Elektronik I

Öğrenci No:
Ad-Soyad:
ELE 231 – Elektronik I
Ödev #1
Öğretim Üyesi
Ali Toker
Teslim Tarihi: 14 Ekim 2014
İmza:
Metin Yazgı
Beş adet soru kağıdında toplam dört soru bulunmaktadır. Çözümlerinizi soruların altındaki
boş alanlara yapınız. Ayrıca kağıt kullanmayınız.
Soru 1
i
+
vi
R
+
v0
1kΩ
D2
D1
E
+
E
+
Şekil.1
Şekil.1’de görülen devrenin girişine uygulanan işaret vi=5sintωt[V] ve E=2V olduğuna göre,
a) Çıkış geriliminin zamana bağlı değişimini çiziniz ve bu değişimi kısaca açıklayınız.
1
b) i akımının vi ye bağlı değişimini çiziniz ve bu değişimi kısaca açıklayınız.
c) D1 ve D2 ye küçük değerli dirençler seri bağlanırsa (a) daki grafikte nasıl bir değişiklik
meydana gelir?
Diyotların yaklaşık davranışı: Her bir diyot üzerinde düşen gerilim 0.5V olduğunda diyot
iletime girmekte ve iletimde iken üzerlerinde kabaca 0.7V gerilim düşümü olmaktadır.
Soru 2
Bir silisyum p-n jonksiyonunda n-tipi bölgenin özgül direnci oda sıcaklığında ρn=0,1 ohm.cm,
p tipi bölgenin özgül direnci ise ρp=0,1 ohm.cm’dir. (ni=1,5 1010 1/cm3, q=1,602 10-19 C,
Ɛr=12, Ɛ0=8,85 10-12 F/m, µn=1300 cm2/Vs, µp=500 cm2/Vs.)
a) VB jonksiyon geriliminin değeri nedir?
2
b) Jonksiyon alanı A=0,1 mm2 ise geçirme yönünde 0,6 V uygulandığında akacak olan
akımın değeri nedir?
c) Jonksiyon kapasitesinin değerini tıkama yönünde 10 V için hesaplayın.
Soru 3
Aşağıdaki şekilde verilen diyotlar özdeş olup, VD=0.6 V tur. Buna göre her bir devre için ID
akımının ve V0 geriliminin değerini bulunuz.
a)
R=10kΩ
V0
ID
+
5V
_
_
5V
+
3
b)
V0
ID
R=10kΩ
+
5V
_
_
5V
+
c)
R=10kΩ
V0
ID
+
5V
_
_
5V
+
4
Soru 4
p-tipi bir yarıiletken bölge kullanılarak yonga üzeri 100Ω direnç imal edilmek isteniyor.
T=300o K ve µn=1300 cm2/Vs, µp=500 cm2/Vs alınız.
(Si için ataom yoğunluğu 5x1022 atom/cm3, has yarıiletken taşıyıcı yoğunluğu 1.5x1010 cm-3,
q=1.6x10-19 C)
a) Kullanılan kesit alanı A=1mm2 ve uzunluk 5mm olduğuna göre Si yarıiletken
malzemenin katkılama yoğunluğunu hesaplayınız.
b) Katkılama oranı 10 defa artırılırsa, malzemenin direnci hangi değeri alır?
5

Download Report