3-PHASE DIODE BRIDGE ＋ THYRISTOR DFA200CB UL; E76102（M） 電源 ■Maximum Ratings 最大定格 Symbol Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage DIODE ダイオード部 ID 6-M6 depth 9㎜ 28 18 23 48.0±0.3 62 R S 22 T 22 G R2 ＋ − 4 21 28.5 23 61 DFA_CB R S T Unit 単位：mm Ratings 定格値 VRRM IFSM 4-φ6.5 − （Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃） 項 目 Symbol 記号 ＋ 、交流 Item 記号 R2 24.5 複合 、 設計 。 （電極端子─取付 間） 、他 同一 取付 可能 。 〈用途〉 • AC、DC 制御 安定化電源、 108 93.0±0.3 22 22 15.5 12 1.8 〈特長〉 • 非常 • 絶縁 〈Applications〉 • Inverter for motor control, AC stabilized power supply, SMPS 13.5 20 8 G 2 〈Advantages〉 • Compact 3-phase bridge with prevention rush current • Isolated package M4 depth 10.7㎜ 24±0.3 SanRexパワーモジュールDFA200CBシ リーズは、突入防止回路用として設計さ れた絶縁形複合モジュールです。６個の ダイオードを内部で三相ブリッジ接続し ており、１個のサイリスタが直流ライン に接続されております。 DFA200CB is isolated power module designed for the rectification requiring prevention rush current. This module has six diodes connected in 3-phase bridge, and a thyristor connected in series with the DC line. Unit DFA200CB80 DFA200CB160 単位 800 1600 V 960 1700 V 800 1600 V ピーク繰返し逆電圧 ピーク非繰返し逆電圧 定格ピーク繰返しオフ電圧 Item 項 目 Conditions 条 件 Ratings 定格値 Unit 単位 Output Current（D.C.） 直流出力電流 Three phase full wave，三相全波整流回路 Tc=96℃ Surge forward current ½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive サージ順電流 50/60Hz, 商用単相半波1サイクル, 正弦半波, 波高値, 非繰返し 200 A 1850/2000 A －40～＋150 ℃ IRRM Repetitive Peak Reverse Current，max1 逆電流1 VD=700V，Tj=25℃ 0.05 mA IRRM Repetitive Peak Reverse Current，max2 逆電流2 VD=VRRM，Tj=25℃ 0.1 mA IRRM Repetitive Peak Reverse Current，max3 逆電流3 VD=VRRM，Tj=150℃ VFM Forward Voltage Drop，max Tj Operating Junction Temperature Rth（j-c） Thermal Impedance，max IT（AV） ITSM THYRISTOR サイリスタ部 I 2t di/dt Tj 順電圧降下 熱抵抗 Average On-State Current Surge On-State Current 接合部温度 平均オン電流 サージオン電流 20 mA 1.35 V Junction to case（Total） 接合部─ケース間（TOTAL） 0.1 ℃/ W Single phase hulf wave.180°condution，Tc=118℃ 200 A IFM=200A，Inst.measurement 瞬時測定 導通角180° ,単相半波平均値（三相全波整流Tc=118℃） 1cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive 50/60Hz, 商用単相半波1サイクル, 正弦半波, 波高値, 非繰返し I2t（for fusing） 電流二乗時間積 Critica Rate of Rise of On-State Current 臨海オン電流上昇率 Operating Junction Temperature IG=100mA，VD=½VDRM，diG/dt＝0.1A/μs，Tj=25℃ 接合部温度 IDRM IRRM （Repetitive）Peak Off-State Current，max オフ（逆）電流 VDRM，VRRM，Tj=135℃ VTM Peak On-State Voltage，max オン電圧 ITM=200A，Inst. measurement IGT/VGT Gate Trigger Current，max/Voltage，max ゲートトリガ電流/電圧 IT=1A，VD=6V，Tj=25℃ dv/dt Critical Rate of Rise of Off-state Voltage，min 臨界オフ電圧上昇率 IH Holding Current IL Latching Current 代表保持電流 代表ラッチング電流 Rth（j-c） Thermal Impedance，max GENERAL 全体 Tstg Storage Temperature Mounting torque 締付トルク 熱抵抗 Mounting（M5）取付 Mass ℃ 50 mA 1.15 V 100/3 mA/ V Tj=25℃ 100 mA Tj=25℃ 80 mA 0.15 ℃/ W －40～＋125 ℃ Junction to Case 接合部─ケース間 V/μs Recommended Value 1.5～2.5（15～25） 2.7 （28） Recommended Value 2.5～3.9（25～40） 4.7 （48） 推奨値 推奨値 Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） 絶縁耐力（実効値） A/μs 50 Terminals（M4）端子 VISO 200 －40～＋150 500 推奨値 接触熱抵抗 A 2s VD=⅔VDRM，Tj=126～150℃ Terminals（M5）端子 Thermal Impedanc，max A 17000 VD=⅔VDRM，Tj=125℃ 保存温度 Rth（c-f） 質量 瞬時測定 1850/2000 Recommended Value 1.0～1.4（10～14） Thermal conductivity of silicone grease=7×10-3（W/ cm・℃），Effective rate of contact. 0.6 1.5 （15） N･m （kgf･cm） 0.07 ℃/ W A.C., 1minute 主端子─ベース間，A. C. 1分間 2500 V Typical value 標準値 460 g シリコングリスの熱伝導率=7×10-3（W/cm・℃） ，接触有効率0.6 （DFA200CB-S79-1303） DFA200CB IF （A） Tj＝25℃ 1.5 2.0 0 Gate Voltage（V） 1 10 Peak Forward Gate Voltage（10V） 定格ピークゲート順電圧 10 （V） 1 Maximum 最大値 1 オン電流 Tj＝150℃ 100 IT （A） 0.1 10 10 SCR Maximum Forward Characteristics サイリスタ部 最大オン特性 Tj＝25℃ −30℃ 25℃ Transient Thermal Impedance θ（j-c）（℃/W） 0.1 Time 時 間 t（sec） 定格ピークゲート損失 定格平均ゲート損失 125℃ 過渡熱インピーダンス 1000 0.01 Peak Gate Power（10W） Average Gate Power（３W） per one Module モジュール当たり 0.001 1.0 Maximum Gate Non-Trigger Voltage 最小非トリガ電圧 100 1000 SCR Transient Thermal Impedance サイリスタ部 過渡熱インピーダンス特性 junction to case 接合部─ケース間 0.1 0.01 Maximum 最大値 θj-c 150 1.0 1.5 2.0 2.5 Forward Voltage Drop VTM（V） 順電圧降下 VTM（V） per one Module モジュール当たり 0.01 0.1 1 10 Time（sec） 時 間 t（秒） 600 Three Phase 三相全波 Output Current vs. Power Dissipation ダイオード部 最大電力損失特性 Power Dissipation 120 110 電力損失 最大許容ケース温度 500 130 400 300 PAV （W）200 100 （℃） Three Phase 三相全波 100 90 80 0.001 Output Current vs. Allowable Case Temperature ダイオード部 出力電流対最大許容ケース温度 140 10000 Gate Current（mA） ゲート電流 （mA） （℃/W） 10 0.5 100 Times 通電サイクル数 n（cycles） ゲート電圧 Junction to Case 接合部─ケース間 0.1 Ｓ ｉ ｎｇ ｌ ｅｐｈａｓｅｈａ ｌ ｆｗａｖｅ Tj=25℃ start SCR Gate Characteristics サイリスタ部 ゲートトリガ特性 100 θj-c 0.01 On-State Peak Current I T（A） 50Hz 500 2.5 Forward Voltage Drop VF（V） 順電圧降下 VF（V） （℃/W） Allowable Case Temperature 60Hz 1000 DIODE Transient Thermal Impedance ダイオード部 過渡熱インピーダンス特性 1.0 過渡熱抵抗 Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W） 1.0 1500 IFSM （A） Tj＝150℃ 10 0.5 Per one element 単位エレメント当り 2000 Peak Gate Current（３A） 定格ピークゲート順電流 100 DIODE Surge Forward Current Rating〈Non-Repetitive〉 ダイオード部 サージ順電流耐量〈非繰返し〉 2500 サージ順電流 順電流 Forward Current IF（A） 1000 Surge Forward Current IFSM（A） DIODE Maximum Forward Characteristics ダイオード部 最大順特性 0 50 100 150 Output Current 出力電流 ID（A） 200 250 0 0 50 100 150 Output Current 出力電流 ID（A） 200 250 150 SCR Output Current vs Maximum Allowable Case Temperature サイリスタ部 出力電流対最大許容ケース温度 250 140 Power Dissipation 130 120 110 150 PAV 100 （W） 100 （℃） 90 80 SCR Output Current vs Power Dissipation サイリスタ部 最大電力損失 200 電力損失 最大許容ケース温度 Maximum Allowable Case Temperature（℃） DFA200CB 0 50 100 150 Output Current（A） 出力電流（A） 200 250 50 0 0 50 100 150 Output Current 出力電流 ID（A） 200 250
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