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SiC JFET による高速スイッチング電源
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三菱電機「PV 用大型ハイブリッド SiC DIPIPM」発売 新製品の特長 1
パワーデバイス用シリコン および関連半導体材料に関する研究会
こちら - 東京理科大学
お知らせアンテナ設置場所（213KB）
ディスクリート SiC-SBD
深紫外(266nm)レーザー加工装置と 微細加工への応用
実験室① MOSFETの ゲート抵抗の最適値
抵抗の熱雑音が見える！ 1 nV/㲋Hz低雑音プリアンプ
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