TLP700

TLP700
東芝フォトカプラ
GaAℓAs 赤外 LED +フォト IC
TLP700
単位: mm
○ 汎用インバータ
○ エアコン用インバータ
○ IGBT / パワーMOSFET のゲートドライブ
4.58±0.25
1.27±0.2

出力ピーク電流
： ±2.0 A（最大）

動作温度範囲
： −40~100 ℃

供給電流
： 2 mA（最大）

電源電圧
： 15~30 V

入力しきい値電流

伝達遅延時間( tpLH/ tpHL)
： IFLH = 5 mA（最大）
： 500 ns（最大）

瞬時コモンモード除去電圧
： ±15 kV/μs（最小）

絶縁耐圧
： 5000 Vrms（最小）

構造パラメータ
沿面距離
空間距離
絶縁物厚
東芝
+0.25
ピン接続図
2
7.0 mm (最小)
7.0 mm (最小)
0.4 mm (最小)
8.0 mm (最小)
8.0 mm (最小)
0.4 mm (最小)
3
オプション(D4)タイプ
TÜV 認定品：EN60747-5-2
11-5J1
質量：0.26 g（標準）
10.16 mm ピッチ
TLPXXXF タイプ

9.7±0.3
11-5J1
7.62 mm ピッチ
TLPXXX タイプ
UL 認定品
1.25±0.25
0.4±0.1
1

4.0 −0.20
7.62±0.25
−0.05
1 2 3
0.25± +0.10
TLP700 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の受光 IC チップを組み合
わせた 6pin SDIP のフォトカプラです。
このフォトカプラは 8pin DIP のフォトカプラに比べ小型であり、また海外安全
規格強化絶縁クラスにも適合しています。このため安全規格認定が必要な機器の
実装面積を縮小することができます。
出力部はトーテムポール回路なので、吸い込み（シンク）、はき出し（ソース）の両方向
ドライブができます。
この素子は IGBT およびパワーMOSFET のゲート駆動用に適しています。
3.65 +0.15
−0.25
6.8±0.25
6 5 4
： UL1577
ファイル No.E67349
1：アノード
2：N.C
3：カソード
5 4：GND
5：出力
4 6：VCC
6
SHIELD
内部回路図
ICC
VCC
(M1)
6
IF
最大許容動作絶縁電圧
: 890 Vpk
最大許容過電圧
: 8000 Vpk
注 : EN60747-5-2 認定品を採用する場合は
“オプション (D4) 品”とご指定ください。
1＋
VF
(M2)
3－
IO
VO
5
真理値表
入力
LED
M1
M2
出力
H
ON
ON
OFF
H
L
OFF
OFF
ON
L
SHIELD
GND
4
6 ピンと４ピンの間に、バイパス用のコンデンサ
0.1μF をつける必要があります。
（注６）
製品量産開始時期
2007/08
1
2014-09-22
TLP700
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項
発
直
目
流
光
直
流
順
順
パ
記号
電
ル
流
ス
電
低
順
電
流
格
単位
IF
20
mA
ΔIF/ΔTa
-0.54
mA/℃
IFP
1
A
流
率 (Ta≧85℃)
減
定
（注１）
側
受
光
直
流
逆
電
圧
VR
5
V
接
合
部
温
度
Tj
125
°C
IOPH
−2.0
A
IOPL
2.0
A
ハイレベル出力ピーク電流 Ta=-40～100℃
（注２）
ローレベル出力ピーク電流
側
出
力
電
圧
VO
35
V
電
源
電
圧
VCC
35
V
度
Tj
125
°C
数（注３）
f
50
kHz
接
合
動
部
作
周
温
波
動
作
温
度
Topr
−40~100
°C
保
存
温
度
Tstg
−55~125
°C
度 ( 1 0 s ) （注４）
Tsol
260
°C
圧 (AC, 1 分間, R.H.≦ 60%) （注５）
BVS
5000
Vrms
は
ん
絶
だ
縁
付
け
耐
温
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、
注:
多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性
情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1 : パルス幅≦1μs、300 pps
注 2 : 指数関数波形パルス幅≦0.3μs、f≦15kHz
IOPH≧-1.5A (≦0.3μs)、IOPL≦1.5 A (≦0.3μs), Ta=100℃
注 3 : 指数関数波形
注 4 : 有効半田部分
注 5 : ピン 1、2、3、とピン 4、5、6、をそれぞれ一括し、電圧を印加する。
注 6 : 出力フォト IC は、非常に高感度のアンプを内蔵しており、発振防止用として、ピン 6 (VCC) とピン 4 (GND) の間に高周波特
性のよいバイパスコンデンサ 0.1μF をピンより 1 cm 以内の場所に取りつけてください。
無い場合には、スピードや ON / OFF の正常な動作をしない場合があります。
推奨動作条件
項
入
入
力
出
動
オ
力
電
ン
オ
源
力
目
電
フ
作
ー
最小
標準
最大
単位
IF(ON)
7.5
⎯
10
mA
VF(OFF)
0
⎯
0.8
V
VCC
15
⎯
30
V
流
IOPH / IOPL
⎯
⎯
±1.5
A
度
Topr
−40
⎯
100
℃
流（注７）
電
圧
圧 * (注 8)
電
ピ
記号
ク
温
電
*この項目は推奨動作条件ではなく、動作範囲を意味しております。
注 : 推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となっておりますので、設計の際
は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認をお願います。
注７: 入力オン電流の立ち上がり、立ち下がりは 0.5μs 以下で駆動させてください。
注８: 出力側電源電圧(VCC)の立ち上がり傾きが急峻な場合、内部回路が安定動作しない場合があります。
VCC の立ち上がり傾きは 3.0V/μs 以下で設計してください。
2
2014-09-22
TLP700
電気的特性 (特に指定がない場合 Ta = −40~100°C)
項
入
記号
測定
回路
VF
⎯
∆VF/∆Ta
流
量
目
力
順
電
圧
入力順電圧温度係数
入
入
力
力
逆
端
電
子
間
容
力
電
供
給
単位
IF = 10mA, Ta = 25℃
⎯
1.57
1.75
V
⎯
IF = 10mA
⎯
-1.8
⎯
mV/℃
IR
⎯
VR = 5V, Ta = 25℃
⎯
⎯
10
μA
CT
⎯
V = 0V, f = 1 MHz, Ta = 25℃
⎯
100
⎯
pF
⎯
-1.4
−1.0
V6-5 = 7V
⎯
⎯
−1.5
V5-4 = 2.5V
1.0
1.4
⎯
IOPL2
V = 15V
図２ I CC
F = 0mA
V5-4 = 7V
1.5
⎯
⎯
“H”レベル
VOH
図３
11
13.7
⎯
“L”レベル
VOL
図４
⎯
-14.9
-12.5
“H”レベル
ICCH
図５
⎯
1.3
2.0
IOPH2
流
電
最大
V6-5 = 3.5V
IOPL1
“L”レベル
力
標準*
V = 15V
図１ I CC
F = 5mA
(注９)
出
最小
IOPH1
“H”レベル
出
圧
電
図６
スレッショルド入力電流
L→H
IFLH
⎯
スレッショルド入力電圧
H→L
VFHL
⎯
VCC
⎯
VUVLO+
―
VUVLO-
―
UVLOHYS
―
電
源
電
圧
ＵＶＬＯスレッシュホールド
ＵＶＬＯヒステリシス
RL=200Ω, IF=5mA
A
V
VCC1 =+15V, VEE1 =-15V
RL=200Ω, VF=0.8V
IF = 10mA
mA
VO = Open
ICCL
作
VCC1 =+15V, VEE1 =-15V
VCC = 30V
流
“L”レベル
動
測定条件
IF = 0mA
⎯
1.3
2.0
VCC = 15V, VO > 1V
⎯
1.8
5
mA
VCC = 15V, VO < 1V
0.8
⎯
⎯
V
15
⎯
30
V
VO > 2.5 V, IF = 5 mA
11.0
12.5
13.5
V
VO < 2.5 V, IF = 5 mA
9.5
11.0
12.0
V
―
1.5
―
V
⎯
―
（ * ）
：標準値はすべて Ta = 25℃の値です。
注９：IO 印加時間 ≦ 50μs 、１パルス
注１０：本製品は低消費電力化設計のため、従来の製品群よりＥＳＤに対して敏感です。
実装、応用回路上の取り扱いにおいて耐ＥＳＤの一般的な注意がより必要です。
絶縁特性 (Ta = 25℃)
項目
入
絶
出
力
縁
間
浮
記号
遊
抵
容
量
抗
CS
RS
測定条件
VS = 0V, f = 1MHz
R.H.≦60%, VS = 500V
AC、1 分間
絶
縁
耐
圧
BVS
(注 5)
最小
標準
最大
単位
―
1.0
―
pF
―
Ω
(注 5) 1×10
12
10
14
5000
―
―
AC、1 秒間、オイル中
―
10000
―
DC、1 分間、オイル中
―
10000
―
3
Vrms
Vdc
2014-09-22
TLP700
スイッチング特性 (特に指定がない場合 Ta=−40~100°C)
項
伝
達
遅
目
延
時
間
測定
回路
記号
L→H
tpLH
H→L
tpHL
VCC = 30 V
立ち上がり時間(10-90%)
tr
立ち下がり時間 (90-10%)
tf
伝達遅延時間バラツキ
| tpHL−tpLH |
ハ
イ
レ
ベ
ル
瞬
時
CMH
コモンモード除去電圧
ロ
ー
レ
ベ
ル
瞬
時
CML
コモンモード除去電圧
測定条件
図７ Rg = 20 Ω
Cg = 10 nF
最小
標準*
最大
IF = 0→5mA
50
⎯
500
IF = 5→0mA
50
⎯
500
IF = 0→5mA
⎯
50
⎯
IF = 5→0mA
⎯
50
⎯
IF = 0⇔5mA
⎯
⎯
250
−15
⎯
⎯
IF = 5mA
VCM =1000Vp-p
図８ Ta=25℃
VCC=30V
VO(MIN) =26V
IF = 0mA
VO(MAX) =1V
単位
ns
kV/μs
15
⎯
⎯
( * )：標準値は全て Ta=25℃の値です。
図１．IOPH 測定回路
1
図２．IOPL 測定回路
1
6
6
V6-5
A
IF
0.1μF
3
0.1μF
I
A OPL
IOPH
VCC
VCC
3
4
図３．VOH 測定回路
1
図４．VOL 測定回路
1
6
0.1μF
IF
RL
V
VOH
3
VCC1
6
0.1μF
VF
RL
V
VOL
VEE1
3
4
図５．ICCH 測定回路
1
V5-4
4
VCC1
VEE1
4
図６．ICCL 測定回路
6
IF
ICCH
1
6
ICCL
A
A
0.1μF
0.1μF
VCC
VCC
3
3
4
4
4
2014-09-22
TLP700
図７．tpLH , tpHL , tr , tf , | tpHL−tpLH |測定回路
(f=25kHz, duty=50%, tr=tf=5ns 以下)
IF
6
0.1μF
1
(f=25kHz
, Duty=50% )
VO
Cg =10nF
Rg=20Ω
3
IF
tr
VOH
tf
VCC
90%
50％
10%
VO
4
tpHL
tpLH
VOL
図８．CMH , CML 測定回路
IF
6
1
VCM
SW
A
0.1μF
VO
B
1000 V
90%
10%
tr
tf
VCC
• SW A: IF = 5 mA
4
3
VO
VCM
+
−
1V
• SW B: IF = 0 mA
CMH= −
800 V
tf (μs)
CML =
800 V
tr (μs)
CMH
26V
CML
CML (CMH) はローレベル（ハイレベル）出力電圧を維持できる、コモンモード電圧波形の最大立ち上がり（立ち下がり）
を（電圧/時間）で表した数値。
5
2014-09-22
TLP700
IF － VF
⊿VF/⊿Ta － IF
-3.2
Ta=-40°C
Ta=25°C
入力順電流 IF [mA]
順電圧温度係数 ⊿VF/⊿Ta [mＶ/°C]
100
Ta=100°C
10
1
0.1
1
1.2
1.4
1.6
1.8
1
10
VOL － Ta
VOH － Ta
30
ハイレベル出力電圧 VOH [V]
VCC1=15V, VEE1=-15V
-10
VCC1=7.5V, VEE1=-7.5V
-5
0
20
40
60
80
20
VCC1=15V, VEE1=-15V
15
10
VCC1=7.5V, VEE1=-7.5V
5
0
20
40
60
周囲温度 Ta [°C]
ICCL － Ta
ICCH － Ta
5
VCC=30V
3
2
1
0
IF=5mA, RL=200Ω
周囲温度 Ta [°C]
IF=0mA
0
-40 -20
25
0
-40 -20
100
ハイレベル出力電流 ICCH [mA]
ローレベル出力電圧 VOL [V]
-1.2
入力順電流 IF [mA]
VF=0.8V, RL=200Ω
0
-40 -20
ローレベル供給電流 ICCL [mA]
-1.6
入力順電圧 VF [V]
-15
4
-2
0.1
-20
5
-2.4
2
-30
-25
-2.8
20
40
60
80
4
周囲温度 Ta [°C]
100
80
100
IF=10mA
VCC=30V
3
2
1
0
-40 -20
100
80
0
20
40
60
周囲温度 Ta [°C]
6
2014-09-22
TLP700
tPLH, tPHL － Ta
400
tpHL
300
200
tpLH
100
500
0
20
40
60
80
8
10
12
14
16
18
25
30
4
VCC=15V, VO>1V
IO=0mA
3
2
1
0
20
40
60
入力順電流 IF [mA]
周囲温度 Ta [°C]
IOPL－ Ta
IOPH－ Ta
0
IF=0mA, VCC=15V
（注 9）
V5-4=7.0V
V5-4=2.5V
1
0
-40 -20
20
0
-40 -20
20
IOPL
MAX
2
100
5
tpHL
4
3
tpLH
IFLH － Ta
100
5
200
tPLH, tPHL － IF
200
6
tpHL
電源電圧 VCC [V]
tpLH
4
300
周囲温度 Ta [°C]
300
0
F
g=20Ω
Cg=10nF
0
15
VCC=30V
Rg=20Ω, Cg=10nF
400
400
100
スレッショルド入力電流 IFLH [mA]
伝達遅延時間 tpHL, tpLH [ns]
伝達遅延時間 tpHL, tpLH [ns]
Rg=20Ω, Cg=10nF
0
-40 -20
ローレベル出力ピーク電流 IOPL [A]
500 I =5mA
F I =5mA, R
IF=5mA, VCC=30V
ハイレベル出力ピーク電流 IOPH [A]
伝達遅延時間 tpHL, tpLH [ns]
500
tPLH, tPHL － VCC
0
20
40
60
80
周囲温度 Ta [°C]
100
IF=5mA, VCC=15V
（注 9）
-1
V6-5=-3.5V
-2
IOPH
MAX
-3
V6-5=-7.0V
-4
-5
-40 -20
100
80
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta [°C]
7
2014-09-22
TLP700
V5-4 － IOPL
V6-5 － IOPH
7
6
0
IF=0mA, VCC=15V
IF=5mA, VCC=15V
-1
（注 9）
（注 9）
5
出力電圧 V6-5 [V]
出力電圧 V5-4 [V]
Ta=100°C
Ta=25°C
4
Ta=-40°C
3
2
-2
Ta=-40°C
-3
-4
Ta=100°C
-5
Ta=25°C
-6
1
0
0.5
1
1.5
-7
2
0
-0.5
ローレベル出力ピーク電流 IOPL [A]
-1
-1.5
-2
ハイレベル出力ピーク電流 IOPH [A]
VO(VUVLO)** － VCC
14
出力電圧 VO [V]
12
IF=5mA
**Test Circuit : VO(VUVLO) - VCC
UVLOHYS
10
1
8
6
+VUVLO
-VUVLO
6
VO
IF
VCC
4
3
2
0
5
10
15
4
20
電源電圧 VCC [V]
※特性グラフは全て標準値
8
2014-09-22
TLP700
実装・保管条件
(1) 実装条件
・はんだ付け実装
はんだ付けははんだごて法､リフロー法ともに､次の条件でできる限り本体の温度上昇を防いでください。
1)リフローの場合
・共晶はんだ使用時の温度プロファイル一例
・鉛フリーはんだ使用時の温度プロファイル一例
・リフロー回数は2回までです。
・リフローの1回目から2回目までを2週間以内に終了するようにお願い致します。
2)はんだフローの場合(共晶はんだ､鉛フリーはんだ共通)
・プリヒートは､150℃で60～120秒で実施してください。
・260℃以下､10秒以内でお願いします。
・フロー回数は1回までです。
3)はんだコテによる場合
・260℃以下､10秒以内もしくは350℃､3秒以内で実施してください。
・はんだコテによる加熱は1端子1回までです。
9
2014-09-22
TLP700
(2) 保管条件
1) 水漏れの可能性のある場所や直射日光の当たる場所では保管しないでください。
2) 運搬や保管時は包装箱への注意表示に従ってください。
3) 保管場所の温度と湿度は､5～35℃､45～75%を目安としてください。
4) 有害ガス(特に腐食性ガス)の発生する場所や塵埃の多い所では､保管しないでください。
5) 温度変化の少ない場所に保管してください。保管時の急激な温度変化は結露が生じ､
リードの酸化､腐食などが発生し､はんだ濡れ性が悪くなります。
6) デバイスを包装から取り出した後､再び保管する場合は帯電防止処理された収納容器を使用
してください。
7) 保管時はデバイスに直接荷重を掛けないでください。
8) 上記形態で保管された場合でも長時間(2年以上)経過した場合には､使用前にはんだ付け性
の確認をする事を推奨します。
10
2014-09-22
TLP700
SDIP6 タイプフォトカプラ
(TP) エンボステーピング包装仕様
1. 適用パッケージ
パッケージ名称
製
SDIP6
品
フォトカプラ
2. 製品名呼称方法
単体形名の後に記号を付けて、出荷形態の区分をしています。区分方法は、次のとおりです。
(表示例)
ＴＬＰ７００（ＴＰ，Ｆ）
[[G]]/RoHS COMPATIBLE(注 11)
テーピング名
製品名
3. テーピング仕様
3.1
テーピング方向
キャリアテープ凹み角穴内の製品の向きは、図 1 に示すとおりです。
テープの引き出し方向
図 1 凹み角穴内の製品の向き
3.2
包装数量: 1 リール当たり 1500 個
3.3
製品封入不良率: 表 1 に示します。
表 1 製品封入規格
項
目
連続した製品抜け
規
格
備
考
リーダ、トレイラ部を除いたテープの
任意の 40mm 内
0
非連続の製品抜け最大 6 個 (1 リール当たり) リーダ、トレイラ部は除く
3.4
リーダ部および空部
テープの巻き始めには空凹み角穴を 30 ヶ所以上付け、巻き終わりには空凹み角穴を 30 ヶ所以上とカバー
テープを 2 周分付けます。
11
2014-09-22
TLP700
テープ材質: プラスチック (静電防止仕様)
寸法: 図 2 および表 2 に示します。
2.0 ± 0.1
+0.1
0.4 ± 0.05 φ1.5 −0
G
E
F
16.0 ± 0.3
D
(1)
(2)
テーピング寸法
B
3.5
φ1.6 ± 0.1
K0
4.55 ± 0.2
A
図 2 テーピング形状
表 2 テーピング寸法
単位: mm
公差: ±0.1
記
号
寸
法
備
考
A
10.4
⎯
B
5.1
⎯
D
7.5
凹み角穴と送り丸穴の中心線
E
1.75
F
12.0
G
4.0
テープ端と穴中心との距離
+0.1
累積誤差 −0.3 /10 ピッチ
+0.1
累積誤差 −0.3 /10 ピッチ
K0
4.1
内部空間
12
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TLP700
3.6
リール
(1)
(2)
材質: プラスチック
寸法: 図 3 および表 3 に示します。
表 3 リール寸法
単位: mm
A
C
U
B
記
E
号
寸
法
A
φ380 ± 2
B
φ80 ± 1
C
φ13 ± 0.5
E
2.0 ± 0.5
U
4.0 ± 0.5
W1
17.5 ± 0.5
W2
21.5 ± 1.0
W1
W2
図 3 リール形状
4. 梱
包
1 リールまたは 5 リールをダンボール箱に梱包します。
5. 包装表示
リールおよび箱に、形名･規格区分記号･数量･ロット記号･当社名を表示します。
6. ご注文に際してのお願い
形名･テーピング名･数量 (1500 の倍数) を、次の要領でご指定ください。
(例)
ＴＬＰ７００（ＴＰ，Ｆ）１５００個
数量（1500 の倍数）
[[G]]/RoHS COMPATIBLE(注 11)
テーピング名
製品名
注 11: 本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問い合わせください。RoHS
指令とは、
「電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限（RoHS）に関する 2011 年 6 月 8 日付けの欧州議会
および欧州理事会の指令（EU 指令 2011/65/EU）」のことです。
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TLP700
EN60747-5-2 オプション(D4)仕様
形名
: TLP700, TLP700F
適用品種
: EN60747 の要求試験を適用した“オプション(D4)仕様”は次の商品名を付与します。
例 : TLP700(D4-TP, F)
D4 : EN60747 オプション指定
TP : 標準テーピング名
F : [[G]]/RoHS COMPATIBLE(注 11)
注意 : ただし、安全規格のセット申請に際しては標準形名をご使用ください。
例
: TLP700(D4-TP, F) → TLP700
EN60747 絶縁定格
項目
記号
定格値
単位
使用クラス
環境試験クラス
汚染度
TLPxxx タイプ
40/ 100 / 21
—
2
—
890
VIORM
最大許容動作絶縁電圧
TLPxxxF タイプ
Vpk
1140
TLPxxx タイプ
部分放電試験電圧、入力-出力間ダイアグラム１
Vpr=1.5 x VIORM, 型式および抜き取り試験
tp=10s, 部分放電電荷<5pC
1335
Vpr
TLPxxxF タイプ
Vpk
1710
TLPxxx タイプ
部分放電試験電圧、入力-出力間ダイアグラム２
Vpr=1.875 x VIORM, 全数試験
tp=1s, 部分放電電荷<5pC
1670
Vpr
TLPxxxF タイプ
最大許容過電圧
(過度過電圧, tpr=60s)
安全最大定格
(故障時の最大許容値、ダイヤグラム３の低減グラフ)
電流（入力電流 IF, Psi=0）
電力（出力あるいは全許容損失）
温度
絶縁抵抗、入力-出力間
—
I-IV
I-III
定格主電圧≦300Vrms に対し
定格主電圧≦600Vrms に対し
VIO =500V, Ta=25°C
VIO =500V, Ta=100°C
VIO =500V, Ta=Tsi
14
Vpk
2140
VTR
8000
Vpk
Isi
Psi
Tsi
300
700
150
mA
mW
℃
Rsi
≧1012
≧1011
≧109
Ω
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TLP700
絶縁構造パラメーター
7.62mm ピッチ
TLPxxx タイプ
10.16mm ピッチ
TLPxxxF タイプ
最小沿面距離
Cr
7.0mm
8.0mm
最小空間距離
Cl
7.0mm
8.0mm
最小絶縁物厚
ti
0.4 mm
CTI
175
トラッキング指数
1．プリント基板に実装された場合には、沿面距離、空間距離はこの値以下になることがあります。
(例えば、標準の 7.5mm ランド間距離で実装される場合など)
これが許容されない場合には適切な処置を講じる必要があります。
2．このフォトカプラは、安全最大定格の範囲内でのみ安全な電気絶縁に適用することができます。
必要に応じ保護回路を設け、安全最大定格が確実に維持されるよう処置を講じる必要があります。
マーキング：EN60747 の要求試験を適用した”オプション(D4)仕様“には次のマーキングを実施します。
製品表示
：
4
製品表示例
6
4
Lot Code
P700
型名（ただしＴＬは表示せず）
4
オプション（Ｄ４）仕様マーク
1
3
１ピンマーク
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TLP700
ダイアグラム
Figure
1 EN60747 による試験電圧波形、手順 a)、破壊試験(型式試験や抜き取り試験に適用)
1 Partial discharge measurement procedure according to EN60747
Destructive test for qualification and sampling tests.
Method A
(for type and sampling tests,
destructive tests)
t 1, t 2
t 3, t 4
tp(Measuring time for
partial discharge)
tb
tini
ダイアグラム
Figure
VINITIAL(8kV)
V
Vpr(1335V for TLPxxx)
(1710V for TLPxxxF)
= 1 to 10 s
=1s
VIORM(890V for TLPxxx)
(1140V for TLPxxxF)
= 10 s
= 12 s
= 60 s
0
t1
tini
t3
tP
t2
tb
2 EN60747 による試験電圧波形、手順 b)、非破壊試験(全数試験に適用)
2 Partial discharge measurement procedure according to EN60747
Non-destructive test for100% inspection.
Method B
t 3, t 4
tp(Measuring time for
partial discharge)
tb
Vpr(1670V for TLPxxx)
(2140V for TLPxxxF)
V
(for sample test, nondestructive test)
VIORM(890V for TLPxxx)
(1140V for TLPxxxF)
= 0.1 s
=1s
= 1.2 s
Isi
(mA)
t
tP
t3
ダイアグラム
Figure
t
t4
tb
t4
3 安全最大定格-周囲温度(フォトカプラ故障時)
3 Dependency of maximum safety ratings on ambient temperature
500
1000
400
800
300
600
400
200
←
100
0
Psi
(mW)
0
25
50
Psi
Isi
→
200
75
100
125
150
0
175
Ta (°C)
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2014-09-22
TLP700
製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウエア、ソフトウエアおよびシステム（以下、本製品という）に関する情
報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
• 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を
得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。
• 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合
があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されるこ
とのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全
設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報（本資料、
仕様書、データシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用
される機器の取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに
記載の製品データ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの
情報を使用する場合は、お客様の製品単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適
用可否を判断してください。
• 本製品は、特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐
れ、膨大な財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定
用途”という）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力
関連機器、航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制
御機器、各種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれますが、本資料に個別に記
載する用途は除きます。特定用途に使用された場合には、当社は一切の責任を負いません。なお、詳細は
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情報の正確性の保証、第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない。）をしておりません。
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壊、切断、粉砕や化学的な分解はしないでください。
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るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、
「外国為替及び外国貿易法」
、
「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ
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本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を
十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより
生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
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