TPD7210F

TPD7210F
東芝インテリジェントパワーデバイスシリコンモノリシックパワーMOS型集積回路
TPD7210F
3 相 DC モータ用パワーMOS FET ゲートドライバ
TPD7210F は IPD プロセスによる、チャージポンプ方式の 3 相フルブリッ
ジ回路用パワーMOS FET ゲートドライバです。ハイサイドドライブ用の
チャージポンプ回路を内蔵しているため、容易に 3 相フルブリッジ回路を構成
できます。
特
長
z
3 相 DC モータ用パワーMOS FET ゲートドライバです。
z
電源電圧の診断機能を内蔵しています。
z
チャージポンプ回路を内蔵しています。
z
SSOP−24 パッケージ (300mil) で、梱包形態はエンボステーピングです。
: 低電圧検出
質量: 0.29g (標準)
現品表示
ピン接続
(TOP VIEW)
ロット No.
ENB 1
24
COSC
ROSC 2
23
CPV
IN1 3
22
WU
IN2 4
21
VU
IN3 5
20
UU
IN4 6
19
UB
IN5 7
18
PGND2
IN6 8
17
VB
SGND1 9
16
PGND1
CP1 10
15
WB
SGND2 11
14
FAULT
CP2 12
13
VDD
TPD7210F
外装鉛フリー
識別マーク
(なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)
製品名 (または略号)
この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
1
2007-05-18
TPD7210F
ブロック図 / 応用回路例
+B
+
CP1
CP2
CPV
UU
VDD
VU
過電圧保護
低電圧検出
COMP
COMP
32.5V
VDD＋14V
(内部制限)
M
UB
デッドタイム
生成回路
VB
発振回路
ロジック
5.7V
WU
WB
REG
ROSC
COSC
チャージポンプ
発振回路
fOSC=100kHz
PGND1
PGND2
270pF
62kΩ
入力ロジック
SGND1
SGND2
FAULT
IN1 IN2 IN3 IN4 IN5 IN6 ENB
2
2007-05-18
TPD7210F
端子説明
端子番号
記号
端子の説明
1
ENB
2
ROSC
3
IN1
入力端子。UU (U 相のハイサイド側) に接続されたパワーMOS FET をコントロールします。プルダウ
ン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
4
IN2
入力端子。VU (V 相のハイサイド側) に接続されたパワーMOS FET をコントロールします。プルダウ
ン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
5
IN3
入力端子。WU (W 相のハイサイド側) に接続されたパワーMOS FET をコントロールします。プルダ
ウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
6
IN4
入力端子。UB (U 相のローサイド側) に接続されたパワーMOS FET をコントロールします。プルダウ
ン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
7
IN5
入力端子。VB (V 相のローサイド側) に接続されたパワーMOS FET をコントロールします。プルダウ
ン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
8
IN6
入力端子。WB (W 相のローサイド側) に接続されたパワーMOS FET をコントロールします。プルダ
ウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
9
SGND1
10
CP1
11
SGND2
12
CP2
イネーブル端子。VENB = “L” 時には全出力をオフさせます。プルダウン抵抗(100kΩ標準)内蔵。
VENB = “H”
、VIN = “H” で各出力 “H” レベルとなります。
チャージポンプドライブ用発振周波数設定端子。
62kΩ(推奨)を接続ください。
信号系の GND 端子。SGND1 と SGND2 は内部にて接続されています。
チャージポンプ用コンデンサ接続端子。
信号系の GND 端子。SGND1 と SGND2 は内部にて接続されています。
チャージポンプ用コンデンサ接続端子。
電源端子。電源低下を検出(5.5V 標準)すると Fault に “H” を出力します。
13
VDD
14
FAULT
15
WB
16
PGND1
17
VB
18
PGND2
19
UB
U 相ローサイドに接続されたパワーMOS FET を駆動します。
20
UU
U 相ハイサイドに接続されたパワーMOS FET を駆動します。
21
VU
V 相ハイサイドに接続されたパワーMOS FET を駆動します。
22
WU
W 相ハイサイドに接続されたパワーMOS FET を駆動します。
23
CPV
チャージポンプ用最終段コンデンサ接続端子。
24
COSC
チャージポンプドライブ用発振周波数設定端子。
270pF(推奨)のコンデンサを接続ください。
その際、出力は入力に合わせたオン/オフとなります。また、チャージポンプ回路は停止しません。
診断出力端子。電源低下検出時(5.5V 標準)に “H” を出力します。上下貫通モード(例えば UU と UB が
ともにオンする入力条件)が入力された場合には FAULT に “H” を出力、全出力をシャットダウンさせ
ます。回路構成は Nch オープンドレインです。
W 相ローサイドに接続されたパワーMOS FET を駆動します。
パワー系の GND 端子。PGND1 と PGND2 は内部にて接続されています。
V 相ローサイドに接続されたパワーMOS FET を駆動します。
パワー系の GND 端子。PGND1 と PGND2 は内部にて接続されています。
3
2007-05-18
TPD7210F
真理値表
(上下アーム短絡モードの入力時に出力はすべて L)
MODE
No.
入力
IN3
IN4
(WU) (UB)
IN1
(UU)
IN2
(VU)
01
L
L
L
02
H
L
03
L
04
出力
OUT OUT
WU
UB
IN5
(VB)
IN6
(WB)
OUT
UU
OUT
VU
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
05
L
L
L
H
L
06
L
L
L
L
07
L
L
L
08
H
L
09
H
10
備考
OUT
VB
OUT
WB
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
H
L
L
L
L
L
H
L
L
L
H
L
L
L
L
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
L
L
L
H
L
H
L
L
L
H
L
120 度矩形波通電方式正規モード
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
H
120 度矩形波通電方式正規モード
11
L
H
L
H
L
L
L
H
L
H
L
L
120 度矩形波通電方式正規モード
12
L
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
13
L
H
L
L
L
H
L
H
L
L
L
H
120 度矩形波通電方式正規モード
14
L
L
H
H
L
L
L
L
H
H
L
L
120 度矩形波通電方式正規モード
15
L
L
H
L
H
L
L
L
H
L
H
L
120 度矩形波通電方式正規モード
16
L
L
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
17
H
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
18
L
H
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
19
H
L
H
L
L
L
H
L
H
L
L
L
20
L
L
L
H
H
L
L
L
L
H
H
L
21
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
H
H
22
L
L
L
H
L
H
L
L
L
H
L
H
23
H
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
24
H
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
25
H
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
H
26
L
H
H
H
L
L
L
H
H
H
L
L
27
L
H
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
28
L
H
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
29
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
30
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
31
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
32
H
L
L
H
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
33
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
H
H
34
H
L
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
35
L
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
*:
上下アーム短絡モードは、内部ロジックで禁止しています。このときの FAULT 出力は、 “H” レベル (オープ
ンドレイン、ハイ・インピーダンス) となります。
*:
ENB = ”L” 時には入力信号にかかわらずスタンバイ状態となります。(全出力 ”L” レベル) また、ENB = “H” 時
にはアクティブとなり入力信号に応じた出力がされます。
4
2007-05-18
TPD7210F
MODE
No.
入力
IN3
IN4
(WU) (UB)
IN1
(UU)
IN2
(VU)
36
L
H
L
37
L
H
38
L
39
出力
OUT OUT
WU
UB
IN5
(VB)
IN6
(WB)
OUT
UU
OUT
VU
L
H
H
L
L
L
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
L
L
L
L
H
L
H
H
40
L
L
H
H
L
41
H
H
H
L
42
L
L
L
43
H
H
44
H
45
備考
OUT
VB
OUT
WB
L
L
L
L
H
L
H
L
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
L
L
H
H
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
H
H
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
H
L
L
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
H
H
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
46
L
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
47
L
H
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
48
L
H
H
H
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
49
H
L
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
50
H
L
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
51
H
L
H
H
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
52
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
53
H
H
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
54
H
H
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
55
H
L
L
H
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
56
L
H
L
H
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
57
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
58
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
59
H
H
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
60
H
H
H
H
L
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
61
H
H
L
H
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
62
L
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
63
H
L
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
64
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
上下アーム短絡モード (*)
上下アーム短絡モード (*)
*:
上下アーム短絡モードは、内部ロジックで禁止しています。このときの FAULT 出力は、 “H” レベル (オープ
ンドレイン、ハイ・インピーダンス) となります。
*:
ENB = ”L” 時には入力信号にかかわらずスタンバイ状態となります。(全出力 ”L” レベル) また、ENB = “H” 時
にはアクティブとなり入力信号に応じた出力がされます。
5
2007-05-18
TPD7210F
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
定格
単位
備考
電
源
電
圧
VDD(1)
−0.5～30
V
電
源
電
圧
VDD(2)
45
V
パルス幅≦200ms
出
力
電
流
ISOURCE
1
ISINK
1
A
パルス幅≦10μs
入
力
電
圧
VIN, VENB
−0.5～7.0
V
F
A
U
L
P
G
N
D
出
F
端
力
A
U
許
L
T
保
注 1:
子
電
圧
VFAULT
30
V
子
負
電
圧
PGND (−)
−0.5
V
PGND 端子印加可能負電圧
(SGND 端子基準)
圧
VOUT(-)
−0.5
V
UU, VU, WU, UB, VB, WB 印加可能負電圧
(SGND 端子基準)
流
IFAULT
5
mA
失
PD
ン
ク
電
端
子
電
損
作
ャ
端
負
容
動
ジ
T
温
シ
存
ョ
温
ン
温
0.8
1.2 (注 2)
W
度
Topr
−40～125
°C
度
Tj
150
°C
度
Tstg
−40～150
°C
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温
および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれ
があります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
熱抵抗特性
項目
記号
接合部 − 外気間熱抵抗
Rth (j−a)
定格
156.3
104.2 (注)
単位
°C / W
注 2: 60mm×60mm×1.6mm ガラスエポキシ基板実装時
6
2007-05-18
TPD7210F
電気的特性
(特に指定がない場合は、Ta = −40～125°C, CP1,2=0.1μF, ROSC=62kΩ, COSC=270pF)
項目
記号
測定
回路
測定条件
最小
標準
最大
単
位
動作電源電圧 ( 注 3 )
VDD(opr)
-
-
4.5
13.5
18
V
IDD (1)
-
VDD = 13.5V
-
-
7
発振回路停止時
IDD (2)
-
VDD =13.5V,
VIN1～VIN6 = 0V,
CP1,2 = 0.1μF
-
-
9
mA 発振回路動作時
fOSC=100kHz、
平均電流
3.5
-
-
-
VDD = 7V～18V,
IO = 0A
-
-
1.5
VDD = 7V～18V,
VIN = 5V
-
-
200
VDD = 7V～18V,
VIN = 0V
−10
-
10
VDD = 7V,
VIN1～VIN6= 0V
VDD
+ 10.9
VDD
+ 11.9
-
V
VDD = 13.5V,
VIN1～VIN6= 0V
VDD
+ 12
VDD
+ 14
VDD
+ 16
V
VDD = 18V,
VIN1～VIN6= 0V
VDD
+ 12
VDD
+ 14
VDD
+ 16
V
消
費
電
流
VIH
入
力
電
圧
VIL
IIH
入
力
電
-
流
IIL
チャージポンプ電圧
(注 4)(注 5)
ハ
イ
サ
イ
ド
高レベル出力電圧
VCPV
-
V
VOH(H1)
VDD = 7V,
VIN = 5V,
IO = -10mA
-
VDD
+9.9
-
VOH(H2)
VDD = 13.5V,
VIN = 5V,
IO = -10mA
-
VDD
+ 12
-
VOH(H3)
VDD = 18V,
VIN = 5V,
IO = -10mA
-
VDD
+ 12
-
VIN = 5V,
IO = -10mA,
VDROP = VCPV - VOH
-
2
3
-
-
0.1
VDD - 0.1
VDD
-
ハ
イ
サ
イ
ド
高レベル出力電圧降下分
VDROP
ハ
イ
サ
イ
ド
低レベル出力電圧
VOL(H)
VDD = 7V～18V,
VIN = 0V,
IO = 0A
ロ
ー
サ
イ
ド
高レベル出力電圧
VOH(L)
VDD = 7～18V,
VIN = 5V,
IO =-10mA
ロ
ー
サ
イ
ド
低レベル出力電圧
VOL(L)
VDD = 7V～18V,
VIN = 0V,
IO = 0A
-
-
0.1
VDD = 13.5V,
VIN = 5V,
IO = -0.5A
-
7
10
VDD = 13.5V,
VIN = 0V,
IO =0.5A
-
4.5
10
-
5.0
5.5
6.0
-
-
0.5
-
-
RSOURCE
出
力
抵
-
抗
RSINK
出
電源低下検
検
出
ヒステリシス
VDDUV
ΔVDDUV
-
7
備考
IN1～IN6, ENB
“H” レベル入力電圧
IN1～IN6, ENB
“L” レベル入力電圧
μA IN1～IN6, ENB
入力電流
μA (1 入力端子あたり)
VCPV≒3×(VDD - VF)
CPV 端子電圧
(SGND 端子基準)
CPV 端子電圧
(SGND 端子基準)
UU、VU、WU
端子電圧
(SGND 端子基準)
*単発パルス測定
V
UB, VB, WB
端子電圧
(SGND 端子基準)
Ω
UU、VU、WU、UB、
VB、WB 出力抵抗
パルス幅≦10μs
V
電源低下検出電圧と
ヒステリシス
(VDD 電圧を検出)
2007-05-18
TPD7210F
項目
記号
ターンオン
遅延時間
ターンオン
間
スイッチング時
時
間
ターンオフ
遅延時間
ターンオフ
時
間
デ
ッ
ド
タ
イ
ム
測定
回路
測定条件
td (ON)
tON
1
td (OFF)
VDD = 13.5V,
VCPV = 13.5V,
COUT=12400pF,
RG = 47Ω
tOFF
VDD=13.5V,
最小
標準
最大
-
0.25
1
-
0.5
2
単位
備考
μs
UU、VU、WU、UB、
VB、WB のスイッチ
ング時間
-
0.25
1
-
0.5
2
-
0.25
1
μs
tdead
-
fOSC
-
VDD = 7V～18V,
ROSC =62kΩ,
COSC = 270pF
80
100
120
kHz
出力電圧
VFAULT
-
VDD = 7V～18V,
IFAULT = 1mA
-
-
0.8
V
FAULT 出力リーク電流
IFAULT
-
VDD = 7V～18V,
VFAULT = 18V
-
-
10
μA
FAULT 出力遅れ時間
td(FAULT)
-
-
-
1
μs
(注 6)
発
振
周
F A U L T
波
数
tdead=tOFF-td(ON)
FAULT 端子 “L” レ
ベル電圧 (オープン
ドレイン)
注 3: 出力オン・オフの制御、FAULT 出力、チャージポンプ回路は VDD≧4.5V から動作します。
但し、電源電圧(VDD)が低い条件では出力電流が多いほど昇圧電圧(CPV 電圧)は低下し、外付けパワーMOSFET
を十分な電圧(VGS)でドライブできないことも考えられますので、ご使用の際には十分ご注意願います。
注 4: チャージポンプ回路ダイオードの順方向電圧を 0.7V で換算した場合。
ハイスピードタイプ(trr≦100ns)のダイオードをご使用願います。
注 5: チャージポンプ電圧について
外付けパワーMOSFET のゲート・ソース間電圧(VGS)に過電圧を印加しないよう、また最適な駆動電圧となる
よう CPV 電圧がある値に達するとチャージポンプの発振回路を停止させ昇圧しないようクランプ回路を内蔵
しています。
3×VDD - 3×VF@VIN1～6 = 0V (VF：ダイオード順方向電圧)
→
①
②
③
チャージポンプ電圧
CPV 電圧
領域①：VCPV＝3×VDD - 3×VF
領域②：VCPV クランプ＝VDD + 14V 標準
領域③：VCPV クランプ＝32.5V 標準(35V 最大)
4.5
(8)
(18)
VDD 電圧
→
注 6: デッドタイムについて
上下アーム短絡の入力ロジックについては、出力はすべてオフ “L” レベルとなります。
外付けパワーMOSFET を含まない本製品のみで必要となるデッドタイムは 1μs です。外付けパワーMOSFET
のスイッチング時間を考慮の上、入力信号のデッドタイムを設定ください。
注 7:
COSC へのチャージポンプ発振周波数の直接入力について
本製品は ROSC へ抵抗(推奨 62kΩ)、COSC へコンデンサ(推奨 270pF)を接続することでチャージポンプ回路駆
動用の発振回路が動作しますが、COSC に外部から発振信号を直接入力することでも使用可能です。
この方法にてご使用される場合、VDD≧9V の条件になってから COSC へ信号を入力願います。(VCOSC≦5.5V)
また、ROSC 端子は抵抗未接続(オープン処理)でご使用願います。
※CPV 電圧がクランプ電圧まで達した場合には、COSC へ信号が入力された状態でもチャージポンプの動作(発
振)は停止し、昇圧動作を停止します。
8
2007-05-18
TPD7210F
測定回路 1.スイッチングタイム
tr≦0.1μs
13
23
VDD
CPV
ENB
3
IN1
SGND1
PGND1
PGND2
UU
9
11
16
18
5V(100%)
90%
50%
10%
SGND2
P.G
tf≦0.1μs
90%
入力波形
VIN
10%
20
V
12400pF 47Ω
1
5V
13.5V
・UU出力測定例
VDD=13.5V
VDD - 3V
(VDD - 3V)×90%
出力波形
VOUT
(VDD - 3V)×10%
td(ON)
td(OFF)
tON
tOFF
真理値表
・VDD 電源電圧低下は 5.5V(標準)で検出します。
IN
ENB
VOUT
FAULT
L
L
L
L
電源低下検出時は FAULT のみ “H” を出力し、
H
L
L
L
出力、チャージポンプ回路の動作は停止(オフ)
L
H
L
L
H
H
H
L
状態
通常
しません。
・同相のハイサイド、ローサイド入力とも “H”
L
L
L
H
H
L
L
H
VDD 電源電圧
L
H
L
H
低下検出
H
H
H
H
ハイサイド H
L
L
H
ローサイド H
H
L
H
レベルの場合、全出力 “L” レベルとし、FAULT
には “H” レベルを出力します。
上下短絡入力検出
タイミングチャート
電源電圧 VDD
UV 復帰
(6.0V 標準)
UV 検出
(5.5V 標準)
動作電源電圧範囲(4.5V 最小)
ハイサイド入力
ローサイド入力
ENB 信号
チャージポンプ回路
発振停止
ハイサイド出力
出力 L
ローサイド出力
出力 L
FAULT 出力
低電圧検出
低電圧検出
9
上下短絡
入力検出
上下短絡
入力検出
2007-05-18
TPD7210F
IDD(1) - VDD
IDD(1) - Tj
10
Tj=25°C
発振停止時
4
(mA)
2
0
0
4
8
電源電圧
12
16
IDD(1)
6
6
4
2
0
-80
20
VDD=13.5V
発振停止時
8
消費電流
IDD(1)
8
消費電流
(mA)
10
VDD (V)
-40
0
ジャンクション温度
IDD(2) - VDD
6
IDD(2)
6
4
消費電流
4
2
0
0
4
8
電源電圧
12
16
0
-80
20
-40
0
(V)
VIH, VIL
VIL
2
入力電圧
(V)
VIH, VIL
入力電圧
VIH
1
4
8
電源電圧
Tj
120
160
(°C)
VIH, VIL- Tj
Tj=25°C
0
(°C)
80
5
4
0
40
ジャンクション温度
VIH, VIL- VDD
3
160
2
VDD (V)
5
Tj
120
VDD=13.5V
fOSC=100kHz
CP1,2=0.1μF
VIN1～VIN6=0V
8
IDD(2)
(mA)
Tj=25°C
fOSC=100kHz
CP1,2=0.1μF
VIN1～VIN6=0V
8
80
IDD(2) - Tj
10
消費電流
(mA)
10
40
12
16
4
VDD (V)
VIH
3
VIL
2
1
0
-80
20
VDD=13.5V
-40
0
40
ジャンクション温度
10
80
Tj
120
160
(°C)
2007-05-18
TPD7210F
IIH - Tj
200
VCPV - VDD
40
入力電流
IIH
(μA)
160
チャージポンプ電圧 VCPV (V)
VDD=13.5V
VIN, VENB=5V
各 1 入力端子あたり
120
80
40
0
-80
-40
0
40
80
120
Tj
ジャンクション温度
32
24
16
8
0
160
Tj=25°C
VIN1～VIN6=0V
0
4
(°C)
電源電圧
VCPV - Tj
(V)
VDD=18V
16
VDD=4.5V
8
-40
0
40
80
ジャンクション温度
120
Tj
16
ローサイド出力
8
0
160
0
4
(°C)
8
電源電圧
ハイサイド高レベル出力電圧降下分
(V)
VDROP
ハイサイド高レベル出力電圧降下分
(V)
VDROP
2.4
1.6
0.8
4
8
電源電圧
16
20
VDD (V)
VDROP - Tj
Tj=25°C
IO=-10mA
0
12
4
3.2
0
VDD (V)
ハイサイド出力
VDROP - VDD
4
20
32
24
VDD=7V
0
-80
16
Tj=25°C
IO=-10mA(単発パルス測定)
VOH
VDD=13.5V
高レベル出力電圧
チャージポンプ電圧 VCPV (V)
40
VIN1～VIN6=0V
24
12
VOH(H), VOH(L) - VDD
40
32
8
12
16
3.2
2.4
1.6
0.8
0
-80
20
VDD (V)
VDD=13.5V
IO=-10mA
-40
0
40
ジャンクション温度
11
80
Tj
120
160
(°C)
2007-05-18
TPD7210F
VDDUV - Tj
⊿VDDUV - Tj
1
電源低下検出ヒステリシス
⊿VDDUV (V)
電源低下検出
VDDUV
(V)
7
6.8
電源低下復帰
6.2
5.8
電源低下検出
5.4
5
-80
-40
0
40
80
ジャンクション温度
120
Tj
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-80
160
(°C)
-40
スイッチングタイム - VDD
スイッチングタイム(ローサイド出力)
td(ON), tON, td(OFF), tOFF (μs)
スイッチングタイム(ハイサイド出力)
td(ON), tON, td(OFF), tOFF (μs)
tOFF
tON
td(OFF)
td(ON)
4
8
電源電圧
12
16
tOFF
tON
0.4
td(OFF)
td(ON)
0.2
0
4
VDD (V)
0.6
tOFF
tON
0.4
td(OFF)
td(ON)
-40
0
40
ジャンクション温度
80
Tj
12
16
20
VDD (V)
スイッチングタイム - Tj
1
0.2
8
電源電圧
VDD=VCPV=13.5V
RG=47Ω, COUT=12400pF
ハイサイド出力
0
-80
(°C)
0.6
0
20
スイッチングタイム(ローサイド出力)
td(ON), tON, td(OFF), tOFF (μs)
スイッチングタイム(ハイサイド出力)
td(ON), tON, td(OFF), tOFF (μs)
0.8
Tj
160
VDD=VCPV
RG=47Ω, COUT=12400pF
T =25°C
0.8 j
ローサイド出力
スイッチングタイム - Tj
1
120
スイッチングタイム - VDD
0.6
0
0
80
1
VDD=VCPV
RG=47Ω, COUT=12400pF
T =25°C
0.8 j
ハイサイド出力
0.2
40
ジャンクション温度
1
0.4
0
120
0.8
VDD=VCPV=13.5V
RG=47Ω, COUT=12400pF
ローサイド出力
0.6
tON
0.4
(°C)
td(OFF)
td(ON)
0.2
0
-80
160
tOFF
-40
0
40
ジャンクション温度
12
80
Tj
120
160
(°C)
2007-05-18
TPD7210F
fOSC - VDD
fOSC - Tj
95
85
75
(kHz)
Tj=25°C
ROSC=62kΩ,
COSC=270pF
115
fOSC
125
105
発振周波数
(kHz)
105
発振周波数
115
fOSC
125
0
4
8
12
電源電圧
16
VDD=13.5V
ROSC=62kΩ,
COSC=270pF
95
85
75
-80
20
VDD (V)
-40
0
ジャンクション温度
VFAULT - VDD
(V)
IFAULT=1mA
Tj=25°C
VFAULT
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
4
8
12
電源電圧
80
Tj
120
160
(°C)
VFAULT - Tj
0.5
FAULT 出力電圧
FAULT 出力電圧
VFAULT
(V)
0.5
40
16
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-80
20
VDD (V)
IFAULT=1mA
VDD=13.5V
-40
0
40
ジャンクション温度
80
Tj
120
160
(°C)
PD - Ta
1.4
60mm×60mm×1.6mm
ガラスエポキシ基板実装時
(W)
1.0
PD
0.8
許容損失
1.2
0.6
単体
0.4
0.2
0
-40
0
40
周囲温度
80
120
160
Ta (°C)
13
2007-05-18
TPD7210F
ご使用上の注意
防湿梱包に関する注意事項
防湿梱包開封後は 30℃・RH60%以下の環境で 48 時間以内に実装していただくようお願いします。エンボステーピングのため
ベーキング処理ができませんので、かならず防湿梱包開封後の許容範囲内にてご使用ください。
テーピングの梱包数量は、2000 個/リール(EL1)が標準です。
14
2007-05-18
TPD7210F
外形図
15
2007-05-18
TPD7210F
当社半導体製品取り扱い上のお願い
20070701-JA
• 当社は品質，信頼性の向上に努めておりますが，一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
社半導体製品をご使用いただく場合は，半導体製品の誤作動や故障により，生命・身体・財産が侵害されること
のないように，購入者側の責任において，機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお，設計に際しては，最新の製品仕様をご確認の上，製品保証範囲内でご使用いただくと共に，考慮されるべ
き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」，「半導体信頼性ハンドブック」な
どでご確認ください。
• 本資料に掲載されている製品は，一般的電子機器（コンピュータ，パーソナル機器，事務機器，計測機器，産業
用ロボット，家電機器など）に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され，その故
障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器（原子力制御機器，航空宇宙機器，輸送
機器，交通信号機器，燃焼制御，医療機器，各種安全装置など）にこれらの製品を使用すること（以下“特定用
途”という）は意図もされていませんし，また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用
途に使用することは，お客様の責任でなされることとなります。
• 本資料に掲載されている製品を，国内外の法令，規則及び命令により製造，使用，販売を禁止されている応用製
品に使用することはできません。
• 本資料に掲載してある技術情報は，製品の代表的動作・応用を説明するためのもので，その使用に際して当社及
び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
• 本資料に掲載されている製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合
せください。本資料に掲載されている製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令な
どの法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様が適用される法令を遵守しないこ
とにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
• 本資料の掲載内容は，技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
16
2007-05-18

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