出願：平成 2 年 2 月 23 日、公開番号：平 03－245563、
公開日：平成 3 年 11 月 1 日
[48]岩井
洋 ・西
義雄 「半導体装置及びその製造装置」2090018 号、出願：昭和 54 年
12 月 7 日、公開番号：平 05－267612、公開日：平成 5 年 10 月 15 日
[49]土明
正勝・西山 彰・森本
豊太・牛久 幸広・岩井
洋 「半導体装置の製造装置」
3243286 号、出願：平成 4 年 5 月 29 日、公開番号：平 05－335269、公開日：平成 5 年 12
月 17 日
[50]百瀬
寿代・有留
誠一・岩井
洋 ・森本
豊太・小野
瑞城「半導体装置及びその
製造装置」3585938 号、出願：平成 4 年 6 月 1 日、公開番号：平 05－218405、公開日：平
成 5 年 8 月 27 日
[51]吉富
崇・斉藤
雅伸・百瀬
志、新居 英明・松田
聡・勝又
寿代・岩井 洋 ・牛久 幸広・小野
瑞城・赤坂
泰
康弘「半導体装置及び半導体装置の製造装置」3095564
号、出願：平成 4 年 12 月 11 日、公開番号：平 06－045350、公開日：平成 6 年 2 月 18 日
[52]岩井
洋 ・北川
光彦・中川
弘・飯沼 俊彦・井納
明夫・森塚
宏平・大村
一郎・中島
博臣・勝又
康
和美「半導体装置」3258123 号、出願：平成 5 年 3 月 15 日、公開
番号：平 06－267970、公開日：平成 6 年 9 月 22 日
[53]赤坂
泰志・小野 瑞城・新居
英明・斉藤 雅伸・吉富
崇・岩井 洋「半導体装置
の製造装置」3200231 号、出願：平成 5 年 4 月 28 日、公開番号：平 06－236967、公開日：
平成 6 年 8 月 23 日
[54]百瀬
寿代・岩井
洋 ・斉藤
雅伸・大黒 達也・小野
瑞城・吉富
崇・中村
新
一「半導体装置」370063 号、出願：平成 16 年 12 月 21 日、公開番号：2005－123647、公開
93
日：平成 17 年 5 月 12 日
[55] 百瀬
寿代・岩井
洋 ・斉藤 雅伸・大黒 達也・小野
瑞城・吉富 崇・中村
新
一「半導体装置および半導体集積回路装置」出願：平成 17 年 3 月 22 日、公開番号：特許
公開 2005-217436、公開日：平成 17 年 8 月 11 日
[56]奥野
泰利・松元
道一・久保田
正文・上田
誠二・岩井
洋・筒井
一生・角嶋
邦
之
「半導体装置及びその製造方法」
出願：平成 17 年 12 月 9 日、公開番号：特許公開 2007-142347、
公開日：平成 19 年 6 月 7 日
[57] 松元
道一・奥野
泰利・久保田 正文・上田
ルハット アヘメト・角嶋
誠二・岩井 洋・筒井
一生・パー
邦之「半導体装置及びその製造方法」出願：平成 18 年 5 月 30
日、公開番号：特許公開 2007-324187、公開日：平成 19 年 12 月 13 日
[58] パールハット
アヘメト・岩井
洋・服部
健雄・筒井
一生・角嶋
邦之・知京
豊
裕
「半導体装置及びコンデンサ」
出願：平成 19 年 9 月 18 日、公開番号：特許公開 2008-218827、
公開日：平成 20 年 9 月 18 日
[59]岩井
洋・服部
健雄・筒井
吉丸 正樹・三島 康由・青山
一生・角嶋
邦之・パールハット
知憲・大路 洋・加藤
アヘメト・宋
在烈・
芳健「Ge チャネル素子およびＧ
ｅチャネル素子の製造方法」出願：平成 19 年 8 月 18 日、公開番号：特許公開 2009-54881、
公開日：平成 21 年 3 月 12 日
[60]中野
美尚・村上 裕彦・パールハット
アヘメト・岩井
洋・角嶋 邦之「カーボン
ナノチューブ成長用基板及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブの製造方法」出
願：平成 20 年 3 月 26 日、公開番号：特許公開 2009-234844、公開日：平成 21 年 10 月 15
日
[61] 中野
美尚・村上
裕彦・パールハット
アヘメト・岩井
洋・角嶋 邦之「カーボ
ンナノチューブ成長用基板及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブの製造方法」
出願：平成 20 年 3 月 26 日、公開番号：特許公開 2009-234845、公開日：平成 21 年 10 月
15 日
[62] 岩井
洋・パールハット
アヘメト・角嶋
邦之・佐藤
創志・山田
啓作・大毛利
健治「ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法」出願：平成 22 年 3 月 31 日、公開番号：
特許公開 2011-211127、公開日：平成 23 年 10 月 20 日
[63] 山田
啓作・大毛利
健治・岩井
洋・パールハット
アヘメト・角嶋
邦之・佐藤
創志「ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法」出願：平成 22 年 3 月 31 日、公開番号：
特許公開 2011-211126、公開日：平成 23 年 10 月 20 日
[64 パールハット
アヘメト・マイマイティ マイマイティレシャティ・角嶋
邦之・筒井
一生・服部健雄・岩井洋 「半導体素子」公開番号：特許公開 2013-135135、公開日：平
成 25 年 7 月 8 日
海外特許（U.S.A.）
[1] H. Iwai, Y. Nishi, “Method of manufacturing semiconductor devices” Unites States Patent
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H. Iwai, “Method of etching, refilling and etching dielectric grooves for isolating micron size
regions,” Unites States Patent 4,394,196, filed July 13, 1981, patented July 19, 1983
Y. Nakayama, H. Sukejima, “Oxidation-curable emulsion composition containing a cellulose
derivative”, United Sates Patent4,408,028, filed Nov. 26, 1980, patented Oct. 4, 1983
S. Sawada, H. Iwai, S. Maeda, , “Method for fabricating a semiconductor device,” Unites
States Patent 4,410,375, filed Oct. 2, 1981, patented Oct. 18, 1983
H. Iwai, “Semiconductor wafer with alignment marks and method for manufacturing
semiconductor device,” Unites States Patent 4,418,467, filed June 18, 1982, patented Dec. 6,
1983
H. Iwai, “Method for fabricating semiconductor device,” Unites States Patent 4,419,813, filed
Nov. 27, 1981, patented Dec. 13, 1983
H. Iwai, “Method of manufacturing a self-aligned U-MOS semiconductor device”, United
States Patent 4,455,740, filed Sept. 29, 1982, patented Jun. 26, 1984
H. Iwai, “Method for manufacturing a semiconductor device”, United States Patent 4,491,486,
filed Sept. 16, 1982, patented Jan. 1, 1985
H. Iwai, “Wafer exposure method and apparatus”, United States Patent 4,500,615, filed Sept.
22, 1982, patented Feb. 19, 1985
M. Konaka, H. Iwai, Y. Nishi, “MOS Semiconductor device and method of manufacturing the
same,” Unites States Patent 4,523,213, filed July 9, 1982, patented June 11, 1985
H. Iwai, “Method of manufacturing a semiconductor device for forming a deep field region in
a semiconductor substrate” Unites States Patent 4,532,696, filed Mar. 16, 1983, patented Aug.
6, 1985
S. Kameyama, S. Shinozaki, H. Iwai, “Method of manufacturing semiconductor device,”
Unites States Patent 4,532,701, filed Aug. 19, 1982, patented Aug. 6, 1985
S. Maeda, H. Iwai, “Semiconductor device and method of manufacturing the same,” Unites
States Patent 4,560,421, filed Oct. 2, 1981, patented Dec. 24, 1985
H. Iwai, H. Ohtsuka, “Treatment process for semiconductor wafer”, United States Patent
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the same”, United States Patent 4,597,166, filed Feb. 8, 1983, patented July 1, 1986
H. Iwai, “Wafer exposure apparatus”, United States Patent 4,613,230, filed Apr. 30, 1982,
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S. Kameyama, S. Shinozaki, H. Iwai, “Method of forming isolation regions containing
conductive patterns therein”, United States Patent 4,615,103, filed May 28, 1985, patented Oct.
7, 1986
S. Kameyama, S. Shinozaki, H. Iwai, “Method of forming isolation regions containing
conductive patterns therein”, United States Patent 4,615,104, filed May 28, 1985, patented Oct.
7, 1986
H. Iwai, “Semiconductor device with self-aligned gate structure and manufacturing process
thereof”, United States Patent 4,737,831. filed Sept. 11, 1986, patented Apr. 12, 1988
S. Maeda, H. Iwai, “Semiconductor device having a semiconductor substrate with a high
impurity concentration”, United States Patent 4,755,863, filed Aug. 15, 1986, patented July 5,
1988
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1984, patented Oct. 3, 1989
J. Tsujimoto, M. Matsui, H. Iwai, T. Ohtani, “Semiconductor memory device using partial
decoders for redundancy, United States Patent 4,881,202. filed Dec. 29, 1987, patented Nov.
14, 1989
S. Maeda, H. Iwai,” C-MOS device and a process for manufacturing the same”, United States
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H. Iwai, T. Morimoto, H. Momose, K. Yamabe, Y. Ozawa, “Semiconductor device with
nitrided gate insulating film”, United States Patent 5,237,188, filed November 27, 1991,
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T. Yoshitomi, M. Saito, H. Momose, H. Iwai, Y. Ushiku, M. Ono, Y. Akasaka, H. Nii, S.
Matsuda, Y. Katsumata, “Semiconductor device and method of manufacturing the same”,
United States Patent 5,434,440, filed May 28, 1993, patented July 18, 1995
95
[26] H. Iwai, T. Morimoto, H. Momose, K. Yamabe, Y. Ozawa, “Method for fabricating
semiconductor device in which threshold voltage shift and charge-pumping current are
improved”, United States Patent 5,489,542, filed July 16, 1993, patented Feb. 6, 1996
[27] H. Nakajima, Y. Katsumata, H. Iwai, T. Iinuma, K. Inou, M. Kitagawa, K. Morizuka, A.
Nakagawa. I. Omura, “Semiconductor device and method of manufacturing the same”, United
States Patent 5,510,647, filed March 15, 1994, patented Apr. 23, 1996
[28] H. Nakajima, Y. Katsumata, H. Iwai, T. Iinuma, K. Inou, M. Kitagawa, K. Morizuka, A.
Nakagawa, I. Omura,” Semiconductor device and method of manufacturing the same”, United
States Patent 5,637,909, filed Jan. 2, 1994, patented Jun. 10, 1997
[29] T. Yoshitomi, M. Saito, H. Momose, H. Iwai , Y. Ushiku, M. Ono, Y. Akasaka, H. Nii, S.
Matsuda, Y. Katsumata, T. Ooguro, C. Fiegna” MOSFET with Solid Phase Diffusion”, United
States Patent 5,698,881, filed Dec. 2, 1994, patented Jun. 16, 1998
[30] T. Yoshitomi, M. Saito, H. Momose, H. Iwai , Y. Ushiku, M. Ono, Y. Akasaka, H. Nii, S.
Matsuda, Y. Katsumata,” Semiconductor device and method of manufacturing the same”,
United States Patent 5,766,965, filed Dec. 5, 1995, patented Jun. 16, 1998
[31] T. Yoshitomi, H. Iwai , M. Saito, H. Momose, T. Ohguro, M. Ono, ” Semiconductor device
with side wall conductor film”, United States Patent 5,780,901, filed Jun. 30, 1995, patented
Jul. 14, 1998
[32] T. Yoshitomi, M. Saito, H. Momose, H. Iwai , Y. Ushiku, M. Ono, Y. Akasaka, H. Nii, S.
Matsuda, Y. Katsumata,” Semiconductor device having solid phase diffuiosn sources”, United
States Patent 5,898,203, filed Jul. 30, 1997, patented April. 27, 1999
[33] T. Yoshitomi, M. Saito, H. Momose, H. Iwai , Y. Ushiku, M. Ono, Y. Akasaka, H. Nii, S.
Matsuda, Y. Katsumata, T. Ooguro, C. Fiegna” MOSFET with Solid Phase Diffusion Source”,
United States Patent 5,903,027, filed Aug. 13, 1997, patented May 11, 1999
[34] T. Yoshitomi, H. Iwai, M. Saito, H. Momose, T. Ohguro, M. Ono, ” Semiconductor device and
manufacturing thereof”, United States Patent 5,955,761, filed Apr. 30, 1998, patented Sept. 21,
1999
[35] H. Momose, H. Iwai, S. Saito, T. Ohguro, M. Ono, T. Yoshitomi, S. Nakamura, “MOSFET
with a thin gate insulating film”, United States Patent 5,990,516, filed Sep. 13, 1995, patented
Nov. 23, 1999
[36] H. Momose, H. Iwai, S. Saito, T. Ohguro, M. Ono, T. Yoshitomi, S. Nakamura, “MOSFET
with a thin gate insulating film”, United States Patent 6,229,164, filed Nov. 16, 1999, patented
May. 8, 2001
[37] H. Momose, H. Iwai, S. Saito, T. Ohguro, M. Ono, T. Yoshitomi, S. Nakamura, “MOSFET
with a thin gate insulating film”, United States Patent 6,410,952, filed Apr. 9, 2001, patented
Jun. 25, 2002
[38] H.Momose, H. Iwai, M. Saito, T. Ohguro, M. Ono, T. Yoshitomi, S. Nakamura, “MOSFET
with a thin gate insulating film”, United States Patent 6,642,560, filed June 4, 2002, patented
Nov. 4, 2003
[39] H. Momose, H. Iwai, M.Saito, T. Ohguro, M. Ono, T. Yoshitomi, S. Nakamura, “MOSFET
with a thin gate insulating film”, United States Patent 6,929,990, filed Oct. 9, 2003, patented
Aug. 16, 2005
[40] H. Momose, H. Iwai, M.Saito, T. Ohguro, M. Ono, T. Yoshitomi, S. Nakamura, “MOSFET
with a thin gate insulating film”, United States Patent 7,282,752, filed June 3, 2005, patented
Oct. 16, 2007
海外特許（欧州、アジア）
[1] H. Iwai, “Method of filling a groove in a semiconductor substrate,” European Patent 0055521
B1, Publication of application July 7, 1982, Publication of the grant May 22, 1985
他 登録特許約 10 件
19. 委員会
国内委員会
[ 1] 2000
委員（財）日本産業技術振興協会
96
情報通信基盤高度化プログラム検討
委員会
[ 2] 1995.10.1~1997.9.30 委員
（社）電気学会
超高速デバイス調査専門委員会
[ 3] 1997.10.1~1999.9.30 委員 （社）電気学会 超高速デバイスとその応用調査専門委員
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[ 30]
[ 31]
[ 32]
[ 33]
[ 34]
[ 35]
会
2000.4～
幹事
電気学会 超微細集積デバイス調査専門委員会
2000.4～2001.9 委員 電気学会 超高速デバイスとそのシステム応用調査専門委員会
2001.4~2008.3 幹事 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
2001.4~2004.3 委員長 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合技術専門委員
会
2001.10～
委員
電気学会 超高速デバイスと関連技術調査専門委員会
2000.4～2002 委員長
電子情報技術産業協会(JEITA) 超低電力動作集積システ
ム研究専門委員会
2000.4～2002 委員 電子情報技術産業協会(JEITA) 電子材料・デバイス技術委員会
2001.9～2002.8 委員 新機能素子研究開発協会 IT 基盤研究開発、第 1 委員会
2001.5～2002.4 編集幹事 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ英文
誌編集委員会
2002.5～2003.5 委員長 電子情報通信学会
エレクトロニクスソサイエティ英文論文 誌編集委員会
2002.5～2006.5 顧問
編集顧問会
2002.5～2003.5 委員長
英文論文誌Ｃ編集委員会
2003.5～現在 英文アドバイザリー 英文論文誌Ｃ編集委員会
2003.9～2010.5 電子情報通信学会 編集委員 IEICE Electronics Express 編集委員会
2002.8～2004.7 専門委員 大学評価・学位授与機構大学評価委員会
2003.4～2006.3 委員長 電気学会 超微細・低電力デバイス集積技術調査専門委員会
2003.5～2004.3 委員長 新機能素子研究開発協会 戦略的ナノデバイス研究・人材
育成拠点検討委員会
2003.5～2003.9 編集委員 電子情報通信学会 電子ジャーナル編集委員会準備委員会
2001～2006(9 月～4 月)投票委員 電子情報通信学会 論文賞委員会
2003～2005.3 委員 未来工学研究所 エレクトロニクス分科会「科学技術の中長期発展
に係わる俯瞰的予測調査」
2003～2005
研究者代表 科学技術振興調整費 先導的研究等の推進「Nano-CMOS
超低消費電力デバイス技術」
2004.4～2008.3 領域アドバイザー 科学技術振興機構
2005.3～2006.3 専門調査委員 文部科学省科学技術政策研究所 科学技術動向研究セ
ンター
2004.10.3～8 実行委員 電気化学会 2004 年電気化学日米合同大会
2005.1～2015.3 諮問委員 半導体技術ロードマップ諮問委員会
2006.4～2010.3 諮問委員 （社）電子情報技術産業協会 半導体技術ロードマップ諮
問委員会
2004.10～2007.9 委員 電気学会 高度ワイヤレスユビキタス社会を支える超高速デ
バイス・回路技術調査専門委員会
2007.4～2008.3
委員 財団法人新機能素子研究開発協会「情報分野とエネルギーの
融合懇談会」
2007.7～2010.3 諮問委員 東北大学大学院工学研究科 マイクロシステム融合研究
開発拠点
2007.8～2011.3 NEDO 技術委員 エネルギー使用合理化技術戦略的開発先導研究民
生系 A 技術委員会
2007.10~2009.9 委員 More Moore More than Moore における化合物半導体電子デバ
イス調査専門委員会
2007.12~2008.3 委員 2050 年における省エネルギー社会の実現に向けた電気エネル
ギー有効利用に関わるエレクトロニクス技術の調査委員会
97
[ 36] 2008.4~2011.3 諮問委員
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
[ 37] 2008.1.15~2008.6.30 委員 独立行政法人物質・材料研究機構「環境・エネルギー材
料研究展」88 委員会
[ 38] 2009.6～2012.5 委員 電気学会 シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会
[ 39] 2010.3～2010.5 専門委員 独立行政法人科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事
業 公募型研究に係る研究領域の中間評価委員会
[ 40] 2010.3.25 委員 文部科学省 研究開発における民間資金の活用に関する有識者懇談
会
[ 41] 2010.10～2015.3 ワーキング・グループ委員
つくばイノベーションアリーナ
大学院連携 WG
[ 42] 2011.12.14～2015.3.31 NEDO 技術委員 パワーエレクトロニクス革新技術委員会
[ 43] 2012.1.26～2013.3.31
専門委員 独立行政法人科学技術振興機構 戦略的創造研究
推進事業(CREST)の研究領域評価委員会
[ 44] 2013.3～2014.3 ピアレビュア 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
海外委員会
[1] 1995 Guest Editor, IEEE Trans. on ED, Special Issue
[2] 1994-1999 Member, Organizing Committee, IEEE, SISPAD
[3] 1996, 1999 Publication Chair, IEEE/JSAP SISPAD'96 and '99 (Int Conf. Simulation of Semicond.
Proc.and Dev.)
[4] 1997, 1999 ECS Symp on ULSI Science and Technology
[5] 1998 Guest Editor, IEEE Trans. on ED, Special Issue
[6] 1998 Moderator, Rump session, Symp on VLSI Tech/Circ
[7] 1998 Moderator, Rump session, SSDM
[8] 1996-1998 Subcommittee Chair, IEEE BCTM
[9] 1999 Member, Advance Workshop on ‘Frontiers in Electronics’ Committee
[10] 1999 Co-organizer, ECS Symp on ULSI Process Integration '99
[11] 1995-2000 Elected Member, IEEE EDS AdCom
[12] 1995,1996,1999,2000 Member, Committee, IEEE, IEDM, Mar.1995, 1998 Guest Editor,
Special Issues on IEEE Trans on Election Devices
[13] 1995, 1996, 1999, 2000 Program Committee Member, IEEE IEDM'95, '96, '99, '00
(International Election Devices Meeting)
[14] 1994-1999 Editor, IEEE EDS Newsletter
[15] 1997,2000 Program Vice Chair, IEEE MIEL '00 and97 (International Conference on
Microelectronics)
[16] 1999 Session Organizer, IEEE WOFE'99 (Advanced Workshop on 'Frontiers in Electronics)
[17] 1999 Publication Chair, IEEE BCTM'99 (Bipolar/BiCMOS Circuit and Technology Meeting)
[18] 1999,2000 Program Committee Member, ESSDERC'99, '00 (European Solid-State Device
Research Conference)
[19] 1997-2000 Member, International Committee, IEEE ASDAM*98
[20] 1999,2001 International Advisor IEEE IPFA '99, '01 (International Symp. on Physical and
Failure Analysis of ICs)
[21] 2000 Program Vice Chair, IEEE BCTM'00 (Bipolar/BiCMOS Circuit and Technology Meeting)
[22] 2001 EDS Vice President, IEEE (Electron Devices Society, The Inst. of Electrical &
Electronics Eng.)
[23] 2001 Technical Program Chair, IEEE BCTM'01 (Bipolar/BiCMOS Circuit and TechnologyMeeting)
[24] 2001 Technical Program Chair, IEEE IWGI (Int. Workshop on Gate Insulator)
[25] 2001 Executive Committee Chair, IEEE IWJT (Int. Workshop on Junction Technology)
[26] 2001 Technical Program Cochair, IEEE ICSIT (Int. Conf. on Solid-State and Integrated
Circuit Technology)
[27] 2001 Technical Program Subcommittee Chair (CIR) IEEE IEDM (International Electron
Devices Meeting)
[28] 2001 Executive Committee member ECS Electronics Division
[29] 2001 Vice Editor-in-Chief, IEICE Trans. on Electronics
98
[30] 2001 CMOS and Interconnects Reliability, IEEE, IEDM
[31] 2001 Moderator, Rump session, Symp on VLSI Tech/Circ
[32] 2001,2002 Chair, JEITA Ultra-Low Power Operation Integrated Systems Technical
Committee (JEITA: Japan Electronics and Information Technology Industry Association)
[33] 2001 Guest member, LETI, Micro electronics and micro technology CST
[34] 2002 Program Committee Member, IEEE RAB/TAB Section/Chapter Support
[35] Committee ’02 (Regional Activities Board/Technical Activities Board)
[36] 2002 Committee Member, ECS Symp on Silicon Technology
[37] 1994-present Distinguished Lecturer, IEEE EDS
[38] 1995-present Member, Investigation Committee, the Institute of Electrical Engineers
[39] 1996-present Program Vice Chair, IEEE MIEL
[40] 1996-2015 Member, IEEE EDS Regions/Chapters Committee
[41] 1996-2005 Regional Editor, Microelectronics Reliability
[42] 1998-2003 Asian Coordinator, Advance Research Workshop on Future Trend in
Microelectronics
[43] 1999-present Committee Member, ECS Symp on ULSI Process Integration
[44] 2000-2002
Co-organizer, IEEE Japan Ultra-Small Integrated Devices Investigation
Committee (IEE Japan: the Institute of Electrical Engineers of Japan)
[45] 2000-2002 Chair, IEEE EDS Regions/Chapters Committee
[46] 2000-present Coeditor-in-chief, IJHSES(International Journal of High Speed Electronics and
Systems)
[47] 2001-present Executive Committee member, ECS Electronics Division
[48] 2002-present Member, ECS DS&T Governing Body
[49] 2002 Co-Chair, Technical Program Committee, 2nd ECS- International Silicon Technology
Conference, Tokyo, Japan, September 11-14, 2002
[50] 2002 Executive Committee Member, 2nd ECS- International Silicon Technology Conference,
Tokyo, Japan, September 11-14, 2002
[51] 2002 Organizer, ECS 202nd Meeting, First International Sympo. on High Dielectric Constant
Materials:Materials Science, Processing, Reliability,& Manufacturing Issues Oct. 21-22, 2002,
Salt Lake City, Utah, USA
[52] 2002-2009 Organizer, ECS Meeting, Sympo. on High Dielectric Constant Materials and Gate
Stacks
[53] 2002-2003 Vice President, IEEE EDS
[54] 2002-2003 Member, IEEE RAB/TAB Section Chapter Support Committee
[55] 2002 General Chair, IEEE BCTM
[56] 2002-2003 Editor-in-Chief, IEICE Trans. on Electronics
[57] 2003-2004
Member(Responsible for Technical Symposia Grants), IEEE RAB/TAB
Section/Chapter Support Committee
[58] 2002-2003 Member, National Institution for Academic Degrees and University Evaluation
[59] 2003
Member, Sub-committee for Device Reliability, Technical Program Steering
Committee (TPSC), IPFA
[60] 2003 Organizer, 203rd ECS Meeting, Sympo. on ULSI Process Integration III, Apr. 28-29,
2003, Paris, France
[61] 2003 Organizer, 204th ECS Meeting, Sympo. on Second International Symposium on High
Dielectric Constant Materials: Materials Science, Processing, Reliability, and Manufacturing
Issues, Oct. 13-16, 2003, Orland, Florida, USA
[62] 2003-present International Committee Chair, 2003 IMFEDK (The 2003 International
Meeting for Future of Electron Devices, Kansai )
[63] 2003 Member, IEEE TAB Awards and Recognition Committee
[64] 2002-present Member, Andrew Grove Award Committee
[65] 2003-2008 Member, DIMES, DIMES Scientific Council
[66] 2004-present Member, IEEE TAB
[67] 2004-2005 President, IEEE EDS
[68] 2004 Co-general chair, ICSTST 2004
[69] 2004 Co-program chair , WOFE 2004
[70] 2004 Program co-chair The ４ th International Workshop on Junction Technology:2004,
Shanghai, China, March 15-16, 2004
99
[71] 2004 E-MRS Spring Meeting, Session IV chair
[72] 2004 Co-organizer, 206th ECS Meeting, the First International Sympo on Dielectrics for
Nanosystems:Materials Science, Processing, Reliability and Manufacturing, Oct. 4-7,
Honolulu, Hawai,
[73] 2004 Co-Organizer, 206th ECS Meeting, SiGe: Materials, Processing, and Devices, Oct.4-8,
Honolulu
[74] 2004 General Co-Chairs:7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits
Technology, Beijing, China
[75] 2004 International Advisory Committee Member, ECS-ISTC2004, Shanghai, China,
September15-17, 2004
[76] 2004-present General Chair, IWJT 2005
[77] 2005 Division Chair, Executive Committee, The 2005Semi-ECS-ISTC, Shanghai, China,
March15-17, 2005
[78] 2005 Semiconductor Technology (ISTC 2005)Assistant Editor
[79] 2005 Co-organizer, 207th ECS Meeting, Sympo. on Advanced Gate Stack, Source/Drain, and
Channel Engineering for Si-Based CMOS: New Materials, Processes, and Equipment, May
16-18, 2005, Quebec City Canada
[80] 2005 General Chair The 5th International Workshop on Junction
Technology:(IWJT) 2005, June7-8,2005, Osaka, Japan
[81] 2005 Advisory Chair The 5th International Workshop on Junction Technology:(IWJT) 2005,
June7-8,2005, Osaka, Japan
[82] 2005 Co-Organizer, 208th ECS Meeting, Third International Sympo. on High Dielectric
Constant Gate Stacks III, Oct. 17-20, 2005, Los Angeles, California, USA
[83] 2005 General Chair, The 9th Workshop and IEEE EDS Mini-colloquia on NAnometer CMOS
Technology Nanoelectronics Workshop in Japan, Yokohama, Japan, Oct. 25, 2005
[84] 2006 General Chair, The International Workshop on Nano CMOS (IWNC), Mishima, Japan,
Jan. 30-31
[85] 2006 Division Chair, ISTC2006, Shanghai, China, March 21-13, 2006
[86] 2006 General Co-Chair, The 6th International Workshop on Junction Technology:(IWJT) 2006,
Shanghai, China, May 15-16, 2006
[87] 2006 Lanzhou Jiaotong University, Adjunct Professor
[88] 2006-2007 Junior Past President, IEEE EDS
[89] 2006-2007 Member, IEEE EDS Fellow Committee
[90] 2006-2008 Member, IEEE EDS TAB Society Review Committee
[91] 2006 Organizer, ECS 209th Meeting, Sympo. on Dielectrics for Nanosystems
MaterialsScience:, Processing, Reliability, and Manufacturing II, May 8-10, 2006,
Denver,USA
[92] 2006, Organizer, 209th ECS Meeting, 10th International Symposium on Silicon Materials
Science andTechnology, May 10-11, 2006, Denver, USA
[93] 2006 Co-Program Chair , ICSICT2006, Shanghai, China, Oct.22-27
[94] 2006 Organizer, 210th ECS Meeting, Sympo. on Advanced Gate Stack, Source/Drain, and
Channel Engineering for Si-Based CMOS 2: New Materials, Processes, and Equipment, Oct.
30-Nov.2, 2006, Cancun, Mexico
[95] 2006 Organizer, 210th ECS Meeting, Sympo. on High Dielectric Constant Gate Stacks 4, Oct.
30-Nov.2, 2006, Cancun, Mexico
[96] 2006-2007 IEEE EDS Nominations and Elections Committee Chair
[97] 2007 Co-Chair, ISTC2007, Shanghai, China, March 18-20, 2007
[98] 2007 Organizer, 211th ECS Meeting, Sympo. on Advanced Gate Stack, Source/Drain, and
Channel Engineering for Si-Based CMOS: New Materials, Processes, and Equipment 3, May
7-9, 2007, Chicago, Illinois
[99] 2007 Steering Committee member, 2007 International Workshop on Electron Devices and
Semiconductor Technology, June 3-4, 2007, Beijing, China
[100] 2007 Advisory Committee Chair, The 7th International Workshop on Junction Technology
2007, June 8 - 9, 2007 Kyoto, Japan
[101] 2007 Organizer, 212th ECS Meeting, Sympo. on High Dielectric Constant Materials and Gate
Stack 5, Oct. 8-10, 2007, Washington, DC
[102] 2007 Organizer, 212th ECS Meeting, Sympo. on ULSI Process Integration 5, Oct. 8-11, 2007,
100
Washington, DC
[103] 2008 DIMES Scientific Council
[104] 2008 Co-Chair, ISTC2008, March 15-17, 2008, Shanghai, China
[105] 2008 Advisory Committee Chair, The 8th International Workshop on Junction Technology
2008, May 15- 16, 2008 Shanghai, China
[106] 2008 Technical Co-Chair, 213th Meeting ECS Sympo on Dielectrics for Nanosystems III:
Materials Science, Processing, Reliability and Manufacturing, May 18-23, 2008, Phoenix,
Arizona, USA
[107] 2007 Program chair , WOFE 2007
[108] 2008-2009 IEEE EDS Fellow Committee Chair
[109] 2008-2009 IEEE EDS Award Committee member
[110] 2008-2009 IEEE EDS Senior Past President
[111] 2009 Advisory Committee Member, ISTC2009, March 17-19, 2009, Shanghai, China
[112] 2009 Advisory Committee Chair, The 9th International Workshop on Junction Technology
2009, June 11- 12, 2009, Kyoto, Japan
[113] 2009IEEE EDS Distinguished Service Award Committee
[114] 2009-2011 IEEE Frederik Philips Award Committee
[115] 2009
IEEE Divisison 1 Delegate-Elect/Director-Elect
[116] 2009-2011 ECS Individual Membership Committee member
[117] 2009-2015 IEEE EDS VLSI Technology and Circuits Committee
[118] 2010-2011 IEEE Division 1 Delegate/Director
[119] 2010 Steering Committee Advisor, ISTC2010, March 18-19, 2010, Shanghai, China
[120] 2010 Advisory Committee Chair, The 10th International Workshop on Junction Technology
2010, May 10- 11, 2010 Shanghai, China
[121] 2011-2014, ESSDERC Technical Program Committee
[122] 2011-2013 IEEE Fellow Committee
[123] 2011 Program Chair, IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology
(WIMNACT 26), February 9, 2011, Tokyo, Japan
[124] 2011 Technical Program Chair, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”, March 3, 2011,
Yokohama, Japan
[125] 2011 Advisory Committee, International Workshop on THE FUTURE OF NANO
ELECTRONICS RESEARCH AND CHALLENGES AHEAD(IWNANO 2011), December
26-28, 2011, Tamilnadu, India
[126] 2012 Strategic Planning Committee of the Fellow Committee
[127] 2012.5.1-2015 IEEE David Sarnoff Award Committee
[128] 2012.8.31 ECS Japan Section/Section Officers Second Vice-Chair
[129] 2013 IEEE EDSSC 2013 International Advisory Committee
[130] 2013- Editorial Board, SCIENCE CHINA
[131] 2013- Advisory Board of the journal “Facta Universitatis:Series Electronics and Energetics”
[132] 2013.1-2017.12 Member of Advisory Committee, SCIENCE CHINA Information Sciences
101