(2 k Ω) (80Ω) E
2SB1383
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ(2SD2083とコンプリメンタリ)
−120
−6
−25(パルス−40)
−2
120(Tc＝25℃)
150
−55∼＋150
VEB＝−6V
−10max
mA
V
V(BR)CEO
A
hFE
IC＝−25mA
−120min
VCE＝−4V, IC＝−12A
2000min
A
VCE(sat)
IC＝−12A, IB＝−24mA
− 1.8max
W
VBE(sat)
IC＝−12A, IB＝−24mA
− 2.5max
℃
fT
℃
COB
V
V
V
VCE＝−12V, IE＝1A
50typ
MHz
VCB＝−10V, f＝1MHz
230typ
pF
1.05 +0.2
-0.1
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
–24
2
–12
–10
5
–24
24
1.0typ
tf
(μs)
3.0typ
1.0typ
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE = – 4V)
–25
–3
–25
C
製品質量 約6.0ｇ
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代表 例 ）
–6 .0 m A
–1.0mA
–5
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
–0.5 –1
–6
–10
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–100
(V C E = – 4V)
Typ
5000
1000
500
–10
–40
0˚C
1000
500
200
–0.2
–0.5
–1
–5
–10
–40
温度
1000
P c – Ta定 格
120
放
熱
板
付
–0.2
–3
大
10
限
–5
無
s
s
コレクタ電流 I C (A)
1m
m
DC
–10
50
放熱板なし
自然空冷
–0.5
5
100
時間 t(ms)
–1
10
エミッタ電流 I E (A)
10
100
20
1
1
–50
30
0.5
0.1
–100
Typ
40
0
0.1
0.5
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE = – 12V)
–2.6
1
コレクタ電流 I C (A)
10
遮断周波数 f T (MH Z )
˚C
–3
f T – I E 特性（代表 例 ）
50
C
25
コレクタ電流 I C (A)
60
5˚
最大許容損失 P C (W)
–5
12
5000
–2
2
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
10000
10000
直流電流増幅率 h F E
20000
–1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
20000
–1
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE = – 4V)
–0.5
0
–500
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
200
–0.2
ース
ス温
I B =–0.6mA
0
）
度）
）
度
温
ス
ー
ケ
–10
–6A
−3
–5
–12A
–1
–15
C（
–1.5mA
–2
5˚
–10
I C =–25A
12
–2.5m A
コレクタ電流 I C (A)
–4 .0m A
–15
–20
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
–20
コレクタ電流 I C (A)
tstg
(μs)
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
VCC
(V)
.0
2
3
5.45±0.1
ton
(μs)
–8
ø3.2±0.1
ロ
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
mA
イ
2.0±0.1
（ケ
Tstg
IEBO
4.8±0.2
0˚C
Tj
V
15.6±0.4
9.6
ケー
PC
μA
˚C（
IB
−10max
25
IC
VCB＝−120V
1.8
VCEO
ICBO
5.0±0.2
V
単位
2.0
−120
規格値
4.0
VCBO
C
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
記 号
19.9±0.3
単 位
VEBO
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
等価回路
4.0max
■絶対最大定格
B
用途：チョッパレギュレータ、DCモータ駆動、一般用
20.0min
ダーリントン
–5
–10
–50
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
45

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パワーMOS FET パワーMOS FET の特性