InP
InP Single
Single Crystal
Crystal Wafers
Wafers((pp--Type
Type))
Standard Specifications
Specifications
Standard
VCZ（＊１）
・Zn
Growth Method・Dopant
１８
-３
Carrier Concentration（㎝ ）
２∼６×１０
Resistivity（Ω・㎝）
２∼７×１０
-２
２
３５∼８０
Mobility（㎝ /V・sec）
２
-２
３
≦５×１０
EPD Average（㎝ ）
≦５×１０
１００%
EPD Guaranteed Area（＊２）
Fig.１
Fig.２
Diameter（㎜）
５０．
０±０．
３
７６．
０±０．
３
OF（㎜）
（Fig.３）
（＊３）
１６．
０±１．
０
２２．
０±１．
０
I F（㎜）
（Fig.３）
７．
０±１．
０
１２．
０±１．
０
Measuring Points of EPD
０．
２５
（Conform to SEMI Standards）
Edge Rounding（㎜R）
３５０±１５
Thickness（μm）
６００±１５
（１００）±０．
３°
Orientation
P/LE
Surface Finish
P/LE
P/P
P/P
Surface Clean（＊４）
EW
Flatness・LPD（＊５）
Refer to Page ８
Package
Individual Container
Fig.１
Fig.２
OF ５㎜
OF ５㎜
５㎜
５㎜
６９ Points
１３７ Points
Fig.３
CW( EJ )
CCW( US )
( Clockwise )
( Counter Clockwise )
"Dovetail" Etch(０１１)
"V" Etch(０１１)
OF( Primary )
OF( Primary )
(１００)
IF
( Secondary )
Notes
Notes
"V" Etch(０１１)
(１００)
IF
( Secondary )
"Dovetail" Etch(０１１)
（＊１）VCZ：Vapor Pressure Controlled Czochralski
（＊２）EPD Guaranteed Area：Percentage of points within the spec.
（＊３）High Precision OF（±０．
０２°
）is available for ２"φ.
（＊４）EW：Etched Wafer
（＊５）LPD：Light Point Defects
Attached
Attached Data
Data
● Standard：Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness（ min.∼max. ）
EPD Map
● Option ：Accuracy of Orientation・Flatness・Light Point Defects
７
S u b s t rate s