CONTEMPORARY SOLUTION for INDUSTRIAL/EMBEDDED SYSTEMs NAND FLASH MEMORY PRODUCTS & DRAM MEMORY MODULES 製 品 産業用途に特化したメモリ製品の開発・製造 =DRAMメモリモジュール= DDR/DDR2/DDR3 UDIMM、RDIMM、miniDIMM、 SO-DIMM、SORDIMM、microDIMM =SLC NAND フラッシュメモリ製品= Compact FlashTMカード CFastTMカード IDE-pallrel ATA SSD 2.5 serial ATA SSD 2.5 miniSATA / slimSATA Universal Serial Bus- Internal drive USB Flash memory Stick SD/SDHC/microSDカード FAE ・技術サポート OEM ・カスタム設計・製造サービス SIP ・EMS 設計・製造サービス 技 術 Chip On Board Die-stacking(特許) Chip On Flex Flip Chip SIP (System In Package) SMT (Surface Mount Technology) -Power Fail Protection (ハードウェア設計とアルゴ リズムによる電源断・瞬停対策 強化仕様) -Static/Dynamicウェアレベリングの長 所を融合した独自W/L -S.M.A.R.T機能 Life Cycle Management * Life Time Monitoring * Bad Block Management -Twin Blockシステム -ファームウェア(FW) オプティマイジング -Zone Protection アプリケーション ・組込みシステム/産業用機器 ・FAシステム ・スマートグリッドシステム ・医療機器 ・情報・通信・ネットワーク機器 ・制御装置 ・車載・船舶用システム ・航空・宇宙システム ・交通システム ・工作機械 ・計測機器 ・信号/表示機器 ・ドライブレコーダ/画像・音声装置 ・ゲーム/遊戯機器 ・セキュリティ・監視システム ・POS・ATM・自動化機器 ・発電システム 品質管理・コンプライアンス ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 固定BOMでの長期供給 終息・変更管理(EOL/PCN) 不具合解析 テストレポート 高温/低温試験の実施 (-25〜+90℃,-40〜+90℃) システムレベルバーインテスト 4段階のグレード別温拡試験 各種環境試験 各種アプリケーション試験 日本での全量試験 検査報告書 ・RoHS/REACH/WEEE ・貿易管理、EAR/EAA判定 ・ISO9001̲2008 ・EN 14001 SLC NAND フラッシュメモリ製品 2.5インチSSD sATA/pATA CompactFlashTMCards / P-120 X-200 / C-440 CFastTM Crads C-320 Half slimSATA / miniSATA F-100 / SD / SDHC / microSD Cards / X-200s USB Flash Drive-internal / S-220 S-200 USB Flash Memory stick U-110 寿命監視・セキュリティツール unitedC F-240 Life Tim X-200m ONTRA e Monit fail Pro P ow er / S-200 μ ・ S-3 in ST / m oring ・ 0 0μ iTWIST Security tection DRAMメモリモジュール Unbuffered DIMM (UDIMM) SO-DIMM Chip O o u n t Te rface M Registered DIMM(RDIMM) Su Registered SODIMM(SORDIM) Die Sta Mini DIMM / miniRDIMM Low Pro Ruggedized DIMM (COB) n Board Very L cking T MicroDIMM Ultra L gy B heigh t file PC ow Pro B heigh file PC l S e ns Therma T) gy (SM echnolo file PC ow Pro chnolo t B heigh t or Why Swissbit Swissbitは、産業用途に特化したエンジニアリングのエキスパートであり続けるため、 特別な仕様を備えるシステムや、個別の要求に合わせて製品の設計をカスタマイズし、 完全に安定して動作するメモリソリューションを提供しています。 搭載するシステムの特長を考慮し、ファームウェアやソフトウェアを合わせ込む オプティマイズテクニカルサポートで、動作上の問題も解決します。 ! マンド オンデ ン イ デザ ● システム仕様やアプリケーションに合わせた製品提案、およびカスタマイジング ● システム構成に合わせた製品設計/再設計、製品構成、実装/アセンブル方法の提案 ● 実装・加工技術提案、設計提案 C o ns u o n L ab Validati oratory & Design t Produc n Functio Analyz Contro al & R e ing Sys lled BO ● プロトタイピング、デザインサンプルの製造 Qualifie ● 各種テストプロセスの提案およびテストパターン構築 T liability tem M t Optim Perfec ● コストや採算性を考慮した開発コンサルティング Produc ity L on g e v ● 部材の選定および調達 ● 特定要素、指定アプリケーションの構築および実現 ltant logical Te c h n o izing d Te s t Reliable s Proces procure ment tion esting PRODUCT FEATURE WIDE TEMPERATURE SUPPORT 産業用途に特化した 温拡仕様(-40℃〜+85℃)で、システムの温度環境へ対応 ESD AND EMI SAFE ESD/EMI対策を総合的に配慮した設計 SHOCK AND VIBRATION 衝撃・振動 対策設計および信頼性試験 LIFE TME MONITORING (SBLTM – Life Cycle Management) 寿命監視機能 (S.M.A.R.T機能)内蔵 ZONE PROTECTION ゾーンプロテクション内蔵 FAST ERASE 無停電シーケンスによる、電源断に影響されない完全データ消去機能 CONFORMAL COATING ポリウレタンフィルムコートによる、湿気や腐食性ガス対策 S-300μ ● ● ● X X X △ S-200μ ● ● ● ● X X △ SD/SDHCカード S-200 / S-220 ● ● ● ● X X X CFカード C-320 / C-440 ● ● ● ● ○ ○ ○ SSD pATA P-120 ● ● ● ● ○ ○ ○ X-200 ● ● ● ● X X ○ F-100 microSDカード SSD sATA ● ● ● ● X X ○ F-240 coming soon ! ● ● ● ● ○ ○ ○ Half slim SATA X-200s ● X ● ● X X ○ miniSATA X-200m ● X ● ● X X ○ USB stick unitedCONTRAST-II ● ● ● ● X X X ● X ● ● X X X ● − ※1 − − − ○ CFASTカード USB Flash drive DRAM Memory Modules U-110 COB/SMT ● 標準搭載 ○オプション対応 △成形工程で可 X未対応 ※1 Ruggedized DIMM/SODIMM, COB DIMM/SO-DIMM −対象外 Swissbit ウェアレベリング アドバンスド ( Advanced ) & イコール ( Equal ) ウェアレベリング Swissbit の 選択 ・Dynamic W/Lと Static W/Lの長所を取り入れたバランスの良いWear Levelingを採用。 ・通常はDynamic方式で処理をし、ブロック間の書き換え回数の差が大きくなった場合にStatic方式で処理を実施。 ・書き換え回数寿命という問題に対して合理的な延命方法を採用しました。 ダイナミック ( Dynamic ) ウェアレベリング スタティック ( Static ) ウェアレベリング 機 能 書込み対象データのみ異なる空きブロックへ書込み 書込み対象のデータ及び消去回数の少ない 非アクティブな ブロックを異なる空きブロックへ移動 長 所 書込み対象データのみで再配置される為、過度な書き換えが ない ブロック間の消去回数の差が少なく、OSやアプリケーションなど のスタティックデータの比率が多い場合でも、広範囲で再配置が可能 短 所 ・Staticデータは W/L対象外となり、 W/L有効範囲が限られる。 ・データ種類によるブロック消去回数の差が大きい。 頻繁な再配置が実施される為、Dynamic方式に対して、ブロック 消去回数が増える Swissbit 不具合解析フロー MICRO SDカード MICRO SDカード SD/SDHC カード シリーズ S-300μ S-200μ S-220 / S200 インターフェース SDA2.0 SDHC class6/10 SDA2.0 class6 SDA2.0 SDHC class6(10) 容量 2GB - 8GB 512MB - 2GB 512MB - 8GB 動作温度条件 -25℃〜+85℃ -40℃〜+85℃ -40℃〜+85℃ 保存温度条件 -40℃〜+85℃ -40℃〜+100℃ -40℃〜+100℃ パフォーマンス Burst Rate〜25MB/s Read Seq〜24MB/s Write Seq〜22MB/s Burst Rate〜25MB/s Read Seq〜21MB/s Write Seq〜13MB/s Burst Rate〜25MB/s Read Seq〜21MB/s Write Seq〜18MB/s (512MB – 13MB/s) 動作電圧 2.7-3.6V Normal 2.0-3.6V 基本動作時 2.7-3.6V Normal 2.0-3.6V 基本動作時 2.7-3.6V Normal 2.0-3.6V 基本動作時 消費電力 Read typ. 50mA Write typ. 50mA Sleep max.0.4mA Read typ. 30mA Write typ. 40mA Sleep max. 0.4mA Read typ. 28mA(max.60) Write typ. 55mA(max90) Sleep max. 0.3mA Flash Type SLC 2x nm SLC 43 nm SLC 43 nm 振動/衝撃 50G/ 2G 1,000G/15G 1,000G/15G 寸法 15.0x 11.0x (0.7)1mm 15.0x 11.0x (0.7)1mm 32.0x 24.0x 2.1 mm S.M.A.R.T. --- Life Time Monitoring with SD/SPI command set 標準装備 Advanced wear leveling Block Management Power fail protection Equal Wear Leveling & Bad block management Power fail Protection & Recovery COMPACTFLASH TM CARD シリーズ C-320 C-440 インターフェース CFA4.1/CFA3.0 True IDE/ PC card CFA5.0/CFA4.1&3.0 True IDE/PC card 容量 128MB -32GB 2GB -64GB 動作温度条件 -40℃〜+85℃ -40℃〜+85℃ 保存温度条件 -50℃〜+100℃ -50℃〜+100℃ パフォーマンス Burst Rate〜66MB/s Read Seq〜45MB/s Write Seq〜35MB/s (512MB – 13MB/s) Burst Rate〜133MB/s Read Seq〜65MB/s Write Seq〜40MB/s Write Rand. 4k up to 300 IOPS 動作電圧 3.3V +/- 5%, 5V +/- 10% 消費電力 PIO typ. 60mA 3.3V DMA typ. 90mA 3.3V DMA typ. 130mA 5V PIO typ. 60mA 3.3V DMA typ. 80mA 3.3V DMA typ. 90mA 5V Flash Type SLC 43nm SLC 3x nm トランスファーモード 〜UDMA4,MDMA4, PIO6 UDMA6, MDMA4,PIO6 振動/衝撃 1500G / 20G 1,500G / 15G 寸法 15.0x 11.0x (0.7)1mm 15.0x 11.0x (0.7)1mm Life Time Monitoring S.M.A.R.T. 標準装備 -Equal Wear Leveling -Bad Block Management - S.M.A.R.T. support with extended command set -Intelligent Power fail protection & Recovery - Zone protection - Low power consumption - High IOPS performance for 4k write (no DRAM) - Equal Wear Leveling & Bad Block Management - Read Disturb Management - Intelligent Power Fail Protection & Recovery - S.M.A.R.T. support with extended command set - Trim support - Zone Protection option - Fast Erase option 製品型番ガイド EX : C-320シリーズ CFカード 2GB S F CF 2048 H 1 B O 2 TO - I - M S - 523 - SMA 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 1 S = Swissbit 9 チップ枚数/チャネル 2 F = フラッシュ製品 10 搭載フラッシュメーカー(TO=東芝) 3 CF = 製品種類 11 温度グレード( I = -40〜+85℃) 4 2048 = 容量(2GB) 12 フラッシュチップ ダイパッケージ 5 製品種別コード(CF=H) 13 ピンモード 6 世代コード 14 設定・構成、FW、転送モード 7 メモリ構成(x 8) 15 SMA=S.M.A.R.T構成 ZP1=Zone Protection 8 搭載コントローラコード slimSATA SSD mSATA SSD CFast CARD CFast CARD シリーズ X-200m X-200s F-100 F-240 インターフェース sATA II–3Gbit/s ATA7 MO-300B sATA II-3Gbit/s ATA7 MO-297A CFast sATA II -3Gbit/s ATA7 CFast sATA II -3Gbit/s ATA7&8 容量 2GB – 32GB 2GB -32GB 2GB - 32GB 2GB – 64GB 動作温度条件 -40℃〜+85℃ -40℃〜+85℃ -40℃〜+85℃ -40℃〜+85℃ 保存温度条件 -50℃〜+100℃ -50℃〜+100℃ -50℃〜+100℃ -50℃〜+100℃ パフォーマンス Burst Rate 300MB/s Read Seq〜120MB/s Write Seq〜95MB/s Burst Rate〜300MB/s Read Seq〜120MB/s Write Seq〜95MB/s Burst Rate〜300MB/s Read Seq〜120MB/s Write Seq〜95MB/s Burst Rate〜300MB/s Read Seq〜130MB/s Write Seq〜100MB/s 動作電圧 3.3V +/- 5% 消費電力 Typ 300mA, max400mA, Idle 180mA 5V +/- 10% Typ. 260mA Max 320mA Idle 140mA SLC 43 nm Flash Type トランスファーモード SLC 3x nm PIO4, MDMA2, UDMA6 1500G / 20G 1500G / 20G 寸法 50.8 x 29.85 x 3.3mm 54 x 39 x 4.00 mm 1,500G / 15G 1,500G / 15G 36.4 x 42.8 x 3.6 mm windows / Linux Application, API/DLL for extended S.M.A.R.T. optional S.M.A.R.T. - Advanced Wear Leveling & block Management. - Power fail protection -Advanced Wear Leveling & block Management - Power fail Protection SATA インターフェース 製品 寸法 比較 SATA2.5” sSATA mSATA CFast 100.20 x 69.85 3.3+/- 5% Typ 140mA Max 250mA Idle 80mA SLC 43nm PIO4, MDMA2, UDMA6 振動/衝撃 標準装備 3.3V +/- 5% Typ 300mA Max 420mA Idle 180mA 54.0 x 39.0 50.80 x 29.85 36.40 x 42.80 (mm) -Equal Wear Leveling & Bad Block manage -Read disturb manage - Intelligent Power fail protection & recovery - Trim support - Zone protection * - Fast Erase * 2.5” PATA SSD 2.5” SATA SSD シリーズ P-120 X-200 インターフェース IDE/ATA 133 SATA ii- 3Gbit/s 容量 4GB -32GB 2GB -128GB 動作温度条件 -40℃〜+85℃ -40℃〜+85℃ 保存温度条件 -50℃〜+100℃ -50℃〜+100℃ パフォーマンス Burst Rate〜66MB/s, Read Seq〜45MB/s, Write Seq〜 35MB/s Burst Rate〜300MB/s, Read Seq〜120MB/s, Write Seq〜95MB/s 動作電圧 5V +/- 10% 消費電力 PIO typ 55mA , DMA typ 135mA, Idle 5mA UDMA typ 260mA , Max 320mA, Idle 140mA トランスファーモード 〜UDMA4,MDMA4, PIO4 UDMA6, MDMA4,PIO6 振動/衝撃 1500G / 20G 1,500G / 15G 寸法 100.2 X 69.85 X 9.0 1mm 100.2 X 69.85 X 9.0 mm Life Time Monitoring S.M.A.R.T. 標準装備 -Equal Wear Leveling -Bad Block Management - S.M.A.R.T. support +extended command set -Intelligent Power fail protection & Recovery USB Flash Drive Module シリーズ U-110 インターフェース コネクタ 容量 - Low power consumption - Advanced Wear Leveling & Block Management - Power Fail Protection -S.M.A.R.T. support USB stick USB stick uniedCONTRAST miniTWIST USB 2.0 high speed, USB1.1 compliant Standard 2.54mm 10pin Low Profile 2.0mm 10pin USB2.0A-plug 1GB – 8GB 256MB – 8GB 256MB – 4GB 動作温度条件 -40℃〜+85℃ -40℃〜+85℃ -0℃〜+75℃ 保存温度条件 -50℃〜+100℃ -50℃〜+100℃ -50℃〜+100℃ 480Mbit/s USB 2.0 high speed パフォーマンス Read Seq. 〜32MB/s, Write Seq. 〜23MB/s 動作電圧 消費電力 Read 〜18MB/s Write 12MB/s 5V +/- 10% Full Speed typ. 90mA High Speed typ.100mA Full typ. 80mA High typ.100mA 振動/衝撃 50G / 15G 50G / 15G 50G / 15G 寸法(mm) 36.8x 26.65x 2.4 mm 68.0 x 18.0 x 8 mm 55.0 x 16.0 x 7 mm S.M.A.R.T. Life Time Monitoring DRAMメモリモジュール Unbuffered DIMM 実装 Speed 容量 基板高 DRAM 構成 Pin 電圧 品番 DDR3- ECC SMT 1333/CL9 1GB-8GB 1.18 inch x8/x16 X72 240 1.5V SGU DDR3- no ECC SMT 1333/CL9 1GB-8GB 1.18 X8/x16 X64 240 1.5V SGU DDR2-ECC SMT 800/CL6 1GB-2GB 1.18 X8/x16 X72 240 1.8V SEU DDR2-no ECC SMT 800/CL6 1GB-2GB 1.18 X8/x16 X64 240 1.8V SEU DDR-ECC SMT 400/CL3 512MB-1GB 1.25 X8 X72 180 2.5V SDU DDR-no ECC SMT 400/CL3 512MB-1GB 1.25 X8 X64 180 2.5V SDU DDR-ECC COB 400/CL3 512MB-1GB 1.00 X8 X72 180 2.5V SDB DDR-no ECC COB 400/CL3 512MB-1GB 1.00 x8 x64 180 2.5V SDB Registered DIMM 実装 Speed 容量 基板高 DRAM 構成 Pin 電圧 品番 DDR3-RDIMM ECC+Parity SMT 1333/CL9 1GB-8GB 1.18 inch X8/X16 X72 240 1.5 SGH DDR2-RDIMM ECC+Parity SMT 800/CL6 1GB-4GB 1.18 X8/X16 X72 240 1.8 SER DDR1-RDIMM ECC SMT 400/CL3 512MB-2GB 1.50 X8 X72 240 2.5 SER Low Profile DIMM / RDIMM 実装 Speed 容量 基板高 DRAM 構成 Pin 電圧 品番 DDR3-RDIMM ECC+Parity SMT 1333/CL9 2GB-8GB 0.70 inch X8/X16 X72 240 1.5 SGR DDR3-UDIMM ECC SMT 1333/CL9 2GB-4GB 0.70 X8/X16 X72 240 1.5 SGR DDR2-RDIMM ECC+Parity SMT 800/CL6 1GB-2GB 0.72 X8 X72 240 1.8 SEU SODIMM 実装 Speed 容量 基板高 DRAM 構成 Pin 電圧 品番 DDR3 SODIMM SMT 1333/CL9 1GB-8GB 1.18 inch X8/X16 X64 204 1.5 * SGN DDR3 SODIMM ECC SMT 1333/CL9 1GB-8GB 1.18 X8/X16 X72 204 1.5 * SGN DDR3 XRDIMM (Ruggedized) SMT 1333/CL9 1GB-4GB 38x67.5mm X8/X16 X72 240 1.5 * SGN DDR2 SODIMM SMT 800/CL6 512MB-4GB 1.18 inch X8/X16 X64 200 1.8 SEN DDR2 SODIMM Low Profile COB 800/CL6 512MB-2GB 0.94 X8/X16 X64 200 1.8 SEN DDR SODIMM SMT 400/CL3 256MB-1GB 1.25 X8 X64 200 2.5 SDN DDR SODIMM Low Profile COB 400/CL3 256MB-2GB 1.00 X8 X64 200 2.5 SDN DDRSODIMM ECC COB 400/CL3 256MB-1GB 1.00 X8 X72 200 2.5 SDN Registered SODMM 実装 Speed 容量 基板高 DRAM 構成 Pin 電圧 品番 DDR2 SD-RDIMM ECC SMT 667/CL5 1GB-2GB 1.18 inch X8 X72 200 1.8 SEG Swissbit COB technology 対策 ブル 熱トラ 構造 COB COB(Chip On Board) 構造は、通常パッケージに格納される「DRAM Die」を 基板に直接ワイヤボンディングで実装し、 強度と放熱性に優れたエポキシ樹脂で、実装表面を完全にコーティングします。 半田ボールやピンなどの露出がなく、直接配線 された構造は、電気的インピダンス特性も高く、パッケージDRAM搭載のメモリモジュールに比べてその優位性は実に明らかです。 Why Swissbit 2001年、MBOにより 「スイスシーメンス(SIEMENS)メモリモジュール製造部門」から独立しました。 メモリ製造で20年以上のエンジニアリングを統括した知識と経験を積上げ、現在ではヨーロッパ最大の独立系メーカーとして、 エンベデッド機器、産業用システムへ、高い信頼性とメモリーソリューションを供給しています。 高い設計技術の維持、あらゆる事例や障害へ対応するテクニカルサポートは、過去および現在、そして 未来のニーズを見据えたシステムソリューショナーとして、更なる可能性を期待されています。 開発・設計・技術 - 産業用途に特化したメモリモジュール(DRAM modules) DDR3、DDR2、DDRなど幅広い仕様へ対応 - COB(チップオンボード)技術を採用したメモリ製造および ベルリン工場「特許技術のDie-Stacking」設計メモリの製造 - 搭載するシステムへ特化した仕様設計 (VLP:Very Low Profile、UDIMM、RDIMM、miniDIMM、 SORDIMM、SOCDIMM) - 産業用NANDフラッシュメモリ製品 (Solid State Drives) SATA, PATA, DMA CFC, UDMA CFC, USB, SD等 - 4段階のグレード別温度保証 (-40 〜+85℃) - 各種ソフトウェアツールの開発(S.M.A.R.Tツール) サービス、エンジニアリング、テクニカルサポート - ニーズや障害へ迅速且つ効果的な密接したテクニカルサポート - 搭載するシステムに合わせて製品を解析し、完全に動作する 製品設計エンジニアリングサポート - システムおよびフィールドアプリケーションへの技術サポート - システム解析および製品不具合解析 自社工場および独自の生産設備 - 自社工場(スイス・ドイツ)での開発・設計、製造および 全個体テスト - 世界で唯一のCOB技術構造メモリモジュール製造 - Die-Stacking 特許技術 - 月産1,000,000台を超える生産能力 - ワールドワイドSCMサービス カスタム設計 - メモリモジュール、NANDフラッシュ製品のカスタム設計 - 開発、設計から評価試験、生産まで一貫したEMSサービス - パートナーシップ技術のウェアレベリングアーキテクチャ および データロスプロテクション - 各種オリジナルセキュリティ仕様 メモリモジュールの高耐熱設計および熱特性解析技術 - EMS, SIP エンジニアリング 製造マネジメント - コントロールBOMによる完全部材管理 - 全製品シリアル番号、Lot番号管理 - エンジニアリングレポート、品質試験報告書作成 - 産業仕様に合わせた長期供給 -工場VMI 管理によるユーザー在庫サポート -仕様変更(PCN)、終息品(EOL)への変更管理 信頼性試験工程 - 設備機械(Advantest, KTI、CST) - システムレベルバーインテスト - 4段階のグレード別温拡試験 - 各種環境試験 - 各種アプリケーション試験 - 電気解析、物理解析 各種規格、法令準拠 - RoHS / REACH - WEEE - JEDEC - UL - FCC - CE 品質マネジメント - ISO 9001:2008 - EN14001 各種アソシエーションメンバー - Member of CompactFlash Association (CFA) - Member of JEDEC - Member of Memory Implementers Forum - Member of SATA-IO - Member of SecureDigital Association (SDA) Swissbit, AG Swissbit Germany, AG Swissbit NA, Inc. Swissbit Japan,Co.,Ltd. スイス本社 (設計・開発) Industrasse 4-8 CH9552 Bronshhofen, Switzerland ベルリン工場(製造) Wolfener Strasse 36 D12681 Berlin, Germany USA支社 14 Willett avenue STE301A,Port Chester,NY,10573,USA 日本支社 〒166-0002 東京都杉並区 高円寺北2-1-24 日本法人としてスイスビットジャパン株式会社は2004年に設立されました。 質と技術を頑なに守り続けるスイスビットの誇りを基盤に、 日本の「ものづくり産業」を支える、高い性能と信頼性を兼ね備えたメモリ製品の供給、 そして、卓越した技術サポートを実現する使命がここにあります。 それは、技術革新がめまぐるしいメモリ製品の先進技術要素を追求し、 搭載するシステムの性能向上を担う技術部隊として、日本の技術力を支える メモリソリューションを実現することだと私たちは考えます。 http://www.swissbiit.co.jp
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