download

Matakuliah
Tahun
Versi
: H0014/Elektronika Diskrit
: 2005
:1
Pertemuan 8
DAERAH OPERASI
DAN
KURVA KARAKTERISTIK
1
Learning Outcomes
Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa
akan mampu :
• Menjelaskan daerah operasi dan kurva
karakteristik transistor.
2
Outline Materi
• Daerah operasi transistor.
• Kurva karakteristik transistor.
3
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
IC
daerah saturasi
daerah
breakdown
daerah aktif
5 mA
4 mA
50 uA
40 uA
30 uA
3 mA
2 mA
1 mA
20 uA
10 uA
daerah cutoff
IB=0
VCE
Kurva Kolektor
4
DAERAH SATURASI
• Bagian yang hampir vertikal dari kurva
dekat dengan origin.
• Jika VCE besarnya nol, arus kolektor juga
nol karena dioda kolektor reverse biased.
• Jika VCE lebih besar nol tetapi kurang dari
0.7 V, maka dioda kolektor sedikit dalam
keadaan forward bias.
• Jika VCE diatas 0.7V, dioda kolektor
menjadi reverse biased dan arus kolektor
hampir konstan.
5
DAERAH BREAKDOWN
• Jika tegangan kolektor terlalu besar, dioda
kolektor breakdown dan ditunjukkan
dengan kenaikan yang cepat dari arus
kolektor.
• Disipasi daya ( power dissipation ) yang
besar dapat mengakibatkan transistor
rusak.
6
DAERAH AKTIF
• Daerah dimana kurva kolektor hampir
horisontal ( arus kolektor hampir konstan ).
• Daerah dimana titik operasi berada
diantara daerah saturasi dan daerah
breakdown.
7
DAERAH CUTOFF
• Daerah dimana IB sama dengan nol.
• Ada arus kolektor yang kecil karena arus
bocor pada dioda kolektor.
8
CURVE TRACER
• Kebanyakan lembar data transistor tidak
menunjukkan kurva kolektor.
• Untuk melihat kurva kolektor dapat
digunakan curve tracer.
9
MENGUJI TRANSISTOR
0
-
+
(a)
0
-
+
(b)
Menguji dioda emitter
10
MENGUJI TRANSISTOR
0
-
+
(a)
0
-
+
(b)
Menguji dioda kolektor
11