参考ランド寸法 1 集積回路 表面実装半導体デバイスのランド幅は、付着するはんだの量に関係します。はんだ付けの方式に合わせラ ンド寸法を適正化する必要があります。以前は、JEITA においても推奨ランド寸法をパッケージタイプ別に 定めていましたが、上記の理由により、現在は、端子のあるべき位置 (Terminal Land Area) のみ規格化されて います。参考に以前 JEITA が定めていたランド設計のガイドラインを示します。実際のプリント基板設計に おいては、はんだ付け方式などに応じて、十分に検討することが必要です。 1.1 SOタイプ β2 β2 β1 β1 L L HE e e e e e e b2 HE + 2β2 I2 I2 ≥ L + β1 + β2 b ≤ b2 ≤ e − γ γ : b : β1 : β2 : 耐はんだブリッジ (γ = 0.3 mm) 端子幅 はんだ付け強度 (β1 = 0.3 mm) ソルダマスクのパターン精度およびはんだ付けの目視 (β2 = 0.2 mm) 注) ( )内の数値は推奨値です。 1 参考ランド寸法 1.2 QFPタイプ β2 β2 β1 β1 L L HE (またはHD) e e b2 HE (またはHD) + 2β2 b2 e I2 e HE (またはHD) + 2β2 I2 ≥ L + β1 + β2 b ≤ b2 ≤ e − γ γ : b : β1 : β2 : 耐はんだブリッジ (γ = 0.3 mm) 端子幅 はんだ付け強度 (β1 = 0.5 mm) ソルダマスクのパターン精度およびはんだ付けの目視 (β2 = 0.2 mm) 注) ( )内の数値は推奨値です。 2 参考ランド寸法 1.3 QFNタイプ I4 e I1 I2 I I3 a b < 0.4 mm ピッチ適用 > 項 目 はんだ付けランド寸法 メタルマスク寸法 パッド配置間隔 e 0.40 – パッド寸法 I3 (= I + I1 + I2) 1.00 – パッド寸法 I1 0.10 – パッド寸法 I2 0.30 – パッド寸法 b 0.20 0.20 パッド寸法 I 0.60 – パッド寸法 a 0.16 – メタルマスク開口長さ I4 – 0.90 メタルマスク厚み – 0.13 ※上記寸法は当社実験結果に基づき算出した値です。 3 参考ランド寸法 1.3 QFNタイプ (つづき) I4 e I1 I2 I I3 a b < 0.5 mm ピッチ適用 > 項 目 はんだ付けランド寸法 メタルマスク寸法 パッド配置間隔 e 0.50 – パッド寸法 I3 (= I + I1 + I2) 1.00 – パッド寸法 I1 0.10 – パッド寸法 I2 0.30 – パッド寸法 b 0.26 0.26 パッド寸法 I 0.60 – パッド寸法 a 0.20 – メタルマスク開口長さ I4 – 0.90 メタルマスク厚み – 0.13 ※上記寸法は当社実験結果に基づき算出した値です。 4 参考ランド寸法 2 個別半導体素子 ML2-N1 ML3-N2 [ ダイオード ] 0.35 0.2 0.4 0.7 0.60 0.35 [ トランジスタ、ダイオード ] 0.3 0.65 ML6-N6 0.3 SSSMini2-F1 SSSMini2-F2 SSSMini2-F3 [ トランジスタ ] [ ダイオード ] 0.64 0.32 0.15 1.3 0.77 0.18 0.18 0.23 0.3 0.4 0.3 0.78 0.16 SSSMini3-F1 SSSMini3-F2 TSSSMini3-F1 SSSMini6-F1 [ トランジスタ、ダイオード ] [ トランジスタ ] 0.35 0.35 0.40 0.15 0.35 0.95 0.35 1.00 0.40 0.45 0.40 0.40 0.20 5 参考ランド寸法 2 個別半導体素子 (つづき) SSMini2-F1 SSMini2-F2 SSMini2-F4 USSMini2-F1 [ ダイオード ] [ ダイオード ] 0.4 0.3 0.4 1.3 1.0 0.4 0.3 0.5 SSMini3-F1 SSMini3-F2 SSMini3-F3 SSMini4-F1 [ トランジスタ、ダイオード ] [ ダイオード ] 1.0 0.5 1.5 1.4 0.6 0.6 1.0 0.6 SSMini5-F2 SSMini5-F3 SSMini6-F1 SSMini6-F2 [ トランジスタ、ダイオード、複合ディスクリート ] 0.5 0.5 0.5 0.3 6 0.3 0.4 1.5 1.3 0.5 [ トランジスタ、複合ディスクリート ] 0.3 参考ランド寸法 2 個別半導体素子 (つづき) WSSMini6-F1 SMini2-F1 [ トランジスタ、複合ディスクリート ] 0.9 0.50 1.0 0.37 2.1 1.33 1.0 0.50 [ ダイオード、回路保護素子 ] 0.35 1.1 SMini2-F2 SMini2-F3 [ ダイオード ] [ ダイオード ] 1.1 0.8 1.0 1.9 2.1 2.0 1.0 1.1 0.8 0.9 SMini3-F1 SMini3-F2 SMini3-G1 SMini4-F1 SMini4-F2 [ トランジスタ、ダイオード ] [ ダイオード ] 1.3 0.8 1.9 1.9 0.8 0.9 1.3 0.8 7 参考ランド寸法 2 個別半導体素子 (つづき) SMini5-F1 SMini5-G1 SMini6-F1 SMini6-G1 [ トランジスタ、ダイオード ] [ トランジスタ、ダイオード ] 0.8 0.80 1.9 0.65 0.65 1.9 0.65 0.65 0.4 0.40 WSMini6-F1 Mini2-F1 [ トランジスタ ] [ ダイオード ] 1.1 0.8 0.7 3.1 1.8 0.8 0.65 0.65 0.4 Mini3-G1 Mini4-G1 [ トランジスタ、ダイオード、リセット IC] [ ダイオード ] 1.9 1.0 2.4 2.4 1.0 1.0 1.9 8 1.0 参考ランド寸法 2 個別半導体素子 (つづき) Mini5-G1 Mini6-G1 Mini6-G2 [ トランジスタ、ダイオード ] 0.95 0.95 1.0 1.0 2.4 0.95 2.4 0.95 [ トランジスタ、ダイオード ] 0.7 0.7 WMini8-F1 MiniP3-F2 [ トランジスタ ] [ トランジスタ ] 0.6 2.2 0.65 0.65 0.65 1.0 2.40 2.2 45° 0.65 1.5 45° 1.0 0.40 TMiniP2-F1 1.05 1.0 1.5 1.5 SO8-F1 [ ダイオード ] [ トランジスタ ] 2.1 1.15 1.4 4.4 5.45 1.4 1.27 1.27 1.27 0.50 9 参考ランド寸法 2 個別半導体素子 (つづき) N-G1 I-G1 [ トランジスタ ] [ トランジスタ ] 2.8 15.3 11.4 8.1 1.8 2.1 9.3 2.54 1.4 2.3 2.3 TO-220C-G1 [ トランジスタ ] 1.8 11.0 13.7 8.0 45° 2.1 8.3 2.54 10 1.35 2.1 2.0 1.35 1.4
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