4/8bit誤り訂正BCH ECC内蔵 NANDフラッシュメモリ・コントローラIP「TE5571」 2015/01/16 [TE5571] SLC (Single Level Cell) NANDフラッシュメモリ対応 ■ 概要 最近の半導体プロセス微細化技術の進化に因るNANDフラッシュメモリのビット誤り率の 上昇に伴い、NANDフラッシュメモリ・コントローラのビット誤り訂正機能を強化する 必要性が出て来ています。従来のSLC(Single Level Cell)タイプのNANDフラッシュメモリは、 ハミング符号による1bit訂正で対応出来ていましたが、最近のSLCタイプNANDフラッシュ メモリは、4bit、8bitの誤り訂正が必要になってきました。 TE5571は、BCH(Bose-Chaudhuri-Hocqenghem)符号による4または8bitの誤り訂正機能と NANDフラッシュメモリからのシステムブート機能も有したSLCタイプNANDフラッシュメモ リ・コントローラIPです。 ■ 特徴・機能 『ハードウェア』 ■ HOST I/F：16bit ■ Verilog での提供 ■ FLASH I/F：8bit/16bit 選択可能 ■ 4bit/8bit 訂正を選択可能な BCH 符号化/復号化機能内蔵 『ファームウェア』 ■ 復号化処理にパイプライン方式を採用 ■ C ソースコードでの提供 ⇒ データ誤りにかかわらず、一定の処理時間を保つ事が可能 ■ 2K バイトページサイズ NAND フラッシュメモリ対応 ■ NAND フラッシュメモリからのブート機能内蔵 ■ システムブートプログラムをサンプルコードでの提供 ■ 2K バイトページサイズ NAND フラッシュメモリ ■ NAND フラッシュメモリを最大 2 個まで制御可能 ■ ブートプログラム用バッファ：1K/2K/4KB 選択可能 ■ 論理-物理アドレス変換機能内蔵 ■ NAND フラッシュメモリを最大 4 個まで接続可能 ■ 不良ブロック管理内蔵 ■ 外部入力クロック：Max.100MHz ■ NAND フラッシュメモリの延命機能内蔵 ■ ハードウェアブロック図 HOST I/F FLASH I/F XRST XCSB XCSD Selecter 2 XRD FCE(3:0)N XWR FWPN ADR(11:1) FCLE HDTI(15:0) FALE Sequencer HDTO(15:0) HDTC RAM I/F FREN FWEN ROM I/F RATE(1:0) FBSYN ENDIAN FDTI(15:0) PSIZE(1:0) FDTO(15:0) Selecter 1 BWAIT BCH ECC ENC/DEC 4bit/8bit BREADY FDTCL i_BUF0/1 ECC_CHK FDTCH FOUT ECC_SEL FINP F_TYPE(3:0) F8X16 RS ECC RESULT ACYC o_BUF0/1 BOOT_SEL BCLK BCLK BOOT RAM BCLK SYNC Single Port RAM CLK Program ROM BCLK ：電源投入直後、動作する信号線 ：BOOT RAMにデータ読み出し後、動作する信号線 ：共通に動作する信号線 ：バス ：TE5571-hの外部モジュール 4/8bit 誤り訂正 BCH ECC 内蔵 NAND フラッシュメモリ・コントローラ IP TE5571 ■ 主要諸元 TE5571ハードウェア規模 ゲートサイズ 内蔵ROMサイズ 内蔵RAMサイズ I/O数 *1 ECC用：13KByte ECC用：4272Byte 『HOST I/F』入力：29本, 出力：3本, 入出力：16本 ブートシーケンサ用：2KByte *3 ブート用：1K~4KByte *3 『FLASH I/F』入力：2本, 出力：10本, 入出力：8本 *2 約120Kゲート *1 外部端子として必要になるI/O数を示しています。 *2 接続するNANDフラッシュメモリが8bitバス幅の場合になります。また、FINP(汎用入力ポート)は含んでいません。 *3 ブート機能を使用しない場合は、削減する事が可能です。 TE5571ファームウェア規模 外部ROMサイズ 外部RAMサイズ *4 約29KByte 約39KByte *4: 16Gbit NANDフラッシュメモリ使用時 ■ NANDフラッシュメモリ対応表 NAND フラッシュメモリ記憶容量 1Gbit ~ 16Gbit NAND フラッシュメモリページサイズ 2KByte ■ システム構成 ブートプログラム・プログラムローダー CPU TE5571ソフトウェア部 メインプログラム SDRAM ディスクデータ ASIC or FPGA #2 プログラムローダー TE5571 ハードウェア部 #3 メインプログラム NOR フラッシュ NAND フラッシュ #1 ブートプログラム <ブート手順> #1 システム起動時、NANDフラッシュ内の『ブートプログラム』をASICのバッファにロードし、CPUのリセット解除。 CPU, メモリコントローラの初期設定を行う。 #2 プログラムローダーをSDRAMにロード。 #3 ブートローダーがメインプログラムとTE5571ソフトウェア部をSDRAMに展開。 東京エレクトロンデバイスでは、自社の持つ情報・技術・サービスを「inrevium (インレビアム)」として商品化しております。 インレビアムカンパニー 〒224-0045 神奈川県横浜市都筑区東方町17番地 TEL.045-474-7109 FAX.045-474-2084 E-mail [email protected] http://www.inrevium.jp/ 本パンフレットに記載された会社名または製品名は各社の商標または登録商標です。 Recycled Paper Feb. 2015
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