HITACHI NV Memory 1. SRAM 2.Non-Volatile Memory 新製品のデータシートについては URL:www.hitachi.co.jp/Sicd/Japanese/Products/memory.htm も御覧下さい HITACHI NV Memory 日立フラッシュメモリ製品展開 ★大容量・高速・低消費電力化 ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘの設計・製造技術を駆使 し、先進のﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘを開発推進 量産中 開発中 検討中 日立AND型ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘﾄﾚﾝﾄﾞ 1Gb <2bit/cell> 多値技術 0.18μm 512Mb 512Mb 512 Mb 0.18μm 256Mb 0.13μm 256 Mb 256Mb ｼｭﾘﾝｸ TSOP-l 128Mb 128Mb 128 Mb 0.18μm 0.25μm ‘00 0.13μm 512Mb 512 Mb DDP 0.25μm 1Gb DDP ‘01/1H ‘01/2H ‘02/1H ‘02/2H ‘03/1H ‘03/2H HITACHI NV Memory 日立 AND型フラッシュメモリシリーズ仕様概要 512Mbﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ 128Mbﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ 256Mbﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ 型名 HN29W12811T HN29W25611ST HN29W51214ST メモリ 構成 (2048+64) x 8 x (16057 Sector以上) (2048+64) x 8 x (16057 Sector以上) (2048+64) x 8 x (16057 Sector以上) x 2Bank 1Gbﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ 開発中 動作電圧 アクセス スピード 開発中 HN29V51211T HN29V102414T (2048+64) x 8 x (32133 Sector以上) 3.3V ± 0.3V (2048+64) x 8 x (32133 Sector以上) x 2Bank 2.7 ∼ 3.6V First access 50µs(max) First access 50µs(max) First access 50µs(max) Serial access 60ns(max) Serial access 60ns(max) Serial access 60ns(max) 書き込み データサイズ (2048+64)Byte / Sector 消去 ブロックサイズ (2048+64)Byte / Sector First access 50µs(max) Serial access 50ns(max) プログラム 時間 2 . 5 ms(t y p ) / Sector 3 m s (t y p ) / Sector 1 m s (t y p ) / Sector 消去時間 1 . 0 ms(t y p ) / Sector 1 . 5 ms(t y p ) / Sector 1 m s (t y p ) / Sector TSOP-l 48pin パッケージ 書換回数 300k 回 注; 但し、ECC実行時に於いて HITACHI NV Memory AND型フラッシュメモリラインアップ ｾｸﾀｰ構成 ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ構成 容量（ｾｸﾀｰ数) 128Mb (More than 8029sectors) 2048+64 [Byte] x 8 [Bit] 256Mb (More than 16057sectors) 256Mb (More than 16057sectors) 512Mb (More than 32114sectors) 512Mb (More than 32133sectors) 1Gb (More than 64266sectors) 量産中 開発中 製品名 ﾊﾟｯｹｰｼﾞﾗｲﾝｱｯﾌﾟ HN29W12811T TSOP - I ,48pin HN29W25611ST TSOP - I,48pin HN29W25611AT TSOP - I,48pin HN29W51214T TSOP - I,48pin DDP(256M Base) HN29V51211T TSOP - I,48pin HN29V102414T TSOP - I,48pin DDP(512M Base) HITACHI NV Memory 日立フラッシュメモリコントローラ仕様概要 対応ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ HN29V51211T HN29W25611ST HN29W12811T (開発中) 型名 HN29W256SH02TE-1 動作電圧 3.3V ± 0.3V 電源投入時のﾋﾟｰｸ 10mA 動作周波数 10MHz ﾎｽﾄ側ｻﾎﾟｰﾄｲﾝﾀﾌｪｰｽ CompactFlashTM 規格、PC-ATA & True-IDE仕様 機能 ｵｰﾄｽﾘｰﾌﾟ機能 有り ｴﾗｰ訂正機能 有り ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ自動 初期化機能 有り ｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ 有り(max 6-way) ﾊﾟｯｹｰｼﾞ TQFP 120pin ｽﾃｰﾀｽ ｻﾝﾌﾟﾙ中,量産:01/4 HITACHI NV Memory 512Mbフラッシュメモリ目標仕様 項目 目標仕様 動作電圧 2.7V ∼ 3.6V 構成 (2048 + 64)B × 32133 Sector 以上 書き込み時間 消去時間 1.0 ms(Typ) / Sector 動作電流 Read Standby Program Erase パッケージ 2 mA(Typ) 1 μA(Typ) 20 mA(Typ) 20 mA(Typ) TSOP - 48(Type1) HITACHI NV Memory 日立フラッシュカード高速化計画＊ 書換速度 Card with speed 4interleave 2interleave Non-Interleave 2.0MB/s コントローラおよび フラッシュの改善 1.5MB/s 1.6MB/s 1.3MB/s 1.0MB/s 0.8MB/s 0.8MB/s 0.6MB/s 0.5MB/s 0.4MB/s ‘00/4Q ‘01/1Q ‘01/2Q ‘01/3Q ＊ ： 256Mbitベ ー ス カ ー ド の 場 合 。 128Mbitベ ー ス カ ー ド は 高 速 化 先 行 。 ‘01/4Q HITACHI NV Memory 大容量日立フラッシュカード (多 値 フ ラ ッ シ ュ 使 用 第１世代 ) ・最高6-wayインターリーブを可能とする多値AND型256Mbフラッシュメモリ対応の新コントローラを開発 ・置換/消去単位を大型化し、記憶メディアとしてより重要な高速書換可能とした、日立多値AND型256Mbit フラッシュメモリを搭載 容量／型名 128MB 320MB 640MB 1GB 32MB 64MB 256MB HB288128A6 HB288320A6 HB288640A6 HB2881000A6 HB288032C6 HB288064C6 HB288256C6 PC-ATA仕様準拠 及び True-IDE仕様準拠 電源電圧 仕様 PC-ATA仕様準拠 及び True-IDE仕様準拠 3.3V±5％ / 5.0V±10％ 消費電力 書換速度* (Typ.) TM CompactFlash PC-Card Standard仕 様 仕様 動作時(リード) 25mA (Typ)、 スタンバイ 0.3mA (Typ) 1.5MB/s 2MB/s ｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ有 毎64ｾｸﾀ書換 6-Wayｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ有 毎64ｾｸﾀ書換 500kB/s 800kB/s → 800 kB/s → 1.3MB/s ｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ無 毎64ｾｸﾀ書換 ｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ有 毎64ｾｸﾀ書換 2MB/s 6-Wayｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ有 毎64ｾｸﾀ書換 * 書換速度は、少数サンプルを使用した実測値としてご使用下さい。 HITACHI NV Memory 128Mbフラッシュ搭載 CompactFlash TM 目標仕様 - 量産中の256Mbﾌﾗｯｼｭの同じﾌﾟﾛｾｽで、128Mbﾌﾗｯｼｭを開発。 - CF16/32/48MBの搭載ﾌﾗｯｼｭを、64Mb→128Mbへ移行。 容量 16MB 32MB 48MB 型名 HB28C016C6 HB28C032C6 HB28C048C6 仕様 CompactFlashTM 仕様 PC-ATA仕様準拠 及び True-IDE仕様準拠 3.3V±5% / 5.0V±10% 50mA / 75mA 電源電圧 消費電力 書換速度 （Typ.) ｻﾝﾌﾟﾙ 600 KB/S → 800 KB/s ｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ無 800 KB/S → 1.3 MB/s ｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ有 Now 800 KB/S → 1.3 MB/s ｲﾝﾀｰﾘｰﾌﾞ有 HITACHI NV Memory フラッシュカードラインアップ CompactFlash TM タイプⅠ （3.3mm厚） タイプⅡ （5.0mm厚） 8MB HB289008C4 16MB HB289016C4 32MB HB289032C4 48MB HB289048C4 HB28C016C6 HB288032C6 HB28C032C6 HB28C048C6 64MB HB288064C6 96MB HB288096C6 128MB HB288128C6 160MB HB288160C6 192MB HB288192C6 256MB HB288256C6 320MB HB288320E6 サンプル中 448MB HB288448E6 開発中 量産中 HITACHI NV Memory フラッシュカードラインアップ PC-ATAカード 8MB HB289008A4 16MB 32MB HB289016A4 HB289032A4 48MB 64MB HB289048A4 HB289064A4 80MB HB289080A4 96MB HB289096A4 128MB 160MB 量産中 サンプル中 開発中 HB28C016A6 HB288032A6 HB28C048A6 HB288064A6 HB288096A6 HB288128A6 HB289160A4 HB288160A6 192MB HB288192A6 256MB HB288256A6 320MB HB288320A6 448MB HB288448A6 640MB HB288640A6 800MB 1GB 2GB （512Mbﾍﾞｰｽ） HB288800A6 HB2881000A6 HB2882000A6 HITACHI NV Memory AND−FLASH開発レファレンスキット ANDフラッシュが不良ｾｸﾀを含み、また 新たにｾｸﾀ不良が発生する事がある。 ｾｸﾀ管理とECCを用いた複雑なメモリ 制御が必要。 顧客システム開発のｻﾎﾟｰﾄが必要。 ANDFlash開発レファレンスキット。 (ECC,ｾｸﾀ管理制御ソフトと評価ﾎﾞｰﾄﾞで構成) 本ｼｽﾃﾑ 顧客ｼｽﾃﾑ SuperH 制御ソフト Flash 制御ソフト評価 ﾏｲｺﾝ フラッシュメモリ 制御ソフトを移殖 システム内容 ホストPC ｾｸﾀ管理 ECC Read/Write RS232C ドータボード Flash 専用 ソフト SH7709A SH SolutionEngine AND ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘ PLD ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘを ｺﾝﾄﾛｰﾙ ﾄﾞｰﾀｰﾎﾞｰﾄﾞ SH SolutionEngine PLD Flash HITACHI NV Memory AND−FLASH開発レファレンスキットの応用 顧客ｼｽﾃﾑ 制御ソフト SuperH ﾏｲｺﾝ Flash 制御ソフト評価 Flash フラッシュメモリ 制御ソフトを移殖 ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ制御ｿﾌﾄ （ROM： マイコン ｾｸﾀ管理:5kB ECC :0.5kB) （RAM：２ｋB以上)＊ 最終装置 AND-FLASH ＊：快適に使うためには３５ｋB程度必要。 ソースコードは、www.hitachi.co.jp/Sicd/Japanese/Products/memory/fmemory//htm/main.htm HITACHI NV Memory MultiMediaCard TM の特 長 用途 ・ＧＳＭ ・ＭＰ３ ・ＰＤＡ ・ＤＳＣ ・ゲーム、おもちゃ 32 mm 1.4 mm MultiMediaCard 次世代小型・軽量カード ・ 32mm x 24mm x 1.4mm (1cm3) ・ 1.5グ ラ ム 先端技術を採用 ・多値型メモリセル ・ SH1と 大 容 量 フ ラ ッ シ ュ を1チ ッ プ 化 ・ Secure MMCや Half Size MMC な ど 用途に応じた豊富な製品展開 カード容量 ・ 16MB/32MB/64MB NOW ・ 128MB - Sample 4Q/’01,MP 4Q/’01 24 mm シリアルインターフェース ・ 7ピ ン ・ MMCお よ び SPIイ ン タ ー フ ェ ー ス ・ 書 き 込 み 速 度 ：3.2M bit/sec MultiMediaCard ア ソ シ エ ー シ ョ ン ・ 100社 以 上 参 加 ・ Ｗ Ｗ 携 帯 電 話 メ ー カ (モ ト ロ ー ラ ､ ノ キ ア ､ エ リ ク ソ ン) 等 に よ る 設 立 ・ユーザー、カードメーカー、ソケットなど の周辺サポートメーカーで構成 ・日立はボードメンバーとして活動中 HITACHI NV Memory 個人用マルチメディア機器をつなぐメディア 携帯電話 PDA デジタル･スチルカメラ MultiMediaCard TM Flash ノートPC 電子ブック 音楽プレーヤー HITACHI NV Memory MultiMediaCard目標仕様 16MB 64/32MB 開発ｽｹｼﾞｭｰﾙ ｻﾝﾌﾟﾙ 量産 ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘとｺﾝﾄﾛｰﾗの１ﾁｯﾌﾟ化で大容量化が容易 256Mbﾌﾗｯｼｭと専用ｺﾝﾄﾛｰﾗにて実現 HB288016MM1 NOW NOW HB288032MM1 HB288064MM1 HB288128MM2 NOW NOW NOW NOW 01/4Q 01/4Q Read仕様 SingleBlock/MultipleBlock & Sequential (BlockSize:1Byte∼2kB可変) Write仕様 SingleBlock/MultipleBlock & Sequential (BlockSize:512Byte可変) MultiMediaCard、Serial Peripheral ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ MultiMediaCard System Spec Ver2.11準拠 ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ Communication Mode:2.0V、OperationMode:2.7 to 3.6V 動作電圧 Read電流 33mA (Max) 35mA (Max) 35mA (Max) TBD Write電流 35mA (Max) 35mA (Max) 35mA (Max) TBD 読出速度 14 Mbps at 20MHz（Typ） 書込速度 2.8∼3.2 Mbps at 20MHz（Typ） at Multiple Readｺﾏﾝﾄﾞ使用時 at Multiple Writeｺﾏﾝﾄﾞ使用時 動作温度 -25 to + 85 ℃ 外形寸法 32mm x 24mm x 1.4mm、7pin HITACHI NV Memory マルチメディアカード展開計画 - World Wide Standard product - 第一世代 カード容量 高速 16 MB 32MB 64MB 300kB/s 第二世代 128 MB SPL ’01/4Q 64MB SPL ’01/7 32MB SPL ’01/7 16MB SPL ’01/6 1st. Step : 800kB/s 2nd. Step : 1MB/s 第三世代 256 MB 128MB 64MB 132MB 16MB 3MB∼10MB/s プロセス 0.25µm 0.25µm→0.18µm 0.18µm→0.13µm HITACHI NV Memory ＭＭＣを使用したシステムの開発に対するトータルソリューション 開発プラットフォーム ＭＭＣ開発プラット フォーム ソフトウェア サポート テスト、企画準拠 デバイスドライバ ＭＭＣプロトコル ファイルマネジャー アナライザ ソケット、付属品 ＭＭＣソケット ＭＭＣ用 キャリング ケース 国際電気アルファ（株） (株)エーアイコーポレーション 国際電気アルファ（株） 東京エレテック（株） HITACHI NV Memory I 2 C TM シリアル EEPROMの特長 ●標 準 シ リ ア ル インタフェース I2C TM(2線式)バス ●デ ー タ 保 護 機 能 ライトプロテクトピン ●ワ イ ド レ ン ジ 動 作 電 圧 1.8V∼5.5V ●温 度 拡 張 品 -40 ∼ +85 ℃ ●高 速 モ ー ド 対 応 400kHz動作 ●小 型 パ ッ ケ ー ジ SOP-8/TSSOP-8/14 (注) 弊社ｼﾘｱﾙEEPROMは携帯電話、 ﾑｰﾋﾞｰ、ｵｰﾃﾞｨｵ機器等の民生用途に使用される事を意図したものです。 自動車搭載機器、ｼｰｹﾝｻ等の産業用途へのご使用をお考えの際は、必ず事前に弊社営業担当迄ご相談願います。 (I2Cはフィリップス社の商標です) HITACHI NV Memory 日立シリアルEEPROMラインアップ インタ 電源電圧 動作周波 フェース (V) 数(KHz) 2 TM IC バス 1.8-5.5 400 動作温度：-40℃∼85℃ (I2Cはフィリップス社の商標です) 容量 ビット構成 ﾍﾟｰｼﾞｻｲｽﾞ wordxbit (ﾊﾞｲﾄ) 型名 パッケージ 2k 256 x 8 32/8* 4k 512 x 8 32/8* HN58X2402FPI/TI SFPI*/STI* HN58X2404FPI/TI SFPI*/STI* 8k 1k x 8 32 HN58X2408FPI/TI 16k 2k x 8 32 HN58X2416FPI/TI 32k 4k x 8 32 HN58X2432FPI/TI 64k 8k x 8 32 HN58X2464FPI/TI 128k 16k x 8 64 HN58X24128FPI/TI 256k 32k x 8 64 HN58X24256FPI/TI SOP8(150mil) /TSSOP14 512k 64k x 8 128 HN58X24512FPI* SOP8(200mil) SOP8(150mil) /TSSOP8 *開発中 HITACHI NV Memory パラレルEEPROMの特長 ●動 作 電 圧 2.2V / 2.7V / 5V動作 ●デ ー タ 保 護 機 能 ｿﾌﾄｳｪｱﾃﾞｰﾀﾌﾟﾛﾃｸｼｮﾝ ﾘｾｯﾄﾋﾟﾝ ●高 速 ア ク セ ス 70ns (64k,5V) 85ns (256k,5V) ●温 度 拡 張 品 -20 ∼ +85 ℃ -40 ∼ +85 ℃ HITACHI NV Memory 日立パラレルEEPROMラインアップ 容量 1M 256k ビット構成 word x bit 128k x 8 32k x 8 電源電圧 (V) ｱｸｾｽﾀｲﾑ (ns) 型名 2.7∼5.5 250 HN58V1001 4.5∼5.5 150 HN58C1001 2.2∼3.6 150/200 HN58S256A TSOP(I)-28 HN58V256A TSOP(I)-28 SOP-28 HN58V257A TSOP(I)-32 HN58C256A TSOP(I)-28 SOP/DIP-28 HN58C257A TSOP(I)-32 150 HN58S65A TSOP(I)-28 120 70(5V) HN58V65A 2.7∼5.5 4.5∼5.5 2.2∼3.6 64k 8k x 8 2.7∼5.5 120 85/100 HN58V66A パッケージ 備考 TSOP(I)-32 SOP-32 TSOP(I)-32 SOP/DIP-32 ﾘｾｯﾄ端子有 TSOP(I)-28 SOP/DIP-28 TSOP(I)-28 SOP/DIP28 ﾘｾｯﾄ端子有 ﾘｾｯﾄ端子有 ﾘｾｯﾄ端子有
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