F O R M O R E T H A N 3 0 Y E A R S , the Semiconductor Division of Sumitomo
Electric has maintained its leadership position as the world's largest manufacturer of
gallium arsenide (GaAs) and indium phosphide (InP). One key to Sumitomo's strength
as a supplier of compound semiconductor materials is the company's diversified portfolio
of crystal growth technologies for both epitaxial and bulk crystal growth. Sumitomo
leverages this broad technology base to develop high-quality, cost-effective manufacturing
solutions to application-specific needs.
The name Sumitomo has become synonymous with quality in 3-5 materials. Sumitomo
Electric achieved this reputation by providing its global customers with superior-quality
substrates that result in higher yields and devices with consistent electrical characteristics.
Unrivaled experience in materials and manufacturing technologies allows Sumitomo
to deliver highly uniform crystals and surfaces__wafer to wafer, ingot to ingot, and year
after year.
Contents
Contents
Substrates
GaAs Single Crystal Wafers
InP Single Crystal Wafers
Semi-Insulating Type
1
LEDs
2
Laser Diodes
3
Semi-Insulating Type
4
n-Type
5
p-Type
6
Flatness, Light Point Defects
7
Categories of Off-Orientation
8
GaN Substrates
GaN Single Crystal Wafers for Blue LEDs & LDs
9
Epitaxial Wafers
Application and Growth Method of Epitaxial Wafers
GaAs LPE Epitaxial Wafers
10
11~12
GaAs Chloride VPE Epitaxial Wafers
13
InP Chloride VPE Epitaxial Wafers
14
InP OMVPE Epitaxial Wafers
15
AlGaInP OMVPE Epitaxial Wafers
16
GaAs OMVPE & MBE Epitaxial Wafers
17~18
Conduction Type
Semi−Insulating
Growth Method・Dopant
VB・C−Controlled
for Epi.
Use
for Ion−Implantation
Controlled
-３
Carbon Concentration（㎝ ）
Controlled
１５
１５
（０．
５∼２０×１０ ）
（０．
５∼３×１０ ）
８
Carrier Concentration（㎝-３）
≦１×１０
７
Resistivity（Ω・㎝）
２
Mobility（㎝ /V・sec）
-２
７
≧１×１０
１∼４×１０
≧３０００
≧６０００
≦５０００
≦１００００
≦５０００
≦１００００
Fig.１
Fig.２
Fig.１
Fig.２
Diameter（㎜）
１００．
０±０．
３
１５０．
０±０．
３
１００．
０±０．
３
１５０．
０±０．
３
OF（㎜）
（Fig.３）
３２．
５±１．
０
Notch（＊３）
３２．
５±１．
０
Notch（＊３）
I F（㎜）
（Fig.３）
１８.０±１．
０
（SEMI Standards）
１８.０±１．
０
（SEMI Standards）
EPD Average（㎝ ）
Measuring Points of EPD
０．
２５
（Conform to SEMI Standards）
Edge Rounding（㎜R）
６２５±２５
Thickness（μm）
６７５±２５
６２５±２５
Orientation
２°
off＜１１０＞±０．
３°
（１００）±０．
３°
, （１００）
Surface Finish
P/P
Surface Clean
SC＋ （Super Clean Plus）
Flatness・LPD（＊１）
Refer to Page ７
Package（＊２）
Cassette
Fig.１
OF
Fig.２
10㎜
Fig.３
10㎜
６７５±２５
CW( EJ )
CCW( US )
( Clockwise )
( Counter Clockwise )
"Dovetail" Etch(０１１)
"V" Etch(０１１)
OF( Primary )
OF( Primary )
10㎜
４５°
(１００)
IF
( Secondary )
４"φ：６９ Points
６"φ：１５ Points
"V" Etch(０１１)
(１００)
IF
( Secondary )
"Dovetail" Etch(０１１)
（＊1）LPD：Light Point Defects
（＊2）Individual Container is also available.
（＊3）Notch：Axis〔010〕, Depth 1㎜, Angle 90°
●
●
１
Standard ：Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness・Flatness（ min.∼max. ）
Option ：EPD Map・Accuracy of Orientation・Light Point Defects
Substrates
GaAs
GaAs Single
Single Crystal
Crystal Wafers
Wafers for
for LEDs
LEDs
Standard
Standard Specifications
Specifications
Conduction Type
n-Type
p-Type
HB・Si
Growth Method・Dopant
-３
VB・Si
HB・Zn
１９
１７
１７
１７
１７
１７
１７
０．
８∼４×１０
-３
-３
-３
-３
-３
-３
２．
２∼９．
５×１０
３
３
Carrier Concentration（㎝ ） ２∼７×１０ ５∼３０×１０ １０∼４０×１０ ０.５∼４０×１０ ４∼３５×１０ ２∼３５×１０
Resistivity（Ω・㎝）
-３
２．
５∼９×１０ １∼５×１０ ０．
８∼３×１０ ０．
８∼２０×１０ １∼７×１０ １∼１５×１０
２
３
Mobility（㎝ /V・sec）
３
１．
４∼４×１０
２．
５∼４．
５×１０ １．
６∼３．
５×１０ １．
４∼２．
９×１０
４
-２
EPD Average（㎝ ）
Measuring Points of EPD
３
５０∼９５
３
４
３
≦１×１０
≦１×１０
≦２×１０
≦５×１０
Fig.１
Fig.２
Fig.３
Fig.４
Fig.１
≦１×１０
Diameter（㎜）
５０．
０±０．
３
５０．
０±０．
３
７６．
０±０．
３
１００．
０±０．
３
５０．
０±０．
３
OF（㎜）
（Fig.５）
１６．
０±１．
０
１６．
０±１．
０
２２．
０±１．
０
３５．
５±１．
０
１６．
０±１．
０
I F（㎜）
（Fig.５）
７．
０±１．
０
７．
０±１．
０
１２．
０±１．
０
１８．
０±１．
０
７．
０±１．
０
Edge Rounding（㎜R）
（Fig.６）
０．
２５
（Conform to SEMI Standards）
３００±２５
Thickness（μm）
３５０±２５
３５０±２５
（１００）±０．
３°
E/E
Surface Finish
P/E
ST［Standard（Organic Solvent Cleaning）］, SC−E（Super Clean Type E）
Surface Clean
Package
OF
３００±２５
（１００）±０．
３°
, （１００）
２°
∼１５°
off±０．
３°
Orientation
Fig.１
４５０±２５ ３５０±２５
Cassette / Individual Container
Fig.２
OF
５㎜
Fig.３
５㎜
OF
５㎜
５ Points
OF
10㎜
10㎜
10㎜
６９ Points
Fig.５
Fig.４
10㎜
３７ Points
６９ Points
Fig.6
CW( EJ )
CCW( US )
( Clockwise )
( Counter Clockwise )
"Dovetail" Etch(０１１)
"V" Etch(０１１)
OF( Primary )
OF( Primary )
A
B
D
C
(１００)
IF
( Secondary )
(１００)
IF
( Secondary )
"V" Etch(０１１)
X
The center of a wafer
A
B
C
D
（μm）
X
（μm） Y
0
30
0
508
117
51
76
0
"Dovetail" Etch(０１１)
Y
Attached
Attached Data
Data
●
●
Standard ：Carrier Concentration・Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness（ min.∼max. ）
Option ：EPD Map・Accuracy of Orientation・Flatness
Substrates
２
GaAs
GaAs Single
Single Crystal
Crystal Wafers
Wafers for
for Laser
Laser Diodes
Diodes
Standard
Standard Specifications
Specifications
Conduction Type
p−Type
n−Type
VB・Si
HB・Si
Growth Method・Dopant
Carrier Concentration（㎝ ）
１∼４×１０
Resistivity（Ω・㎝）
０．
８∼３×１０
-３
１．
２∼３×１０
３
Diameter（㎜）
OF（㎜）
（Fig.３）
２
≦５×１０
≦１×１０
Fig.１
３
≦２×１０
Fig.２
Fig.１
５０．
０±０．
３
７６．
０±０.３
５０．
０±０．
３
１６．
０±２．
０
２２．
０±２．
０
１６．
０±１．
０
１２．
０±１．
０
７．
０±１．
０
Fig.１
Measuring Points of EPD
５０∼９０
２
≦２×１０
EPD Average（㎝ ）
-３
２．
２∼８×１０
３
１．
４∼２．
９×１０
-２
１∼５×１０
１∼５×１０
3
２
１９
０．
５∼４×１０
-３
Mobility（㎝ /V・sec）
HB・Zn
１８
１８
-３
Natural Cleavage
I F（㎜）
（Fig.３）
７．
０±１．
０
０．
２５
（Conform to SEMI Standards）
Edge Rounding（㎜R）
（Fig.４）
３５０±１０
Thickness（μm）
３５０±１０
４５０±１０
２°
∼１５°
off±０．
３°
（１００）±０．
３°
, （１００）
Orientation
３５０±１０
（１００）±０．
３°
P/LE
Surface Finish
SC−E
（Super Clean Type−E）
Surface Clean
SC−E
SC＋
（Super Clean Plus）（Super Clean Type−E）
Flatness
Refer to Page ７
Package
Cassette / Individual Container
Fig.１
OF
Fig.２
５㎜
OF
10㎜
５㎜
10㎜
６９ Points
Fig.３
３７ Points
Fig.４
CW( EJ )
CCW( US )
( Clockwise )
( Counter Clockwise )
"Dovetail" Etch(０１１)
"V" Etch(０１１)
OF( Primary )
OF( Primary )
A
B
X
D
(１００)
IF
( Secondary )
C
(１００)
IF
( Secondary )
"V" Etch(０１１)
The center of a wafer
"Dovetail" Etch(０１１)
A
B
C
D
（μm）
X
（μm） Y
０
３０
０
５０８
１１７
５１
７６
０
Y
Attached
Attached Data
Data
●
●
３
Standard ：Carrier Concentration・Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness（ min.∼max. ）
Option ：Accuracy of Orientation・Flatness・Light Point Defects
Substrates
InP
InP Single
Single Crystal
Crystal Wafers
Wafers((Semi
Semi--Insulating
InsulatingType
Type))
Standard
Standard Specifications
Specifications
Growth Method・Dopant
LEC・Fe
VCZ（＊1）
・Fe
Fe Concentration（wtppm）
≧０．
３
Resistivity（Ω・㎝）
≧１×１０
７
３
２
≧２×１０
Mobility（㎝ /V・sec）
EPD Average（㎝-２）
VB（＊2）
・Fe
４
４
４
３
４ ≦７×１０
≦５×１０
≦１×１０
Fig.１
Fig.２
Fig.３
Fig.４
Fig.５
Diameter（㎜）
５０．
０±０．
３
７６．
０±０．
３
５０．
０±０．
３
７６．
０±０．
３
１００．
０±０．
３
（＊３）
OF（㎜）
（Fig.６）
１６．
０±１．
０
２２．
０±１．
０
１６．
０±１．
０
２２．
０±１．
０
３２．
５±１．
０
I F（㎜）
（Fig.６）
７．
０±１．
０
１２．
０±１．
０
７．
０±１．
０
１２．
０±１．
０
１８．
０±１．
０
Measuring Points of EPD
３５０±１５
３５０±１５
６００±１５
____
P/E
____
____
P/LE
P/LE
P/LE
P/LE
P/P
P/P
P/P
P/P
Surface Clean（＊４）
Flatness・LPD（＊５）
Refer to Page ７
Package
OF
６２５±２５
P/E
EW
Fig.１
６００±１５
（１００）±０．
３°
Orientation
Surface Finish
≦５×１０
０．
２５
（Conform to SEMI Standards）
Edge Rounding（㎜R）
Thickness（μm）
≦５×１０
3
≦５×１０
____
P/P
Individual Container
Fig.２
５㎜
Fig.３
OF
５㎜
OF
Fig.４
５㎜
OF ５㎜
５㎜
５㎜
１７ Points
Fig.５
１３７ Points
４９ Points
２５ Points
OF
Fig.６
５㎜
CW( EJ )
CCW( US )
( Clockwise )
( Counter Clockwise )
"Dovetail" Etch(０１１)
"V" Etch(０１１)
OF( Primary )
OF( Primary )
(１００)
IF
( Secondary )
Notes
Notes
３７ Points
"V" Etch(０１１)
(１００)
IF
( Secondary )
"Dovetail" Etch(０１１)
（＊1）VCZ：Vapor Pressure Controlled Czochralski
（＊2）VB：Vertical Boat
（＊3）High Precision OF（±0.02°
）is available for 2"φ.（OF Finish：Grinding without Edge Rounding）
（＊4）EW：Etched Wafer
（＊5）LPD：Light Point Defects
Attached
Attached Data
Data
●
●
Standard ：Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness（ min.∼max. ）
EPD Map（except LEC Fe doped）
Option ：EPD Map（LEC Fe doped）
・Accuracy of Orientation・Flatness・Light Point Defects
Substrates
４
InP
InP Single
Single Crystal
Crystal Wafers
Wafers((n
n--Type
Type))
１８
２∼８×１０
Resistivity（Ω・㎝）
０．
６∼２．
５×１０
-３
２
≧０．
１５
３
１∼２×１０
≦５×１０
≦１×１０
１∼６×１０
３
Mobility（㎝ /V・sec）
１６
１∼４×１０
-３
２
LEC・None
１８
Carrier Concentration（㎝ ）
-３
EPD Average（㎝-２）
VCZ（＊１）
・Sn
VCZ（＊１）
・S
Growth Method・Dopant
３
１．
２∼２．
１×１０
３
３
≦５×１０
３．
５∼４．
５×１０
４
≦５×１０
５
≦１×１０
≦１×１０
１００%
EPD Guaranteed Area（＊２）
Fig.３
Fig.４
Fig.２
Fig.４
Fig.１
Diameter（㎜）
５０．
０±０．
３
７６．
０±０．
３
５０．
０±０．
３
７６．
０±０．
３
５０．
０±０．
３
OF（㎜）
（Fig.５）
（＊３）
１６．
０±１．
０
２２．
０±１．
０
１６．
０±１．
０
２２．
０±１．
０
１６．
０±１．
０
I F（㎜）
（Fig.５）
７．
０±１．
０
１２．
０±１．
０
７．
０±１．
０
１２．
０±１．
０
７．
０±１．
０
Measuring Points of EPD
０．
２５
（Conform to SEMI Standards）
Edge Rounding（㎜R）
Thickness（μm）
３５０±１５
６００±１５
３５０±１５
____
P/E
____
P/E
P/LE
P/LE
P/LE
P/LE
P/P
P/P
P/P
P/P
P/P
EW
Flatness・LPD（＊５）
Refer to Page ７
Package
OF
P/E
P/LE
Surface Clean（＊４）
Fig.１
３５０±１５
（１００）±０．
３°
Orientation
Surface Finish
６００±１５
Individual Container
Fig.２
５㎜
Fig.３
OF ５㎜
５㎜
１７ Points
４９ Points
Fig.４
OF ５㎜
５㎜
５㎜
６９ Points
Fig.５
１３７ Points
CW( EJ )
CCW( US )
( Clockwise )
( Counter Clockwise )
"Dovetail" Etch(０１１)
"V" Etch(０１１)
OF( Primary )
OF( Primary )
(１００)
IF
( Secondary )
OF ５㎜
"V" Etch(０１１)
(１００)
IF
( Secondary )
"Dovetail" Etch(０１１)
（＊1）VCZ：Vapor Pressure Controlled Czochralski
（＊2）EPD Guaranteed Area：Percentage of points within spec.
（＊3）High Precision OF（±0.02°
）is available for 2"φ.（OF Finish：Grinding without Edge Rounding）
（＊4）EW：Etched Wafer
（＊5）LPD：Light Point Defects
●
●
５
Standard ：Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness（ min.∼max. ）
EPD Map
Option ：Accuracy of Orientation・Flatness・Light Point Defects
Substrates
InP
InP Single
Single Crystal
Crystal Wafers
Wafers((p
p--Type
Type))
-３
１８
２∼５×１０
-２
２∼7×１０
Carrier Concentration（㎝ ）
４∼６×１０
Resistivity（Ω・㎝）
２∼５×１０
２
１８
-２
３５∼６０
Mobility（㎝ /V・sec）
-２
VCZ（＊１）
・Zn
LEC・Zn
Growth Method・Dopant
３
５０∼８０
３
２
EPD Average（㎝ ）
≦５×１０
≦２×１０
≦５×１０
EPD Guaranteed Area（＊２）
１００%
≧６０%
≧４０%
Measuring Points of EPD
Fig.1
２
３
≦５×１０
≦５×１０
１００%
Fig.２
Fig.３
Diameter（㎜）
５０．
０±０．
３
７６．
０±０．
３
OF（㎜）
（Fig.４）
（＊３）
１６．
０±１．
０
２２．
０±１．
０
I F（㎜）
（Fig.４）
７．
０±１．
０
１２．
０±１．
０
０．
２５
（Conform to SEMI Standards）
Edge Rounding（㎜R）
３５０±１５
Thickness（μm）
６００±１５
（１００）±０．
３°
Orientation
Surface Finish
P/E
P/E
P/E
P/LE
P/LE
P/LE
P/LE
P/LE
P/P
P/P
P/P
P/P
P/P
Surface Clean（＊４）
EW
Flatness・LPD（＊５）
Refer to Page ７
Package
Fig.１
OF
____
P/E
Individual Container
Fig.２
５㎜
Fig.３
OF ５㎜
OF ５㎜
５㎜
５㎜
１７ Points
６９ Points
１３７ Points
Fig.４
CW( EJ )
CCW( US )
( Clockwise )
( Counter Clockwise )
"Dovetail" Etch(０１１)
"V" Etch(０１１)
OF( Primary )
OF( Primary )
(１００)
IF
( Secondary )
"V" Etch(０１１)
(１００)
IF
( Secondary )
"Dovetail" Etch(０１１)
（＊1）VCZ：Vapor Pressure Controlled Czochralski
（＊2）EPD Guaranteed Area：Percentage of points within the spec.
（＊3）High Precision OF（±0.02°
）is available for 2"φ.（OF Finish：Grinding without Edge Rounding）
（＊4）EW：Etched Wafer
（＊5）LPD：Light Point Defects
●
●
Standard ：Resistivity・Mobility・Diameter・OF・IF・Thickness（ min.∼max. ）
EPD Map
Option ：Accuracy of Orientation・Flatness・Light Point Defects
Substrates
６
Flatness
Flatness •• Light
Light Point
Point Defects
Defects
Flatness
Flatness
Size
Product
Semi-Insulating
GaAs
Laser
Diodes
Warp（μm）
TTV（μm）
TIR（μm）
LTV（μm）
Surface
Finish Guaranteed （Ref.） Guaranteed （Ref.） Guaranteed PLTV（％） （Ref.） Guaranteed （Ref.）
Guaranteed Typical
Typical
Typical
Typical
４"φ
P/P
６"φ
P/P
２"φ
３"φ
P/LE
P/E
２"φ
P/LE
P/P
InP
３"φ
４"φ
P/LE
P/P
P/P
≦２
１．
３
≦２
１．
２
≦１
（１５㎜□）
≧９０
０．
６
≦５
２
≦５
１．
５
１．
８
____
５
（２０㎜□）
≦１．
____
≧９０
____
０．
７
____
３
７
≦４
____
≦１０
≦１０
≦１０
７
____
____
____
____
____
≦１５
８
____
____
____
≦１５
１０
____
____
____
≦９
５
____
____
____
≦９
５
____
____
____
≦１０
７
____
____
____
≦１０
５
____
____
____
≦１０
５
≦１０
≦１５
≦６
≦６
≦８
≦６
≦５
６
１０
４
４
４
３
３
１２
１０
４
６
４
６
５
６
３
４
３
５
Definitions of
of Flatness
Flatness
Definitions
Total Thickness Variation：
TTV
The difference between the highest and the lowest elevation
of the top surface of a clamped wafer.
The back surface referenced.
A
Total Indicated Reading：
TIR
TTV
B TIR ＝｜A｜＋｜B｜
The difference between the highest point above and the lowest
point below the front surface referenced focal plane of a clamped wafer.
3 points on the front surface generally used.
Referenced
Focal Plane
Local Thickness Variation:
LTV
PLTV
Warp
The difference between the highest point and the lowest point
within a site of the top surface of a clamped wafer.
The back surface referenced.
Focal Plane
Focal Plane
Percent LTV：
LTV
Focal Plane
Percentage of sites on a wafer within the specified LTV value.
The difference between the highest point above and the lowest
point below the front surface referenced focal plane of an
unclamped wafer.
A least square fit on the front surface generally used.
A
B Warp ＝｜A｜＋｜B｜
Referenced
Focal Plane
Light
Light Point
Point Defects
Defects
Product
GaAs VB
（Semi−Insulating）
Size
Defect Size
４"φ
６"φ
≧０．
４μm
２"φ
InP
３"φ
４"φ
７
Substrates
≧１．
２μm
2
Pcs./Wafer
Guaranteed
（Ref.）Typical
≦５０
１０
≦１００
３０
≦２０
７
≦５０
１５
≦３０
１０
Categories
Categories of
of Off
Off--Orientation
Orientation
Clockwise
Clockwise ((EJ
EJ))
Surface
Counter
Counter Clockwise
Clockwise ((US
US))
Surface
Off−Orientation
Orientation
General
Specific
α
Case
〔１１０〕
４５°
A
nearest
〔１１０〕
２２５°
B
〈１１０〉
〔１０１〕
１３５°
C
〔１０１〕
３１５°
D
０°
E
１８０°
F
９０°
G
２７０°
H
〔１１１〕
（１００）
χ°
off
nearest
〔０１１〕
toward
〈１１１〉A
〔１１１〕
〔０１１〕
〔１１１〕
nearest
〔０１１〕
〈１１１〉B
〔１１１〕
〔０１１〕
Off−Orientation
Orientation
General
Specific
α
Case
〔１０１〕
４５°
I
nearest
〔１０１〕
２２５°
J
〈１１０〉
〔１１０〕
１３５°
K
〔１１０〕
３１５°
L
９０°
M
２７０°
N
０°
O
１８０°
P
〔１１１〕
（１００）
χ°
off
nearest
〔０１１〕
toward
〈１１１〉A
〔１１１〕
〔０１１〕
〔１１１〕
nearest
〔０１１〕
〈１１１〉B
〔１１１〕
〔０１１〕
Planar
Planar Representation
Representation ofof Cubic
Cubic Form
Form Planar
Planar Representation
Representation ofof Cubic
Cubic Form
Form
〔０１１〕
Face of Element Ⅲ（Ga, In）
（１１１）
〔００１〕
（１０１）
OF
Face of Element Ⅴ
（As, P）
（１１０）
α
〔０１１〕 （１１１）
（１１０） （１００） （１０１）
〔００１〕
（１１１）
〔０１１〕 （１１１） IF
（１１１） 〔０１１〕
〔００１〕
（１１１）
〔０１０〕
〔０１１〕
OF
IF
（１００）
IF
１）
（１０
（１０
１）
（１１１）
（０１
０）
Face of Element Ⅲ
（Ga, In）
（１０１） （１００） （１１０）
OF
（１１
０）
（１０１）
Round Wafer
（Mirror Face）
〔０１１〕
（１００）
OF
〔００１〕
α
IF （１１１） 〔０１１〕
Round Wafer
（Mirror Face）
〔０１０〕
Face of Element Ⅴ（As, P）
（１１１）
〔０１０〕
〔０１０〕
（１１０）
〔０１１〕
０）
（１１
（１１１）
１）
（００
（００
１）
０）
（０１
（０１１）
（０１１）
Example
Example of
of off−orientation
off−orientation
Example
Example of
of off−orientation
off−orientation
Case：G
→（１００）
θ°
off toward〔１１１〕
Case：P
→（１００）
θ°
off toward〔１１１〕
Vector Normal
to the（１００）plane
Vector Normal to the Slice Surface
θ° 〔１１１〕Vector Normal to the（１１１）plane
OF
off−orientation slice
Vector Normal
to the（１００）plane
Vector Normal to the Slice Surface
θ° 〔１１１〕Vector Normal to the（１１１）plane
off−orientation slice
OF
（１００）
IF
（１００）
IF
Projection of〔１１１〕on（１００）plane
Projection of〔１１１〕on（１００）plane
Substrates
８
LPE
VPE
OMVPE
MBE
InGaAs
GaAs
Application
AlGaAs
GaAs
InGaAsP
InGaAs
AlGaAs
InAsP
InGaP
GaAs
AlGaAs
AlGaInP
○
○
○
HEMT
○
○
HBT
○
MES−FET
Wireless
Fiber−optic
Communication
○
LD
○
PD（PIN,APD）
Opto−
LED
Electronics
LD
Other
○
LED
○
○
○
SBD
○
Sensor
○
V P E：Vapor Phase Epitaxy
L P E：Liquid Phase Epitaxy
M B E：Molecular Beam Epitaxy
OMVPE：Organo-Metallic Vapor Phase Epitaxy
MES-FET：Metal Semiconductor - Field Effect Transistor
H E M T：High Electron Mobility Transistor
H B T：Heterojunction Bipolar Transistor
L E D：Light Emitting Diode
L
D：Laser Diode
P
D：Photo Diode
S B D：Schottky Barrier Diode
E p i
１０
●
●
●
●
●
Good uniformity（Power, Epi-Thickness, Total Thickness）.
Mirror like surface.
Stability of p-n interface without thyristor.
Large diameter（∼78㎜φ）.
Various kinds of epi wafers for customers' requirements.
IR−LED
Coupler, Interrupter
Remote Controller
Sensor
●
●
●
Application
General
High Current
Middle Current
Product Name ＊
GS−９３０−６０
GS−９６０−７０T
GS−９６０−４５
Wavelength（nm）
９４０±１５
Small Current
GS−９６０−４０E
GS−９６０−７０E
９４５±１５
Structure
②
p−GaAs（Si）
①
n−GaAs（Si）
n−GaAs（Si）Sub.
-３
Epi.
１８
１８
１８
１８
≧１×１０
≧５×１０
≧１×１０
≧０．
８×１０
≧０．
８×１０
Thickness（μm）
５０∼８５
____
６０∼９５
____
３０∼６５
____
２５∼５５
____
５０∼９０
____
３５∼７０
３０∼７０
２５∼６０
３０∼７０
２５∼６５
-３
①C.C.（㎝ ）
Thickness（μm）
Within ５１㎜φ, ６１㎜φ, ６４㎜φ ,７８㎜φ
Size
１７
-３
Sub.
１８
②C.C.（㎝ ）
C.C.（㎝ ）
≧０．
５×１０
EPD（㎝-２）
４
≦１×１０
Orientation
（１００）±０．
５°
Type
n
２
≧ １０㎝ /Piece
Area
Total Thickness（μm）
２８０∼４４０
２３５∼３３５
２２０∼３２０
２１５∼３１５
２９０∼３９０
＊
＊
GS−９３０−６０
GW−９５０
Thickness of p−Epi Layer
Wavelength
Si doped
Wavelength
GaAs Window Structure
Wavelength
GaAs
１１
E p i
GL−８８０−SI
AlGaAs
Application
p−side Down
Product Name ＊
GS−９６０−１００T
Higher Output
GW−９５０
Wavelength（nm）
Structure
８８０±１０
③
p−AlGaAs（Zn）
②
p−GaAs（Si）
②
p−GaAs（Si）
①
n−GaAs（Si）
①
n−GaAs（Si）
１８
____
②C.C.（㎝ ）
≧０．
８×１０
Thickness（μm）
９０∼１２０
①C.C.（㎝ ）
p−AlGaAs（Si）
____
１５∼５５
≧1×１０
５∼４０
１４０∼２００
１８
____
____
＜０．
３
２５∼６５
４０∼１００
Within ５１㎜φ, ６１㎜φ, ６４㎜φ, ７８㎜φ
Within ５１㎜"φ
____
Al Content
Thickness（μm）
１７
-３
≧０．
５×１０
C.C（㎝ ）
≦１×１０
____
Orientation
（１００）±０．
５°
（１００）±０．
５°
Type
n
____
n
４
-２
Sub.
②
____
____
-３
Size
＜０．
１
２５∼７５
１８
n−AlGaAs（Si）
≧０．
８×１０
＜０．
１
Thickness（μm）
①
１８
≧０．
８×１０
③C.C.（㎝ ）
Epi.
n−GaAs（Si）Sub.
n−GaAs（Si）Sub.
-３
-３
GL−８８０−SI
GW−９５A
９４５±１５
n−GaAs（Si）Sub.
Al Content
Higher Output
EPD（㎝ ）
Remarks
Area
Total Thickness（μm）
Removed
２
２
≧ １０㎝ /Piece
≧ ８㎝ /Piece
≧ ６．
５㎝ /Piece
３５０∼４５０
２４０∼３６０
２００∼３５０
２
Adjusting Total Thickness is available on request.
Output Power is measured by SEI's standard system.
Other Specifications are available on request.
E p i
１２
●
●
●
-3
High purity thicker epi−layer（1×1014㎝ , 100μm）.
Low cost（ 2"φ, 3"φ, 4"φ）.
Low density of surface defect.
●
●
FET
Microwave Diode
FET
Application
Diode
Low Noise
Beam Lead
Power Schottky
Hyper Abrupt
Barrier
Varactor
n
③
Structure
n−GaAs
（Contact Layer）
②
n−GaAs
②
n−GaAs
①
Buffer
①
n−GaAs
S.I GaAs Sub.
≧１×１０
Thickness（μm）
０．
１∼０．
５
１７
Thickness（μm）
０．
２∼０．
８
０．
３∼０．
５
①C.C.（㎝-３）
≦１×１０
≧１×１０
Thickness（μm）
０．
１∼１．
５, ２∼４
３∼７
１４
____
____
____
１８
１４
１６
１４
１×１０ ∼１×１０
１∼４
n
（１００）
２°off toward＜１１０＞±０．
５°
１６
５×１０ ∼１×１０
３∼１００
Semi−Insulating
Other Specifications are available on request.
E p i
____
３００∼４５０,５５０∼６５０,６００∼６５０
Orientation
１３
n−GaAs Sub.
２"φ, ３"φ, ４"φ
Thickness（μm）
Type
n−GaAs
１７
１∼２×１０
Size
Sub.
①
n−GaAs Sub.
____
０．
５∼５×１０
②C.C.（㎝ ）
n−GaAs
①
１８
③C.C.（㎝-３）
-３
Epi.
S.I GaAs Sub.
Surface
InP
InP Chloride
Chloride VPE
VPE Epitaxial
Epitaxial Wafers
Wafers
●
●
Thicker epitaxy is available.
-3
14
High purity epi-layer is available（ 5×10 ㎝ ）.
●
●
Photo Diode for telecommunication
Optical Sensor（ 0.9∼2.6μm）
Application
PIN Photo Diode
Structure
③
n−InP
②
n−InGaAs
①
n−InP
Sensor
④
InAsP
③
InGaAs
②
InAsP
①
InAsP（Step）
n−InP Sub.
n−InP Sub.
④C.C.（㎝-３）
１６
０．
０１∼１００×１０
____
０．
３∼２
Thickness（μm）
-３
Epi.
１８
③C.C.（㎝ ）
≦１×１０
Thickness（μm）
０．
１∼３
-３
≦５×１０
Thickness（μm）
１∼５
１６
０．
０１∼１００×１０
０．
３∼５
１６
①C.C.（㎝ ）
≦１×１０
Thickness（μm）
１∼３
１６
０．
０１∼１００×１０
１∼１０
２"φ, ３"φ
Size
Sub.
０．
５∼５．
０
１５
②C.C.（㎝ ）
-３
１６
０．
０１∼１００×１０
３００∼４５０, ５５０∼６５０
Thickness（μm）
Type
n
Orientation
（１００）
２°
off toward＜１１０＞±０．
５°
Other Specifications are available on request.
Other various hetero structures are available.
Epi Structure
InP/InGaAs Step Layer/GaAs
Application
Buffer Epitaxial Wafer
E p i
１４
InP
InP OMVPE
OMVPE Epitaxial
Epitaxial Wafers
Wafers
●
●
Good uniformity,Precise epi-structure (Thinkenss,Fraction).
Various hetero−structures are available on request.
●
●
●
Photo Diode for telecommunication
Avalanche Photo Diode for telecommunication
Laser Diode for telecommunication
PIN Photo Diode
Application
Structure
APD
（Avalanche Photo Diode）
④
n−InP
③
p−InP
③
n−InP
③
n−InP
③
n−InGaAsP
②
InGaAsP
②
InGaAsP
②
n−InGaAs
②
n−InGaAs
①
n−InP
①
p−InP
①
n−InP
①
n−InP
≦１×１０
____
____
０．
５∼３
１６
１∼１００×１０
____
１８
Thickness（μm）
０．
１∼３
１８
１５
０．
８∼２×１０
≦５×１０
０．
５∼２
０．
１∼０．
５
②C.C.（㎝ ）
≦５×１０
____
Thickness（μm）
１∼５
____
０．
１∼０．
２
-３
-３
１５
１．
００∼１．
６２±０．
０１
-３
-３
≦ ±３×１０
≦ ±１×１０
１６
０．
８∼２×１０
①C.C.（㎝ ）
≦１×１０
Thickness（μm）
１∼３
１８
０．
５∼２
２"φ, ３"φ
Size
３００∼３７０, ３００∼６２０
Thickness（μm）
n（S,Sn）
Type（Dopant）
C.C（㎝ ）
p（Zn）
（１００）±０．
３°
Orientation
-３
１８
１８
２∼８×１０
EPD（㎝-２）
Other Specifications are available on request.
E p i
____
０．
１∼２
≦１×１０
Lattice Mismatch
１５
MQW, Strained MQW
１６
③C.C.（㎝-３）
Wavelength（μm）
Sub.
p−InP Sub.
n−InP Sub.
n−InP Sub.
Thickness（μm）
Epi.
FP−LD on p−sub.
n−InP
Thickness（μm）
④C.C.（㎝-３）
FP−LD on n−sub.
⑤
n−InP Sub.
⑤C.C.（㎝-３）
Laser Diode
１∼８×１０
≦５０００
１８
３∼６×１０
●
●
Excellent uniformity, Precise epi-structure.
Various hetero-structures are available on request.
●
Laser Diode for DVD
Application
Laser Diode
Structure
⑤
p−GaAs
④
p−GaInP
③
p−AlGaInP
②
MQW
①
n−AlGaInP
n−GaAs Sub.
-３
１８
⑤C.C.（㎝ ）
＞１×１０
Thickness（μm）
０．
５∼1
-３
④C.C.（㎝ ）
on request
Thickness（μm）
Epi.
③C.C.（㎝-３）
Thickness（μm）
１８
０．
５∼１×１０
０．
５∼１
-３
②C.C.（㎝ ）
on request
Thickness（μm）
①C.C.（㎝-３）
Thickness（μm）
０．
５∼１
２"φ, ３"φ
Size
Thickness（μm）
Sub.
１８
１∼２×１０
Dopant
-３
C.C.（㎝ ）
３４０∼３６０, ５８０∼６２０
Si
１８
１∼２×１０
EPD
≦２０００
Orientation
on request
E p i
１６
●
●
●
●
Precise structure with tight electrical and physical tolerances.
Good uniformity.
Abrupt interface.
Mass production（3"φ, 4"φ, 5"φ, 6"φ）.
●
●
●
Low noise amplifier for DBS
Power Amplifier for wireless communication
GaAs MMIC
Application
D−HEMT
P−HEMT
Structure
⑤
n−GaAs
④
n−AlGaAs
⑤
n−GaAs
③
AlGaAs
⑤
n−InGaAs
④
n−AlGaAs
②
InGaAs
④
n−AlInAs
③
AlGaAs
③
AlGaAs
③
AlInAs
②
InGaAs
④
n−AlGaAs
②
InGaAs
①
Buffer
①
Buffer
①
AlInAs
S.I. GaAs Sub.
⑤C.C（㎝-3）
S.I. InP Sub.
S.I. GaAs Sub.
１８
Thickness（nm）
Mole fraction（XIn）
④C.C（㎝ ）
-3
Epi.
InP based HEMT
１８
１∼５×１０
１∼５×１０
３０∼２００
＿＿＿
３０∼２００
０．
５３
１８
１８
１∼４×１０
１∼５×１０
（Available for planar doping）
（Available for planar doping）
Thickness（nm）
２∼５０
２０∼５０
Mole fraction（XAl,In）
０．
２∼０．
３
０．
５２
③Thickness（nm）
０∼３０
２∼３０
Mole fraction（XAl,In）
０．
２∼０．
３
０．
５２
②Thickness（nm）
５∼１５
５∼５０
Mole fraction（XIn）
０．
１∼０．
２２
０．
５３
①Thickness（nm）
２００∼８００
２００∼８００
Mole fraction（XIn）
（Available for Hetero−Buffer,Super Lattice Buffer,
０．
５２
Buried P−Buffer）
Size
Sub.
Thickness（μm）
Type
１７
E p i
３"φ,
４"φ,
５"φ,
６"φ
３"φ,
４"φ
６００±１０,
６２５±１０,
６２５±１０,
６７５±１０
６００±１５,
６２５±２５
Semi−Insulating
Application
Pulse doped FET
MES−FET
InGaP HBT
⑥
④
Structure
n−GaAs
n−InGaAs
⑤
n−GaAs
④
n −GaAs
④
n−InGaP
③
（Al）GaAs
+
③
p−GaAs
+
②
n−GaAs
②
n −GaAs
②
n−GaAs
①
Buffer
①
Buffer
①
n−GaAs
S.I.GaAs Sub.
S.I. GaAs Sub.
S.I. GaAs Sub.
１８
Thickness（nm）
５０∼１００
＿＿＿
＿＿＿
０→０．
５∼０．
６
Mole fraction（XIn）
（Graded suructure is available）
１７
-３
⑤C.C.（㎝ ）
④C.C.（㎝ ）
Thickness（nm）
Epi.
Mole fraction（XIn）
５０∼１００
１８
１８
３０∼２００
＿＿＿
Thickness（nm）
３０∼１００
０．
５１
１８
１９
０．
１∼５×１０
＿＿＿
１∼５×１０
５∼５０
５０∼１５０
＿＿＿
０∼０．
８
Mole fraction（XAl）
②C.C.（㎝ ）
１∼５×１０
５∼２００
＿＿＿
③C.C.（㎝ ）
-３
１７
０．
１∼５×１０
０．
１∼５×１０
-３
Thickness（nm）
１８
１×１０ ∼５×１０
＿＿＿
＿＿＿
Thickness（nm）
-３
１９
５×１０ ∼３×１０
⑥C.C.（㎝-３）
１７
１８
１６
１∼５×１０
０．
１∼５×１０
０∼５×１０
７∼５０
１００∼３００
５００∼１０００
＿＿＿
-３
①C.C.（㎝ ）
１７
１８
５×１０ ∼５×１０
Thickness（nm）
２００∼８００
Mole fraction（XAl）
（Available for Hetero−Buffer,Super Lattice Buffer,
２００∼５００
＿＿＿
Buried P−Buffer）
Sub.
Size
３"φ,
４"φ,
５"φ,
６"φ
Thickness（μm）
６００±１０,
６２５±１０,
６２５±１０,
６７５±１０
Type
Semi−Insulating
Other Specifications are available on request.
E p i
１８
MEMO
MEMO
Masatomo Sumitomo and Reimon Soga founded the original
Sumitomo business in Kyoto, the historic capital of Japan.
Reimon Soga created a technological innovation in copper refining
that set Sumitomo on a path to commercial success.
Three centuries later, the advent of commercially generated
electricity led the House of Sumitomo to establish the Sumitomo
Copper Rolling Works to meet the emerging demand for copper
wire. In 1911, the electric wire business spun off to become a
separate entity__Sumitomo Electric Wire and Cable Works.
As we have entered the 21st century, Sumitomo Electric carries
forward a tradition of technological innovation that will continue to
provide our customers with reliable, state-of-the-art
solutions for the next generation of advanced technologies.
JAPAN
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
ITAMI (Main Office)
1-1-1, Koya-kita, Itami, Hyogo, 664-8611, Japan
Tel : +81-727-72-2281 Fax : +81-727-71-0282
TOKYO
1-3-12, Motoakasaka, Minato-ku, Tokyo, 107-8468, Japan
Tel : +81-3-3423-5300 Fax : +81-3-3423-5341
U.S.A.
Sumitomo Electric Semiconductor Materials, Inc.
OREGON (Headquarters)
7230 NW Evergreen Parkway, Hillsboro, OR 97124, U.S.A.
Tel : +1-503-693-3100 Fax : +1-503-693-8275
NEW YORK
One North Lexington Avenue, 16th Floor, White Plains, NY 10601, U.S.A.
Tel : +1-914-467-6028 Fax : +1-914-467-6081
SILICON VALLEY
3235 Kifer Road, Suite 150, Santa Clara, CA 95051-0815, U.S.A.
Tel : +1-408-733-8502 Fax : +1-408-733-8504
TAIWAN
SEI Electronics Materials, Ltd.
No.19 Kon Ye 5 Road, Fon San Tsuen, Fu Kow Shan, Hsin Chu Hsien, Taiwan 303, R.O.C.
Tel : +886-3-598-4518 Fax : +886-3-598-4526
U.K.
Sumitomo Electric Europe Limited
Unit 220, Centennial Park, Centennial Avenue, Elstree, Hertfordshire, WD6 3SL, U.K.
Tel : +44-20-8953-7731 Fax : +44-20-8207-5950
http://www.sei.co.jp/sc/
（2003.12）