Sayısal Elektronik Devreleri - Uygulama Soruları Ara¸s. G¨ or. C ¸ a˘ grı G¨ urley¨ uk 1 03.03.2014 S¨ ozde NMOS Evirici vo vi VTn = 0.6V VTp = 0.7V µn Cox = 160µA/V 2 µp Cox = 60µA/V 2 VDD = 5V 0.5µm teknolojisi kullanılarak ger¸ceklenecek bir s¨ozde NMOS eviricide VOL = 0.5V , PS = 70mW olmasını sa˘ glayacak MOSFET boyutlarını bulun. 2 CMOS Evirici vi vo µn Cox = 150µA/V 2 µp Cox = 50µA/V 2 Wn = 5µm, Wp = 10µm VTn = |VTp | = 0.6V VDD = 3.3V 0.35µm teknolojisi kullanılarak ger¸ceklenecek bir CMOS evrici i¸cin VT H , Imax , VOL , VOH , VIL , VIH , VOLmax , VOHmin , N M 1 ve N M 0 parametrelerini elde ediniz. 1
© Copyright 2024 Paperzz
