ＬＥＤデバイスの解析技術 構造確認から不具合モード解析まで一貫して対応します メルコセミコンダクタエンジニアリング(株) お問い合わせ先： ＴＥＬ（０９２）８０５−３８３４ ＵＲＬ： ｈｔｔｐ：//ｗｗｗ．ｍｓｅｃ‐ｍｅｌｃｏ．ｃｏ．ｊｐ パッケージ構造の断面解析（ＦＥ-ＳＥＭ観察→ＥＤＸ分析） 蛍光体 Ａｕワイヤ ＬＥＤチップ Ａｕパッド Ｃｕパターン 100μm 光学像 ①Ｘ線像 Ｂａ ②断面ＳＥＭ像 非破壊解析 ① Ｘ線透過観察 → ワイヤボンディング破断確認 ＬＥＤチップ ２μｍ ②ワイヤ接合部の拡大ＳＥＭ像 イオンビーム断面加工 ② ＳＥＭ観察→ 接合部状態確認 ③ ＥＤＸ分析→ 蛍光体の成分および 分布状態確認 ③蛍光体のＥＤＸ元素マッピング 素子発光層の断面構造解析（ＦＩＢサンプリング→ＳＴＥＭ-ＥＤＸ分析） ＥＤＸ元素マッピング領域 ＡｌＡｓとＧａＡｓが 約９０ｎｍピッチで １５層積層されて いることを確認 １.５μｍ Ａｌ Ｇａ 発光層のＳＴＥＭ-ＥＤＸ元素マッピング 発光層のＳＴＥＭ像 Ａｓ 基板ＡｇめっきＰａｄ部変色原因調査（ＸＰＳ分析，ＴＯＦ-ＳＩＭＳ分析） Ａｇ Ａｇ Ａｇ Ｏ Ｏ Ａｇ Ａｇ-Ｓ ｏｒ Ａｇ単体 Ａｇ-Ｓ Ｃ Ｓｉ Ｓ Ｓ Ａｇ Ｃｌ Ｃｌ Ｏ １ｍｍ 変色Ｐａｄの光学像 ＳＯ４ Ａｇ単体由来の プラズモンロスピークが無い → Ａｇ-Ｓを示唆 ＸＰＳ：（ワイド）Ａｇ以外にＣ，Ｏ，Ｓｉ，Ｓ，Ｃｌを検出 （ナロー）Ｓは主に硫化銀として存在 。 Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ[ｍ/ｚ：１∼３００] Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ[ｍ/ｚ：１∼３００] Ａｇ化合物成分 シロキサン成分 Ｓｉ ＳｉＣ３Ｈ９ Ａｇ ＣＮＡｇ２ Ｓｉ２Ｃ５Ｈ１５Ｏ Ａｇ２Ｓ Ａｇ２Ｃｌ ＳＯ４Ｈ Ｃｌ Ｓ Ａｇ化合物成分 無機酸成分 Ｂｒ ＡｇＣｌ２ ＳＯ４ ＡｇＳ Ａｇ ＡｇＣｌ ＴＯＦ-ＳＩＭＳ：Ａｇは硫化銀・塩化銀・アミン塩として存在し，有機物としてシロキサン成分を確認 Ｓ
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