NJU7719 データシート

NJU7719
ボルテージディテクタ
■概要
NJU7719はC-MOSプロセスを使用した、超低消費、
高精度電圧検出器です。
検出電圧精度は±1.0%、検出電圧は内部固定式で、
1.3V ∼ 6.0Vの範囲でシリーズ化が可能です。
出力形式はNchオープンドレインとなっております
■特徴
●高精度検出電圧
●超低消費電流
●検出電圧
●出力形式
●C-MOS構造
●パッケージ
■外形
NJU7719U/U1
± 1.0%
0.8µA typ
1.3 ∼ 6.0V(0.1V step)
Nchオープンドレイン
SOT-89-3
■ 端子配列
2
1
2
PIN FUNCTION
1. VDD
2. VSS
3. VOUT
3
NJU7719U/U1
■ 等価回路図
VDD
VOUT
Vref
VSS
■ 検出電圧ランク
品名
NJU7719U/U1-21
NJU7719U/U1-23
NJU7719U/U1-27
NJU7719U/U1-29
NJU7719U/U1-32
Ver.2004-12-22
検出電圧
2.1V
2.3V
2.7V
2.9V
3.2V
品名
NJU7719U/U1-34
NJU7719U/U1-39
NJU7719U/U1-42
NJU7719U/U1-45
検出電圧
3.4V
3.9V
4.2V
4.5V
-1-
NJU7719
(Ta=25°C)
■ 絶対最大定格
項
目
入力電圧
出力電圧
出力電流
消費電力
動作温度
保存温度
記 号
VDD
VOUT
IOUT
PD
Topr
Tstg
定
格
+10
VSS-0.3 ∼ +10
50
350(*1)
−40 ∼ +85
−40 ∼ +125
単 位
V
V
mA
mW
°C
°C
(*1): 単体時
(Ta=25°C)
■ 電気的特性
項 目
検出電圧
ヒステリシス電圧
記 号
VDET
条
VHYS
消費電流
ISS
VDD=VDET+1V
出力電流
IOUT
Nch, VDS=0.5V
ILEAK
∆VDET/∆Ta
VDD
VDD=VOUT=9V
Ta=0 ∼ +85°C
RL=100kΩ
出力リーク電流
検出電圧温度係数
動作電圧(*2)
件
VDET=1.3V ∼ 1.7V品
VDET=1.8V ∼ 6.0V品
VDD=1.2V
VDD=2.4V (≥2.7V品)
最小 標準 最大 単位
-1.0%
V
− +1.0%
VDET VDET VDET
V
×0.03 ×0.05 ×0.08
0.5
1.0
−
µA
0.8
1.6
−
µA
0.75
2.0
mA
−
4.5
7.0
mA
−
0.1
−
−
µA
−
− ppm/°C
± 100
0.8
9
V
−
(*2): 動作電圧の最小値(VOPL)は、出力電圧(VOUT)が入力電圧(VDD)の10%以下となった時の値です。
-2-
Ver.2004-12-22
NJU7719
■ 測定回路図
1共通測定回路
RL
ISS
A
V DD
V OUT
NJM7719
V
V DD
V
V DET /
V OPL
V OUT
V SS
2出力電流/出力リーク電流測定回路
ILEAK /
IOUT
V DD
V OUT
A
NJM7719
V DD
V OUT /
V DS
V SS
応用回路例
V DD
RL: 100kΩ
V DD
V OUT
NJM7719
Reset Signal
INPUT
Micro-Processor
etc
V SS
V SS
Ver.2004-12-22
-3-
NJU7719
TYPICAL CHARACTERISTICS
NJU7719
Input Voltage vs. Quiescent Current
2.5
2.5
NJU7719
Input Voltage vs.Output Voltage
0.5
VDET=2.1V
VDET=2.9V
VDET=4.5V
2
1
1
0.5
0.5
0
0
0
2
4
6
Input Voltage:V
DD
10
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
0
0
0
0.1
0.2
[V]
0.3
0.4
Input Voltage:V
0.8
0.6
0.4
0.4
0.2
0.5
DD
0.6
0.7
[V]
NJU7719U21
Detection Voltage vs.Ambient Temperature
1
0.6
0.4
0.3
12
VDET=2.1V
VDET=2.9V
VDET=4.5V
0.8
Leak Current: I LEAK [nA]
8
NJU7719
Output Voltage vs.Leak Current
1
2.13
2.13
2.12
2.12
2.11
2.11
2.1
2.1
2.09
2.09
2.08
2.08
0.2
0
0
0
2
4
6
8
Output Voltage: V OUT [V]
-4-
Output Voltage: V OUT [v]
1.5
1.5
VDET=2.1V
VDET=2.9V
VDET=4.5[V
0.4
Detection Voltage:V DET [V]
Quiescent Current: I
SS
[µA]
2
0.5
10
12
2.07
2.07
-50
0
50
100
150
Ambient Temperature:Ta [°C]
Ver.2004-12-22
NJU7719
特性例
NJU7719
Drain-Source Voltage vs.Output Curent
VDD=1.2V
VDD=2.4V
VDD=4.2V
Output Current: I OUT [mA]
20
25
100
20
15
15
10
10
5
5
0
0
0
0.2
100
VDET=2.1V
VDET=2.9V
VDET=4.5V
Fall Delay Time:t PHL [us]
25
NJU7719
Ambient Temperature vs.Fall Delay Time
0.4
0.6
0.8
10
10
1
1
-50
0
Drain-Source Voltage: VDS [V]
10
0
50
100
Ambient Temperature:Ta [°C]
Ver.2004-12-22
1
150
0.6
Ta=-50[ ‹C]
Ta=25[ ‹C]
Ta=100[ ‹C]
0.5
Output Voltage:V OUT [V]
Rise Delay Time:t PLH [us]
VDET=2.1V
VDET=2.9V
VDET=4.5V
-50
NJU7719
Input Voltage vs.Output Voltage
0.6
100
100
1
1
150
100
Ambient Temperature:Ta [°C]
NJU7719
Ambient Temperature vs.Rise Delay Time
10
50
0.5
0.4
0.4
0.3
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
0
0
0
0.2
0.4
0.6
Input Voltage:V
DD
0.8
1
[V]
-5-
NJU7719
特性例
NJU7719
Drain-Source Voltage vs.Output Curent
25
VDD=1.2V
VDD=2.4V
VDD=4.2V
20
Output Current: I
OUT
[mA]
20
25
15
15
10
10
5
5
0
0
0
0.2
0.4
0.6
Drain-Source Voltage: V
-6-
0.8
DS
1
[V]
Ver.2004-12-22
NJU7719
特性例
Transient Response
Transient Response
NJU7719U29 VDD=10→1V,Tf=50ns,RL=100kΩ
NJU7719U29 VDD=1→10V,Tr=50ns,RL=100kΩ
VDD 0V→
VOUT 0V→
Time Time 5μs/Div.
Div.
Ver.2004-12-22
VDD 0V→
VOUT
Div.
VOUT 5
5V
V/Div.
Div.
VOUT 5
5V
V/Div.
VOUT
VDD
Div.
VDD 5
5V
V/Div.
Div.
VDD 5
5V
V/Div.
VDD
VOUT 0V→
Time Time 5μs/Div.
Div.
-7-
NJU7719
<注意事項>
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
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Ver.2004-12-22