Midterm_Solution.doc

‫بسمه تعالي‬
‫‪ 60‬نمره‪90 -‬‬
‫امتحان ميانترم ‪VLSI‬‬
‫مهندسي‬
‫دانشکدهي‬
‫دقيقه‬
‫کامپيوتر‬
‫نيم سال دوم ‪86-87‬‬
‫‪)3‬‬
‫‪ )4‬خازن در نقاط مختلف‪:‬‬
‫‪Cs = 2* 15 + 2*20 = 70 fF‬‬
‫‪Cx = Cy = 2*20 = 40 fF‬‬
‫بدترين ‪ charge sharing‬وقتي رخ ميدهد که در‬
‫فاز ارزيابي قبل‪ ،‬نقاط ‪ X‬و ‪ Y‬به صفر‬
‫دشارژ شده باشند و در فاز ‪A = B = C ،precharge‬‬
‫‪ = 0‬باشد و در فاز ارزيابي‪ A = B =1 ،‬شود‬
‫ولي ‪ .C=0‬لذا بين خازن نقطهي ‪ S‬و خازنهاي‬
‫نقاط ‪ X‬و ‪ Y‬تسهيم بار ميشود‪:‬‬
‫‪Vs = Vx = Vy = Vdd * 70 / (70 + 80) = 0.47 Vdd‬‬
‫مقابله‪ :‬نقاط مياني را نيز ‪precharge‬‬
‫روش‬
‫کنيم‪.‬‬
‫‪‬‬
‫‪S‬‬
‫‪x‬‬
‫‪Y‬‬
‫‪A‬‬
‫‪B‬‬
‫‪C‬‬
‫شش‬
PMOS
VOH = 5
-‫) الف‬5
‫ مقاومت ترانزيستور‬-‫ب‬
،‫ است‬NMOS ‫برابر ترانزيستور‬
VOL = 5 * 1/(1+6) = 0.714 V :‫لذا‬
V
)6
out’ = C + C’ (B + B’A) = C + BC’ + AB’C’
 out = C’ (B’+C)(A’ + B + C) = A’B’C’ = (A+B+C)’ (NOR gate)
)7
)8