参考資料
STM32F103x6
STM32F103x8 STM32F103xB
32 ～ 128 KB Flash, USB, CAN, 7 x タ イ マ , 2 x ADC, 9 x 通信イ ン タ フ ェ ース内蔵
中容量パフ ォーマンス ・ ラ イ ン ARM ベース 32bit MCU
特徴
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コ ア ： ARM 32bit CortexTM-M3 CPU
– 最大動作周波数 72 MHz
0 ウェイト ・ ステート ・ メモリ ・ アクセス時　1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 性能
– 単一サイ ク ル乗算及びハー ド ウ ェ ア除算
メモリ
– 32 ～ 128 Kbytes ま での Flash メ モ リ
– 6 ～ 20 Kbytes ま での SRAM
ク ロ ッ ク 、 リ セ ッ ト 、 電源管理
– ア プ リ ケーシ ョ ン と I/O 用に 2.0 ～ 3.6 V
の電源供給
– POR、 PDR、 プ ロ グ ラ ム可能な電圧検出器
(PVD ： programmable voltage detector)
– 4 ～ 16 MHz 水晶発振子
– 内蔵 8 MHz 工場 ト リ ミ ン グ済み RC
– 内蔵 40 kHz RC
– CPU ク ロ ッ ク 用 PLL
– 較正機能付 RTC 用 32 kHz オシ レ ー タ
低消費電力
– SLEEP、 STOP、 STANDBY 各モー ド
– RTC 及びバックアップ ・ レジスタ用 VBAT 供給
■
2 x 12bit 、 1μs A/D コンバータ
（最大 16 チャネル）
– 変換範囲 ： 0 ～ 3.6 V
– デ ュ アルサン プル及びホール ド 機能
– 温度セ ンサ
■
■
DMA
– 7 チ ャ ネル DMA コ ン ト ロー ラ
– ペ リ フ ェ ラ ルサポー ト ： タ イ マ、 ADC、
SPI、 I2C、 USART
最大 80 個の高速 I/O ポー ト
– 26/37/51/80 個の I/O、 16 個の外部割込み
上にすべて配置可能、 アナ ロ グ入力以外す
べて 5V 耐性
LQFP64
10 x 10 mm
LQFP100
14 x 14 mm
VFQFPN36
6 × 6 mm
■
■
LQFP48
7 x 7 mm
BGA100
10 x 10 mm
■
最大 7 個の タ イ マ
– 最大 3 個の 16bit タイマ、 それぞれに最大 4
個の IC/OC/PWM またはパルス ・ カウンタ
– 16bit、 6 チ ャ ネル高性能制御 タ イ マ ： PWM
出力、 デ ッ ド タ イ ム生成 と 緊急停止用に最
大 6 個のチ ャ ネル
– 2 個のウ ォ ッ チ ド ッ グ ・ タ イ マ
( 独立型及び Window 型 )
– SysTick タ イ マ ： 24bit ダウ ン ・ カ ウ ン タ
■
最大 9 個の通信イ ン タ フ ェ ース
– 最大 2 個の I2C イ ン タ フ ェ ース
(SMBus/PMBus)
– 最大 3 個の USART (ISO 7816 イ ン タ フ ェ ー
ス、 LIN、 IrDA 対応、 モデム制御 )
– 最大 2 個の SPI(18 Mbit/s)
– CAN イ ン タ フ ェ ース (2.0B ア ク テ ィ ブ )
– USB 2.0 フルス ピー ド ・ イ ン タ フ ェ ース
■
CRC 演算ユニ ッ ト 、 96bit ユニー ク ID
■
ECOPACK ®パ ッ ケージ
表 1.
デバイ スの種類
リ フ ァ レ ン ス名
品名
STM32F103x6
STM32F103C6、 STM32F103R6、
STM32F103T6
STM32F103x8
STM32F103C8、 STM32F103R8、
STM32F103V8、 STM32F103T8
STM32F103xB
STM32F103RB、 STM32F103VB、
STM32F103CB
デバ ッ グ ・ モー ド
– シ リ アル ・ ワ イ ヤ ・ デバ ッ グ （SWD:Serial
wire debug) 及び JTAG イ ン タ フ ェ ース
July 2008
Rev8- 日本語版
1/84
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
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1
参考資料
目次
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
目次
1
は じ めに . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2
詳細 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.1
デバイ スの概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.2
フ ァ ミ リ と し ての完全互換 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.3
概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3
ピ ンの詳細 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
4
メ モ リ ・ マ ッ ピ ン グ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5
電気的特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.1
2/84
テ ス ト 条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.1.1
最小値 と 最大値 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.1.2
標準値 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.1.3
標準カ ーブ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.1.4
負荷容量 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.1.5
ピ ン入力電圧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.1.6
電源供給図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
5.1.7
消費電流測定 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.2
絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.3
動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
5.3.1
一般動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
5.3.2
パワー ・ ア ッ プ / パワー ・ ダウ ン時の動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
5.3.3
内蔵 リ セ ッ ト 及び電源制御ブ ロ ッ ク 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
5.3.4
内部基準電圧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
5.3.5
供給電流特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
5.3.6
外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.3.7
内部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.3.8
PLL 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5.3.9
メ モ リ 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5.3.10
EMC 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.3.11
絶対最大定格 （電磁感度） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.3.12
I/O ポー ト 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
Rev8- 日本語版
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
6
7
5.3.13
NRST ピ ン特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.3.14
TIM タ イ マ特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
5.3.15
通信イ ン タ フ ェ ース . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.3.16
CAN (controller area network) イ ン タ フ ェ ース. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
5.3.17
12bit ADC 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.3.18
温度セ ンサ特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
パ ッ ケージ特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
6.1
パ ッ ケージ ・ デー タ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
6.2
熱特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
6.2.1
参考 ド キ ュ メ ン ト . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
6.2.2
温度範囲対応製品の選択 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
注文情報概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
7.1
8
目次
フ ァ ミ リ 製品の展開 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
変更履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
Rev8- 日本語版
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参考資料
表一覧
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表一覧
表
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1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
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18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
33.
34.
35.
36.
37.
38.
39.
40.
41.
42.
43.
44.
45.
46.
47.
4/84
デバイ スの種類 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
デバイ スの特徴 と ペ リ フ ェ ラ ル (STM32F10xxx 中容量パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン） . . . . . . . . . 8
STM32F103xx フ ァ ミ リ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
ピ ンの定義 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
電圧特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
電流特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
熱特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
一般的な動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
パワー・アップ / パワー・ダウン時の動作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
内蔵リセット及び電源制御ブロック特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
内部基準電圧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Flash か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での最大消費電流 . . . . . . . . . 35
RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での最大消費電流 . . . . . . . . . 35
Flash または RAM か ら の コ ー ド 動作に よ る SLEEP モー ド の最大消費電流 . . . . . . . . . . . . . 37
STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
Flash か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での標準消費電流 . . . . . . . . . 40
Flash または RAM か ら のデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る SLEEP モー ド
の標準消費電流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
ペ リ フ ェ ラ ル消費電流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
高速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
低速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
HSE 4 ～ 16 MHz オシ レー タ 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
LSE オシ レー タ 特性 (fLSE = 32.768 kHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
HSI オシ レ ー タ 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
LSI オシ レ ー タ 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
PLL 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Flash メ モ リ 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
EMS 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
EMI 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
ESD 絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
静電気感度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
I/O 静的特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
出力電圧特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
I/O AC 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
NRST ピ ン特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
TIMx 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
I2C 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
SCL 周波数 (fPCLK1= 36 MHz.、 VDD = 3.3 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
SPI 特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
USB ス タ ー ト ア ッ プ時間 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
USB DC 電気特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
USB: フルス ピー ド 電気的特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
ADC 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
fADC = 14 MHz についての RAIN 最大値 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
ADC 精度 - 限定テ ス ト 条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
ADC 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
Rev8- 日本語版
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
表一覧
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表
表
表
表
表
表
表
表
48.
49.
50.
51.
52.
53.
54.
55.
TS 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
VFQFPN36 6 x 6 mm、 0.5 mm ピ ッ チ、 パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . . . .
LFBGA100 - low profile fine pitch ball grid array パ ッ ケージ外形寸法デー タ .
LQPF100 - 100 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . .
LQFP64 - 64 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . . . .
LQFP48 - 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ . . . . . . . . .
熱特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注文 コ ー ド . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rev8- 日本語版
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
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参考資料
図一覧
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図一覧
図
図
図
図
図
図
図
図
図
図
図
図
図
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
図 14.
図 15.
図 16.
図 17.
図 18.
図 19.
図 20.
図 21.
図 22.
図 23.
図 24.
図 25.
図 26.
図 27.
図 28.
図 29.
図 30.
図 31.
図 32.
図 33.
図 34.
図 35.
図 36.
図 37.
図 38.
図 39.
図 40.
図 41.
図 42.
図 43.
6/84
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン ブ ロ ッ ク図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
ク ロ ッ ク 構成図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン BGA100 ボールピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP100 ピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP64 ピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP48 ピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン VFQFPN36 ピ ン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
メ モ リ ・ マ ッ プ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
ピ ン負荷条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
ピ ン入力電圧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
電源供給図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
消費電流測定図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Run モー ド の標準消費電流 対 周波数 (3.6 V 動作時） RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド 、 ペ リ フ ェ ラルはイ ネーブル. . . . . . . . . . . . . . . . 36
Run モー ド の標準消費電流 対 周波数 (3.6 V 動作時） RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド 、 ペ リ フ ェ ラルはデ ィ セーブル. . . . . . . . . . . . . . 36
VDD = 3.3 V と 3.6V 動作時の Run モー ド の
レギ ュ レ ー タ 付 STOP モー ド 標準消費電流 対 温度. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
VDD = 3.3 V と 3.6V 動作時の低電力モー ド の
レギ ュ レ ー タ 付 STOP モー ド 消費電流 対 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
VDD = 3.3 V と 3.6V 動作時のの STANDBY モー ド 標準消費電流 対 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . 39
高速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ン グ図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
低速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ン グ図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
8MHz ク リ ス タ ルでの標準ア プ リ ケーシ ョ ン . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
32.768 kHz ク リ ス タ ルでの標準ア プ リ ケーシ ョ ン . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
I/O AC 特性の定義. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
NRST ピ ン保護のための推奨条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
I2C バス AC 波形 と 測定回路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
SPI タ イ ミ ン グ図 - ス レ ーブ ・ モー ド と CPHA = 0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
SPI タ イ ミ ン グ図 - ス レ ーブ ・ モー ド と CPHA = 1(1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
SPI タ イ ミ ン グ図 - マス タ ・ モー ド (1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
USB タ イ ミ ン グ ： デー タ 信号の立上が り と 立下 り 時間の定義 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
ADC 精度特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
ADC を使用する一般的な接続図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
電源供給 と デ カ ッ プ リ ン グ （VREF+ を VDDA への接続な し ）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
電源供給 と デ カ ッ プ リ ン グ （VREF+ を VDDA へ接続） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
VFQFPN36 6 x 6 mm、 0.5 mm ピ ッ チ、 外形寸法 (1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
推奨 フ ッ ト プ リ ン ト (1)(2)(3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
LFBGA100 - low profile fine pitch ball grid array パ ッ ケージ外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
推奨 PCB 設計ルール (0.80/0.75 mm ピ ッ チ BGA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
LQFP100 - 100 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
推奨 フ ッ ト プ リ ン ト (1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
LQFP64 - 64 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
推奨 フ ッ ト プ リ ン ト (1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
LQFP48 - 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
推奨 フ ッ ト プ リ ン ト (1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
LQFP100 PD 最大値 対 TA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
Rev8- 日本語版
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製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
1
は じ めに
は じ めに
こ のデー タ シー ト には STM32F103x6、 STM32F103x8 、 STM32F103xB 中容量パ フ ォ ーマ ン
ス ・ ラ イ ンの マ イ ク ロ コ ン ト ロー ラ についての注文情報や外形寸法な どが記載 さ れていま
す。 ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス STM32F103xx フ ァ ミ リ 全体の詳細に関 し ては セ ク シ ョ
ン 2.2: フ ァ ミ リ と し ての完全互換 を参照 し て く だ さ い。
中容量 STM32F103xx デー タ シー ト は、 中容量及び大容量 STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マ
ニ ュ アル と と も に読み進めて く だ さ い。
この リ フ ァ レ ン スマニ ュ アル と Flash プ ログ ラ ミ ング ・ マニ ュ アルは ST マ イ ク ロ エ レ ク ト
ロ ニ ク スのウ ェ ブサイ ト www.st.com か ら入手する こ と が出来ます。
また、 CortexTM-M3 コ アについての さ ら に詳 し い情報については、 以下の www.arm.com の
ウ ェ ブサイ ト か ら提供 さ れてい る 『 CortexTM-M3 テ ク ニ カル ・ リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ ア
ル』 を参照 し て く だ さ い。
http://infocenter.arm.com/help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.ddi0337e/
2
詳細
STM32F103x6、 STM32F103x8、 STM32F103xB パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン フ ァ ミ リ は 72MHz の
周波数で動作する高性能 ARM CortexTM-M3 32bit RISC コ ア を中心に、 高速動作の内蔵 メ モ
リ ( 最大 128 Kbyte の Flash メ モ リ と 最大 20Kbyte の SRAM) 及び、 エ ンハン ス ト I/O と ペ
リ フ ェ ラ ルが 2 本の APB バスに接続 さ れています。 すべてのデバイ スには、 2 個の 12bit
ADC、 3 個の汎用 16bit タ イ マ、 1 個の PWM タ イ マが搭載 さ れています。 また、 標準通信
及び高機能イ ン タ フ ェ ース と し て最大 2 個の I2C 及び SPI、 3 個の USART、 USB、 CAN も
搭載 し ています。
STM32F103xx 中容量パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン フ ァ ミ リ は 2.0 ～ 3.6V の電圧範囲で動作 し
ます。 また、 -40 ～ +85 ℃の温度範囲 と -40 ～ +105 ℃の拡張温度範囲の製品があ り ます。
電力セーブ ・ モー ド を使用する こ と に よ り 、 低電力ア プ リ ケーシ ョ ンの設計が可能です。
STM32F103xx 中容量パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン フ ァ ミ リ には 36 ピ ン～ 100 ピ ン ま での 5 つ
の異な る種類のパ ッ ケージが用意 さ れています。 以下の説明は、 異な るペ リ フ ェ ラ ルの
セ ッ ト のデバイ ス を選択する ために、 こ の フ ァ ミ リ で提案 さ れている ペ リ フ ェ ラ ルの概要
にな り ます。
下記の特徴は STM32F103xx 中容量パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン マ イ ク ロ コ ン ト ロー ラ ・ フ ァ
ミ リ が幅広いア プ リ ケーシ ョ ン に対応 し てい る こ と 示 し ています。 ：
●
モー タ 駆動 と ア プ リ ケーシ ョ ン制御
●
医療機器、 ハン ド ヘル ド 機器
●
PC 周辺機器、 ゲーム機器、 GPS プ ラ ッ ト フ ォ ーム
●
産業機器 ： PLC、 イ ンバー タ 、 プ リ ン タ 、 スキ ャ ナ
●
警報シ ス テム、 ビデオ イ ン タ ーホ ン、 HVAC
図 1 はデバイ ス フ ァ ミ リ の標準ブ ロ ッ ク図です。
Rev8- 日本語版
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参考資料
詳細
2.1
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
デバイ ス概要
表 2.
デバイスの特徴とペリフェラル (STM32F10xxx 中容量パフォーマンス ・ ライン）
ペ リ フ ェ ラル
STM32F103Tx
STM32F103Cx
STM32F103Rx
Flash - Kbytes
32
64
32
64
128
32
SRAM - Kbytes
10
20
10
20
20
10
20
20
2
3
2
3
3
2
3
3
タ
汎用
64
128
STM32F103Vx
64
128
イ
マ
通
信
高機能制御
1
1
1
SPI
1
1
1
2
2
1
2
2
I2
1
1
1
2
2
1
2
2
USART
2
2
2
3
3
2
3
3
USB
1
1
1
1
1
1
1
1
CAN
1
1
1
1
1
1
1
1
C
GPIO
12bit 同期型 ADC
チ ャ ネル数
26
37
2
10 チ ャ ネル
2
10 チ ャ ネル
CPU 周波数
51
80
2
16 チ ャ ネル
72 MHz
動作電圧
2.0 ～ 3.6 V
動作温度
周囲温度 ： -40 ～ +85 ℃ /-40 ～ +105 ℃ ( 表 8 を参照 )
ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 ： -40 ～ +125 ℃ （表 8 を参照 )
パ ッ ケージ
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1
VFQFPN36
LQFP48
LQFP64
LQFP100、
BGA100
Rev8- 日本語版
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
2.2
詳細
フ ァ ミ リ と し ての完全互換
STM32F103xx は、 完全な ピ ン配置、 ソ フ ト ウ ェ ア、 機能互換を持つ フ ァ ミ リ 製品にな り ま
す。 リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルでは STM32F103x6、 STM32F103x8、 STM32F103xB を中容
量デバイ ス と 定義 し 、 STM32F103xC、 STM32F103xD、 STM32F103xE を大容量デバイ ス と
し て定義 し ています。
大容量デバイ スは中容量 STM32F103x6/8/B デバイ スの拡張版にな り ます。 こ れ らのデバ
イ スは STM32F103xC/D/E のデー タ シー ト に記載 さ れています。 大容量 STM32F103xx デバ
イ スは、 よ り 大容量の Flash メ モ リ と RAM を搭載 し てお り 、 SDIO、 FSMC、 I2S や DAC な
どのペ リ フ ェ ラ ルを搭載 し ています。 また、 フ ァ ミ リ 内の他の製品 と は完全互換機能を
持 っ ています。
STM32F103xC、 STM32F103xD、 STM32F103xE は、 STM32F103x6、 STM32F103x8 、
STM32F103xB のデバイ スは、 こ れ ら のデバイ ス間で直接置き換え る こ と が出来ます。 こ れ
に よ り ユーザが製品を開発 し ている間、 異な る メ モ リ サイ ズや機能を効率的に置き換え る
こ と が出来る自由度を提供を し ます。
表 3.
STM32F103xx フ ァ ミ リ
メ モ リ ・ サイ ズ
中容量 STM32F103xx デバイ ス
大容量 STM32F103xx デバイ ス
ピ ン数
32 KB Flash
64 KB Flash
10 KB RAM
20 KB RAM
128 KB Flash 256 KB Flash
20 KB RAM
144
100
64
48
36
3 × USART
3 × 16-bit タ イ マ
2 × USART
2 × SPI、 2 ×I2C、 USB、
2 × 16-bit タ イ マ CAN、
1 × SPI、 1 × I2C、
1 × PWM タ イ マ
USB、 CAN、
2 × ADC
1 × PWM タ イ マ
2 × ADCs
Rev8- 日本語版
48 KB RAM
384 KB Flash
512 KB Flash
64 KB RAM
64 KB RAM
5 × USART
4 × 16-bit タ イ マ、 2 × 基本 タ イ マ
3 × SPI、 2 × I2S、 2 × I2Cs
USB、 CAN、 2 × PWM タ イ マ
3 × ADC、 1 × DAC、 1 × SDIO
FSMC (100 及び 144 ピ ン )
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
詳細
2.3
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
概要
内蔵 Flash と SRAM 搭載 ARM ® CortexTM-M3 コ ア
ARM CortexTM-M3 プ ロ セ ッ サは組込みシ ス テム向け ARM プ ロ セ ッ サの最新製品です。 ピ
ン数の削減 と 低消費電力に対応 し た MCU を実装する必要性があ る低価格プ ラ ッ ト フ ォ ー
ムに提供する こ と を目的に開発 さ れま し た。 また、 優れた計算機性能 と 割込みに対する高
機能な シ ス テム ・ レ スポ ン スが提供 さ れています。
ARM CortexTM-M3 32bit RISC プ ロ セ ッ サは優れた コ ー ド 効率を特徴 と し 、 ARM コ アか ら の
高性能を提供 し ます。 8bit 及び 16bit デバイ ス並みの メ モ リ ・ サイ ズで ARM コ アに期待 さ
れている高性能を提供する こ と がで き ます。
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン フ ァ ミ リ には組込み向け ARM コ ア を搭載 し てお
り 、 そのため、 すべての ARM ツール と ソ フ ト ウ ェ アに互換性を持 っ ています。
図 1 はデバイ ス フ ァ ミ リ の一般的な ブ ロ ッ ク 図を示 し ています。
内蔵 Flash メ モ リ
最大 128Kbyte の内蔵 Flash メモリがプログラムとデータの保存のために搭載されています。
CRC (cyclic redundancy check ： 巡回冗長検査 ) 演算ユニ ッ ト
CRC (cyclic redundancy check) 演算ユニ ッ ト は 32bit デー タ ・ ワー ド と 固定 さ れた生成多項
式か ら CRC コ ー ド を取得 し ます。
ア プ リ ケーシ ョ ン間において、 CRC ベースの技術はデー タ 転送やス ト レージの正当性を検
証する ために使用 さ れます。 また、 EN/IEC 60335-1 に よ り 、 こ の技術は Flash メ モ リ の正
当性を確認する ために使用 さ れます。 CRC 演算ユニ ッ ト は、 リ ン ク ・ タ イ ム時の リ フ ァ レ
ン ス符号の比較や提供 さ れた メ モ リ ロ ケーシ ョ ンの保存を行 う ために、 その実行で ソ フ ト
ウ ェ アの符号の計算を支援 し ます。
内蔵 SRAM
最大 20Kbyte の内蔵 SRAM は 0 ウ ェ イ ト ・ ス テー ト の CPU ク ロ ッ ク ・ ス ピー ド で ア ク セ
ス （読込み / 書込み） で き ます。
ネス ト 化 （階層） さ れたベ ク タ 割込み コ ン ト ロー ラ
（NVIC: Nested Vectored Interrupt Controller）
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン に内蔵 さ れている ネス ト 化 （階層） さ れたベ ク タ 割
込み コ ン ト ロー ラ は、 最大 43 のマス ク 可能な割込みチ ャ ネル （CortexTM-M3 の 16 割込み
ラ イ ンは含まれない） と 16 の優先レ ベルを処理する こ と がで き ます。
●
密結合の NVIC は低遅延の割込みプ ロ セス を提供
●
割込みエ ン ト リ ・ ベ ク タ ・ テーブル ・ ア ド レ スは直接 コ アへパス
●
密結合の NVIC コ ア イ ン タ フ ェ ース
●
割込みの迅速な処理が可能
●
遅延優先割込み処理
●
テ イル－チ ェ イ ニ ン グ をサポー ト
●
プ ロ セ ッ サ ・ ス テー ト を自動的に保存
●
割込みエ ン ト リ は命令オーバーヘ ッ ド 無 し で割込みか ら リ ス ト ア
このハードウェア ・ ブロックは柔軟な割込み管理機能により最小の割込み遅延時間で済みます。
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Rev8- 日本語版
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正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
詳細
外部割込み / イ ベン ト コ ン ト ロー ラ （EXTI ： External interrupt/event controller）
19 本のエ ッ ジ検出 ラ イ ン で構成 さ れてい る外部割込み / イ ベ ン ト ・ コ ン ト ロー ラ は、 割込
み / イ ベ ン ト ・ リ ク エ ス ト を生成する ために使用 さ れます。 それぞれのラ イ ンは ト リ ガ ・
イ ベ ン ト （立上 り エ ッ ジ、 立下 り エ ッ ジ、 両エ ッ ジ） を選択で き る よ う に独立 し て構成す
る こ と がで き、 個別にマス ク する こ と も 可能です。 ペンデ ィ ン グ ・ レ ジ ス タ に割込み リ ク
エ ス ト のス テー タ スが保持 さ れます。 EXTI は、 内部 APB2 ク ロ ッ ク周波数よ り 低いパルス
幅の外部ラ イ ン を検出する こ と が可能です。 最大 80 個の GPIO が 16 本の外部割込みラ イ
ン に接続 さ れています。
クロ ッ ク とスター ト ア ッ プ
シ ス テム ク ロ ッ クの選択はス タ ー ト ア ッ プ時に実行 さ れますが、 内部 RC 8MHz の発振器
が リ セ ッ ト 時に CPU ク ロ ッ ク のデ フ ォル ト と し て選択 さ れます。 外部か ら 4 ～ 16 MHz の
ク ロ ッ ク を選択する こ と がで き、 発振状態を監視する こ と が可能です。 発振を検出する
と 、 シ ス テムは内部 RC 発振器へ戻る ために自動的にス イ ッ チ し ます。 また、 イ ネーブル
の場合は ソ フ ト ウ ェ ア割込みが生成 さ れます。 同様に、 PLL ク ロ ッ ク ・ エ ン ト リ の割込み
管理は必要に応 じ て利用する こ と がで き ます。 （例えば、 間接的に使われた外部 ク リ ス タ
ル、 発振子、 発振器の故障な ど )
複数のプ リ スケー ラ は、 AHB 周波数、 高速 APB(APB2)、 低速 APB （APB1） ド メ イ ン を構
成する こ と がで き ます。 AHB と 高速 APB ド メ イ ンの最大周波数は 72MHz で、 低速 APB ド
メ イ ンの最大周波数は 36MHz にな り ます。 ク ロ ッ ク 構成図についての詳細は 図 2 を参照
し て く だ さ い。
ブー ト ・ モー ド
ス タ ー ト ア ッ プ時、 ブー ト ピ ンは 3 つのブー ト ・ オプ シ ョ ンの １ つ を選択する ために使わ
れます。 ：
●
ユーザ Flash か らのブー ト
●
シ ス テム メ モ リ か ら のブー ト
●
内蔵 SRAM か ら のブー ト
ブー ト ・ ローダはシ ス テム メ モ リ に配置 さ れて ます。 USART1 を使用する こ と に よ り Flash
メ モ リ を再プ ロ グ ラ ムするのに使われます。 詳細に関 し ては AN2606 を参照 し て く だ さ い。
電源供給
●
●
●
VDD ＝ 2.0 ～ 3.6 V ： I/O と 内部レギ ュ レ ー タ に対する外部電源供給
VDD ピ ンか ら 外部経由で電源供給 し ます。
VSSA、 VDDA ＝ 2.0 ～ 3.6 V ： ADC、 リ セ ッ ト ・ ブ ロ ッ ク 、 RC、 PLL （ADC を使用する場
合、 VDDA へ印加 さ れる最小限の電圧は 2.4 V） に対する外部アナ ロ グ電源供給
VDDA と VSSA は、 それぞれ VDD と VSS に接続する必要があ り ます。
VBAT ＝ 1.8 ～ 3.6 V ： VDD が供給 さ れていない場合の RTC、 外部 ク ロ ッ ク 32 kHz オシ
レ ー タ 及びバ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ ス タ （パワー ・ ス イ ッ チ経由で） についての電源供給
電源ピ ンの接続についての詳細は 図 11: 電源供給図 を参照 し て く だ さ い。
電源供給監視
こ のデバイ スには、 統合 さ れたパワー ・ オ ン ・ リ セ ッ ト (POR)/ パワー ・ ダウ ン ・ リ セ ッ
ト (PDR) の回路が搭載 さ れています。 通常はア ク テ ィ ブ で、 2V か ら の正 し い動作を確実
に開始 し ます。 VDD は VPOR/PDR の指定 さ れたス レ シ ョ ル ド 以下にな る場合は、 外付けの リ
セ ッ ト 回路を必要 と する こ と な く リ セ ッ ト ・ モー ド を維持 し ます。
Rev8- 日本語版
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参考資料
詳細
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
デバイ スには VDD/VDDA 電源供給を監視や VDD と VPVD ス レ シ ョ ル ド を比較する プ ロ グ ラ
ム可能な電圧検出器 （PVD ： Programmable voltage detector) が内蔵 さ れています。
VDD/VDDA が VPVD を下回る、 及び / または、 VDD/VDDA が VPVD ス レ シ ョ ル ド を上回る場
合、 VDD/VDDA に割込みを生成する こ と が可能です。 割込みサービ ス ・ ルーチ ンはその後、
警告 メ ッ セージ を出 し 、 及び / または、 MCU を セー フ ・ ス テー ト に し ます。 PVD は ソ フ
ト ウ ェ アに よ り イ ネーブルにな り ます。
VPOR/PDR 及び VPVD の値については、 表 10: 内蔵 リ セ ッ ト 及び電源制御ブ ロ ッ ク特性 を参
照 し て く だ さ い。
電圧レギ ュ レー タ
レギ ュ レ ー タ には、 メ イ ン （MR)、 低電力 （LPR)、 パワーダウ ンの 3 つのオペ レ ーシ ョ ン
モー ド があ り ます。
●
MR は Run モー ド で使用
●
LPR は STOP モー ド で使用
●
パワー ・ ダウ ンは STANDBY モー ド で使用 ： レギ ュ レ ー タ 出力はハイ ・ イ ン ピーダ ン
ス ： 消費電力 ０ で カ ーネル回路はパワー ・ ダウ ン し ます。 （レ ジ ス タ と SRAM の内容
は消失）
こ のレ ギ ュ レー タ は、 リ セ ッ ト 後は常に イ ネーブル と な り ます。 STANDBY モー ド では
デ ィ セーブルにな り 、 ハイ ・ イ ン ピーダ ン ス出力が提供 さ れます。
低電力モー ド
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンは、 低消費電流、 シ ョ ー ト ・ ス タ ー ト ア ッ プ時間、
ウ ェ ー ク ア ッ プ ・ ソ ースの対応について、 最適な状態を達成する ために 3 つの低電力モー
ド をサポー ト し ます ：
●
SLEEP モー ド
●
SLEEP モー ド では、 CPU のみが停止 し ます。 すべてのペ リ フ ェ ラルは動作を続けま
すが、 割込み / イ ベ ン ト が発生 し た と き に CPU を ウ ェ ー ク ア ッ プ で き ます。
STOP モー ド
●
STOP モー ド は、 SRAM と レ ジ ス タ の内容を保持 し ている間、 最 も低い消費電力を実
現 し ます。 1.8V ド メ イ ン ですべての ク ロ ッ ク は停止 し 、 PLL、 HSI RC、 HSE 水晶発振
子はデ ィ セーブルにな り ます。 電圧レ ギ ュ レ ー タ は ノ ーマルモー ド か低消費モー ド の
ど ち らかにする こ と がで き ます。
デバイ スはいずれかの EXTI ラ イ ン に よ り STOP モー ド から ウ ェ ー ク ア ッ プする こ と
がで き ます。 EXTI ラ イ ンの ソ ースは、 16 の外部 ラ イ ン、 PVD 出力、 RTC ア ラ ーム、
USB ウ ェ ー ク ア ッ プの １ つにな り ます。
STANDBY モー ド
STANDBY モー ド は、 最 も 低い消費電力にな り ます。 1.8V ド メ イ ン全体が電源を切 ら
れる よ う に、 内部電圧レギ ュ レ ー タ はス イ ッ チ ・ オ フ さ れます。 また、 PLL、 HSI RC、
HSE 水晶発振子 も ス イ ッ チ ・ オ フ さ れます。 STANDBY モー ド に入る と 、 SRAM と レ
ジ ス タ の内容はバ ッ ク ア ッ プ領域 と STANDBY 回路についてのレ ジ ス タ を除いて失わ
れます。
デバイ スは外部 リ セ ッ ト （NRST ピ ン）、 IWDG リ セ ッ ト 、 WKUP ピ ン上での立上が り
エ ッ ジ、 も し く は RTC ア ラ ームが発生する場合、 STANDBY モー ド か ら終了 し ます。
注意
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RTC、 IWDG と 対応する ク ロ ッ ク ・ ソ ースは、 STOP または STANDBY モー ド に入っ て も停
止する こ と はで き ません。
Rev8- 日本語版
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
詳細
DMA
フ レキシ ブルな ７ チ ャ ネルの汎用 DMA は、 メ モ リ － メ モ リ 間、 ペ リ フ ェ ラ ル－ メ モ リ 間、
メ モ リ －ペ リ フ ェ ラ ル間の転送を管理する こ と がで き ます。 コ ン ト ロー ラ が転送を し てい
て、 バ ッ フ ァ の終わ り ま で来る と 発生する割込みを避ける ために、 DMA コ ン ト ロー ラ は循
環バ ッ フ ァ をサポー ト し ます。
各々のチ ャ ネルは、 各々のチ ャ ネル上の ソ フ ト ウ ェ ア ・ ト リ ガ をサポー ト し 、 専用のハー
ド ウ ェ ア DMA リ ク エ ス ト に接続 し ています。 構成は ソ フ ト ウ ェ アに よ っ て行われ、 転送
元 と 転送先の間の転送サイ ズは独立 し ています
DMA は、 SPI、 I2C、 USART、 汎用及び高機能制御 タ イ マ TIMx と ADC の メ イ ン ・ ペ リ フ ェ
ラルで使 う こ と がで き ます。
RTC (Real-Time Clock) と バ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ ス タ
RTC と バ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ ス タ は VDD 電源か VBAT ピ ンのど ち らかの電源を供給する ス
イ ッ チ を通 し て供給 さ れます。 VDD 電源が提供 さ れていない場合は、 バ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ
ス タ は 20 byte のユーザ ・ ア プ リ ケーシ ョ ン ・ デー タ を保存する ために 10 個の 16bit レ ジ
ス タ を使用する こ と がで き ます。
リ アル タ イ ム ・ ク ロ ッ クは、 時計カ レ ン ダ機能を提供する適切な ソ フ ト ウ ェ ア を使用する
こ と がで き る連続的に動作する カ ウ ン タ のセ ッ ト を提供 し 、 ア ラ ーム割込み と 定期的な割
込みを提供 し ます。 そのク ロ ッ ク 出力は 32.768 kHz 外部 ク リ ス タ ル、 発振子 も し く は発振
器で行われ、 内部低電力 RC 発振器 も し く は高速外部 ク ロ ッ クは 128 で分割 さ れます。 内
部低電力 RC は 40 kHz 標準周波数を持 っ ています。 RTC は、 通常の ク リ ス タ ルの偏差を補
償する ために外部 512 Hz 出力を使 っ て較正する こ と がで き ます。 RTC は、 比較レ ジ ス タ
がア ラ ームを生成するのに使用する長時間測定について、 32bit のプ ロ グ ラ マ ブル ・ カ ウ ン
タ を持 っ ています。 20bit プ リ スケー ラ は時間ベースの ク ロ ッ ク に使用 さ れ、 32.768 kHz の
ク ロ ッ ク から 1 秒ベースの時間を生成するデ フ ォ ル ト 構成にな っ ています。
独立型ウ ォ ッ チ ド ッ ク
独立型ウ ォ ッ チ ド ッ グは、 12bit ダウ ン ・ カ ウ ン タ と 8bit プ リ スケー ラ を基本 と し ていま
す。 こ の独立型ウ ォ ッ チ ド ッ グは 40kHz の内部 RC か らの ク ロ ッ ク で動作 し 、 メ イ ン ・ ク
ロ ッ ク か ら独立 し て動作 し ます。 また、 STOP と STANDBY モー ド で動作する こ と がで き
ます。 問題が発生 し た場合には、 デバイ ス を リ セ ッ ト する ウ ォ ッ チ ド ッ グ と し て使用する
か、 も し く はア プ リ ケーシ ョ ンが タ イ ム ・ アウ ト 管理のために フ リ ー ・ ラ ン ニ ン グ ・ タ イ
マ と し て使用する こ と が可能です。 それは、 オプ シ ョ ン ・ バイ ト を使用 し て、 ハー ド ウ ェ
ア も し く は ソ フ ト ウ ェ ア で設定する こ と がで き ます。 カ ウ ン タ は、 デバ ッ グ ・ モー ド 時に
は停止する こ と がで き ます。
Window 型ウ ォ ッ チ ド ッ ク
Window 型ウ ォ ッ チ ド ッ グは、 フ リ ー ・ ラ ン ニ ン グ と し て設定する こ と がで き る 7bit ダウ
ン ・ カ ウ ン タ を基本 と し ています。 問題が発生 し た場合に、 デバイ ス を リ セ ッ ト する
ウ ォ ッ チ ド ッ グ と し て使用する こ と がで き ます。 それは、 メ イ ン ・ ク ロ ッ ク か ら の ク ロ ッ
ク で動作 し ます。 また、 早期ワーニ ン グ割込み機能を持 っ てお り 、 カ ウ ン タ はデバ ッ グ ・
モー ド 時には停止する こ と がで き ます。
SysTick タ イ マ
こ の タ イ マは OS 用で標準ダウ ン ・ カ ウ ン タ と し て使用する こ と がで き ます。
Rev8- 日本語版
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参考資料
詳細
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
機能は以下の と お り です。 ：
●
24bit ダウ ン ・ カ ウ ン タ
●
自動再ロー ド 機能
●
カ ウ ン タ が ０ にな る と マ ス ク 可能な シ ス テム割込みを生成
●
プ ロ グ ラ マ ブル ・ ク ロ ッ ク ・ ソ ース
汎用 タ イ マ (TIMx)
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンのデバイ スには最大 3 個の同期型汎用 タ イ マが内蔵
さ れます。 こ れ ら の タ イ マは 16bit 自動再ロー ド ・ ア ッ プ / ダウ ン ・ カ ウ ン タ 、 16bit プ リ
スケー ラ を基本 と し 、 入力キ ャ プ チ ャ / 出力比較、 PWM、 単一パルス ・ モー ド 出力につい
て、 それぞれ 4 つの独立 し たチ ャ ネルを持 っ ています。 こ れ ら の機能は、 最 も大き なパ ッ
ケージ では最大 12 の入力キ ャ プ チ ャ / 出力比較 /PWM が提供 さ れています。 こ れ ら は、
同期またはイ ベ ン ト ・ チ ェ イ ニ ン グのために タ イ マ ・ リ ン ク機能を経由 し て高機能制御 タ
イ マ と と も に動作する こ と がで き ます。
カ ウ ン タ は、 デバ ッ グ ・ モー ド 時には停止する こ と がで き ます。
い く つかの標準 タ イ マは PWM 出力を生成する ために使 う こ と がで き ます。 それぞれの タ
イ マは個別に DMA リ ク エ ス ト を生成 し ます。
高機能制御 タ イ マ (TIM1 ： Advanced-control timer)
高機能制御 タ イ マ (TIM1) は、 6 チ ャ ネル上に三相 PWM マルチ プ レ ク サ と し て構成 さ れ、
デ ッ ド ・ タ イ マが内蔵 さ れてい る プ ロ グ ラ ム可能で補完的な PWM 出力を持 っ ています。
また、 完全な汎用 タ イ マ と し て使 う こ と も 可能です。 4 つの独立 し たチ ャ ネルは、 以下の
機能が使用で き ます。
●
入力キ ャ プ チ ャ
●
出力比較
●
PWM 生成 ( エ ッ ジ も し く はセ ン タ ア ラ イ ン ・ モー ド ）
●
単一パルス モー ド 出力
標準 16bit タイマとして構成する場合は、 TIMx タイマと同じ機能を持っています。 16bit PWM 生
成器として構成する場合、 最大限の変調機能を使用することができます。 (0 ～ 100%)
カ ウ ン タ は、 デバ ッ グ ・ モー ド 時には停止する こ と がで き ます。
多 く の特長が、 同 じ アーキテ ク チ ャ を持 っ た標準的な TIM タ イ マの機能 と 共有 し ていま
す。 そのため、 高機能制御 タ イ マは、 同期またはイ ベ ン ト ・ チ ェ イ ニ ン グのために タ イ マ ・
リ ン ク 機能を通 し て TIM タ イ マ と と も に動作する こ と がで き ます。
I2C バス
最大 2 個の I2C バス ・ イ ン タ フ ェ ースは、 マルチマ ス タ ・ モー ド 及びス レーブ ・ モー ド で
動作する こ と がで き、 標準モー ド 、 高速モー ド をサポー ト し ています。
こ のイ ン タ フ ェ ースはデ ュ アル ・ ス レ ーブ ・ ア ド レ ッ シ ン グ (7bit のみ ) 及びマ ス タ ・ モー
ド で、 7/10bit ア ド レ ッ シ ン グ をサポー ト し 、 ハー ド ウ ェ ア CRC 生成 / 検証機能を内蔵 し
ています。
こ れ ら は DMA に よ り 動作 し 、 SM Bus 2.0/PM Bus をサポー ト し ています。
USART (Universal synchronous/asynchronous receiver transmitter)
USART イ ン タ フ ェ ースの １ つは最大 4.5 Mbit/s で通信を行 う こ と がで き ます。 その他のイ
ン タ フ ェ ースは最大 2.25Mbit/s で通信を行 う こ と がで き ます。 こ れ らは CTS 及び RTS 信
号のハー ド ウ ェ ア管理機能を内蔵 し ている ため、 IrDA SIR ENDEC サポー ト 、 ISO7816 互換、
LIN マ ス タ / ス レーブ互換機能を持 っ ています。
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製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
詳細
すべての USART イ ン タ フ ェ ースは DMA コ ン ト ロー ラ に よ り 動作 さ せる こ と がで き ます。
SPI (Serial peripheral interface )
最大 2 個の SPI は、 全二重及び単方向通信モー ド で ス レ ーブ及びマ ス タ ・ モー ド は最大 18
Mbits/s の速度で通信する こ と がで き ます。 3bit プ リ スケー ラ は 8 個のマ ス タ ・ モー ド 周波
数を提供 し 、 フ レームは 8bit も し く は 16bit で構成する こ と がで き ます。 また、 ハー ド
ウ ェ ア CRC 生成 / 検証機能は基本的な SD カ ー ド /MMC モー ド をサポー ト し ています。
両方の SPI は DMA コ ン ト ロー ラ で動作 さ せる こ と がで き ます。
CAN (Controller area network)
CAN は、 ビ ッ ト レ ー ト が最大 1 Mbit/s の仕様書 2.0A と B ( ア ク テ ィ ブ ) に準拠 し てい
ます。 11bit の ID を持つ標準 フ レ ーム と 29bit の ID を持つ拡張 フ レ ームで送受信する こ と
がで き ます。 3 つのス テージ と 14 のスケー ラ ブル ・ フ ィ ル タ ・ バン ク を持 っ た 2 つの受信
FIFO を搭載 し ています。
USB (Universal serial bus)
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンは、 USB フ ルス ピー ド 12 Mbs に互換の USB デバイ
ス ・ ペ リ フ ェ ラ ルを内蔵 し ています。 USB イ ン タ フ ェ ースは、 Full Speed(12 Mbit/s) の
フ ァ ン ク シ ョ ン ・ イ ン タ フ ェ ースが実装 さ れ、 ソ フ ト ウ ェ ア で構成がで き る エ ン ド ポ イ ン
ト 設定やサスペ ン ド / レ ジ ュ ームがサポー ト さ れています。 また、 理想的な 48 MHz ク ロ ッ
ク ・ ソ ースが内部 メ イ ン PLL よ り 生成 さ れています。 （ ク ロ ッ ク ・ ソ ースは HSE 水晶発振
子を使用 し なければな り ません。）
GPIO (general-purpose inputs/outputs)
それぞれの GPIO ピ ンは、 出力 （プ ッ シ ュ プル も し く はオープ ン ・ ド レ イ ン）、 入力 （プル
ア ッ プ も し く はプルダウ ン あ り 、 無 し ）、 も し く はペ リ フ ェ ラル ・ オル タ ネー ト 機能 と し
て、 ソ フ ト ウ ェ アに よ り 構成する こ と がで き ます。 ほ と んどの GPIO ピ ンはデジ タ ル と ア
ナ ロ グのオル タ ネー ト 機能を共有 し ます。 すべての GPIO はアナ ロ グ入力以外については
大電流対応にな り ます。
I/O オル タ ネー ト 機能の構成は、 I/O レ ジ ス タ への不正な書き込みを避ける ために、 特定
シーケ ン ス を実行後に必要に応 じ て ロ ッ ク する こ と がで き ます。
最大 18 MHz の ト グル速度で APB2 上の I/O にな り ます。
ADC ( アナ ログ－デジ タ ル ・ コ ンバー タ )
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンのデバイ スに内蔵 さ れている 2 個の 12bit ADC （ア
ナ ロ グ ‐ デジ タ ル ・ コ ンバー タ ） は、 それぞれの ADC に最大 16 外部チ ャ ネルを持ち、 シ
ン グル ・ シ ョ ッ ト も し く はスキ ャ ン ・ モー ド で変換を実行 し ます。 スキ ャ ン ・ モー ド の自
動変換はアナ ロ グ入力が選択 さ れたグループ上で実行 さ れます。
ADC イ ン タ フ ェ ースには以下のロ ジ ッ ク機能が内蔵 さ れています。 ：
●
同時サン プル＆ホール ド
●
不連続サン プル＆ホール ド
●
シ ン グル ・ シ ャ ン ト
ADC は、 DMA コ ン ト ロー ラ に よ り 動作 さ せる こ と がで き ます。
アナ ロ グ ・ ウオ ッ チ ド ッ グ機能は、 1 チ ャ ネル、 複数チ ャ ネル、 すべてのチ ャ ネルの選択
さ れたチ ャ ネルの変換電圧を正確に監視 し ます。 割込みは、 変換電圧がプ ロ グ ラ ム さ れた
ス レ シ ョ ル ド 外の場合に生成 さ れます。
Rev8- 日本語版
15/84
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
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製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
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参考資料
詳細
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
標準 タ イ マ (TIMx) と 高機能制御 タ イ マ (TIM1) に よ り 生成 さ れた イ ベン ト は、 それぞれ、
ADC ス タ ー ト ・ ト リ ガ、 供給 ト リ ガ、 DMA ト リ ガに内部的に接続する こ と がで き、 ア プ
リ ケーシ ョ ンが A/D 変換 と タ イ マに同期する こ と を許可 し ます。
温度セ ンサ
温度セ ンサは、 温度の変化に対応 し て リ ニ ア な電圧を生成 し ます。 その変換範囲は 2 V <
VDDA < 3.6 V 間にな り ます。 温度セ ンサは、 セ ンサ出力電圧をデジ タ ル値へ変換する ため
に使われる ADC_IN16 入力チ ャ ネルへ内部的に接続 さ れています。
シ リ アル ・ ワ イヤ JTAG デバ ッ グ ・ ポー ト （SWJ-DP: Serial WireJTAG Debug Port）
ARM SWJ-DP イ ン タ フ ェ ースが内蔵 さ れてお り 、 シ リ アル ・ ワ イ ヤ ・ デバ ッ グ も し く は
JTAG プ ローブのど ち らかを タ ーゲ ッ ト に接続する こ と を可能にする JTAG と シ リ アル ・
ワ イ ヤ ・ デバ ッ グ ・ ポー ト の組み合わせにな り ます。 JTAG TMS と TCK ピ ンはそれぞれ
SWDIO と SWCLK と 共有 さ れ、 TMS ピ ンの特定のシーケ ン スは JTAG-DP と SW-DP の間で
ス イ ッ チ し て使われます。
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Rev8- 日本語版
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン ブ ロ ッ ク 図
トレース/トリガ
Ibus
Cortex-M3 CPU
F max : 7 2 M H z
NVIC
トレース
インタフェース
pbus
obl
TPIU
SW / JTAG
flash
JNRST
JTDI
JTCK/SWCLK
JTMS/SWDIO
JTDO
(AF)
Dbus
System
電源監視
NRST
VDDA
VSSA
リセット
PVD
割込み
AHB2
APB2
PCLK1
PCLK2
HC LK
FC LK
@ VDD
PLL &
CLOCK
MANAGT
PB[ 15:0]
GPIOB
PC[ 15:0]
GPIOC
PD[15:0]
GPIOD
PE [15:0]
GPIOE
4チャネル
3 co mpl. チャネル
Brk入力
TIM1
MOSI,MIS O,
SCK ,NS（AF）
S
SPI 1
XTAL OSC
4-16 MHz
OSC _ IN
OSC _ OUT
RC 8 MHz
IWDG
RC 40 kHz
Stand by
インタフェース
@ VDDA
V BAT
@ VBAT
XT AL 32 kHz
AHB2
APB1
RTC バックアップ
AWU レジスタ
OS C 32_IN
OS C32_OUT
TAMPER - RTC
バックアップインタフェース
AP B1 : F max=24 / 36 MHz
GPIOA
V DD = 2 ∼ 3.6V
V SS
@ VDD
64 bit
EXTI
WAKEUP
PA[ 15:0]
RX ,TX, CT S , R TS,
Smart C ard(AF)
Flash12 8 KB
AP B 2 : F max=48 / 72 MHz
80AF
POR / PDR
AHB:F max =48/72 MHz
@ VDDA
電源
電圧レギュレータ
3.3V∼ 1. 8V
SRAM
20 KB
GP DMA
7チャネル
インタフェース
TRACECLK
TRACED[0:3]
(AS)
BusMatrix
図 1.
詳細
USART1
TIM2
4 チャネル
TIM3
4チャネル
TIM 4
4 チャネル
USART2
RX, TX, CTS , RT S,
CK, S mart Card (AF)
USART3
RX ,TX , CT S , R TS,
CK, S mart Card (AF)
SPI2
MOS I,MIS O,S C K ,NS S
(AF)
I2C1
S CL,SDA ,SMBA L
(AF)
I2C2
SCL ,SDA
(AF)
2x(8x16bit)
bxCAN
@ VDDA
USBDP /CANTX
USBDM / CANRX
USB2 .0F S
16AF
V RE F+
12bit ADC 1 IF
V RE F-
12bit ADC 2 IF
SRAM 512B
WWDG
温度センサ
ai14390b
1. TA = -40 ℃ ～ +105 ℃ ( 最大 +125 ℃のジ ャ ン ク シ ョ ン温度）
2. AF = I/O ポー ト ピ ン上のオル タ ネー ト 機能
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参考資料
詳細
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 2.
ク ロ ッ ク構成図
8 MHz
HSI RC
HSI
48 MHz
USBCLK
からのUS Bインタフェース
72 MHz max
HCLK から
AHBバス、
コアメモリ
およびメモリへ
USB
プリスケーラ
/1, 1.5
/2
PLLSRC PLLMUL
HSI
..., x16
x2, x3, x 4
PLL
AHB
プリスケーラ
72 MH z
/1, 2..512
max
SYSLK
PLL CL K
クロック
イネーブル(3 bits)
/8
SW
APB 1
プリスケーラ
/1, 2, 4, 8, 16
Cortexシステムタイマへ
FCL K Cortex
フリーラン・クロック
36 MHz max
PCLK 1
APB 1
ペリフェラルへ
ペリフェラル・クロック
イネーブル（13bits）
HSE
TIM 2, 3, 4
else
APB 2
プリスケーラ
/1, 2, 4, 8, 16
PLLXTPRE
OSC _OUT
OS C _IN
4-16 MHz
HSEOSC
TIM2, 3,4
If (APB 1プリスケーラ =1) x1
CSS
x2
TIMXCLK
ペリフェラル・クロック
イネーブル（3bits）
72 MHz max
ペリフェラル・クロック
イネーブル（13bits）
/2
PCLK 2
APB 2
ペリフェラルへ
TIM1 タイマ
T IM1へ
If (APB 2 プリスケーラ =1) x1
TIM1CLK
else
x2
ペリフェラル・クロック
/128
OSC32_ IN
OSC32_OUT
LSE OSC
32.768 kHz
RTC へ
LSE
RTC CL K
ADC
プリスケーラ
/2, 4, 6, 8
イネーブル
（1 bit)
ADCへ
ADC CLK
RTC S E L[1:0]
LSI RC
40 kHz
独立型ウォッチドック
（IWDG ）
へ
LSI
IWDG CLK
メイン
クロック出力
/2
MCO
PLLCLK
HSI
凡例:
HSE = high-speed external clock signal 高速外部クロック信号
HSI = high-speed internal clock signal 高速内部クロック信号
LSI = low-speed internal clock signal 低速内部クロック信号
LSE = low-speed external clock signal 低速外部クロック信号
HSE
S YSCL K
MCO
ai14903
1. PLL クロック入力として HSI を使用する場合、 最大システム ・ クロック周波数を 64 MHz に出来ます。
2. USB 機能を使用するには、 48 MHz も し く は 72 MHz で CPU を動作 さ せながら HSE と PLL を イ
ネーブルにする必要があ り ます。
3. 1μs の ADC 変換時間のためには、 APB2 を 14MHz、 28MHz、 56MHz にする必要があ り ます。
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Rev8- 日本語版
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
3
ピ ンの詳細
ピ ンの詳細
図 3.
STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン BGA100 ボール配置
1
A
2
PC14PC13OSC32_IN TAMPER-RTC
3
4
5
6
7
8
9
10
PE2
PB9
PB7
PB4
PB3
PA15
PA14
PA13
B
PC15OSC32_OUT
VBAT
PE3
PB8
PB6
PD5
PD2
PC11
PC10
PA12
C
OSC_IN
VSS_5
PE4
PE1
PB5
PD6
PD3
PC12
PA9
PA11
D
OSC_OUT
VDD_5
PE5
PE0
BOOT0
PD7
PD4
PD0
PA8
PA10
E
NRST
PCD
PE6
VSS_4
VSS_3
VSS_2
VSS_1
PD1
PC9
PC7
F
PC0
PC1
PC3
VDD_4
VDD_3
VDD_2
VDD_1
NC
PC8
PC6
G
VSSA
PA0-WKUP
PA4
PC4
PB2
PE10
PE14
PB15
PD11
PD15
H
VREF–
PA1
PA5
PC5
PE7
PE11
PE15
PB14
PD10
PD14
J
VREF+
PA2
PA6
PB0
PE8
PE12
PB10
PB13
PD9
PD13
K
VDDA
PA3
PA7
PB1
PE9
PE13
PB11
PB12
PD8
PD12
AI16001b
Rev8- 日本語版
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参考資料
ピ ンの詳細
STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP100 ピ ン配置
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
VDD_3
VSS_3
PE1
PE0
PB9
PB8
BOOT0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PD7
PD6
PD5
PD4
PD3
PD2
PD1
PD0
PC12
PC11
PC10
PA15
PA14
図 4.
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
LQFP100
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
VDD_2
VSS_2
NC
PA 13
PA 12
PA 11
PA 10
PA 9
PA 8
PC9
PC8
PC7
PC6
PD15
PD14
PD13
PD12
PD11
PD10
PD9
PD8
PB15
PB14
PB13
PB12
PA3
VSS_4
VDD_4
PA4
PA5
PA6
PA7
PC4
PC5
PB0
PB1
PB2
PE7
PE8
PE9
PE10
PE11
PE12
PE13
PE14
PE15
PB10
PB11
VSS_1
VDD_1
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
PE2
PE3
PE4
PE5
PE6
VBAT
PC13-TAMPER-RTC
PC14-OSC32_IN
PC15-OSC32_OUT
VSS_5
VDD_5
OSC_IN
OSC_OUT
NRST
PC0
PC1
PC2
PC3
VSSA
VREFVREF+
VDDA
PA0-WKUP
PA1
PA2
ai14391
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP64 ピ ン配置
VDD_3
VSS_3
PB9
PB8
BOOT0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PD2
PC12
PC11
PC10
PA15
PA14
図 5.
ピ ンの詳細
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
48
1
47
2
46
3
45
4
44
5
43
6
42
7
41
8
LQFP64
40
9
39
10
38
11
37
12
36
13
35
14
34
15
33
16
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
VDD_2
VSS_2
PA13
PA12
PA11
PA10
PA9
PA8
PC9
PC8
PC7
PC6
PB15
PB14
PB13
PB12
PA3
VSS_4
VDD_4
PA4
PA5
PA6
PA7
PC4
PC5
PB0
PB1
PB2
PB10
PB11
VSS_1
VDD_1
VBAT
PC13-TAMPER-RTC
PC14-OSC32_IN
PC15-OSC32_OUT
PD0 OSC_IN
PD1 OSC_OUT
NRST
PC0
PC1
PC2
PC3
VSSA
VDDA
PA0-WKUP
PA1
PA2
ai14392
STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン LQFP48 ピ ン配置
VDD_3
VSS_3
PB9
PB8
BOOT0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PA15
PA14
図 6.
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
36
1
2
35
3
34
33
4
32
5
31
6
LQFP48
30
7
29
8
28
9
27
10
26
11
25
12
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
VDD_2
VSS_2
PA13
PA12
PA11
PA10
PA9
PA8
PB15
PB14
PB13
PB12
PA3
PA4
PA5
PA6
PA7
PB0
PB1
PB2
PB10
PB11
VSS_1
VDD_1
VBAT
PC13-TAMPER-RTC
PC14-OSC32_IN
PC15-OSC32_OUT
PD0-OSC_IN
PD1-OSC_OUT
NRST
VSSA
VDDA
PA0-WKUP
PA1
PA2
ai14393b
Rev8- 日本語版
21/84
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
ピ ンの詳細
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PA15
PA14
36
BOOT0
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン VFQFPN36 ピ ン配置
VSS_3
35
34
33
32
31
30
29
28
VDD_3
1
27
VDD_2
OSC_IN/PD0
2
26
VSS_2
OSC_OUT/PD1
3
25
PA13
NRST
4
24
PA12
23
PA11
VSSA
5
VDDA
6
22
PA10
PA0-WKUP
7
21
PA9
PA1
8
20
PA8
PA2
9
10
11
12
13
14
15
PA3
PA4
PA5
PA6
PA7
PB0
QFN36
19
18
VDD_1
VSS_1
17
PB2
16
PB1
図 7.
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
ai14654
22/84
Rev8- 日本語版
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正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 4.
ピ ンの詳細
ピ ンの定義
ピン
I/O
レ
イ
べ
プ
ル
(1)
オル タ ネー ト 機能
タ
BGA100
LQFP48
LQFP64
LQFP100
VFQFPN36
主機能(3)
A3
-
-
1
-
PE2
I/O FT
PE2
TRACECK
B3
-
-
2
-
PE3
I/O FT
PE3
TRACED0
C3
-
-
3
-
PE4
I/O FT
PE4
TRACED1
D3
-
-
4
-
PE5
I/O FT
PE5
TRACED2
E3
-
-
5
-
PE6
I/O FT
PE6
TRACED3
B2
1
1
6
-
VBAT
S
VBAT
A2
2
2
7
-
PC13-TAMPERRTC(4)
I/O
PC13(5)
TAMPER-RTC
A1
3
3
8
-
PC14-OSC32_IN(4)
I/O
PC14(5)
OSC32_IN
B1
4
4
9
-
PC15-OSC32_OUT(4) I/O
PC15(5)
OSC32_OUT
C2
-
-
10
-
VSS_5
S
VSS_5
D2
-
-
11
-
VDD_5
S
VDD_5
C1
5
5
12
2
OSC_IN
I
OSC_IN
D1
6
6
13
3
OSC_OUT
O
OSC_OUT
E1
7
7
14
4
NRST
I/O
NRST
F1
-
8
15
-
PC0
I/O
PC0
ADC12_IN10
F2
-
9
16
-
PC1
I/O
PC1
ADC12_IN11
E2
-
10
17
-
PC2
I/O
PC2
ADC12_IN12
F3
-
11
18
-
PC3
I/O
PC3
ADC12_IN13
G1
8
12
19
5
VSSA
S
VSSA
H1
-
-
20
-
VREF-
S
VREF-
J1
-
-
21
-
VREF+
S
VREF+
K1
9
13
22
6
VDDA
S
VDDA
G2
H2
J2
10
11
12
14
15
16
23
24
25
7
8
9
ピ ン名
（ リ セ ッ ト 後）
デ フ ォル ト
(2)
PA0-WKUP
PA1
PA2
I/O
I/O
I/O
PA0
WKUP/USART2_CT
S(6)/
ADC12_IN0/
TIM2_CH1_ETR(6)
PA1
USART2_RTS(6)/
ADC12_IN1/
TIM2_CH2(6)
PA2
USART2_TX(6)/
ADC12_IN2/
TIM2_CH3(6)
Rev8- 日本語版
リマップ
( 再配置）
23/84
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参考資料
ピ ンの詳細
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 4.
ピ ンの定義
（続き）
ピン
I/O
レ
イ
べ
プ
ル
(1)
オル タ ネー ト 機能
タ
BGA100
LQFP48
LQFP64
LQFP100
VFQFPN36
主機能(3)
K2
13
17
26
10
PA3
I/O
PA3
E4
-
18
27
-
VSS_4
S
VSS_4
F4
-
19
28
-
VDD_4
S
VDD_4
ピ ン名
（ リ セ ッ ト 後）
デ フ ォル ト
(2)
リマップ
( 再配置）
USART2_RX(6)/
ADC12_IN3/
TIM2_CH4(6)
G3
14
20
29
11
PA4
I/O
PA4
SPI1_NSS(6)/
USART2_CK(6)/
ADC12_IN4
H3
15
21
30
12
PA5
I/O
PA5
SPI1_SCK(6)/
ADC12_IN5
J3
16
22
31
13
PA6
I/O
PA6
SPI1_MISO(6)/
ADC12_IN6/
TIM3_CH1(6)
TIM1_BKIN
TIM1_CH1N
PA7
I/O
PA7
SPI1_MOSI(6)/
ADC12_IN7/
TIM3_CH2(6)
33
PC4
I/O
PC4
ADC12_IN14
25
34
PC5
I/O
PC5
ADC12_IN15
18
26
35
15
PB0
I/O
PB0
ADC12_IN8/
TIM3_CH3(6)
TIM1_CH2N
K4
19
27
36
16
PB1
I/O
PB1
ADC12_IN9/
TIM3_CH4(6)
TIM1_CH3N
G5
20
28
37
17
PB2 / BOOT1
I/O FT
PB2/BOOT1
H5
-
-
38
-
PE7
I/O FT
PE7
TIM1_ETR
J5
-
-
39
-
PE8
I/O FT
PE8
TIM1_CH1N
K5
-
-
40
-
PE9
I/O FT
PE9
TIM1_CH1
G6
-
-
41
-
PE10
I/O FT
PE10
TIM1_CH2N
H6
-
-
42
-
PE11
I/O FT
PE11
TIM1_CH2
J6
-
-
43
-
PE12
I/O FT
PE12
TIM1_CH3N
K6
-
-
44
-
PE13
I/O FT
PE13
TIM1_CH3
G7
-
-
45
-
PE14
I/O FT
PE14
TIM1_CH4
H7
-
-
46
-
PE15
I/O FT
PE15
TIM1_BKIN
J7
21
29
47
-
PB10
I/O FT
PB10
I2C2_SCL/
USART3_TX(6) (6)
TIM2_CH3
K7
22
30
48
-
PB11
I/O FT
PB11
I2C2_SDA/
USART3_RX(6)(6)
TIM2_CH4
K3
17
23
32
G4
-
24
H4
-
J4
24/84
14
Rev8- 日本語版
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 4.
ピ ンの定義
ピ ンの詳細
（続き）
ピン
I/O
レ
イ
べ
プ
ル
(1)
オル タ ネー ト 機能
タ
BGA100
LQFP48
LQFP64
LQFP100
VFQFPN36
主機能(3)
E7
23
31
49
18
VSS_1
S
VSS_1
F7
24
32
50
19
VDD_1
S
VDD_1
ピ ン名
（ リ セ ッ ト 後）
デ フ ォル ト
(2)
K8
25
33
51
-
PB12
I/O FT
PB12
SPI2_NSS(6)/
I2C2_SMBAl(6)/
USART3_CK(6)(6)/
TIM1_BKIN(6)
J8
26
34
52
-
PB13
I/O FT
PB13
SPI2_SCK(6)/
USART3_CTS(6)(6)TI
M1_CH1N (6)
リマップ
( 再配置）
H8
27
35
53
-
PB14
I/O FT
PB14
SPI2_MISO(6)/
USART3_RTS(6)(6)
TIM1_CH2N (6)
G8
28
36
54
-
PB15
I/O FT
PB15
SPI2_MOSI(6)/
TIM1_CH3N(6)
K9
-
-
55
-
PD8
I/O FT
PD8
USART3_TX
J9
-
-
56
-
PD9
I/O FT
PD9
USART3_RX
H9
-
-
57
-
PD10
I/O FT
PD10
USART3_CK
G9
-
-
58
-
PD11
I/O FT
PD11
USART3_CTS
K10
-
-
59
-
PD12
I/O FT
PD12
TIM4_CH1 /
USART3_RTS
J10
-
-
60
-
PD13
I/O FT
PD13
TIM4_CH2
H10
-
-
61
-
PD14
I/O FT
PD14
TIM4_CH3
G10
-
-
62
-
PD15
I/O FT
PD15
TIM4_CH4
F10
-
37
63
-
PC6
I/O FT
PC6
TIM3_CH1
E10
38
64
-
PC7
I/O FT
PC7
TIM3_CH2
F9
39
65
-
PC8
I/O FT
PC8
TIM3_CH3
TIM3_CH4
E9
-
40
66
-
PC9
I/O FT
PC9
D9
29
41
67
20
PA8
I/O FT
PA8
USART1_CK/
TIM1_CH1(6)/MCO
C9
30
42
68
21
PA9
I/O FT
PA9
USART1_TX(6)/
TIM1_CH2(6)
D10
31
43
69
22
PA10
I/O FT
PA10
USART1_RX(6)/
TIM1_CH3(6)
PA11
USART1_CTS/
CANRX(7) /
TIM1_CH4(6) /
USBDM
C10
32
44
70
23
PA11
I/O FT
Rev8- 日本語版
25/84
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
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製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
ピ ンの詳細
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 4.
ピ ンの定義
（続き）
I/O
レ
イ
べ
プ
ル
(1)
オル タ ネー ト 機能
VFQFPN36
タ
LQFP100
LQFP64
LQFP48
BGA100
ピン
ピ ン名
主機能(3)
（ リ セ ッ ト 後）
デ フ ォル ト
(2)
リマップ
( 再配置）
B10
33
45
71
24
PA12
I/O FT
PA12
USART1_RTS/
CANTX(6) /
TIM1_ETR(6) /
USBDP
A10
34
46
72
25
PA13/JTMS/SWDIO
I/O FT
JTMS/SWDIO
PA13
F8
-
-
73
-
E6
35
47
74
26
VSS_2
S
VSS_2
F6
36
48
75
27
VDD_2
S
VDD_2
A9
37
49
76
28
PA14/JTCK/SWCLK
I/O FT
JTCK/SWCLK
PA14
A8
38
50
77
29
PA15/JTDI
I/O FT
JTDI
PA15
B9
-
51
78
PC10
I/O FT
PC10
USART3_TX
B8
-
52
79
PC11
I/O FT
PC11
USART3_RX
C8
-
53
80
PC12
I/O FT
PC12
USART3_CK
I/O FT
OSC_IN(8)
CANRX
CANTX
D8
E8
5
6
B7
5
81
2
未接続
PD0
6
82
3
PD1
I/O FT
OSC_OUT(8)
54
83
-
PD2
I/O FT
PD2
TIM2_CH1_ETR/
SPI1_NSS
TIM3_ETR
C7
-
-
84
-
PD3
I/O FT
PD3
USART2_CTS
D7
-
-
85
-
PD4
I/O FT
PD4
USART2_RTS
B6
-
-
86
-
PD5
I/O FT
PD5
USART2_TX
C6
-
-
87
-
PD6
I/O FT
PD6
USART2_RX
D6
-
-
88
-
PD7
I/O FT
PD7
USART2_CK
A7
39
55
89
30
PB3/JTDO
I/O FT
JTDO
PB3/TRACESWO
TIM2_CH2 /
SPI1_SCK
A6
40
56
90
31
PB4/JNTRST
I/O FT
JNTRST
PB4
TIM3_CH1 /
SPI1_MISO
C5
41
57
91
32
PB5
I/O
PB5
I2C1_SMBAl
TIM3_CH2 /
SPI1_MOSI
B5
42
58
92
33
PB6
I/O FT
PB6
I2C1_SCL(6)/
TIM4_CH1(6)(6)
USART1_TX
A5
43
59
93
34
PB7
I/O FT
PB7
I2C1_SDA(6)/
TIM4_CH2(6) (6)
USART1_RX
D5
44
60
94
35
BOOT0
B4
45
61
95
-
PB8
PB8
TIM4_CH3(6) (6)
I2C1_SCL / CANRX
PB9
TIM4_CH4(6) (6)
I2C1_SDA / CANTX
A4
26/84
46
62
96
-
PB9
I
I/O FT
I/O FT
BOOT0
Rev8- 日本語版
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 4.
ピ ンの定義
ピ ンの詳細
（続き）
ピン
I/O
レ
イ
べ
プ
ル
(1)
オル タ ネー ト 機能
タ
BGA100
LQFP48
LQFP64
LQFP100
VFQFPN36
主機能(3)
D4
-
-
97
-
PE0
I/O FT
PE0
C4
-
-
98
-
PE1
I/O FT
PE1
E5
47
63
99
36
VSS_3
S
VSS_3
F5
48
64
100
1
VDD_3
S
VDD_3
ピ ン名
（ リ セ ッ ト 後）
デ フ ォル ト
(2)
リマップ
( 再配置）
TIM4_ETR(6)
1. I =input( 入力 )、 O = output （出力）、 S = supply （供給）、 HiZ= high impedance （ハイ ・ イ ン ピーダ ン ス）
2. FT= 5 V 耐性
3. 利用で き る機能は選択 さ れたデバイ スによ り 異な り ます。 ペ リ フ ェ ラル数が少ないデバイ スについては、 少な
い数字のペ リ フ ェ ラルから順に構成 さ れます。 デバイ スが 1 つの SPI と 2 つの USART を持っ ている場合、 それ
ぞれ SPI1、 USART1、 USART2 と 呼びます。 表 2 （8 ページ） を参照 し て く だ さ い。
4. PC13、 PC14 と PC15 は電源ス イ ッ チによ っ て供給 さ れますが出力モー ド での使用は制限 さ れます。 30pF の最
大負荷で出力 2MHz モー ド のみ使用する こ と がで き、 1 本のピ ンのみ同時に出力モー ド に設定する こ と がで き
ます。
5. 最初のバ ッ ク ア ッ プ ・ ド メ イ ンのパワーア ッ プ後の主な機能。 リ セ ッ ト ( レ ジス タ が メ イ ン リ セ ッ ト によ っ て
リ セ ッ ト さ れないので） の後で もバ ッ ク ア ッ プ ・ レ ジ ス タ の内容に依存 し ます。 これらの I/O を管理する方法
に関する詳細については、 ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク スのウ ェ ブサイ ト ： www.st.com から 入手可能な
STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルのバ ッ テ リ ・ バ ッ ク ア ッ プ ・ ド メ イ ン及び BKP レ ジ ス タ のセ ク シ ョ ン
を参照 し て く だ さ い。
6. Flash メ モ リ 容量が 64Kbyte 以上のデバイ スのみ対応 し ています。
7. こ のオル タ ネー ト 機能はい く つかのポー ト ピ ンに対 し て ソ フ ト ウ ェ アによ り 再配置する こ と がで き ます。 （使用
するパ ッ ケージが こ の機能に対応可能な場合） さ ら に詳細な情報に関 し ては ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク スの
のウ ェ ブサイ ト www.st.com から STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルを ダウン ロー ド し てオル タ ネー ト
I/O 機能 と デバ ッ グ構成についてのセ ク シ ョ ン を参照 し て く だ さ い。
8.
VFQFPN36 パ ッ ケージの 2 番 と 3 番ピ ン及び LQFP48 と LQFP64 パ ッ ケージの 5 番 と 6 番ピ ンは リ セ ッ ト 後に
OSC_IN/OSC_OUT と し て構成 さ れますが、 PD0 と PD1 の機能はこ れら のピ ン上で ソ フ ト ウ ェ アによ り 再配置す
る こ と がで き ます。 LQFP100 パ ッ ケージについては、 PD0 と PD1 はデ フ ォル ト で利用で き る ため再配置する必
要があ り ません。 こ の詳細につ き ま し ては、 STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルのオル タ ネー ト 機能 I/O
と デ ッ バグ構成のセ ク シ ョ ン を参照 し て く だ さ い。
出力モー ド の PD0 と PD1 の使用は、 出力モー ド の 50MHz で使用で き る よ う に制限 さ れています。
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
メ モ リ ・ マ ッ ピ ング
4
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
メ モ リ ・ マ ッ ピ ング
図 8 に メ モ リ ・ マ ッ プ図を示 し ます。
図 8.
メモリ ・ マップ
APB メモリ空間
0xFF FF FFF F
予約済み
0xE0 10 000 0
0x FFF F F FFF
予約済み
0x60 00 000 0
予約済み
0x40 02 340 0
7
0xE0 10 0 000
0xE00 0 0 000
0x40 02 300 0
CRC
予約済み
0x40 02 240 0
C ortex-M3 内部
ペリフェラル
Flas hインタフェース
0x40 02 200 0
0x40 02 140 0
0x40 02 100 0
予約済み
RC C
予約済み
6
0x40 02 040 0
DMA
0x40 02 000 0
予約済み
0xC 000 000 0
0x40 01 3C0 0
0x40 01 380 0
0x40 01 340 0
5
0x40 01 300 0
0x40 01 2C0 0
0xA000 000 0
USART 1
予約済み
SPI1
TIM1
ADC2
0x40 01 280 0
ADC1
0x40 01 240 0
4
0x40 01 1C0 0
0x1 FFF FFF F
予約済み
0x1 FFF F80 F
0x80 00 000 0
ポートE
0x40 01 180 0
ポートD
オプションバイト
0x1 FFF F80 0
0x40 01 140 0
ポートC
0x40 01 100 0
0x40 01 0C0 0
3
予約済み
システムメモリ
0x40 01 080 0
ポートB
ポートA
EXTI
0x40 01 040 0
0x1 FFF F00 0
0x6 000 000 0
0x40 01 000 0
AF IO
予約済み
0x40 00 740 0
0x40 00 700 0
2
PWR
BKP
0x40 00 6C0 0
予約済み
0x40 00 000 0
ペリフェラル
予約済み
0x40 00 680 0
0x40 00 640 0
0x40 00 600 0
bxCAN
共有 512 byte
USB/CAN SRAM
USB レジスタ
0x40 00 5C0 0
1
I2C 2
0x40 00 580 0
I2C 1
0x200 0 0 000
0x40 00 540 0
SRAM
0x40 00 4C0 0
0x0 801 FFF F
予約済み
USART 3
0x40 00 480 0
USART 2
0
Flash メモリ
0x40 00 440 0
0x40 00 3C0 0
予約済み
SPI2
0x0 800 000 0
0x0 000 000 0
0x0000 0000
0x40 00 380 0
ブートピンによるFlash、シス
テム・メモリまたはSRAMへの
エイリアス
予約済み
0x40 00 340 0
IWDG
0x40 00 300 0
WWDG
0x40 00 2C0 0
RT C
0x40 00 280 0
予約済み
0x40 00 0C0 0
予約済み
TIM4
0x40 00 080 0
0x40 00 040 0
0x40 00 000 0
TIM3
TIM2
ai14394e
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
5
電気的特性
5.1
テ ス ト 条件
電気的特性
特に明記 し ない限 り 、 すべての電圧は VSS を参照 し ます。
5.1.1
最小値 と 最大値
特に明記 し ない限 り 、 最小値 と 最大値は、 周囲温度が TA = 25 ℃ と TA = TA 最大値 （選択 さ
れた温度範囲に よ る） において 100% のデバイ スが生産時のテ ス ト で周囲温度、 供給電圧、
周波数が最も 厳 し い条件で保証 さ れます。
デー タ は特性結果を基本に し てお り 、 設計シ ミ ュ レ ーシ ョ ン及び / も し く は技術特性は表
の注釈に示 さ れています。 また、 こ れは生産時にはテ ス ト さ れません。 特性を基づいて、
最小値 と 最大値はサン プルテ ス ト の結果を参照 し ています。 また、 値は標準偏差 （平均±
3Σ) のプ ラ ス も し く はマ イ ナスの 3 倍の平均値を表 し ています。
5.1.2
標準値
特に明記 し ない限 り 、 標準デー タ は TA = 25 ℃、 VDD = 3.3 V (2V ≦ VDD ≦ 3.6V の電圧範囲 )
を基本に し ています。 こ れ らは、 設計ガ イ ド ラ イ ン と し て提供 さ れているのみで、 テ ス ト
は行 っ てお り ません。
標準的な ADC 精度値は、 全温度範囲の標準偏差か らのサン プルバ ッ チの特性に よ り 決め
られます。 こ れに よ り 、 デバイ スの 95% が示 さ れた値 （± 2Σ) 以下のエ ラ ーで済みます。
5.1.3
標準カ ーブ
特に明記がない限 り 、 すべての標準カ ーブは設計ガ イ ド ラ イ ン と し て提供 さ れているのみ
で、 テ ス ト は行 っ てお り ません。
5.1.4
負荷容量
負荷条件は、 図 9 に示 さ れる よ う に、 ピ ンのパ ラ メ ー タ 測定に使われます。
5.1.5
ピ ン入力電圧
デバイ ス上のピ ン入力電圧測定は、 図 10 に説明 さ れています。
図 9.
ピ ン負荷条件
図 10.
ピ ン入力電圧
STM32F103xx ピン
C = 50 pF
STM32F103xx ピン
VIN
ai14141
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ai14142
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参考資料
電気的特性
5.1.6
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
電源供給図
図 11.
電源供給図
VBAT
バックアップ回路
(OSC32K,RTC,
ウェークアップ・ロジック
バックアップ・レジスタ）
OUT
GP I/Os
IN
レベルシフタ
電源スイッチ
1.8-3.6V
IO
ロジック
カーネル・ロジック
(CPU,
デジタル＆
メモリ)
VDD
VDD
1/2/3/4/5
5 × 100 nF
+ 1 × 4.7 µF
VDD
1/2/3/4/5
VDDA
VREF
10 nF
+ 1 µF
レギュレータ
VSS
10 nF
+ 1 µF
VREF+
ADC
VREF-
アナログ:
RCs, PLL,
...
VSSA
ai14125d
警告 :
図 11 において、 4.7 μF の コ ンデンサを VDD3 に接続 し なければな り ません。
5.1.7
消費電流測定
図 12.
消費電流測定図
IDD_VBAT
VBAT
IDD
VDD
VDDA
ai14126
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
5.2
電気的特性
絶対最大定格
表 5: 電圧特性、 表 6: 電流特性、 表 7: 熱特性 に示 さ れている絶対最大定格以上のス ト レ ス
は、 デバイ スへ対 し て正常に復帰する こ と がで き ない損害を引き起 こ す こ と があ り ます。
こ れ ら はス ト レ スの定格だけで、 こ の条件でのデバイ スが動作する ための機能については
示 し ていません。 長期間、 最大定格の状態にデバイ ス を お く と 、 信頼性に影響が出る場合
があ り ます。
表 5.
電圧特性
記号
定格
VDD – VSS
最小値
最大値
-0.3
4.0
VSS -0.3
+5.5
VSS -0.3
VDD+0.3
異な る電源ピ ン間の差
50
50
すべての異な る GND ピ ン間の差
50
50
外部供給電圧 (VDDA と VDD 含む）
(1)
5V 耐性ピ ンの入力電圧(2)
VIN
その他の耐性ピ ンの入力電圧
|DVDDx|
|VSSX - VSS|
VESD(HBM)
(2)
静電放電耐圧 （ ヒ ュ ーマ ン ・ ボデ ィ ・ モデル）
単位
V
mV
セ ク シ ョ ン 5.3.11: 絶対最大
定格 ( 電磁感度） を参照
1. すべての電源 (VDD、 VDDA) と GND(VSS、 VSSA) のピ ンは許可 さ れた範囲内で外部電源供給に接続
し なければな り ません。
2. IINJ(PIN) は定格を超えることはできません ( 表 6: 電流特性を参照 )。 VIN が最大値にある場合は問題は
ありませんが、 VIN の最大値を超える場合は、 供給電流は IINJ(PIN) 値を限界にする必要があります。
流入電流が VIN<VSS により誘導されている間は、 流出電流が VIN>VDD により誘導されます。
表 6.
電流特性
記号
IVDD
IVSS
IIO
IINJ(PIN) (2)(3)
定格
VDD 電源ラ イ ン全電流 ( ソ ース）(1)
Vss グ ラ ン ド ラ イ ン全電流 （シ ン ク ）
単位
150
(1)
150
I/O と 制御ピ ン によ る出力シ ン ク電流
25
I/O と 制御ピ ン によ る出力ソ ース電流
-25
NRST ピ ン注入電流
±5
高速外部 OSC_IN ピ ン、 低速外部 LSE OSC_IN ピ ン注入電流
その他のピ ンの注入電流
SIINJ(PIN)(2)
最大値
(4)
全注入電流 （I/O ピ ン と 制御ピ ンの合計） (4)
mA
±5
±5
± 25
1. すべての電源 (VDD、 VDDA) と グ ラ ン ド (VSS、 VSSA) のピ ンは許可 さ れた範囲内で外部電源供給に
接続 し なければな り ません。
2. IINJ(PIN) は定格を超えることはできません。 VIN が最大値内にある場合は問題はありませんが、 VIN が
最大値を超える場合は、 供給電流は IINJ(PIN) 値を限界にする必要があります。 流入電流が VIN<VSS
により誘導されている間は、 流出電流が VIN>VDD により誘導されます。
3. 流入電流はデバイ スのアナロ グ性能を低下 さ せます。 セ ク シ ョ ン 5.3.17: 12bit ADC 特性の注意
を参照 し て く だ さ い。
4. 複数の入力が電流を供給する と 、 最大 ΣIINJ(PIN) の正 と 負の供給 さ れた電流 ( 瞬間値） の絶対値
の合計にな り ます。 その結果はデバイ スの 4 つの I/O ポー ト ・ ピ ン上の ΣIINJ(PIN) 最大供給電流
の特性を基本 と し ています。
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参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 7.
熱特性
記号
定格
保存温度範囲
TSTG
TJ
最大ジ ャ ン ク シ ョ ン温度
5.3
動作条件
5.3.1
一般動作条件
表 8.
値
単位
-65 ～ +150
℃
150
℃
一般的な動作条件
記号
パラ メ ー タ
条件
最小値
最大値
fHCLK
内部 AHB ク ロ ッ ク周波数
0
72
fPCLK1
内部 APB1 ク ロ ッ ク 周波数
0
36
fPCLK2
内部 APB2 ク ロ ッ ク 周波数
0
72
標準動作電圧
2
3.6
2
3.6
VDD
VDDA(1)
VBAT
PD
アナログ動作電圧
(ADC 使用な し )
VDD と 同 じ 電位 と する
アナログ動作電圧
(ADC 使用 )
バ ッ ク ア ッ プ動作電圧
サフ ィ ッ ク 6 についての TA =
85 ℃、 も し く はサフ ィ ッ ク ス
７ についての TA = 105 ℃の消
費電力(2)
TJ
2.4
3.6
1.8
3.6
487
LQFP100
434
LQFP64
444
LQFP48
363
VFQFPN36
1110
6 サ フ ィ ッ ク ・ バージ ョ ンの
周囲温度
最大消費電力
-40
+85
(3)
-40
+105
7 サ フ ィ ッ ク ・ バージ ョ ンの
周囲温度
最大消費電力
-40
+105
(3)
-40
+125
6 サフィック ・ バージョン
-40
+105
7 サフィック ・ バージョン
-40
+125
TA
ジ ャ ン ク シ ョ ン温度範囲
低消費電力
MHz
V
V
LFBGA100
低消費電力
単位
V
mW
℃
℃
℃
1. ADC を使用する場合は、 表 44: ADC 特性 を参照 し て く だ さ い。
2. TA が低い場合、 TJ が TJ 最大値を上回ら ない限 り 、 高い PD が許可 さ れます。 ( 表 6.2: 熱特性
（75 ページ） 参照 し て く だ さ い。）
3. 低電力消費ス テー ト では TJ が TJ 最大値を上回ら ない限 り TA は、 こ の範囲ま で広げる こ と がで
き ます。 ( 表 6.2: 熱特性 （75 ページ） を参照 し て く だ さ い。 )
5.3.2
パワー ・ ア ッ プ / パワー ・ ダウン時の動作条件
TA についての一般的な動作条件
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Rev8- 日本語版
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 9.
パワーア ッ プ / パワーダウ ン時の動作条件
記号
パラ メ ー タ
tVDD
5.3.3
電気的特性
条件
最小値
最大値
VDD 立上 り 時間比
0
∞
VDD 立下 り 時間比
20
∞
単位
μs/V
内蔵 リ セ ッ ト 及び電源制御ブ ロ ッ ク
表 10 で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度及び VDD 供給電圧で実行 さ
れた テ ス ト に基づいています。
表 10.
内蔵リセット及び電源制御ブロック特性
記号
条件
最小
値
標準
値
最大
値
単位
PLS[2:0]=000 ( 立上 り エ ッ ジ )
2.1
2.18
2.26
V
PLS[2:0]=000 ( 立下 り エ ッ ジ )
2
2.08
2.16
V
PLS[2:0]=001 ( 立上 り エ ッ ジ )
2.19
2.28
2.37
V
PLS[2:0]=001( 立下 り エ ッ ジ )
2.09
2.18
2.27
V
PLS[2:0]=010 ( 立上 り エ ッ ジ）
2.28
2.38
2.48
V
PLS[2:0]=010( 立下 り エ ッ ジ )
2.18
2.28
2.38
V
PLS[2:0]=011( 立上 り エ ッ ジ )
2.38
2.48
2.58
V
プ ログ ラ ム可能な電圧 PLS[2:0]=011 ( 立下 り エ ッ ジ )
検出レ ベル選択
PLS[2:0]=100 ( 立上 り エ ッ ジ )
2.28
2.38
2.48
V
2.47
2.58
2.69
V
PLS[2:0]=100 ( 立下 り エ ッ ジ )
2.37
2.48
2.59
V
PLS[2:0]=101 ( 立上 り エ ッ ジ )
2.57
2.68
2.79
V
PLS[2:0]=101 ( 立下 り エ ッ ジ )
2.47
2.58
2.69
V
PLS[2:0]=110( 立上 り エ ッ ジ )
2.66
2.78
2.9
V
PLS[2:0]=110 ( 立下 り エ ッ ジ )
2.56
2.68
2.8
V
PLS[2:0]=111 ( 立上 り エ ッ ジ )
2.76
2.88
3
V
PLS[2:0]=111( 立下 り エ ッ ジ )
2.66
2.78
2.9
V
パラ メ ー タ
VPVD
VPVDhyst(2)
PVD ヒ ス テ リ シ ス
VPOR/PDR
パワー ・ オン / パ
立下 り エ ッ ジ
ワー ・ ダウン ・ リ セ ッ
立上 り エ ッ ジ
ト ・ スレシ ョ ルド
VPDRhyst
(2)
TRSTTEMPO(2)
100
mV
1.8(1)
1.88
1.96
V
1.84
1.92
2.0
V
PDR ヒ ス テ リ シス
40
リ セ ッ ト 時間
1
1.
製品の動作は最小の VPOR/PDR 値ま で設計によ り 保証 さ れています。
2.
設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
Rev8- 日本語版
2.5
mV
4.5
ms
33/84
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
5.3.4
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
内部基準電圧
表 11 で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度条件で実行 さ れた テ ス ト に
基づいています。
表 11.
内部基準電圧
記号
VREFINT
TS_vrefint(1)
パラ メ ー タ
条件
内部基準電圧
最小値 標準値 最大値
単位
-40 ℃ < TA < +105 ℃
1.16
1.20
1.26
V
-40 ℃ < TA < +85 ℃
1.16
1.20
1.24
V
5.1
17.1(2)
μs
内部基準電圧を読込み時
の ADC サン プ リ ング時間
1. 最短サン プ リ ン グ時間は、 複数回の繰 り 返 し によ り ア プ リ ケーシ ョ ン で決める こ と がで き ます。
2.
5.3.5
設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
供給電流特性
消費電流は図 12: 消費電流測定図 で示 さ れてい る方法で測定 し ます。
最大消費電流
MCU は以下の条件で設定 さ れています。 ：
●
すべての I/O ピ ンは VDD も し く は VSS で ス タ テ ィ ッ ク 値の入力モー ド にな り ます（負荷
無 し ）。
●
すべてのペ リ フ ェ ラ ルは、 使用 し ていない場合は禁止状態です。
●
Flash メモリのアクセス時間は fHCLK の周波数で調整します。 （0 ～ 24MHz で 0 ウェイト ・ ス
テート、 24 ～ 48MHｚ で 1 ウェイト ・ ステート、 48MHｚ 以上では 2 ウェイト ・ ステート）
●
プ リ フ ェ ッ チは ON です。 （ こ のビ ッ ト は、 ク ロ ッ ク設定 と バスのプ リ スケールを行 う
前に設定 し なければな り ません。）
●
ペ リ フ ェ ラ ルは fPCLK1 = fHCLK/2、 fPCLK2 = fHCLK で イ ネーブルにな り ます。
表 12、 表 13、 表 14 で示 さ れてい るパラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度 と VDD 供給
電圧条件で実行 さ れた テ ス ト に基づいています。
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製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 12.
電気的特性
Flash か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での最大消費電流
最大値(1)
記号
パラ メ ー タ
条件
fHCLK
TA = +105 ℃
72 MHz
50
50.3
48 MHz
36.1
36.2
28.6
28.7
19.9
20.1
16 MHz
14.7
14.9
8 MHz
8.6
8.9
72 MHz
32.8
32.9
48 MHz
24.4
24.5
す 36 MHz
外部ク ロ ッ ク
べてのペ リ フ ェ ラル
24 MHz
はデ ィ セーブル
19.8
19.9
13.9
14.2
16 MHz
10.7
11
8 MHz
6.8
7.1
外部ク ロ ッ ク (2)、 す 36 MHz
べてのペ リ フ ェ ラル
24 MHz
はイ ネーブル
Run モー ド
の供給電流
IDD
単位
TA = +85 ℃
(3)、
mA
1. 特性を基本 と し て、 VDD 最大値、 fHCLK 最大値で生産時はテ ス ト を行います。
fHCLK > 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。
2.
表 13.
RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での最大消費電流
最大値(1)
記号
パラ メ ー タ
条件
fHCLK
TA = +105 ℃
48
50
31.5
32
24
25.5
17.5
18
12.5
13
8 MHz
7.5
8
72 MHz
29
29.5
20.5
21
16
16.5
11.5
12
8.5
9
5.5
6
72 MHz
48 MHz
外部 ク ロ ッ ク (2)、 す 36 MHz
てのペ リ フ ェ ラルが
24 MHz
イ ネーブル
16 MHz
IDD
Run モー ド
の供給電流
単位
TA = +85 ℃
48 MHz
外部 ク ロ ッ ク (2)、 す 36 MHz
べてのペ リ フ ェ ラル
24 MHz
がデ ィ セーブル
16 MHz
8 MHz
mA
1. 特性を基本 と し て、 VDD 最大値、 fHCLK 最大値で生産時はテ ス ト を行います。
2.
fHCLK > 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。
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参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 13.
Run モー ド の標準消費電流 対 周波数 (3.6 V 動作時） RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド 、 ペ リ フ ェ ラ ルはイ ネーブル
45
40
35
電流（mA）
30
72 MHz
25
36 MHz
20
16 MHz
8 MHz
15
10
5
0
-40
0
25
70
85
105
温度（℃）
図 14.
Run モー ド の標準消費電流 対 周波数 (3.6 V 動作時） RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド 、 ペ リ フ ェ ラルはデ ィ セーブル
30
25
電流（mA）
20
72 MHz
36 MHz
15
16 MHz
8 MHz
10
5
0
-40
0
25
70
85
105
温度(℃）
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 14.
電気的特性
Flash または RAM か らの コ ー ド 動作に よ る SLEEP モー ド の最大消費電流
最大値(1)
記号
パラ メ ー タ
条件
外部ク ロ ッ ク (2)、 す
べてのペ リ フ ェ ラル
はイ ネーブル
IDD
SLEEP モー ド
の供給電流
外部ク ロ ッ ク (2)、 す
べてのペ リ フ ェ ラル
はデ ィ セーブル
fHCLK
単位
TA = +85 ℃
TA = +105 ℃
72 MHz
30
32
48 MHz
20
20.5
36 MHz
15.5
16
24 MHz
11.5
12
16 MHz
8.5
9
8 MHz
5.5
6
72 MHz
7.5
8
48 MHz
6
6.5
36 MHz
5
5.5
24 MHz
4.5
5
16 MHz
4
4.5
8 MHz
3
4
mA
1. 特性を基本 と し て、 VDD 最大値、 fHCLK 最大値で生産時はテ ス ト を行います。
2.
fHCLK > 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。
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参考資料
電気的特性
表 15.
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流
標準値(1)
記号
パラ メ ー タ
STOP モー ド
の供給電流
IDD
STANDBY モー ド
の供給電流
IDD_VBAT
条件
最大値
VDD/VBAT VDD/VBAT
= 2.4 V
= 3.3 V
TA =
TA =
+85 ℃
+105 ℃
Run モー ド 内レギ ュ レー タ 、
低速及び高速内部 RC オシ レー タ と
高速オシ レー タ は OFF ( 独立型
ウ ォ ッ チ ド ッ ク無 し )
23.5
24
200
370
低電力モー ド 内レギ ュ レー タ 、
低速及び高速内部 RC オシ レー タ と
高速オシ レー タ は OFF( 独立型
ウ ォ ッ チ ド ッ ク無 し )
13.5
14
180
340
低速内部 RC オシ レー タ 及び独立型
ウ ォ ッ チ ド ッ クは ON
2.6
3.4
-
-
低速内部 RC オシ レー タ は ON、 独
立型ウ ォ ッ チ ド ッ クは OFF
2.4
3.2
-
-
低速内部 RC オシ レー タ 及び独立型
ウ ォ ッ チ ド ッ グは OFF、 低速オシ
レー タ 及び RTC は OFF
1.7
2
3.2
5
1.1
1.4
1.9(2)
2.2
バッ クア ッ プ ・ ド
低速オシ レー タ 及び RTC は ON
メ イ ン供給電流
単位
μA
1. 標準値は TA ＝ 25 ℃で測定 し ています。
2. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
図 15.
VDD = 3.3 V と 3.6V 動作時の Run モー ド のレギ ュ レー タ 付 STOP モー ド 標準消費電流 対 温度
300
250
電流 (µA)
200
3.3 V
150
3.6 V
100
50
0
-45
25
70
90
110
温度 （℃）
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 16.
電気的特性
VDD = 3.3 V と 3.6V 動作時の低電力モー ド のレギ ュ レ ー タ 付 STOP モー ド 消費電流 対 温度
300
250
電流（μA）
200
3.3 V
150
3.6 V
100
50
0
-40
0
25
70
85
105
温度(℃）
図 17.
VDD = 3.3 V と 3.6V 動作時の STANDBY モー ド 標準消費電流 対 温度
4.5
4
3.5
電流（μA）
3
2.5
3.3 V
3.6 V
2
1.5
1
0.5
0
–45 °C
25 °C
85 °C
105 °C
温度(℃）
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参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
標準消費電流
MCU は以下の条件で設定 さ れています。 ：
●
すべての I/O ピ ンは VDD も し く は VSS で ス タ テ ィ ッ ク 値の入力モー ド にな り ます（負荷
無 し ）。
●
すべてのペ リ フ ェ ラ ルは、 明確に使用が決め られてい る以外は禁止状態にな り ます。
●
Flashのア ク セス時間は fHCLK 周波数で調整 し ます。 ( 0～24 MHzで0ウ ェ イ ト ス テー ト 、
24 ～ 48MHz で 1 ウ ェ イ ト ス テー ト 、 48MHz 以上の周波数で 2 ウ ェ イ ト ス テー ト )
●
表 8 に周囲温度 と VDD 供給電圧がま と め られています。
●
プ リ フ ェ ッ チは ON です。 （ こ のビ ッ ト は、 ク ロ ッ ク設定 と バスのプ リ スケールを行 う
前に設定 し なければな り ません。）
●
ペ リ フ ェ ラ ルは fPCLK1 = fHCLK/4、 fPCLK2 = fHCLK/2、 fADCCLK = fPCLK2/4 で イ ネーブルに
な り ます。
表 16.
Flash か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る Run モー ド での標準消費電流
標準値(1)
記号
パラ メ ー タ
条件
Run モー ド
の供給電流
全ペ リ フ ェ ラ 全ペ リ フ ェ ラル
ルイ ネーブル(2) デ ィ セーブル
72 MHz
36
27
48 MHz
24.2
18.6
36 MHz
19
14.8
24 MHz
12.9
10.1
16 MHz
9.3
7.4
8 MHz
5.5
4.6
4 MHz
3.3
2.8
2 MHz
2.2
1.9
1 MHz
1.6
1.45
500 kHz
1.3
1.25
125 kHz
1.08
1.06
64 MHz
31.4
23.9
48 MHz
23.5
17.9
36 MHz
18.3
14.1
24 MHz
12.2
9.5
高速内部 RC (HSI) で 16 MHz
動作、 AHB プ リ ス
8 MHz
ケー ラは周波数を低
4 MHz
減
8.5
6.8
4.9
4
2.7
2.2
2 MHz
1.6
1.4
1 MHz
1.02
0.9
500 kHz
0.73
0.67
125 kHz
0.5
0.48
外部ク ロ ッ ク
IDD
fHCLK
(3)
単位
mA
mA
1. 標準値は TA ＝ 25 ℃、 VDD ＝ 3.3 V で測定 し ています。
2. アナロ グ部分について ADC ご と に 0.8mA の追加の消費電力を加え ます。 ア プ リ ケーシ ョ ン で、
ADC が ON （ADON ビ ッ ト は ADC_CR2 レ ジ ス タ に設定） の間のみ、 こ の消費電力が発生 し ます。
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
3.
電気的特性
fHCLK > 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。
表 17.
Flash または RAM か らのデー タ ・ プ ロ セス動作 コ ー ド に よ る SLEEP モー ド の
標準消費電流
標準値(1)
記号
パラ メ ー タ
条件
IDD
全ペ リ フ ェ ラル 全ペ リ フ ェ ラル
を イ ネーブル(2) をデ ィ セーブル
72 MHz
14.4
5.5
48 MHz
9.9
3.9
36 MHz
7.6
3.1
24 MHz
5.3
2.3
16 MHz
3.8
1.8
8 MHz
2.1
1.2
4 MHz
1.6
1.1
2 MHz
1.3
1
1 MHz
1.11
0.98
500 kHz
1.04
0.96
125 kHz
0.98
0.95
64 MHz
12.3
4.4
48 MHz
9.3
3.3
36 MHz
7
2.5
24 MHz
4.8
1.8
高速内部 RC (HSI) 16 MHz
で動作、 AHB プ リ
8 MHz
スケー ラは周波数
を低減
4 MHz
3.2
1.2
1.6
0.6
1
0.5
2 MHz
0.72
0.47
1 MHz
0.56
0.44
500 kHz
0.49
0.42
125 kHz
0.43
0.41
外部ク ロ ッ ク (3)
SLEEP モー ド
の供給電流
fHCLK
単位
mA
1. 標準値は TA ＝ +25 ℃、 VDD ＝ 3.3 V で測定 し ています。
2. アナロ グ部分について ADC ご と に 0.8mA の追加の消費電力を加え ます。 ア プ リ ケーシ ョ ン で、
ADC が ON （ADON ビ ッ ト は ADC_CR2 レ ジ ス タ に設定） の間のみ、 こ の消費電力が発生 し ます。
3.
fHCLK > 8 MHz 時に外部 ク ロ ッ クは 8 MHz で PLL は ON にな り ます。
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ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
チ ッ プ上のペ リ フ ェ ラル消費電流
チ ッ プ上のペ リ フ ェ ラ ル消費電流については表 18 を参照 し て く だ さ い。 MCU は以下の条
件で設定 さ れています ：
●
すべての I/O ピ ンは VDD も し く は VSS で ス タ テ ィ ッ ク 値の入力モー ド にな り ます（負荷
無 し ）。
●
すべてのペ リ フ ェ ラ ルは、 使用 さ れない場合は禁止状態にな り ます。
●
示 さ れてい る値は消費電流測定に よ り 計算 さ れています。
–
●
–
１ つのペ リ フ ェ ラ ルだけが ク ロ ッ ク ・ オ ン
周囲動作温度 と VDD 供給電圧条件は表 5 にま と めています。
表 18.
APB1
APB2
1.
すべてのペ リ フ ェ ラ ルが ク ロ ッ ク ・ オ フ
ペ リ フ ェ ラ ル消費電流(1)
ペ リ フ ェ ラル
+25 ℃の標準電流
TIM2
1.2
TIM3
1.2
TIM4
0.9
SPI2
0.2
USART2
0.35
USART3
0.35
I2C1
0.39
I2C2
0.39
USB
0.65
CAN
0.72
GPIO A
0.47
GPIO B
0.47
GPIO C
0.47
GPIO D
0.47
GPIO E
0.47
(2)
1.81
ADC1
ADC2
1.78
TIM1
1.6
SPI1
0.43
USART1
0.85
単位
mA
mA
fHCLK = 72MHz、 fAPB1 = fHCLK/2、 fAPB2 = fHCLK は、 各々のペ リ フ ェ ラルについてのデ フ ォル ト ・
プ リ スケー ラ値にな り ます。
2. ADC 特定条件 ： fHCLK =56MHz、 fAPB1 = fHCLK/2、 fAPB2 = fHCLK、 fADCCLK = fAPB2/4、 ADC_CR2 レ ジ ス
タ の ADON bit は 1 に設定 し ます。
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Rev8- 日本語版
こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
5.3.6
電気的特性
外部ク ロ ッ ク ・ ソ ース特性
外部ソ ースか らの高速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク生成
表 19 で示 さ れてい る特性は、 高速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース を使い 表 8 にま と めてい る周囲
温度 と 供給電圧条件の も と で テ ス ト さ れた結果です。
表 19.
記号
高速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク 特性
パラ メ ー タ
条件
最小値
標準値
最大値
単位
8
25
MHz
fHSE_ext
ユーザ外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース
周波数(1)
0
VHSEH
OSC_IN 入力ピ ン H レ ベル電圧
0.7VDD
VDD
VHSEL
OSC_IN 入力ピ ン L レ ベル電圧
VSS
0.3VDD
tw(HSE)
tw(HSE)
OSC_IN ハイ またはロー時間 (1)
16
tr(HSE)
tf(HSE)
OSC_IN 立上 り または立下 り
時間 (1)
IL
OSC_IN 入力 リ ー ク電流
V
ns
5
VSS ≦ VIN ≦ VDD
±1
μA
1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
外部ソ ースか らの低速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク生成
表 20 で示 さ れてい る特性は低速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース を使い、 表 8 にま と めてい る周囲
温度 と 供給電圧条件の も と で テ ス ト さ れた結果です。
表 20.
記号
低速外部ユーザ • ク ロ ッ ク 特性
パラ メ ー タ
条件
最小値
標準値
最大値
単位
32.768
1000
kHz
fLSE_ext
ユーザ外部 ク ロ ッ ク ソ ース
周波数(1)
VLSEH
OSC32_IN 入力ピ ン H レ ベル
電圧
0.7VDD
VDD
VLSEL
OSC32_IN 入力ピ ン L レ ベル
電圧
VSS
0.3VDD
tw(LSE)
tw(LSE)
OSC32_IN ハイ またはロー時
間 (1)
450
tr(LSE)
tf(LSE)
OSC32_IN 立上 り ま たは立下
り 時間 (1)
IL
OSC32_IN 入力 リ ー ク 電流
V
ns
5
VSS ≦ VIN ≦ VDD
±1
μA
1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
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ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
図 18.
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
高速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ン グ図
VHSEH
90%
VHSEL
10%
tr(HSE)
tf(HSE)
tW(HSE)
tW(HSE)
t
THSE
外部
クロックソース
fHSE_ext
OSC_IN
IL
STM32F103xx
ai14143
図 19.
低速外部 ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ン グ図
VLSEH
90%
VLSEL
10%
tr(LSE)
tf(LSE)
tW(LSE)
OSC32_IN
IL
tW(LSE)
t
TLSE
外部
クロックソース
fLSE_ext
STM32F103xx
ai14144b
ク リ ス タ ル / セ ラ ミ ッ ク 発振子からの高速外部ク ロ ッ ク生成
高速外部 (HSE) ク ロ ッ クは、 4 ～ 16 MHz の ク リ ス タ ル / セ ラ ミ ッ ク 発振子オシ レー タ か ら
供給を受けます。 こ の項目の全ての情報は、 表 21: HSE 4 ～ 16 MHz オシ レー タ 特性 で示 さ
れている標準的な外付け部品から 得 られた特性結果に基づいています。 ア プ リ ケーシ ョ ン
において、 発振子 と 負荷の コ ンデンサは、 出力歪を最小限にするの と ス タ ー ト ア ッ プ時間
を安定化する ために、 で き る だけオシ レー タ のピ ンのそばに配置する必要があ り ます。 発
振子の特性 （周波数、 パ ッ ケージ、 精度） について さ ら に詳 し い情報はク リ ス タ ル発振子
の製造業者に問い合わせて く だ さ い。
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 21.
記号
fOSC_IN
RF
CL1
CL2(3)
電気的特性
HSE 4 ～ 16 MHz オシ レ ー タ 特性(1) (2)
パラ メ ー タ
条件
オシ レー タ 周波数
4
8
フ ィ ー ド バ ッ ク抵抗
推奨負荷容量 対 オシ レー タ
の等価直列抵抗 (RS)(4)
RS = 30 Ω
HSE ド ラ イ ブ電流
gm
オシ レー タ ・ ト ラ ン ス コ ン
ダク タ ンス
ス タ ー ト ア ッ プ時間
スター ト ア ッ プ
16
単位
MHz
200
kΩ
30
pF
VDD = 3.3 V
VIN = VSS と 30 pF 負荷
i2
tSU(HSE(5)
最小値 標準値 最大値
1
25
mA
mA/V
VDD が安定
2
ms
1. 発振子の特性は ク リ ス タ ル / セ ラ ミ ッ ク発振子製造業者によ り 提供 さ れます。
2. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
3. 高周波ア プ リ ケーシ ョ ン を設計する場合、 ク リ ス タ ルや発振子の要求仕様に適合する ために CL1
と CL2 について、 5 pF ～ 25pF （標準） の範囲で高品質のセ ラ ミ ッ ク ・ コ ンデンサを使 う こ と が
推奨 さ れています。 CL1 と CL2 は通常同 じ サイ ズです。 ク リ ス タ ル製造業者は、 CL1 と CL2 の直
列の組み合わせによ る標準の負荷容量を指定 し ています。 CL1 と CL2 の容量サイ ズを決める場合
は、 PCB と MCU ピ ンの容量を含める必要があ り ます。 （10 pF がピ ン と ボー ド の組み合わせの容
量の概算値 と し て使 う こ と がで き ます。）
4.
リ ー ク電流の誘導 と バイ ア ス条件の変化によ り 湿気の多い環境下で発生する問題に対 し て RF 抵
抗の相対的に低い値は十分な保護機能を提供 し ます。 そのため、 MCU が厳 し い湿度条件で使わ
れる場合は、 こ の点を考慮する必要があ り ます。
5. tSU(LSE) は （ソ フ ト ウ ェ アによ り ） 開始 さ れた時点から 安定 し た 8MHz の発振ま でに到達する ま で
を測定 し たス タ ー ト ア ッ プ時間です。 こ の値は標準ク リ ス タ ル発振子について測定 し てお り 、 ク
リ ス タ ルの製造業者によ り 値は異な り ます。
図 20.
8MHz ク リ ス タ ルでの標準ア プ リ ケーシ ョ ン
コンデンサを使った発振子
CL1
fHSE
OSC_IN
8 MHz
発振子
CL2
REXT(1)
RF
OSC_OUT
バイアスは
ゲインを制御
STM32F103xx
ai14145
1. REXT の値は ク リ ス タ ルの特性に依存する ため、 標準値は 5 ～ 6RS の範囲にな り ます。
ク リ ス タ ル / セ ラ ミ ッ ク 発振子からの低速外部ク ロ ッ ク生成
低速外部 (LSE) クロックは、 32.768kHz のクリスタル / セラミック発振子オシレータから供給を受
けます。 この項目の全ての情報は、 表 22 で示されている標準的な外付け部品から得られた特
性結果に基づいてます。 アプリケーションにおいて、 発振子と負荷のコンデンサは、 出力歪を
最小限にするのとスタートアップ時間を安定化するために、 できるだけオシレータのピンのそば
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参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
に配置する必要があります。 発振子の特性 （周波数、 パッケージ、 精度） についてさらに詳し
い情報はクリスタル発振子の製造業者に問い合わせてください。
注意
ク リ ス タ ルや発振子の要求仕様に適合する ために CL1 と CL2 について、 5pF ～ 15pF の範囲
で高品質のセ ラ ミ ッ ク ・ コ ンデンサを使 う こ と が推奨 さ れています。 CL1 と CL2 は通常同
じ サイ ズです。 ク リ ス タ ル製造業者は、 CL1 と CL2 の直列の組み合わせによ る標準の負荷
容量を指定 し ています。
負荷容量 CL は以下の公式で求める こ と がで き ます。 ： CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray
Cstray はピ ン容量 と 基板も し く は PC Ｂ に関連 し た容量にな り ます。 通常は 2 pF ～ 7 pF の
間の値にな り ます。
警告 :
CL1 と CL2 (15 pF) の最大値を超えないよ う にする ためには、 負荷容量が CL ≦ 7 pF の発振子を使用
する こ と が強 く 推奨 さ れています。 12.5 pF の負荷容量を持つ発振子を使用する こ と はで き ません。
例 : CL = 6 pF の容量負荷の発振子 と Cstray = 2 pF では、 CL1 = CL2 = 8 pF にな り ます。
LSE オシ レー タ 特性 (fLSE = 32.768 kHz) (1)
表 22.
記号
パラ メ ー タ
条件
最小値 標準値
フ ィ ー ド バ ッ ク抵抗
RF
最大値
5
単位
MΩ
推奨負荷容量 対 ク リ ス タ ル
の等価直列抵抗 (RS)(3)
RS = 30 KΩ
15
pF
I2
LSE ド ラ イ ブ電流
VDD = 3.3 V
VIN = VSS
1.4
μA
gm
オシ レー タ ・ ト ラ ン ス
コ ンダク タ ンス
CL1
CL2(2)
5
tSU(LSE)(4) ス タ ー ト ア ッ プ時間
μA/V
VDD が安定
3
s
1. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
2. 注釈を参照 し て、 表のパラ グ ラ フ に注意 し て く だ さ い。
3. オシ レー タ の選択は、 MSIV-TIN32.768kHz の例のよ う な小 さ な RS 値の高品質な発振子を使用 し
て消費電流で最適化をする こ と がで き ます。 詳細についてはク リ ス タ ル製造業者に問い合わせ
て く だ さ い。
4.
tSU(LSE) は （ ソ フ ト ウ ェ アによ り ） 開始 さ れた時点から 安定 し た 32.768 kHz の発振ま でに到達
する ま で を測定 し たス タ ー ト ア ッ プ時間です。 こ の値は標準ク リ ス タ ル発振子について測定 し
てお り 、 ク リ ス タ ルの製造業者によ り 値は異な り ます。
図 21.
32.768 kHz ク リ ス タ ルでの標準ア プ リ ケーシ ョ ン
コンデンサを使った発振子
CL1
fLSE
OSC32_IN
32.768 kHz
発振子
CL2
RF
OSC32_OUT
バイアスは
ゲインを制御
STM32F103xx
ai14146
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
5.3.7
電気的特性
内部ク ロ ッ ク ・ ソ ース特性
表 23 で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度 と VDD 供給電圧条件で実行
さ れたテ ス ト に基づいています。
高速内部 (HSI) RC オシ レー タ
HSI オシ レー タ 特性(1) (2)
表 23.
記号
fHSI
ACCHSI
パラ メ ー タ
条件
最小値
標準値
周波数
最大値
8
HSI オシ レー タ 精度
tsu(HSI)
HSI オシ レー タ ・ ス タ ー ト
ア ッ プ時間
IDD(HSI)
HSI オシ レー タ 消費電流
単位
MHz
TA = -40 ～ +105 ℃
±1
±3
%
TA = -10 ～ +85 ℃
±1
± 2.5
%
TA = 0 ～ +70 ℃
±1
± 2.2
%
TA = +25 ℃
±1
±2
%
2
μs
80
100
μA
最小値
標準値
最大値
単位
30
40
60
kHz
85
μs
1.2
μA
1
1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
2. 特に明記 し ない限 り 、 VDD = 3.3 V、 TA = -40 ～ +105 ℃ にな り ます。
低速内部 （LSI)RC オシ レー タ
表 24.
LSI オシ レー タ 特性(1)
記号
fLSI(2)
パラ メ ー タ
周波数
tsu(LSI)(3)
LSI オシ レー タ ・ ス タ ー ト ア ッ プ時間
IDD(LSI)(3)
LSI オシ レー タ 消費電流
0.65
1. 特に明記 し ない限 り 、 VDD = 3 V、 TA = -40 ～ +105 ℃にな り ます。
2. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
3.
設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
低電力モー ド から のウ ェ ー ク ア ッ プ時間
表 25 で示 さ れてい る ウ ェ ー ク ア ッ プ時間は、 8MHz の HIS RC オシ レ ー タ のウ ェ ー ク ア ッ
プ ・ フ ェ ーズで測定 さ れています。 デバイ ス を ウ ェ ー ク ア ッ プする ために使われる ク ロ ッ
ク ・ ソ ースは、 現在の動作モー ド に依存 し ます。 ：
●
STOP も し く は STANDBY モー ド ： ク ロ ッ ク ・ ソ ースは RC オシ レー タ
●
SLEEP モー ド ： ク ロ ッ ク ・ ソ ースは SLEEP モー ド に入る前に設定 さ れた ク ロ ッ ク
すべての タ イ ミ ン グは、 表 8 で ま と めた周囲温度 と VDD 供給電圧条件で実行 さ れた テ ス ト
に基づいています。
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参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 25.
低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間
標準
値
単位
HSI RC ク ロ ッ クのウ ェ ー ク ア ッ プ
1.8
μs
STOP モー ド から のウ ェ ー ク
ア ッ プ (Run モー ド のレギ ュ
レー タ ）
HSI RC ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 = 2 μs
3.6
STOP モー ド から のウ ェ ー ク
ア ッ プ （低電力モー ド のレ
ギ ュ レー タ ）
HSI RC ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 = 2 μs、 LP
モー ド か らのレギ ュ レー タ ・ ウ ェ ー ク
ア ッ プ時間 = 5 μs
5.4
STANDBY モー ド か らの
ウェークア ッ プ
HSI RC ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 = 2 μs、 パ
ワーダウンか らのレギ ュ レー タ ・
ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 = 38 μs
50
記号
パラ メ ー タ
tWUSLEEP(1)
SLEEP モー ド から のウ ェ ー ク
アップ
tWUSTOP(1)
tWUSTDBY(1)
条件
μs
μs
1. ウ ェ ー ク ア ッ プ時間はウ ェ ー ク ア ッ プ ・ イ ベン ト から ユーザ ・ ア プ リ ケーシ ョ ン ・ コ ー ド の最初
の命令が読込み さ れるポ イ ン ト が測定 さ れます。
5.3.8
PLL 特性
表 26 で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度 と VDD 供給電圧条件で実行
さ れたテ ス ト に基づいています。
表 26.
PLL 特性
値
記号
パラ メ ー タ
テ ス ト 条件
最小値(1) 標準値 最大値 (1)
PLL 入力 ク ロ ッ ク (2)
1
PLL 入力 ク ロ ッ ク
・ デ ュ ーテ ィ サイ クル
fPLL_OUT
PLL マルチ プ ラ イ ア出力
クロッ ク
tLOCK
PLL ロ ッ ク時間
fPLL_IN
1.
8.0
単位
25
MHz
40
60
%
16
72
MHz
200
μs
特性を基本に し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
2. PLL 入力ク ロ ッ ク 値は fPLL_OUT によ っ て定義 さ れる範囲内で対応する ために適切なマルチ プ ラ イ
ア ・ フ ァ ク タ を使用する よ う に注意 し て く だ さ い。
5.3.9
メ モ リ 特性
Flash メ モ リ
特に指定がない限 り 、 特性は TA = -40 ～ +105 ℃にな り ます。
表 27.
記号
tprog
48/84
Flash メ モ リ 特性
パラ メ ー タ
条件
16bit プ ログ ラ ミ ング時間 TA = -40 ～ +105 ℃
最小値
(1)
標準値
40
52.5
最大値
(1)
単位
70
μs
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 27.
Flash メ モ リ 特性
記号
tERASE
tME
IDD
Vprog
1.
電気的特性
パラ メ ー タ
最小値
条件
(1)
標準値
最大値
(1)
単位
ページ (1 KB) 消去時間
TA = -40 ～ +105 ℃
20
40
ms
全体消去時間
TA = -40 ～ +105 ℃
20
40
ms
読込みモー ド
fHCLK = 72 MHz(2 ウ ェ イ ト
ス テー ト ）、 VDD = 3.3 V
20
mA
書込み / 消去モー ド
fHCLK = 72 MHz、 VDD = 3.3 V
5
mA
パワーダウン モー ド /
Halt、
VDD = 3.0 ～ 3.6 V
50
μA
3.6
V
供給電流
プ ログ ラ ミ ング電圧
2
設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
表 28.
Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間
値
記号
パラ メ ー タ
条件
最小値
(1)
NEND
tRET
書換え回数
デー タ 保持期間
TA = -40 ～ +85 ℃ (6 サフ ィ ッ ク
ス ・ バージ ョ ン）
TA = -40 ～ +105 ℃ (7 サフ ィ ッ ク
ス ・ バージ ョ ン）
10
TA = +85 ℃で 1 k サイ ク ル(2)
30
TA = +105 ℃で 1 k サイ クル (2)
10
TA =+55 ℃で 10 k
サイ ク ル (2)
標準
値
最大
値
単位
k サイ ク ル
年
20
1. 特性を基本に し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
2. サイ クル数は仕様の全温度範囲外で実行 し ています。
5.3.10
EMC 特性
感受性テ ス ト のデバイ ス特性についてはサン プルベース で行われます。
EMS 機能 (Electromagnetic susceptibility ： 電磁感受性 )
簡単な ア プ リ ケーシ ョ ンがデバイ ス で実行 さ れてい る間 (I/O ポー ト を通 し て 2 つの LED
が点滅 ) デバイ スは障害が発生する ま でデバイ スには 2 種類の電磁気に よ り ス ト レ スが与
え られます。 障害は LED に よ り 示 さ れます。 ：
●
静電気放電 (ESD ： Electrostatic Discharge) （正及び負） はすべてのデバイ ス ・ ピ ン に機
能的な障害が発生する ま で行われます。 こ のテ ス ト は IEC 1000-4-2 standard に準拠 し
ています。
●
FTB （First Transient Burst) ： 高速過渡電圧のバース ト （正及び負） が 100 pF の コ ンデ
ンサを通 し て VDD と VSS に対 し て機能的な障害が発生する ま で行われます。 こ のテ ス
ト は IEC 1000-4-4 standard に準拠 し ています。
Rev8- 日本語版
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
デバイ ス ・ リ セ ッ ト は通常動作を再開する ために行われます。
テ ス ト 結果が 表 29 に示 さ れています。 こ れ らは、 EMS のレ ベル と ク ラ ス を基本 と し 、 ア
プ リ ケーシ ョ ン ・ ノ ー ト AN1709 に記載 さ れています。
表 29.
EMS 特性
記号
パラ メ ー タ
条件
レ ベル /
ク ラス
VFESD
機能的な障害を引き起こ すために複数の
I/O ピ ン で電圧 リ ミ ッ ト を適用
VDD = 3.3 V、 TA = +25 ℃、
fHCLK= 48 MHz
IEC 1000-4-2 適用
2B
VEFTB
機能上の障害を引き起こ すために VDD 及び VDD = 3.3 V、 TA = +25 ℃、
VSS ピ ンの上の 100pF を通 し て高速過渡電 fHCLK = 48 MHz
圧バース ト ・ リ ミ ッ ト を適用
IEC 1000-4-4 適用
4A
ノ イ ズ問題を避ける ためのソ フ ト ウ ェ ア設計
EMC の特性 と 最適化は、標準的な ア プ リ ケーシ ョ ン環境 と 簡略化 さ れた MCU ソ フ ト ウ ェ ア
の コ ンポーネ ン ト ・ レ ベルで実行 さ れます。 良好な EMC 性能を出すには、 特にユーザ ・ ア
プ リ ケーシ ョ ン と ソ フ ト ウ ェ アに大き く 依存 し てい る点に注意する必要があ り ます。
そのため、 ア プ リ ケーシ ョ ン に対 し て EMC レ ベルを必要 と する EMC ソ フ ト ウ ェ アの最適
化 と 事前品質テ ス ト を適用する こ と が推奨 さ れています
推奨する ソ フ ト ウ ェ ア
ソ フ ト ウ ェ アの フ ローチ ャ ー ト は、 例えば以下のよ う な制御不能の条件管理を含ま なけれ
ばな り ません。 ：
●
プ ロ グ ラ ム ・ カ ウ ン タ の故障
●
予期せぬ リ セ ッ ト
●
重要デー タ の損失 （制御レ ジ ス タ ...）
事前品質検査の試行
大部分の問題の共通点 （予期せぬ リ セ ッ ト やプ ロ グ ラ ム ・ カ ウ ン タ の故障） は、 1 秒の間、
NRST ピ ンや ク リ ス タ ルのピ ン に ロー ・ ス テー ト を マニ ュ アルで強制的に設定する こ と に
よ り 再現で き ます。 こ の試行を終了する には、 仕様値の範囲外で ESD のス ト レ ス をデバイ
スに直接適応する こ と です。 予期せぬ動作が検出 さ れた場合、 ソ フ ト ウ ェ アは回復不可能
な エ ラ ーの発生を防ぐ ために対応する こ と がで き ます。 （ア プ リ ケーシ ョ ン ・ ノ ー ト
AN1015 を参照）
電磁妨害 (EMI ： Electromagnetic Interference)
デバイ スに よ り 放出 さ れる電磁フ ィ ール ド は、 単純な ア プ リ ケーシ ョ ンが実行 （I/O ポー
ト を通 し て 2 個の LED を ト グル） し ている間、 監視 さ れます。 こ の放射テ ス ト は、 テ ス
ト ・ ボー ド やピ ンの負荷について規定 し てい る SAE J 1752/3 standard に準拠 し ています。
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 30.
記号
電気的特性
EMI 特性
パラ メ ー タ
最大値 対
[fHSE/fHCLK]
監視
条件
単位
周波数バン ド
8/48 MHz 8/72 MHz
SEMI
5.3.11
ピー ク
レ ベル
0.1 MHz ～ 30 MHz
VDD = 3.3 V、 TA = 25 ℃、 30 MHz ～ 130 MHz
SAE J 1752/3 準拠 の
130 MHz ～ 1GHz
LQFP100 パ ッ ケージ
SAE EMI レ ベル
12
12
22
19
23
29
4
4
dBμV
-
絶対最大定格 ( 電磁感度）
特定の測定方法を使用する 3 つの異な る テ ス ト (ESD、 LU ) に基づいて、 デバイ スは電磁感
度に関 し てその性能を決める ためにス ト レ ス を加え られます。
静電放電 (ESD ： Electrostatic Discharge)
静電放電 （1 秒ご と に正 と 負のパルス を繰 り 返す） は、 ピ ンの組合せに よ るサン プルのピ
ン に適用 さ れます。 サン プル数はデバイ ス （3 個 ｘ (n + 1) 供給ピ ン） の供給ピ ンの数に依
存 し ます。 こ のテ ス ト は JESD22-A114A standard に準拠 し ています。
表 31.
ESD 絶対最大定格
ク ラス
最大値(1)
記号
定格
条件
VESD(HBM)
静電破壊電圧
（ ヒ ュ ーマ ン ・ ボデ ィ ・ モデル）
TA = +25 ℃
JESD22-A114 準拠
2
2000
VESD(CDM)
静電破壊電圧
（チ ャ ージ ・ デバイ ス ・ モデル）
TA = +25 ℃
JESD22-C101 準拠
II
500
単位
V
1. 特性結果を基本に し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
静的ラ ッ チ ア ッ プ
2 つの補完的な静的テ ス ト は、 ラ ッ チ ・ ア ッ プ性能を評価する ために 6 の項目が要求 さ れ
ています。 ：
●
電源過電圧がそれぞれの電源ピ ン に印加 さ れます。
●
電流注入がそれぞれの入力、 出力、 I/O 構成ピ ン に印加 さ れます。
こ れ ら のテ ス ト は EIA/JESD 78 IC latch-up standard に準拠 し ています。
表 32.
記号
LU
静電気感度
パラ メ ー タ
条件
静的ラ ッ チア ッ プ ・ ク ラ ス
TA = +105 ℃ JESD78A 準拠
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ク ラス
II level A
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ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
5.3.12
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
I/O ポー ト 特性
汎用入出力特性
特に明記がない限 り 、 表 33 で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度 と
VDD 供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。 すべての I/O は CMOS と TTL 互
換にな り ます。
表 33.
I/O 静的特性
記号
VIL
VIH
パラ メ ー タ
入力 L レ ベル電圧
標準 IO 入力 H レ ベル電圧
入力 L レ ベル電圧
VIH
入力 H レ ベル電圧
Ilkg
TTL ポー ト
IO FT(1) 入力 H レ ベル電圧
VIL
Vhys
条件
CMOS ポー ト
標準 IO シ ュ ミ ッ ト ・ ト リ ガ
電圧 ヒ ス テ リ シ ス (2)
O FT シ ュ ミ ッ ト ・ ト リ ガ
電圧 ヒ ス テ リ シ ス (2)
入力 リ ー ク 電流(4)
最小値
標準値
最大値
-0.5
0.8
2
VDD+0.5
2
5.5V
-0.5
0.35 VDD
0.65 VDD
VDD+0.5
単位
V
V
200
mV
5% VDD(3)
mV
VSS ≦ VIN ≦ VDD
標準 I/O
±1
VIN = 5 V
I/O FT
3
μA
RPU
ウ イ ー ク ・ プルア ッ プ
等価抵抗(5)
VIN = VSS
30
40
50
kΩ
RPD
ウ イ ー ク ・ プルダウン
等価抵抗 (5)
VIN = VDD
30
40
50
kΩ
CIO
I/O ピ ン静電容量
5
pF
1. FT （5V 耐性）
2. レ ベルのス イ ッ チ を し ている シ ュ ミ ッ ト ・ ト リ ガ間の ヒ ス テ リ シ ス電圧にな り ます。 特性を基
本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
3. 最低 100 mV にな り ます。
4.
リ ーケージは、 負電流が隣接する ピ ン に流入する場合は、 最大値よ り 高 く な り ます。
5. プルアップ、 プルダウン抵抗はスイッチで切り替えができる PMOS/NMOS と直列に真性抵抗として設計
されています。 この PMOS/NMOS の直列抵抗への関与は最小限にする必要があります。 （～ 10％）
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
電気的特性
出力 ド ラ イ ブ電流
GPIO (general purpose input/outputs) は、 最大 +/-8 mA を シ ン ク ま たは ソ ースする こ と がで
き、 また +20 mA ( 安定 し た VOL) を シ ン ク する こ と がで き ます。
ユーザ ・ ア プ リ ケーシ ョ ン において、 電流を駆動で き る I/O ピ ンの数は、 セ ク シ ョ ン 5.2
の最大絶対定格を守る ために制限 し なければな り ません。
●
VDD 上の電流値の合計は、すべての I/O に よ る ソ ース と VDD 上の MCU におけ る最大 Run
消費電流の ソ ース と の合計は絶対最大定格 IVDD を超え る こ と はで き ません。 (
表 6 を参照 )
●
VSS 上の電流値の合計は、すべての I/O に よ る シ ン ク と VSS 上の MCU におけ る最大 Run
消費電流のシ ン ク と の合計は絶対最大定格 IVSS を超え る こ と はで き ません。 (
表 6 を参照 )
出力電圧レ ベル
特に明記がない限 り 、 表 34 で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度 と VDD
供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。 すべての I/O は CMOS と TTL レ ベ
ルに互換にな り ます。
表 34.
出力電圧特性
記号
パラ メ ー タ
VOL(1)
8 本のピ ンが同時にシ ン ク さ れる場合の
I/O ピ ン出力 L レ ベル電圧
VOH(2)
8 本のピ ンが同時に ソ ース さ れる場合
の、 I/O ピ ン H レ ベル出力電圧
VOL (1)
8 本のピ ンが同時にシ ン ク さ れる場合の
I/O ピ ン出力 L レ ベル電圧
VOH
(2)
VOL(1)(3)
VOH
(2)(3)
VOL(1)(3)
VOH
(2)(3)
8 本のピ ンが同時に ソ ース さ れる場合
の、 I/O ピ ン H レ ベル出力電圧
8 本のピ ンが同時にシ ン ク さ れる場合の
I/O ピ ン出力 L レ ベル電圧
8 本のピ ンが同時に ソ ース さ れる場合
の、 I/O ピ ン H レ ベル出力電圧
8 本のピ ンが同時にシ ン ク さ れる場合の
I/O ピ ン出力 L レ ベル電圧
8 本のピ ンが同時に ソ ース さ れる場合
の、 I/O ピ ン H レ ベル出力電圧
条件
TTL ポー ト
IIO = +8 mA
2.7 V < VDD < 3.6 V
CMOS ポー ト
IIO =+ 8mA
2.7 V < VDD < 3.6 V
IIO = +20 mA
2.7 V < VDD < 3.6 V
IIO = +6 mA
2 V < VDD < 2.7 V
最小値
最大値
単位
0.4
V
VDD – 0.4
0.4
V
2.4
1.3
V
VDD – 1.3
0.4
V
VDD – 0.4
1.
デバイ スによ り シ ン ク さ れた IIO 電流は、 表 6 に示 さ れている絶対最大定格を常に守ら なければ
な り ません。 また、 IIO （I/O ポー ト と 制御ピ ン） の合計値は IVSS を超え る こ と はで き ません。
2.
デバイ スによ り ソ ース さ れた IIO 電流は、 表 6 に示 さ れてい る絶対最大定格を常に守ら なければ
な り ません。 また、 IIO （I/O ポー ト と 制御ピ ン） の合計値は IVDD を超え る こ と はで き ません。
3.
特性デー タ を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
入力 / 出力 AC 特性
入力 / 出力 AC 特性の定義 と 値は、 図 22 と 表 35 のそれぞれに示 さ れています。
特に明記がない限 り 、 表 35 で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度 と
VDD 供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。
I/O AC 特性(1)
表 35.
MODEx[1:0]
bit 値 (1)
記号
パラ メ ー タ
fmax(IO)out 最大周波数(2)
10
tf(IO)out
出力 H から L レ ベル
の立下 り 時間
tr(IO)out
出力 L から H レ ベル
の立上 り 時間
fmax(IO)out 最大周波数 (2)
01
tf(IO)out
出力 H から L レ ベル
の立下 り 時間
tr(IO)out
出力 L から H レ ベル
の立上 り 時間
Fmax(IO)out
11
tf(IO)out
tr(IO)out
-
tEXTIpw
最大周波数 (2)
出力 H から L レ ベル
の立下 り 時間
出力 L から H レ ベル
の立上 り 時間
条件
最
小
値
CL = 50 pF、 VDD = 2 V ～ 3.6 V
最大
値
単位
2
MHz
125(3)
ns
CL = 50 pF、 VDD = 2 V ～ 3.6 V
125(3)
CL = 50 pF、 VDD = 2 V ～ 3.6 V
10
MHz
25(3)
CL = 50 pF、 VDD = 2 V ～ 3.6 V
ns
(3)
25
CL = 30 pF、 VDD = 2.7 V ～ 3.6 V
50
MHz
CL = 50 pF、 VDD = 2.7 V ～ 3.6 V
30
MHz
CL = 50 pF、 VDD = 2 V ～ 2.7 V
20
MHz
CL = 30 pF、 VDD = 2.7 V ～ 3.6 V
5(3)
CL = 50 pF、 VDD = 2.7 V ～ 3.6 V
8(3)
CL = 50 pF、 VDD = 2 V ～ 2.7 V
12(3)
CL = 30 pF、 VDD = 2.7 V ～ 3.6 V
5(3)
CL = 50 pF、 VDD = 2.7 V ～ 3.6 V
8(3)
CL = 50 pF、 VDD = 2 V ～ 2.7 V
12(3)
EXTI コ ン ト ロー ラ に
よ り 外部信号のパル
ス幅を検出
10
ns
ns
1. I/O 速度は MODEx[1:0] bit を使用 し て構成 さ れます。GPIO ポー ト 構成レ ジス タ の詳細については
STM32F10xxx リ フ ァ レ ン ス ・ マニ ュ アルを参照 し て く だ さ い。
2. 最大周波数は図 22 に定義 し ています。
3. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 22.
電気的特性
I/O AC 特性の定義
90%
10%
50%
50%
90%
10%
50pF負荷の
外部出力
tr(IO)out
tr(IO)out
T
50pF負荷の場合(tr + tf) ≦ 2/3)で、
デューティサイクル(45 - 55%) の場合に最大周波数になります。
ai14131
5.3.13
NRST ピ ン特性
NRST ピ ン入力 ド ラ イバには CMOS テ ク ノ ロ ジが使用 さ れます。 その回路はパーマネ ン
ト ・ プルア ッ プ抵抗 RPU に接続 さ れています。 ( 表 33 を参照 )
特に明記がない限 り 表 36 で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度 と VDD
供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。
表 36.
NRST ピ ン特性
記号
パラ メ ー タ
条件
最小値
標準値
最大値
VIL(NRST)(1)
NRST 入力 L レ ベル電圧
– 0.5
0.8
(1)
NRST 入力 H レ ベル電圧
2
VDD+0.5
VIH(NRST)
Vhys(NRST)
ウ ィ ー ク ・ プルア ッ プ等価抵抗(2)
RPU
VF(NRST)
NRST シ ュ ミ ッ ト ト リ ガ電圧
ヒ ステ リ シス
(1)
VNF(NRST)(1)
200
VIN = VSS
30
NRST 入力 フ ィ ル タ ・ パルス
NRST 入力フ ィ ルタ ・ パルスな し
300
40
単位
V
mV
50
kΩ
100
ns
ns
1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
2. プルア ッ プ抵抗はス イ ッ チで切 り 替えがで き る PMOS と 直列に真性抵抗 と し て設計 さ れます。 こ
の PMOS のシ リ ーズ抵抗への関与は最低にする必要があ り ます。 （～ 10％）
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参考資料
電気的特性
図 23.
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
NRST ピ ン保護のための推奨条件
VDD
外部リセット回路(1)
R PU
NRST(2)
内部リセット
フィルタ
0.1 µF
STM32F10xxx
ai14132b
1.
リ セ ッ ト 回路網はデバイ ス を寄生リセットか ら保護 し ます。
2. NRST ピン上のレベルは 表 36 で指定されている VIL(NRST) の最大レベルより下回る必要があります。
その対応をしない場合は、 デバイスへリセットができない場合があります。
5.3.14
TIM タ イ マ特性
表 37 で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、 設計に よ り 保証 さ れています。
入出力オル タ ネー ト 機能特性 （出力比較、 入力キ ャ プ チ ャ、 外部 ク ロ ッ ク、 PWM 出力） に
ついての詳細は、 セ ク シ ョ ン 5.3.12: I/O ポー ト 特性 を参照 し て く だ さ い。
表 37.
記号
tres(TIM)
fEXT
ResTIM
tCOUNTER
tMAX_COUNT
TIMx(1) 特性
パラ メ ー タ
条件
タ イ マ分解能時間
fTIMxCLK = 72 MHz
CH1 から CH4 の タ イ マ外
部 ク ロ ッ ク周波数
fTIMxCLK = 72 MHz
最小値
最大可能カ ウン ト
fTIMxCLK = 72 MHz
fTIMxCLK = 72 MHz
単位
1
tTIMxCLK
13.9
ns
0
fTIMxCLK/2
MHz
0
36
MHz
16
bit
1
65536
tTIMxCLK
0.0139
910
μs
65536 × 65536
tTIMxCLK
59.6
s
タ イ マ分解能
内部 ク ロ ッ クが選択 さ れ
た場合の、 16bit カ ウン タ
ク ロ ッ ク周期
最大値
1. TIMx は TIM2、 TIM3、 TIM4 の参照用 と し て一般的な用語 と し て使用 さ れます。
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
5.3.15
電気的特性
通信イ ン タ フ ェ ース
I2C イ ン タ フ ェ ース特性
特に明記がない限 り 、 表 38 で示 さ れているパ ラ メ ー タ は、 表 8 ま と めた周囲温度、 fPCLK1
周波数、 VDD 供給電圧条件で実行 さ れた テ ス ト に基づいています。
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン I2C イ ン タ フ ェ ースは、 以下の条件で標準的な I2C
通信プ ロ ト コ ルの必要条件を満た し ます。 ： SDA と SCL が配置 さ れた I/O ピ ンは本来の
“オープ ン ・ ド レ イ ン” ではあ り ません。 オープ ン ・ ド レ イ ン と し て構成 さ れる場合、 I/O
ピ ン と VDD の間に接続 し ている PMOS はデ ィ セーブルにな り ますが、 回路 と し ては存在 し
ます。
I2C の特性は、 表 38 に記載 さ れています。 入出力オル タ ネー ト 機能特性 （SDA と SCL） に
ついての詳細は セ ク シ ョ ン 5.3.12: I/O ポー ト 特性 を参照 し て く だ さ い。
表 38.
I2C 特性
標準モー ド I2C(1)
記号
高速モー ド I2C(1)(2)
パラ メ ー タ
単位
最小値
最大値
最小値
最大値
tw(SCLL)
SCL ク ロ ッ ク ・ ロー 時間
4.7
1.3
tw(SCLH)
SCL ク ロ ッ ク ・ ハイ時間
4.0
0.6
tsu(SDA)
SDA セ ッ ト ア ッ プ時間
250
100
th(SDA)
SDA デー タ ・ ホール ド 時間
0(3)
0(4)
900(3)
tr(SDA)
tr(SCL)
SDA と SCL 立上 り 時間
1000
20 + 0.1Cb
300
tf(SDA)
tf(SCL)
SDA と SCL 立下 り 時間
300
th(STA)
START コ ンデ ィ シ ョ ン ・
ホール ド 時間
4.0
tsu(STA)
再 START コ ンデ ィ シ ョ ン ・
セ ッ ト ア ッ プ時間
4.7
0.6
tsu(STO)
STOP コ ンデ ィ シ ョ ン ・
セ ッ ト ア ッ プ時間
4.0
0.6
ms
STOP から START コ ンデ ィ
シ ョ ン時間 （バス フ リ ー）
4.7
1.3
ms
tw(STO:STA)
Cb
μs
ns
300
0.6
μs
各々のバス ラ イ ンの容量性負荷
400
400
pF
1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
2. I2C 標準モー ド の最大周波数にするには、 fPCLK1 を 2 MHz 以上にする必要があ り 、 I2C の高速
モー ド の最大周波数する ためには、 fPCLK1 を 4 MHz 以上にする必要があ り ます。
3. イ ン タ フ ェ ースが SCL 信号のロー ・ ピ リ オ ド を ス ト レ ッ チ し ない場合、 START コ ンデ ィ シ ョ ン
の最大ホール ド 時間を、 こ の時間に合わせる必要があ り ます。
4. デバイ スは SCL の立下 り エ ッ ジの未定義部分にブ リ ッ ジする ために SDA 信号について少な く と
も 300ns のホール ド 時間を内部的に提供 し なければな り ません。
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
I2C バス AC 波形 と 測定回路
図 24.
VDD
4.7kΩ
VDD
4.7kΩ
100Ω
STM32F103xx
SDA
I2C bus
100Ω
SCL
スタート・リピート
スタート
スタート
tsu(STA)
SDA
tf(SDA)
tr(SDA)
th(STA)
tsu(SDA)
tw(SCKL)
th(SDA)
tsu(STA:STO)
STOP
SCL
tr(SCK)
tw(SCKH)
tsu(STO)
tf(SCK)
ai14149b
1. 測定ポ イ ン ト は CMOS レ ベルで行われています ： 0.3VDD 及び 0.7VDD
表 39.
SCL 周波数 (fPCLK1= 36 MHz.、 VDD = 3.3 V)(1)(2)
I2C_CCR 値
fSCL (kHz)
RP = 4.7 kΩ
400
0x801E
300
0x8028
200
0x803C
100
0x00B4
50
0x0168
20
0x0384
2
1. RP = 外部プルア ッ プ抵抗、 fSCL = I C 速度。
2. 200 kHz の速度について、 こ の速度の許容値は± 5％にな り ます。 他の速度については、 その速
度を達成する ための許容値は± 2％にな り ます。 こ の幅は、 ア プ リ ケーシ ョ ンの設計に使われる
外部部品の精度に依存 し ます。
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製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
電気的特性
SPI イ ン タ フ ェ ース特性
特に明記がない限 り 、 表 40 で示 さ れてい るパ ラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度、
fPCLKx 周波数、 VDD 供給電圧条件で実行 さ れた テ ス ト に基づいています。
入力 / 出力オル タ ネー ト 機能特性 (NSS、 SCK、 MOSI、 MISO) について、 よ り 詳細な説明
は、 セ ク シ ョ ン 5.3.12: I/O ポー ト 特性 を参照 し て く だ さ い。
表 40.
記号
fSCK
1/tc(SCK)
SPI 特性(1)
パラ メ ー タ
条件
SPI ク ロ ッ ク周波数
最小値
最大値
マス タ ・ モー ド
0
18
ス レーブ ・ モー ド
0
18
SPI ク ロ ッ ク立上 り 、
立下 り 時間
容量性負荷 ： C = 30 pF
tsu(NSS)(2)
NSS セ ッ ト ア ッ プ時間
ス レーブ ・ モー ド
4 tPCLK
th(NSS)(2)
NSS ホール ド 時間
ス レーブ ・ モー ド
73
SCK ハイ及びロー時間
マス タ ・ モー ド 、 fPCLK = 36
MHz、 presc = 4
50
tr(SCK)
tf(SCK)
tw(SCKH)(2)
tw(SCKL)(2)
tsu(MI) (2)
デー タ 入力セ ッ ト ア ッ プ SPI1
時間
SPI2
マス タ ・ モー ド
tsu(SI)(2)
デー タ 入力セ ッ ト ア ッ プ
時間
ス レーブ ・ モー ド
th(MI) (2)
デー タ 入力ホール ド 時間 SPI1
マス タ ・ モー ド
SPI2
th(SI)(2)
デー タ 入力ホール ド 時間
ス レーブ ・ モー ド
ta(SO)(2)(3)
デー タ 出力ア ク セス時間
60
1
5
1
1
5
ns
3
ス レーブ ・ モー ド 、 fPCLK = 36
MHz、 presc = 4
0
55
ス レーブ ・ モー ド 、 fPCLK = 24
MHz
0
4 tPCLK
デー タ 出力デ ィ セーブル
ス レーブ ・ モー ド
時間
tv(SO) (2)(1)
デー タ 出力有効時間
ス レーブ ・ モー ド
( イ ネーブル ・ エ ッ ジ後）
25
tv(MO)(2)(1)
デー タ 出力有効時間
マス タ ・ モー ド
（イ ネーブル ・ エ ッ ジ後）
3
デー タ 出力ホール ド 時間
th(MO)(2)
MHz
8
tdis(SO)(2)(4)
th(SO)(2)
単位
10
ス レーブ ・ モー ド
( イ ネーブル ・ エ ッ ジ後）
25
マス タ ・ モー ド
（イ ネーブル ・ エ ッ ジ後）
4
1. SPI1 特性の再配置は TBD にな り ます。
2.
特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
3. 最小時間は出力を駆動する ための最小時間で、 最大時間はデー タ を確認する ための最大時間にな
り ます。
4. 最小時間は出力を無効にする ための最小時間で最大時間はデー タ をハイ ・ イ ン ピーダ ン スにする
最大時間です。
図 25.
SPI タ イ ミ ン グ図 - ス レ ーブ ・ モー ド と CPHA = 0
NSS 入力
tc(SCK)
th(NSS)
SCK 入力
tSU(NSS)
CPHA=0
CPOL=0
tw(SCKH)
tw(SCKL)
CPHA=0
CPOL=1
tv(SO)
ta(SO)
MISO
MSBOUT
出力
tr(SCK)
tf(SCK)
th(SO)
BIT6OUT
tdis(SO)
LSBOUT
tsu(SI)
MOSI
MSBIN
入力
LSBIN
BIT1IN
th(SI)
ai14134c
SPI タ イ ミ ン グ図 - ス レ ーブ ・ モー ド と CPHA = 1(1)
図 26.
NSS 入力
SCK 入力
tSU(NSS)
CPHA=1
CPOL=0
CPHA=1
CPOL=1
tc(SCK)
tw(SCKH)
tw(SCKL)
tv(SO)
ta(SO)
MISO
tsu(SI)
入力
th(SO)
MSBOUT
出力
MOSI
th(NSS)
tr(SCK)
tf(SCK)
BIT6OUT
tdis(SO)
LSBOUT
th(SI)
MSBIN
BIT1IN
LSBIN
ai14135
1.
測定ポ イ ン ト は CMOS レ ベルで行われています。 ： 0.3VDD 及び 0.7VDD
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
電気的特性
SPI タ イ ミ ン グ図 - マス タ ・ モー ド (1)
図 27.
High
NSS 入力
SCK 入力
SCK 入力
tc(SCK)
CPHA=0
CPOL=0
CPHA=0
CPOL=1
CPHA=1
CPOL=0
CPHA=1
CPOL=1
tsu(MI)
MISO
tw(SCKH)
tw(SCKL)
tr(SCK)
tf(SCK)
MSBIN
入力
BIT6 IN
LSB IN
th(MI)
MOSI
MSB OUT
出力
BIT1 OUT
tv(MO)
LSB OUT
th(MO)
ai14136
1. 測定ポ イ ン ト は CMOS レ ベルで行われています。 ： 0.3VDD 及び 0.7VDD
USB 特性
USB イ ン タ フ ェ ースは USB-IF 準拠 ( フルス ピー ド ) にな り ます。
表 41.
USB ス タ ー ト ア ッ プ時間
記号
tSTARTUP(1)
パラ メ ー タ
USB 転送ス タ ー ト ・ ア ッ プ時間
最大値
単位
1
μs
1. 設計によ り 保証 さ れて る ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
表 42.
USB DC 電気特性
記号
パラ メ ー タ
条件
最小値(1)
最大値 (1)
単位
3.0(3)
3.6
V
入力レ ベル
VDD
USB 動作電圧(2)
VDI(4)
差動入力感度
VCM(4)
差動 コ モ ン ・ モー ド 範囲
VSE(4)
シ ングルエ ン ド 受信ス レ シ ョ ル
ド
I(USBDP、 USBDM)
0.2
VDI 範囲含む
0.8
2.5
1.3
2.0
V
出力レ ベル
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参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 42.
USB DC 電気特性
記号
VOL
VOH
（続き）
パラ メ ー タ
最小値(1)
条件
最大値 (1)
RL 1.5 kΩ ～ 3.6 V(5)
ス タ テ ィ ッ ク出力レ ベル L
ス タ テ ィ ッ ク出力レ ベル H
RL 15 kΩ ～
単位
0.3
VSS(5)
2.8
V
3.6
1. 全ての電圧は、 ロー カル ・ グ ラ ン ド ・ ポテ ン シ ャルからの測定です。
2. USB 2.0 フルス ピー ド の電気仕様に準拠する ために、 USBDP （D+） ピ ンは、 3.0 ～ 3.6V の電圧範
囲に、 1.5kΩ の抵抗で プルア ッ プする必要があ り ます。
3. STM32F103xx の USB 機能は 2.7V ま では確実に動作 し ますが、 2.7 ～ 3.0V の VDD 電圧の範囲で低
下する完全な USB 電気特性にはな り ません。
4. 設計によ り 保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
5. RL は USB ド ラ イバ上に接続 さ れる負荷にな り ます。
図 28.
USB タ イ ミ ン グ ： デー タ 信号の立上が り と 立下 り 時間の定義
クロスオーバ
ポイント
ディファレンシャル
データ・ライン
VCRS
VSS
表 43.
tr
tf
ai14137
USB: フ ルス ピー ド 電気的特性(1)
記号
パラ メ ー タ
条件
最小値
最大値
単位
ド ラ イバ特性
tr
立上 り 時間(2)
CL = 50 pF
4
20
ns
tf
立下 り 時間 (2)
CL = 50 pF
4
20
ns
tr/tf
90
110
%
1.3
2.0
V
trfm
VCRS
立上 り / 立下 り 時間マ ッ チ ン グ
出力信号ク ロ スオーバ電圧
1. 設計によ り 保証 さ れています。 生産時にはテ ス ト さ れません。
2. デー タ 信号の 10％～ 90％で測定 し ています。 さ ら に詳細に関 し ては USB Specification - Chapter
7 (version 2.0) を参照 し て く だ さ い。
5.3.16
CAN (controller area network) イ ン タ フ ェ ース
入力 / 出力オル タ ネー ト 機能の特性 （CANTX と CANRX） についての さ ら に詳 し い説明に
ついては、 セ ク シ ョ ン 5.3.12: I/O ポー ト 特性 を参照 し て く だ さ い。
5.3.17
12bit ADC 特性
特に明記がない限 り 、 表 44 で示 さ れているパラ メ ー タ は、 表 8 で ま と めた周囲温度、
fPCLK2 周波数 と VDDA 供給電圧条件で実行 さ れたテ ス ト に基づいています。
注意
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それぞれの電源投入後に較正を行 う こ と が推奨 さ れます。
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 44.
電気的特性
ADC 特性
記号
パラ メ ー タ
条件
最小値
VDDA
電源供給
2.4
VREF+
ポジ テ ィ ブ基準電圧
2.4
IVREF
VREF 入力ピ ン電流
fADC
ADC ク ロ ッ ク周波数
fS(2)
サン プ リ ング ・ レー ト
fTRIG(2)
VAIN
外部 ト リ ガ周波数
標準値
160
(1)
単位
3.6
V
VDDA
V
(1)
220
μA
0.6
14
MHz
0.05
1
MHz
823
kHz
17
1/fADC
VREF+
V
fADC = 14 MHz
0 (VSSA も し く は
VREF- を GND に
接続）
変換電圧範囲(3)
最大値
RAIN(2)
外部入力イ ン ピーダ ン ス
RADC(2)
サン プ リ ング ・ ス イ ッ チ抵抗
1
kΩ
CADC(2)
内部サン プル と ホール ド 負荷容量
12
pF
tCAL(2)
較正時間
tlat(2)
供給 ト リ ガ変換遅延
tlatr(2)
レギ ュ ラ ・ ト リ ガ変換遅延
tS(2)
tSTAB(2)
tCONV(2)
サン プ リ ング時間
式 1 と 表 45 を参照
fADC = 14 MHz
5.9
μs
83
1/fADC
fADC = 14 MHz
fADC = 14 MHz
0.214
μs
3(4)
1/fADC
0.143
μs
(4)
2
fADC = 14 MHz
パワー ・ ア ッ プ時間
すべての変換時間
kΩ
0.107
17.1
μs
1.5
239.5
1/fADC
1
μs
18
μs
0
fADC = 14 MHz
0
1
14 ～ 252 （サン プ リ ン グ時間 tS
+12.5 で近似 さ れる）
（サン プ リ ング時間含む）
1/fADC
1/fADC
1. 特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
2. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
3. パ ッ ケージによ り VREF+ は VDDA へ内部的に接続する こ と がで き、 VREF- は VSSA へ内部的に接続する こ と がで き
ます。 詳細については セ ク シ ョ ン 3: ピ ンの詳細 を参照 し て く だ さ い。
4. 外部 ト リ ガについて、 1/fPCLK2 の遅延は 表 44 で指定 さ れる遅延に加え る必要があ り ます。
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
式 1: RAIN 最大値 公式
TS
R AIN < ------------------------------------------------------------- – R ADC
N+2
f ADC × C ADC × ln ( 2
)
上記の （式 1） 公式は、 LSB の 1/4 の以下でのエ ラ ーについて許 さ れる最大外部イ ン ピーダ ン ス を決
めるのに使用 さ れます。 こ こ で N = 12 にな り ます。 (12bit 解像度よ り )
表 45.
fADC = 14 MHz(1) の RAIN 最大値
Ts ( サイ ク ル )
tS (μs)
RAIN 最大値 (kΩ）
1.5
0.11
1.2
7.5
0.54
10
13.5
0.96
19
28.5
2.04
41
41.5
2.96
60
55.5
3.96
80
71.5
5.11
104
239.5
17.1
350
1. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
表 46.
記号
ADC 精度 - 限定テ ス ト 条件(1) (2)
パラ メ ー タ
ET
全未調整エ ラ ー
EO
オフセ ッ ト エ ラー
EG
ゲイ ンエ ラー
ED
微分直線性エ ラ ー
EL
積分直線性エ ラ ー
テ ス ト 条件
標準値
最大値(3)
fPCLK2 = 56 MHz、
fADC = 14 MHz、 RAIN < 10 kΩ、
VDDA = 3 V ～ 3.6 V
TA = +25 ℃
測定は ADC 較正後
VREF+ = VDDA
± 1.3
±2
±1
± 1.5
± 0.5
± 1.5
± 0.7
±1
± 0.8
± 1.5
単位
LSB
1. ADC DC 精度値は内部較正後に測定 さ れています。
2. ADC 精度 vs 流出電流 ： 標準 (non-robust) アナログ入力ピ ンへの負電流の供給は別のアナログ入力
で実行 さ れている転換の精度を大き く 落 と すために避けなければな り ません。 そのため、 負電流
の供給をする ために、 シ ョ ッ ト キー ・ ダ イ オー ド （ピ ンから GND） を標準アナログピ ンへ接続
する こ と が推奨 さ れています。
セ ク シ ョ ン 5.3.12 の IINJ(PIN) と ΣIINJ(PIN) について特定の範囲内での流入電流電流は ADC 精度に
影響を及ぼす こ と はあ り ません。
3.
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特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
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ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
電気的特性
ADC 精度(1) (2) (3)
表 47.
記号
パラ メ ー タ
ET
全未調整エ ラ ー
EO
オフセ ッ ト エ ラー
EG
ゲイ ンエ ラー
ED
微分直線性エ ラ ー
EL
積分直線性エ ラ ー
テ ス ト 条件
標準値
最大値(4)
±2
±5
± 1.5
± 2.5
± 1.5
±3
±1
±2
± 1.5
±3
fPCLK2 = 56 MHz、
fADC = 14 MHz、 RAIN < 10 kΩ
VDDA = 2.4 V ～ 3.6 V
測定は ADC 較正後
単位
LSB
1. ADC DC 精度値は内部較正後に測定 さ れています。
2. よ り 良い性能は、 制限 さ れた VDD、 周波数、 VREF 及び温度範囲で達成する こ と がで き ます。
3. ADC 精度 vs 流出電流 ： 標準 (non-robust) アナログ入力ピ ンへの負電流の供給は別のアナログ入
力で実行 さ れている転換の精度を大き く 落 と すために避けなければな り ません。 そのため、 負電
流の供給をする ために、 シ ョ ッ ト キー ・ ダ イ オー ド （ピ ンから GND） を標準アナログピ ンへ接
続する こ と が推奨 さ れています。
セ ク シ ョ ン 5.3.12 の IINJ(PIN) と ΣIINJ(PIN) について特定の範囲内での流入電流は ADC 精度に影響
を及ぼす こ と はあ り ません。
4.
特性を基本 と し ている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
図 29.
ADC 精度特性
[1LSB
IDEAL =
VREF+
4096
（パッケージによっては
VDDA
）
］
4096
EG
4095
4094
（1）
実転送曲線例
（2）
理想転送曲線
（3）
エンドポイント相関ライン
4093
(2)
(1)
6
4
EO = オフセットエラー
(3)
7
5
EO
EL
3
実際の変換カーブと理想変換
カーブ間の最大偏差
最初の実際トランジッションと
理想トランジッション間の偏差
理想トランジッションと最後の実際
EG = ゲインエラー
のトランジッション間の偏差
ED = 微分直線性エラー 実際のステップと理想ステップ間
の最大偏差
EL = 積分直線性エラー 実際の変換とエンドポイント相関
ライン間の最大偏差
ET = 全未調整エラー
ET
ED
2
1 LS B IDE AL
1
0
1
V SS A
2
3
4
5
6
7
4093 4094 4095 4096
V DDA
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ai14395b
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参考資料
電気的特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 30.
ADC を使用する一般的な接続図
VDD
RAIN(1)
VAIN
STM32F103xx
サンプル＆ホールドADC
コンバータ
RADC(1)
12bit
VT
0.6 V
AINx
Cparasitic
VT
0.6 V
コンバータ
IL±1 µA
CADC(1)
ai14150c
1. RAIN、 RADC 、 CADC の値については表 44 を参照 し て く だ さ い。
2. CPARASITIC は PCB の容量 （ハン ダ付け と PCB レ イ アウ ト の品質に依存） にパ ッ ド ・ キ ャ パシ タ
ン ス ( 約 7 pF) を加えた容量を意味 し ています。 高い CPARASITIC の値は、 変換精度の性能を下げ
る こ と にな り ます。 こ れを是正する ために、 fADC を低減する必要があ り ます。
一般的な PCB 設計ガ イ ド ラ イ ン
電力供給のデ カ ッ プ リ ン グは、 図 31 も し く は図 32 で示すよ う に行わなければな り ませ
ん。 こ れは VREF+ が VDDA に接続 し てい るか、 接続 し ていないかに よ り ます。 10 nF のキ ャ
パシ タ は、 セ ラ ミ ッ ク （高品質） に し なければな り ません。 こ れ らは、 で き る限 り チ ッ プ
の近 く に配置 し なければな り ません。
図 31.
電源供給 と デ カ ッ プ リ ン グ （VREF+ を VDDA への接続な し )
STM32F103xx
VREF+
(注１を参照）
1 µF // 10 nF
VDDA
1 µF // 10 nF
VSSA /VREF–
(注１を参照)
ai14388b
1. VREF+ 及び VREF- の入力は 100 ピ ン ・ パ ッ ケージのみ対応 し ています。
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 32.
電気的特性
電源供給 と デ カ ッ プ リ ン グ （VREF+ を VDDA へ接続）
STM32F103xx
VREF+/VDDA
(注1を参照)
1 µF // 10 nF
VREF–/VSSA
(注1を参照)
ai14389
1.
5.3.18
VREF+ 及び VREF- の入力は 100 ピ ン ・ パ ッ ケージのみ対応 し ています。
温度セ ンサ特性
表 48.
TS 特性
記号
パラ メ ー タ
TL(1)
温度によ る VSENSE 直線性
Avg_Slope(1)
V25(1)
tSTART(2)
TS_temp(3) (2)
最小値
標準値
最大値
単位
±1
±2
℃
平均傾斜
4.0
4.3
4.6
mV/ ℃
+25 ℃での電圧
1.34
1.43
1.52
V
10
μs
17.1
μs
ス タ ー ト ア ッ プ時間
温度読込み時の ADC サン プ リ ング時間
4
1. 特性で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
2. 設計で保証 さ れている ため、 生産時はテ ス ト を行いません。
3. 最短サン プ リ ン グ時間は、 複数回の繰 り 返 し によ り ア プ リ ケーシ ョ ン で決める こ と がで き ます。
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参考資料
パ ッ ケージ特性
6
パ ッ ケージ特性
6.1
パ ッ ケージ ・ デー タ
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
環境要件に適合 さ せる ために 、 ST は ECOPACK ® パ ッ ケージ で STM32F103xx を提供 し ま
す。 こ れ らのパ ッ ケージは、 鉛 フ リ ーのセ カ ン ド レ ベル ・ イ ン タ ー コ ネ ク ト にな り ます。
JEDEC Standard JESD97JEDEC Standard JESD97 に従い、 セ カ ン ド レ ベルのイ ン タ ー コ ネ
ク ト のカ テ ゴ リ ーはパ ッ ケージや内部のボ ッ ク ス ラ ベルに記載 さ れています。
また、 ハン ダ付けの条件に関 し ての最大定格は梱包内部のボ ッ ク ス ラ ベルに記載 さ れてい
ます。
ECOPACK は ST の登録商標です。 ECOPACK の仕様は、 www.st.com か ら 入手する こ と がで
き ます。
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 33.
パ ッ ケージ特性
VFQFPN36 6 x 6 mm、 0.5 mm ピ ッ チ、　パ ッ ケージ外形寸法 (1)
推奨 フ ッ ト プ リ ン ト (1)(2)(3)
図 34.
Seating plane
C
ddd
C
1.00
4.30
A2 A
27
19
A1
A3
E2
28
18
b
27
19
0.50
4.10
18
28
4.30
4.10
4.80
4.80
e
D2
D
36
10
9
1
36
0.75
0.30
10
6.30
ai14870b
Pin # 1 ID
R = 0.20
1
9
L
E
ZR_ME
1. こ の図は実際のスケールではあ り ません。
2. バ ッ クサイ ド パ ッ ド は、 VSS または VDD 電源パ ッ ド に内部的に接続 し ていません。
3. 露出 し たダ イパ ッ ド が、 VFQFPN パ ッ ケージの下面にあ り ます。 その部分は PCB にハン ダ付け さ れなければな
り ません。 全ての読込みは、 PCB にハン ダ付けする必要があ り ます。
表 49.
VFQFPN36 6 x 6 mm、 0.5 mm ピ ッ チ、 パ ッ ケージ外形寸法デー タ
イ ン チ （inches）(1)
ミ リ メ ー タ （mm）
記号
最小値
標準値
最大値
最小値
標準値
最大値
0.800
0.900
1.000
0.0315
0.0354
0.0394
A1
0.020
0.050
0.0008
0.0020
A2
0.650
1.000
0.0256
0.0394
A3
0.250
A
0.0098
b
0.180
0.230
0.300
0.0071
0.0091
0.0118
D
5.875
6.000
6.125
0.2313
0.2362
0.2411
D2
1.750
3.700
4.250
0.0689
0.1457
0.1673
E
5.875
6.000
6.125
0.2313
0.2362
0.2411
E2
1.750
3.700
4.250
0.0689
0.1457
0.1673
e
0.450
0.500
0.550
0.0177
0.0197
0.0217
L
0.350
0.550
0.750
0.0138
0.0217
0.0295
ddd
0.080
0.0031
1. イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。
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参考資料
パ ッ ケージ特性
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 35.
LFBGA100 - low profile fine pitch ball grid array パ ッ ケージ外形寸法
C
シートプレーン
ddd C
A2 A4 A3
A1
A
D
B
D1
F
e
A
K
J
H
G
F
E
D
C
B
A
F
E1
E
e
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A1 コーナはインデックスエリア
(注5を参照)
∅b(100 ボール)
∅eee
∅
M C A B
fff M C
Bottom view
ai14396
1. こ の図は実際のスケールではあ り ません。
表 50.
LFBGA100 - low profile fine pitch ball grid array パ ッ ケージ外形寸法デー タ
イ ン チ （inch）(1)
ミ リ メ ー タ （mm）
記号
最小値
標準値
最大値
A
A1
最小値
標準値
1.700
最大値
0.0669
0.270
0.0106
A2
1.085
0.0427
A3
0.30
0.0118
A4
0.80
0.0315
b
0.45
0.50
0.55
0.0177
0.0197
0.0217
D
9.85
10.00
10.15
0.3878
0.3937
0.3996
D1
E
7.20
9.85
10.00
0.2835
10.15
0.3878
0.3937
E1
7.20
0.2835
e
0.80
0.0315
F
1.40
0.0551
0.3996
ddd
0.12
0.0047
eee
0.15
0.0059
fff
0.08
0.0031
N ( ボール数 )
100
1. イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 36.
パ ッ ケージ特性
推奨 PCB 設計ルール (0.80/0.75 mm ピ ッ チ BGA)
Dpad
0.37 mm
標準値 0.52 mm （ハン ダ ・ マス ク と
Dsm
レ ジス ト の誤差によ る）
Solder paste
0.37 mm アパチ ャ ー径
– ハン ダ ・ マス ク 外の奨励 さ れるパ ッ ド
– 4 ～ 6 ミ ル （mil） のス ク リ ーン ・ プ リ ン ト
Dpad
Dsm
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参考資料
パ ッ ケージ特性
図 37.
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
推奨 フ ッ ト プ リ ン ト (1)(2)
LQFP100、 100 ピ ン low-profile quad flat 図 38.
パ ッ ケージ外形寸法(1)
0.25 mm
0.10 inch
GAGE PL
ANE
75
k
51
D
L
D1
76
50
0.5
L1
D3
51
75
C
0.3
76
50
16.7
14.3
b
E3 E1 E
100
26
1.2
1
100
Pin 1
identification
25
26
1
12.3
25
C
ccc
16.7
e
A1
ai14906
A2
A
SEATING PL
ANE
C
1L_ME
1.
こ の図は実際のスケールではあ り ません。
2.
図は ミ リ メ ー タ の表示にな り ます。
表 51.
LQPF100、 100 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ
イ ン チ (inch）(1)
ミ リ メ ー タ （mm）
記号
標準値
最小値
A
標準値
最小値
1.6
A1
0.05
0.15
最大値
0.063
0.002
0.0059
A2
1.4
1.35
1.45
0.0551
0.0531
0.0571
b
0.22
0.17
0.27
0.0087
0.0067
0.0106
0.09
0.2
0.0035
0.0079
c
D
16
15.8
16.2
0.6299
0.622
0.6378
D1
14
13.8
14.2
0.5512
0.5433
0.5591
D3
12
E
16
15.8
16.2
0.6299
0.622
0.6378
E1
14
13.8
14.2
0.5512
0.5433
0.5591
E3
12
0.4724
e
0.5
0.0197
L
0.6
0.0177
0.0295
L1
1
k
3.5°
0.0°
7.0°
ccc
1.
最大値
0.4724
0.45
0.75
0.0236
0.0394
0.0°
7.0°
3.5°
0.08
0.0031
イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 こ の資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
図 39.
パ ッ ケージ特性
推奨 フ ッ ト プ リ ン ト (1)(1)
LQFP64、 64 ピ ン low-profile quad flat 図 40.
パ ッ ケージ外形寸法
A
A2
48
33
A1
0.3
49
E
32
0.5
b
E1
12.7
10.3
10.3
e
64
17
1.2
1
16
7.8
D1
c
12.7
L1
D
ai14909
L
ai14398b
1. 図は ミ リ メ ー タ の表示にな り ます。
表 52.
LQFP64、 64 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ
イ ン チ (inch）(1)
ミ リ メ ー タ （mm）
Dim.
最小値
標準値
A
最大値
最小値
標準値
1.60
A1
0.05
A2
1.35
b
0.17
c
0.09
最大値
0.0630
0.15
0.0020
0.0059
1.40
1.45
0.0531
0.0551
0.0571
0.22
0.27
0.0067
0.0087
0.0106
0.20
0.0035
0.0079
D
12.00
0.4724
D1
10.00
0.3937
E
12.00
0.4724
E1
10.00
0.3937
e
0.50
0.0197
q
0°
3.5°
7°
0°
3.5°
7°
L
0.45
0.60
0.75
0.0177
0.0236
0.0295
L1
N
1.00
0.0394
ピ ン数
64
1. イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。
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ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
パ ッ ケージ特性
図 41.
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
LQFP48、 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ (1)
推奨 フ ッ ト プ リ ン (1)(2)
図 42.
Seating plane
C
A A2
A1
c
b
ccc
0.50
0.25 mm
Gage plane
C
1.20
D
36
0.30
25
37
D1
24
k
D3
A1
L
25
36
9.70
0.20
7.30
5.80
L1
7.30
24
37
48
13
12
1
1.20
5.80
E3 E1
E
9.70
ai14911b
48
Pin 1
identification
13
1
12
5B_ME
1.
こ の図は実際のスケールではあ り ません。
2. 図は ミ リ メ ー タ の表示にな り ます。
表 53.
LQFP48、 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法デー タ
イ ン チ (inch）(1)
ミ リ メ ー タ (mm）
記号
標準値
最小値
A
標準値
最小値
1.600
A1
最大値
0.0630
0.050
0.150
0.0020
0.0059
A2
1.400
1.350
1.450
0.0551
0.0531
0.0571
b
0.220
0.170
0.270
0.0087
0.0067
0.0106
0.090
0.200
0.0035
0.0079
c
D
9.000
8.800
9.200
0.3543
0.3465
0.3622
D1
7.000
6.800
7.200
0.2756
0.2677
0.2835
D3
5.500
E
9.000
8.800
9.200
0.3543
0.3465
0.3622
E1
7.000
6.800
7.200
0.2756
0.2677
0.2835
E3
5.500
0.2165
e
0.500
0.0197
L
0.600
0.0177
0.0295
L1
1.000
k
3.5°
0°
7°
ccc
1.
最大値
0.2165
0.450
0.750
0.0236
0.0394
0°
7°
3.5°
0.080
0.0031
イ ン チの値は ミ リ メ ー タ か らの変換で小数点第 4 位で繰 り 上げ し ています。
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
6.2
パ ッ ケージ特性
熱特性
チ ッ プの最大ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 (TJmax) は表 8: 一般的な動作条件 （32 ページ） で示 さ れ
てい る値を絶対に超え ないよ う に し なければな り ません。
チ ッ プの最大ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 TJ max は摂氏で示 さ れ、 以下の式を使 っ て計算する こ
と がで き ます。
TJ max = TA max + (PD max × ΘJA)
詳細内容 ：
TA 最大値は最大周囲温度で、 ℃で表 さ れます。
●
ΘJA はパ ッ ケージ ・ ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 と 周囲温度の熱抵抗で℃ /W で表 さ れます。
●
PD max は PINT max と PI/O max の合計値にな り ます。 (PD max = PINT max + PI/Omax)
●
PINT max は IDD と VDD の積にな り 、 ワ ッ ト （W） で表 し チ ッ プ内の電力にな り ます。
●
PI/O max 出力ピ ンの最大電力損出を表 し ます ：
PI/O max = ∑ (VOL × IOL) + ∑ ((VDD – VOH) × IOH)、
ア プ リ ケーシ ョ ン での低も し く は高レ ベルにおいての I/O は実際の VOL / IOL 及び VOH /
IOH を考慮 し なければな り ません。
表 54.
熱特性
記号
ΘJA
6.2.1
パラ メ ー タ
値
接合部－周囲温度間熱抵抗
LFBGA100 - 10 x 10 mm / 0.5 mm ピ ッ チ
41
接合部－周囲温度間熱抵抗
LQFP100 - 14 x 14 mm / 0.5 mm ピ ッ チ
46
接合部－周囲温度間熱抵抗
LQFP64 - 10 x 10 mm / 0.5 mm ピ ッ チ
45
接合部－周囲温度間熱抵抗
LQFP48 - 7 x 7 mm / 0.5 mm ピ ッ チ
55
接合部－周囲温度間熱抵抗
VFQFPN 36 - 6 x 6 mm / 0.5 mm ピ ッ チ
18
単位
℃ /W
参考 ド キ ュ メ ン ト
JESD51-2 Integrated Circuits Thermal Test Method Environment Conditions - Natural
Convection (Still Air). こ の ド キ ュ メ ン ト については www.jedec.org か ら入手する こ と がで き
ます。
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報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
パ ッ ケージ特性
6.2.2
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
温度範囲対応製品の選択
マ イ ク ロ コ ン ト ロー ラ を注文する場合、 温度範囲は表 55: 注文コ ー ド で指定する こ と がで
き ます。
それぞれの温度範囲サ フ ィ ッ ク スは最大消費電力に特定の保証 さ れた周囲温度に対応 し 、
また特定の最大ジ ャ ン ク シ ョ ン温度に も 対応 し ます。 .
ア プ リ ケーシ ョ ンが STM32F103xx の最大電力消費を一般的に使用 し ないよ う にする ため、
ア プ リ ケーシ ョ ン に最適な温度範囲を決めるのに正確な消費電力 と ジ ャ ン ク シ ョ ン温度を
計算するのに役立ち ます。
以下の例は、 提供 さ れたア プ リ ケーシ ョ ン について必要 と さ れる温度範囲を計算する方法
を示 し ています。
例 １ ： 高性能ア プ リ ケーシ ョ ン
以下のア プ リ ケーシ ョ ン を条件 と し ます。 ：
最大周囲温度 TAmax = 82 ℃ (JESD51-2 により測定 )、 IDDmax = 50 mA、 VDD = 3.5 V、 IOL
= 8 mA、 VOL= 0.4 V でロー ・ レベルにおいて出力を同時に最大 20 個の I/O を使用、 IOL =
20 mA、 VOL= 1.3 V でロー ・ レベルにおいて出力を同時に最大 8 個の I/O を使用します。
PINTmax = 50 mA × 3.5 V= 175 mW
PIOmax = 20 × 8 mA × 0.4 V + 8 × 20 mA × 1.3 V = 272 mW
こ れに よ り ： PINTmax = 175 mW and PIOmax = 272 mW:
PDmax = 175 + 272 = 447 mW
その結果 ： PDmax = 464 mW
表 54 の TJmax の値を使用する こ と に よ り 以下のよ う に計算で き ます。 ：
–
For LQFP100、 46 ℃ /W
TJmax = 82 ℃ + (46 ℃ /W × 447 mW) = 82 ℃ + 20.6 ℃ = 102.6 ℃
こ れはサ フ ィ ッ ク ス 6 バージ ョ ン パーツの範囲内にな り ます。 ( – 40 < TJ < 105 ℃ )
この場合、 パーツは温度範囲サフィックス 6 を注文して下さい。 ( 表 55: 注文コ ー ド を参照 )
例 2 ： 高温時のア プ リ ケーシ ョ ン
同 じ 規則を使用 し て、 ジ ャ ン ク シ ョ ン温度 T が指定 さ れた範囲にあ る限 り 、 低電力で高い
周囲温度で動作する ア プ リ ケーシ ョ ン に対応する こ と が出来ます。
以下のア プ リ ケーシ ョ ン を条件 と し ます。 ：
最大周囲温度 TAmax = 115 ℃ (JESD51-2 に よ り 測定 )、 IDDmax = 20 mA、VDD = 3.5 V、 IOL
= 8 mA、 VOL= 0.4 V での Low レ ベルにおいて出力を同時に最大 20 個の I/O を使用、
PINTmax = 20 mA × 3.5 V= 70 mW
PIOmax = 20 × 8 mA × 0.4 V = 64 mW
こ れに よ り ： PINTmax = 70 mW and PIOmax = 64 mW:
PDmax = 70 + 64 = 134 mW
その結果 ： PDmax = 134 mW
表 54 の TJmax の値を使用する こ と に よ り 以下のよ う に計算で き ます。 ：
–
LQFP100、 46 ℃ /W について
TJmax = 115 ℃ + (46 ℃ /W × 134 mW) = 115 ℃ + 6.2 ℃ = 121.2 ℃
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
パ ッ ケージ特性
こ れはサ フ ィ ッ ク ス 7 バージ ョ ン パーツの範囲内にな り ます。 ( – 40 < TJ < 125 ℃ )
こ の場合、 パーツは温度範囲サ フ ィ ッ ク ス 7 を注文注文 し て下 さ い。 ( 表 55: 注文 コ ー ド を
参照 )
図 43.
LQFP100 PD 最大値 対 TA
700
PD (mW)
600
500
400
Suffix 6
Suffix 7
300
200
100
0
65
75
85
95
105
115
125
135
TA (°C)
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参考資料
注文 コ ー ド
7
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
注文 コ ー ド
表 55.
注文 コ ー ド
例：
STM32
F 103 C 6
T
7
xxx
デバイ ス フ ァ ミ リ 名
STM32 = ARM ベース 32bit マ イ ク ロ コ ン ト ロー ラ
製品 タ イ プ
F = 汎用
デバイ ス サブ フ ァ ミ リ 名
103 = パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン
ピ ン数
T = 36 ピ ン
C = 48 ピ ン
R = 64 ピ ン
V = 100 ピ ン
Flash メ モ リ サイ ズ
6 = 32 Kbytes の Flash メ モ リ
8 = 64 Kbytes の Flash メ モ リ
B = 128 Kbytes の Flash メ モ リ
パ ッ ケージ
H = BGA
T = LQFP
U = VFQFPN
温度範囲
6 = イ ン ダス ト リ アル温度範囲、 -40 ～ +85 ℃
7 = イ ン ダス ト リ アル温度範囲、 -40 ～ +105 ℃
オプ シ ョ ン
xxx = プ ログ ラ ミ ング済み製品
TR = テープ及び リ ール
オプ シ ョ ン （速度、 パ ッ ケージ、 その他） の リ ス ト やこ のデバイ スに関する詳 し い情報については、
お近 く の ST セールスオ フ ィ スに連絡 し て く だ さ い。
7.1
フ ァ ミ リ 製品の展開
STM32F103xx パ フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ンの今後の開発は大き な メ モ リ ・ サイ ズを必要 と し な
いア プ リ ケーシ ョ ン用に よ り 小 さ なサイ ズの Flash メ モ リ と SRAM を内蔵 し たデバイ スに
な り ます。
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
8
変更履歴
変更履歴
本書は、 「STM32F103x6/STM32F103x8/STM32F103xB Rev 8 （2008 年 7 月発行）」 を日本語
に翻訳 し た も のです。 次の表に本デー タ シー ト の改版履歴を示 し ます。
表 56.
ド キ ュ メ ン ト 改版履歴
日付
版
2007 年 6 月 1 日
1
変更点
初版
注 6、 注 4、 注 7、 注 8 の Flash メ モ リ のサイ ズを変更 と 表 4: ピ ン
の定義へ BGA100 ピ ン を追加。 図 3: STM32F103xx パフ ォ ーマ ン
ス ・ ラ イ ン BGA100 ボール配置 を追加。
図 19: 低速外部ク ロ ッ ク ・ ソ ース AC タ イ ミ ング図の THSE を TLSE
へ変更。 電源供給の VBAT 範囲を更新。
表 21: HSE 4 ～ 16 MHz オシ レー タ 特性の tSU(LSE) を tSU(HSE) へ変
更。 表 23: HSI オシ レー タ 特性の IDD(HSI) 最大値を追加。
静電気放電 （ESD:Electrostatic discharge） のサン プル数を更新 し 、
2007 年 7 月 20 日
2
マシーン ・ モデルを削除。
静的ラ ッ チア ッ プ のパーツ数を更新 し 、 標準参照を更新。 表 32: 静
電気感度の 25 ℃ と 85 ℃条件を削除及び ク ラ ス名を更新。 表 33:
I/O 静的特性の RPU と RPD 最小値 と 最大値を追加。 表 36: NRST ピ
ン特性の RPU 最小値 と 最大値を追加。
図 24: I2C バス AC 波形 と 測定回路 と 図 23: NRST ピ ン保護のため
の推奨条件 を訂正。
表 8、 表 36、 表 42 の注を削除。
表 11 ： Run 及び SLEEP モー ド の最大消費電流の IDD 標準値を変
更。 表 37: TIMx 特性 を更新。
表 44: ADC 特性に tSTAB、 VREF+ value、 tlat 、 fTRIG を追加。
表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間の TA = 85 ℃におけ
る標準書き換え回数 と 保持期間を追加 し 、 TA = 25 ℃についての
デー タ 保持期間を削除。
表 11: 内部基準電圧の VBG を VREFINT へ変更。 ド キ ュ メ ン ト タ イ ト
ルを変更。 CAN (Controller area network) のセ ク シ ョ ン を更新。
図 11: 電源供給図 を更新。
特長 （1 ページ） の リ ス ト を変更。 一部の文字、 文章を変更。
Rev8- 日本語版
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こ の資料は、 STMicroelectronics NV 並びにその子会社 ( 以下 ST) が英文で記述 し た資料 （以下、 ｢正規英語版資料｣） を、 皆様のご理解の一助 と し て
頂 く ために ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱が英文か ら 和文へ翻訳 し て作成 し た も のです。 こ の資料は現行の正規英語版資料の近時の更新に対応 し
ていない場合があ り ます。 この資料は、 あ く ま で も 正規英語版資料を ご理解頂 く ための補助的参考資料のみにご利用下 さ い。 こ の資料で説明 さ れる
製品のご検討及びご採用にあた り ま し ては、 必ず最新の正規英語版資料を事前にご確認下 さ い。 ST 及び ST マ イ ク ロ エ レ ク ト ロ ニ ク ス㈱は、 現行の
正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し ている に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない この資料の情
報に基づいて発生 し た問題や障害な どにつ き ま し ては如何な る責任 も 負いません。
参考資料
変更履歴
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 56.
ド キ ュ メ ン ト 改版履歴
日付
2007 年 10 月 18 日
80/84
版
変更点
3
STM32F103CBT6、 STM32F103T6、 STM32F103T8 のパーツ名を追加
( 表 2: デバイ スの特徴 と ペ リ フ ェ ラル (STM32F10xxx 中容量パ
フ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン） を参照 )。
VFQFPN36 パ ッ ケージ を追加 ( セ ク シ ョ ン 6: パ ッ ケージ特性 を参
照 )。 すべてパ ッ ケージは ECOPACK ®準拠を追加。 すべてのパ ッ
ケージ ・ デー タ のイ ン チ (inch） 値は ミ リ メ ー タ （mm） から 変換
で小数第 4 位で繰上げを追加。 ( セ ク シ ョ ン 6: パ ッ ケージ特性 を参
照)
表 4: ピ ンの定義 の更新 と 新たに定義。
表 25: 低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間 を更新。
表 11: 内部基準電圧の TA 最小値を訂正。
表 21: HSE 4 ～ 16 MHz オシ レー タ 特性に 注 2 を追加。
VESD(CDM) の値を 表 31: ESD 絶対最大定格 に追加。
表 34: 出力電圧特性に注 3 を追加 と VOH パラ メ ー タ の詳細を更新。
表 35: I/O AC 特性の注 1 を更新。
式 1 と 表 45: fADC = 14 MHz の RAIN 最大値 を セ ク シ ョ ン 5.3.17: 12bit
ADC 特性に追加。
表 44: ADC 特性に VAIN、 tS 最大値、 tCONV、 VREF+ 最小値、 tlat 最大
値及び注を更新 し 、 tlatr を追加。
図 29: ADC 精度特性 更新。 図 30: ADC を使用する一般的な接続図
の注 1 を更新。
静電気放電 (ESD ： Electrostatic discharge ) （51 ページ） を更新。
図 1: STM32F103xx パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン ブ ロ ッ ク図の TIM4
チ ャ ネル数を更新。
表 12、 表 13 と 表 14 の最大消費電流の更新。 表 33: I/O 静的特性の
Vhys の更新。
表 47: ADC 精度 を更新。 表 9: パワーア ッ プ / パワーダウン時の動
作条件の tVDD を更新。 VFESD の値を 表 29: EMS 特性 に追加。
表 25: 低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間の値を修正、 注 2 を更
新、 注 3 を削除。
表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流の
VDD/VBAT = 2.4 V について標準値を追加、 注 2 を更新
表 21 ： Stanby モー ド の標準電流 を追加。 チ ッ プ上のペ リ フ ェ ラル
電流 （42 ページ） を追加。
表 23: HSI オシ レー タ 特性の ACCHSI 値を追加。
表 27: Flash メ モ リ 特性に Vprog を追加。
図 8: メ モ リ ・ マ ッ プ の上位オプ シ ョ ン ・ バイ ト ・ ア ド レ ス を更
新。
表 24: LSI オシ レー タ 特性に標準 fLSI 値を追加 し 、 ド キ ュ メ ン ト 全
体の内部 RC 値を 32 から 40KH ｚ に訂正。
TS_temp を 表 48: TS 特性に追加。 表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数
と 保持期間の NEND を修正。
TS_vrefint added to 表 11: 内部基準電圧
汎用入出力特性 （52 ページ） の未使用ピ ンの取 り 扱いを指定 し 、
すべの I/O は CMOS と TTL 互換を明記。 図 31: 電源供給 と デ カ ッ
プ リ ング （VREF+ を VDDA への接続な し ) を更新。
表 26: PLL 特性から tJITTER と fVCO を削除。
付録 A: 重要事項 〔81 ページ） を追加。
図 13、 図 14、 図 15 、 図 17 を追加
Rev8- 日本語版
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正規英語版資料の更新に よ り 製品に関する最新の情報を提供 し てい る に も 関わ ら ず、 当該英語版資料に対応 し た更新がな さ れていない こ の資料の情
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参考資料
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 56.
変更履歴
ド キ ュ メ ン ト 改版履歴
日付
版
変更点
ド キ ュ メ ン ト ・ ス テー タ ス を プ レ ミ ナ リ ・ デー タ から デー タ シー
ト へ変更。
STM32F103xx は USB 認定を追加。 一部の文字 と 文章を変更。
電源供給 （11 ページ） を更新。 表 2: デバイ スの特徴 と ペ リ フ ェ ラ
ル (STM32F10xxx 中容量パフ ォ ーマ ン ス ・ ラ イ ン） の
STM32F103Tx について通信ペ リ フ ェ ラルの数を訂正 し 、 LQFP
パ ッ ケージの GPIO 数を訂正。
表 4: ピ ンの定義の PC14 と PC15 について主機能 と デ フ ォル ト ・
オル タ ネー ト 機能を更新、 注 5 を追加、 再配置 コ ラ ムを追加。
表 5: 電圧特性の VDD – VSS の定格 と 注 1 を更新。 注 1 表 6: 電流特
性の Note 1 を更新。
表 10: 内蔵 リ セ ッ ト 及び電源制御ブ ロ ッ ク特性のを 注 1 と 注 2 追
加。
表 13: RAM からのデー タ ・ プ ロ セス動作コ ー ド によ る Run モー ド
での最大消費電流の 72MH ｚ 時の IDD 値を更新。
表 14: Flash または RAM からの コ ー ド 動作によ る SLEEP モー ド の
最大消費電流 （37 ページ） のペ リ フ ェ ラル ・ イ ネーブルで
72MH ｚ 時の IDD 値を更新。
2007 年 11 月 22 日
4
表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流の 2.4V
時の IDD_VBAT 標準値を更新 し 、 IDD_VBAT 最大値を追加。 表 16 （40
ページ） と 表 17 （41 ページ） に注を追加。 表 18: ペ リ フ ェ ラル消
費電流の ADC1 と ADC2 電流値 と 注を更新。
表 21 と 表 22 それぞれの tSU(HSE) と tSU(LSE) 条件を更新。
表 25: 低電力モー ド ・ ウ ェ ー ク ア ッ プ時間から最大値を削除。
表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間の tRET 条件を更新。
図 11: 電源供給図 を訂正。
図 16: VDD = 3.3 V と 3.6V 動作時の低電力モー ド のレギ ュ レー タ 付
STOP モー ド 消費電流 対 温度 を追加。
図 25: SPI タ イ ミ ング図 - ス レーブ ・ モー ド と CPHA = 0 の注を削
除。 図 26: SPI タ イ ミ ング図 - ス レーブ ・ モー ド と CPHA = 1(1) に
注を追加。
汎用入出力特性 （52 ページ） から未使用ピ ンの詳細を削除。
表 40: SPI 特性 を更新。 表 41: USB ス タ ー ト ア ッ プ時間 を追加。
表 44: ADC 特性の VAIN、 tlat and tlatr を更新 し 、 注を追加、 Ilkg を削
除。 表 47: ADC 精度のテ ス ト 条件を更新 と 注を追加。 表 45 と 表 48
の注を追加。
表 51: LQPF100、 100 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外形寸法
デー タ 、 表 52: LQFP64、 64 ピ ン low-profile quad flat パ ッ ケージ外
形寸法デー タ 、 表 53: LQFP48、 48 ピ ン low-profile quad flat パ ッ
ケージ外形寸法デー タ のイ ン チの値を修正。
表 54: 熱特性へ VFQFPN36 パ ッ ケージの ΘJA 値値を追加。
セ ク シ ョ ン 7: 注文コ ー ド の注文コ ー ド を更新。
標準消費電流 （40 ページ） の MCU 動作条件を更新。 表 48: TS 特
性 I2C イ ン タ フ ェ ース特性 （57 ページ） の平均傾斜 と V25 を更
新。
A.4: ADC 入力 0 の電圧グ リ ッ チ （81 ページ） のイ ン ピーダ ン ス値
を定義。
Rev8- 日本語版
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参考資料
変更履歴
STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 56.
ド キ ュ メ ン ト 改版履歴
日付
版
変更点
図 2: ク ロ ッ ク構成図 （18 ページ） を追加。
表 7: 熱特性 （32 ページ） の TJ 最大値を追加。
CRC の特徴を追加。 (CRC (cyclic redundancy check) 演算ユニ ッ ト
（9 ページ） を参照 と ア ド レ スについては 図 8: メ モ リ ・ マ ッ プ
（28 ページ） を参照 )
表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流の IDD を
更新。
表 23: HSI オシ レー タ 特性 （47 ページ） の ACCHSI を更新 し 、 注 2
を削除。
表 27: Flash メ モ リ 特性 （48 ページ） の PD、 TA 、 TJ を追加、 tprog
値を更新、 tprog の詳細を定義。
2008 年 3 月 14 日
5
表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間の tRET を更新。
表 36: NRST ピ ン特性 （55 ページ） の VNF(NRST) 単位を訂正。
表 40: SPI 特性 （59 ページ） を更新。
表 44: ADC 特性 （63 ページ） に IVREF を追加。
表 46: ADC 精度 - 限定テ ス ト 条件 を追加。 表 47: ADC 精度 を更新。
LQFP100 パ ッ ケージ仕様を更新 ( セ ク シ ョ ン 6: パ ッ ケージ特性
（68 ページ） を参照 )。
LQFP100、 LQFP 64、 LQFP48 、 VFQFPN36 の推奨フ ッ ト プ リ ン ト
を追加 ( 図 38、 図 40、 図 42 、 図 34 を参照 )。
セ ク シ ョ ン 6.2: 熱特性 （75 ページ） を更新、 セ ク シ ョ ン 6.2.1 と セ
ク シ ョ ン 6.2.2 を追加。
付録 A: 重要事項 （81 ページ） 削除。
図 8: メ モ リ ・ マ ッ プ の一部の文字 と 文章を定義。
表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間について ：
2008 年 3 月 21 日
6
NEND の全温度範囲以上のテス ト
tRET についてのサイ ク ル数条件を定義
TA = 55 ℃の tRET 最小値を更新
表 48: TS 特性の V25、 平均傾斜、 TL を更新。
CRC の特徴を削除。
–
–
–
CRC の特徴を追加 し 、 一部の文字 と 文章を変更。 セ ク シ ョ ン 1: は
じ めに を更新。 セ ク シ ョ ン 2.2: フ ァ ミ リ と し ての完全互換 を追加。
2008 年 5 月 22 日
7
表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流 （38 ペー
ジ） に TA max = 105 ℃の IDD を追加。
表 21 ： Stanby モー ド の標準消費電流 （47 ページ） から IDD_VBAT を
削除。 表 39: SCL 周波数 (fPCLK1= 36 MHz.、 VDD = 3.3 V) （58 ペー
ジ） に値を追加。 図 25: SPI タ イ ミ ング図 - ス レーブ ・ モー ド と
CPHA = 0 （60 ページ） を更新。 式 1 を訂正。
表 28: Flash メ モ リ の書き換え回数 と 保持期間 （49 ページ） の TA =
105 ℃における tRET を更新。
表 42: USB DC 電気特性 （61 ページ） に VUSB を追加。
図 43: LQFP100 PD 最大値 対 TA （77 ページ） を更新。
表 55: 注文コ ー ド （78 ページ） に Axx オプ シ ョ ン を追加。
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Rev8- 日本語版
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STM32F103x6, STM32F103x8, STM32F103xB
表 56.
変更履歴
ド キ ュ メ ン ト 改版履歴
日付
版
変更点
電源供給監視 を更新 し 表 8: 一般的な動作条件に VDDA を追加。
図 11: 電源供給図 （30 ページ） のコ ンデンサを変更。
セ ク シ ョ ン 5: 電気的特性の表注を更新。
表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流 を更新。
表 15: STOP 及び STANDBY モー ド の標準 と 最大消費電流 へデー
タ を追加 し 、 表 21 ： Stanby モー ド の標準消費電流 を削除。
表 19: 高速外部ユーザ ・ ク ロ ッ ク特性 （43 ページ） の fHSE_ext を更
新。 表 26: PLL 特性 （48 ページ） の fPLL_IN を更新。
表 38: I2C 特性 （57 ページ） から 高速モー ド について SDA と SCL
2008 年 7 月 21 日
2008 年 7 月
8
の最小立下 り 時間を削除 し 、 注 1 を更新。
表 40: SPI 特性 （59 ページ） と 図 25: SPI タ イ ミ ング図 - ス レー
ブ ・ モー ド と CPHA = 0 （60 ページ） の th(NSS) を更新。
表 44: ADC 特性 （63 ページ） の CADC を更新及び 図 30: ADC を使
用する一般的な接続図 を更新。
標準 TS_temp の値を 表 48: TS 特性 （67 ページ） から 削除。
LQFP48 パ ッ ケージ仕様を更新 ( 表 53 と 表 42 を参照 )、 セ ク シ ョ
ン 6: パ ッ ケージ特性 を更新。
Axx のオプ シ ョ ン を 表 55: 注文 コ ー ド （78 ページ） から 削除。
一部の文字 と 文章を更新。
8
「STM32F103x6/STM32F103x8/STM32F103xB Rev 8 （2008 年
日本語版 7 月発行）」 翻訳版発行
Rev8- 日本語版
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