ﺑﺎﺳﻤﻪ ﺗﻌﺎﻟﻲ 30ﻧﻤﺮه اﻣﺘﺤﺎن ﻣﻴﺎنﺗﺮم VLSI ﻧﻴﻢﺳﺎل دوم 88 -89 120دﻗﻴﻘﻪ داﻧﺸﻜﺪهي ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ 2) .1ﻧﻤﺮه( اﮔﺮ ﻧﺴﺒﺖ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر PMOSﺑﻪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر NMOSرا ﺑﺎ µﻧﻤـﺎﻳﺶ دﻫـﻴﻢ ،ﺑـﺮاي ﻳـﻚ unit inverterﭘﻬﻨـﺎي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي NMOSو PMOSﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ 1و µﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد .ﻣﻘﺪار ) g (logical effortو ) p (parasitic delayرا ﺑﺮاي ﻳـﻚ NANDو ﻳﻚ NORﺑﺎ kورودي ﺑﻪ دﺳﺖ آورﻳﺪ. 5) .2ﻧﻤﺮه( ﺷﻜﻞ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮري ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ ﺟﺎﻧﻤﺎﻳﻲ ﺳﻤﺒﻮﻟﻴﻚ ﻣﻘﺎﺑﻞ را رﺳﻢ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ و ﺑﻴﺎن ﻛﻨﻴﺪ اﻳﻦ ﻣﺪار ﭼﻪ ﻋﻤﻠﻲ اﻧﺠﺎم ﻣﻲدﻫﺪ. 2) .3ﻧﻤﺮه( ﻳﻚ p-wellرا در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ .آﻳﺎ ﺗﻔﺎوﺗﻲ ﺑﻴﻦ tub tieو ndiff-metal1 viaوﺟﻮد دارد؟ 5) .4ﻧﻤﺮه( ﺗﺎﺑﻊ ) Y = (AB) + (A+BCرا در ﻣﻨﻄﻖ دوﻣﻴﻨﻮ ﺑﻪ ﺻﻮرت pipelineﭘﻴﺎده ﺳﺎزي ﻛﻨﻴﺪ )دو ﺗﺎﺑﻊ ﺑﻪ ﻃﻮر ﺟﺪاﮔﺎﻧﻪ ﺳﺎﺧﺘﻪ و ﺳﭙﺲ ﺑﺎ ﻫﻢ ORﺷﻮﻧﺪ( .ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﻫﺮ ﻣﺘﻐﻴﺮ و ﻣﻜﻤﻞ آن را در اﺧﺘﻴﺎر دارﻳﺪ .ﺑﻪ ﺟﺰ ﻣﻌﻜﻮسﻛﻨﻨﺪهاي ﻛﻪ ﺟﺰو ﮔﻴﺖﻫﺎي دوﻣﻴﻨﻮ اﺳـﺖ ،از ﻫﻴﭻ ﮔﻴﺖ ﻏﻴﺮ دوﻣﻴﻨﻮ ﻧﺒﺎﻳﺪ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد. 2) .5ﻧﻤﺮه( در ﻣﺪار ﻣﻘﺎﺑﻞ ،وروديﻫﺎي Xو Yرا ﺑﻪ ﮔﻮﻧﻪاي ﻣﺸﺨﺺ ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﺪار ،ﻳﻚ XNORﺳﻪ ورودي ﺷﻮد) .ﻛﻨﻜﻮر ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ ﺳﺎل (85 4) .6ﻧﻤﺮه( در ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ،0.18µmﻳﻚ NORدو ورودي ﻃﺮح ﻛﺮدهاﻳﻢ ﻛﻪ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي nmosآن اﺑﻌﺎد 6/2و ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎي pmosآن اﺑﻌﺎد 12/2دارﻧﺪ )اﺑﻌﺎد ﺑﺮ ﺣﺴﺐ .(زﻣﺎن ﺻﻌﻮد )ﮔﺬر از 10%ﺑﻪ (90%را ﺑﺮاي ﺣﺎﻟﺘﻲ ﻛﻪ ﺧﺮوﺟﻲ اﻳﻦ ﮔﻴـﺖ ﺑـﻪ ﻳـﻚ ﺳـﻴﻢ metal1ﺑـﻪ ﭘﻬﻨﺎي 3و ﻃﻮل 10,000وﺻﻞ ﺷﺪه ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﺪ .از ﺧﺎزن ﭘﺎرازﻳﺖ ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎ ﺻﺮف ﻧﻈﺮ ﻛﻨﻴﺪ .در اﻳﻦ ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ،ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑـﺎ اﺑﻌﺎد ﺣﺪاﻗﻞ دارﻳﻢRnmos = 6.5 K, Rpmos = 29.6 K : ﺑﺮاي metal1دارﻳﻢRm1 = 0.08 / ،Cm1,fringe = 54 aF/µm ،Cm1,plate = 36 aF/µm2 : 5) .7ﻧﻤﺮه( در ﻣﺴﺄﻟﻪي ﻓﻮق ،ﻓﺮض ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺳﻴﻢ را ﺑﺎ دو ﻗﻄﻌﻪي RCﻣﺪل ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ )ﻫﺮ ﻳﻚ از دو ﻣﻘﺎوﻣﺖ ،ﻧﺼﻒ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻛﻞّ ﺳﻴﻢ اﺳﺖ .ﻫﻢ ﭼﻨﻴﻦ ﺑﺮاي ﺧﺎزنﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺪل( .ﺧﺎزن ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر )ﻛﻪ ﺑﺮاي ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮر ﺑﺎ اﺑﻌﺎد ﺣﺪاﻗﻞ 0.9 fFﻣﻲﺑﺎﺷﺪ( را ﻧﻴـﺰ در ﻣﺤﺎﺳـﺒﺎت دﺧﺎﻟـﺖ دﻫﻴﺪ .ﻣﺠﺪداً زﻣﺎن ﺻﻌﻮد را ﺑﻪ دﺳﺖ آورﻳﺪ. x 5) .٨ﻧﻤﺮه( در ﺷﻜﻞ ﻣﻘﺎﺑﻞ ،اﻧﺪازهي ﺧﺎزنﻫﺎي ورودي ﻫﺮ ﮔﻴﺖ در داﺧﻞ آن ﻧﻮﺷﺘﻪ ﺷـﺪه اﺳـﺖ. y اﻧﺪازهي xو yرا ﺑﺮاي ﻛﻤﻴﻨﻪ ﺷﺪن ﺗﺄﺧﻴﺮ از ﻧﻘﻄﻪي Aﺗﺎ Bﺑﻪ دﺳﺖ آورﻳﺪ .اﻳﻦ ﺗﺄﺧﻴﺮ ﭼﻘـﺪر 45 اﺳﺖ؟ 45 B y x x 8 A
© Copyright 2026 Paperzz