三菱シリコンRFデバイス無線通信ネットワークを支える三菱シリコン R F デバイスシリコン高周波デバイスは、数 MHz∼1GHz にわたる周波数帯域の移動無線通信機器送信段電力増幅用キーパーツとして、官公庁向けをはじめとする各種移動業務無線機、アマチュア無線機、および車載 TELEMATICS 市場等に幅広く採用され、今後も無線通信ネットワークを、力強くサポートしていきます。ラインアップラインアップセレクションマップシリコンRFデバイス 3.6V動作高出力MOSFET FET 1 〈ディスクリート〉ページ 7.2V動作高出力MOS FET 1 〈ディスクリート〉ページ 12.5V動作高出力MOS FET 1 セレクションマップ〈ディスクリート〉ハイブリッドIC ページ 2 7.2V動作高出力MOS FETモジュールページ 9.6V動作高出力MOS FETモジュールページ 12.5V動作高出力MOS FETモジュールページ 2 2 製品一覧表 3 ページ 3 ページ 3 ページ 5 ページ 5 ページ 6 ページ製品一覧表セレクションマップ ■ 3.6V/7.2V/12.5V 動作高出力 MOS FET〈ディスクリート〉 100 RD100HHF1 ：12.5V 動作：7.2V 動作応用例：3.6V 動作 RD70HUF2 RD70HHF1 RD70HVF1 RD60HUF1 50 RD45HMF1 パッケージ外形図出力電力 [W] RD50HMS2 ★★ RD35HUF2 RD30HMS2 ★★ RD30HVF1 RD12MVP1/RD12MVS1 RD30HUF1 RD20HMF1 RD10MMS2 ★ RD15HVF1 RD16HHF1 10 RD09MUP2 RD06HHF1 5 RD07MUS2B RD05MMP1 RD02LUS2 ★ RD06HVF1 RD02MUS1B RD01MUS2B RD00HVS1 RD00HHS1 10 30 135 175 300 520 周波数 [M H z] ★：新製品 ★★：開発中 1 RD04LUS2 ★ 700 RD04HMS2 900 1GHz RA80H1415M1★ 80 60 ラインアップ ■ 7.2V/9.6V/12.5V 動作高出力 MOS FET モジュール RA60H3847M1/3847M1A★/ 4047M1/4452M1/4452M1A★ RA60H1317M/1317M1A/1317M1B★ ：12.5V 動作：9.6V 動作：7.2V 動作 RA55H3340M/3847M/4047M/4452M セレクションマップ 50 RA45H4045MR/4047M/4452M RA45H7687M1 RA45H8994M1 製品一覧表 40 [W] RA35H1516M 出力電力 RA33H1516M1 RA30H1317M/1317M1/1317M1A★ 30 応用例 RA30H1721M RA30H3340M/3847M1A★/4047M/4047M1/ 4452M/4452M1A★/4552M1 RA30H2127M RA30H0608M RA20H8087M RA20H8994M 20 RA07M0608M 10 RA08N1317M RA08H1317M RA07M1317M RA13H8891MA/8891MB RA07N3340M/4047M/4452M RA07H3340M/4047M/4452M RA08H3843MD/4547MD RA07M3340M/4047M/4452M RA07M2127M RA07M3843M RA07H0608M パッケージ外形図 RA13H3340M/4047M/4452M RA13H1317M RA06H8285M RA03M9595M (8V) RA02M8087MD RA03M8087M RA03M8894M RA03M3540MD/4043MD/4547MD 68 88 135 175 218 270 330 520 806 870 889 941 周波数 [M H z] ★：新製品 2 製品一覧表 ■ 3.6V 動作高出力 MOS FET〈ディスクリート〉ラインアップ Type Number RD02LUS2 ★ RD04LUS2 ★ Structure Si, MOS † Si, MOS † Max.ratings VDSS [V] Pch [W] 25 25 15.6 46.3 Vdd [V] f [MHz] Pin [W] 3.6 3.6 470 527 0.2 04 Vdd [V] f [MHz] Pin [W] 527 175/520 941 135~175 450~527 520 870 175 175 0.03 0.05/0.05 0.7 0.3 0.4 0.8 1 0.5 1 Vdd [V] f [MHz] Pin [W] 30 175 135~175 380~470 890~950 30 175 175/520 30 900 175 520 135~175 450~530 900 135~175 450~530 900 135~175 450~530 900 520 30 175/520 135~175 450~530 30 0.004 0.005 0.2 0.2 0.2 0.15 0.3 0.6/3 0.4 3 1 3 3 3 5 3 3 15 4 5.5 7 10 3.5 6/10 4 5.5 7 Po (min) nd (min) [W] [%] Package Outline 2.3typ. 4.5typ. 70typ. 65typ. SOT-89 SLP Po (min) nd (min) [W] [%] Package Outline 1.6typ. 2/2 5.5 6.3 7 8 12typ. 10 11.5 70typ. 55/50 43 58 58 50 58typ. 55 55 SOT-89 SLP PMM Po (min) nd (min) [W] [%] Package Outline 0.3 0.5 5.5typ. 6typ. 5typ. 6 6 15/15 16 20 30 30 45typ. 43typ. 40typ. 45typ. 43typ. 45 84typ. 75typ. 57typ. 60 70 70/50 84typ. 75typ. 100 55 50 73typ. 62typ. 53typ. 55 60 55/50 55 50 55 50 72typ. 60typ. 55typ. 72typ. 60typ. 45 74typ. 64typ. 55typ. 50 55 55/50 74typ. 64typ. 55 Ta=25℃ ✝：ゲート保護ダイオード内蔵 ★：新製品 ■ 7.2V 動作高出力 MOS FET〈ディスクリート〉 Type Number Structure Max.ratings VDSS [V] Pch [W] セレクションマップ RD01MUS2B RD02MUS1B RD05MMP1 Si, MOS † Si, MOS Si, MOS 25 30 30 3.6 21.9 73 7.2 7.2 7.2 RD07MUS2B Si, MOS † 25 50 7.2 RD09MUP2 RD10MMS2 ★ RD12MVP1 RD12MVS1 † 30 40 50 50 83 62 125 50 7.2 7.2 7.2 7.2 Si, MOS Si, MOS † Si, MOS Si, MOS SLP PMM SLP PMM SLP Ta=25℃ ✝：ゲート保護ダイオード内蔵 ★：新製品製品一覧表 ■ 12.5V 動作高出力 MOS FET〈ディスクリート〉 Type Number Structure Pch [W] 応用例パッケージ外形図 RD00HHS1 RD00HVS1 Si, MOS Si, MOS 30 30 3.1 3.1 12.5 12.5 RD04HMS2 Si, MOS † 40 50 12.5 RD06HHF1 RD06HVF1 RD15HVF1 RD16HHF1 RD20HMF1 RD30HVF1 RD30HUF1 Si, MOS Si, MOS Si, MOS Si, MOS Si, MOS Si, MOS Si, MOS 50 50 30 50 30 30 30 27.8 27.8 48 56.8 71.4 75 75 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 RD30HMS2 ★★ Si, MOS † 40 166 12.5 RD35HUF2 Si, MOS † 40 166 12.5 RD45HMF1 Si, MOS 30 125 12.5 RD50HMS2 ★★ Si, MOS † 40 300 12.5 RD60HUF1 RD70HHF1 RD70HVF1 Si, MOS Si, MOS Si, MOS 30 50 30 150 150 150 12.5 12.5 12.5 RD70HUF2 Si, MOS † 40 300 12.5 RD100HHF1 Si, MOS 50 176.5 12.5 Ta=25℃ ✝：ゲート保護ダイオード内蔵 ★★：開発中 3 Max.ratings VDSS [V] SOT-89 SOT-89 SLP TO-220S TO-220S TO-220S TO-220S Ceramic (Small) Ceramic (Small) Ceramic (Small) HPM003 HPM001 Ceramic (Large) HPM004 Ceramic (Large) Ceramic (Large) Ceramic (Large) HPM002 Ceramic (Large) SLP TO-220S PMM HPM Ceramic (Small) Ceramic (Large) ラインアップ SOT-89 セレクションマップ製品一覧表応用例シリコン RF デバイス形名のつけ方 ■ 高出力 MOS FET（ディスクリート） RD 07 M U S 2B ディスクリート素子出力電力（W）動作電圧（V）動作周波数（MHz）外形記号電圧記号動作周波数記号区分 M N H 7.2V 9.6V 12.5V H V U M 30MHz 175MHz 520MHz 800MHz S F P モールドフランジパワーモールドミニシリーズ番号パッケージ外形図 ■ 高出力 MOS FET モジュール RA 07 M 4452 M モジュール出力電力（W）動作電圧（V）記号電圧 M N H 7.2V 9.6V 12.5V 動作周波数（MHz）記号〈例〉動作周波数〈例〉 4452 440∼ 520MHz 1317 135∼ 175MHz 周波数単位記号単位 M G MHz GHz 注：形名は、概略の特性を表わしています。正確な規格は、納入規格を確認いただきますようお願いいたします。 4 製品一覧表 ■ 7.2V 動作高出力 MOS FET モジュールラインアップ Type Number セレクションマップ RA02M8087MD RA03M3540MD RA03M4043MD RA03M4547MD RA03M8087M RA03M8894M RA03M9595M RA07M0608M RA07M1317M RA07M2127M RA07M3340M RA07M3843M RA07M4047M RA07M4452M f [MHz] Max.ratings Vdd [V] min max 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 9.2 806 350 400 450 806 889 952 66 135 215 330 378 400 440 869 400 430 470 870 941 954 88 175 270 400 430 470 520 Vdd [V] Pin [W] 7.2 7.2 7.2 7.2 7.2 7.2 8 7.2 7.2 7.2 7.2 7.2 7.2 7.2 0.01 0.01 0.01 0.01 0.05 0.05 0.05 0.03 0.02 0.02 0.05 0.05 0.05 0.05 Vdd [V] Pin [W] 9.6 9.6 9.6 9.6 0.02 0.02 0.02 0.02 Po (min) nd (min) [W] [%] Package Outline 1.2 3.2 3.2 3.2 3.6 3.6 3 7 6.5 7 7 7 7 7 30*1 34*2 34*2 34*2 32 32 45 45 45 40 40 40 40 H54 H54 H54 H54 H46S H46S H46S H46S H46S H46S H46S H46S H46S H46S Po (min) nd (min) [W] [%] Package Outline 7.5 7.5 7.5 8 43 43 43 50 H46S H46S H46S H46S Ta=25℃ *1：Po=2.5W 時 *2：Po=6.3W 時 ■ 9.6V 動作高出力 MOS FET モジュール Type Number 製品一覧表 RA07N3340M RA07N4047M RA07N4452M RA08N1317M f [MHz] Max.ratings Vdd [V] min max 12.5 12.5 12.5 12.5 330 400 440 135 400 470 520 175 Ta=25℃ 応用例 H2M H46S H57 パッケージ外形図 H2S 5 H11S H54 ■ 12.5V 動作高出力 MOS FET モジュール f [MHz] 17 13.2 13.2 13.2 13.2 13.2 17 18 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 820 68 330 400 440 135 380 450 135 330 400 440 889 880 806 896 66 135 135 136 175 210 330 378 400 400 440 440 450 154 154 400 400 440 763 896 330 380 400 RA55H4452M 17 RA60H1317M RA60H1317M1A RA60H1317M1B ★ RA60H3847M1 RA60H3847M1A ★ RA60H4047M1 RA60H4452M1 RA60H4452M1A ★ 17 17 17 17 17 17 17 17 RA80H1415M1★ 17 Pin [W] 851 88 400 470 520 175 430 470 175 400 470 520 915 915 870 941 88 175 175 174 215 270 400 470 470 470 520 520 520 162 162 450 470 520 870 941 400 470 470 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 13.2 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.8 12.8 12.5 12.5 12.5 0.001 0.03 0.02 0.02 0.02 0.02 1.4m 0.3m 0.05 0.05 0.05 0.05 0.2 0.001 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.01 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 440 520 12.5 0.05 135 136 136 378 378 400 440 440 144 136 175 174 174 470 470 470 520 520 148 174 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 12.5 0.05 Po (min) nd (min) [W] [%] 35 6 38 7 40 7 40 7 40 7 40 8 15 6.3 17 7.9 40 13 40 13 40 13 40 13 30 13 35 13 25 20 25 20 40 30 40 30 40 30 45 30 40 30 40 30 40 30 40 30 40 30 42 30 40 30 40 30 42 30 50 33 50 40 35 45 35 45 35 45 33 45 33 45 55 35 55 38 55 35 45 (490-520) 35 (490-520) 55 (440-490) 43 (440-490) 60 40 60 45 60 45 60 40 60 40 60 40 60 40 60 40 80 50 60 Package Outline H11S H46S H46S H46S H46S H46S H2S (5 ピン ) H2S (5 ピン ) H2S H2S H2S H2S H2S H11S H2S H2S H2S H2S H2M H2M H2S H2S H2S H2M H2S H2M H2S H2M H2M H57 H2S H2RS H2S H2S H2M H2M H2S H2S H2S H2S H2S H2M H2M H2M H2M H2M H2M H2M パッケージ外形図 RA06H8285M RA07H0608M RA07H3340M RA07H4047M RA07H4452M RA08H1317M RA08H3843MD RA08H4547MD RA13H1317M RA13H3340M RA13H4047M RA13H4452M RA13H8891MA RA13H8891MB RA20H8087M RA20H8994M RA30H0608M RA30H1317M RA30H1317M1 RA30H1317M1A ★ RA30H1721M RA30H2127M RA30H3340M RA30H3847M1A ★ RA30H4047M RA30H4047M1 RA30H4452M RA30H4452M1A ★ RA30H4552M1 RA33H1516M1 RA35H1516M RA45H4045MR RA45H4047M RA45H4452M RA45H7687M1 RA45H8994M1 RA55H3340M RA55H3847M RA55H4047M Vdd [V] 応用例 max 製品一覧表 min セレクションマップ Max.ratings Vdd [V] ラインアップ Type Number H2M Ta=25℃ ★：新製品三菱シリコン RF デバイスは、すべての製品が RoHS 指令（2011/65/EU）に準拠しています。 RoHS：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment 6 応用例 ■ VHF∼800MHz 帯 7.2V 動作推奨ラインアップラインアップ RD00HVS1 RD02MUS1B 5mW RD00HVS1 2W @135−175MHz RD01MUS2B 2W @440−520MHz RD01MUS2B 7W @135−175MHz セレクションマップ RD01MUS2B 5mW RD07MUS2B 30mW RD02MUS1B RD07MUS2B 30mW 7W @440−520MHz RD07MUS2B 50mW 5W @806−870MHz ■ VHF∼UHF 帯 12.5V 動作推奨ラインアップ製品一覧表 RD15HVF1 RD70HVF1 0.3W RD15HVF1 50W @135−175MHz RD04HMS2 0.2W 3W RD70HUF2 45W @440−520MHz RD04HMS2 70W @135−175MHz 440−520MHz RD60HUF1 RD35HUF2 0.2W 35W @135−175MHz 440−520MHz 応用例三菱シリコン高周波電力増幅用デバイスRAシリーズおよびRDシリーズのご使用上の注意事項･本総合カタログに記載の仕様は、保証値ではありません。ご検討にあたり製品の納入規格書を発行いたしますので、規格のご確認をお願いします。納入規格書の発行につきましては、最終ページに記載の営業お問い合わせ窓口にお問い合わせください。･ RA シリーズおよび RD シリーズは、一般民生用の移動局用途に設計されています。それ以上の高信頼度を要求されるアプリケーションには設計・製造されていません。連続動作状態または、送信・待ち受け頻度の高い断続動作の固定局・基地局用途には、ディレーティング設計、冗長システム設計、適正な定期メインテナンス等を十分に留意ください。製品の寿命予測に関するレポートにつきましては三菱電機パッケージ外形図または特約店までご照会ください。･ RA シリーズおよび RD シリーズは、MOS デバイスです。ご使用に際しては、静電気およびサージ対策を実施いただきますようお願いします。･熱設計に関し、高い信頼性を維持するには、製品の温度を低く保つ必要があります。 RA シリーズの推奨ケース温度は、あらゆる状態で９０℃以下、標準動作状態で６０℃以下です。この温度以下になるように、ご使用いただきますようお願いします。･ RA シリーズは、５０Ωの負荷状態で使用されることを前提としております。過負荷状態によっては、最悪の場合ショートに至り、モジュール内部の樹脂基板や、部品が焼損・発煙する危険性があります。･納入規格書に、負荷変動時の寄生発振に関する規定を掲載しております。寄生発振の確認は、抜き取りによる確認となりますので、無線機での十分な確認をお願いします。･実装時の注意事項に関しましては、納入規格書の付帯事項を確認いただきますようお願いします。･製品のキャップを開封したもの及び分解・改造を実施したものは、保証の対象外となります。･安全設計に関するお願い、本資料ご利用に際しての留意事項に関し、本総合カタログの最終ページをご確認ください。･納入規格書の付帯事項に注意事項を記載しておりますのでご確認ください。三菱半導体・デバイス総合 WEB サイト 7 http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/ パッケージ外形図 ■ SOT-89 ①Gate ②Source ■TO-220S ③Drain ①Gate ②Source ③Drain 9.1±0.7 3.2±0.4 ① ② 1.5±0.1 1.5±0.1 12.3MIN 0.8MIN ③ 0.4 +0.03/–0.05 9±0.4 ø1.0 0.4±0.07 12.3±0.6 3.9±0.3 2.5±0.1 ② 3.6±0.2 ② 4.8MAX 1.5±0.1 1.6±0.1 1.3±0.4 ラインアップ 4.4±0.1 1.2±0.4 0.8+0.10/–0.15 0.4±0.07 0.5±0.07 3.0 ① ② ③ 0.5+0.10/–0.15 5deg 9.5MAX UNIT: mm ■ SLP ①Drain ②Source ■ PMM ③Gate 3.1±0.6 4.5±0.5 0.1 MAX ①Drain [output] ②Source [GND] UNIT: mm セレクションマップ 2.5 2.5 ③Gate [input] ④Source INDEX MARK [Gate] 0.7±0.1 DETAIL A UNIT: mm ( ): reference value ①Drain ②Source 7.0±0.5 ①Drain ②Source ③Gate 11.0±0.3 4–C2 24.0±0.6 6.6±0.3 14.0±0.4 ② ③ 2.3±0.3 2.8±0.3 ø3.2±0.15 0.1 +0.05 –0.01 4.5±0.7* 5.0±0.3 6.1±0.5 3.3±0.2 5.1±0.5 18.5±0.25 3.0±0.4* リード高さは、根元寸法を示す。パッケージ外形図 ø3.2±0.15 10.0±0.3 ① ② 0.10 +0.05 –0.01 UNIT: mm ( ): reference value 4-C1 7.6±0.3 ① ＊ ② 25.0±0.3 18.0±0.3 ③ ③ BOTTOM VIEW DETAIL A ■ Ceramic (Large) ③Gate 22.0±0.3 7.2±0.5 SIDE VIEW 2.6±0.2 1.8±0.1 TOP VIEW SIDE VIEW ■ Ceramic (Small) 5.6±0.2 4.2±0.2 6.2±0.2 0.95±0.2 応用例 0.2±0.05 0.75±0.05 (4.5) Standoff=max0.05 (0.25) INDEX MARK (Gate) ④ (0.22) ③ (0.25) (3.6) (0.22) 2.0±0.05 ② 3.5±0.05 4.9±0.15 1.0±0.05 ① 7.0±0.2 0.2±0.05 8.0±0.2 製品一覧表 4.6±0.05 3.3±0.05 0.8±0.05 0.2±0.05 6.0±0.15 0.65±0.2 ① ② UNIT: mm ＊リード高さは、根元寸法を示す。 UNIT: mm 8 パッケージ外形図 ■ HPM001 ■ HPM002 (with CenterSourceElectrode) 24.60 18.00 24.60 18.00 13.40 ⑨ a ⑥ ■ HPM003 (with CenterSourceElectrode) ④ Pin ① SOURCE (COMMON) ② DRAIN ③ DRAIN ④ SOURCE (COMMON) ⑤ SOURCE (COMMON) ⑥ GATE ⑦ GATE ⑧ SOURCE (COMMON) ⑨ SOURCE (COMMON) 3.61 ③ ⑧ ⑦ UNIT: mm ⑦ ⑥ ⑤ ③ ④ ⑤ 0.22 3.61 ② ① ⑥ ⑤ 5.88 ③ 0.10 13.50 ⑧ ⑦ UNIT: mm 66.0±0.5 60.0±0.5 51.5±0.5 ①② ③ 2-R2±0.5 ④ ⑤ ø0.45±0.15 3.1+0.6/–0.4 0.09±0.02 16.5±1 1.5±0.2 (1.5) +0.04 0.05 – 0 (5.4) ⑧ 12.0±1 (5.4) Area "A" ⑦ ①RF Input(Pin) ③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin) ②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout) 3.5±0.2 6.1±1.0 13.7±1.0 18.8±1.0 23.9±1.0 ■ H2S 14.0±1 0.45±0.15 (19.2) 9 6.0±0.2 7.4±0.2 ② ⑨ 3.63 ④ 3.0±0.3 7.25±0.8 2- R1.5±0.1 6.0±0.2 10.0±0.2 6.0±1.0 2.3±0.4 パッケージ外形図 ① ⑥a 3.10 UNIT: mm 30.0±0.2 26.6±0.2 21.2±0.2 ④ 43.5±1 55.5±1 (9.8) ⑧ 21.0±0.5 9.5±0.5 13.50 Pin ① SOURCE (COMMON) ② DRAIN ③ DRAIN ④ SOURCE (COMMON) ⑤ SOURCE (COMMON) ⑥ GATE ⑦ GATE ⑧ SOURCE (COMMON) ⑨ SOURCE (COMMON) 2.0±0.5 ① 0.10 5.88 ② ③ ø3 .70 ⑤ ø3 .70 0.34 0.22 ③ 0.60 3.10 3.61 ④ ② a' 0.34 ⑧ 3.63 ①RF Input(Pin) ③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin) ②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout) (1.7) (4.4) ① 4.0±0.3 ⑦ ⑨ 3.10 応用例 Pin ① SOURCE (COMMON) ② OPEN ③ DRAIN ④ SOURCE (COMMON) ⑤ SOURCE (COMMON) ⑥ OPEN ⑦ GATE ⑧ SOURCE (COMMON) ⑨ SOURCE (COMMON) ■ H46S 0.10 ④ 3.55 ⑥a ⑤ 8.35 6.38 ③ 5.56 3.55 ⑤ 3.10 ⑥ ■ HPM004 (with CenterSourceElectrode) a-a’ SECTION 0.60 ① 0.10 24.60 18.00 8.35 6.38 a-a’ SECTION 5.56 製品一覧表 ② a' ② 13.50 24.60 18.00 ① ⑧ 0.22 3.10 ⑤ UNIT: mm 0.10 ⑦ 3.63 17.0±0.5 ⑦ ⑥ (50.4) UNIT: mm ( ): reference value tolerance of no designation ; ±0.5 7.5±0.5 ⑧ ④ 5.88 ① 5.87 ② ③ 2.40 3.65 ③ 0.10 ø3 .70 3.10 セレクションマップ Pin ① SOURCE (COMMON) ② OPEN ③ DRAIN ④ SOURCE (COMMON) ⑤ SOURCE (COMMON) ⑥ OPEN ⑦ GATE ⑧ SOURCE (COMMON) 0.34 3.63 2.40 ④ ⑤ 3.10 0.22 3.15 0.60 ② ø3 .70 ⑧ 5.56 a ① 0.34 ⑦ 0.10 2.3±0.3 ⑥ ④ 3. 55 ⑤ ③ 12.95 12.69 6.38 ② a-a’ SECTION ① 12.95 12.69 6.38 a-a’ SECTION 0.10 5.56 ラインアップ a’ a’ UNIT: mm ( ): reference value ①RF Input(Pin) ③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin) ②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout) ②① 14±0.5 ⑤ 4.0±0.3 ③ 17.0±0.5 21.0±0.5 9.5±0.5 60.5±1 57.5±0.5 50.4±1 2–R2±0.5 2.0±0.5 ① 21.3±1 43.3±1 51.3±1 ⑤ 0.45±0.15 3.5±0.2 6.1±1.0 10.4±1.0 13.7±1.0 18.8±1.0 23.9±1.0 7.3±0.5 (5.4) Area "A" (19.2) (1.5) (5.4) +0.04 UNIT: mm ( ): reference value UNIT: mm ( ): reference value tolerance of no designation ; ±0.5 応用例 (2.6) ⑥ 6.0±0.2 7.4±0.2 ④ 6.0±0.2 10.0±0.2 ② ③ (9.9) 3.1+0.6/–0.4 (6.4) 0.09±0.02 2.3±0.4 0.6±0.2 44±1 56±1 ① 1.5±0.2 ④ ⑤ 2- R1.5±0.1 26.6±0.2 21.2±0.2 6.0±1.0 4±0.5 18±1 (3.26) (1.7) (4.4) 15±1 ③ 12.5±1 17±1 ①RF Input(Pin) ③Final Stage Gate Voltage(VGG2) ⑤RF Output(Pout) ②First Stage Gate Voltage(VGG1) ④Drain Voltage(VDD) ⑥RF Ground(Fin) 製品一覧表 10.7±1 ■ H54 UNIT: mm ( ): reference value 30.0±0.2 67±1 60±1 49.8±1 ①② (49.5) 2.3±0.3 7.5±0.5 (9.8) UNIT: mm ( ): reference value ①RF Input(Pin) ③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin) ②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout) 2–R2±0.5 19.4±1 2.3±0.3 (50.4) セレクションマップ 3.1+0.6/–0.4 0.09±0.02 49.5±1 54.0±1 3.3+0.8/–0.4 22.5±1 ■ H57 ④ ⑤ 8.3±1 ø0.45±0.15 10.5±1 ■ H2M 2–R1.6±0.2 ② ③ ø0.45±0.15 0.05 – 0 14.0±1 ④ ①RF Input(Pin) ③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin) ②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout) ラインアップ 66.0±0.5 60.0±0.5 51.5±0.5 3.0±0.3 7.25±0.8 ■ H11S 6±1 11±0.5 ■ H2RS ①RF Input(Pin) ③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin) ②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout) 46.0 41.0 30.8 (6.3) 2–R1.5±0.3 ② ④ ⑤ 3.0 +0.6 –0.4 0.6±0.03 (2.3) (6.3) 3.0 +0.6 –0.4 13.00±0.8 18.08±0.8 25.70±0.8 35.86±0.8 ③ 3.0 ① 10±1 7.2±0.5 12.0 パッケージ外形図 14.4 (2.3) UNIT: mm ( ): reference value 10 三菱シリコンRFデバイス半導体・デバイス事業部〒100-8310 東京都千代田区丸の内 2丁目7番3号（東京ビル）（技術・資料お問い合わせ）お問い合わせ先 http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/〈三菱半導体ホームページ〉（営業お問い合わせ窓口）（2014年9月1日現在）特約店三菱電機本社・支社・支店本社地区菱洋エレクトロ株式会社大宮支店八王子支店横浜支店松本支店株式会社立花エレテック東京支社協栄産業株式会社栃木営業所日立営業所群馬営業所（03）5565-1511 （048）614-8841 （042）645-8531 （045）474-1011 （0263）36-8011 （03）5400-2509 （03）3481-2044 （028）683-3011 （029）272-3911 （027）327-4345 菱電商事株式会社東京支社神奈川支店北関東支社加賀デバイス株式会社株式会社カナデン株式会社たけびし東京支店萬世電機株式会社東京支店株式会社コシダテック東海エレクトロニクス株式会社東京支店（03）5396-6224 （045）641-0977 （027）280-5515 （03）5657-0144 （03）3433-1227 （045）474-3259 （03）3219-1800 （03）5789-1615 （03）3704-2587 菱電商事株式会社東北支社仙台営業所株式会社カナデン東北支店（024）933-8821 （022）217-5722 （022）266-3118 協栄産業株式会社北海道支店（011）642-6101 菱洋エレクトロ株式会社仙台支店郡山営業所協栄産業株式会社東北支店（022）266-3800 （024）939-3188 （022）232-7711 協栄産業株式会社新潟営業所（025）281-1171 菱洋エレクトロ株式会社名古屋支店株式会社立花エレテック名古屋支社協栄産業株式会社名古屋支店菱電商事株式会社名古屋支社静岡支社浜松営業所岡谷鋼機株式会社名古屋本店刈谷支店（052） 203-0277 （052）935-1619 （052）332-3861 （052）211-1217 （054）286-2215 （053）469-0576 （052）204-8302 （0566）21-3222 菱洋エレクトロ株式会社大阪支店京都営業所株式会社立花エレテック神戸支店協栄産業株式会社大阪営業所菱電商事株式会社関西支社（06）6201-2245 （075）371-5751 （06）6539-2707 （078）332-7812 （06）6343-9663 （06）6399-3456 加賀デバイス株式会社関西支店株式会社カナデン関西支社株式会社たけびし大阪支店萬世電機株式会社東海エレクトロニクス株式会社大阪支店（06）6105-0449 （06）6763-6809 （075）325-2211 （06）6341-5081 （06）6454-8233 （06）6310-6115 立花エレテック北陸支店協栄産業株式会社北陸営業所（076）233-3505 （076）234-6511 菱電商事株式会社北陸営業所（076）224-4102 菱電商事株式会社広島支社（082）227-5411 山陽三菱電機販売株式会社（082）243-9300 菱電商事株式会社四国支社（087）885-3913 菱洋エレクトロ株式会社福岡営業所菱電商事株式会社九州支社（092）474-4311 （092）736-5759 中部支社地区東海エレクトロニクス株式会社本社津支店小牧支店中部三菱電機機器販売株式会社本社エレックヒシキ株式会社本社株式会社菱和浜松支店（052）261-3215 （059）226-0515 （0568）75-4701 （052）889-0032 （052）704-2121 （053）450-3162 関西支社地区九州支社地区株式会社カナデン九州支店株式会社たけびし九州支店（093）561-6483 （092）473-7580 HG-407M 北-1409（TOT） ©2014 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. 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