テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ3600R17KE3 暫定データ PreliminaryData IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1700 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC 3600 4800 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 7200 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 18,0 kW ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues min. コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IC = 3600 A, VGE = 15 V IC = 3600 A, VGE = 15 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 145 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 2,00 2,40 2,45 V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG 42,0 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,5 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 325 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 10,5 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA ターンオン遅れ時間(誘導負荷) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 3600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,73 0,78 µs µs ターンオン上昇時間(誘導負荷) Risetime,inductiveload IC = 3600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,21 0,23 µs µs ターンオフ遅れ時間(誘導負荷) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 3600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 1,50 1,80 µs µs ターンオフ下降時間(誘導負荷) Falltime,inductiveload IC = 3600 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,18 0,32 µs µs ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 3600 A, VCE = 900 V, LS = 40 nH VGE = ±15 V RGon = 0,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 495 745 mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 3600 A, VCE = 900 V, LS = 40 nH VGE = ±15 V RGoff = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 1050 1450 mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 6,00 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:CL revision:2.0 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 14000 A 7,00 K/kW K/kW 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ3600R17KE3 暫定データ PreliminaryData Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 1700 V IF 3600 A IFRM 7200 A I²t 1150 kA²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 1,90 2,20 順電圧 Forwardvoltage IF = 3600 A, VGE = 0 V IF = 3600 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 3600 A, - diF/dt = 14500 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 2800 3300 A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 3600 A, - diF/dt = 14500 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 835 1450 µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 3600 A, - diF/dt = 14500 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 590 1050 mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 13,0 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:CL revision:2.0 2 V V 16,0 K/kW K/kW 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ3600R17KE3 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) 沿面距離 Creepagedistance VISOL 3,4 kV Cu Al2O3 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 32,2 32,2 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 19,1 19,1 mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI > 400 ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature min. typ. RthCH 4,00 LsCE 10 nH RCC'+EE' 0,12 mΩ Tstg -40 125 °C 4,25 - 5,75 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 2300 g 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM4 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジM8 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 質量 Weight G preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:CL revision:2.0 3 max. K/kW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ3600R17KE3 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 7200 7200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 6600 5400 5400 4800 4800 4200 4200 IC [A] 6000 IC [A] 6000 3600 3600 3000 3000 2400 2400 1800 1800 1200 1200 600 600 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.4Ω,RGoff=0.5Ω,VCE=900V 7200 2750 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 6600 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 2500 6000 2250 5400 2000 4800 1750 4200 IC [A] E [mJ] 1500 3600 1250 3000 1000 2400 750 1800 1200 500 600 250 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 6600 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:CL revision:2.0 4 0 900 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200 IC [A] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ3600R17KE3 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=3600A,VCE=900V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 5500 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 5000 ZthJC : IGBT 4500 4000 10 ZthJC [K/kW] 3500 E [mJ] 3000 2500 2000 1 1500 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,45 2,45 1,4 0,7 τi[s]: 0,02 0,06 0,1 0,3 500 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 RG [Ω] 2,5 3,0 3,5 0,1 0,001 4,0 逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA)) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.5Ω,Tvj=125°C 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性Diode、インバータ(typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 7800 7200 IC, Modul IC, Chip 7200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 6600 6600 6000 6000 5400 5400 4800 4800 4200 IF [A] IC [A] 4200 3600 3600 3000 3000 2400 2400 1800 1800 1200 1200 600 600 0 0,01 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:CL revision:2.0 5 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ3600R17KE3 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.4Ω,VCE=900V スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=3600A,VCE=900V 1300 1500 Erec, Tvj = 125°C 1200 1100 1300 1000 1200 900 1100 1000 700 E [mJ] E [mJ] 800 600 900 800 500 700 400 600 300 200 500 100 400 0 Erec, Tvj = 125°C 1400 0 900 300 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200 IF [A] 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 100 ZthJC : Diode ZthJC [K/kW] 10 1 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 5,6 5,6 3,2 1,6 τi[s]: 0,02 0,06 0,1 0,3 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:CL revision:2.0 6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 RG [Ω] 2,5 3,0 3,5 4,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ3600R17KE3 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:CL revision:2.0 7 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FZ3600R17KE3 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MW dateofpublication:2013-10-02 approvedby:CL revision:2.0 8
© Copyright 2024 Paperzz