CONTEMPORARY SOLUTION for INDUSTRIAL/EMBEDDED

CONTEMPORARY SOLUTION for INDUSTRIAL/EMBEDDED SYSTEMs
NAND FLASH MEMORY PRODUCTS & DRAM MEMORY MODULES
製
品
産業用途に特化したメモリ製品の開発・製造
=DRAMメモリモジュール=
DDR/DDR2/DDR3
UDIMM、RDIMM、miniDIMM、
SO-DIMM、SORDIMM、microDIMM
=SLC NAND フラッシュメモリ製品=
Compact FlashTMカード
CFastTMカード
IDE-pallrel ATA SSD 2.5
serial ATA SSD 2.5
miniSATA / slimSATA
Universal Serial Bus- Internal drive
USB Flash memory Stick
SD/SDHC/microSDカード
FAE ・技術サポート
OEM ・カスタム設計・製造サービス
SIP ・EMS 設計・製造サービス
技
術
Chip On Board
Die-stacking(特許)
Chip On Flex
Flip Chip
SIP (System In Package)
SMT (Surface Mount Technology)
-Power Fail Protection
(ハードウェア設計とアルゴ
リズムによる電源断・瞬停対策
強化仕様)
-Static/Dynamicウェアレベリングの長
所を融合した独自W/L
-S.M.A.R.T機能
Life Cycle Management
* Life Time Monitoring
* Bad Block Management
-Twin Blockシステム
-ファームウェア(FW) オプティマイジング
-Zone Protection
アプリケーション
・組込みシステム/産業用機器
・FAシステム
・スマートグリッドシステム
・医療機器
・情報・通信・ネットワーク機器
・制御装置
・車載・船舶用システム
・航空・宇宙システム
・交通システム
・工作機械
・計測機器
・信号/表示機器
・ドライブレコーダ/画像・音声装置
・ゲーム/遊戯機器
・セキュリティ・監視システム
・POS・ATM・自動化機器
・発電システム
品質管理・コンプライアンス
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
固定BOMでの長期供給
終息・変更管理(EOL/PCN)
不具合解析
テストレポート
高温/低温試験の実施
(-25〜+90℃,-40〜+90℃)
システムレベルバーインテスト
4段階のグレード別温拡試験
各種環境試験
各種アプリケーション試験
日本での全量試験
検査報告書
・RoHS/REACH/WEEE
・貿易管理、EAR/EAA判定
・ISO9001̲2008
・EN 14001
SLC NAND フラッシュメモリ製品
2.5インチSSD sATA/pATA
CompactFlashTMCards
/ P-120
X-200
/ C-440
CFastTM Crads
C-320
Half slimSATA / miniSATA
F-100 /
SD / SDHC / microSD Cards
/
X-200s
USB Flash Drive-internal
/ S-220
S-200
USB Flash Memory stick
U-110
寿命監視・セキュリティツール
unitedC
F-240
Life Tim
X-200m
ONTRA
e Monit
fail Pro
P ow er
/ S-200
μ ・ S-3
in
ST / m
oring ・
0 0μ
iTWIST
Security
tection
DRAMメモリモジュール
Unbuffered DIMM (UDIMM)
SO-DIMM
Chip O
o u n t Te
rface M
Registered DIMM(RDIMM)
Su
Registered SODIMM(SORDIM)
Die Sta
Mini DIMM / miniRDIMM
Low Pro
Ruggedized DIMM
(COB)
n Board
Very L
cking T
MicroDIMM
Ultra L
gy
B heigh
t
file PC
ow Pro
B heigh
file PC
l S e ns
Therma
T)
gy (SM
echnolo
file PC
ow Pro
chnolo
t
B heigh
t
or
Why Swissbit
Swissbitは、産業用途に特化したエンジニアリングのエキスパートであり続けるため、
特別な仕様を備えるシステムや、個別の要求に合わせて製品の設計をカスタマイズし、
完全に安定して動作するメモリソリューションを提供しています。
搭載するシステムの特長を考慮し、ファームウェアやソフトウェアを合わせ込む
オプティマイズテクニカルサポートで、動作上の問題も解決します。
!
マンド
オンデ
ン
イ
デザ
● システム仕様やアプリケーションに合わせた製品提案、およびカスタマイジング
● システム構成に合わせた製品設計/再設計、製品構成、実装/アセンブル方法の提案
● 実装・加工技術提案、設計提案
C o ns u
o n L ab
Validati
oratory
&
Design
t
Produc
n
Functio
Analyz
Contro
al & R e
ing Sys
lled BO
● プロトタイピング、デザインサンプルの製造
Qualifie
● 各種テストプロセスの提案およびテストパターン構築
T
liability
tem
M
t Optim
Perfec
● コストや採算性を考慮した開発コンサルティング
Produc
ity
L on g e v
● 部材の選定および調達
● 特定要素、指定アプリケーションの構築および実現
ltant
logical
Te c h n o
izing
d Te s t
Reliable
s
Proces
procure
ment
tion
esting
PRODUCT FEATURE
WIDE TEMPERATURE SUPPORT
産業用途に特化した 温拡仕様(-40℃〜+85℃)で、システムの温度環境へ対応
ESD AND EMI SAFE
ESD/EMI対策を総合的に配慮した設計
SHOCK AND VIBRATION
衝撃・振動 対策設計および信頼性試験
LIFE TME MONITORING (SBLTM – Life Cycle Management)
寿命監視機能 (S.M.A.R.T機能)内蔵
ZONE PROTECTION
ゾーンプロテクション内蔵
FAST ERASE
無停電シーケンスによる、電源断に影響されない完全データ消去機能
CONFORMAL COATING
ポリウレタンフィルムコートによる、湿気や腐食性ガス対策
S-300μ
●
●
●
X
X
X
△
S-200μ
●
●
●
●
X
X
△
SD/SDHCカード
S-200 / S-220
●
●
●
●
X
X
X
CFカード
C-320 / C-440
●
●
●
●
○
○
○
SSD pATA
P-120
●
●
●
●
○
○
○
X-200
●
●
●
●
X
X
○
F-100
microSDカード
SSD sATA
●
●
●
●
X
X
○
F-240 coming soon !
●
●
●
●
○
○
○
Half slim SATA
X-200s
●
X
●
●
X
X
○
miniSATA
X-200m
●
X
●
●
X
X
○
USB stick
unitedCONTRAST-II
●
●
●
●
X
X
X
●
X
●
●
X
X
X
●
−
※1
−
−
−
○
CFASTカード
USB Flash drive
DRAM Memory Modules
U-110
COB/SMT
● 標準搭載
○オプション対応 △成形工程で可
X未対応
※1 Ruggedized DIMM/SODIMM, COB DIMM/SO-DIMM
−対象外
Swissbit ウェアレベリング
アドバンスド ( Advanced ) & イコール ( Equal ) ウェアレベリング
Swissbit
の
選択
・Dynamic W/Lと Static W/Lの長所を取り入れたバランスの良いWear Levelingを採用。
・通常はDynamic方式で処理をし、ブロック間の書き換え回数の差が大きくなった場合にStatic方式で処理を実施。
・書き換え回数寿命という問題に対して合理的な延命方法を採用しました。
ダイナミック ( Dynamic ) ウェアレベリング
スタティック ( Static ) ウェアレベリング
機
能
書込み対象データのみ異なる空きブロックへ書込み
書込み対象のデータ及び消去回数の少ない 非アクティブな
ブロックを異なる空きブロックへ移動
長
所
書込み対象データのみで再配置される為、過度な書き換えが
ない
ブロック間の消去回数の差が少なく、OSやアプリケーションなど
のスタティックデータの比率が多い場合でも、広範囲で再配置が可能
短
所
・Staticデータは W/L対象外となり、 W/L有効範囲が限られる。
・データ種類によるブロック消去回数の差が大きい。
頻繁な再配置が実施される為、Dynamic方式に対して、ブロック
消去回数が増える
Swissbit 不具合解析フロー
MICRO SDカード
MICRO SDカード
SD/SDHC カード
シリーズ
S-300μ
S-200μ
S-220 / S200
インターフェース
SDA2.0 SDHC class6/10
SDA2.0 class6
SDA2.0 SDHC class6(10)
容量
2GB - 8GB
512MB - 2GB
512MB - 8GB
動作温度条件
-25℃〜+85℃
-40℃〜+85℃
-40℃〜+85℃
保存温度条件
-40℃〜+85℃
-40℃〜+100℃
-40℃〜+100℃
パフォーマンス
Burst Rate〜25MB/s
Read Seq〜24MB/s
Write Seq〜22MB/s
Burst Rate〜25MB/s
Read Seq〜21MB/s
Write Seq〜13MB/s
Burst Rate〜25MB/s
Read Seq〜21MB/s
Write Seq〜18MB/s
(512MB – 13MB/s)
動作電圧
2.7-3.6V Normal
2.0-3.6V 基本動作時
2.7-3.6V Normal
2.0-3.6V 基本動作時
2.7-3.6V Normal
2.0-3.6V 基本動作時
消費電力
Read typ. 50mA
Write typ. 50mA
Sleep max.0.4mA
Read typ. 30mA
Write typ. 40mA
Sleep max. 0.4mA
Read typ. 28mA(max.60)
Write typ. 55mA(max90)
Sleep max. 0.3mA
Flash Type
SLC 2x nm
SLC 43 nm
SLC 43 nm
振動/衝撃
50G/ 2G
1,000G/15G
1,000G/15G
寸法
15.0x 11.0x (0.7)1mm
15.0x 11.0x (0.7)1mm
32.0x 24.0x 2.1 mm
S.M.A.R.T.
---
Life Time Monitoring with SD/SPI command set
標準装備
Advanced wear leveling
Block Management
Power fail protection
Equal Wear Leveling & Bad block management
Power fail Protection & Recovery
COMPACTFLASH TM CARD
シリーズ
C-320
C-440
インターフェース
CFA4.1/CFA3.0 True IDE/ PC card
CFA5.0/CFA4.1&3.0 True IDE/PC card
容量
128MB -32GB
2GB -64GB
動作温度条件
-40℃〜+85℃
-40℃〜+85℃
保存温度条件
-50℃〜+100℃
-50℃〜+100℃
パフォーマンス
Burst Rate〜66MB/s
Read Seq〜45MB/s
Write Seq〜35MB/s
(512MB – 13MB/s)
Burst Rate〜133MB/s
Read Seq〜65MB/s
Write Seq〜40MB/s
Write Rand. 4k up to 300 IOPS
動作電圧
3.3V +/- 5%, 5V +/- 10%
消費電力
PIO typ. 60mA 3.3V
DMA typ. 90mA 3.3V
DMA typ. 130mA 5V
PIO typ. 60mA 3.3V
DMA typ. 80mA 3.3V
DMA typ. 90mA 5V
Flash Type
SLC 43nm
SLC 3x nm
トランスファーモード
〜UDMA4,MDMA4, PIO6
UDMA6, MDMA4,PIO6
振動/衝撃
1500G / 20G
1,500G / 15G
寸法
15.0x 11.0x (0.7)1mm
15.0x 11.0x (0.7)1mm
Life Time Monitoring
S.M.A.R.T.
標準装備
-Equal Wear Leveling
-Bad Block Management
- S.M.A.R.T. support
with extended command set
-Intelligent Power fail
protection & Recovery
- Zone protection
- Low power consumption
- High IOPS performance for 4k write (no DRAM)
- Equal Wear Leveling & Bad Block Management
- Read Disturb Management
- Intelligent Power Fail Protection & Recovery
- S.M.A.R.T. support with extended command set
- Trim support
- Zone Protection option
- Fast Erase option
製品型番ガイド EX : C-320シリーズ CFカード 2GB
S F CF 2048 H 1 B O 2 TO - I - M S - 523 - SMA
1 2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12 13
14
15
1
S = Swissbit
9
チップ枚数/チャネル
2
F = フラッシュ製品
10
搭載フラッシュメーカー(TO=東芝)
3
CF = 製品種類
11
温度グレード( I = -40〜+85℃)
4
2048 = 容量(2GB)
12
フラッシュチップ ダイパッケージ
5
製品種別コード(CF=H)
13
ピンモード
6
世代コード
14
設定・構成、FW、転送モード
7
メモリ構成(x 8)
15
SMA=S.M.A.R.T構成
ZP1=Zone Protection
8
搭載コントローラコード
slimSATA SSD
mSATA SSD
CFast CARD
CFast CARD
シリーズ
X-200m
X-200s
F-100
F-240
インターフェース
sATA II–3Gbit/s ATA7
MO-300B
sATA II-3Gbit/s
ATA7
MO-297A
CFast sATA II -3Gbit/s
ATA7
CFast sATA II -3Gbit/s
ATA7&8
容量
2GB – 32GB
2GB -32GB
2GB - 32GB
2GB – 64GB
動作温度条件
-40℃〜+85℃
-40℃〜+85℃
-40℃〜+85℃
-40℃〜+85℃
保存温度条件
-50℃〜+100℃
-50℃〜+100℃
-50℃〜+100℃
-50℃〜+100℃
パフォーマンス
Burst Rate 300MB/s
Read Seq〜120MB/s
Write Seq〜95MB/s
Burst Rate〜300MB/s
Read Seq〜120MB/s
Write Seq〜95MB/s
Burst Rate〜300MB/s
Read Seq〜120MB/s
Write Seq〜95MB/s
Burst Rate〜300MB/s
Read Seq〜130MB/s
Write Seq〜100MB/s
動作電圧
3.3V +/- 5%
消費電力
Typ 300mA, max400mA,
Idle 180mA
5V +/- 10%
Typ. 260mA
Max 320mA
Idle 140mA
SLC 43 nm
Flash Type
トランスファーモード
SLC 3x nm
PIO4, MDMA2, UDMA6
1500G / 20G
1500G / 20G
寸法
50.8 x 29.85 x 3.3mm
54 x 39 x 4.00 mm
1,500G / 15G
1,500G / 15G
36.4 x 42.8 x 3.6 mm
windows / Linux Application, API/DLL for extended S.M.A.R.T. optional
S.M.A.R.T.
- Advanced Wear Leveling & block Management.
- Power fail protection
-Advanced Wear
Leveling & block
Management
- Power fail Protection
SATA インターフェース 製品 寸法 比較
SATA2.5”
sSATA
mSATA
CFast
100.20 x 69.85
3.3+/- 5%
Typ 140mA
Max 250mA
Idle 80mA
SLC 43nm
PIO4, MDMA2, UDMA6
振動/衝撃
標準装備
3.3V +/- 5%
Typ 300mA
Max 420mA
Idle 180mA
54.0 x 39.0
50.80 x 29.85
36.40 x 42.80
(mm)
-Equal Wear Leveling
& Bad Block manage
-Read disturb manage
- Intelligent Power fail
protection & recovery
- Trim support
- Zone protection *
- Fast Erase *
2.5” PATA SSD
2.5” SATA SSD
シリーズ
P-120
X-200
インターフェース
IDE/ATA 133
SATA ii- 3Gbit/s
容量
4GB -32GB
2GB -128GB
動作温度条件
-40℃〜+85℃
-40℃〜+85℃
保存温度条件
-50℃〜+100℃
-50℃〜+100℃
パフォーマンス
Burst Rate〜66MB/s, Read Seq〜45MB/s, Write Seq〜
35MB/s
Burst Rate〜300MB/s, Read Seq〜120MB/s, Write Seq〜95MB/s
動作電圧
5V +/- 10%
消費電力
PIO typ 55mA , DMA typ 135mA, Idle 5mA
UDMA typ 260mA , Max 320mA, Idle 140mA
トランスファーモード
〜UDMA4,MDMA4, PIO4
UDMA6, MDMA4,PIO6
振動/衝撃
1500G / 20G
1,500G / 15G
寸法
100.2 X 69.85 X 9.0 1mm
100.2 X 69.85 X 9.0 mm
Life Time Monitoring
S.M.A.R.T.
標準装備
-Equal Wear Leveling
-Bad Block Management
- S.M.A.R.T. support +extended command set
-Intelligent Power fail protection & Recovery
USB Flash Drive Module
シリーズ
U-110
インターフェース
コネクタ
容量
- Low power consumption
- Advanced Wear Leveling & Block Management
- Power Fail Protection
-S.M.A.R.T. support
USB stick
USB stick
uniedCONTRAST
miniTWIST
USB 2.0 high speed, USB1.1 compliant
Standard 2.54mm 10pin
Low Profile 2.0mm 10pin
USB2.0A-plug
1GB – 8GB
256MB – 8GB
256MB – 4GB
動作温度条件
-40℃〜+85℃
-40℃〜+85℃
-0℃〜+75℃
保存温度条件
-50℃〜+100℃
-50℃〜+100℃
-50℃〜+100℃
480Mbit/s USB 2.0 high speed
パフォーマンス
Read Seq. 〜32MB/s, Write Seq. 〜23MB/s
動作電圧
消費電力
Read 〜18MB/s Write 12MB/s
5V +/- 10%
Full Speed typ. 90mA High Speed typ.100mA
Full typ. 80mA High typ.100mA
振動/衝撃
50G / 15G
50G / 15G
50G / 15G
寸法(mm)
36.8x 26.65x 2.4 mm
68.0 x 18.0 x 8 mm
55.0 x 16.0 x 7 mm
S.M.A.R.T.
Life Time Monitoring
DRAMメモリモジュール
Unbuffered DIMM
実装
Speed
容量
基板高
DRAM
構成
Pin
電圧
品番
DDR3- ECC
SMT
1333/CL9
1GB-8GB
1.18 inch
x8/x16
X72
240
1.5V
SGU
DDR3- no ECC
SMT
1333/CL9
1GB-8GB
1.18
X8/x16
X64
240
1.5V
SGU
DDR2-ECC
SMT
800/CL6
1GB-2GB
1.18
X8/x16
X72
240
1.8V
SEU
DDR2-no ECC
SMT
800/CL6
1GB-2GB
1.18
X8/x16
X64
240
1.8V
SEU
DDR-ECC
SMT
400/CL3
512MB-1GB
1.25
X8
X72
180
2.5V
SDU
DDR-no ECC
SMT
400/CL3
512MB-1GB
1.25
X8
X64
180
2.5V
SDU
DDR-ECC
COB
400/CL3
512MB-1GB
1.00
X8
X72
180
2.5V
SDB
DDR-no ECC
COB
400/CL3
512MB-1GB
1.00
x8
x64
180
2.5V
SDB
Registered DIMM
実装
Speed
容量
基板高
DRAM
構成
Pin
電圧
品番
DDR3-RDIMM ECC+Parity
SMT
1333/CL9
1GB-8GB
1.18 inch
X8/X16
X72
240
1.5
SGH
DDR2-RDIMM ECC+Parity
SMT
800/CL6
1GB-4GB
1.18
X8/X16
X72
240
1.8
SER
DDR1-RDIMM ECC
SMT
400/CL3
512MB-2GB
1.50
X8
X72
240
2.5
SER
Low Profile DIMM / RDIMM
実装
Speed
容量
基板高
DRAM
構成
Pin
電圧
品番
DDR3-RDIMM ECC+Parity
SMT
1333/CL9
2GB-8GB
0.70 inch
X8/X16
X72
240
1.5
SGR
DDR3-UDIMM ECC
SMT
1333/CL9
2GB-4GB
0.70
X8/X16
X72
240
1.5
SGR
DDR2-RDIMM ECC+Parity
SMT
800/CL6
1GB-2GB
0.72
X8
X72
240
1.8
SEU
SODIMM
実装
Speed
容量
基板高
DRAM
構成
Pin
電圧
品番
DDR3 SODIMM
SMT
1333/CL9
1GB-8GB
1.18 inch
X8/X16
X64
204
1.5 *
SGN
DDR3 SODIMM ECC
SMT
1333/CL9
1GB-8GB
1.18
X8/X16
X72
204
1.5 *
SGN
DDR3 XRDIMM (Ruggedized)
SMT
1333/CL9
1GB-4GB
38x67.5mm
X8/X16
X72
240
1.5 *
SGN
DDR2 SODIMM
SMT
800/CL6
512MB-4GB
1.18 inch
X8/X16
X64
200
1.8
SEN
DDR2 SODIMM Low Profile
COB
800/CL6
512MB-2GB
0.94
X8/X16
X64
200
1.8
SEN
DDR SODIMM
SMT
400/CL3
256MB-1GB
1.25
X8
X64
200
2.5
SDN
DDR SODIMM Low Profile
COB
400/CL3
256MB-2GB
1.00
X8
X64
200
2.5
SDN
DDRSODIMM ECC
COB
400/CL3
256MB-1GB
1.00
X8
X72
200
2.5
SDN
Registered SODMM
実装
Speed
容量
基板高
DRAM
構成
Pin
電圧
品番
DDR2 SD-RDIMM ECC
SMT
667/CL5
1GB-2GB
1.18 inch
X8
X72
200
1.8
SEG
Swissbit COB technology
対策
ブル
熱トラ 構造
COB
COB(Chip On Board) 構造は、通常パッケージに格納される「DRAM Die」を 基板に直接ワイヤボンディングで実装し、
強度と放熱性に優れたエポキシ樹脂で、実装表面を完全にコーティングします。 半田ボールやピンなどの露出がなく、直接配線
された構造は、電気的インピダンス特性も高く、パッケージDRAM搭載のメモリモジュールに比べてその優位性は実に明らかです。
Why Swissbit
2001年、MBOにより 「スイスシーメンス(SIEMENS)メモリモジュール製造部門」から独立しました。
メモリ製造で20年以上のエンジニアリングを統括した知識と経験を積上げ、現在ではヨーロッパ最大の独立系メーカーとして、
エンベデッド機器、産業用システムへ、高い信頼性とメモリーソリューションを供給しています。
高い設計技術の維持、あらゆる事例や障害へ対応するテクニカルサポートは、過去および現在、そして
未来のニーズを見据えたシステムソリューショナーとして、更なる可能性を期待されています。
開発・設計・技術
- 産業用途に特化したメモリモジュール(DRAM modules)
DDR3、DDR2、DDRなど幅広い仕様へ対応
- COB(チップオンボード)技術を採用したメモリ製造および
ベルリン工場「特許技術のDie-Stacking」設計メモリの製造
- 搭載するシステムへ特化した仕様設計
(VLP:Very Low Profile、UDIMM、RDIMM、miniDIMM、
SORDIMM、SOCDIMM)
- 産業用NANDフラッシュメモリ製品 (Solid State Drives)
SATA, PATA, DMA CFC, UDMA CFC, USB, SD等
- 4段階のグレード別温度保証 (-40 〜+85℃)
- 各種ソフトウェアツールの開発(S.M.A.R.Tツール)
サービス、エンジニアリング、テクニカルサポート
- ニーズや障害へ迅速且つ効果的な密接したテクニカルサポート
- 搭載するシステムに合わせて製品を解析し、完全に動作する
製品設計エンジニアリングサポート
- システムおよびフィールドアプリケーションへの技術サポート
- システム解析および製品不具合解析
自社工場および独自の生産設備
- 自社工場(スイス・ドイツ)での開発・設計、製造および
全個体テスト
- 世界で唯一のCOB技術構造メモリモジュール製造
- Die-Stacking 特許技術
- 月産1,000,000台を超える生産能力
- ワールドワイドSCMサービス
カスタム設計
- メモリモジュール、NANDフラッシュ製品のカスタム設計
- 開発、設計から評価試験、生産まで一貫したEMSサービス
- パートナーシップ技術のウェアレベリングアーキテクチャ
および データロスプロテクション
- 各種オリジナルセキュリティ仕様
メモリモジュールの高耐熱設計および熱特性解析技術
- EMS, SIP エンジニアリング
製造マネジメント
- コントロールBOMによる完全部材管理
- 全製品シリアル番号、Lot番号管理
- エンジニアリングレポート、品質試験報告書作成
- 産業仕様に合わせた長期供給
-工場VMI 管理によるユーザー在庫サポート
-仕様変更(PCN)、終息品(EOL)への変更管理
信頼性試験工程
- 設備機械(Advantest, KTI、CST)
- システムレベルバーインテスト
- 4段階のグレード別温拡試験
- 各種環境試験
- 各種アプリケーション試験
- 電気解析、物理解析
各種規格、法令準拠
- RoHS / REACH
- WEEE
- JEDEC
- UL
- FCC
- CE
品質マネジメント
- ISO 9001:2008
- EN14001
各種アソシエーションメンバー
- Member of CompactFlash Association (CFA)
- Member of JEDEC
- Member of Memory Implementers Forum
- Member of SATA-IO
- Member of SecureDigital Association (SDA)
Swissbit, AG
Swissbit Germany, AG
Swissbit NA, Inc.
Swissbit Japan,Co.,Ltd.
スイス本社 (設計・開発)
Industrasse 4-8
CH9552 Bronshhofen,
Switzerland
ベルリン工場(製造)
Wolfener Strasse 36
D12681 Berlin,
Germany
USA支社
14 Willett avenue STE301A,Port
Chester,NY,10573,USA
日本支社
〒166-0002 東京都杉並区
高円寺北2-1-24
日本法人としてスイスビットジャパン株式会社は2004年に設立されました。
質と技術を頑なに守り続けるスイスビットの誇りを基盤に、
日本の「ものづくり産業」を支える、高い性能と信頼性を兼ね備えたメモリ製品の供給、
そして、卓越した技術サポートを実現する使命がここにあります。
それは、技術革新がめまぐるしいメモリ製品の先進技術要素を追求し、
搭載するシステムの性能向上を担う技術部隊として、日本の技術力を支える
メモリソリューションを実現することだと私たちは考えます。
http://www.swissbiit.co.jp