FJDD56V16800F-03 発行日： 2012 年 3 月 15 日 MSM56V16800F 2-Bank×1,048,576-Word×8-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM ■ 概要 MSM56V16800F は、シリコンゲート CMOS プロセス技術により開発された 2 バンク×1,048,576 ワー ド×8 ビットのシンクロナスダイナミック RAM で 3.3V 電源で動作し、入出力は LVTTL コンパチブル になっています。 ■ 特長 ● ● ● ● ● ● ● シリコンゲート、4 層ポリシリコン CMOS、1 トランジスタメモリセル 2 バンク×1,048,576 ワード×8 ビット構成 3.3V±0.3V 単一電源 入力：LVTTL コンパチブル 出力：LVTTL コンパチブル リフレッシュ：4096 回/64ms プログラム可能なデータ転送モード CAS Latency（1、2、3） バースト長（1、2、4、8、フルページ） データスクランブル（シーケンシャル、インターリーブ） ● オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ可能 ● パッケージ 44 ピン 400 mil プラスチック TSOP(II) （TSOPII44-P-400-0.80-1K） （製品名：MSM56V16800F-xxT3-K） xx は、スピードランクを表す。 ■ ファミリ構成 ファミリ 最大動作周波数 アクセスタイム（最大） tAC2 tAC3 MSM56V16800F-8A 125MHz 6ns 6ns MSM56V16800F-10 100MHz 9ns 9ns 1/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ■ 端子接続（上面図） 44 ピンプラスチック TSOP (II) （K タイプ） ピン名称 VCC 1 44 VSS DQ1 2 43 DQ8 VSSQ 3 42 VSSQ DQ2 4 41 DQ7 VCCQ 5 40 VCCQ DQ3 6 39 DQ6 VSSQ 7 38 VSSQ DQ4 8 37 DQ5 VCCQ 9 36 VCCQ NC 10 35 NC NC 11 34 NC WE 12 CAS 13 33 DQM RAS 14 CS 15 31 CKE A11 16 29 A9 A10 17 28 A8 A0 18 27 A7 32 CLK 30 NC A1 19 26 A6 A2 20 25 A5 A3 21 24 A4 VCC 22 23 VSS 機能 ピン名称 機能 CLK システムクロック CS チップセレクト DQi データ入出力 クロックイネーブル VCC 電源（3.3V） アドレス入力 VSS グランド（0V） CKE A0～A10 DQM データ入出力マスク A11 バンク選択アドレス入力 VCCQ 出力用電源（3.3V） RAS ロウアドレスストローブ VSSQ 出力用グランド（0V） CAS カラムアドレスストローブ WE ライトイネーブル NC 無接続 注記: 全ての VCC ピンには同一の電源電圧を印加して下さい。 全ての VCCQ ピンには同一の電源電圧を印加して下さい。 全ての VSS, VSSQ ピンには同一の電源電圧を印加して下さい。 2/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ■ 端子機能 CLK “H”エッジで全ての入力を取り込みます。 CS CLK、CKE、DQM を除く全ての入力を活性、又は非活性とし、デバイスを選択、非選択と します。 CKE システムクロックをマスクし、次の CLK の動作を非活性とします。 コマンドを入力する 1CLK 前に必ず活性化してください。 ROW & COL マルチプレクス入力 ADDRESS ROW アドレス ：RA0～10 COL アドレス ：CA0～8 アクティブ、プリチャージ、リード、ライト時にバンクを選択します。 A11 A11 = “L” ：バンクＡ A11 = “H” ：バンクＢ RAS、CAS、 組み合わせにより、機能が異なります。詳細はファンクショントゥルーステーブルを WE 参照して下さい。 DQM DQi CLK 信号の”H”エッジで DQM を”H”としたとき 2CLK 後のリードデータをマスクします。 CLK 信号の”H”エッジで DQM を”H”としたとき同一 CLK のライトデータをマスクします。 データ入出力はマルチプレクスです。 3/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ■ 電気的特性 ● 絶対最大定格 項目 記号 定格値 単位 端子電圧 VIN, VOUT –0.5～ VCC + 0.5 V 電源電圧 VCC, VCCQ –0.5～ 4.6 V 保存温度 Tstg –55～ 150 °C 許容損失 PD* 600 mW 出力短絡電流 IOS 50 mA 動作温度 Topr 0～70 °C *：Ta = 25°C ● 推奨動作条件 (Voltages Referenced to VSS=0V, VSSQ =0V) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 VCC, VCCQ 3.0 3.3 3.6 V “H”入力電圧 VIH 2.0 — VCC+0.2 V “L”入力電圧 VIL –0.3 — 0.8 V 電源電圧 ● 端子容量 (VBIAS = 1.4V, Ta = 25°C, f = 1MHz) 項目 入力容量 (CLK) 入力容量 (RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM, A0～A11) 出力容量(DQ1～DQ8) 記号 Min. Max. 単位 CCLK 2.5 4 pF CIN 2.5 5 pF COUT 4 6.5 pF 4/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ● 直流特性 条件 項目 記号 F-8A バンク CKE 単 位 MSM56V16800 他 注 記 F-10 Min. Max. Min. Max. “H”出力電圧 VOH IOH = 2.0mA 2.4 2.4 V “L”出力電圧 VOL IOL = 2.0mA 0.4 0.4 V 入力漏洩電流 ILI 10 10 10 10 A 出力漏洩電流 ILO 10 10 10 10 A CKE≧VIH tRC = Min. 80 70 mA 1, 2 115 95 mA 1, 2 ICC1 1 ﾊﾞﾝｸ ｱｸﾃｨﾌﾞ tCC = Min. No Burst 電源電流 (動作時) tCC = Min. ICC1D 両ﾊﾞﾝｸ ｱｸﾃｨﾌﾞ CKE≧VIH tRC = Min. tRRD = Min. No Burst 電源電流 (待機時) 電源電流 (ｸﾛｯｸｻｽﾍﾟﾝﾄﾞ時) 電源電流 (ｱｸﾃｨﾌﾞｽﾀﾝﾊﾞｲ時) 電源電流 (ﾊﾞｰｽﾄ時) 電源電流 (ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭ時) 電源電流 (ｾﾙﾌﾘﾌﾚｯｼｭ時) 電源電流 (ﾊﾟﾜｰﾀﾞｳﾝ時) 注記: ICC2 両ﾊﾞﾝｸ CKE≧VIH ﾌﾟﾘﾁｬｰｼﾞ tCC = Min. 35 30 mA 3 ICC3S 両ﾊﾞﾝｸ ｱｸﾃｨﾌﾞ CKE≦VIL tCC = Min. 3 3 mA 2 ICC3 1 ﾊﾞﾝｸ ｱｸﾃｨﾌﾞ CKE≧VIH tCC = Min. 40 35 mA 3 ICC4 両ﾊﾞﾝｸ ｱｸﾃｨﾌﾞ CKE≧VIH tCC = Min. 125 100 mA 1, 2 ICC5 1 ﾊﾞﾝｸ ｱｸﾃｨﾌﾞ CKE≧VIH tCC = Min. 80 70 mA ICC6 両ﾊﾞﾝｸ CKE≦VIL ﾌﾟﾘﾁｬｰｼﾞ tCC = Min. 2 2 mA ICC7 両ﾊﾞﾝｸ CKE≦VIL ﾌﾟﾘﾁｬｰｼﾞ tCC = Min. 2 2 mA tRC = Min. 1 1. 電源電流の最大値は出力解放状態です。 2. アドレス、データの変化は 1 サイクル中１回以下。 3. アドレス、データの変化は 2 サイクル中１回以下。 5/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ● モードセットアドレスキー CAS レイテンシィ A6 A5 バーストタイプ バースト長 A4 CL A3 BT A2 A1 A0 BT = 0 BT = 1 0 0 0 Reserved 0 Sequential 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 Interleave 0 0 1 2 2 0 1 0 2 0 1 0 4 4 0 1 1 3 0 1 1 8 8 1 0 0 Reserved 1 0 0 Reserved Reserved 1 0 1 Reserved 1 0 1 Reserved Reserved 1 1 0 Reserved 1 1 0 Reserved Reserved 1 1 1 Reserved 1 1 1 フルページ Reserved 注記: モードセットを行う場合、A7、A8、A9、A10、A11 を”L”レベルにして下さい。 MSM56V16800F は、以下の 2 つの電源投入方法をサポートしています。 電源投入法 1 1. 入力を NOP 状態にして電源を投入し、システムクロックを入力してください。 2. VCC が規定の電圧に到達してから、入力を NOP 状態にしたまま 200s 以上のポーズをと ってください。 3. プリチャージオールバンクコマンドを加えてください。 4. 8 回以上のオートリフレッシュコマンドを加えてください。 5. モードレジスタセットコマンドを入力してください。 電源投入法 2 1. 入力を NOP 状態にして電源を投入し、システムクロックを入力してください。 2. VCC が規定の電圧に到達してから、入力を NOP 状態にしたまま 200s 以上のポーズをと ってください。 3. プリチャージオールバンクコマンドを加えてください。 4. モードレジスタセットコマンドを入力してください。 5. 8 回以上のオートリフレッシュコマンドを加えてください。 6/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ● 交流特性（1/2） 注記 1, 2 項目 記号 MSM56V16800 F-8A MSM56V16800 F-10 Min. Max. Min. Max. 単位 注記 CL = 3 tCC3 8 10 ns CL = 2 tCC2 10 15 ns CL = 1 tCC1 20 30 ns CL = 3 tAC3 6 9 ns 3, 4 CL = 2 tAC2 6 9 ns 3, 4 CL = 1 tAC1 16 27 ns 3, 4 クロック”H”パルス時間 tCH 3 3 ns 4 クロック”L”パルス時間 tCL 3 3 ns 4 入力セットアップ時間 tSI 2 3 ns 入力ホールド時間 tHI 1 1 ns クロックからの出力ローインピー tOLZ ダンス時間 3 3 ns クロックからの出力ハイインピー tOHZ ダンス時間 8 8 ns クロックからの出力ホールド時間 tOH 3 3 ns RAS サイクル時間 tRC 70 90 ns RAS プリチャージ時間 tRP 20 30 ns RAS アクティブ時間 tRAS 48 100,000 60 100,000 ns RAS、CAS 遅延時間 tRCD 20 30 ns ライトリカバリィ時間 tWR 8 15 ns RAS、RAS バンクアクティブ遅延 時間 tRRD 20 20 ns リフレッシュ時間 tREF 64 64 ms パワーダウン解除時間 tPDE tSI +1CLK tSI +1CLK ns tT 3 3 ns クロックサイクル 時間 クロックからの アクセス時間 入力レベル遷移時間 CAS、CAS 遅延時間（min.） lCCD 1 1 Cycle CKE からのクロックディセーブル 時間 lCKE 1 1 Cycle DQM からのデータ出力ハイインピ lDOZ ーダンス時間 2 2 Cycle DQM からのデータ入力マスク時間 lDOD 0 0 Cycle 3 7/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ● 交流特性（2/2） Note 1, 2 項目 記号 MSM56V16800 F-8A Min. Max. MSM56V16800 F-10 Min. 単位 Max. ライトコマンドからのデータ入力 時間 lDWD 0 0 Cycle プリチャージコマンドからのデー タ出力ハイインピーダンス時間 lROH CL CL Cycle モードレジスタセットコマンドか らのアクティブコマンド入力時間 （min.） lMRD 2 2 Cycle 出力からのライトコマンド入力時 間 lOWD 2 2 Cycle 注記： 注記 1. 交流特性の値は tT = 1ns で規定しています。 2. タイミング規定の入力基準レベルは、1.4V です。 3. 出力負荷。 Z=50 Output 50pF (External Load) 4. アクセスタイムは 1.4V で測定しています。 5. tT が 1ns 以上になった場合、入力信号のタイミングを規定する基準レベルは VIH と VIL で す。 8/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ■ タイミングチャート リードライトサイクル（同一バンク）@CAS Latency2, Burst Length4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK tRC CKE CS tRP RAS tRCD CAS ADDR Ra Rb Ca0 Cb0 A11 A10 Ra Rb tOH Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 DQ tAC Db0 Db1 Db2 Db3 tWR tOHZ WE DQM Row Active Read Command Row Active Precharge Command Write Command Precharge Command 9/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F シングルビットリードライトリードサイクル（同一ページ）@CAS Latency2, Burst Length4 0 1 2 3 4 tCH 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK tCC tCL High CKE CS tHI tSI RAS ICCD tHI tSI CAS tSI tSI ADDR Ra tSI Ca tHI A11 BS A10 Ra Cb Cc BS BS tHI BS BS tHI tOHZ tAC DQ Qa Db tOLZ tOH lOWD Qc tSI tHI WE tSI DQM Row Active Read Command Write Command Precharge Command Read Command 10/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F *注記: 1. CLK が”Low”から”High”へ遷移するときに CS を”High”とした場合、CKE、DQM を除く全ての入力を無効とします。 2. アクティブ、リードおよびライト時、A11 によってバンクを選択します。 A11 アクティブ、リード、ライト 0 バンク A 1 バンク B 3. リードおよびライトコマンド入力時、A10 入力によりオートプリチャージ動作を選択、非選 択します。 A10 A11 動作 0 0 バースト動作終了後、バンク A はロウアクティブ状態を保ちます。 1 0 バースト動作終了後、バンク A はオートプリチャージします。 0 1 バースト動作終了後、バンク B はロウアクティブ状態を保ちます。 1 1 バースト動作終了後、バンク B はオートプリチャージします。 4. プリチャージコマンド入力時、A10、A11 入力によりプリチャージを行うバンクを選択しま す。 動作 A10 A11 0 0 バンク A をプリチャージします。 0 1 バンク B をプリチャージします。 1 X 両バンク A、B をプリチャージします。 5. 入力データとライトコマンドは同一 CLK でラッチします。（ライトレイテンシ0） 6. DQM 入力後（1CLK tOHZ）で出力を Hi-Z にします。 11/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ページリードライトサイクル（同一ページ）@CAS Latency2, Burst Length4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS Bank A Active RAS CAS ICCD ADDR Ca0 Cb0 Cc0 Cd0 Qa0 Qa1 Qb0 Qb1 Dc0 Dc1 Dd0 A11 A10 DQ lOWD tWR 注記 2 WE 注記 1 DQM Read Command Read Command Write Command Precharge Command Write Command *注記: 1. バーストリード終了時にライト動作する場合、ライトコマンド入力の 3CLK 前から 3Cycle の間 DQM を入力して下さい。 2. バーストライト終了時にロウプリチャージを行う場合、最終ライトデータ入力から tWR 時 間待って下さい。 プリチャージ入力サイクルの入力データはライトしません。 12/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F オートプリチャージサイクル@ Burst Length4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS RAS tRRD CAS ADDR Ra Rb Ra Rb Ca Cb A11 A10 WE CAS Latency=1 DQ Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Db0 Db1 Db2 Db3 A-Bank Precharge Start DQM CAS Latency=2 Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 DQ Db0 Db1 Db2 Db3 A-Bank Precharge Start DQM CAS Latency=3 Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 DQ Db0 Db1 Db2 Db3 A-Bank Precharge Start tWR DQM Row Active (A-Bank) Row Active (B-Bank) A Bank Read with Auto Precharge B Bank Write with Auto Precharge B Bank Precharge Start Point 13/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F バンクインターリーブランダムロウリードサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length = 4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS tRC RAS tRRD CAS ADDR RAa CAa RBb CBb RAc CAc A11 A10 DQ RAa RBb QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 RAc QBb1 QBb2 QBb3 QBb4 QAc0 QAc1 QAc2 QAc3 WE DQM Row Active Read Command Read Command Row Active (A-Bank) (B-Bank) (A-Bank) (B-Bank) Read Command Row Active Precharge Command (A-Bank) (A-Bank) Precharge Command (A-Bank) (B-Bank) 14/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F バンクインターリーブランダムロウライトサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length =4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS RAS CAS ADDR RAa CAa RBb CBb RAc CAc A11 A10 RBb RAa RAc DAa0 DAa1 DAa2 DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 DQ DAc0 DAc1 WE DQM Row Active (A-Bank) Row Active (B-Bank) Precharge Command (A-Bank) Write Command (A-Bank) Write Command (B-Bank) Write Command (A-Bank) Precharge Command (B-Bank) Row Active (A-Bank) Precharge Command (A-Bank) 15/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F バンクインターリーブページリードサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length =4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE 注記 1 CS RAS CAS ADDR RAa CAa RBb CBb CAc CBd CAe A11 A10 RBb RAa DQ QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2 QBb3 QAc0 QAc1 QBd0 QBd1 QAe0 QAe1 IROH WE DQM Row Active (A-Bank) Row Active (B-Bank) Read Command (A-Bank) Read Command (B-Bank) Read Command (B-Bank) Read Command (A-Bank) Precharge Command (A-Bank) Read Command (A-Bank) *注記: 1. RAS、CAS、WE を同一サイクルで”High”とした時、CS 入力は無視されます。 16/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F バンクインターリーブページライトサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS RAS CAS ADDR RAa CAa RBb CBb CAc CBd A11 A10 RAa RBb DQ DAa0 DAa1 DAa2 DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 DAc0 DAc1 DBd0 WE DQM Row Active (A-Bank) Row Active (B-Bank) Write Command (A-Bank) Write Command (B-Bank) Write Command (B-Bank) Precharge Command (Both Bank) Write Command (A-Bank) 17/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F バンクインターリーブランダムロウリードライトサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length = 4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS RAS CAS ADDR RAa CAa RBb CBb RAc CAc A11 A10 RAa RBb DQ RAc QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2 QBb3 QAc0 QAc1 QAc2 QAc3 WE DQM Row Active (A-Bank) Read Command (A-Bank) Row Active (B-Bank) Write Command (B-Bank) Precharge Command (A-Bank) Read Command (A-Bank) Row Active (A-Bank) 18/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F バンクインターリーブページリードライトサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length =4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS RAS CAS ADDR CAa0 CBb0 CAc0 A11 A10 QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 DQ DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 QAc0 QAc1 QAc2 QAc3 WE DQM Read Command (A-Bank) Write Command (B-Bank) Read Command (A-Bank) 19/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F クロックサスペンド・DQ マスクサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length =4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK 注記 1 注記 1 CKE CS RAS CAS ADDR Ra Ca Cb Cc A11 A10 Ra Qa0 Qa1 DQ 注記 2 Qa2 Qb0 Qb1 tOHZ tOHZ Dc0 Dc2 注記 3 WE DQM Row Active CLOCK Suspension Read Command Read DQM Read Command Write DQM Read DQM Write Command Write DQM CLOCK Suspension *注記: 1. クロックサスペンドを入力した場合、次の CLK を無視します。 2. DQM を入力した場合、2CLK 後のリードデータをマスクします。 3. DQM を入力した場合、同一 CLK のライトデータをマスクします。 20/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F リードトゥライトサイクル（同一バンク）@CAS Latency = 2, Burst Length =4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK CKE CS 注記 1 RAS tRCD CAS ADDR Ra Ca0 Cb0 A11 A10 Ra DQ Da0 Db0 Db1 Db2 Db3 tWR WE DQM Precharge Command Row Active Read Command Write Command *注記: 1. CAS Latency = 3 の場合、リードサイクルはライトコマンドによってインタラプト可能です。 コマンドの最小間隔は [バースト長+1]サイクルです。 ライトコマンドの入力により、3 クロック以上前から DQM をハイレベルにしておく必要が あります。 21/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F リードインターラプト（プリチャージコマンド）@Burst Length8 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS RAS CAS ADDR Ra Ca A11 A10 Ra WE CAS Latency=1 注記 1 Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qa5 DQ lROH DQM CAS Latency=2 注記 1 DQ Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qa5 lROH DQM CAS Latency=3 注記 1 DQ Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qa5 lROH DQM Row Active Read Command Precharge Command *注記: 1. バーストリード終了前にロウプリチャージを入力した場合、プリチャージコマンド入力後、 lROH(=CAS Latency)以降のリードデータは出力されません。 22/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F バーストストップコマンド@Burst Length = 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK High CKE CS RAS CAS ADDR Ca Cb A11 A10 WE CAS Latency=1 DQ Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Qb4 DQM CAS Latency=2 DQ Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Qb4 DQM CAS Latency=3 DQ Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Qb4 DQM Read Command Burst Stop Command Write Command Burst Stop Command 23/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F パワーダウンモード@CAS Latency = 2, Burst Length =4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 CLK tSI 注記 1 tPDE 注記 2t SI tSI CKE tREF (min.) CS RAS CAS ADDR Ra Ca A11 Ra A10 Qa0 Qa1 Qa2 DQ WE DQM Power-down Entry Row Active Clock Power-down Exit Suspension Entry Read Command Clock Suspension Exit Precharge Command *注記: 1. 両バンクがプリチャージ状態時に CKE を”Low”とした場合、パワーダウンモードに入 り、”Low”としている間パワーダウンモードを保持します。 2. パワーダウンモードを解除する時、CKE のセットアップ時間を tPDE 以上とった場合、同一 CLK の入力を取り込みます。 24/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F セルフリフレッシュサイクル 0 1 2 CLK tRC CKE tSI CS RAS CAS ADDR Ra A11 BS A10 Ra Hi-Z DQ WE DQM Self Refresh Entry Self Refresh Exit Row Active 25/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F モードレジスタサイクル 0 1 2 3 オートリフレッシュサイクル 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 CLK High CKE High CS tRC lMRD RAS CAS ADDR Key Ra Hi - Z DQ Hi - Z WE DQM MRS New Command Auto Refresh Auto Refresh 26/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ■ファンクショントゥルーステーブル (Table 1) (1/2) 状態 1 アイドル ロウ アクティブ リード ライト リード＆ オート プリチャージ ライト＆ オート プリチャージ CS RAS CAS WE BA ADDR H X X X X X L H H H X X NOP L H H L BA X ILLEGAL 2 L H L X BA CA ILLEGAL 2 L L H H BA RA ロウアクティブ L L H L BA A10 NOP 4 L L L H X X 動作 NOP オートリフレッシュ／セルフリフレッシュ 5 OP Code モードレジスタライト L L L L L H X X X X L H H X X X L H L H BA CA, A10 リード L H L L BA CA, A10 ライト L L H H BA RA ILLEGAL 2 L L H L BA A10 プリチャージ L L L X X X X NOP NOP ILLEGAL H X X X X X NOP（バースト終了後ロウアクティブ状態を保つ） L H H H X X NOP（バースト終了後ロウアクティブ状態を保つ） L H H L X X バーストを中断し、ロウアクティブ状態を保つ L H L H BA CA, A10 バーストを中断し、新しいバーストリードを開始 3 L H L L BA CA, A10 バーストを中断し、新しいバーストライトを開始 3 L L H H BA RA ILLEGAL 2 L L H L BA A10 バーストを中断し、ロウプリチャージを行う L L L X X X ILLEGAL H X X X X X NOP（バースト終了後ロウアクティブ状態を保つ） L H H H X X NOP（バースト終了後ロウアクティブ状態を保つ） L H H L X X バーストを中断し、ロウアクティブ状態を保つ L H L H BA CA, A10 バーストを中断し、新しいバーストリードを開始 3 L H L L BA CA, A10 バーストを中断し、新しいバーストライトを開始 3 L L H H BA RA ILLEGAL 2 L L H L BA A10 バーストを中断し、ロウプリチャージを行う 3 L L L X X X ILLEGAL H X X X X X NOP（バースト終了後ロウプリチャージを行う） L H H H X X NOP（バースト終了後ロウプリチャージを行う） L H H L BA X ILLEGAL 2 L H L H BA CA, A10 ILLEGAL 2 L H L L X X L L H X BA RA, A10 ILLEGAL ILLEGAL 2 L L L X X X ILLEGAL H X X X X X NOP（バースト終了後ロウプリチャージを行う） L H H H X X NOP（バースト終了後ロウプリチャージを行う） L H H L BA X ILLEGAL 2 L H L H BA CA, A10 ILLEGAL 2 27/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ファンクショントゥルーステーブル (Table 1) (2/2) 状態 1 ライト＆ オート プリチャージ プリチャージ ライト リカバリ ロウ アクティブ リフレッシュ モード レジスタ アクセス CS L RAS H CAS L WE L BA ADDR X X L L L L H X BA RA, A10 L X X X 動作 ILLEGAL ILLEGAL 2 ILLEGAL H X X X X X NOP --> tRP 後アイドル状態 L H H H X X NOP --> tRP 後アイドル状態 L H H L BA X ILLEGAL 2 L H L X BA CA ILLEGAL 2 L L H H BA RA ILLEGAL 2 L L H L BA A10 NOP 4 L L L X X X ILLEGAL H X X X X X NOP L H H H X X NOP L H H L BA X ILLEGAL 2 L H L X BA CA ILLEGAL 2 L L H H BA RA ILLEGAL 2 L L H L BA A10 ILLEGAL 2 L L L X X X ILLEGAL H X X X X X NOP --> tRCD 後ロウアクティブ状態 L H H H X X NOP --> tRCD 後ロウアクティブ状態 L H H L BA X ILLEGAL 2 L H L X BA CA ILLEGAL 2 L L H H BA RA ILLEGAL 2 L L H L BA A10 ILLEGAL 2 L L L X X X ILLEGAL H X X X X X NOP --> tRC 後アイドル状態 L H H X X X NOP --> tRC 後アイドル状態 L H L X X X ILLEGAL L L H X X X ILLEGAL L L L X X X ILLEGAL H X X X X X NOP L H H H X X NOP L H H L X X ILLEGAL L H L X X X ILLEGAL L L X X X X ILLEGAL 略語 RA = ロウアドレス CA = カラムアドレス BA = バンクアドレス AP = オートプリチャージ NOP = ノーオペレーションコマンド 全ての入力は、1cycle 前に CKE を”High”とした時にイネーブルとなります。 規定の状態において禁止です。しかし、バンクの選択状況により可能な場合もあります。 バスの混乱を避けるために lCCD、tWR を満足させて下さい。 プリチャージ中又はアイドル状態にあるバンクに対しては無効となりますが、BA 又は A10 により、アクティブ状態のバンクをプリチャージします。 5. A、B バンクいずれか、また両バンクがアイドル状態でないとき禁止します。 *注記: 1. 2. 3. 4. 28/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ファンクショントゥルーステーブル (CKE) (Table 2) 状態 (n) CKEn-1 CKEn CS RAS CAS WE ADDR セルフ リフレッシュ H X X X X X X INVALID L H H X X X X セルフリフレッシュ解除 --> ABI6 L H L H H H X セルフリフレッシュ解除 --> ABI6 L H L H H L X ILLEGAL L H L H L X X ILLEGAL L H L L X X X ILLEGAL パワー ダウン 両バンク アイドル (ABI) その他 動作 L L X X X X X NOP（セルフリフレッシュ継続） H X X X X X X INVALID L H H X X X X パワーダウン解除 --> ABI L H L H H H X パワーダウン解除 --> ABI L H L H H L X ILLEGAL L H L H L X X ILLEGAL L H L L X X X ILLEGAL 7 L L X X X X X NOP（パワーダウン継続） H H X X X X X Refer to Table 1 H L H X X X X パワーダウン開始 H L L H H H X パワーダウン開始 H L L H H L X ILLEGAL H L L H L X X ILLEGAL H L L L H L X ILLEGAL H L L L L H X セルフリフレッシュ開始 H L L L L L X ILLEGAL L L X X X X X NOP H H X X X X X Refer to Operations in Table 1 H L X X X X X 次のサイクルのクロックをサスペンド L H X X X X X 次のサイクルのクロックをイネーブル L L X X X X X クロックサスペンド継続 *注記: 6. セルフリフレッシュ解除発行後、tRC(min)で両バンクアイドル状態となります。 7. CKE の”L”から”H”への遷移に対して tPDE を満足した場合、CKE は非同期状態となり、同一 cycle 内でのコマンド入力が可能です。 29/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F 改版履歴 ドキュメント No. FJDD56V16800F-01 2001.5.25 FJDD56V16800F-02 2004.6.29 FJDD56V16800F-03 ページ 発行日 変更内容 改版前 改版後 – – 1~30 1~30 – 4 1 – – 1 1 1 2012.3.14 初版発行 誤記修正 *詳細省略(旧版参照) 社名変更, 改版履歴表フォーマット変更 回路構成図削除 特徴の 2 行目にある「16 ビット構成」を「8 ビット構成」 に変更 鉛フリーパッケージ製品名に変更 30/31 FJDD56V16800F-03 MSM56V16800F ご注意 本資料の一部または全部をラピスセミコンダクタの許可なく、転載・複写することを堅くお断りし ます。 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必 ずご請求のうえ、ご確認ください。 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な 動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考 慮していただきますようお願いいたします。 本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情 報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ラピスセミコンダクタはその責 任を負うものではありません。 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したもので あり、ラピスセミコンダクタまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙 示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛 争が発生した場合、ラピスセミコンダクタはその責任を負うものではありません。 本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、 アミューズメント機器など）への使用を意図しています。 本資料に掲載されております製品は、「耐放射線設計」はなされておりません。 ラピスセミコンダクタは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障する こともあり得ます。 ラピスセミコンダクタ製品が故障した際、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないよう ご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いし ます。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もラピスセミコ ンダクタは負うものではありません。 極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害 を及ぼすおそれのある機器・装置・システム（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃 料制御、各種安全装置など）へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特 定用途に使用された場合、いかなる責任もラピスセミコンダクタは負うものではありません。上記 特定用途への使用を検討される際は、事前にローム営業窓口までご相談願います。 本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品ま たは技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。 Copyright 2012 LAPIS Semiconductor Co., Ltd. 〒193-8550 東京都八王子市東浅川町 550-1 http://www.lapis-semi.com/jp/ 31/31
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