IECQ ITL Approval IECQ-L JQAJP 13.0002 パワーデバイスの総合解析サービス基本特性から個別要求試験までフレキシブルに対応概要 ◆ パワーデバイスの評価に必要な測定・試験・解析を実施します特長 ◆ 大電流及び広範囲な温度特性測定に対応 ◆ 最新の解析ツール・手法で不具合解析も強力にサポート ◆ フレキシブルな信頼性試験（パワーサイクル試験など）大電流（max500A ）及び広範囲温度（-60∼+300℃ ）の電気的特性測定 Power MOSFET 内蔵Ｄｉの trr 測定 IGBT のtf 特性 SiC MOSFET のVg-Id特性（ -55∼250℃ ） 20 VG 15 Id[ A ] VCE 10 5 tf IC 0 0 Diの重要なスイッチング特性である trr（逆回復時間）の正確な測定が可能 IGBTの重要な損失特性である tf（ターンオフ時間）の正確な測定が可能 5 10 Vg[ V ] 15 20 SiCデバイスの大電流/広範囲温度（ -60∼300℃ ）の諸特性測定が可能最新の設備による故障解析や測定評価ロックイン発熱解析（重ね合せ像）容量測定断面SEM解析像 Capacitance Vs. VDS C[pF] 10000 1000 100 10 500μｍ 10μｍ 1 ロックイン発熱解析装置を用いて、パワーMOSの不具合位置を特定（非破壊でも検出可能）不具合位置特定後はさまざまな物理解析で故障発生原因を特定 0.1 10 1000 VDS[V] ハイパワーカーブトレーサ B1505Aによるパラメータ測定フレキシブルな信頼性試験アバランシェ耐量試験パワーサイクル試験 ESD試験＋故障解析側部（側）破壊ゲート側壁部（ソース側）破壊 640usec ID VG RG BVDSS=430V VG VD N（Nwell） ID=60A VD=100V 破壊 P-（Psuｂ） P+ P + ゲート底面部（ソース側）破壊ゲト底面部（ソス側）破壊 ON/OFF ジャンクションが最高温度となるようにＩＤ（ドレイン電流）等を設定し断続動作試験を実施 1μｍ N（Nwell）アバランシェ耐量試験によりデバイスの実力を確認ＥＳＤ試験＋故障解析による不具合原因を特定し、改善策をご提案。ゲート側壁部（ソース側）の破壊に加えてゲート底面部（ドレイン側）でも破壊が発生 C Oki Engineering Co.,Ltd 2014.7