Sayısal Elektronik Devreleri - Uygulama Soruları Ara¸s. G¨ or. C ¸ a˘ grı G¨ urley¨ uk 1 10.03.2014 CMOS Evirici Dinamik Davranı¸sı vi vo Cl µn Cox = 150µA/V 2 µp Cox = 50µA/V 2 Wn = 5µm, Wp = 10µm VTn = |VTp | = 0.6V VDD = 3.3V 0.35µm teknolojisi kullanılarak ger¸ceklenecek bir CMOS eviricinin Cl = 100f F ’lık bir kapasiteyi s¨ urmesi istenmektedir. Eviricinin propagasyon gecikmelerini hesaplayınız. (Cevaplar: TPHL = 21.85ps, TPLH = 32.78ps) 2 Kademeli S¨ ur¨ uc¨ u vi vo Ci Cl µn Cox = 150µA/V 2 µp Cox = 50µA/V 2 Cox = 4.54f F/µm VTn = |VTp | = 0.6V VDD = 3.3V Giri¸s kapasitesi Ci = 100f F olan bir s¨ ur¨ uc¨ un¨ un CL = 14pF bir y¨ uk kapasitesini s¨ urmesi istenmektedir. Giri¸s i¸saretinin ideal kaynaktan uygulandı˘ gını varsayınız (Tb = 0). Kademeli s¨ ur¨ uc¨ un¨ un gecikme s¨ uresini ve kapladı˘ gı toplam alanı hesaplayınız. P (Cevaplar: Tp = 176.5ps, W L = 1778µm) 1
© Copyright 2024 Paperzz
