♪♪ PAM8012 ♪♪ 2.0W FILTERLESS MONO CLASS D POWER AMPLIFIER IN ULTRA SMALL FORMFACTOR DESCRIPTION WCSP9 1.24x1.24mm 概要超小型ながら最大２ワット (*) の出力が可能なＤ級アンプモジュールです。ピン取り付け穴が長穴加工となっていますので、電線のハンダ付けがし易くなっています。差動入力型ですが、IN- を GND に接続することでシングルエンド入力としても使用できます。 (*) +V=+5V, ZL=4Ω時 PIN ASSIGN & DIMENSIONs ピン配置と寸法長穴加工で電線のハンダ付けがし易い。スピーカの端子に固定することも可能。 +V 電源 +2.5V ～ +5.5V （ただし、スピーカの構造に依存します） OUT+ 電池２本 (3V) での駆動も可能。出力 (+) 出力は、BTL 駆動となっています。 11 モジュールの基準電位。 IN+ 差動入力 (+) ソケットやブレッドボードに挿して使う場合は、挿した状態でピンを取り付けると綺麗に取り付けできます。スピーカの (+) に接続します。 GND グラウンドとても小さい！スピーカの端子をこの２つの端子に mm 接続する必要があります。 GND には、つなぎません。シングルエンド入力の場合は、信号入力。 IN- 差動入力 (-) 10.5 シングルエンド入力の場合は、GND に接続。 FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM 機能ブロック図 0.1µF 入力 10µF 1µF 出力 0.1µF スピーカの (-) に接続します。 OUT- mm 出力 (-) TYPICAL APPLICATION 使用例 SINGLE-ENDED シングルエンド入力での使用例電源 (+) (+) (-) (+) VDD 入力 (-) (-) 1µF 1µF IN(-) 端子と GND 端子を接続します。 EN は VDD に接続し常時動作設定となっています。また、PL は抵抗未接続で、出力制限なしの設定となっています。なお、アンチサチュレーション機能は、有効となっています。電源部には、コンデンサ（パスコン）が付加されています。 SPECIFICATIONS スペック Parameter Supply Voltage, VDD Input Voltage, IN+, INMinimum Load Resistance Maximum Junction Temperature Storage Temperature Soldering Temperature 推奨動作条件　Rating 2.5 to 5.5 -40 to +85 -40 to +125 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 電源差動入力での使用例 (+) Unit V °C Unit 6.0 -0.3 to VDD +0.3 3.2 -65 to +150 150 260, 10sec (-) (-) FEATURES 特長・DIODES(PAM) 社製ワンチップＤ級アンプ IC PAM8012 使用・電源電圧　2.5V ～ 5.5V　電流　最大 500mA（@5V 4Ω）絶対最大定格 Rating (+) (-) (+) 入力 RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS Parameter Supply Voltage Range Ambient Temperature Range Junction Temperature Range differeNTial V Ω °C (@TA = +25°C, unless otherwise specified.) ・ゲイン　18dB( 最大 )　※アンチサチュレーション非動作時・1.0W(8Ω負荷 )/2.0W(4Ω負荷 ) 出力（＠5V, THD 1% 未満）・低ノイズ、高電源リプル除去率・自動復帰短絡保護、過熱保護内蔵・超小型モジュールサイズ　10.5x11mm THD = 1%, f = 1KHz CIN = 0.1µF, Inputs AC-Grounded AC Power Supply Ripple Rejection Signal to Noise Ratio Output Noise Peak Efficiency SNR VN η RL = 4Ω RL = 8Ω f = 217Hz, Inputs AC-Grounded with CIN = 0.1µF VDD = 5V, PO = 0.5W, R = 8Ω VDD = 5V, PO = 1W, R = 8Ω PSRR VDD = 3.6V, PO = 2W, R = 4Ω Total Harmonic Distortion Plus Noise 90 f = 1kHz 87 60 40 % µV 95 VDD = 3.6V No A-Weighting A-Weighting VENL AR VENH 95 VDD = 5.0V dB OTH -75 VDD = 3.6V TON OTP % 0.08 GV fSW % 0.08 0.08 RIN ISD IQ 0.08 W V Units Symbol |VOS| 5.5 Max 1.0 2.0 Typ -75 2.5 Min VDD = 5.0V f = 1kHz f = 1kHz VDD = 5V RPL = 110KΩ, f = 3kHz, R = 8Ω VDD = 5V, PO = 1W, R = 4Ω VDD = 5V RPL = 110KΩ, f = 3kHz, R = 4Ω Test Conditions THD+N Output Power PO Parameter Suppl y Voltage VDD Symbol Parameter Maximum Attenuation Range Low-Level EN Voltage High-Level EN Voltage Over Temperature Hysterisis Over Temperature Protection Turn-On Time Switching Frequency Closed Loop Gain Input Resistor Offdet Voltage Shutdown Current Quiescent Current No Load No Load No Load No Load 1.4 -20 Min 26 40 150 45 250 18 31 4.2 Typ 0.4 +20 1 Max dB V V °C °C mS KHz dB KΩ mV µA mA Units (@TA = +25°C, VDD = 5V, unless otherwise specified.) VDD = 5V Anti-Saturation Active from +18dB to -18dB VDD = 5V VDD = 5V VDD = 5V VDD = 5V VDD = 5V VDD = 5V VDD = 5V VDD = 5V VDD = 2.5V to 5.5V, VEN = 0V VEN = 5.0V, VDD = 5V, PL = 0V Test Conditions 4 8 4 8 4 8 4 8 480 (max) 260 (max) 330 (max) 180 (max) 300 (max) 170 (max) 280 (max) 160 (max) 弊社で測定した実測値です。測定条件…入力信号に 1kHz の正弦波を入力。負荷は純抵抗負荷としてセメント抵抗を使用。 5.0 5.0 3.3 3.3 3.0 3.0 2.5 2.5 電源電圧[V] 負荷抵抗[Ω] 消費電流[mA] モジュールの電源電圧と最大消費電流特性値、グラフは、参考データです。詳細につきましては対象デバイス（PAM8012）の最新データシートをご参照ください。