Company Introduction(QDL) (PDF:3.54MB)

会社紹介
2011年6月
SOCJ0003
会社概要
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提供する価値
„ QDレーザは通信・民生・産業用の高効率半導体レーザソリューションを
提供します。
„ QDレーザ製品は次の3つの価値を提供します。
1. 精密制御された532nmから1064nm、1310nmにわたるレーザ波長
2. 耐環境温度安定性
3. 低コスト量産性と信頼性
„ QDレーザは半導体レーザを利用した新しい市場の開拓に貢献します。
レーザダイオードチップ
製品
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会社設立背景と環境
„
„
„
„
富士通と東京大学が開発した量子ドット技術の事業化を目的に設立
富士通からのスピンオフベンチャー企業
東大、富士通研究所との共同研究体制
NEDOイノベーション推進事業による支援
Business Development
NEDO, JAPAN Subsidy
Academic – Industry collaboration
University of Tokyo
Prof. Arakawa
Invest
Mitsui & Co., Ltd.
Mizuho Capital Co., Ltd.
Spin off & Investment
Fujitsu Limited
Fujitsu Laboratories Ltd.
National Project (2002-2006)
IT Program of MEXT, JAPAN
Photonic Network of METI, JAPAN
NEDO: New Energy and Industrial Technology Development Organization
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所在地
„ 本社: THINK 川崎市
THINK
・経営
・営業とマーケティング
・デバイス開発
・生産
THINK:Techno Hub Innovation Kawasaki
„ R&Dセンター: 富士通研究所、厚木市
MBE 結晶成長装置
富士通研究所
MBE :
Molecular Beam Epitaxy
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会社概要
会社名
株式会社QDレーザ
本社所在地
〒210-0855
神奈川県川崎市川崎区南渡田町1-1
電話: 044-333-3338 Fax: 044-333-3308
研究センター
〒243-0197
神奈川県厚木市森の里若宮10-1
設立
2006年4月
資本金
953.2 百万円(2011年3月末現在)
事業領域
半導体レーザ製品の企画・設計開発・製造・販売
従業員数
30名 (2011年3月末現在)
代表者
取締役会長 吉川 誠一
取締役社長 菅原 充
主要株主
富士通株式会社(コーポレートファンド)
三井物産グローバル投資株式会社
みずほキャピタル株式会社
E-mail
[email protected]
ホームページ
http://www.qdlaser.com
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沿革
2011年 4月
単一モード発振特性に優れた1064nm DFBレーザモジュールを商品化
2010年12月 既存株主を中心に総額8億円の資金調達を実施
2010年10月 グリーンITアワード2010において経済産業大臣賞を受賞
2010年 4月
本社を神奈川県川崎市に移転
2009年 3月
光通信用10Gbpsの量子ドットレーザを世界で初めて実用量産化
2009年 1月
IEEE Spectrum Magazineにおける ”Winner for Telecommunications 2009” に選定
2008年12月 みずほキャピタル株式会社を中心に総額7億円の資金調達を実施
2008年 2月
-40~100℃で動作する光通信用量子ドットレーザを世界で初めて実現
2007年 6月
株式会社QDレーザ代表取締役社長 菅原充が、産学官連携功労者表彰(第5回)
において内閣総理大臣賞を受賞
2006年 9月
ウォールストリートジャーナル技術革新賞2006 半導体部門Runner-Up賞受賞
2006年 4月
富士通株式会社と三井物産株式会社のベンチャーキャピタル資金を活用し、富士通の
量子ドットレーザ技術にもとづく光デバイスのベンチャー企業「株式会社QDレーザ」設立
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コアコンピタンス
„ QDレーザ製品の価値
1. 精密制御された532nmから1064nm、1310nmにわたるレーザ波長
2. 耐環境温度安定性
材料加工
3. 低コスト量産性と信頼性
計測
オプティカルCT
„ アプリケーション
ディスプレイ
Mobile Projection
ファクトリーオートメーション
ライフサイエンス
センシング
モーションセンシング
光インターコネクション
FP/DFB
DFB
OCT
テレコム/データコム
ライフサイエンス
DFB
Life Science
DFB 532nm
DFB
532-590nm
DFB
FP
660nm
1064nm
828nm
高温度動作
通信とセンシング
FTTH/LAN
GEPON
GPON
Ethernet
FP/DFB
Green ,Yellow,
Orange
1270-1310nm
FP/DFB
Consumer electronics and Industrial use
Telecom/Datacom
Green Gap
Present
Laser on GaAs substrate
Future
+SHG
532
590
700
850
1064
Wavelength (nm)
Future
1180
1310
1490
1550
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量産技術
(株)QDレーザ
GaAsファンドリ/パートナー
最先端のGaAsウエハ
とDFB回折格子技術
CD/DVD レーザ製造ライン
を利用した大量生産
結晶成長
MBE 成長装置
Formation of Qunatum Dot
レーザチップ
お客様
GaAs 量子ドット/井戸ウエハ
レーザパッケージ
DFB 回折格子
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製品
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光通信用半導体レーザとウエハ
アプリケーション
テレコム・データコム、インターコネクション
1310nm FP レーザ
1270nm DFB レーザ
研究開発
1300nm 量子ドットウエハ
量子ドット表面写真
モデル#
特徴
QLF1339-AA
2.5Gbps動作
QLD123B
10Gbps動作
量子ドットレーザ
温度安定性
10 Gbpsまでの直接変調
TO-56 CANパッケージ
3インチGaAs基板上の波長1300nm帯
高均一・高密度量子ドットウエハ
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産業用半導体レーザ
アプリケーション
モデル#
特徴
材料加工・センサ
黄色レーザ(SHG)
:ライフサイエンス
赤色レーザ:
FA、センサ、計測
地下資源探査等
高温度環境の
通信、センシング
1064/1053nm DFB レーザ
量子井戸
1118nm DFBレーザ
量子井戸
660nm FP レーザ
量子井戸
1300nm 高温度動作
FP レーザ
QLD1061
1064nm, 30mW
QLD1061-AC
1064nm, 100mW
QLD1062
1053nm, 30mW
QLD1161: 30mW
QLF063A: 100mW
アノードコモン
QLF1335-AD
150ºC 動作
QLF063D: 100mW
カソードコモン
QLF1335-AE
175ºC 動作
モニタPD付き
TO-56 CAN パッケージ
量子ドットレーザ
150ºC超動作
TO-56CANパッケージ
14 pin バタフライパッケージ
光アイソレータ内臓
狭スペクトル幅
短パルス動作
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民生用半導体レーザ
アプリケーション
ディスプレイ、計測
ライフサイエンス
532nm小型純緑レーザモジュール
DFB 技術
量子井戸/量子ドット
モデル #
QLD0592:純緑レーザモジュール, 5mW
QLD0593:純緑レーザモジュール, 50mW
(開発中)
特徴
小型パッケージ
高速変調
狭スペクトル幅
低消費電力
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新製品:1064nm DFB レーザ
QLD1061
1064nm 量子井戸 DFB レーザ14pinバタフライパッケージ(アイソレータ内蔵)
• 高出力 > 30mW
• 安定な縦単一モード動作
• CW と短パルス動作
アプリケーション : ファイバーレーザの種光、ガスセンサ、
非線形光学結晶を利用した波長変換
CW
CW
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新製品: 1300nm高温度動作
量子ドットFPレーザ
QLD1335-AD
1300nm 量子ドットFP レーザ TO-56 CAN パッケージ
• 150ºCまで動作
アプリケーション:砂漠、プラント、地下資源探査等の高温度環境の通信、
センシングに最適
量子ドット(0 次元)
電子
Immovable!
高温度動作
EF
Electrons Concentrate
into Ground State
CW
Electron Energy
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研究開発トピック:超高温度動作量子ドットレーザ
„ 1300nm超高温度動作 (220°C) 量子ドットFPレーザ
• CLEO/Europe-EQEC 2011, PDA.1で発表
• 地下資源探査等の高温度環境の通信、センシングに最適
QDレーザの世界最先端MBE技術により
高均一・高密度量子ドットを実現
高均一・高密度量子ドットにより利得が
増加し、理論通りの超高温度動作を実現
L-I characteristics of the QD laser
from 30 to 220°C.
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Thank you!
Email : [email protected]
www.qdlaser.com
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