Matakuliah
Tahun
Versi
: H0014/Elektronika Diskrit
: 2005
:1
Pertemuan 21
FIELD EFFECT TRANSISTOR
( FET )
1
Learning Outcomes
Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa
akan mampu :
Menjelaskan struktur, tipe dan cara kerja dari FET.
2
Outline Materi
• Struktur FET.
• Simbol dan tipe FET.
• Cara kerja FET.
3
FIELD EFFECT TRANSISTOR
STRUKTUR FET
D
G
VGS
p
p
VDS
n
S
4
OPERASI FET
D
G p
VGS
D
D
p
n
S
VGS = 0
VDS
G p
VGS
p
VDS
n
S
VGS = -2V
G p
VGS
p
VDS
n
S
VGS = -4V
5
OPERASI FET
D
G p
VGS
D
D
p
n
S
VDS
G p
VGS
p
n
S
G p
VDS
VGS
p
VDS
n
S
VDS = 1V
VDS = 2V
VDS = 4V
VGS = 0V
VGS = 0V
VGS = 0V
6
KURVA KARAKTERISTIK
VP = - VGS(off)
ID
ID
Daerah Ohmic
VGS = 0V
IDSS
Daerah
Breakdown
VGS = -1V
Daerah aktif
VGS = -2V
VGS = -3V
VGS(off) = -4V
VP
VDS(maks) VDS
Kurva drain dengan gate
dan source dihubung singkat
VP = 4V
VDS
Kurva drain dengan
beberapa nilai VGS
7
SIMBOL DAN POLARITAS
D
kanal
+
D
G
ID
G
VDS
_
VGS
S
_
+
S
D
kanal
D
G
ID
G
VDS
+
S
_
VGS
_
+
S
8
KURVA TRANSKONDUKTANSI
ID
VGS = 0V
IDSS
VGS = -1V
VGS = -2V
VGS = -3V
VGS(off) = -4V
VGS( V )
-4
-3
-2
-1
0
VP = 4V
Kurva transkonduktansi dari kurva drain


V
GS

ID  IDSS . 1 
 V

GS (off ) 

2
9
NORMALISASI
ID
IDSS
1
ID
9/16
VGS
VGS(off)
IDSS


V
GS

 1
 V

GS ( off ) 

2
4/16
1
3/4
2/4
1/4
0
1/16
10
CONTOH
+ VDD
Tentukan arus drain pada rangkaian disamping
ini jika arus drain maksimum IDSS = 2 mA,
VGS(off) = -4 volt.
RD

VGS 

ID  IDSS . 1 


V
GS
(
off
)


 2V 

ID  2mA. 1 

 4V 

VGS = - 2V
2
2
ID  (2mA ).(0.25 )
ID  0.5 mA
11