TNY284-290 ™ TinySwitch-4 ファミリー 高エネルギー効率の、過負荷電力の入力 補正対応オフライン スイッチング用 IC 製品ハイライト 最小システム コスト、高い設計自由度 • 725 V 耐圧の MOSFET • BV ディレーティング マージンが増大 • 過負荷電力の入力補正 − 追加部品不要 • ユニバーサル入力電圧範囲で最大過負荷の変動を大幅に低減 • ±5% のターンオン UV スレッシュホールド：外付け抵抗ひとつで 入力電圧検出 • シンプルな ON/OFF 制御で帰還ループ補償が不要 • BP/M コンデンサの値によりカレント リミットを選択可能 • ハイ カレント リミットは、 ピーク電力を拡張し、オープン フレーム設計時には最大連続電力を拡張する • ロー カレント リミットにより密閉型アダプタ/充電器の効率向上 • 回路再設計の必要が無く、 最適な TinySwitch-4 デバイスへの 置き換えが可能 • 高精度 I2f パラメータ公差によりシステム コストを低減 • MOSFET 及びトランスの使用率を最大化 • ON 時間延長 ー 低入力レギュレーション範囲/保持時間を拡大 し、入力コンデンサを削減 • 自己バイアス：バイアス巻線またはバイアス部品不要 • 周波数ジッタリングにより、 EMI フィルタ コストを削減 • ピン配列により基板へのヒートシンクを簡素化 • SOURCE ピンは低 EMI に対し電気的に安定 高度な安全機能及び信頼性機能 • 高精度な自動復帰タイプ過熱保護機能 ー 自動復帰機能により 手動リセットが不要 • オートリスタート機能により、 短絡、オープン ループ不良時の 最大電力を 3% 以下に低減 • オプションのツェナーを使用した出力過電圧シャットダウン • オプションの UV 外付け抵抗を使用した AC 高速リセット • 非常に少ない部品点数により信頼性を向上し、 片面基板レイア ウトを実現 • バンド幅が広く、 オーバーシュートの無い速いターンオンと優れ た負荷過渡応答を実現 • DRAIN ピンとそれ以外のすべてのピンの間の広い沿面距離によ り、市場での信頼性を強化 EcoSmart™ ー 高エネルギー効率 • 世界のすべてのエネルギー効率規制に容易に適合 • 無負荷時はバイアス巻線有りで 30 mW 以下、 バイアス巻線無し で 265 VAC 入力時 150 mW 以下 • ON/OFF 制御により、 軽負荷時でも高い効率を維持 ー CEC 規 制及び ErP 待機電力要求に適応 用途 • PC 待機電源やその他の補助電源 • DVD/PVR、 その他の低電力セット トップ デコーダ • 家電製品、 産業用装置、測定機器類の電源 • 携帯電話/コードレス電話、 PDA、デジタル カメラ、MP3/ポータ ブル オーディオ、電気カミソリ等の充電器/アダプタ www.powerint.com + + DC 出力 広範囲の 高電圧 DC 入力 D TinySwitch-4 図 1. EN/UV BP/M S PI-6578-101411 標準的な待機電源アプリケーション SO-8C (D パッケージ) 図 2. DIP-8C (P パッケージ) eSOP-12B (K パッケージ) パッケージ オプション 出力電力テーブル 230 VAC ±15% 85-265 VAC アダプタ1 ピークまたは オープン フレーム2 アダプタ1 ピークまたは オープン フレーム2 6W 11 W 5W 8.5 W TNY285P/D 8.5 W 15 W 6W 11.5 W TNY285K 11 W 15 W 7.5 W 11.5 W TNY286P/D 10 W 19 W 7W 15 W 製品3 TNY284P/D/K TNY286K 13.5 W 19 W 9.5 W 15 W TNY287D 11.5 W 23.5 W 7W 18 W TNY287P 13 W 23.5 W 8W 18 W TNY287K 18 W 23.5 W 11 W 16 W TNY288P 16 W 28 W 10 W 21.5 W TNY288D 14.5 W 26 W 9W 19.5 W TNY288K 23 W 28 W 14.5 W 21.5 W TNY289P 18 W 32 W 12 W 25 W TNY289K 25 W 32 W 17 W 25 W TNY290P 20 W 36.5 W 14 W 28.5 W TNY290K 28 W 36.5 W 20 W 28.5 W テーブル 1. 出力電力テーブル 注： 1. 周囲温度 +50 ° C、標準的な換気無しの密閉型アダプタでの最小連続電力。外付け ヒートシンク使用で、電力容量は増加。 2. すべての設計における最小ピーク電力容量またはオープン フレーム設計の最小 連続電力 「応用時の重要検討項目」 ( を参照してください)。 3. パッケージ：D: SO-8C、P: DIP-8C、K: eSOP-12B。 「品番コード体系表」を参照して ください。 2013 年 8 月 TNY284-290 BYPASS/ MULTI-FUNCTION (BP/M) 115 µA DRAIN (D) レギュレータ 5.85 V 低入力電圧 25 µA フォールト 検出 オート リスタート カウンター 6.4 V リセット + バイパス コンデンサ 選択及び カレント リミット ス テートマシン 5.85 V 4.9 V BYPASS ピン 低電圧 - VILIMIT 入力補正 カレント リミット コンパレータ イネーブル 信号 + 1.0 V + V T ジッター クロック DCMAX 過熱保護 発振器 ENABLE/ UNDERVOLTAGE (EN/UV) 1.0 V S Q R Q リーディング エッジ ブランキング OVP ラッチ SOURCE (S) PI-6639-113011 図 3. 機能ブロック図 ピン機能の説明 DRAIN (D) ピン： このピンは、パワー MOSFET のドレイン接続です。起動動作と定 常動作、双方の内部動作電流を供給します。 BYPASS/MULTI-FUNCTION (BP/M) ピン： このピンには、次に示す複数の機能があります。 • 内部で作られる 5.85 V 電源用の外付けバイパス コンデンサ の接続ポイントです。 • 追加容量の値に応じたカレント リミット値のモード選択ガイド です。0.1 μF コンデンサを使用すると、標準カレント リミット値 になります。 1 μF コンデンサを使用すると、次に小さいデバイス サイズのカレント リミット値になります。10 μF コンデンサを使 用すると、TNY285-290 で次に大きいデバイス サイズのカ レント リミット値になります。 • シャットダウン機能を提供します。 バイパス ピンへの電流が ISD を超えると、停止中、 または UV 機能が BP/UV ピンに接続 された外付け抵抗で使用される際に、IUV 以下の UV/EN ピン電 流からリセット ヒステリシスを減算して、BP/M 電圧が 4.9 V を 下回るまでデバイスはラッチオフされます (リセット ヒステリ シス：標準 18.75 μA)。 このことを利用して、BYPASS/ MULTI-FUNCTIONAL ピンからバイアス巻線の電源に接続さ れたツェナーにより出力過電圧機能を使用できます。 D パッケージ (SO-8C) EN/UV 1 8S BP/M 2 7S 6S 5S D4 露出したパッド (底面) は 内部で SOURCE ピン に接続 K パッケージ (eSOP-12B) P パッケージ (DIP-8C) EN/UV 1 8S BP/M 2 7S 6S D4 EN/UV 1 12 S BP/M 2 11 S N/C 3 10 S N/C 4 9S 5S 8S D6 図 4. 7S PI-6577-053112 ピン配置図 2 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 ENABLE/UNDERVOLTAGE (EN/UV) ピン： このピンには、次の 2 つの機能があります。スイッチングの動作・ 停止と低入力電圧検出です。通常動作時、パワー MOSFET のスイッ チングを制御します。スレッシュホールド電流より大きい電流がこ のピンから供給されると、MOSFET のスイッチングは終了します。 ピンから供給される電流がスレッシュホールド電流を下回ると、ス イッチングは再開します。スレッシュホールド電流が変化すること によりパルス発生モードが変化します。スレッシュホールド電流は、 75 μA から 115 μA の間です。 また、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンは DC 入力電圧に接続さ れた外付け抵抗から低入力電圧状態を検出します。このピンに接 続された外付け抵抗がない場合、TinySwitch-4 は外付け抵抗がな いことを検出し、低入力電圧検出機能を停止します。 SOURCE (S) ピン： このピンは、高耐圧パワー MOSFET 用及び制御回路のコモン用 出力のソースに内部で接続されています。 TinySwitch-4 機能説明 TinySwitch-4 には、1 つのデバイスに高耐圧パワー MOSFET ス イッチと電源コントローラが組み込まれています。従来の PWM (パルス幅変調方式) コントローラと異なり、シンプルな ON/OFF 制御で出力電圧制御を実現します。 600 500 VDRAIN 400 PI-2741-041901 制御部は、発振器、イネーブル回路 (検出及びロジック)、カレント リミット ステート マシン、5.85 V レギュレータ、BYPASS/ MULTI-FUNCTION ピン低電圧/過電圧回路、カレント リミット選 択回路、過熱保護、カレント リミット回路、リーディング エッジ ブ ランキング、及び 725 V パワー MOSFET で構成されま す。TinySwitch-4 にはさらに、低入力電圧検出、オートリスタート、 適応型スイッチング サイクル ON 時間延長機能、及び周波数ジッ ターが内蔵されています。図 3 に、最も重要な機能を含む機能ブ ロック図を示します。 300 200 100 0 136 kHz 128 kHz 0 図 5. 5 周波数ジッター 時間 (µs) 10 発振器 通常、発振器周波数は、内部で平均 132 kHz に設定されます。 発振器では 2 種類の信号が生成されます。最大デューティ サイ クル信号 (DCMAX)、及び各サイクルの開始を示す 2 種類のクロッ ク信号が生成されます。 発振器には、EMI 放射を最小限に抑えるために、一般にピークトゥ ピークが 8 kHz の小幅な周波数ジッターを発生させる回路が組み 込まれています。平均値と擬似ピーク値両方の EMI 低減効果を最 適化するために、変調周波数は 1 kHz に設定されています。周波 数ジッターを計測する際は、オシロスコープを使用して、DRAIN の 波形の立ち下がりエッジでトリガするようにします。図 5 の波形は、 周波数ジッターを示しています。 入力及びカレント リミット ステート マシンの有効化 ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンのイネーブル入力回路は、出力が 1.2 V に設定された低インピーダンス ソース フォロアーで構成さ れます。ソース フォロアーを流れる電流は 115 μA に制限されます。 このピンからの電流がスレッシュホールド電流を超えると、スレッ シュホールド電流より低くなるまで、イネーブル回路の出力で低論 理レベル (ディセーブル) が生成されます。このイネーブル回路の出 力は、クロック信号の立ち上がりエッジにおける各サイクルの開始 点でサンプリングされます。高レベルの場合はそのサイクルでパ ワー MOSFET がオン (イネーブル) になります。低レベルの場合は パワー MOSFET がオフ (ディゼーブル) のままとなります。サンプ リングは各サイクルの開始点でのみ実行されるため、そのサイクル の残りの期間に発生する ENABLE/UNDER-VOLTAGE ピンの電圧 または電流の変化は無視されます。 TinySwitch-4 が可聴周波数範囲内でスイッチング動作が行われ る可能性が高い場合、カレント リミット ステート マシンは軽負荷 時のディスクリート量に対応し、カレント リミットを下げます。カレ ント リミットを下げると、有効なスイッチング周波数は可聴範囲よ り上昇し、音鳴り及びトランスの磁束密度を低減します。ステート マシンはイネーブル動作のシーケンスを監視して負荷条件を判断し、 ディスクリート量に応じてカレント リミット レベルを調整します。 ほとんどの動作条件では (無負荷に近い場合を除く)、ソース フォ ロアーのインピーダンスが低いため、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンの電圧はオフ状態のときに 1.2 V を大きく下回らないよう維 持されます。これにより、通常このピンに接続されているフォトカ プラの応答時間が改善します。 5.85 V レギュレータと 6.4 V シャント電圧クランプ 5.85 V レギュレータは、MOSFET がオフの時に DRAIN ピンの 電圧から電流を引き込むことによって、BYPASS ピンに接続され たバイパス コンデンサを 5.85 V まで充電します。BYPASS/ MULTI-FUNCTION ピンは、内部電源電圧ノードです。MOSFET がオンの時、デバイスはバイパス コンデンサに蓄えられている電 力で動作します。内部回路の電力消費が極めて小さいため、 TinySwitch-4 は、DRAIN ピンから供給される電流で連続的に動 作することが可能です。バイパス コンデンサの値が 0.1 μF であ れば、高周波デカップリングにも充電にも十分対応できます。 さらに、6.4 V シャント レギュレータがあり、BYPASS/MULTIFUNCTION ピンに外付け抵抗を介して電流供給が可能です。こ れにより、バイアス巻線経由で TinySwitch-4 に外部から電力を 供給しやすくなり、無負荷時電力消費を減らして 50 mW を十分 下回るようにできます。 3 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 BYPASS/MULTI-FUNCTION ピンの低電圧 BYPASS/MULTI-FUNCTION ピンの低電圧回路は、定常動作時に BYPASS/MULTI-FUNCTION ピンの電圧が 4.9 V 以下に低下する とパワー MOSFET をオフにします。定常動作時に BYPASS/ MULTI-FUNCTION ピンの電圧が 4.9 V を下回った場合、パワー MOSFET をオンにするためにはこの電圧を 5.85 V まで上昇させ る必要があります。 過熱保護 過熱保護回路はダイの温度を感知します。スレッシュホールドは 通常 142 °C に設定され、ヒステリシスは 75 °C です。ダイの温度 がこのスレッシュホールドを上回ると、パワー MOSFET は停止し ます。ダイの温度が 75 °C 下がると、パワー MOSFET は再び動 作を開始します。75 °C (typ.) という大きなヒステリシスなので、 継続的な異常状態によるプリント基板の過熱を回避できます。 カレント リミット カレント リミット回路は、パワー MOSFET の電流を感知します。 この電流が内部スレッシュホールド (ILIMIT ) を超えると、そのサイク ルの残りの期間、パワー MOSFET はオフになります。カレント リ ミット ステート マシンは、中及び軽負荷時のディスクリート量だ けカレント リミットのスレッシュホールドを低減します。 PI-4098-082305 パワー MOSFET がオンした後、リーディング エッジ ブランキング 時間 (tLEB) のみカレント リミットの検出を無効にします。このリー ディング エッジ ブランキング時間は、コンデンサ及び二次側の逆 回復時間が原因で発生する電流スパイクによりスイッチング パル スが途中で終了しないように設定されています。 V 300 DRAIN 200 100 0 10 V DC-OUTPUT 5 2500 時間 (ms) 図 6. オートリスタート動作 低入力電圧状態が発生した場合、低入力電圧状態が終了するま で、パワー MOSFET のスイッチングは通常の 2.5 秒より長くオフ になります。 適応型スイッチング サイクル ON 時間延長 適応型スイッチング サイクル ON 時間延長機能により、DCMAX 信 号が低くなった後も途中で終了せず、カレント リミットに達するま でサイクルが継続します。この機能で、レギュレーションを維持す るために必要な最小入力電圧を下げ、保持時間を拡大して、必要 な整流コンデンサのサイズを最小化できます。電源の起動時、電源 出力がレギュレーション範囲に達するまで、ON 時間延長は停止し ます。 低入力電圧検出回路 DC 入力から ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンに外付け抵抗を接 続して、DC 入力電圧を監視できます。電源投入時またはオートリ スタート中にパワー MOSFET がオフになっているときにパワー MOSFET のスイッチングを行うには、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンに 25 μA を超える電流を流す必要があります。電源投入時に 上記の対応を行うには、低入力電圧状態になっているときに BYPASS/MULTI-FUNCTION ピンを 4.9 V に保持することによっ て達成します。低入力電圧状態が解消されると、ここで BYPASS/ MULTI-FUNCTION ピンは 4.9 V から 5.85 V に上昇します。パワー MOSFET のスイッチングがオートリスタート モードで停止し、低 入力電圧状態になるとオートリスタート カウンタが停止します。 これにより、低入力電圧状態が終了するまで、停止時間は通常の 2.5 秒より長くなります。 また、低入力電圧回路は ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンに接続 された外付け抵抗が切断された時点 (ピンへの入力が約 2 μA 以 下) を検出します。この場合、低入力電圧検出機能は停止します。 0 0 オートリスタート 出力過負荷、出力短絡、またはオープン ループ等の異常状態が発 生した場合、TinySwitch-4 はオートリスタート動作に切り替わり ます。発振器でクロックが発生する内部カウンタは、ENABLE/ UNDERVOLTAGE ピンが引き下げられるたびにリセットされます。 ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンが 64 ms にわたって下がらない 場合、通常、パワー MOSFET のスイッチングは 2.5 秒間オフにな ります (この状態が解消するまでスイッチングがオフになる低入力 電圧状態の場合を除く)。異常状態が除去されるまでは、オートリ スタートがパワー MOSFET のオン/オフのスイッチングを行います。 図 6 に、出力短絡時のオートリスタート回路の動作を示します。 5000 TinySwitch-4 の動作 TinySwitch-4 デバイスはカレント リミット モードで動作します。 オンになると、発振器は各サイクルの開始時にパワー MOSFET を オンにします。電流がカレント リミットまで上昇するとき、または DCMAX リミットに達するとき、MOSFET はオフになります。 TinySwitch-4 の設計上の最大のカレント リミット レベル及び発 振周波数は一定であるため、負荷に供給される電力はトランスの 一次インダクタンス及びピーク一次電流の 2 乗と正比例します。 そのため、電源の設計には必要な最大出力電力に対するトランス の一次インダクタンスの計算が必要です。TinySwitch-4 が電力レ ベルに対して適切に選択されている場合、DCMAX リミットに達する 前に、インダクタンス電流はカレント リミットに到達します。 4 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 イネーブル機能 TinySwitch-4 は ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンを検出して、次 のスイッチング サイクルを続行するかどうかを判断します。カレン ト リミットの決定には、サイクルのシーケンスが使用されます。サ イクルは起動すると、常にそのサイクルを完了させます (ENABLE/ UNDERVOLTAGE ピンがサイクルの途中で状態を変更した場合も 含む)。この動作により電源が供給され、ここで出力コンデンサ、 スイッチング サイクルあたりのエネルギー、及びフィードバックの 遅延によって、出力電圧リップルが決定されます。 ENABLE/UNDERVOLTAGE ピン信号は、電源の出力電圧を基準 電圧と比較して二次側で生成されます。電源の出力電圧が基準電 圧より小さい時、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピン信号は高くなり ます。通常、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンはフォトカプラによっ て駆動されます。フォトカプラ トランジスタのコレクターは ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンに接続され、エミッタは SOURCE ピンに接続されます。フォトカプラの LED は、DC 出力電圧のツェ ナー ダイオードと直列に接続され、レギュレーション動作を行い V EN V EN クロック クロック DC DC MAX MAX I DRAIN I DRAIN VDRAIN VDRAIN PI-2667-082305 PI-2749-082305 図 7. 図 8. 最大負荷近くでの動作 やや高負荷での動作 V EN V EN クロック クロック DC DC MAX MAX I DRAIN I DRAIN VDRAIN VDRAIN PI-2377-082305 図 9. 中程度の負荷での動作 PI-2661-082305 図 10. 極めて軽い負荷での動作 5 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 カレント リミット ステート マシンの ON/OFF 動作 TinySwitch-4 の内部クロックは常に動作します。各クロック サイ クルの開始時に、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンをサンプリング してスイッチング サイクルを実行するかどうかを判定し、サイクルを 複数回経過したサンプルのシーケンスに基づいて適切なカレント リミットを決定します。負荷が大きいと、ステート マシンはカレン ト リミットを最大値に設定します。負荷が軽いと、ステート マシ ンはカレント リミットの値を減少させます。 PI-2383-030801 200 V 100 DC-INPUT 最大負荷に近い場合、TinySwitch-4 はクロック サイクルのほぼす べてで導通します (図 7)。負荷がわずかに軽いと、電源出力の電 圧レギュレーションを維持するために、それに続くサイクルを「ス キップ」します (図 8)。中程度の負荷では、サイクルはスキップされ カレント リミットは減少します (図 9)。負荷が極めて軽いと、カレン ト リミットはさらに減少します (図 10)。電源の電力消費を抑える ために発生するサイクルはごくわずかです。 ON/OFF 制御スキームの応答時間は、PWM コントロール回路と 比較すると非常に高速です。このため、高精度なレギュレーション と優れた過渡応答が利用できます。 200 0 10 10 V 5 DC-INPUT V 5 BYPASS 0 0 400 400 200 V 100 0 BYPASS 200 V PI-2381-1030801 ます。出力電圧が目標レギュレーション電圧レベル (フォトカプラ の LED 電圧降下にツェナー電圧を加えたもの) を超えると、フォ トカプラの LED の導通が開始し、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピン が引き下げられます。ツェナー ダイオードは、精度を高めるために TL431 基準回路で置き換えることもできます。 V DRAIN DRAIN 0 0 1 0 2 起動、オプションの外部 UV 抵抗 (4 MW) あり (EN/UV ピンに接続) 200 V 100 図 12. PI-2348-030801 図 11. DC-INPUT 2 起動、オプションの外部 UV 抵抗無し (EN/UV ピンに接続) 200 V 100 0 0 400 400 300 300 DC-INPUT V 200 V 200 1 時間 (ms) 時間 (ms) DRAIN PI-2395-030801 0 DRAIN 100 100 0 0 .5 0 1 0 図 13. 通常の停止時 (UV 無し) 2.5 5 時間 (秒) 時間 (秒) 図 14. 低速の停止時、オプションの外部 (4 MW) UV 抵抗あり (EN/UV ピンに 接続) 6 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 停止時に外付け抵抗を使用する場合、パワー MOSFET は、出力 のレギュレーションが外れた後 64 ms の間スイッチングします。 低電圧検出機能により入力電圧が低いときにリスタートできない ため、パワー MOSFET はグリッチがなく停止します。 図 13 に、通常の停止時の波形を示します。図 14 に、待機電源ア プリケーションのように非常に低速の停止時の波形を示します。 この場合、望ましくないリスタートを防ぐために、外付け抵抗 (4 MW) が ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンに接続されています。 チップには DRAIN ピンから直接電力が供給されるため、チップに 電力を供給するのにバイアス巻線は不要です 「 ( ピン機能の説 明」を参照)。これには、主に 2 つのメリットがあります。最初に、 定格アプリケーションでは、バイアス巻線及び関連する部品のコ ストを削減できます。次に、充電器アプリケーションでは、多くの 場合、電流電圧特性により電力の供給中にも出力電圧が 0 V 付近 まで低下します。TinySwitch-4 では、フォワード バイアス巻線及 び多数の関連する部品無しに、この動作を実行できます。必要な 無負荷時電力消費が非常に低い (50 mW) アプリケーションでは、 バイアス巻線と BYPASS/MULTI-FUNCTION ピンの間の抵抗に よってチップに電力を供給できます。最小の推奨供給電流は 1 mA です。この場合、BYPASS/MULTI-FUNCTION ピンは 6.4 V でク ランプされます。この方法では DRAIN ピンから供給される電力 が削減されるため、無負荷時電力消費が低減され、全負荷時のエ ネルギー効率が向上します。 カレント リミットの動作 ドレイン電流がデバイスのカレント リミットに達すると、各スイッ チング サイクルは停止します。カレント リミットの動作によって、 入力リップルが適切に低減され、入力電圧に関係なく比較的一定 の電力が供給されます。 BYPASS/MULTI-FUNCTION ピン コンデンサ BYPASS/MULTI-FUNCTION ピンでは、デバイスの内蔵電源のデ カップリングを行うために 0.1 μF ほどの小さなセラミック コンデン サを使用できます。大きなサイズのコンデンサは、カレント リミッ トの調整に使用します。TNY285-290 の場合、1 μF の BYPASS/ MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサはロー カレント リミット ( 次に小さいデバイスの標準カレント リミットに等しい) を選択し、 10 μF の BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサはハイ カレント リミット (次に大きいデバイスの標準カレント リミットに 等しい) を選択します。TNY290 のハイ カレント リミット レベル は通常 850 mA に設定されます。TNY284 MOSFET にハイ カレ ント リミット機能はないため、この機能はこのデバイスでは使用で きません。 最大過電力 (W) 40 TNY290 TNY280 35 PI-6788-052312 起動/停止 TinySwitch-4 は、標準のカレント リミットで動作する場合、 BYPASS/MULTI-FUNCTION ピンに 0.1 μF コンデンサのみが必 要です。サイズが小さいため、このコンデンサの充電時間は下限絶 対値 (通常は 0.6 ms) に維持されています。異なるカレント リミッ トを選択する場合、充電時間は BYPASS/MULTI-FUNCTION ピン コンデンサ値に比例して変化します。ON/OFF 制御はバンド幅が広 いため、電源出力にオーバーシュートはありません。外付け抵抗 (4 MW) が DC 入力のポールから ENABLE/UNDERVOLTAGE ピン に接続されているとき、DC 入力電圧がスレッシュホールド (100 V) を 超えるまでパワー MOSFET の起動時のスイッチングは遅延します。 図 11 及び図 12 に、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンに接続され た外付け抵抗 (4 MW) がある場合とない場合の、アプリケーション の起動時の波形を示します。起動時や過負荷状態において導通 時間が 400 ns より小さいとき、デバイスはスイッチング周波数を 減らしてピーク ドレイン電流の制御を維持します。 30 25 20 85 100 115 130 145 160 175 190 205 220 235 250 265 入力電圧 (VAC) 図 15. 入力電圧機能として TinySwitch-4 と TinySwitch-III の最大出力 過電圧を比較 (データ参照：RDK-295 20 W デザイン例) 7 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 C13 2.2 nF 250 VAC 1 C3 2.2 nF 1 kV BR1 2KBP10M 1000 V R12 2 MΩ D RT1 6Ω F1 5A TinySwitch-4 U1 TNY290PG C1 100 nF 275 VAC EN/UV RTN 4 D3 1N4937 3 R2 8.2 Ω 5 T1 EE22 R15 1.5 MΩ 1/8 W C4 100 µF 50 V VR2 1N5254 27 V U3 PC817 90 - 295 VAC C9 10 µF 16 V C11 2.2 µF 50 V R6 10 kΩ 1% R9 47 Ω R4 30 kΩ 1/8 W BP/M S C16 100 nF 100 V 5 V、4 A 7,8 R13 2 MΩ L1 10 mH C8 1000 µF 10 V L2 2.2 µH D4 STPS30L60CT R1 22 Ω 1/2 W D1 UF4006-E3 C6、C7 1500 µF 10 V 9,10 VR1 P6KE150A C2 68 µF 450 V R3 C5 4.7 Ω 1.5 nF 1/2 W 100 V R8 1 kΩ 1/8 W C10 R14 3.3 kΩ 47 nF 1/8 W 100 V U2 TL431 R7 10 kΩ 1% PI-6559-062012 PC の待機電源アプリケーションでは、 入力部は 主電源入力の一部となります。 図 16. TNY290PG、5 V、4 A ユニバーサル入力電源 応用例 図 16 に示す回路は、TNY290PG を使用した、ユニバーサル入力、 5 V、4 A 出力用に設計された低コストで高効率のフライバック 電源です。 電源には、低電圧ロックアウト、一次側検出出力過電圧ラッチ停 止保護、高効率 (80% 以上)、及び極めて低い無負荷時待機電力 (265 VAC で 50 mW 以下) などの特徴があります。出力レギュレー ションは、リファレンス IC 及びフォトカプラ フィードバックを使用 することにより行われます。 整流及びフィルタを通過した入力電圧は、T1 の一次巻線に印加 されます。トランスの一次側のもう一方は、U1 に内蔵された MOSFET によって駆動されます。ダイオード D1、C3、R1、及び VR1 はクランプ回路を構成し、DRAIN ピンの漏れインダクタンス 停止電圧スパイクを安全な値に制限します。 出力電圧は TL431 U2 により制御されます。出力電圧リップルが U2 (カソード D6) とフォトカプラ LED の順方向電圧降下の合計を 超えると、電流はフォトカプラ LED に流れます。これにより、フォ トカプラ トランジスタは電流を吸い込みます。この電流が ENABLE ピンのスレッシュホールド電流を超えると、次のスイッチング サイ クルが停止します。出力電圧がフィードバック スレッシュホールドを 下回るとスイッチングが発生するため、有効なサイクル数を制御し て出力レギュレーションを維持します。負荷が低減すると有効なサ イクル数は減少し、有効なスイッチング周波数は低くなり、スイッ チング損失は負荷の大きさによって決められます。これにより、 軽負荷時を含めほぼ一定の効率を維持できるため、効率の要求 事項を満たすのに最適です。 TinySwitch-4 デバイスは完全に自己給電であるため、トランスに 補助巻線またはバイアス巻線は必要ありません。ただし、バイア ス巻線を追加して出力過電圧保護機能を設定することで、オープン フィードバック ループ不良に対する負荷を保護できます。 8 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 バイアス電圧が VR2 と BYPASS/MULTIFUNCTION (BYPASS/ MULTI-FUNCTIONAL) ピンの電圧の合計を超えるような過電流 状態が発生した場合、電流は BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン に流れ込み始めます。この電流が ISD を超えると、TinySwitch-4 の 内部ラッチ停止回路がオンになります。R12 及び R13 に流れる ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンの電流が各 AC 入力ハーフ サイ クルで 18.75 mA を下回ると、この状態はリセットされます。した がって、図 16 の設定は過電圧異常に対して非ラッチタイプになり ます。ラッチ過電圧保護は、待機電力は増加しますが、R12 及び R13 を C2 のプラス端子に接続することにより実現できます。例 に示すように、ループを開くと OVP は 17 V の出力で動作します。 応用時の重要検討項目 機能 TinySwitch-III TinySwitch-4 無負荷時の消費電力を削減する場合、バイアス巻線を使用して TinySwitch-4 デバイスに電力を供給することもできます。抵抗 R4 は BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピンに電流を供給して、通常 は内部 MOSFET のオフ時間に BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサの電圧 (C7) を維持する内部の高電圧電流源を停 止します。これにより、この設計での無負荷時待機電力は 265 VAC で 140 mW から 40 mW に削減されます。 BVDSS 700 V 725 V 無し 有り >40% <15% 25 mA ±10% 25 mA ±5% 低電圧ロックアウトは、U1 の DC バスと ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンの間に接続された R5 によって設定されます。低電圧ロックア ウト状態の場合、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンの電流が 25 μA を 超えるまでスイッチングは行われません。このため、起動電圧は通 常動作の入力電圧範囲内でプログラムされ、異常な低電圧状態や AC 入力がゼロになった際にも出力グリッチを防ぎます。 ディファレンシャル モード EMI のシンプルな π 入力フィルタ (C1、L1、C2) に加え、この設計ではトランスに E-Shield™ のシー ルド技術を使用してコモン モード EMI 変位電流を低減し、R2 及 び C4 をダンピング ネットワークとして使用して高周波トランス リン ギングを低減します。これらの技術と TNY288 の周波数ジッターを 組み合わせると、優れた伝導 EMI 特性及びラジエーション EMI 特性が得られ、EN55022 クラス B 伝導 EMI 規格で 12 dBμV 以 上のマージンを得ることができます。 設計の自由度が高いため、C7 の値を選択して、U1 の 3 つのカレン ト リミットのオプションからいずれか 1 つを選択できます。この ため、設計者はアプリケーションに適したカレント リミットを選択 できます。 • • • 標準カレント リミット (ILIMIT) は、0.1 μF の BYPASS/MULTIFUNCTIONAL ピン コンデンサで選択され、標準的な密閉型ア ダプタ アプリケーションにおける通常の選択になります。 1 μF の BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサを使 用する場合、RMS は減少し (ILIMITred または ILIMIT-1)、デバイスの 電流が減少するため、最大電力容量は小さくなりますが、エネ ルギー効率が向上します。 これは、消費電力を最小限に抑える 必要がある温度条件の厳しい設計に最適です。 10 μF の BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサを使 用する場合、 カレント リミットは増加し (ILIMITinc または ILIMIT+1)、 熱条件が許す限りピーク電力または連続電力を高くする必要 があるアプリケーションの電力容量を拡張します。 互換性のある、隣接した TinySwitch-4 ファミリー製品間のカレン ト リミットを利用すると、さらに自由な設計が可能です。デバイス のロー カレント リミットは次に小さいデバイスの標準カレント リ ミットに等しく、ハイ カレント リミットは次に大きいデバイスの標 準カレント リミットに等しくなります。 TinySwitch-4 と TinySwitch-III の比較 テーブル 2 では、TinySwitch-4 と TinySwitch-III の特長や特性の 違いを比較しています。TinySwitch-4 は、機能を改善し、TinySwitch-III とピンの互換性があります。設計上の手間を最小限に抑えながら、 新しい設計に対応できます。機能の強化に加え、TinySwitch-4 で は、eSOP-12B (K) 及び SO-8C (D) という 2 つの新しいパッケー ジを追加することでさまざまなアプリケーションからの要求を満 たしています。 入力補正 OCP 85 VAC から 265 VAC への通 常の OCP の変化 UV スレッシュホールド VBP リセット電圧 パッケージ テーブル 2. 通常 2.6 V 通常 3.0 V DIP-8C (P)、 SMD-8C (G) DIP-8C (P)、 eSOP-12B (K)、 SO-8C (D) TinySwitch-III と TinySwitch-4 の比較 TinySwitch-4 設計検討項目 出力電力テーブル データ シートに記載の出力電力テーブル (テーブル 1) は、以下の 想定条件下で得られる最小連続出力電力レベルを示しています。 1. 最小 DC 入力電圧が、85 VAC 入力では 100 V 以上、230 VAC 入力または倍電圧使用時の 115 VAC 入力では 220 V 以上。 入力容量の値は、AC 入力設計に対するこれらの条件を満た す値にする必要があります。 2. 75% の効率。 3. I2f がデータ シートに記載されている最小の値。 4. ±10% のトランスの一次インダクタンス公差。 5. 135 V の出力の跳ね返り電圧 (VOR)。 6. 高速 PN 整流ダイオードを使用する 12 V の電圧用出力。 7. 過渡 KP* 値が 0.25 の連続動作モードでの動作。 8. ピーク電力及びオープン フレーム電力設計ではハイ カレント リミットを選択し、 アダプタ設計では標準カレント リミットを 選択。 9. 部品は大きな銅面にはんだ付けした SOURCE ピンで基板に 実装されており、 ヒートシンクは SOURCE ピンの温度を 110 ° C 以下に保つために使用。 10. オープン フレーム設計で 50 ° C、密閉型アダプタで 40 ° Cの 周囲温度。 * 値が 1 以下の場合、KP は一次電流のピークに対するリップルの 比率です。スイッチング サイクルの中断による電力容量の低減を 防ぐには、過渡 KP リミットを 0.25 以上にすることを推奨します。 このようにすると、MOSFET がオンの場合に初期カレント リミッ ト (IINIT ) を超過することはありません。 参考データとして、テーブル 3 に各ファミリー製品における 3 つの 選択可能なカレント リミット値での実際の最少電力を示します。 ここではオープン フレーム動作 (熱的な制限無し) 及び上記と同じ 状態を想定しています。これらの数字は、対象のデバイス及び出 力電力要求に選択する正しいカレント リミットを特定する場合に 便利です。 9 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 過電圧保護 TinySwitch-4 の出力過電圧保護では、約 5.5 mA のスレッシュ ホールド電流が BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピンに流れると トリガされる内部ラッチを使用します。内部フィルタに加え、 BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサは外部フィルタを 形成します。この外部フィルタは偶発的なトリガからノイズ耐性を 形成します。バイパス コンデンサの高周波フィルタとしての効果を 高めるには、コンデンサをデバイスの SOURCE ピン及び BYPASS/ MULTI-FUNCTIONAL ピンのできるだけ近くに配置する必要があ ります。 ピーク出力電力テーブル 230 VAC ±15% 製品 ILIMIT-1 ILIMIT TNY284P 9.1 W TNY285P 10.8 W 85-265 VAC ILIMIT+1 ILIMIT-1 ILIMIT 10.9 W 9.1 W 7.1 W 8.5 W 7.1 W 12 W 15.1 W 8.4 W 9.3 W 11.8 W TNY286P 11.8 W 15.3 W 19.4 W 9.2 W 11.9 W 15.1 W TNY287P 15.1 W 19.6 W 23.7 W 11.8 W 15.3 W 18.5 W TNY288P 19.4 W TNY289P 23.7 W 28.4 W 32.2 W 18.5 W TNY290P テーブル 3. 28 W 24 W 28 W ILIMIT+1 15.1 W 18.6 W 21.8 W 22 W 25.2 W 32.7 W 36.6 W 21.8 W 25.4 W 28.5 W 3 つの選択可能なカレント リミット レベルでの実際の最少電力 OVP 機能の性能を最大にするには、比較的高いバイアス巻線電 圧 (15 V から 30 V の範囲) を使用することを推奨します。これに より、漏れインダクタンスによるバイアス巻線のエラー電圧が最小 限に抑えられ、無負荷動作中も適切な電圧を確保します。この電 圧で、BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピンに電力を供給し、無負 荷時待機電力を削減します。 ツェナー ダイオードの電圧がバイアス巻線電圧を約 6 V 上回る (22 V のバイアス巻線の場合 28 V) ように選択すると、ほとんどの 設計で良好な OVP 特性を得ることができます。電圧は、漏れイン ダクタンスの変動を補正するよう調整されることがあります。更に フィルタを追加するには、小さい値 (10 W から 47 W) の抵抗をバ イアス巻線ダイオードや OVP ツェナーと直列に挿入します (図 16 の R7 及び R3 を参照)。また、OVP ツェナーと直列の抵抗は、 BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピンへの最大電流も制限します。 無負荷時待機電力の削減 TinySwitch-4 は BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデン サから自己給電するため、給電のためにトランスに補助巻線また はバイアス巻線を設置する必要はありません。自己給電時の標準 的な無負荷時待機電力は 150 mW 以下 (265 VAC 入力時) です。 バイアス巻線を追加すると、低いバイアス電圧から TinySwitch-4 に給電し内部の高電圧電流源を停止して、無負荷時待機電力を 50 mW 以下に低減できます。これを実施するには、抵抗 (図 16 の R8) を接続し、データ シートに記載のドレイン供給電流を確保 します。実際には、負荷が低いとバイアス電圧が低減するため、 データ シート記載の最大電流を 40% 上回る値から開始し、次に 抵抗の値を増加して無負荷時待機電力を最小にします。 音鳴り TinySwitch-4 で使用されるサイクル スキップ モードの動作では、 トランス内で音声周波数成分が発生する可能性があります。この 音鳴りの発生を制限するために、トランスはピーク コア磁束密度 が 3000 ガウス (300 mT) 以下になるように設計する必要があり ます。このガイドラインに従い、標準のトランス製造技術である浸 漬ワニス処理を行うことで、実用上の可聴ノイズをゼロにできま す。一次容量が大きくなり、損失が増えることになるため、トランス の真空含浸処理は行わないでください。より高い磁束密度でも設 計できますが、音鳴りの特性を、設計終了前にトランスの量産サン プルを使用して慎重に評価する必要があります。 Z5U など、誘電体を使用したセラミック コンデンサをクランプ回 路に使用する場合にも、可聴ノイズが発生する可能性があります。 その場合は、フィルム タイプなど、別の誘電体または構造を使っ たコンデンサに交換してみてください。 TinySwitch-4 のレイアウト検討 レイアウト TinySwitch-4 の推奨基板レイアウトについては、図 17 を参照し てください。 一点接地 入力フィルタ コンデンサから銅パターン上の SOURCE ピンへの 接続は、一点接地接続にします。 バイパス コンデンサ (CBP) BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサは BYPASS/ MULTI-FUNCTIONAL ピンと SOURCE ピンの近傍に直接配置す る必要があります。 0.1 mF のバイパス コンデンサが選択された場合、高周波セラミッ ク タイプ (X7R 誘電体を備えたものなど) である必要があります。 これは BYPASS ピンに入る外部ノイズをフィルタするために、 ENABLE ピンと SOURCE ピンの間に直接配置する必要がありま す。1 mF または 10 mF のバイパス コンデンサが選択された場合、 ノイズによる影響を抑えるためにさらに 0.1 mF のコンデンサを BYPASS ピンと SOURCE ピンの間に追加する必要があります (図 17 参照)。 ENABLE/UNDERVOLTAGE ピン ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンに接続する線を短くしたまま、で きるだけ、バイパス、ドレイン ノード、バイアス回路ダイオード ア ノード ノードなどの (ただしこれらに制限されない) ソース ポテン シャルの上のその他のすべての線及びノードから離します。 一次側ループ エリア 入力フィルタ コンデンサ、トランスの一次側、及び TinySwitch-4 を 接続する一次側ループ エリアは、できるだけ小さくする必要があ ります。 一次側クランプ回路 クランプは、電源オフ時の DRAIN ピンのピーク電圧を制限する ために使用します。具体的には、RCD クランプまたはツェナー (約 200 V) とダイオード クランプを一次巻線に使用します。EMI を削 減するには、クランプ部品からトランス及び TinySwitch-4 までの ループを最小化します。 10 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 最適なヒートシンクを実現するため ) を最大化 斜線の銅箔部 ( 安全スペーシング Y1コンデンサ + 入力電圧 出力 整流器 入力フィルタ コンデンサ - 出力フィルタ コンデンサ PRI SEC バイアス PRI D トランス TinySwitch-4 S S S 上面図 バイアス BP/M S *CHF/CBP EN/ UV CBP フォト カプラ - DC + 出力 *CHF は 0.1 µF の高周波ノイズ バイパス コンデンサです (ILIMIT 選択で 0.1 µF 必要な場合、高周波 0.1 µF コンデンサにより CBP が不要になります。) PI-6651-060612 図 17. 低電圧ロックアウト抵抗を備えた TinySwitch-4 用の推奨基板レイアウト 温度に関する注意事項 SOURCE ピンは IC リード フレームに内部で接続され、デバイス から熱を除去するための主要な経路を提供します。したがって、一 点接地だけでなくヒートシンクとしても機能させるためには、すべ ての SOURCE ピンを、TinySwitch-4 の下の銅箔部に接続する必 要があります。銅箔部は EMI に影響しないノードに接続している ので、より良い放熱のために銅箔部をできるだけ大きくする必要 があります。アキシャル出力ダイオードに対しても同様に、カソー ドに接続された PCB 面積を最大化します。 Y コンデンサ Y コンデンサは、一次側入力フィルタ コンデンサのプラス端子か ら二次側トランスのコモン/リターン端子に直接接続する必要があ ります。このように配置することで、過大なコモンモード サージ電 流を迂回させ TinySwitch-4 デバイスに進入するのを防ぎます。 注：π 型 (C、L、C) の入力 EMI フィルタを使用する場合は、フィル タのインダクタを入力フィルタ コンデンサのマイナス端子間に接 続する必要があります。 フォトカプラ 一次側の配線を最短にするために、フォトカプラは物理的に TinySwitch-4 の近くに配置します。ノイズ干渉を防ぐために、 高電流、高電圧のドレイン線とクランプ線はフォトカプラから 離します。 出力ダイオード 最高の性能を実現するには、二次巻線、出力ダイオード、出力フィ ルタ コンデンサを結ぶループ面積を最小にする必要があります。 さらに、十分な放熱のためにダイオードのアノード端子とカソード 端子の両方の銅パターンは、十分に大きくする必要があります。電 気的に安定したカソード端子では面積が大きい方が望ましいとい えます。アノード エリアを大きくすると、高周波のラジエーション EMI を増大させる可能性があります。 プリント基板漏れ電流 TinySwitch-4 は、特にスタンバイ/無負荷時の、電力領域全体のエ ネルギー効率を最適化するように設計されています。そのため、こ の性能を実現するために電流消費が最小限に抑えられています。 ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンの低電圧機能には、たとえば、 低電圧検出抵抗があるかどうかを検出する低スレッシュホールド (~1 μA) があります。 ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンへの寄生漏れ電流は、プリント 基板アセンブリが適切に管理された製造設備にある場合、通常 1 μA のスレッシュホールドをはるかに下回ります。ただし、高湿度 と無洗浄フラックスあるいはその他の汚れなどによる基板及び/ またはパッケージの汚れが原因で表面抵抗率が低下し、 ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンに流れる寄生電流が 1 μA 以上 になることがあります。これらの電流は、設計の起動を防ぐ BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン半田パッドのような ENABLE/ UNDERVOLTAGE ピンの近くにある、電圧の高い露出半田パッド から流れることがあります。抵抗を高電圧の出力から ENABLE/ UNDERVOLTAGE ピンに接続することにより、低電圧入力ロック アウト機能を使用する設計は影響を受けなくなります。 11 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 プリント基板アセンブリ設備の汚染レベルが不明で、アプリケー ションがオープン フレームである、または汚染度が高い環境で動 作し、設計は低電圧入力ロックアウト機能を使用しない場合、オ プションの 390 kW 抵抗を ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンから SOURCE ピンに追加して、ENABLE/UNDERVOLTAGE ピンへの 寄生漏れ電流が確実に 1 μA を大きく下回るようにする必要があ ります。 サプライヤのガイドラインに従う、無洗浄フラックスが適用された 表面絶縁抵抗 (SIR) の通常の値は、10 MW を大幅に上回るため、 この問題は生じません。 設計のクイック チェックリスト いかなる電源設計においても TinySwitch-4 を使用する場合はす べて、最悪条件で部品仕様を超えないことをベンチマークテスト で検証する必要があります。最低限、次の試験を行うことを強く 推奨します。 最大ドレイン電圧 ー 最大入力電圧及びピーク (過負荷) 出力 電力で VDS が 675 V を超えないことを検証します。725 V BVDSS 仕様に対する 50 V のマージンは、設計によるバラつ きを考慮したマージンです。 2. 最大ドレイン電流 ー 最高周囲温度、最大入力電圧及びピー ク出力 (過負荷) 電力で、ドレイン電流の波形を検証してトラン スの飽和とリーディング エッジ電流スパイクが起動時に発生 しないことを確認します。定常状態で繰り返し、リーディング エッジ スパイク電流が tLEB(MIN) の最後に ILIMIT(MIN) を下回ってい るかどうか確認します。すべての条件において、最大ドレイン 電流は仕様の絶対最大定格よりも低くすることが必要です。 3. 温度特性の確認 ー 規定の最大出力電力、最小入力電圧、か つ最大周囲温度で、TinySwitch-4、トランス、出力ダイオード、 出力コンデンサの温度仕様を超えないことを検証します。 TinySwitch-4 の RDS(ON) には、データシートに指定された部品 ごとのばらつきを許容する十分な温度マージンが必要です。 低入力電圧、最大電力において、このバラつきを許容するに は TinySwitch-4 SOURCE ピンの最高温度として 110 °C と なることを推奨します。 1. 12 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 絶対最大定格(1.4) ドレイン電圧 ..................................................... -0.3 V ∼ 725 V ピーク DRAIN 電流 TNY284 ......................... 400 (750) mA(2) TNY285 ....................... 560 (1050) mA(2) TNY286 ....................... 720 (1350) mA(2) TNY287 ....................... 880 (1650) mA(2) TNY288 ..................... 1040 (1950) mA(2) TNY289 ..................... 1200 (2250) mA(2) TNY290 ..................... 1360 (2550) mA(2) EN/UV 電圧 ...................................................... .... -0.3 V ∼ 9 V EN/UV 電流 ...................................................... ............ 100 mA BP/M 電圧 .............................................................-0.3 V ∼ 9 V 保存温度 ...................................................... .. -65 ° C ∼ 150 ° C 最大ジャンクション温度(3) ................................ -40 ° C ∼ 150 ° C リード温度(4).....................................................................260 ° C 注： 1. すべての電圧は SOURCE を基準とし、TA = 25 ° C。 2. かっこ内のピーク DRAIN 電流は、DRAIN 電圧が同時に 400 V 以下である時に適用されます。 3. 通常は内部回路によって制限されます。 4. ケースから 1/16 インチの点で 5 秒間。 5. 仕様の最大定格は、製品に回復不能な損傷を与えることなく、一 度にひとつずつ適用できます。絶対定格の状態を長時間続ける と、製品の信頼性に悪影響を与えるおそれがあります。 熱抵抗 熱抵抗：P パッケージ： (qJA) ............................ .... 70 ° C/W(2); 60 ° C/W(3) (1) (qJC) .................................................. 11 ° C/W D パッケージ： (qJA) ............................ .. 100 ° C/W(2); 80 ° C/W(3) (1) (qJC) .................................................. 30 ° C/W K パッケージ： (qJA) ............................ .... 45 ° C/W(2); 38 ° C/W(3) (qJC)(4) ....................................................2 ° C/W パラメータ 記号 注： 1. プラスチック面に近接した SOURCE ピンで測定。 2. 0.36 平方インチ (232 mm2)、 2 オンス (610 g/m2) の銅箔部に半田 付け。 3. 1 平方インチ (645 mm2)、2 オンス (610 g/m2) の銅箔部に半田 付け。 4. ケース温度は、露出パッドの底面で測定。 条件 SOURCE = 0 V、TJ = -40 ∼ 125 ° C 図 18 参照 (特に指定がない場合) 最小 標準 最大 124 132 140 単位 制御機能 標準モードの出力周波数 fOSC 最大デューティ サイクル DCMAX EN/UV ピン上側ターンオ フ スレッシュホールド電流 IDIS EN/UV ピン電圧 VEN IS1 DRAIN 供給電流 IS2 TJ = 25 ° C 図 5 参照 平均 ピークトゥピーク ジッター S1 オープン 8 62 67 -150 -122 -90 IEN/UV = 25 mA 1.8 2.2 2.6 IEN/UV = -25 mA 0.8 1.2 1.6 EN/UV 電流 > IDIS (MOSFET スイッチングなし) 注 A 参照 EN/UV オープン (fOSC で MOSFET スイッチング) 注 B 参照 kHz % mA V mA 330 TNY284 360 400 TNY285 410 440 TNY286 430 470 TNY287 510 550 TNY288 615 650 TNY289 715 800 TNY290 875 930 mA 13 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 記号 条件 SOURCE = 0 V、TJ = -40 ∼ 125 ° C 図 18 参照 (特に指定の無い場合) 最小 標準 最大 ICH1 VBP/M = 0 V、TJ = 25 ° C 注 C、D 参照 -6.5 -4.5 -2.5 ICH2 VBP/M = 4 V、TJ = 25 ° C 注 C、D 参照 -4.7 -2.8 -1.4 BP/M ピン電圧 VBP/M 注 C 参照 5.6 5.85 6.3 V BP/M ピン 電圧ヒステリシス VBP/MH 0.80 0.95 1.20 V BP/M ピン シャント電圧 VSHUNT IBP = 2 mA 6.0 6.4 6.85 V ILUV TJ = 25 ° C 23.75 25 26.25 mA TJ = 25 ° C 注 G を参照 3 5 8 mA パラメータ 単位 制御機能 (続き) BP/M ピン充電電流 EN/UV ピン低入力電圧ス レッシュホールド EN/UV ピン – リセット ヒ ステリシス (BP/M ピン電 流が ISD 以上のラッチオフ に従う) mA 回路保護 標準カレント リミット (BP/M コンデンサ = 0.1 mF) 注 D を参照 ILIMIT di/dt = 50 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY284P/D/K 233 250 267 di/dt = 55 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY285P/D/K 256 275 294 di/dt = 70 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY286P/D/K 326 350 374 di/dt = 90 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY287P/D/K 419 450 481 di/dt = 110 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY288P/D/K 512 550 588 di/dt = 130 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY289P/K 605 650 695 di/dt = 150 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY290P/K 698 750 802 mA 14 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 パラメータ 記号 条件 SOURCE = 0 V、TJ = -40 ∼ 125 ° C 図 18 参照 (特に指定がない場合) 最小 標準 最大 単位 回路保護 (続き) ロー カレント リミット (BP/M コンデンサ = 1 mF) 注 D を参照 ハイ カレント リミット (BP/M コンデンサ = 10 mF) 注 D を参照 ILIMITred ILIMITinc di/dt = 42 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY284P/D/K 196 210 233 di/dt = 50 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY285P/D/K 233 250 277 di/dt = 55 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY286P/D/K 256 275 305 di/dt = 70 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY287P/D/K 326 350 388 di/dt = 90 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY288P/D/K 419 450 499 di/dt = 110 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY289P/K 512 550 610 di/dt = 130 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY290P/K 605 650 721 di/dt = 42 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E、F を参照 TNY284P/D/K 196 210 233 di/dt = 70 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY285P/D/K 326 350 388 di/dt = 90 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY286P/D/K 419 450 499 di/dt = 110 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY287P/D/K 512 550 610 di/dt = 130 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY288P/D/K 605 650 721 di/dt = 150 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY289P/K 698 750 833 di/dt = 170 mA/ms TJ = 25 ° C 注 E を参照 TNY290P/K 791 850 943 mA mA 15 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 パラメータ 記号 条件 SOURCE = 0 V、TJ = -40 ∼ 125 ° C 図 18 参照 (特に指定がない場合) 最小 標準 最大 単位 回路保護 (続き) 電力係数 I2f 標準カレント リミット、 I2f = ILIMIT(TYP)2 x fOSC(TYP) TJ = 25 ° C TNY284-290 0.9 x I2f I2f 1.12 x I2f ローカレント リミット、 I2f = ILIMITred(TYP)2 x fOSC(TYP) TJ = 25 ° C TNY284-290 0.9 x I2f I2f 1.16 x I2f ハイカレント リミット、 I2f = ILIMITinc(TYP)2 x fOSC(TYP) TJ = 25 ° C TNY284-290 0.9 x I2f I2f 1.16 x I2f 初期カレント リミット IINIT 図 20 参照 TJ = 25 ° C、注 G 参照 0.75 x ILIMIT(MIN) リーディング エッジ ブランキング時間 tLEB TJ = 25 ° C、 注 G を参照 170 カレント リミット遅延 tILD TJ = 25 ° C、 注 G、H を参照 過熱シャットダウン温度 TSD 過熱シャットダウン ヒステリシス TSDH BP/M ピン シャットダウン スレッシュホールド電流 BP/M ピン起動リセット スレッシュホールド電圧 135 A2Hz mA 215 ns 150 ns 142 150 ° C ° C 75 ISD 4 6.5 9 mA VBP/M(RESET) 1.6 3.0 3.6 V TJ = 25 ° C 28 32 TJ = 100 ° C 42 48 TJ = 25 ° C 19 22 TJ = 100 ° C 29 33 TJ = 25 ° C 14 16 TJ = 100 ° C 21 24 出力 TNY284 ID = 25 mA オン抵抗 RDS(ON) TNY285 ID = 28 mA TNY286 ID = 35 mA W 16 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 パラメータ 記号 条件 SOURCE = 0 V、TJ = -40 ∼ 125 ° C 図 18 参照 (特に指定がない場合) 最小 標準 最大 TJ = 25 ° C 7.8 9.0 TJ = 100 ° C 11.7 13.5 TJ = 25 ° C 5.2 6.0 TJ = 100 ° C 7.8 9.0 TJ = 25 ° C 3.9 4.5 TJ = 100 ° C 5.8 6.7 TJ = 25 ° C 2.6 3.0 TJ = 100 ° C 3.9 4.5 単位 出力 (続き) TNY287 ID = 45 mA オン抵抗 RDS(ON) TNY288 ID = 55 mA TNY289 ID = 65 mA TNY290 ID = 75 mA IDSS1 オフ時ドレイン漏れ電流 IDSS2 ブレークダウン電圧 BVDSS VBP/M = 6.2 V VEN/UV = 0 V VDS = 560 V TJ = 125 ° C 注 I 参照 VBP/M = 6.2 V VEN/UV = 0 V TNY284-286 50 TNY287-288 100 TNY289-290 200 VDS = 375 V、 TJ = 50 ° C、 注 G、I を参照 VBP = 6.2 V、VEN/UV = 0 V、 注 J 参照、TJ = 25 ° C DRAIN 供給電圧 fOSC 時のオートリスタート ON 時間 オートリスタート デューティ サイクル W mA 15 725 V 50 V tAR TJ = 25 ° C、 注 K を参照 64 ms DCAR TJ = 25 ° C 3 % 17 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 注： A. これらの条件では動作周波数が非常に低いため、IS1 は無負荷時のデバイス制御部の電流消費の精度の高い予測値です。無負荷 時のデバイスの総消費電流は、IS1 と IDSS2 の合計となります。 B. MOSFET がスイッチング動作をしているので、 スイッチング電流と DRAIN 供給電流を区別するのは困難です。 この代替手段とし て、BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピンの電流を 6.1 V で測定します。 C. BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピンは、供給電流を外部回路に供給することを目的としていません。 D. 正確なカレント リミット値を得るため、定格の 0.1 mF / 1 mF / 10 mF のコンデンサを使用することを推奨します。 さらに、BP/M コンデ ンサ値の公差は、 ターゲットのアプリケーションの周囲温度範囲において、以下に示される値またはそれよりも良好な値である必要 があります。最小及び最大コンデンサ値は、特性によって保証されます。 BP/M ピン コンデンサ 定格値 最小 最大 0.1 mF -60% +100% 1 mF -50% +100% 10 mF -50% NA コンデンサ定格値に対する公差 E. その他の di/dt 値でのカレント リミットについては、図 25 を参照してください。 F. TNY284 にはハイ カレント リミット値はありませんが、10 mF の BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサを使用した場合の カレント リミットは、1 mF の BYPASS/MULTI-FUNCTIONAL ピン コンデンサを使用した場合と同じ (ロー カレント リミット値) にな ります。 G. このパラメータは特性評価から求められたものです。 H. このパラメータは、ILIMIT 仕様で示される di/dt の 1X 及び 4X で測定されるカレント リミットの変化から得られます。 I. IDSS1 は、BVDSS の 80%、最大動作ジャンクション温度での、最悪条件時のオフ時の漏れ電流です。IDSS2 は、最悪アプリケーション条件 (整流 265 VAC) での無負荷時待機電力の標準的な計算値です。 J. ブレークダウン電圧は最小 BVDSS 仕様に対して DRAIN ピン電圧を BVDSS 値を超えない程度まで上げることによって確認できる。 K. オートリスタートのオン時間には、発振器と同じ温度特性があります (周波数に反比例)。 18 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 470 Ω 5Ω S2 470 Ω S D S1 S S S 2 MΩ 50 V BP/M EN/UV 10 V 0.1 µF 150 V 注：この試験回路はカレント リミットまたは出力特性の測定には適用できません。 PI-4079-080905 図 18. 基本的試験回路 DCMAX (内部信号) tP EN/UV ドレイン 電圧 tEN/UV VDRAIN tP = 1 fOSC PI-2364-012699 図 19. デューティ サイクルの測定 図 20. 出力イネーブルのタイミング 1.00 0.95 0.90 0.85 0.80 標準 最小 最大 0.75 0.70 0.65 0.60 0 1 2 3 4 5 6 1.10 1.00 0.95 0.90 0.85 0.80 TNY284~287 のカレント リミットと TON 標準 最小 最大 0.75 0.70 0.65 0.60 TON (µs) 図 21. TJ = 25 °C 1.05 PI-6804-060112 TJ = 25 °C 1.05 カレント リミット (正規値化) カレント リミット (正規値化) 1.10 PI-6803-060512 標準パフォーマンス特性 0 1 2 3 4 5 6 TON (µs) 図 22. TNY288~290 のカレント リミットと TON 19 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 標準パフォーマンス特性 (続き) PI-6787-053112 PI-2213-012301 1.0 1.05 標準カレント リミット (25 °C で正規値化) 1.00 95 90 85 80 0 25 50 -40 -20 75 100 125 150 0 20 ブレークダウンと温度 図 24. 1.2 1.0 0.8 TNY284 TNY285 TNY286 TNY287 TNY288 TNY289 TNY290 0.6 0.4 0.2 正規値化された di/dt = 1 50 mA/µs 55 mA/µs 注：正規値化された 70 mA/µs カレント リミット値 90 mA/µs には、適切な BP/M 110 mA/µs コンデンサに対して 130 mA/µs 指定された標準的な 150 mA/µs カレントリミットを 使用してください。 スケール係数： TNY284 1.0 TNY285 1.5 TNY286 2.0 TNY287 3.5 TNY288 5.6 TNY289 7.9 TNY290 11.2 200 150 100 TCASE = 25 °C TCASE = 100 °C 50 0 1 2 3 4 0 2 正規値化された di/dt 図 26. 100 6 8 10 500 600 出力特性 PI-6771-051112 40 スケール係数： TNY284 1.0 TNY285 1.5 TNY286 2.0 TNY287 3.5 TNY288 5.6 TNY289 7.9 TNY290 11.2 30 電力 (mW) ドレイン容量 (pF) スケール係数： TNY284 1.0 TNY285 1.5 TNY286 2.0 TNY287 3.5 TNY288 5.6 TNY289 7.9 TNY290 11.2 4 ドレイン電圧 (V) 標準カレント リミットと di/dt 1000 10 20 10 1 0 0 図 27. 80 100 120 標準カレント リミットと温度 250 0 図 25. 60 300 PI-6785-052412 正規値化されたカレント リミット (図 21 参照) 1.4 ドレイン電流 (mA) 図 23. 40 温度 (C) ジャンクション温度 (°C) PI-6786-052412 0.9 -50 -25 PI-6772-051112 ブレークダウン電圧 (25 °Cで正規値化) 1.1 100 200 300 400 ドレイン電圧 (V) COSS とドレイン電圧 500 600 0 図 28. 100 200 300 400 ドレイン電圧 (V) ドレイン キャパシタンス電力 20 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 標準パフォーマンス特性 (続き) PI-4281-012306 低電圧スレッシュホールド (25 °C で正規値化) 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 ジャンクション温度(°C) 図 29. 低電圧 (UV) スレッシュホールドと温度 21 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 DIP-8C ⊕D S .004 (.10) 注： 1. パッケージ寸法は、0.300 インチ 配列のデュアルインライン (DIP) 用パッケージ JEDEC 仕様 MS-001-AB (B 7/85 号) に準拠。 2. 寸法の単位はインチ。ミリによる寸法はかっこ内の数字。 3. 寸法図はモールド フラッシュや他の突出部を含まない。モールド フラッシュや突出部は、いかなる方向にも、0.006 インチ (0.15 mm) を 超えない。 4. ピン配置はピン 1 から始まり、ピン 8 まで上から見て時計と逆回 りに続く。ノッチ及び /またはくぼみでピン 1 を指定。 ピン 3 は無い。 5. ピン 2 と ピン 4の最小距離は、パッケージ上で 0.137 インチ (3.48 mm)。 6. リード幅はパッケージ上で測定。 7. リード間隔はリード線を平面 T に垂直に制限して測定。 -E- .240 (6.10) .260 (6.60) ピン 1 -D- .367 (9.32) .387 (9.83) .057 (1.45) .068 (1.73) (注 6) .125 (3.18) .145 (3.68) -T- .015 (.38) 最小 SEATING PLANE .120 (3.05) .140 (3.56) .100 (2.54) BSC .014 (.36) .022 (.56) .048 (1.22) .053 (1.35) ⊕T E D .137 (3.48) 最小 S .010 (.25) M .008 (.20) .015 (.38) 0.300 (7.62) BSC (注 7) .300 (7.62) .390 (9.91) P08C PI-3933-100504 22 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 SO-8C (D パッケージ) 4 B 0.10 (0.004) C A-B 2X 2 A 4 8 D 5 2 3.90 (0.154) BSC 2X 詳細図 A 4.90 (0.193) BSC GAUGE PLANE SEATING PLANE 6.00 (0.236) BSC 0-8 C 0.25 (0.010) BSC 1.04 (0.041) REF 0.10 (0.004) C D ピン 1 ID 1 2X 7X 0.31 - 0.51 (0.012 - 0.020) 0.25 (0.010) M C A-B D 1.27 (0.050) BSC 1.35 (0.053) 1.75 (0.069) 0.40 (0.016) 1.27 (0.050) 0.20 (0.008) C 4 o 1.25 - 1.65 (0.049 - 0.065) 詳細図 A 0.10 (0.004) 0.25 (0.010) 7X 0.10 (0.004) C H SEATING PLANE C + 参考半田パッド寸法 2.00 (0.079) + D07C 0.17 (0.007) 0.25 (0.010) 1.27 (0.050) 4.90 (0.193) + + 0.60 (0.024) 注： 1. JEDEC 参照：MS-012。 2. 寸法図はモールド フラッシュや他の突出部を含まない。 3. メッキ厚を含むパッケージ寸法図。 4. A 、B のデータは、平面 H 上の値により決定する。 5. 寸法はミリ表示。インチによる寸法はかっこ内の数字。 角度の単位は度。 PI-4526-040110 23 www.powerint.com Rev. B 08/13 TNY284-290 eSOP-12B (K パッケージ) 0.004 [0.10] C A 2X 2 0.400 [10.16] ピン #1 I.D. (レーザー刻印) 0.356 [9.04] Ref. 0.325 [8.26] 最大 7 2X 7 0.004 [0.10] C B 0.059 [1.50] Ref, Typ 0.460 [11.68] 0.059 [1.50] Ref, Typ 0.008 [0.20] C 1 2 3 4 6 2X 、5/6 リード先端 2 4 0.034 [0.85] 0.026 [0.65] 6 1 0.120 [3.05] Ref 0.070 [1.78] 0.020 [0.51] Ref. 0.092 [2.34] 0.086 [2.18] 0.032 [0.80] 0.029 [0.72] 0.006 [0.15] 0.000 [0.00] SEATING PLANE から パッケージ下部の スタンドオフ 0.067 [1.70] 0.049 [1.23] 0.046 [1.16] 0.028 [0.71] Ref. 底面図 0.004 [0.10] C C C 詳細図 A (縮尺 = 9X) 上面図 0.098 [2.49] 0.086 [2.18] GAUGE PLANE SEATING PLANE 0°- 8° 0.225 [5.72] 最大 7 B 3 H 0.010 [0.25] 12 0.350 [8.89] 0.023 [0.58] 11× 0.018 [0.46] 0.010 (0.25) M C A B 0.010 [0.25] Ref. 0.055 [1.40] Ref. SEATING PLANE 詳細図 A 3 0.019 [0.48] Ref. 0.022 [0.56] Ref. 0.016 [0.41] 0.011 [0.28] 11× 0.306 [7.77] Ref. 端面図 側面図 0.217 [5.51] ランド パターン 寸法 1 12 2 11 3 10 2. 図示した寸法は、プラスチック製本体の最外部で規定してい ます。これには、金型の鋳バリ、タイ バーのバリ、ゲートの バリ、及びインターリードの鋳バリは含まれませんが、ブラス チック製本体の上部及び下部の間のずれを含みます。 最大金型突起は、側面ごとに 0.007 [0.18] です。 0.028 [0.71] 0.321 [8.15] 9 4 8 7 6 0.429 [10.90] 注： 1. ASME Y14.5M-1994 に準拠した寸法記入及び許容誤差の定義。 3. 図示した寸法は、メッキ厚を含みます。 4. インターリードの鋳バリまたは突起を含みません。 5. 寸法の単位はインチ [mm] です。 6. A、B のデータは H のデータにより決定します。 7. 露出パッドは通常、基準面 A 、B の中心線上にあります。 図示した「最大」寸法は寸法公差と位置公差を含みます。 PI-5748a-100311 24 Rev. B 08/13 www.powerint.com TNY284-290 品番コード体系表 • TinySwitch 製品ファミリー • シリーズ番号 • パッケージ ID P プラスチック DIP-8C D SO-8C K eSOP-12B • 鉛仕上げ G RoHS 指令適合、ハロゲン化合物不使用 • テープ & リールなどのオプション 空白 TNY 288 P G - TL TL 標準構成 テープ & リール、1,000 個 min./mult. 25 www.powerint.com Rev. B 08/13 改訂 A B 注 コード A データ シート。 日付 09/12 Added TNY288DG package. Updated TNY287K and TNY288D Peak or Open Frame values in Table 1. 08/13 最新の情報については、弊社ウェブサイト www.powerint.com を参照してください。 Power Integrations は、信頼性または製造性を向上させるために、いつでも製品を変更する権利を留保します。Power Integrations は、ここ に記載した機器または回路を使用したことから生じる事柄について責任を一切負いません。Power Integrations は、ここでは何らの保証も せず、商品性、特定目的に対する適合性、及び第三者の権利の非侵害の黙示保証なども含めて、すべての保証を明確に否認します。 特許情報 ここで例示した製品及びアプリケーション (製品の外付けトランス構造と回路も含む) は、米国及び他国の特許の対象である場合があります。 また、潜在的に、Power Integrations に譲渡された米国及び他国の出願中特許の対象である場合があります。Power Integrations の持つ 特許の完全なリストは、www.powerint.com に掲載される予定です。Power Integrations は、http://www.powerint.com/ip.htm に定めるとこ ろに従って、特定の特許権に基づくライセンスを顧客に許諾します。 生命維持に関する方針 Power Integrations の社長の書面による明示的な承認なく、Power Integrations の製品を生命維持装置またはシステムの重要な構成要素 として使用することは認められていません。ここで使用した用語は次の意味を持つものとします。 1. 「生命維持装置またはシステム」 とは、(i) 外科手術による肉体への植え込みを目的としているか、 または (ii) 生命活動を支援または維持 するものであり、かつ (iii) 指示に従って適切に使用したときに動作しないと、利用者に深刻な障害または死をもたらすと合理 的に予想されるものです。 2. 「重要な構成要素」 とは、生命維持装置またはシステムの構成要素のうち、動作しないと生命維持装置またはシステムの故障を引き起 こすか、あるいは安全性または効果に影響を及ぼすと合理的に予想される構成要素です。 PI ロゴ、TOPSwitch、TinySwitch、LinkSwitch、LYTSwitch、DPA-Switch、PeakSwitch、CAPZero、SENZero、LinkZero、HiperPFS、HiperTFS、 HiperLCS、Qspeed、EcoSmart、Clampless、E-Shield、Filterfuse、StakFET、PI Expert 及び PI FACTS は Power Integrations, Inc. の商標です。 その他の商標は、各社の所有物です。© 2013, Power Integrations, Inc. Power Integrations の世界各国の販売サポート担当 世界本社 5245 Hellyer Avenue San Jose, CA 95138, USA. 代表：+1-408-414-9200 カスタマー サービス: 電話：+1-408-414-9665 ファックス：+1-408-414-9765 電子メール： [email protected] ドイツ Lindwurmstrasse 114 80337 Munich Germany 電話：+49-895-527-39110 ファックス： +49-895-527-39200 電子メール： [email protected] 日本 〒 222-0033 神奈川県横浜市港北区 新横浜 2-12-11 光正第 3 ビル 電話：+81-45-471-1021 ファックス：+81-45-471-3717 電子メール： [email protected] 台湾 5F, No. 318, Nei Hu Rd., Sec. 1 Nei Hu Dist. Taipei, Taiwan 114, R.O.C. 電話：+886-2-2659-4570 ファックス： +886-2-2659-4550 電子メール： [email protected] 中国 (上海) Rm 2410, Charity Plaza, No. 88 North Caoxi Road Shanghai, PRC 200030 電話：+86-21-6354-6323 ファックス：+86-21-6354-6325 電子メール： [email protected] インド #1, 14th Main Road Vasanthanagar Bangalore-560052 India 電話：+91-80-4113-8020 ファックス：+91-80-4113-8023 電子メール： [email protected] 中国 (深圳) 3rd Floor, Block A, Zhongtou International Business Center, No. 1061, Xiang Mei Rd, FuTian District, ShenZhen, China, 518040 電話：+86-755-8379-3243 ファックス：+86-755-8379-5828 電子メール： [email protected] イタリア Via Milanese 20, 3rd.Fl. 20099 Sesto San Giovanni (MI) Italy 電話：+39-024-550-8701 ファックス：+39-028-928-6009 電子メール： [email protected] 韓国 RM 602, 6FL Korea City Air Terminal B/D, 159-6 Samsung-Dong, Kangnam-Gu, Seoul, 135-728, Korea 電話：+82-2-2016-6610 ファックス：+82-2-2016-6630 電子メール： [email protected] ヨーロッパ本社 1st Floor, St. James s House East Street, Farnham Surrey GU9 7TJ United Kingdom 電話：+44 (0) 1252-730-141 ファックス： +44 (0) 1252-727-689 電子メール： [email protected] シンガポール 51 Newton Road #15-08/10 Goldhill Plaza Singapore, 308900 電話：+65-6358-2160 ファックス：+65-6358-2015 電子メール： [email protected] アプリケーション ホットライン 世界共通 +1-408-414-9660 アプリケーション ファクス 世界共通 +1-408-414-9760
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