Technology of Semiconductor SiC and Its Application Et+rlIttrilit まえが き 卜導体 を核 とす るエ レク トロニ クスのハ ー ド技術 (ト ラ ンジスタ,集 積回路 , マ イクロプ ロセ ッサ ,光 デバ イス)が 社会 を大 きく変 革 した。世紀が変わった い ま,社 会 には,食 糧, 人「￢,1情 報 ,エ ネルギ ー,環 境問題 など克服 しなけれ ばな らない大 きな問題がある。 半導体材料が これ らに どの よ うに寄与 で きるか を考 えてみ よ う。 直接的 には,情 報 ,エ ネルギ ー,環 境問題へ の寄 与で ある。1青 報技術 を支え る コンピュー タ, ネ ッ トワー クの進展 は世 界 の趨勢 で ,そ れによる社会 の発展 は さらに続 く。 一 方 ,オ L会 の発展 は多 くのエ ネルギ ー を必 要 とし,使 い やす い 電気 エ ネルギ ーヘ の依存は,今 後 , ます ます強 まるであろ う。地球環境保全 の 重要性 を孝 えれば,問 題 の解決 を電 力供給源 の増加 のみ に求 めることは好 まし くない。 い ま求め られることはエ ネルギ ーの 節減 と利用 の効率化 であ り,特 に , 電気 エ ネルギ ー利用 の 高効率化 は,極 めて 重要である。 電気エ ネルギ ー利用には,電 圧 周波数+1御 など,輸 送や変換過程で ,数 多 くの パ ワーデバ イスが使用 されてい る。 これ らパ ワー デバ イスを低損 失化 ,高 性能化する ことは電力利り ‖の大幅節減 に直接結 びつ き,そ の波及効果 は極 めて 大きい。現在 のパ ワー デバ イス,例 えば,よ く耳にす る インバー タは,す べ て 半導体 Siで 作製 されて い る。 これ らは,VLSI(超 大規 模集積回路 )技 術 を支 ´ える微 細加工 を馬 L使 して高性能化 が 文 lら れて きた。 しか し まや 伴 たに起 ,い ,物 因す る1`[能 限界に近 づいてお り,今 後 の飛躍的な発展は期 待 で きな い。 半導体 SiCは ,Siの 約 3倍 大 きい禁制l帯 幅 をもつ 。絶縁 rll壊 電界が 約 1桁 大 きいの で ,siパ ワー デ バ イスに比 べ て厚 さを 1/10に で き,扱 える電流 密度 も 大 きくで きるので,全 体 に小型化で きる。MosFET(金 属 酸化膜 半導体 電界効果 トランジスタ)の 場 合,電 力変換時 の損失 は,sicを 用 い る と Siの 2 桁 以 上小 さくなる。 また,熱 伝導度 が Slの 3倍 ほ ど大 きいの で ,熱 放散が よ く,機 器 の冷却 が 簡易化で きる。すなわ ら,小 型 ,低 損 失,高 効率 で ,冷 却 が 簡易化 で きるので,そ の将来が 大い に期待 される。 ① まえがき 現在 ,SiCの ショッ トキー ダイオー ドが市販 され , ス イ ッチ ング用 の 各種 ト ラ ンジス タの研究 開発 が盛 んに行 われて い る。懸 案であ った MOsFETの チ ャネル移JIJ度 も,見 通 しがつ き始めた。数年後 トラ ンジスタもlF販 されるであ ろ う。 各種 の電気 電 子装置 ,家 庭電化器具, 自動車 ,産 業用機器 ,非 常用電源 , ,1車 ,高 電圧直流 i`電 な ど,パ ワーデ バ イスの応用分野 はた いへ ん広 い。 これ らの分野 に,SiCを 丼lい た小型 ,高 効率,簡 易冷却 の パ ワーデバ イスが 入 って い けば,電 気 エ ネルギ ーの有効利用 が大 きく期待 で きる。電気 エ ネルギー を熱 として放散す ることが 少な くなれば,現 有 の発送配電 システムで 大 きな電力余 れ,新 規産業創成 の基盤 となる (SiCパ ワー デバ イ スが実現 すれ ば 剰が , `Lま エ ネル ギ ーの有効利用分 はわが 国 にお い て 数 百万 kWに 達す る との 試算 もあ る)。 新規発電所 の 開発 が な くなれ ば,そ れに伴 って,環 境 へ の 負 llrが 小 さ く なる。 「1動 車 の スタイルが大い に変 わるであろう。石油埋蔵量 の 限界,お よび環境 へ の 負荷llt減 の 課題 か らモ ー タ駆動が注 目され,エ ンジ ンとモー タ共′ ‖や燃料 ltら れた場所 ,高 温部 の /」 電池に よるモ ー タ駆動 など,す で に実用 に入った。・ 在 ,電 池 の長時間利用 などを考 える と,こ の分野 での パ ワーデバ イスには 大 き な変革 が期待 される。SiCデ バ イスを中核 とす る新 しいパ ワーエ レク トロニ ク スは まさに この 分野 に最適 である。 通信分野 では,携 帯電話 の世代進行 に伴 って,大 容量 ,高 速無線信 号伝送が /LK振 必要 とな り,基 地局開設 が 進 んで い る。 ここでは,高 周波領域で の 高出力 器の小型化 が強 く望 まれ ,SCの 展開が期待 されて い る。 半導体 SiCへ の期待 は大 きく,研 究 開発の進展 には H覚 ましい ものがある。 1990年 代 のは じめ ,研 究室 で 高品質エ ピタキ シャル成長技術 が 確 )し た後 , 実用 デバ イス として SK)シ ョッ トキ ー障壁 の研究 に注力 した。今やその ダイオ ー ドが製造 され ,市 場 に‖l同 るまで にな り,隔 世 の感 がある^い うまで もな く , SiC研 究 開発 は,今 後 とも世 界的 レベ ルで進 んでい くであろ う。 わが 可にお い て も,SiCの 単結品 が製造 販売 され,試 作段 階 で は,4イ ン チの 単frt品 が報告 されて い る。 国 の SiCプ ロ ジェク トではデバ イス作製 の 要素 ② まえがき 技術 が 開発 され,デ バ イスの試作 も進んで い る。産業 界では,SiCパ ワー デバ イスの実用化 を目指 した動 きが ,具 体的 に出て きた。 この よ うな中 で,SiC関 連 の論文 が 多数発表 されて い る ものの ,SiC■ 導体技術 に焦点 を絞 った成 書 は , まだ見かけない。 さらに,大 学 や企業 の 店 い研究者 技術者 か ら,sic ll導 体 に関す るまとまった記述 の本が欲 しい と言う声 が 聞 かれるよ うになった。 この要望 に応えるとともに,こ れ まで蓄積 されたデ ー タを整J里 して まとめ , SiC半 導体技術 の全貌が一覧で きて, しか も今後 の研究 開発 の現場 で活用 で きる書 を提供す る時期が来て い るように思われる。本書 は,理 論 や技術 面をし っか り記述す るのはもちろん,分 か りやす くか つ親 しみやす い実用性 を考 えた 技術書 と して企画 した。 電気 エ ネルギ ーの有効利用 によって,産 業創成 を呆 たす SiC技 術 を発展 させ ることは,今 後 のパ ワーオ 支術面 でのパ ラダイム シフ トを起 こす ことにつ ながる。 石油 の海外依存度 が 90%に 及ぶ わが 国 にお いて,エ ネル ギ ーの 有効利用 はた いへ ん重 要 な課題 であ る。そ れ に 処す るパ ワー テ クノ ロ ジー (PT:Power 'す Technolow)の 発展 は,わ が 国 に適 した, しか も,わ が [」 でこそ開発 されるべ き科学技術であろう。 さらに,環 境面へ の負荷 を低減す ることは,エ コロ ジー の 面 で寄与 が 大 き く,ま さに,“ sustainable develop1llcltt"を 展 開 す る 11で 重 要で あ る。 シリコンカーバ イ ド ワール ドが出現することを夢見 て,若 い研究 者達ヘエ ール を送 りた い。 211K12年 夏頃か ら立案 し,9月 半 ばに原稿執筆依頼 ,年 内締 め LJJり のたいへ ん 「Uに 原稿 を執筆 い ただ い た著者の 各位 に深 く感謝す る。構想 i7案 時 か ら 短 い期・ 編集に至るまで,ご 協力 い ただい た中ul俊 武氏 に厚 く感謝す る。 また,海 外 の 研究者 か ら送 られた メッセージは中田氏 のご尽力 に負 う ところが 大きい。 ￨l l:業 新聞 ￨[の 辻組 pl 郎氏 には,編 集 ,校 lIの 諸業務 でたいへ んお世話 にな った。 記 して￨よ 謝す る。 21X13年 3月 京都大学 1:学 研究料 電子物性 11学 松波 弘之 0 チ ョイケ先生 The question has been asked how I first got Into studying SiC. As is usually the casc. one gcts inlrr a ncw field through chance encountcrs. I had done my PhD in in 1952 the Wcstinghouse Rescarch Labora(rries oflered me thc unusual olportunity to get into the new field of 'Semicoiductor Physics" At first t nuclear physics. but had !o retrain by learning a good bit of solid state physics. I rhen startcd to study the process of photoelectric emission in semiconductors. Very little was really known then about how phobemissive films in phototubes and in photomultiplicrs really worked. With a collcague, W. J. Harper, who prepared the semiconducting photosurfaces using the best high vacuurn technology oi the time. I staned to build an optoelecuonics laboratory fbr characterizing these photo emrtters. A few years later Lyle Patrick c me to the Westinghouse Rcscarch Laboratories from rhe University of Chicago He had studied rnagnetic phenomena at Chicago. but he was asked to look into the physrcs of hghtning affestors made out of composite of SiC panicles. I gor to know him larrly soon thereafie. and kept an eye on what hc was doing. Onc day I madc the suggestron that since very lillle was known aboul lhe fundamental physics of SiC we should join lbrces and stan a torrlly ncw program. In those days rhe nranlgerncnt of Industrial Rcsearch Laboratorics was much lnore research oricnled than it rs now. We had vcry lrttle problern combining Lylc's electriciil studies with my optical investigations I felt, and I was uble to pcrsuade rhe Mangcment. thitr SiC wr,ruld be onc of the important semrconducrcrs of the luture. Wc knew that Ge hi|d scvere limitations und Si had not yct reached any form of rnalurily We suncd our invesligations uslng crystals obtained frorn Acheson fum ccs but soon fcalized that we should set up Lely type lurnilces nnd produce pure single crystals of SiC. This was rcalized with the coming of D R. Hamilton who had gottcn his PhD in England. Our llrst publication w s cntirlcd, "Absorption ol Light in Alpha SiC Near the Band Edge" and was publishcd in the Physical Review, Vol. 105. p. 1721, (1957) Wc received an intcrcsting letler soon atter publication from William Shockley. Hc was asking for x rcprinl of thc paper. but he also gave us words of encouragcrncnl. Lyle and I telt this was r good sign nd wc never doubled our direction agarn. In corclusion. I wunt to express our very bcst u,ishcs to Prolessor Matsunani on this will continue 10 chtrl our uuspicrous occasion and trust that his contributions to SiC メ ッセー ジ coursc for lnany ycars lo colnc! Prof W J Choykc Dcpartmcnt of Physics and AstrOnomy Univcrsily of Pittsburgh Pittsburgh,PA 15260、 USA お︶ メッセージ② タ イ ロ フ先 生 You ask me: "Why I begun the SiC study']" For answering this question I return back the time when I was a studenl of The Leningrad Electrotechnical Institute LETI (now St- Petersburg State Electrotechnical Univenity). At that time about 1957 my adviser Prof. Bogorodizky suggested me the topic for lnvestigation: SiC ceramlc ma' terials fbr electronic applications. This case gives me the first experience k) st n investigation of Silicon Carbide I graduated LETI in 1959 and the topic of my Diploma work was: "Electronic control of nonlinear resistors on the base of SiC cerilmics". Aftcr graduating the lnstitutc I studied, pcr year. Solid State Physic in the University of Califbmia (Berkley campus). My adviser in that University was Prof. English who gave me possibility look into the litst scientific news and repons in the field of semiconductor published in USA At that time I received infbrmation about The Firsl Inlemational Silicon Carbide Conference in Boston (1959) After looking into thc rcpon of this confcrcncc I undcrstood how interesting and important could be thrs naterial fbr electronic applicarton. At lhe same time I understood that the nrost imponant and difficult problem for Silicon Carbide electronic fulure was the problem of growing semiconductor quality large SiC crystals. In Stanfirrd, near Berkley, ilt that time Prof Shockley orgrnized Private Research Institutc I visited this Institutc where in one lab invcstigated possibility to grow SiC crystals tiom liquid lron-silicon -carbon solutions. The companson of diffbrent StC growtng methods from liquld solutions. vapor phase and others gave me understNnding that the mosl perspective is sublinration method Holland physicist Lely uscd this method in 1955 fbr growing small semiconductor qualrty SiC plates. AIier lrerum back from USA in my Institute in 1960 Ihad the report in semrnar under nry Professor Bogorodrzky. After this scmiDar I receivcd opportunity to start thc work with growing SiC crystals by sublirnation method In 1963 I finished tny PhD cledrcate process of growing semiconductor quality SiC crystals and it was the beginning of my serious invcstigation semiconductor SiC. Yu. Tairov (つ メ ッセ ー ジ Prcli St,Pctcrsburg statc ElcctrOtcchnical Univcrsity Russia 0 ベ ンスル 先 生 My start to get involved into SiC-Besearch In the eighties of the last cenlury, silicon carbide (SiC) has been grown and investiin the Siemens AG Reltearch Laboratones in Erlangen by a small-however very successful-research group consisting of the chief scientist Dr. Giinther Ziegler and his technician Peter Lanig This group has developed and fabricated the tirst commercial blue LED on the basis of SiC. which could be purchased on rhe market (scc: L. Hoffmann et al , J. Appl. Phys. 53. 6962 (1982)). The 6H-SiC substrates were grown by the modified Lely method and Al-doped, p-typc epiluycrs were deposited on these substrates by a liquid phase epitaxy process. One day in the year 1984. Dr- Ziegler came to the lnstitute of Applied Physics at the Universiiy of Erlangen and asked me whether I would be interested in scarching lbr defects in SrC. At gated this time, I had been mainly involved in the electrical and optical characlerization oldefect centers in silicon. Dr. Ziegler mentioned that it would be worthwhile to look at defects in SiC. because there are many of them in the substrates and almosl nolhing is known about them. He gave me a ftw of his sclt-grown 6H-SiC substrates and this was the beginoing of my SiC aclivties Bccause ol the fact that almost all the elements of the periodic table have been rmplanted in(o silicon and also characterized by Hall elfect. Deep Level Transient Spectroscopy or oPlical lechniques. my inlerest and research activity was fbcused now nrore and more on SiC. Prof. Matsunami visited the Siemcns Research Laboralories tn June 1985: amorphous silicon and 3C-SiC epilayers depositcd on silicon were prcdominanlly the topics of these discussions. I had thc Srcat pleasure to discuss with Prof Matsunami Problcms rel red to SiC :rt thc MRS Mccting in Anahetm in April 1987 October 199'1, Prof. Marsunamr rnvited me to come to Japan and to attend the domestic SiC Conferencel this was my first vrsit in Japan. I enjoyed interesting discussions with Japanese scienrisrs from university and industry who were working in the field of SiC. Later on many visits (o Japan followcd and we maintained an intensive and fiuilful collaboriL- tion in SiC research. Gerhand Pensl Dr. University of Erlanger-Niirnberg. Germany C メッセーン④ ヤ ン ツ ェ ン先 生 IVhy did I first begin to study SiC ? My first experience of SiC resulted in a firm opinion that this unstable. immature material was not worth studying. This happened in the lare 70's or the beglnning of the 80's, when I was a student My professor brought back a SiC LED from Siemens and we were supposed to investigate defects wilh elecrrical and optical junction space charge rechniques. As far as I remember we didn't get any conclusive results but we could see how rhe LED degraded just by looking at it. The second and more active contact wilh SiC was in the late 80's when I was working for ABB Corporate Research. We made a prestudy to find out which powcr <revice mate.ial could possibly replace Si for high-voltage. blpolar devices in the future. We invesrigated different III-V compound semiconductors, including the nitrides, as well as diamond and SiC. Most of the investigated materials could in principle improve the performance of power devices but either rhe improvemcnt was not large of technology, as was the case for most III-V'S. or the material development needed was not realistic in a foreseeable future. as for diamond. Only SiC tumed out to be a possible candidate. The material properlies of SiC would makc the device improvement large enough ro motivate an effbn and a technology change from Si. At this time lhe techniques existed to produce both wafers and epitaxial layers. even if the material needed strong improvemenrs, bolh regarding quality and increased substrate diameter and layer rhickness It was also possible to dopc the material both n- and p-type. and simplc dcviccs had alrcady enough to motivare a change been demonstrated. The real activity wrrh SiC staned a few years later when I had moved !o Linkijping Universiry and had the opponunity to stan up the first SiC activity in Sweden At this time we cooperated slrongly with ABB, who had a strong Intercst in SiC power - to use in their electrical generation and distribution system. Soon afier we also stancd thc cooperation wrth Okmetic. who had an interest in producing SiC bulk and cpitaxial marerials as a complement to their Si activity. The mouvauon. and thc Induslrial interest ibr this were very simple lt was needed to strongry tmprove the malerial quality in order b make it useful lbr the very rlemanding power applications, This includcd thcn thc dcvclopmcnt of ncw or improvcd growth tcchdcvices lo, J y l--) niques both for bulk and thick epilaxial layers. In addition to the industrial motivation for the SiC res€arch, I had also a very strong interest and curiosity towards SiC for the more academic research. With a background in defect physics I saw SiC as a challenging material, especially due to the polytypism. By comparing the "same" defect at different inequivalent sites and in different polytypes, it should be possible to obtain new generic knowledge about defects in semiconductors. The development of SiC research has since then increased continously, both within my group as well as internationally. To my sadsfaction this has occuned both on the applied side with devices and processess and on the more fundamental side in defects and basic material understanding. In this respect the ac(ivities of Prof. Matsunami are a good example and ensure an intcresting future for SiC research and technology, Proi Erik Janzdn (Linkdping University. Sweden) ① 半導体 SiC技 術 と応用―一 日次 は メ 執 じ ッ 筆 め セ 者 l.シ (こ ー ― ― ― ‐ ‐ ¨ ‐ ‐ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ‐ ‐ ‐ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ― ― ― ― ‐ ― ― ― ― ― ― ‐ ― ― ― ― ― ‐ ― ① ジ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ― ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ¨ ― ― ¨ ¨ ¨ ‐ ¨ ¨ ‐ ‐ ― ― ⑤ ¨ ¨ ¨ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ 一 ¨ ¨ ¨ ― ― 覧 リ コ ン カ ーバ イ ド … ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ … … … … … (SiC)技 術 の 発 展 ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ¨ ¨ ― ― ― ¨ ¨ ― ‐ ¨ ― ― ― ― ― ⑮ … … … … … … … … … … …r ・, 2. SiCの 特 徴 ――‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐―‐‐―――――――――¨―――――――――‐ 3.パ ル ク単 結 晶 の 製 作 技 術 … … … … … … … … … … … … … … … … 15 3.1 六方晶 (4H,6H)′ ｀ルク単結晶 3.2 立 方品 (3C)パ ルク 4.エ r5 22 ピ タ キ シ ャル 結 晶 成 長 技 術 ¨ ¨ ‐¨ ‐¨ ―… … … … … … …… …… 33 41 六方品 SICの エ ビタキ シャル成長 33 42マ イクロパ イプ 皿 ng `θ 43 3Cう Cエ ビタキ シャル成長 イ7 44 昇華近接法 53 45 分子線エ ピタキ シー法 `r 46 液相エ ビタキ シャル法 5. 率 吉者 き 51 52 53 54 55 ――――――――――‐―――――¨¨¨¨‐‐‐――‐―――-77 “ 平1五 オ 支争 庁――――――――― `D言 ラマ ン散乱 77 フォ トル ミネセ ンス θ∂ 欠陥検出エ ッチ ングお よび X線 卜l折 評価 イオ ン散乱 rθ 5 電気的特性 rrイ 97 6. プ ロ セ ス 技 術 ―‐¨―¨――――――‐―――――¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨‐¨¨¨‐‐――――r2r 61 ドライエ ッチ ング r2r 62 MOS界 面特性 r28 ⑬ 目 次 MOSFET f35 64 イオ ン注 入 J“ 641 SCイ オン注入プロセス ′4 642 SCイ オン注入欠陥の消滅過程 65 オーム性接触 r,7 66 シ ョッ トキー特性 r“ 6.3 ブ レー ナ型 ″イ7 く‐‐‐…………‐‐‐¨―――――――――――――――――‐‐‐‐‐‐‐―――――――― r77 7. デ バ イ ラ 71 シ ョッ トキ ーノ｀リア ダイオ ー ド (SBD:Schottky Barher Diode) 7.2 pnダ イオー ド J77 f86 (MOSFET) J" 74 蓄積型 SiCエ ピチ ャネ ル電界効果 トラ ンシス タ (ECFET) r'7 75 接合型電界効 果 トラ ンジス タ(JFET),静 電誘導 トラ ンジス タ(SIT) 2“ 76 デ ル タ ドープ蓄積 チ ャネル電界効 果 トラ ンジス タ (DACFET) 2rr 77 高耐圧 FET 2rθ 78 高周波 高出カ デパ イス 222 79 セ ンサ Z慇 8.SiCデ バ イ ス ヘ の 期 待 … … … … … … … … … … … ‐… … … … … 239 8.1 家電機器 "9 7.3 金属 /酸 化膜 /半 導体電 界効 果 トラ ンジス タ 8.2 自動車 83 84 85 鉄道 舅零 ⑭ 2イ 6 2154 電力分野 無線通信 260 266 弓1‐ ‐――‐―‐‐‐‐‐‐‐‐¨―――¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨‐―‐‐‐‐‐‐‐‐‐――-277 松 者 波 弘 之 則 学 ”勝 浅 新 眠野 井 執 筆 者 一 覧 属 (所 関西電力怖 (∞ =順 ) (執 筆担 当 ) ) 総合技術研究所 発電設備研究室 … … … 77節 ,84節 マ イクロ波 '‖ 業劇 新 日本無線 (掬 ` 第 技術課 ……… …………………… マ イクロ波製造部 石 田 編 78節 夕 起 産業技術総合研究所 パ ワーエ レク トロニ クス研究 センター …………………… 43節 今 泉 昌 之 三菱電機的 先端技術総合研究所 上 野 光 高IJ波 デバ イス技術部化合物 パ ワー素 グループ… 61節 「 勝 典 `榊富士電機総合研究所 パ ワーデバ イスグループ … …… 71節 大 谷 小野瀬 Jヒ ホ 寸 木 本 新 日本製鍛的 真 新材料研究部 ………… 31節 .53節 電 r材 料研究部 ――――¨¨75節 先端技術研究所 日立研究所 秀 勝, itt H立 製作所 暉 日日 結 北 畠 昇 松 下電器産業的 くらし環境開発 センター ……………… 76節 .81節 良 物理系学術誌刊行協会 ¨……… … …………… ……… … … 85節 暢 京都大学 大学院 1:学 研究料 電 チ物性 :学 専攻 …… 2章 ,41節 , 55節 .641り 中嶋 中 島 夫 智 郎 一郎 一 11田 道 レ 秀嚇信 樽井 政 良 博 谷 本 孝 孝 司 藤 原 本 佐 菅 杉 田 島 7 2姿 市 法政大学 イオンピーム研究Pl… ………………………… 関西電力脚 総合技術研究所 ………………… …… … 三菱電機(榊 先端技術総合研究所 光 高周波 デバ イス技術酎 字宙科学研究所 642項 77節 .84節 合物 パ ワー素 子グループ … 61節 .73節 `化 衛力 llし 用 1:学 研究系 …………………… 52節 勁新機能素子研究開発協会先進 パ ワーデバ イス研究所 … 65節 三菱電機峠 先端技術総 合研究所 光 高周波 デバ イス技術部化合物 パ ワー素子 グループ… 73節 jII電 力中央研究所 名古屋 工業大学 柑須賀研究所 機能材料部 …… … …42節 電気情報 I“ 羊科 …………… ………… 産業技術総合研究所 54節 ,79節 つ くば中央第 2事 業所 … ………… 51節 1, 長 澤 弘 幸 HoYAア ドバンスド セミコンダクタ テクノロジーズ(榊 ………………………………………………32節 中 田 俊 武 (榔Icセ ミコン 代表取締役……… …… ……… ……46飾 SiCこ 西 野 茂 畑 山 智 亮 弘 京都工 芸繊 維 大学 ■1芸 学 部 邦 田 福 彦 憲 司 l:学 科 ……… ￨ま れ話 44節 奈良先端 科学技 術大学 院 大学 物 質創 成科学 研 究科 原 電 子情報 , 徹 IJltt r科 学講座 ………………… 45節 ぃ 日本 自動 車部品総 合研 究所 …… … … … … … … … …82節 産業技 術 総 合研 究所 パ ワー エ レクロニ クス研 究 セ ンター プ ロセ スデバ イス 1チ ー ム …… … ……………… 松 波 弘 之 京都大学 大学 院工学研 究料 RaJesh Kumar Mahan(マ ルハ ン *. W A A *Mifr?tFft +.p.ttry++++tn;x+w …… 入学 63節 電子物性 工 学専 攻 … … 1章 ,66節 ラ ジェ シュ クマ ー ル) … … … … …… … … 74節 物 質創成科学研 究科 貞 朝 田 邊 吉 渡 62節 43節 鉄道総 合技 術研 究所 … … … … … … … … … … … … … 83節 微細 素子 科学 講座 史 紀 ⑩ t&7>t- ……… 埼 玉大学 「 学 部 電 気電 子システ ム l:学 科 … …… …
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