光電材料實驗室(科技 3B212, 3620)
Optoelectronic Materials Lab.(3B212,3620)
負責老師：林彥勝
Prof. Yen-Sheng Lin
實驗室分機：3987, 3834
Lab. Phone: 3987, 3834
一、實驗室特色(The features of laboratory)
建立基礎研究之先進光電材料試片準備、製程及分析量測實驗室。除提供本系作為基本之光電材料教學實
驗室外，亦支援本校相關系所教師及研究生自行研製有關奈米薄膜、光電及半導體等元件。
To establish laboratory as the basic research for the preparation of advance optoelectronic
materials specimens、growth procedure and analysis of measurement. To provide not only
teaching of basic optoelectronic materials lab. for Department of Electronics Engineering, but
also support teachers and postgraduates who come from the related department to research and
produce about the analysis of basic materials in nano-thin films, optoelectronics and
semiconductor components.
二、主要適用對象(The main suitable persons)
研究所(graduate school)、大四(Senior)、大三(Junior)
三、實驗設備(Experiment equipments)

直流電源供應器(DC power supply)

交流電源供應器(AC power supply)

光譜量測儀(Spectrometer)

超音波震盪器(Sonicator)
1 
室溫加熱板(Heater)

可變速鑽石切割機

高 解 析 光 學 顯 微 鏡 分 析 設 備 (High-resolution optical microscopy analysis
equipment)
2 *數位式電腦輸出、顯微影像可測量尺寸數據、半導體目檢外觀、電鍍金屬觀察、微細顆
粒觀察(Digital type computers output、measurable data by micro image、surface observation
of semiconductor、coating observation、micro particles observation)
*廣角 WF10X/左眼獨立視差調整(pantoscopic、WF10X/ Left eye independent parallax
adjustment)
圓柱 / 齒條式調焦系統(Column/ Rack type focusing system)
255X200mm 標準無光平台(255X200mmStandard non-light platform)
 光電材料分析試片製程設備(Optoelectronic Materials analysis equipment)
Disk Size: 2 x 10" or 12" Working Wheel Speed Fixed Speed 150/300 or variable speed 50 ‐ 600 rpm 3 
快速升溫熱處理機(Rapid Thermal Annealing)
主要是利用快速升降溫的方式對晶片做有效的熱處理，並減少雜質的外擴散效應，較傳
統的爐管減少許多熱運算。目前機台使用的溫度範圍由室溫~1200℃升溫速率 50℃/sec，
以 1~2 吋 sample 為主。(Mainly by using a rapid increase and decrease the temperature to do
the effective heat treatment in chips, and reduce the effect of external diffusion in impurities, it
has less calculation of thermal than traditional tube. The temperature range used in the RTA is
from room temperature to 1200℃, and the rate of increase temperature is 50℃/sec, the size of
the sample is suitable for 1~2 inches.)

真空離子濺鍍機(Ion Sputter)
4 *功能:(Function)
主要濺鍍靶材(Main sputter target material): ZnO2、TiO2、AZO、 SiO2
規格(Specification):
(1)最大輸出功率(Maximum output power) : RF(600W)
(2)射頻產生器操作頻率(Radio frequency producer operation frequency):13.56 MHz
(3)單靶式(single target) : 3 inch target material
(4)基板可加熱至 MAX 600℃( Substrate heated to 600℃)
(5)最高真空至 E-6 Torrs (High vacuum to E-6 Torrs)
 奈米級多層薄膜測量儀(Nanometer level multi-layer thin film measuring
instrument)

測量範圍: 20～50 微米（僅厚度）
，100 奈米到 10 微米（厚度/ n＆k 值）

可測量層: 高達 4 層

光點尺寸（正常下: 可調 0.8 毫米至 1 厘米）
5 
可搭配顯微鏡後將 Spot Size 降低達到 10 微米(相當 100 奈米)

樣本大小: 從 1 毫米以上

厚度精度: 更大的± 1 毫微米或± 0.5％

精密: 0.2 奈米

重複性: 0.1 奈米

平台大小: 200 毫米 x 200 毫米
一台主要的薄膜測量機台（110 伏特至 240 伏特交流電）
，包括鹵鎢燈光源和一個搭接 PC 架構
的 USB 介面光學微型光譜儀。
 載子特性量測系統 (Carrier Characteristic Measurement)
1.載子濃度 (Carrier Density), 範圍: 107~1021 (cm-3)
2.載子遷移率 (Carrier Mobility), 範圍: 1~107 (cm2/V.sec)
3.電阻率 (Resistivity), 範圍: 10-4 - 107 (Ohm-cm),
4.輸入電流(Input Current): 1nA – 20mA
5.判別薄膜極性: P 或 N 型
6.量測溫度:室溫與 77K 液氮溫度及常溫(Ambient Temperature)(含加熱器)
7.可量測薄膜試片尺寸為 5mm up to 30mm(Square) 厚度: up to 5.5mm
8.可量測之薄膜材料包含：Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InGaAsN、
InP、AlInP、AlInGaP、AlGaAs、AlGaInAs、GaN、InGaN、AlGaN、
Diamond、SiN..等 N 型或 P 型薄膜材料
9. Manget Flux Density: 標準配置: 0.55T
可選擇另購更換不同磁場,0.31T, 0.37T, 1T
四、未來展望(Prospect)
1. 實驗室短程目標：AZO 透明導電薄膜、矽晶太陽能電池及藍光 LED 製程、材料及光
電特性分析。
6 1. The short -term targets of laboratory: AZO transparent conducting film and blue LEDs
production processes、materials and optoelectronics analysis.
2.實驗室長期發展方向：高效率 AZO 透明導電薄膜製程設計及相關材料光電特性分析。
2. The direction of long-term development of laboratory: High efficiency AZO transparent
conducting film production processes design and optoelectronic analysis.
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