Circuits hybrides Fabrication par Augustin COELLO-VERA Chef de Service Technologie Alcatel Espace et Claude DREVON Ingénieur à Alcatel Espace 1. 1.1 1.2 1.3 2. 2.1 2.2 Matériaux ................................................................................................... Substrats ...................................................................................................... Fabrication de substrats pour circuits hybrides à couches épaisses ...... 1.2.1 Diagramme de fabrication ................................................................. 1.2.2 Sérigraphie.......................................................................................... 1.2.3 Séchage ............................................................................................... 1.2.4 Cuisson ................................................................................................ 1.2.5 Ajustage............................................................................................... Fabrication de substrats pour circuits hybrides à couches minces......... 1.3.1 Diagramme de fabrication ................................................................. 1.3.2 Grillage ................................................................................................ 1.3.3 Dépôt sous vide .................................................................................. 1.3.4 Masquage. Gravure ............................................................................ 1.3.5 Couche résistive.................................................................................. Assemblage final de circuits imprimés hybrides............................ Composants utilisés dans les hybrides ..................................................... Report et câblage de composants.............................................................. 2.2.1 Report .................................................................................................. 2.2.2 Câblage................................................................................................ Encapsulation de circuits hybrides ............................................................ 2.3.1 Encapsulation en boîtier étanche ...................................................... 2.3.2 Enrobage ............................................................................................ — — — — — — — — 8 8 9 9 10 11 11 11 3. 3.1 3.2 3.3 Fiabilité ....................................................................................................... Considérations sur la fiabilité de circuits hybrides................................... Mécanismes de défaillance......................................................................... Tests de fiabilité ........................................................................................... — — — — 12 12 12 12 4. Domaines d’application ......................................................................... — 13 2.3 3 - 1995 Pour en savoir plus........................................................................................... E 3 927 E 3 927 - 2 — 2 — 2 — 2 — 3 — 4 — 4 — 5 — 6 — 6 — 6 — 7 — 7 — 7 Doc. E 3 927 a fabrication de circuits imprimés hybrides fait appel à des technologies très diverses, la plupart existant depuis de nombreuses années. Si les principes sont relativement aisés à comprendre, leur mise en œuvre pour une production industrielle nécessite de l’expérience. Les différentes technologies décrites dans ce document peuvent être classées en trois catégories correspondant à des métiers différents : — la fabrication du substrat (barbotine, cofrittage...) qui reste du domaine du céramiste ; — la réalisation de pistes métallisées en couches minces ou couches épaisses ; — le montage et câblage des composants actifs ou passifs. Les choix techniques devront tenir compte des impératifs de fiabilité, de thermique et de coût. L Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique E 3 927 − 1 CIRCUITS HYBRIDES ____________________________________________________________________________________________________________________ 1. Matériaux 1.1 Substrats La fabrication des alumines pour les besoins des circuits hybrides, que ce soit pour la réalisation d’un substrat de base ou d’un substrat multicouche, fait appel aux mêmes procédés. Le procédé commence par la formulation d’une barbotine comprenant : — la poudre d’alumine calcinée, la plus fine possible ; — les liants et plastifiants ; — les agents mouillants et dispersants ; — des solvants. Cette barbotine est broyée dans des broyeurs à galets de manière à assurer l’homogénéité du mélange et sa calibration. La barbotine est ensuite mise dans des réservoirs sous pression pour l’alimentation des machines d’épandage ; elle est coulée sur une bande en acier inoxydable ou en polyester. L’ensemble avance, en continu, dans un tunnel chauffé et ventilé. La calibration en épaisseur est assurée par une raclette à réglage micrométrique. La pression est maintenue constante de manière à obtenir une bande homogène. En sortie du tunnel, la bande est enroulée sur des bobines. Les paramètres essentiels sont : — le choix de la formulation, en particulier au niveau des plastifiants et agents mouillants ; — la compatibilité des solvants avec le support utilisé ; — la précision mécanique de l’ensemble au niveau calibration en épaisseur et vitesse de défilement ; — l’efficacité et la régularité de la ventilation et du séchage. La bande obtenue peut être découpée ou prédécoupée par poinçonnage. Les substrats sont ensuite cuits à une température comprise entre 1 550 et 1 650 oC. La méthode de cuisson dépend principalement des équipements utilisés : four à chambre ou à défilement, cuisson plus ou moins rapide. À cette température se produit le frittage des oxydes, c’est-à-dire le soudage des grains les uns aux autres, pratiquement sans apparition de phase liquide. La céramique est alors considérée comme un solide polycristallin ayant atteint une densité voisine de la densité théorique et par conséquent sans porosités ouvertes et peu de porosités fermées. Il faut noter le phénomène de retrait du matériau qui peut atteindre 15 à 25 % et qui doit être parfaitement maîtrisé, en particulier pour la réalisation de multicouches. Le contrôle après cuisson porte sur les points suivants : — capacité d’absorption de liquide ; — densité apparente ; — porosité ouverte ; — propriétés mécaniques : résistance à la flexion, module d’élasticité, dureté, résistance à la traction ; — coefficient de dilatation ; — conductivité thermique ; — rigidité diélectrique ; — permittivité ; — facteur de perte. En fonction de l’utilisation, les pièces peuvent ensuite être polies. Le tableau 1 présente quelques propriétés des principaux substrats utilisés pour la réalisation de circuits imprimés hybrides couches épaisses ou couches minces. 1.2 Fabrication de substrats pour circuits hybrides à couches épaisses 1.2.1 Diagramme de fabrication Avant d’examiner chacune des opérations élémentaires permettant d’arriver à la fabrication d’un substrat pour circuit hybride à couches épaisses, il est nécessaire de comprendre les diagrammes de fabrication possibles. La figure 1 montre le diagramme associé à un circuit monocouche (un seul niveau conducteur) avec résistances. La figure 2 correspond à un circuit multicouche (plusieurs niveaux de conducteurs). Dans le cas d’un circuit monocouche avec résistances, il peut être nécessaire de sérigraphier et sécher successivement plusieurs encres résistives, chacune d’elles correspondant à une valeur de résistance par carré comme défini dans l’article Conception des circuits hybrides [E 3 925]. L’ensemble des encres résistives doit être cuit en même temps pour éviter les dérives de la valeur initiale et du CTR (coefficient de variation de la résistance en température). Pour un circuit multicouche, plusieurs niveaux d’itération sont nécessaires en sérigraphie. Le premier concerne la sérigraphie du diélectrique entre les niveaux conducteurs. Afin de garantir une épaisseur suffisante et d’éviter les microtrous pouvant provoquer des courts-circuits, il est nécessaire de sérigraphier deux couches de diélectrique croisées à 90o. L’ensemble de ces deux couches a une épaisseur de 40 à 50 µm. La seconde boucle correspond à ce qui est nécessaire à chaque niveau conducteur supplémentaire, soit : — sérigraphie et séchage de deux couches de diélectrique ; — sérigraphie et séchage des vias pour chaque couche de diélectrique ; — cuisson de l’ensemble ; — sérigraphie du conducteur supérieur ; — séchage et cuisson. (0) Tableau 1 – Caractéristiques de substrats alumine Al2O3 96 % Al2 O3 99,6 % Cordiérite Saphir Masse volumique ............................ (en 103 kg/m3) 3,8 3,9 1,5 à 1,6 3,97 Dureté Vickers ................................................. (GPa) 14,7 17,6 Module d’Young ............................................. (GPa) 314 365 Coefficient de dilatation thermique ............................................. (en 10–6 / oC) 7,1 Conductivité thermique ........................ [W/(m · K)] 21 Permittivité relative .................................................... Tangente de l’angle de pertes δ ............... (en 10–4) E 3 927 − 2 22,5 120 470 7,2 3 5,3 25 3 42 9,5 9,9 4,9 à 5,1 10,3 19 19 10 à 30 Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique ___________________________________________________________________________________________________________________ CIRCUITS HYBRIDES Figure 1 – Diagramme de fabrication de substrat monoconducteur avec résistances Il est possible de cuire simultanément le diélectrique, les vias et le conducteur supérieur, mais cela n’est pas recommandé car le risque de microtrous devient trop important et les rendements de fabrication diminueraient de manière drastique. 1.2.2 Sérigraphie Le principe est rappelé sur la figure 3. Le dépôt des encres pour l’obtention de substrat d’un circuit hybride couches épaisses est obtenu par sérigraphie. Il s’agit d’imprimer sur un substrat alumine un motif défini par les fenêtres d’un pochoir réalisé sur un écran. Figure 2 – Diagramme de fabrication de substrat multicouche 1.2.2.1 Écran de sérigraphie L’écran est constitué d’une toile métallique tendue sur un cadre en aluminium rectifié sur ses deux faces. Le dessin du circuit est réalisé par obstruction partielle de la toile métallique avec une résine photosensible insolée au travers d’un masque. Une des caractéristiques des écrans est le nombre de meshs. Il s’agit du nombre d’ouvertures par pouce (25,4 mm) linéaire. En jouant sur le diamètre du fil constituant la toile métallique, il est possible de faire varier le pourcentage d’ouverture de la toile et augmenter ainsi le passage pour les particules contenues dans l’encre. Les caractéristiques typiques pour un écran 325 meshs (correspondant à la sérigraphie de conducteurs) sont : — diamètre du fil : 28 à 30 µm ; — épaisseur de toile : 60 à 70 µm ; — nombre de fils par pouce (25,4 mm) : 315 à 330 ; — pourcentage d’ouverture : 40 %. Figure 3 – Principe de la sérigraphie Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique E 3 927 − 3 CIRCUITS HYBRIDES ____________________________________________________________________________________________________________________ D’une manière générale, quand le nombre de meshs augmente (jusqu’à 400 pour les conducteurs) : — la définition des lignes sérigraphiées est meilleure ; — l’épaisseur déposée est plus faible, car liée au diamètre du fil constituant la toile. Le nombre est également limité par l’ouverture dans la toile qui doit permettre le passage des particules métalliques contenues dans les encres. Le choix et la qualité de l’écran, ainsi que le soin apporté dans l’enduction et le développement de la résine photosensible, interviennent pour plus de 50 % dans la qualité de la couche déposée. 1.2.2.2 Principe de la sérigraphie Le mouvement d’aller-retour de la raclette permet d’abord de répartir l’encre de manière uniforme sur l’ensemble du motif. Puis, au retour, la raclette met la toile en contact avec le substrat et force l’encre à passer au travers de l’écran aux endroits laissés libres par la résine. Un temps de repos est alors nécessaire (10 à 15 min) pour laisser à l’encre le temps de s’étaler et diminuer les marques dues au maillage de l’écran. Les paramètres importants au niveau de la sérigraphie sont : — la distance écran-substrat appelée hors contact ; — la pression de la raclette qui met l’écran en contact avec le substrat ; — la vitesse de déplacement de la raclette. Lors de la mise en place du procédé et des moyens associés, il est nécessaire d’étalonner correctement ces paramètres pour connaître leur influence sur l’épaisseur de pâte déposée. La mesure de l’épaisseur en humide est possible avec un microscope à coupe optique. Quel que soit le niveau d’automatisation de la machine, celle-ci comprend toujours les éléments suivants : — le porte-substrat qui doit garantir l’alignement et la registration; — le porte-écran qu fournit le réglage en hauteur ; — le porte-raclette qui fournit le mouvement alternatif. — en four à passage (chauffage conventionnel ou infrarouge) pour des niveaux de production plus importants ou une automatisation en ligne. 1.2.4 Cuisson La cuisson des couches est une étape importante puisque les caractéristiques, en particulier des résistances, dépendent de cette opération. Le four doit permettre un contrôle des trois opérations réalisées pendant la cuisson : — l’élimination des produits organiques à une température de 300 à 400 oC : les restes de cette combustion sont évacués par la ventilation de telle manière qu’ils ne perturbent pas l’atmosphère des autres zones ; — le frittage à une température élevée (800 à 1 000 oC) : pour des encres spéciales, cuivre ou autres, l’air constituant l’atmosphère du four pourra être remplacé par de l’azote pur ou avec de l’oxygène ou de l’hydrogène ; — le refroidissement. Pour cela, un four à passage est traditionnellement constitué (figure 4) : — d’un tunnel permettant de garantir la régularité de la température et de l’atmosphère ; — d’un tapis véhiculant les substrats et devant résister aux variations de température jusqu’à 1 000 oC ; — de zones multiples (minimum 4) garantissant la précision sur les profils de chauffage et refroidissement ; — d’un contrôle de la ventilation et de l’atmosphère ; — d’un contrôleur et de thermocouples assurant la régulation en température. Des profils de cuisson sont donnés, pour exemple, sur la figure 5. 1.2.3 Séchage Le séchage (autour de 150 oC) permet l’élimination des solvants légers contenus dans les différentes encres. Il peut être réalisé : — en étuve ventilée pour de petites productions (séries jusqu’à quelques centaines de pièces) ; Figure 4 – Principe du four à passage Figure 5 – Profils de cuisson E 3 927 − 4 Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique ___________________________________________________________________________________________________________________ Les points importants du profil sont : — la montée en température : 50 ou 100 oC/min dans la zone 300 à 500 oC ; — la durée du palier 10 min à 850 oC avec une précision de ± 30 s ; — le refroidissement : 50 ou 100 oC/min dans la zone de 700 à 300 oC. Un soin particulier devra être apporté à la filtration de l’air injecté dans le four. Entre le branchement sur le réseau d’air comprimé et l’entrée dans le four, il est nécessaire de prévoir des filtres pour les particules et les huiles présentes dans les compresseurs. 1.2.5 Ajustage 1.2.5.1 Ajustage mécanique Des particules de matériau abrasif (carbure de bore) calibrées à 25 µm sont projetées sur le circuit au travers d’une buse. La forme de cette buse est adaptée à la dimension et à la géométrie (nombre de carrés) de la résistance. La valeur de la résistance est mesurée en continu grâce à deux (ou quatre) pointes posées sur le circuit. La buse est montée sur un système pneumatique qui donne le mouvement et permet d’obtenir la forme du sillon. L’ensemble peut être automatisé, c’est-à-dire que l’avance de la buse est asservie à la mesure de la résistance, l’ensemble s’arrêtant lorsque la valeur finale programmée est atteinte. CIRCUITS HYBRIDES — mesurer la résistance ; l’ajustage étant arrêté lorsque la valeur visée est atteinte. Il est nécessaire de nettoyer ensuite soigneusement le substrat. 1.2.5.3 Ajustage par laser Un système d’ajustage par laser (figure 7) est constitué de quatre parties principales : — une source laser YAG travaillant à une longueur d’onde de 1,06 µm avec son infrastructure (alimentation haute tension et système de refroidissement par eau désionisée), les diaphragmes et sécurités associés ; — un sous-ensemble de pilotage du faisceau, en général constitué de miroirs à 45 degrés asservis et d’une lentille convergente focalisant l’énergie en un point de l’ordre de 10 µm de diamètre ; — la table porte-substrat et le système de carte à pointes permettant la mesure des résistances par l’appareil de mesure ; — un calculateur pilotant le laser, les miroirs pour le déplacement du faisceau, le système de mesure et éventuellement le déplacement de la table pour l’ajustage de circuits multimotifs. Lors de la mise au point de l’ajustage laser, il est nécessaire de trouver l’optimum entre : la vitesse, la puissance laser, le diaphragme, de manière à limiter le bruit dans les résistances. 1.2.5.2 Ajustage chimique Une goutte d’électrolyte (à base d’acide phosphorique) est déposée sur la résistance à ajuster (figure 6). Deux pointes sont montées sur le circuit pour la mesure et une pointe dans l’électrolyte. Le système de connexion sert successivement à : — ajuster la résistance en envoyant un courant provoquant l’électrolyse et donc l’oxydation progressive de la couche résistive ; Figure 6 – Principe de l’ajustage chimique Figure 7 – Principe de l’ajustage par laser Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique E 3 927 − 5 CIRCUITS HYBRIDES ____________________________________________________________________________________________________________________ 1.3 Fabrication de substrats pour circuits hybrides à couches minces 1.3.1 Diagramme de fabrication Le diagramme de fabrication de substrats couches minces à un seul niveau de métallisation, incluant une couche résistive, est présenté figure 8. Le multicouche Ta 2N/TiW/Au est très largement répandu mais le diagramme est toujours valable pour d’autres couches résistives et couches barrières (NiCr et TiPd par exemple). Le diagramme présente deux branches. — Procédé additif : la couche d’or (ou autre métal conducteur) est complétée par une croissance galvanique sélective à travers des fenêtres dans le photorésist (figure 9). — Procédé soustractif : la couche conductrice est formée, avec son épaisseur définitive, sur toute la surface du substrat, soit par dépôt sous vide, soit par croissance galvanique sur une couche d’accrochage. Les conducteurs sont définis par gravure de l’épaisseur totale de la couche (figure 10). Le procédé additif est plus économe en métaux précieux. Le procédé soustractif permet, avec la gravure sèche, des lignes très fines (5 µm de largeur) avec des parois très raides. 1.3.2 Grillage Le grillage des substrats a pour but d’éliminer à haute température les contaminants organiques pouvant rester sur le substrat. Il se réalise dans un four atmosphérique avec un cycle qui dure 20 heures au total avec une température maximale de 1 200 oC pendant 4 heures. Les pièces à griller doivent être maintenues entre deux briques en alumine. Figure 9 – Diagramme de fabrication par procédé additif Figure 8 – Diagramme de fabrication de substrat avec un seul niveau de métallisation et une couche résistive E 3 927 − 6 Figure 10 – Diagramme de fabrication par procédé soustractif Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique ___________________________________________________________________________________________________________________ 1.3.3 Dépôt sous vide Le dépôt des couches minces a été traité dans l’article Conception des circuits hybrides [E 3 925]. Les deux techniques couramment utilisées sont l’évaporation et la pulvérisation cathodique. Dans les deux cas la qualité du vide et la propreté de la chambre de dépôt sont très importantes pour éviter la contamination des couches. Les principaux avantages de chaque méthode sont les suivants. CIRCUITS HYBRIDES c ) Magnétron : c’est un mode (DC ou RF) où le dépôt est assisté par un champ magnétique parallèle à la surface de la cible et généré par des aimants permanents situés à l’arrière de la cible, le but étant d’augmenter l’efficacité de l’ionisation. Le taux de dépôt est multiplié par un facteur proche de 3. d ) Gaz : dans cette variante, une partie de l’argon est remplacée par un gaz réactif (oxygène, azote ou méthane) dans le but de former un composé (oxyde, nitrure ou carbure respectivement) de l’élément cible. Le nitrure de tantale souvent utilisé comme couche résistive et d’accrochage est déposé de cette manière. 1.3.3.1 Évaporation C’est la méthode la moins chère. Le matériau à déposer est placé dans un creuset et chauffé par une résistance ou par un faisceau d’électrons jusqu’à ce qu’il s’évapore. Les principaux inconvénients sont : la consommation, excessive du matériau évaporé (récupération possible), la difficulté de déposer correctement des matériaux composés, l’impossibilité de déposer des matériaux réfractaires et la relative mauvaise qualité des films. 1.3.3.2 Pulvérisation cathodique La pulvérisation cathodique est un procédé de dépôt de couches minces sur substrat, se déroulant dans une enceinte où l’on établit une faible pression (0,1 Pa) d’un gaz inerte. Le gaz généralement utilisé est l’argon. — L’argon est ionisé face à un bloc appelé cible, constitué du matériau que l’on désire déposer. — Un potentiel négatif de quelques centaines de volts est appliqué à la cible. — Les ions argon, chargés positivement, sont accélérés vers la cible avec suffisamment d’énergie pour créer l’éjection physique des atomes ou molécules de la cible. — Les particules sont éjectées sur un grand spectre de directions, traversent le plasma et viennent recouvrir les substrats situés sur l’anode, face à la cible. Les avantages de la pulvérisation par rapport à d’autres modes de dépôt tels que l’évaporation sont : — un meilleur pouvoir recouvrant dû au large spectre de direction de pulvérisation ; — une meilleure adhérence résultant de l’énergie cinétique des particules déposées sur le substrat ; — un meilleur contrôle de la composition des matériaux déposés (on peut ainsi déposer du TiW de composition constante) ; — des températures de dépôt relativement faibles (200 à 300 oC), même pour des métaux réfractaires ; — des couches plus pures de par les vides poussés obtenus sur les équipements de pulvérisation. Il y a quatre variantes de pulvérisation cathodique (Sputtering en anglais). a ) En courant continu (DC) : les cathodes sont activées en continu, ce qui permet de disposer de puissances très élevées (10 kW au lieu de 3 kW en radiofréquence), puissances qui, combinées à l’effet magnétron (cf. point c ), donnent des taux de dépôt d’autant plus accrus. C’est le mode de dépôt le mieux adapté aux couches les plus épaisses (plusieurs micromètres). D’une manière générale, le mode continu (DC) ne peut être utilisé que pour des dépôts de matériaux conducteurs. Il se produit en mode DC sur les matériaux isolants une accumulation de charges qui génère des phénomènes d’arcage destructifs. Ce mode de dépôt est peu exothermique. b ) En radiofréquence (RF) : dans cette variante, un signal de très haute fréquence (13,5 MHz) est appliqué entre les deux électrodes. Ce mode de dépôt permet la pulvérisation de tous types de matériaux, conducteurs ou isolants. Le taux de dépôt (vitesse de dépôt) obtenu est relativement faible et convient aux couches très minces (quelques dizaines de nanomètres). Ce mode de dépôt est relativement plus chaud que DC. 1.3.4 Masquage. Gravure Le principe du masquage est illustré sur la figure 11. La résine photosensible est appliquée uniformément sur le substrat à graver. On distingue d’abord deux types de résines suivant la technique d’application : — les résines liquides que l’on applique par centrifugation ou par électrospray ; — les films photosensibles que l’on applique par lamination. Le masquage permet ensuite d’insoler sélectivement la résine. Les résines photosensibles peuvent aussi se classer selon leur polarité : négative et positive. Pour les résines positives, la partie exposée est dissoute lors du développement, la résine non déposée reste en protection. Pour les résines négatives, la partie insolée reste après le développement et la partie non exposée est dissoute. La gravure des couches minces se réalise dans la plupart des cas par voie humide. Néanmoins, lorsqu’il y a des lignes très fines à définir, notamment pour les applications en haute fréquence, la voie sèche (usinage ionique, plasma, gravure ionique réactive) est préférable. Un récapitulatif des avantages relatifs aux différentes techniques de gravure est présenté en tableau 2. Le lecteur peut consulter les références [1] et [2] pour obtenir le détail des solutions de gravure humide et les types de plasma utilisés pour les couches minces métalliques, résistives et diélectriques. Le tableau 3 présente des solutions de gravure pour les métaux pour couche mince les plus fréquemment utilisés. (0) Tableau 2 – Avantages relatifs aux différentes techniques de gravure pour la couche mince Technique de gravure Principe d’action Sélectivité Directionnalité Humide chimique très bonne isotrope faible Plasma chimique assisté par ions bonne isotrope moyen physique mauvaise anisotrope élevé physique + chimique moyenne anisotrope élevé Usinage ionique Usinage ionique réactif Coût 1.3.5 Couche résistive Cette couche est en général très mince. Nous prenons comme exemple représentatif la fabrication des couches résistives avec le Ta2N. L’épaisseur est de l’ordre de 60 nm et elle est déposée par pulvérisation réactive. Le mode RF normal (dit diode) présente dans ce cas un double avantage : d’une part, le taux de dépôt est relativement faible et, d’autre part, ce mode de dépôt est relativement chaud et convient parfaitement à la pulvérisation réactive où la réaction chimique est activée thermiquement. La résistance par carré ( R ) après dépôt, mesurée par la méthode des 4 pointes, doit se trouver entre 30 et 40 Ω ⁄ . Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique E 3 927 − 7 CIRCUITS HYBRIDES ____________________________________________________________________________________________________________________ (0) Tableau 3 – Solutions de gravure pour les couches minces métalliques Aluminium Chrome 80 % acide orthophosphorique 5 % acide nitrique 5 % acide acétique 10 % eau eau régale : 75 % acide chlorhydrique 25 % acide nitrique 200 mL eau 340 g iodure de potassium 7g iode Or 150 g nitrate double d’ammonium et de cérium 35 mL acide acétique 1 L eau T = 50 oC 2g 90 % sulfate de cérium hydraté Nichrome 10 % acide nitrique Cuivre Chlorure ferrique 42o Baumé (densité de 1,456 ou solution aqueuse à 41 %) acide sulfochromique persulfate d’ammonium sulfate cérique 20 mL eau 10 mL acide nitrique Nitrure de tantale 4,8 parties acide acétique 2,4 parties acide nitrique 0,8 parties acide fluorhydrique R après dépôt ∆R/R CTR 1re 2e (Ω ⁄ ) dérive 4 heures à 300 oC dérive 20 heures à 150 oC (en 10–6 oC) 30 < R < 40 < 13 % <2% – 100 < CTR < –50 2. Assemblage final de circuits imprimés hybrides 2.1 Composants utilisés dans les hybrides Figure 11 – Principe du masquage Les substrats couches minces avec couche résistive Ta2N subissent (cf. figure 8) deux stabilisations thermiques. La première stabilisation dure 4 heures à 300 oC à l’atmosphère. Elle permet d’accélérer la stabilisation des résistances par traitement thermique et par oxydation de surface. La deuxième stabilisation se fait à 150 oC pendant 20 heures. Elle sert à vérifier que les résistances sont bien stabilisées. La dérive des résistances est mesurée après chaque stabilisation. Ces dérives sont exprimées en pour-cent de la valeur initiale. Le coefficient de température de la résistance (CTR) est aussi mesuré après la deuxième stabilisation thermique : R T – T T0 6 CTR = ------------------------------× 10 R T0 T – T 0 La méthode couramment utilisée pour la mesure du CTR est une méthode par immersion. La résistance est d’abord mesurée à l’ambiante ( R T0 où T0 = 21 oC), puis après immersion dans un liquide inerte dont la température est contrôlée à T = 180 oC. La fabrication de résistances couches minces avec couche résistive Ta2N est ainsi spécifiée dans le tableau suivant : (0) E 3 927 − 8 Les composants utilisés dans les circuits hybrides, comme pour toute fonction électronique, peuvent être répartis en deux classes : passifs et actifs. Les composants passifs sont soit directement imprimés (en général les résistances), soit reportés sous formes de pavés. Ces deux possibilités peuvent être mixées de manière à s’affranchir des inconvénients spécifiques à chaque technologie. Par exemple, l’utilisation de pavés résistifs reportés est possible : — sur des circuits couches minces dans le cas de résistances de haute valeur (quelques dizaines de kiloohms et au-dessus) ; — sur des circuits couches épaisses pour des dérives en température faibles (< 50 · 10 –6/ oC). Tous les composants actifs rencontrés sur circuit imprimé sont utilisables, en particulier les composants CMS (composants montés en surface), les SOT (Small Outline Transistors ), les LCC (Leadless Chip Carrier ). Pour ce type de boîtier, le circuit imprimé hybride est particulièrement adapté à l’utilisation de boîtiers céramiques puisque les coefficients de dilatation du support et du boîtier sont strictement équivalents. Les risques de fissuration du joint de brasure lors des contraintes thermiques sont éliminés. La spécificité des circuits hybrides réside dans l’utilisation directe de pastilles actives (diodes, transistors, circuits intégrés de tous types...) hors de leur boîtier étanche. Les pastilles actives, ou puces, peuvent être proposées sous les formes suivantes : — en boîte alvéolée ; — en boîte autoadhésive ; — en wafer découpé mais conservé sur film adhésif (peau de tambour) pour du report automatique. Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique ___________________________________________________________________________________________________________________ CIRCUITS HYBRIDES ■ Les différentes manières de déposer la colle pour les besoins microélectroniques sont : — la pointe : une pointe effilée permet de prélever puis déposer de la colle aux endroits souhaités. Cette méthode doit être réservée à des opérations très ponctuelles car la répétitivité est difficile à assurer ; — le tampon : un film de colle est déposé sur un disque et calibré en épaisseur avec une raclette. Un outil en forme prélève ensuite la colle et assure le transfert sur la zone prévue. Des machines semi-automatiques ou automatiques permettent de combiner le dépôt de colle avec la prise et le report du composant ; — le dispenseur : la colle est conditionnée en seringue. Dans la version automatisée, un système sur portique assure la tenue de la seringue et son déplacement en xy. L’éjection et le dépôt de la colle sont calibrés pneumatiquement ; — la sérigraphie : on utilise un écran (voir paragraphe relatif à la sérigraphie). Cela permet de placer de la colle en une seule opération de manière parfaitement calibrée aux différents endroits souhaités. En revanche, il n’est pas possible de mixer aisément l’utilisation de colles différentes (exemple : conductrice et isolante). Les mêmes principes et types de colle sont utilisés pour le report du substrat sur le fond d’un boîtier. Les métallisations doivent être parfaitement connues de manière à utiliser des procédés de câblage et report adaptés. Différents additifs peuvent être rapportés au niveau de la puce, de préférence par le fabricant, pour faciliter leur report et connexion : — boules de brasure pour le montage dit flip chip (figure 12) ; — poutres (à base de TI/Pt complété par un dépôt électrolytique d’or) pour un montage type beam lead (figure 13). Pour certaines applications, ce composant, de par sa passivation renforcée, peut être considéré comme étanche. 2.2 Report et câblage de composants Le report de composant doit assurer plusieurs fonctions : — tenue mécanique du composant ; — connexion électrique du composant (par exemple le collecteur lors du report d’un transistor en pastille active) ; — éventuellement un transfert thermique. Le report fait appel à deux techniques : — le collage (électriquement conducteur ou isolant) ; — la brasure avec ou sans métal d’apport. 2.2.1 Report 2.2.1.1 Collage Les colles utilisées sont le plus souvent des colles époxydes, chargées (Au mais surtout Ag) lorsqu’il est nécessaire d’assurer la conductivité. Le tableau 4 présente quelques caractéristiques. Les constituants d’une colle sont : — la résine composée de molécules monomères ; — le durcisseur qui permet, par apport de chaleur, de réaliser la polymérisation ; — les charges, sous forme de poudres ou de fibres, qui permettent d’adapter les caractéristiques au besoin. Les colles peuvent être approvisionnées en bicomposant qu’il conviendra de mélanger correctement au moment de l’utilisation, ou en monocomposant. Dans ce cas, il est le plus souvent nécessaire de conserver la colle à des températures inférieures à – 20 oC de manière à ne pas amorcer la polymérisation. Elles sont conditionnées en pot, en seringue ou en film dans lequel il faudra découper des préformes. Un point important à prendre en compte pour les circuits hybrides hermétiques est le taux de dégazage, en particulier en ions chlore, sodium et potassium. La norme MIL Std 883 – méthode 5011 précise de manière très explicite ces conditions. Figure 12 – Montage flip chip Figure 13 – Montage beam lead (0) Tableau 4 – Caractéristiques typiques de colles Conductrice électrique Isolante électrique Conductrice thermique 1 h à 150 oC 1 h à 150 oC Température max. d’utilisation ............................................................ (oC) — en continu ................................................................................................... .................................. — en intermittent ............................................................................................ .................................. 150 oC 300 oC 150 oC 300 oC Résistance au cisaillement (Al/Al à 25 oC) .................................................... 17 MPa 37 MPa 21 MPa Résistivité ........................................................................................ (Ω · cm) 0,002 5 · 1014 8 · 1014 Caractéristiques Conditions de polymérisation ........................................................................ Température de transition vitreuse ( Tg ) .............................................. (oC) 1/2 h à 150 oC 2 h à 125 oC 90 100 109 Conductivité thermique ............................................................. [W/(m · K)] 3,46 0,24 0,73 Coefficient de dilatation .......................................................... (en 10–6/ oC) — pour t < Tg ................................................................................................... — pour t > Tg ................................................................................................... 64 13 61 20 45 27 Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique E 3 927 − 9 CIRCUITS HYBRIDES ____________________________________________________________________________________________________________________ 2.2.1.2 Brasage Par rapport à des circuits imprimés conventionnels époxyde ou polyimide, la spécificité des circuits hybrides devra être prise en compte. — Taille : les machines type soudure à la vague sont peu adaptées. — Pollution et nettoyage : il n’est pas recommandé d’utiliser des brasures avec flux sur des circuits comportant des pastilles actives nues et des câblages effectués par thermocompression ou par ultrasons. On peut utiliser des brasures avec flux (SnPbAg, SnAg, SnPb...) pour des montages de composants en surface en microboîtiers. Pour les puces, on préférera une brasure eutectique. Les plus utilisées sont : — AuSn à 280 oC ; — AuGe à 356 oC ; — AuSi à 370 oC. Les eutectiques permettent d’avoir : — un bas point de fusion ; — le comportement d’un métal pur : en effet, si on chauffe un mélange de composition eutectique, il se liquéfie entièrement sans passer par un état pâteux ; — un état de saturation : les eutectiques appauvrissent peu les métaux en contact entrant dans leur composition. Dès que la température de soudure s’élève au-dessus du point eutectique, le métal fond et la composition du mélange change. La température de fusion n’augmentant pas, une partie du mélange se solidifie ; — une excellente mouillabilité des métaux contenus dans l’eutectique. Les procédés de refusion utilisables sont : — le four à passage (chauffage conventionnel ou infrarouge) : il peut être à atmosphère contrôlée (N2 ou H2). De par le montant de l’investissement et la difficulté de modifier le profil, il est généralement réservé aux travaux de série répétitifs ; — la plaque chauffante : c’est un équipement simple bien adapté aux prototypes mais le cycle thermique n’est pas aisément reproductible ; — la plaque chauffante automatisée (figure 14) : un tapis sur lequel les pièces sont posées passe successivement au-dessus de plusieurs plaques chauffantes, ce qui permet de réaliser le profil de refusion. Un minitunnel peut permettre de contrôler approximativement l’atmosphère au-dessus de la zone de refusion. C’est un système à faible investissement largement utilisé dans le milieu de la microélectronique ; — la phase vapeur : ce procédé bien connu pour les circuits imprimés conventionnels est également bien adapté aux circuits imprimés hybrides, pour le montage de composants en surface avec des brasures type SnPbAg. 2.2.2 Câblage Le câblage des puces actives fait appel à : — des techniques pour réaliser la pénétration intermoléculaire fil-plage de soudure (thermocompression, ultrasonique, thermosonique) ; — des formes de soudure (tête de clou ou ball bonding, par coins ou wedge bonding ) ; — des fils (aluminium ou or). (0) Le tableau 5 présente les combinaisons les plus utilisées. E 3 927 − 10 Figure 14 – Principe du tapis chauffant pour refusion Tableau 5 – Combinaisons les plus utilisées en câblage Type de soudure Thermocompression Ultrasonique Thermosonique fil Au ................. fil Au .................. fil Au fil Al fil Au fil Al Ball bonding Wedge bonding 2.2.2.1 Les techniques ■ La soudure par thermocompression utilise la température et la pression. La chaleur nécessaire est apportée par l’outil (de l’ordre de 300 oC) et par le porte-substrat (100 à 150 oC). La thermocompression ne peut être utilisée qu’avec des fils d’or. ■ Dans le cas de soudure ultrasonique, l’apport d’énergie se fait par entretien de microvibrations à fréquences élevées, sous une pression de quelques dizaines de grammes. L’avantage de cette méthode est de travailler sans élévation de température et de permettre la connexion de fils d’or sur des plages aluminium (ou inversement) sans avoir le risque de formation de composés intermétalliques dus à la température comme pour la thermocompression. ■ La soudure thermosonique utilise les mêmes techniques que la soudure ultrasonique avec un préchauffage du substrat à 100-120 oC pour améliorer la qualité des soudures de fils d’or. 2.2.2.2 Formes de soudure ■ La soudure ball bonding est présentée sur la figure 15. Le fil passe au travers d’un capillaire. Une décharge électrique forme la boule qui est ensuite écrasée sur la zone de câblage. Le mouvement associé à la tête donne la forme de la boucle. L’empreinte de la seconde soudure est telle que le fil est fragilisé et se casse. L’avantage de ce type de soudure réside dans la vitesse, l’automatisation plus facile et la possibilité de partir dans n’importe quelle direction pour la seconde soudure. ■ Pour la soudure wedge bonding (figure 16, le fil passe par le chas de l’outil. Il est tenu par une pince. la première soudure est écrasée en forme de couleuvre. La forme de la boucle est donnée par la tête supportant l’outil. Le fil est cassé à la seconde empreinte, pendant la soudure ; l’outil maintient la pression et la pince tire le fil. Ce type de câblage permet des connexions plus courtes mais nécessite d’aligner au préalable des deux zones de câblage de manière à ne pas introduire de contraintes sur le fil. ■ Fils Les fils d’or sont tréfilés jusqu’à des diamètres extrêmement fins. On peut les approvisionner à partir de diamètre de 7,5 µm pour les fils et jusqu’à plusieurs centaines de micromètres de large pour les rubans. En fil, un des diamètres standards est le 25 µm dopé à 5 · 10 –6 de béryllium. Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique ___________________________________________________________________________________________________________________ Les fils d’aluminium sont généralement dopés à 1 % de silicium pour faciliter leur fabrication. Les diamètres standards sont 17,5 et 25 µm. 2.3 Encapsulation de circuits hybrides La protection des circuits peut se faire par : — encapsulation en boîtier étanche ; — enrobage, qu’il soit local (protection à la goutte) ou global (surmoulage). 2.3.1 Encapsulation en boîtier étanche Le boîtier traditionnel est réalisé en Kovar par des techniques d’emboutissage, d’usinage dans la masse ou par brasage d’un mur et d’un fond. Les sorties par perles de verre peuvent être rapportées par brasage ou être obtenues par enverrage direct. Elles sont horizontales (boîtier dit flat-pack ) ou verticales pour les boîtiers enfichables. Elles peuvent être adaptées 50 Ω pour les circuits hautes fréquences. CIRCUITS HYBRIDES Le capot assurant la fermeture et l’herméticité peut être : — brasé : il est alors nécessaire d’utiliser des brasures eutectiques AuSn sans flux, le flux n’étant pas compatible avec la présence de pastilles actives nues ; — soudé électriquement ; — soudé à la molette ; — soudé au laser. La soudure électrique, par décharge, est plutôt utilisée pour des boîtiers type TO de transistors et réservée aux très grandes séries. Elle nécessite des outils en forme adaptés à chaque boîtier. Le principe de la soudure à la molette est présente figure 17. Pour cette utilisation, le capot doit être à bords amincis (de l’ordre de 125 µm). Un courant pulsé de forte intensité (800 à 1 000 A) assure l’équivalent d’une soudure par point. Après un premier cordon de soudure, la table tourne de 90o de manière à permettre la soudure sur les deux autre côtés. Un soin particulier devra être apporté aux coins du boîtier de manière à assurer un recouvrement sans surfusion. Le point délicat de ce type de machine reste le passage du courant (environ 1 000 A) au niveau des roulements de bras. Le laser ne nécessite pas de bord aminci. Plusieurs techniques peuvent être utilisées. Elles sont présentées sur la figure 18. Dans tous les cas, il est nécessaire de procéder à un dégazage préalable en étuve de manière à garantir un taux d’humidité aussi faible que possible à l’intérieur du boîtier. L’opération elle-même devra être réalisée sous azote de façon à enfermer une atmosphère neutre dans le boîtier. 2.3.2 Enrobage L’enrobage sert à la fois de protection mécanique et de protection contre l’humidité et les solvants. Il ne peut être utilisé pour des circuits haute fiabilité. L’intérêt est de diminuer les coûts, le poids et l’encombrement. Figure 17 – Fermeture à la molette Figure 15 – Soudure ball bonding Figure 16 – Soudure wedge bonding Figure 18 – Différents types de fermeture laser Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique E 3 927 − 11 CIRCUITS HYBRIDES ____________________________________________________________________________________________________________________ Les différentes techniques d’enrobage sont : — le trempage ; — la protection localisée ; — le surmoulage. Les matériaux les plus utilisés appartiennent aux familles époxyde, silicone et silicone-polyimide. Les techniques n’étant pas spécifiques aux circuits hybrides, elles ne seront pas développées ici. 3. Fiabilité 3.1 Considérations sur la fiabilité de circuits hybrides Les circuits hybrides utilisent les mêmes sous-techniques que les circuits imprimés et les circuits intégrés : câblage fils, brasage, report de puces, etc. Pour les hybrides à puces nues, le fait d’éliminer un niveau d’interconnexion augmente le niveau de fiabilité de l’hybride par rapport au circuit imprimé, ce qui est l’une des raisons du choix des hybrides pour les applications à haute fiabilité. Le remplacement des résistances discrètes par leur équivalent imprimé va dans le même sens. Les considérations sur la fiabilité doivent être intégrées dans le cycle de conception de l’hybride. Elles portent sur le comportement : électrique, mécanique et thermique. L’information de fiabilité à définir au départ doit comprendre : — la durée de vie de l’hybride ; — le taux de défaillance aléatoire ; — les modes de défaillance prévisibles ; — les conditions de déverminage électrique et mécanique ; — les environnements climatiques et mécaniques pendant la durée de vie ; — les tests de vieillissement accéléré, si applicables. 3.2 Mécanismes de défaillance Comme pour tout assemblage électronique, le principal mécanisme est associé à la défaillance d’interconnexions et en particulier de joints brasés. La formation de composés intermétalliques dans le joint brasé avec des conducteurs à base d’or ou d’argent doit être particulièrement surveillée. L’utilisation de résistances, condensateurs et inductances imprimées améliore la fiabilité de plusieurs façons : — l’excellent contact thermique entre le film résistif (ou diélectrique) avec le film conducteur élimine les points très chauds ; — l’élimination des joints câblés, brasés ou collés supprime tous les mécanismes de défaillance associés à ces joints et élimine les risques de défaillance sous contrainte mécanique (chocs, vibrations et accélérations). De l’autre côté, les composants imprimés peuvent évoluer (drift ) et cela doit s’intégrer dans la conception électrique du circuit. Les circuits hybrides à puces nues sont sensibles à la contamination des puces par des molécules organiques en provenance des colles, résines et autres matériaux organiques à l’intérieur du boîtier. Cette contamination peut affecter les paramètres du composant en puce nue. Afin de minimiser les risques pour les composants sensibles (s’il y en a), ces hybrides sont encapsulés en boîtiers hermétiques et l’emploi de matériaux organiques, à l’intérieur, est réduit, voire éliminé. E 3 927 − 12 3.3 Tests de fiabilité La fiabilité d’un circuit hybride doit être démontrée avant le lancement de la fabrication en série. Des tests accélérés sont réalisés sur un groupe de circuits, typiquement entre 50 et 100. Ces tests consistent à mesurer les circuits à l’état initial à une température plus élevée que la température d’opération (entre 100 et 150 oC) ; les circuits sont ensuite mis en opération, à cette température élevée, pendant une période fixe (entre 500 et 1 000 h). Ils sont à nouveau mesurés et les défaillances comptées. Si ces défaillances sont aléatoires, nous pouvons calculer : nombre d′heures MTBF = -------------------------------------------------------------------- × facteur d′accélération nombre de défaillances avec Ea 1 1 un facteur d′accélération = exp -------- ----------------------- – ------------------------k T normale T accéléréé où Ea k Tnormale (eV) énergie d’activation, (= 1,38 · 10–23 J/K) constante de Boltzmann, (K) température normale d’opération, Taccélérée (K) température du test accéléré. En plus des tests accélérés, les hybrides sont souvent soumis à des essais d’environnement qui permettent de compléter l’évaluation de leur fiabilité. Ces tests suivent généralement les normes MIL STD [3]. ■ Vieillissement isotherme : les circuits hybrides non polarisés, et donc hors fonctionnement, sont placés dans une étuve à température élevée constante. La norme MIL STD 883C, méthode 1 008, condition B, spécifie 2 000 heures à 125 oC. Ce test est conseillé pour déterminer : — l’évolution des paramètres électriques ; — la corrosion ; — les défaillances au niveau des puces ; — les défauts de métallisation. ■ Cyclages thermiques : dans ce test, les pièces sont dans une enceinte thermique dont la température varie entre les extrêmes froid et chaud. Par exemple, la norme MIL 883C, méthode 1 010 condition B, impose des cycles entre 55 oC et 125 oC avec des paliers de 15 min et un temps de passage du chaud au froid (et vice versa) qui est typiquement de 10 oC/min. Le nombre de cycles peut varier entre 200 et 500. Le cyclage thermique est l’un des tests les plus couramment utilisés et permet : — la mise en évidence des problèmes dus aux coefficients de dilatation différentiels entre les différents matériaux de l’hybride ; — la détection de problèmes de boîtiers et en particulier la fermeture ; — la mise en évidence de problèmes liés aux interfaces : adhérence de métallisations, collages défectueux, câblage filaire, etc. ■ Chocs thermiques : ce test n’est pas représentatif des conditions d’opération d’un hybride mais il sert à déclencher des mécanismes de défaillance qui ne sont pas nécessairement détectés dans le cyclage thermique. La norme MILL STD 883, méthode 1 011, spécifie les conditions du test. À la différence du cyclage thermique, l’enceinte de chocs a deux chambres maintenues aux extrêmes de température. Pour les chocs il y a deux possibilités : air/air ou liquide/liquide. Dans les deux cas, les circuits sont exposés avec un délai inférieur à 10 s aux extrêmes de température. Un cycle typique dans les chocs liquide/liquide dure 5 min à – 55 oC, suivi de 5 min à 125 oC et le nombre de cycles varie de 5 à 15. Les chocs air/air sont moins violents et l’on fait souvent de 200 à 500 chocs. Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique ___________________________________________________________________________________________________________________ Les chocs thermiques mettent en évidence les mêmes mécanismes que les cycles thermiques. ■ Tests mécaniques : les hybrides à usage militaire et spatial sont souvent soumis à des contraintes mécaniques. Il y a deux tests couramment utilisés pour ces cas : chocs mécaniques et vibrations. Dans le premier cas, les hybrides, selon la norme MIL-STD 883, méthode 2 002, subissent des accélérations allant de 500 à 30 000 g (typiquement de 150 à 3 000 g ) pendant 0,5 ms (5 cycles sont suffisants). Les vibrations peuvent être aléatoires ou à fréquence variable (entre 20 et 2 000 Hz) avec une accélération crête de 50 g. Il faut spécifier les axes de vibration. Cinq cycles sont aussi suffisants en général. Il y a d’autres tests plus spécifiques : — RGA (Residual Gas Analysis ) qui permet de détecter les gaz résiduels dans un boîtier hermétique ; — fuites (fines et grosses) : permet d’évaluer l’étanchéité d’un boîtier hermétique ; — humidité (HAST Highly-Accelerated Temperature and Humidity Stress Test ) : les pièces sont exposées à une humidité relative très élevée (> 90 %) sans ou avec (HAST) tension appliquée. Dans le premier cas, la durée typique est de 2 000 heures à 40 oC et, dans le deuxième, 20 heures à 110 oC. Le but de ces tests est de mettre en évidence des phénomènes de corrosion et les problèmes liés à l’absorption de l’eau dans les matériaux organiques utilisés dans les hybrides. CIRCUITS HYBRIDES — capteurs : pression, accélération... — instrumentation : électronique d’appareils de mesure, calculateurs... — aéronautique : navigation, communications, radar... Figure 19 – Exemple de circuit hybride couche épaisse 4. Domaines d’application De par ses possibilités et les différentes technologies offertes, le circuit hybride (figures 19 et 20) trouve sa place dans des domaines très différents : — automobile : allumage, jauge à essence, tableau de bord... — domotique : pèse-personnes, camescope, automate bancaire... Figure 20 – Exemple de circuit hybride couche mince hyperfréquence Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique E 3 927 − 13 P O U R Circuits hybrides Fabrication par E N Augustin COELLO-VERA Chef de Service Technologie Alcatel Espace et Claude DREVON S A V O I R Ingénieur à Alcatel Espace Références bibliographiques [1] [2] [3] MAISSEL (L.) et GLANG (R.). – Handbook of thin film technology (Manuel de technologie des couches minces). McGraw-Hill Book Company, New York. VOSSEN (J.L.) et KERN (W.). – Thin film processes (Procédés pour les couches minces). Academic Press, New York (1978). MIL – STD – 883 C Test methods and procedures for microelectronics. ISHM France (International Society for Hybrid Microelectronics) édite de nombreux ouvrages sur les procédés et moyens relatifs aux circuits hybrides que l’on pourra lire avec profit. Doc. E 3 927 3 - 1995 P L U S Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. − © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique Doc. E 3 927 − 1
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