東芝セミコンダクター＆ストレージ社の事業戦略〜Human Smart Communityの実現に向けて〜 2014年12⽉3⽇株式会社東芝執⾏役専務セミコンダクター＆ストレージ社社⻑成⽑康雄 © 2014 Toshiba Corporation 東芝の⽬指す姿安⼼・安全・快適な社会 Human Smart Community by Lifenology – the technology life requires 効率的な健康でいきいきした⽣活の活⽤の好循環エネルギーヘルスケア情報基盤を⽀えるストレージ「モノ」から「モノ＋こと」へ © 2014 Toshiba Corporation 2 東芝の⽬指す姿安⼼・安全・快適な社会 Human Smart Community by Lifenology – the technology life requires 基幹電源再⽣可能エネルギー照明・空調エネルギー HEMS BEMS エレベータ流通・⼩売 MRI CT ヘルスケアストレージデータセンタパワエレパワーデバイス重粒⼦線新規領域 HDD SSD NAND 「モノ」から「モノ＋こと」へ © 2014 Toshiba Corporation 3 東芝の⽬指す姿安⼼・安全・快適な社会センサ Community Human Smart ロジックミックスド再⽣可能シグナルエネルギー by Lifenology – the technology life requires 基幹電源メモリ・NFC,BT/WiFi 照明・空調・モータドライブ・ViscontiTM エネルギーディスクリート・⽩⾊LED パワエレ・パワーデバイスパワー・⼩信号/カプラデバイス・⾼画質センサエレベータ HEMS NAND BEMS ・FG/BiCS MRAM メモリコントローラ・FFSATM ・ApP LiteTM 流通・⼩売 MRI CT ヘルスケアストレージストレージ SSD データセンタ SSD 重粒⼦線新規領域・NL HDD ・Coldｽﾄﾚｰｼﾞ HDD NAND © 2014 Toshiba Corporation 4 経営⽅針メモリ、ストレージを軸に、成⻑と安定した利益創出を⽬指す  技術⼒でNo.1  複合半導体・ストレージ企業の堅持  財務規律を重視した成⻑投資を継続 © 2014 Toshiba Corporation 5 世界半導体市場動向市場は堅調な成⻑の⾒込 ■半導体市場規模推移 CAGR 2013-2016 +4.7% [B$/年] 400 325 336 350 新興国向け中華スマホ伸⻑ 350 298 300 292 306 300 250 スマートデバイスの成⻑ 247 256 248 226 200 タブレット廉価版の普及 IoTの広がりと進化、スマート社会到来 コネクティビティ(ｾﾝｼﾝｸﾞ・通信・制御)の拡⼤・ウェアラブル端末の実⽤化・⾞載・医療・ヘルスケア⽤途の拡⼤ 150 データ活⽤⾼度化(ﾌﾟﾛｾｯｼﾝｸﾞ･ﾏｲﾆﾝｸﾞ）・データのクラウド化進⾏(データセンタ拡⼤) ・クラウドサービス事業の拡⼤・スマートコミュニティ事業の実現 100 50 0 '06 '07 '08 '09 '10 '11 '12 '13 '14 '15 '16 WSTS (World Semiconductor Trade Statistics) 2014春予測 © 2014 Toshiba Corporation 6 成⻑を⽀えるドライバ産業・⾃動⾞ストレージ半導体は年7％の伸⻑ NANDは年30-40％のGB伸⻑（SSD向けは年50%伸⻑）⾃動⾞：安全・低燃費・通信⾼度化が牽引エンタプライズ向け拡⼤産業：省エネ・省⼈化が牽引スマートデバイスの成⻑・ ADAS等多機能化で⾃動⾞台数以上に拡⼤・社会のスマート化、エネルギー効率の最⼤化・⽣産・介護等の省⼈化 ■産業・⾃動⾞向け半導体市場・データセンターストレージのFlash化・スマートフォン・タブレット・ウェアラブル端末 ■NAND市場(GB) 1200 [B$/年] 80 [億GB] 60 800 1000 40 ⾞載エネルギー・HEMS/BEMS 製造・ロボット産業（医療・航空他） 20 0 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 他リテール携帯・ﾀﾌﾞﾚｯﾄ SSD 600 400 24% 200 0 17% 2013 （東芝予測） 2014 2015 2016 © 2014 Toshiba Corporation 7 ストレージを取り巻く環境（ビッグデータ）情報爆発時代、エンタープライズデータが拡⼤する⽣成情報量 10倍 4.4ZB  44ZB 解析可能データ 15倍 1ZB  15ZB ストレージ容量 1.5ZB  6.6ZB 2000億台超の機器から⽣成パブリック解析出来れば、価値を産む可能性がある (M2M,IoT,IoE) エンタープライズ 2013年 2020年 HDD,SSD エンタープライズ向けは容量不⾜サーベイランス医療・センサーデータ解析ログデータ 2013年 2020年 ※ EMC,IDC調査報告（デジタルユニバース) 及び東芝推測 2013年 2020年 © 2014 Toshiba Corporation 8 データセンターストレージのFlash化⼤量のデータを⾼速処理するためにストレージのFlash化が⽋かせない 1. パブリックデータ 2. エンタプライズデータ Internet M2M network HP・Web・写真閲覧検索、書込みデータアクセス All Flash Server ⾼速⼤量応答⾼速レスポンス CPU CPU CPU HP・Web・写真表⽰検索結果・広告表⽰書込み結果反映。。。増設容易データインサービスアウトセンサー・画像データIN 対応対策サービスOUT Computing System ⼤量データ超⾼速処理リアルタイム分析サービス提供⾼速レスポンス CPU CPU CPU CPU 異常値検出統計処理データ⽐較。。。増設容易 © 2014 Toshiba Corporation 9 加速するエンタープライズシステムのフラッシュ化 15年以降、15K/10K ⾼性能HDDのSSD置換加速の可能性価格 eSSD(SAS) eSSD(SATA) 15K 2.5インチ 10K 2.5インチ NL 3.5インチ各種情報ソースベース東芝予測    〜 2014：⼀部のユーザが⾼性能化(IOPS)のため、MLCベースのSSDを採⽤ 2015 〜：コスト接近に伴い、15Krpm置換え加速。⼀部10Krpmも置換え始まる 2025 〜：NL-HDDを凌ぐ超⼤容量SSDが安価に実現 © 2014 Toshiba Corporation 10 メモリ微細化戦略（2D vs. 3D構造メモリ） GBあたり世界最⼩のチップサイズを堅持 ■微細化製品量産時期とチップサイズ GBコスト 14〜15年度：世界最⼩15nm NAND拡⼤ (14/4⽉量産開始) 15年度後半：コスト⼒あるBiCSを量産 (14年度中にサンプル出荷) 更なる微細化に向けた次世代露光技術開発 (EUVL/NIL等) ⾼性能特定⽤途向け 3Dメモリ 19nm 16nm A19nm 16nm 競合 15nm 東芝 1Ynm 3Dメモリ次世代露光技術導⼊量産時期 ※A19nm : 19nm第2世代製品 © 2014 Toshiba Corporation 11 四⽇市⼯場での効率化追求 3Dメモリ時代に備えた⽣産体制 ● 既存の⼟地・動⼒・製造設備を最⼤限に活⽤ ● 移⾏期間のフレキシビリティ・⾼効率性実現 ■3Dメモリの構造 Wafer払出し 15nm⽣産拡⼤ビット線 3D⽣産拡⼤選択ゲートｺﾝﾀｸﾄ・配線⼯程 • 3Dメモリ専⽤⼯程の補助棟(N-Y2) • 成膜、エッチングなどの最先端装置を順次導⼊棟間搬送メモリセルメモリセル積層⼯程成膜・エッチングがKey Y5 Y4 15nm⽣産拡⼤ • Y5 Phase2を中⼼に⽣産 N-Y2 Y3 3D⽣産拡⼤ Ph2 棟間搬送ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ⼯程 Wafer投⼊ © 2014 Toshiba Corporation 12 製造におけるBig Data活⽤－IT Based IE CRの⾼度⾃動化によりITを活⽤した⽣産性改善を推進⾃動化された搬送システム膨⼤なデータを処理し、⽣産性・歩留・信頼性改善に向け分析解析結果のリアルタイムな⾒える化製造装置検査装置モノの動き＝設備の動き設備稼働改善⽣産性改善 IT + IE 累積処理枚数 ⇒ ブラックボックス化された設備データベース (16億件/⽇) 解析データの⾃動⽣成データ分析加⼯制御稼働分析例加⼯精度バラツキ解析例稼働ロス発⽣理想現実ムダムダムダ解析⼿順に沿った定型レポートを⾃動作成時間 ⇒ 従来改善後加⼯精度 300mm CR ⽇付⽇付 © 2014 Toshiba Corporation 13 次世代リソグラフィ技術メモリ微細化には低コスト次世代リソグラフィ技術が必要 13 14 15 16 17 18~ A19nm NAND (2D-cell) 引き続き微細化・3D化を推進 15nm BiCS 3D Memory Cross Point 3D ReRAM New Memory New memory 加⼯コスト⾼い TAT悪化 ArF 液浸の延命研究開発光源、マスク⽋陥、レジスト次世代リソグラフィ量産 EUVL 次世代EUVL X線⾃由電⼦レーザ光源⽋陥、重ね精度⽋陥、重ね精度 NIL 次世代NIL DSA*(+EUVL/NIL) *DSA: Directed Self Assembly 誘導⾃⼰組織化 © 2014 Toshiba Corporation 14 3Dメモリ積層⾼アスペクト加⼯技術必要要件・イオンをまっすぐ底まで到達させる・⾼スループット処理でローコスト化課題① ホールの歪み課題② ボーイング形状を抑制課題③ 下部テーパ形状要求 : テーパ⾓ > 89.9° © 2014 Toshiba Corporation 15 ナノディフェクトマネジメント技術 ①検出技術 15nm以下のパーティクル、10nm以下の微⼩⽋陥の検出が必要 10nm＝1億分の1メートル Si原⼦にして約40個分微⼩Particle 配線ヨレ DNA幅〜2nm 検査装置への期待検査装置期待光学式検査装置⾼感度化 EB式検査装置⾼スループット化 Particle測定⾼感度化技術内容光源の出⼒アップ、短波⻑化マルチカラム化、⼤電流⾼速スキャンレーザーの⼩スポット径化 ②サブナノ化に向けて、洗浄技術と材料製造技術も確⽴が必要 © 2014 Toshiba Corporation 16 後⼯程技術低抵抗、⾼放熱技術低抵抗PKG ⼤コネクタ技術パワーデバイス、アナログの⼤電流化に対応⾼放熱PKG Cu Clip技術⼩型通信モジュール両⾯放熱技術 IC付加価値、システム⼒をモジュールに集積 T-Jetモジュール ■⼩型モジュールの先⾏要素技術開発・チップ内蔵基盤技術、封⽌技術・⾼密度実装技術 ■幅広い通信向けICラインアップの組合せ・Bluetooth®、WiFi、NFC、TransferJetTM、MCU 他 CSP-LED (Chip Scale Package) 照明セット設計へのイノベーションの提供 ■超⼩型化実装⾯積 ▲96% （対現⾏品） 3.0 x 1.4mm 0.6 x 0.3mm ■⾼輝度(cd/mm2)対応 ■ 低熱抵抗 © 2014 Toshiba Corporation 17 パワーデバイスハイパワー市場拡⼤に合わせてビジネス強化多様化するニーズに対し新材料素⼦を開発加速⾼耐圧化パワーデバイス市場規模(16年度) SiC ハイパワー：1200V↑ 電鉄送電インバータモジュールパワーMOS：1200V↓ ⾼耐圧・⾼周波対応 GTO 10M 1M 100K 10K 1K GaN HVDC送電産業ドライブ Thyristor 社内ユーザとの連携も含め再注⼒開発・販売拡⼤加速 EV HEV Power(VA) 100M 超⾼周波数対応鉄道トラム IGBT EV,HEV Si MOSFET HVMOS ⾞載・産業⽤途を中⼼にラインアップ拡充 LVMOS 再⽣可能エネルギー 100 ⺠⽣IGBT その他 10 10 100 1K 10K Frequency(Hz) （東芝予測）照明モバイルPC 100K 1M 10M ⾼周波数 © 2014 Toshiba Corporation 18 ⽩⾊LED GaN on Siの強みを発揮し、⾼輝度製品(1W超)を拡⼤ 1Wクラス 3535PKG品ロードマップ発光効率 (lm/w) @1W 180 170 開発品 (170lm/W⽬標) 160 150 140 130 GaN on Siの特徴・⾼光束・⼤電流・低コスト(⼤⼝径化) 14下期より⾼輝度品の売上寄与・現⾏製品の販売拡⼤・業界トップレベルの⾼輝度品開発中 (170lm/W⽬標) TL1L3シリーズ (145lm/W) ⾼付加価値品で事業拡⼤（加賀）⽣産能⼒増強 TL1L2シリーズ (135lm/W) 13下期 14上期 14下期 © 2014 Toshiba Corporation 19 システムLSI 新しい価値を提供する製品に注⼒ FPGA FFSATM Conventional ASIC チップサイズ 1 0.25~0.5 0.2〜0.35 スピード 1 5x or more 5x or more 消費電⼒ 1 0.1 or less 0.1 or less 設計TAT --- 0.2 1 FFSATM; Fit Fast Structured Array • • • • 低消費電⼒、⾼パフォーマンス冗⻑回路がないため最適なチップサイズ⼀部メタル層カスタマイズによる最適開発費マスタスライス準備により短TATで開発・量産 ↓ カスタムSoCの快適な開発を実現 Logic realization structure ViscontiTM シリーズ • 検出性能向上 • 夜間認識性能向上 ↓ 歩⾏者/⾞以外の障害物も検出可能に © 2014 Toshiba Corporation 20 設備投資計画 2014年以降 2000億円規模での投資継続を計画 2,500 （億円） 2,000 1,500 1,000 500 0 2010年 2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 © 2014 Toshiba Corporation 21 売上・営業利益メモリ、ストレージは成⻑を持続。ディスクリート、システムLSIはボトムを脱却、成⻑路線へ (営業利益：億円) (売上⾼：億円) 15,000 3,000 売上⾼ 11,827 2,310 11,870 11,395 9,802 10,000 ストレージ 2,240 2,000 9,029 ディスクリートシステムLSI メモリ 940 5,000 3,959 3,387 4,766 4,680 1,000 営業利益 3,952 727 490 0 2010年 2011年 2012年 2013年 2014年 (計画) ・・・・・・ 2016年 (計画) 0 © 2014 Toshiba Corporation 22 注意事項 ●この資料には、当社グループの将来についての計画や戦略、業績に関する予想及び⾒通しの記述が含まれています。 ●これらの記述は、過去の事実ではなく、当社が現時点で把握可能な情報から判断した想定及び所信にもとづく⾒込みです。 ●当社グループはグローバル企業として市場環境等が⼤きく異なる国や地域で広く事業活動を⾏っているため、実際の業績は、これに起因する多様なリスクや不確実性（経済動向、エレクトロニクス業界における激しい競争、市場需要、為替レート、税制や諸制度等がありますが、これに限りません。）により、当社の予測とは⼤きく異なる可能性がありますので、ご承知おきください。 Bluetoothは、Bluetooth SIG, Inc.の登録商標であり、東芝はライセンスに基づき使⽤しています。 TransferJetは TransferJetコンソーシアムがライセンスしている商標です。 FlashAir、ApP Lite、 FFSA、Viscontiは東芝の商標です。 © 2014 Toshiba Corporation 23 １０年Toshiba 年賀式 © 2014 Corporation 24